JPH10107062A - プラズマクリーニング装置、プラズマクリーニング方法及び回路モジュールの製造方法 - Google Patents
プラズマクリーニング装置、プラズマクリーニング方法及び回路モジュールの製造方法Info
- Publication number
- JPH10107062A JPH10107062A JP8256117A JP25611796A JPH10107062A JP H10107062 A JPH10107062 A JP H10107062A JP 8256117 A JP8256117 A JP 8256117A JP 25611796 A JP25611796 A JP 25611796A JP H10107062 A JPH10107062 A JP H10107062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- chamber
- plasma cleaning
- substrate
- bare chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01571—Cleaning, e.g. oxide removal or de-smearing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田から飛散するＰｂ、Ｓｎ等がボンディン
グパッドに付着せずボンディングパッドを効果的に清浄
化できるプラズマクリーニング装置およびプラズマクリ
ーニング方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 チャンバー１０と、チャンバー１０内に
酸素ガスを含む反応ガスを供給する反応ガス供給部２２
と、チャンバー１０外へ排気を行う排気部２３と、チャ
ンバー１０内に設けられ、高周波電圧が印加される第１
電極１５と、第１電極１５と平行になるようにチャンバ
ー１０内に設けられ、かつ基板１を支持するとともに、
電気的に接地される第２電極１６と、第２電極１６によ
って支持される基板１の周囲を包囲するシールド２４と
を備える。
グパッドに付着せずボンディングパッドを効果的に清浄
化できるプラズマクリーニング装置およびプラズマクリ
ーニング方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 チャンバー１０と、チャンバー１０内に
酸素ガスを含む反応ガスを供給する反応ガス供給部２２
と、チャンバー１０外へ排気を行う排気部２３と、チャ
ンバー１０内に設けられ、高周波電圧が印加される第１
電極１５と、第１電極１５と平行になるようにチャンバ
ー１０内に設けられ、かつ基板１を支持するとともに、
電気的に接地される第２電極１６と、第２電極１６によ
って支持される基板１の周囲を包囲するシールド２４と
を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、混載方式の基板な
どの対象物をクリーニングするプラズマクリーニング装
置、プラズマクリーニング方法及びこの対象物からなる
回路モジュールの製造方法に関するものである。
どの対象物をクリーニングするプラズマクリーニング装
置、プラズマクリーニング方法及びこの対象物からなる
回路モジュールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、一つの基板上に半田によって固着
される半田付け部品とベアチップとを搭載する混載方式
の基板が用いられるようになってきている。また、この
基板により、回路モジュールが製造されるようになって
きている。
される半田付け部品とベアチップとを搭載する混載方式
の基板が用いられるようになってきている。また、この
基板により、回路モジュールが製造されるようになって
きている。
【０００３】このような基板に、半田付け部品とベアチ
ップとを搭載するにあたり、先にベアチップを搭載する
と、半田付け部品のための半田の塗布が面倒になる。こ
のため、このような基板では、まず基板に半田付け部品
を半田付けし、次に基板をプラズマクリーニングしてベ
アチップのために基板に形成された、ボンディングパッ
ドの汚れ（主として有機物）を取除き、そしてベアチッ
プを搭載するようになっている。
ップとを搭載するにあたり、先にベアチップを搭載する
と、半田付け部品のための半田の塗布が面倒になる。こ
のため、このような基板では、まず基板に半田付け部品
を半田付けし、次に基板をプラズマクリーニングしてベ
アチップのために基板に形成された、ボンディングパッ
ドの汚れ（主として有機物）を取除き、そしてベアチッ
プを搭載するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さて、このようなプラ
