JPH10110009A - オレフィンポリマー製造用触媒 - Google Patents
オレフィンポリマー製造用触媒Info
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Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オレフィンポリマーの製造用の触媒先駆体と
して有用な新規の類の共役アリル−シクロアルカジエニ
ルジアニオンを提供すること。 【解決手段】 次式: 【化1】 (式中、Lはシクロアルカジエニルリガンドであり、
W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個の炭素原
子を有するヒドロカルビル基又はシリル基であり、少な
くとも2個の第IVA族原子を含む橋渡し基を介してLに
結合することができ、但し、X、Y及びZの一つは、第
IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香族基、エ
チレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽和炭化水
素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分より成る群か
ら選択される陰電荷安定化用基である)の触媒先駆体が
提供される。この触媒先駆体は、第III B〜VIII族又は
ランタニド群からの金属を含む化合物及び活性化用助触
媒と組み合わされた時に、オレフィン重合に有用であ
る。
して有用な新規の類の共役アリル−シクロアルカジエニ
ルジアニオンを提供すること。 【解決手段】 次式: 【化1】 (式中、Lはシクロアルカジエニルリガンドであり、
W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個の炭素原
子を有するヒドロカルビル基又はシリル基であり、少な
くとも2個の第IVA族原子を含む橋渡し基を介してLに
結合することができ、但し、X、Y及びZの一つは、第
IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香族基、エ
チレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽和炭化水
素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分より成る群か
ら選択される陰電荷安定化用基である)の触媒先駆体が
提供される。この触媒先駆体は、第III B〜VIII族又は
ランタニド群からの金属を含む化合物及び活性化用助触
媒と組み合わされた時に、オレフィン重合に有用であ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、エチレン、それ
より高級のα−オレフィン(以下、単に高級α−オレフ
ィンと言う)、ジエン及びそれらの混合物のポリマーの
ようなオレフィンポリマーの製造用の触媒先駆体として
有用な新規の類の共役アリル−シクロアルカジエニルジ
アニオンに関する。
より高級のα−オレフィン(以下、単に高級α−オレフ
ィンと言う)、ジエン及びそれらの混合物のポリマーの
ようなオレフィンポリマーの製造用の触媒先駆体として
有用な新規の類の共役アリル−シクロアルカジエニルジ
アニオンに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、オレフィンポリマーを製造するた
めの単一部位(single site) 触媒が開発されている。典
型的には、単一部位触媒は、メタロセン、即ち、元素周
期律表の第III B〜VIII族又はランタニド群からの金属
原子と会合した1個以上のπ結合部分を含有する有機金
属配位錯体である。単一部位触媒を含有する触媒組成物
は、ポリオレフィンの製造において非常に有用であり、
優れた重合速度において均質なポリマーを提供し、望ま
れる通りの最終特性に近い最終特性を持つポリマーを作
ることを可能にすると報告されている。
めの単一部位(single site) 触媒が開発されている。典
型的には、単一部位触媒は、メタロセン、即ち、元素周
期律表の第III B〜VIII族又はランタニド群からの金属
原子と会合した1個以上のπ結合部分を含有する有機金
属配位錯体である。単一部位触媒を含有する触媒組成物
は、ポリオレフィンの製造において非常に有用であり、
優れた重合速度において均質なポリマーを提供し、望ま
れる通りの最終特性に近い最終特性を持つポリマーを作
ることを可能にすると報告されている。
【0003】ヨーロッパ特許公開第0586167A1
号及び同第0586168A1号は、次式: M[XRn ]x Yp 又は
