JPH1010582A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 液晶ディスプレイ装置において、
   ＴＦＴ基板上に形成された、画素電極を含む回路素子を覆うように形成された配向膜と、
   前記配向膜上に形成され、画素電極と画素電極との間の領域を覆うブラックマトリックスとからなることを特徴とする液晶ディスプレイ装置。
2. 前記回路素子はＴＦＴ、ゲートライン及びデータラインを含み、
   前記ゲートラインとデータラインはＴＦＴを通して前記画素電極と連結されるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
3. 前記ブラックマトリックスの下部に位置する配向膜にも液晶を配向させるための性質が付与されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
4. 前記配向膜はポリイミドよりなることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
5. 前記配向膜はポリアミドよりなることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
6. 前記配向膜はシリコン酸化膜よりなることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
7. 前記配向膜はポリビニルシンナメートよりなることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
8. 前記配向膜はポリビニルフルオロシンナメートよりなることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
9. 前記配向膜はポリシトキシ酸系列、またはポリビニルクロライドよりなることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置。
10. 液晶ディスプレイ装置を製作する方法において、
    透明基板上にゲートライン、ＴＦＴ、データライン及び画素電極を含む回路素子を形成する段階と、
    前記回路素子を覆うよう配向膜を形成する段階と、
    前記配向膜上にブラック樹脂膜を形成し、選択的にエッチさせることによりブラックマトリックスパターンを形成する段階とからなることを特徴とする液晶ディスプレイ装置の製造方法。
11. 透明基板上に形成されたゲートライン、ＴＦＴ、データラインを絶縁膜で覆い、該絶縁層に対し画素電極と連結されるべき部位にコンタクトホールを開け、そして画素電極を形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
12. 前記ブラックマトリックスパターンを形成する段階は、前記配向膜上にブラック樹脂膜を全面にコーティングし、露光及び現像工程を施してパターンを形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
13. 前記ブラック樹脂膜は、感光性を有し現像後には光を遮断する性質を有する樹脂であって、２６０℃までは耐熱性を有し、光の透過が５０％以下となる材料を用いて膜を形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
14. 前記ブラックマトリックスパターンを形成する段階は、前記配向膜上に光遮断性質を有する光遮断膜を形成し、フォトレジストを用いた写真食刻工程で前記光遮膜をパターニングすることを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
15. 前記配向膜を形成する工程はポリイミド膜を形成し、そしてラビング工程を施して形成することからなることを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
16. 前記配向膜を形成する工程はポリアミド膜を形成し、そしてラビング工程を施して形成することからなることを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
17. 前記配向膜を形成する工程はシリコン酸化物で膜を形成し、そしてラビング工程を施して形成することからなることを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
18. 前記配向膜を形成する段階はポリビニルシンナメートで膜を形成し、光配向により形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
19. 前記配向膜を形成する段階はポリビニルフルオロシンナメートで膜を形成し、光配向により形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
20. 前記配向膜を形成する段階はポリシロキシ酸系列で膜を形成し、光配向により形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
21. 前記配向膜を形成する段階はポリビニルクロライドで膜を形成し、光配向により形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶ディスプレイ装置を製造方法。
22. 液晶ディスプレイ装置を製作する方法において、
    透明基板上にゲートライン、ＴＦＴ、データライン及び画素電極を形成する段階と、
    前記ゲートライン、ＴＦＴ、データライン及び画素電極上に配向膜素材物質で膜を形成し、ラビング工程を施して配向膜を形成する段階と、
    前記配向膜上にブラック樹脂膜を形成し、画素電極領域以外の領域で光が漏れる領域上にのみ前記ブラック樹脂を残し、その他の領域に存するブラック樹脂膜は取り除くことによりブラックマトリックスパターンを形成する段階を含めてなることを特徴とする液晶ディスプレイ装置の製造方法。
23. 前記光が漏れる領域以外のブラック樹脂膜を取り除く段階は、
    画素電極、データライン及びゲートラインを除いた全領域のブラック樹脂膜を取り除くことを特徴とする請求項２２に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。
24. 液晶ディスプレイ装置を製作する方法において、
    透明基板上にゲートライン、ＴＦＴ、データライン及び画素電極を形成する段階と、
    前記ゲートライン、ＴＦＴ、データライン及び画素電極上に配向膜素材物質で膜を形成し、光配向により配向膜を形成する段階と、
    前記配向膜上にブラック樹脂膜を形成し、画素電極領域以外の領域で光が漏れる領域上にのみ前記ブラック樹脂を残し、その他の領域に存するブラック樹脂膜は取り除くことによりブラックマトリックスパターンを形成する段階を含めてなることを特徴とする液晶ディスプレイ装置の製造方法。
25. 前記光が漏れる領域以外のブラック樹脂膜を取り除く段階は、
    画素電極、データライン及びゲートラインを除いた全領域のブラック樹脂膜を取り除くことを特徴とする請求項２４に記載の液晶ディスプレイ装置の製造方法。