ズマクリーニングを行う際の問題点を説明する。図７
は、従来のプラズマクリーニング方法の現象説明図であ
る。図７において、１は混載方式の基板、２は半田付け
部品３用に形成された回路パターン、４は半田付け部品
３を回路パターン２に固着する半田である。
ズマクリーニングを行う際の問題点を説明する。図７
は、従来のプラズマクリーニング方法の現象説明図であ
る。図７において、１は混載方式の基板、２は半田付け
部品３用に形成された回路パターン、４は半田付け部品
３を回路パターン２に固着する半田である。
【０００５】また５はベアチップを搭載するために形成
されたベアチップ搭載部であり、ベアチップ搭載部５の
周囲には、ベアチップがワイヤで接合されるべきボンデ
ィングパッド６が形成されている。
されたベアチップ搭載部であり、ベアチップ搭載部５の
周囲には、ベアチップがワイヤで接合されるべきボンデ
ィングパッド６が形成されている。
【０００６】そして、ボンディングパッド６の表面に付
着している有機物を除去するため、プラズマクリーニン
グを行う。ところが、従来のプラズマクリーニング装置
によりこれを行うと、Ａｒ+,Ｈ+,ｅ-などの荷電粒子が
ボンディングパッド６のみならず、半田４にも衝突す
る。半田４は、Ｐｂ、Ｓｎなどの柔らかい金属の合金で
あり、このＰｂ、Ｓｎが矢印Ｑ１、Ｑ２で示すように、
荷電粒子が衝突することによって飛散し、ボンディング
パッド６に付着する現象が起る。
着している有機物を除去するため、プラズマクリーニン
グを行う。ところが、従来のプラズマクリーニング装置
によりこれを行うと、Ａｒ+,Ｈ+,ｅ-などの荷電粒子が
ボンディングパッド６のみならず、半田４にも衝突す
る。半田４は、Ｐｂ、Ｓｎなどの柔らかい金属の合金で
あり、このＰｂ、Ｓｎが矢印Ｑ１、Ｑ２で示すように、
荷電粒子が衝突することによって飛散し、ボンディング
パッド６に付着する現象が起る。
【０００７】このとき、飛散したＰｂ、Ｓｎがボンディ
ングパッド６に付着する量よりも、矢印Ｑ３で示すよう
に、荷電粒子がボンディングパッド６の付着物を取除く
量が多ければ、ボンディングパッド６は清浄になるので
あるが、実際には、時間の経過とともに、ボンディング
パッド６の付着物が増えてゆく傾向にあり、ボンディン
グパッド６は、清浄にはならない。
ングパッド６に付着する量よりも、矢印Ｑ３で示すよう
に、荷電粒子がボンディングパッド６の付着物を取除く
量が多ければ、ボンディングパッド６は清浄になるので
あるが、実際には、時間の経過とともに、ボンディング
パッド６の付着物が増えてゆく傾向にあり、ボンディン
グパッド６は、清浄にはならない。
【０００８】そこで本発明は、半田から飛散するＰｂ、
Ｓｎ等がボンディングパッドに付着せずボンディングパ
ッドを効果的に清浄化できるプラズマクリーニング装置
を提供することを目的とする。
Ｓｎ等がボンディングパッドに付着せずボンディングパ
ッドを効果的に清浄化できるプラズマクリーニング装置
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のプラズマクリーニング装置は、チャンバーと、チャン
バー内に酸素ガスを含む反応ガスを供給する反応ガス供
給部と、チャンバー外へ排気を行う排気部と、チャンバ
ー内に設けられ、高周波電圧が印加される第１電極と、
第１電極と対向するようにチャンバー内に設けられ、か
つクリーニングの対象物を支持するとともに、電気的に
接地される第２電極と、この第２電極によって支持され
る対象物を荷電粒子からガードするシールドとを備え
る。
のプラズマクリーニング装置は、チャンバーと、チャン
バー内に酸素ガスを含む反応ガスを供給する反応ガス供
給部と、チャンバー外へ排気を行う排気部と、チャンバ
ー内に設けられ、高周波電圧が印加される第１電極と、
第１電極と対向するようにチャンバー内に設けられ、か
つクリーニングの対象物を支持するとともに、電気的に
接地される第２電極と、この第２電極によって支持され
る対象物を荷電粒子からガードするシールドとを備え
る。
【００１０】本発明の請求項２記載のプラズマクリーニ
ング装置は、前記第１電極にヒータを設ける。
ング装置は、前記第１電極にヒータを設ける。
【００１１】本発明の請求項３記載のプラズマクリーニ
ング方法は、チャンバー内で接地させた第２電極上に対
象物を支持するステップと、前記第２電極上に支持され
た対象物を荷電粒子からガードするシールドで包囲する
ステップと、前記チャンバー内に酸素ガスを供給すると
ともに、前記第２電極に対向する第１電極に高周波電圧
を印加することにより酸素ラジカルおよび荷電粒子を発
生させるステップと、を含む。
ング方法は、チャンバー内で接地させた第２電極上に対
象物を支持するステップと、前記第２電極上に支持され
た対象物を荷電粒子からガードするシールドで包囲する