号及び同第0586168A1号は、次式: M[XRn ]x Yp 又は
【化10】 (ここで、Rは酸素、珪素、燐、窒素又は硼素原子を随
意に含有するヒドロカルビルであり、Xはシクロペンタ
ジエニル核を含有する有機基であり、Mは第IVA族金属
であり、Yは一価のアニオン系リガンドであり、Zは橋
渡し基である)のメタロセン錯体を含むポリオレフィン
触媒組成物に関する。これらの出願によれば、R基の少
なくとも1個は重合性の(即ち重合可能な)基(好まし
くは少なくとも3個の炭素原子を有するもの)を含有し
ていなければならない。好ましいメタロセン錯体は、重
合性の基がビニルであるジルコニウム錯体である。次
式:
意に含有するヒドロカルビルであり、Xはシクロペンタ
ジエニル核を含有する有機基であり、Mは第IVA族金属
であり、Yは一価のアニオン系リガンドであり、Zは橋
渡し基である)のメタロセン錯体を含むポリオレフィン
触媒組成物に関する。これらの出願によれば、R基の少
なくとも1個は重合性の(即ち重合可能な)基(好まし
くは少なくとも3個の炭素原子を有するもの)を含有し
ていなければならない。好ましいメタロセン錯体は、重
合性の基がビニルであるジルコニウム錯体である。次
式:
【化11】 のような化合物が開示されている。
【0004】ドイツ国特許公開第3840772A1号
は、ジルコニウム、チタン又はハフニウムメタロセン化
合物をヒドロシル化触媒の存在下でポリ(メトヒドロゲ
ノシロキサン)と反応させることによって製造される、
オレフィン重合に用いるためのメタロセン触媒成分に関
する。次式:
は、ジルコニウム、チタン又はハフニウムメタロセン化
合物をヒドロシル化触媒の存在下でポリ(メトヒドロゲ
ノシロキサン)と反応させることによって製造される、
オレフィン重合に用いるためのメタロセン触媒成分に関
する。次式:
【化12】 のような化合物が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本明細書には、容易に
且つ安く製造され、良好な重合活性及び生産性を有す
る、新規の単一部位オレフィン重合触媒組成物が記載さ
れる。この触媒組成物は、(1)共役アリル−シクロア
ルカジエニルジアニオン触媒先駆体と(2)第IIIB〜V
III族又はランタニド群からの金属を含む化合物と
(3)活性化用助触媒との反応生成物を含む。
且つ安く製造され、良好な重合活性及び生産性を有す
る、新規の単一部位オレフィン重合触媒組成物が記載さ
れる。この触媒組成物は、(1)共役アリル−シクロア
ルカジエニルジアニオン触媒先駆体と(2)第IIIB〜V
III族又はランタニド群からの金属を含む化合物と
(3)活性化用助触媒との反応生成物を含む。
【0006】
【課題を解決するための手段】発明の概要 本発明は、次式:
【化13】(式中、Lはシクロアルカジエニルリガンド
であり、W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個
の炭素原子を有するヒドロカルビル基又はシリル基であ
り、少なくとも2個の第IVA族原子を含む橋渡し基を介
してLに結合することができ、但し、X、Y及びZの一
つは、第IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香
族基、エチレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽
和炭化水素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分から
選択される陰電荷安定化用基である)の触媒先駆体を提
供する。
であり、W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個
の炭素原子を有するヒドロカルビル基又はシリル基であ
り、少なくとも2個の第IVA族原子を含む橋渡し基を介
してLに結合することができ、但し、X、Y及びZの一
つは、第IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香
族基、エチレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽
和炭化水素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分から
選択される陰電荷安定化用基である)の触媒先駆体を提
供する。
【0007】本発明はまた、前記触媒先駆体と第III B
〜VIII族又はランタニド群からの金属を含む化合物と活
性化用助触媒との反応生成物を含む触媒組成物をも提供
する。
〜VIII族又はランタニド群からの金属を含む化合物と活
性化用助触媒との反応生成物を含む触媒組成物をも提供
する。
【0008】さらに、本発明は、重合条件下でオレフィ