ステップと、前記チャンバー内に酸素ガスを供給すると
ともに、前記第２電極に対向する第１電極に高周波電圧
を印加することにより酸素ラジカルおよび荷電粒子を発
生させるステップと、を含む。
【００１２】本発明の請求項４記載の回路モジュールの
製造方法は、半田付け部品用の回路パターンに半田付け
部品を半田付けするステップと、基板を、高周波電圧が
印加される第１電極と接地する第２電極との間に位置さ
せるとともに、基板を前記第２電極と同電位のシールド
で包囲した状態で、プラズマクリーニングを行うステッ
プと、ベアチップを基板に固着するステップと、ベアチ
ップとボンディングバッドとをワイヤで接合するステッ
プと、ベアチップの周囲を樹脂で封止するステップと、
を含む。
製造方法は、半田付け部品用の回路パターンに半田付け
部品を半田付けするステップと、基板を、高周波電圧が
印加される第１電極と接地する第２電極との間に位置さ
せるとともに、基板を前記第２電極と同電位のシールド
で包囲した状態で、プラズマクリーニングを行うステッ
プと、ベアチップを基板に固着するステップと、ベアチ
ップとボンディングバッドとをワイヤで接合するステッ
プと、ベアチップの周囲を樹脂で封止するステップと、
を含む。
【００１３】
【発明の実施の形態】上記構成において、対象物として
混載方式の基板上に半田付け部品が半田付けされたもの
を、チャンバー内に収納する。そして、この対象物を第
２電極上に支持し、対象物をシールドで保護する。そし
て、酸素ガスによる酸素プラズマを発生させる。この酸
素プラズマ中には、酸素イオン、電子などの荷電粒子
と、電気的に中性の酸素ラジカルが存在する。
混載方式の基板上に半田付け部品が半田付けされたもの
を、チャンバー内に収納する。そして、この対象物を第
２電極上に支持し、対象物をシールドで保護する。そし
て、酸素ガスによる酸素プラズマを発生させる。この酸
素プラズマ中には、酸素イオン、電子などの荷電粒子
と、電気的に中性の酸素ラジカルが存在する。
【００１４】そして、第１電極と第２電極との電位差に
よって荷電粒子は加速され、シールドに衝突する。しか
しながら、シールドと第２電極との間には電位差がない
ので、荷電粒子はシールド内、即ち対象物の周囲には到
来しない。
よって荷電粒子は加速され、シールドに衝突する。しか
しながら、シールドと第２電極との間には電位差がない
ので、荷電粒子はシールド内、即ち対象物の周囲には到
来しない。
【００１５】したがって、対象物の周囲には浮遊してい
る酸素ラジカルのみが到来することになる。これによっ
て、半田に荷電粒子が衝突することはないので、半田の
Ｐｂ、Ｓｎ等が飛散してボンディングパッドを汚染する
ことはない。また、ボンディングパッドには、酸素ラジ
カルが衝突する。この衝突によって、ボンディングパッ
ドに付着していた有機物は、二酸化炭素と水蒸気に分解
され、これら二酸化炭素、水蒸気は気化するので、ボン
ディングパッドが清浄になる。
る酸素ラジカルのみが到来することになる。これによっ
て、半田に荷電粒子が衝突することはないので、半田の
Ｐｂ、Ｓｎ等が飛散してボンディングパッドを汚染する
ことはない。また、ボンディングパッドには、酸素ラジ
カルが衝突する。この衝突によって、ボンディングパッ
ドに付着していた有機物は、二酸化炭素と水蒸気に分解
され、これら二酸化炭素、水蒸気は気化するので、ボン
ディングパッドが清浄になる。
【００１６】次に図面を参照しながら、本発明の実施の
形態を説明する。図１は、本発明の一実施の形態におけ
るプラズマクリーニング装置の斜視図、図２および図３
は同断面図、図４は同動作説明図である。なお図中、従
来の構成を示す図７と同様の構成要素については、同一
符号を付すことにより説明を省略する。
形態を説明する。図１は、本発明の一実施の形態におけ
るプラズマクリーニング装置の斜視図、図２および図３
は同断面図、図４は同動作説明図である。なお図中、従
来の構成を示す図７と同様の構成要素については、同一
符号を付すことにより説明を省略する。
【００１７】図１および図２において、１０は減圧雰囲
気を形成するためのチャンバーであり、接地されてい
る。このチャンバー１０は、下方に開いた凹部１０ａを
有している。１１は昇降機であって、バー１２を介して
チャンバー１０が結合されている。１３はベース板であ
り、その上面は基板１の搬送を案内する搬送部となって
いる。１４は基板１の搬送機構であって図示しない駆動
手段に駆動されて矢印Ｎ方向へ運動し、その先端の爪１
４ａにより基板１をベース板１３上をピッチ送りする。
また昇降機１１が駆動するとチャンバー１０は昇降す
る。図２はチャンバー１０が下降してベース板１３上を
閉じた状態を示しており、また図３はチャンバー１０が
上昇してベース板１３上を開いた状態を示している。図
３に示すようにチャンバー１０を上昇させて開いた状態
で、爪１４ａにより基板１をピッチ送りして基板１をチ
ャンバー１０に出し入れする。また図２に示すようにチ
ャンバー１０を下降させて閉じ、凹部１０ａによって密
閉空間を形成した状態で、基板１のプラズマクリーニン
グを行う。
気を形成するためのチャンバーであり、接地されてい
る。このチャンバー１０は、下方に開いた凹部１０ａを
有している。１１は昇降機であって、バー１２を介して
チャンバー１０が結合されている。１３はベース板であ
り、その上面は基板１の搬送を案内する搬送部となって
いる。１４は基板１の搬送機構であって図示しない駆動
手段に駆動されて矢印Ｎ方向へ運動し、その先端の爪１
４ａにより基板１をベース板１３上をピッチ送りする。
また昇降機１１が駆動するとチャンバー１０は昇降す
る。図２はチャンバー１０が下降してベース板１３上を
閉じた状態を示しており、また図３はチャンバー１０が
上昇してベース板１３上を開いた状態を示している。図
３に示すようにチャンバー１０を上昇させて開いた状態
で、爪１４ａにより基板１をピッチ送りして基板１をチ
ャンバー１０に出し入れする。また図２に示すようにチ
ャンバー１０を下降させて閉じ、凹部１０ａによって密
閉空間を形成した状態で、基板１のプラズマクリーニン
グを行う。
【００１８】図２において、１５はチャンバー１０の上
部に水平に保持され、かつ高周波電源１７により高周波
電圧が印加される第１電極である。チャンバー１０と第
１電極１５は、絶縁材１９により絶縁されている。１６
は第１電極１５の下方にあってこれと平行に対向し、電
気的に接地される第２電極である。第２電極１６の内部
には、有機物との分解反応を促進してクリーニング効果
をあげるために、ヒータ１８を設けて第２電極１６及び
基板１の温度を高くするようになっている。第２電極１
６は、その上面とベース板１３の上面とが同じ高さにな
るようにベース板１３に取り付けられており、爪１４ａ
による基板１の搬送を可能にしている。
部に水平に保持され、かつ高周波電源１７により高周波
電圧が印加される第１電極である。チャンバー１０と第
１電極１５は、絶縁材１９により絶縁されている。１６
は第１電極１５の下方にあってこれと平行に対向し、電
気的に接地される第２電極である。第２電極１６の内部
には、有機物との分解反応を促進してクリーニング効果
をあげるために、ヒータ１８を設けて第２電極１６及び
基板１の温度を高くするようになっている。第２電極１
６は、その上面とベース板１３の上面とが同じ高さにな
るようにベース板１３に取り付けられており、爪１４ａ
による基板１の搬送を可能にしている。
【００１９】２２は、酸素ガスを含む反応ガスをチャン
バー１０内に供給する反応ガス供給部、２３はチャンバ
ー１０内から排気を行う排気部である。２４は凹部１０
ａのほぼ中段に第１電極１５および第２電極１６と平行
に設けられ、導電体からなる網状のシールドである。こ
のシールド２４も、チャンバー１０を通して接地されて
いる。後述するように、シールド２４は第２電極１６上
の基板１に荷電粒子が衝突しないように、基板１をガー
ドする。
バー１０内に供給する反応ガス供給部、２３はチャンバ
ー１０内から排気を行う排気部である。２４は凹部１０
ａのほぼ中段に第１電極１５および第２電極１６と平行
に設けられ、導電体からなる網状のシールドである。こ
のシールド２４も、チャンバー１０を通して接地されて
いる。後述するように、シールド２４は第２電極１６上
の基板１に荷電粒子が衝突しないように、基板１をガー
ドする。
【００２０】このプラズマクリーニング装置は上記のよ
うな構成より成り、次に動作を説明する。図２に示すよ
うに基板１をチャンバー１０内に収納して第２電極１６
上に支持させ、チャンバー１０を閉じる。次いで、排気
部２３を駆動することにより、チャンバー１０内を減圧
し、反応ガス供給部２２を駆動して酸素ガスを含む反応
ガスをチャンバー１０内に導入する。そして、酸素ガス
の圧力が所定値となったところで、高周波電源１７を駆
動し、第１電極１５に高周波電圧を印加する。すると、
第１電極１５と第２電極１６との間に、酸素プラズマが
発生する。この酸素プラズマの中には、酸素イオン、電
子などの荷電粒子と、電気的に中性の酸素ラジカルとが
存在する。
うな構成より成り、次に動作を説明する。図２に示すよ
うに基板１をチャンバー１０内に収納して第２電極１６
上に支持させ、チャンバー１０を閉じる。次いで、排気
部２３を駆動することにより、チャンバー１０内を減圧
し、反応ガス供給部２２を駆動して酸素ガスを含む反応
ガスをチャンバー１０内に導入する。そして、酸素ガス
の圧力が所定値となったところで、高周波電源１７を駆
動し、第１電極１５に高周波電圧を印加する。すると、
第１電極１５と第２電極１６との間に、酸素プラズマが
発生する。この酸素プラズマの中には、酸素イオン、電