ンモノマーを前記触媒組成物と接触させることを含むオ
レフィンポリマーの製造方法、並びにこの方法によって
製造されたエチレンポリマーのようなオレフィンポリマ
ーを提供する。
ンモノマーを前記触媒組成物と接触させることを含むオ
レフィンポリマーの製造方法、並びにこの方法によって
製造されたエチレンポリマーのようなオレフィンポリマ
ーを提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】発明の詳しい説明 この触媒先駆体は、次式:
【化14】を有する共役アリル−シクロアルカジエニル
ジアニオンである。この式中、Lはシクロペンタジエニ
ル、インデニル又はフルオレニルのようなシクロアルカ
ジエニルリガンドであり、これらはアルキル、アリー
ル、アルキルアリール又はアリールアルキルのようなヒ
ドロカルビル基、シリル基等の1個以上で置換されてい
ても置換されていなくてもよい。Lは、置換又は非置換
シクロペンタジエニル又はインデニルリガンドであるの
が好ましい。
ジアニオンである。この式中、Lはシクロペンタジエニ
ル、インデニル又はフルオレニルのようなシクロアルカ
ジエニルリガンドであり、これらはアルキル、アリー
ル、アルキルアリール又はアリールアルキルのようなヒ
ドロカルビル基、シリル基等の1個以上で置換されてい
ても置換されていなくてもよい。Lは、置換又は非置換
シクロペンタジエニル又はインデニルリガンドであるの
が好ましい。
【0010】次の段落において規定される場合を除い
て、W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個の炭
素原子を有するヒドロカルビル基又はシリル基である。
W、X、Y及びZの一つ以上は、2個以上の第IVA族原
子を含む橋渡し基を介してLに結合することができる。
て、W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個の炭
素原子を有するヒドロカルビル基又はシリル基である。
W、X、Y及びZの一つ以上は、2個以上の第IVA族原
子を含む橋渡し基を介してLに結合することができる。
【0011】X、Y及びZの一つは陰電荷安定化用基で
あることが必要である。陰電荷安定化用基の例には、第
IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香族基、エ
チレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽和炭化水
素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分がある。
あることが必要である。陰電荷安定化用基の例には、第
IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香族基、エ
チレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽和炭化水
素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分がある。
【0012】第IVA族トリアルキル基は、次式: (第IVA族元素)(R3 ) (ここで、Rは1〜約20個の炭素原子を有するアルキ
ル基を表わす)を有し、例えばシリル、スタニル、ゲル
ミル又はプランビルである。
ル基を表わす)を有し、例えばシリル、スタニル、ゲル
ミル又はプランビルである。
【0013】アリール基の例には、フェニル、ナフチ
ル、ビフェニル、アントラセニル、並びにトリル、メト
キシフェニル及びo−t−ブチルフェニルのような置換
フェニル基がある。複素芳香族基の例には、ピリジル、
フリル、ピリル及びチエニルがある。
ル、ビフェニル、アントラセニル、並びにトリル、メト
キシフェニル及びo−t−ブチルフェニルのような置換
フェニル基がある。複素芳香族基の例には、ピリジル、
フリル、ピリル及びチエニルがある。
【0014】エチレン系不飽和炭化水素基の例には、ビ
ニル基、置換ビニル基、アレン系基、置換アレン系基、
ジエニル基及び置換ジエニル基がある。アセチレン系不
飽和炭化水素基の例には、フェニルアルキニル、トリメ
チルシリルアルキニル、プロピニル、ヘキシニル及び
3,3−ジメチルブチニルがある。
ニル基、置換ビニル基、アレン系基、置換アレン系基、
ジエニル基及び置換ジエニル基がある。アセチレン系不
飽和炭化水素基の例には、フェニルアルキニル、トリメ
チルシリルアルキニル、プロピニル、ヘキシニル及び
3,3−ジメチルブチニルがある。
【0015】ケトン系基の例には、ベンゾイル及びピバ
ロイルがある。芳香族有機金属部分の例には、フェロセ
ン、チタノセン、クロモセン及びバナドセンがある。
ロイルがある。芳香族有機金属部分の例には、フェロセ
ン、チタノセン、クロモセン及びバナドセンがある。