子などの荷電粒子と、電気的に中性の酸素ラジカルとが
存在する。
【００２１】そして、図４に示すように、第１電極１５
と第２電極１６との電位差により、荷電粒子は加速され
シールド２４へ達するが、第２電極１６とシールド２４
は共に接地されて同電位であるため、荷電粒子はシール
ド２４にガードされてシールド２４内に進入しない。即
ち、シールド２４の内部には、酸素ラジカルのみが進入
する。
と第２電極１６との電位差により、荷電粒子は加速され
シールド２４へ達するが、第２電極１６とシールド２４
は共に接地されて同電位であるため、荷電粒子はシール
ド２４にガードされてシールド２４内に進入しない。即
ち、シールド２４の内部には、酸素ラジカルのみが進入
する。
【００２２】この酸素ラジカルにより、ボンディングパ
ッド６に付着している有機物は、分解されて気化し、排
気部２３によりチャンバー１０外へ排出され、ボンディ
ングパッド６は清浄になる。またこのとき、ヒータ１８
を駆動して、第２電極１６、即ち基板１の温度を高め
て、上述した分解を促進し、短時間で効果的なクリーニ
ングを行うことができる。
ッド６に付着している有機物は、分解されて気化し、排
気部２３によりチャンバー１０外へ排出され、ボンディ
ングパッド６は清浄になる。またこのとき、ヒータ１８
を駆動して、第２電極１６、即ち基板１の温度を高め
て、上述した分解を促進し、短時間で効果的なクリーニ
ングを行うことができる。
【００２３】次に、上述したプラズマクリーニング方法
を用いた、回路モジュールの製造方法について説明す
る。図５（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施の形態にお
ける回路モジュールの製造方法のフローチャート、図６
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は同回路モジ
ュールの製造方法の工程説明図である。
を用いた、回路モジュールの製造方法について説明す
る。図５（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施の形態にお
ける回路モジュールの製造方法のフローチャート、図６
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は同回路モジ
ュールの製造方法の工程説明図である。
【００２４】図５（ａ）に沿って、図６を参照しなが
ら、回路モジュールの製造方法の各過程について説明す
る。まず図６（ａ）に示すように、基板１の回路パター
ン２上にスクリーン印刷法によって、半田４を塗布し、
塗布した半田４の上に半田付け部品３を搭載する（矢印
Ｎ１）。
ら、回路モジュールの製造方法の各過程について説明す
る。まず図６（ａ）に示すように、基板１の回路パター
ン２上にスクリーン印刷法によって、半田４を塗布し、
塗布した半田４の上に半田付け部品３を搭載する（矢印
Ｎ１）。
【００２５】次いで、基板１をリフロー装置などの加熱
装置に入れ、半田４を溶融させた後固化させて、図６
（ｂ）に示すように、半田付け部品３を回路パターン２
に半田付けする。
装置に入れ、半田４を溶融させた後固化させて、図６
（ｂ）に示すように、半田付け部品３を回路パターン２
に半田付けする。
【００２６】次に、基板１を図２〜図４を参照して説明
した方法で、プラズマクリーニングする。これにより、
ボンディングパッド６に付着した有機物を取除くことが
でき、半田４のＰｂ，Ｓｎなどがボンディングパッド６
に付着しないようにすることができる。
した方法で、プラズマクリーニングする。これにより、
ボンディングパッド６に付着した有機物を取除くことが
でき、半田４のＰｂ，Ｓｎなどがボンディングパッド６
に付着しないようにすることができる。
【００２７】図６（ｃ）に示すように、ベアチップ搭載
部５に接着剤２６を塗布した後、接着剤２６上にベアチ
ップ２７を搭載する。そして、基板１をキュア装置など
に送り、接着剤２６を硬化させることにより、ベアチッ
プ搭載部５にベアチップ２７を固着する。
部５に接着剤２６を塗布した後、接着剤２６上にベアチ
ップ２７を搭載する。そして、基板１をキュア装置など
に送り、接着剤２６を硬化させることにより、ベアチッ
プ搭載部５にベアチップ２７を固着する。
【００２８】次に、図６（ｄ）に示すように、ベアチッ
プ２７とボンディングパッド６をワイヤ２８で接合し、
ベアチップ２７の周囲を、樹脂２９で封止することによ
って、回路モジュールを得ることができる。
プ２７とボンディングパッド６をワイヤ２８で接合し、
ベアチップ２７の周囲を、樹脂２９で封止することによ
って、回路モジュールを得ることができる。
【００２９】また図５（ｂ）に示した製造方法は、図５
（ａ）の手順を若干変更したものである。即ち、図５
（ｂ）によると、プラズマクリーニングを半田付け部品
３の固着工程（図６（ｂ））とベアチップ２６の実装工
程（図６（ｃ））との間に行うのではなく、ベアチップ
２７の固着工程（図６（ｃ））がすんだ直後にプラズマ
クリーニングを行い、クリーニングの直後に清浄になっ
たばかりのボンディングパッド６を用いてワイヤボンデ
ィングを行うようにしている。そのほかは、図５（ａ）
と同様である。
（ａ）の手順を若干変更したものである。即ち、図５
（ｂ）によると、プラズマクリーニングを半田付け部品
３の固着工程（図６（ｂ））とベアチップ２６の実装工
程（図６（ｃ））との間に行うのではなく、ベアチップ
２７の固着工程（図６（ｃ））がすんだ直後にプラズマ
クリーニングを行い、クリーニングの直後に清浄になっ
たばかりのボンディングパッド６を用いてワイヤボンデ
ィングを行うようにしている。そのほかは、図５（ａ）
と同様である。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、混載方式の基板などに
おいて、半田の成分の二次的な付着を防止でき、効果的
にクリーニングを行うことができる。
おいて、半田の成分の二次的な付着を防止でき、効果的
にクリーニングを行うことができる。
【図１】本発明の一実施の形態におけるプラズマクリー
ニング装置の斜視図
ニング装置の斜視図
【図２】本発明の一実施の形態におけるプラズマクリー
ニング装置の断面図
ニング装置の断面図
【図３】本発明の一実施の形態におけるプラズマクリー
ニング装置の断面図
ニング装置の断面図
【図４】本発明の一実施の形態におけるプラズマクリー
ニング装置の動作説明図
ニング装置の動作説明図
【図５】（ａ）本発明の一実施の形態における回路モジ
ュールの製造方法のフローチャート （ｂ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法のフローチャート
ュールの製造方法のフローチャート （ｂ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法のフローチャート
【図６】（ａ）本発明の一実施の形態における回路モジ
ュールの製造方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法の工程説明図 （ｅ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法の工程説明図
ュールの製造方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法の工程説明図 （ｅ）本発明の一実施の形態における回路モジュールの
製造方法の工程説明図
【図７】従来のプラズマクリーニング方法の現象説明図
１ 基板 １０ チャンバー １５ 第１電極 １６ 第２電極 １８ ヒータ ２２ 反応ガス供給部 ２３ 排気部 ２４ シールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０５Ｋ 3/26 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (4)
- 【請求項１】チャンバーと、このチャンバー内に酸素ガ
スを含む反応ガスを供給する反応ガス供給部と、このチ
ャンバー外へ排気を行う排気部と、このチャンバー内に
設けられ、高周波電圧が印加される第１電極と、この第
１電極に対向するように前記チャンバー内に設けられ、
かつクリーニングの対象物を支持するとともに、電気的
に接地される第２電極と、この第２電極によって支持さ
れる対象物を荷電粒子からガードするシールドとを備え
ることを特徴とするプラズマクリーニング装置。 - 【請求項２】前記第１電極には、ヒータが設けられてい
ることを特徴とする請求項１記載のプラズマクリーニン
グ装置。 - 【請求項３】チャンバー内で接地させた第２電極上に対
象物を支持するステップと、 前記第２電極上に支持された対象物を荷電粒子からガー
ドするシールドで包囲するステップと、 前記チャンバー内に酸素ガスを供給するとともに、前記
第２電極に対向する第１電極に高周波電圧を印加するこ
とにより酸素ラジカルおよび荷電粒子を発生させるステ
ップと、を含むことを特徴とするプラズマクリーニング
方法。 - 【請求項４】半田付け部品用の回路パターンとベアチッ
プ用のボンディングパッドとを備えた混載方式の基板に
よる回路モジュールの製造方法であって、 前記回路パターンに半田付け部品を半田付けするステッ
プと、 基板を、高周波電圧が印加される第１電極と接地する第
２電極との間に位置させるとともに、基板を前記第２電
極と同電位のシールドで包囲した状態で、プラズマクリ
ーニングを行うステップと、 ベアチップを基板に固着するステップと、 ベアチップとボンディングバッドとをワイヤで接合する
ステップと、 ベアチップの周囲を樹脂で封止するステップと、を含む
ことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256117A JPH10107062A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プラズマクリーニング装置、プラズマクリーニング方法及び回路モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256117A JPH10107062A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プラズマクリーニング装置、プラズマクリーニング方法及び回路モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107062A true JPH10107062A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17288140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8256117A Pending JPH10107062A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プラズマクリーニング装置、プラズマクリーニング方法及び回路モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107062A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010068777A (ko) * | 2000-01-10 | 2001-07-23 | 박종섭 | 시시디 패키지 제조용 이물 제거 시스템 |
| JP2003318158A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Nordson Corp | プラズマ処理システム |
| CN1319658C (zh) * | 2003-09-09 | 2007-06-06 | 株式会社岛津制作所 | 等离子清洗装置 |
| KR100924237B1 (ko) * | 2002-04-19 | 2009-10-30 | 노드슨 코포레이션 | 플라즈마로 워크피스를 처리하기 위한 장치 및 방법 |
| CN102626702A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-08 | 成都聚合科技有限公司 | 一种清洗高倍聚光光伏光电转换接收器基板工艺 |
| JP2014013899A (ja) * | 2004-06-30 | 2014-01-23 | Applied Materials Inc | フォトマスクプラズマエッチングの為の方法および装置 |
| CN112246784A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-22 | 温州市疾彬电子科技有限公司 | 一种电路板电子元件快速清锡回收装置 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP8256117A patent/JPH10107062A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010068777A (ko) * | 2000-01-10 | 2001-07-23 | 박종섭 | 시시디 패키지 제조용 이물 제거 시스템 |
| JP2003318158A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Nordson Corp | プラズマ処理システム |
| KR100924237B1 (ko) * | 2002-04-19 | 2009-10-30 | 노드슨 코포레이션 | 플라즈마로 워크피스를 처리하기 위한 장치 및 방법 |
| JP2009260383A (ja) * | 2002-04-19 | 2009-11-05 | Nordson Corp | プラズマ処理システム |
| JP2010080984A (ja) * | 2002-04-19 | 2010-04-08 | Nordson Corp | プラズマ処理システム |
| US8480850B2 (en) | 2002-04-19 | 2013-07-09 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
| US8613827B2 (en) | 2002-04-19 | 2013-12-24 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
| US8623471B2 (en) | 2002-04-19 | 2014-01-07 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
| CN1319658C (zh) * | 2003-09-09 | 2007-06-06 | 株式会社岛津制作所 | 等离子清洗装置 |
| JP2014013899A (ja) * | 2004-06-30 | 2014-01-23 | Applied Materials Inc | フォトマスクプラズマエッチングの為の方法および装置 |
| CN102626702A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-08-08 | 成都聚合科技有限公司 | 一种清洗高倍聚光光伏光电转换接收器基板工艺 |
| CN112246784A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-22 | 温州市疾彬电子科技有限公司 | 一种电路板电子元件快速清锡回收装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3312377B2 (ja) | ろう材による接合方法及び装置 | |
| US5345056A (en) | Plasma based soldering by indirect heating | |
| EP0248314A2 (en) | Soldering of electronic components | |
| HK1002250B (en) | Soldering by conduction of heat from a plasma | |
| JP2003103361A (ja) | 表面改質装置および表面改質方法 | |
| KR19990045115A (ko) | 금속 표면의 리플로우 솔더링 장치 및 방법 | |
| JPH10107062A (ja) | プラズマクリーニング装置、プラズマクリーニング方法及び回路モジュールの製造方法 | |
| US6418941B1 (en) | Method of and apparatus for plasma cleaning of chip-mounted board | |
| JP3189828B2 (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JP3116792B2 (ja) | プラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング方法 | |
| JP3350529B1 (ja) | はんだ接合装置及びはんだ接合方法 | |
| JP2004186460A (ja) | 回路装置の製造方法 | |
| TW515012B (en) | Plasma-processing apparatus, plasma-processing method, and chip mounted method | |
| US6103016A (en) | Mitigation of electrostatic discharges during carbon dioxide cleaning | |
| JP3218846B2 (ja) | プラズマクリーニング装置及び電子部品製造方法 | |
| JP3324446B2 (ja) | バンプ付きチップの実装構造および実装方法 | |
| JP3543573B2 (ja) | 電子部品の実装方法およびチップの実装方法 | |
| JP3329166B2 (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
| JP3293113B2 (ja) | フラックス残渣除去方法及びその装置 | |
| JPH10340914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4363011B2 (ja) | 基板表面処理方法及び装置 | |
| JP3159937B2 (ja) | 金属表面の接合前処理装置 | |
| JPH09246705A (ja) | 電子部品、その実装方法、及び電子デバイス | |
| JP3663883B2 (ja) | 回路基板の製造方法および電子部品の製造方法 | |
| GB2354636A (en) | Mounting chips on substrates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040427 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040831 |