【0016】好ましい陰電荷安定化用基は、アリール
基、特にフェニル基である。
基、特にフェニル基である。
【0017】触媒先駆体は、モノマー、ダイマー、オリ
ゴマー及びポリマーの形にあることができる。
ゴマー及びポリマーの形にあることができる。
【0018】本発明の好ましい実施態様において、触媒
先駆体は、次式:
先駆体は、次式:
【化15】 のシンナミル−シクロペンタジエニルジアニオン(その
任意の異性体を含む)である。
任意の異性体を含む)である。
【0019】本発明の別の好ましい実施態様において、
触媒先駆体は、次式:
触媒先駆体は、次式:
【化16】 のシンナミル−インデニルジアニオン(その任意の異性
体を含む)である。
体を含む)である。
【0020】触媒先駆体は任意の合成方法によって製造
することができ、触媒先駆体の製造方法は本発明にとっ
て臨界的なものではない。触媒先駆体の一つの有用な製
造方法は、シクロアルカジエニル含有塩をアリル含有ハ
ロゲン化合物と接触させ、得られた生成物を金属化用試
薬、好ましくはメチルリチウム又はn−ブチルリチウム
のようなアルキルリチウム化合物によって金属化するこ
とによるものである。接触は、大気圧及び約−78℃〜
室温の範囲、好ましくは−30℃〜室温の範囲の温度に
おいて実施することができる。
することができ、触媒先駆体の製造方法は本発明にとっ
て臨界的なものではない。触媒先駆体の一つの有用な製
造方法は、シクロアルカジエニル含有塩をアリル含有ハ
ロゲン化合物と接触させ、得られた生成物を金属化用試
薬、好ましくはメチルリチウム又はn−ブチルリチウム
のようなアルキルリチウム化合物によって金属化するこ
とによるものである。接触は、大気圧及び約−78℃〜
室温の範囲、好ましくは−30℃〜室温の範囲の温度に
おいて実施することができる。
【0021】例えば、好ましいものであるシンナミル−
シクロペンタジエニルジアニオン触媒先駆体を製造する
時は、ナトリウムシクロペンタジエニドを塩化シンナミ
ル又は臭化シンナミルと反応させることができる。生成
物のシンナミルシクロペンタジエンを次いで好適な溶媒
中で1当量のn−ブチルリチウムによって金属化してモ
ノアニオンのシンナミルシクロペンタジエニド(モノリ
チウム塩として)を生成させることができる。有用な溶
媒の例には、テトラヒドロフラン(THF)、モノグリ
ム、ジグリム、トリグリム、テトラグリム及びメチルt
−ブチルエーテル(MTBE)のようなエーテル、N,
N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミンのよう
なキレート化用アミン並びにヘキサメチル燐酸アミドの
ようなアミドがある。このモノアニオンを次いで溶媒中
の2回目の1当量のn−ブチルリチウムによる2回目の
金属化によってシンナミル−シクロペンタジエニルジア
ニオンに転化させることができる。別法として、ナトリ
ウムシクロペンタジエニドに塩化シンナミル又は臭化シ
ンナミル及び2当量のアルキルリチウム化合物を順次添
加することによって、1容器合成で前記シンナミルシク
ロペンタジエンをシンナミル−シクロペンタジエニルジ
アニオン触媒先駆体に直接転化させることができる。
シクロペンタジエニルジアニオン触媒先駆体を製造する
時は、ナトリウムシクロペンタジエニドを塩化シンナミ
ル又は臭化シンナミルと反応させることができる。生成
物のシンナミルシクロペンタジエンを次いで好適な溶媒
中で1当量のn−ブチルリチウムによって金属化してモ
ノアニオンのシンナミルシクロペンタジエニド(モノリ
チウム塩として)を生成させることができる。有用な溶
媒の例には、テトラヒドロフラン(THF)、モノグリ
ム、ジグリム、トリグリム、テトラグリム及びメチルt
−ブチルエーテル(MTBE)のようなエーテル、N,
N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミンのよう
なキレート化用アミン並びにヘキサメチル燐酸アミドの
ようなアミドがある。このモノアニオンを次いで溶媒中
の2回目の1当量のn−ブチルリチウムによる2回目の
金属化によってシンナミル−シクロペンタジエニルジア
ニオンに転化させることができる。別法として、ナトリ
ウムシクロペンタジエニドに塩化シンナミル又は臭化シ
ンナミル及び2当量のアルキルリチウム化合物を順次添
加することによって、1容器合成で前記シンナミルシク
ロペンタジエンをシンナミル−シクロペンタジエニルジ
アニオン触媒先駆体に直接転化させることができる。
【0022】触媒組成物は、共役アリル−シクロペンタ
ジエニルジアニオン触媒先駆体と、第III B〜VIII族又
はランタニド群からの金属を含む化合物(以下、「金属
化合物」と称する)と、活性化用助触媒との反応生成物
を含む。反応生成物を生成させるに当たっては、触媒先
駆体(これは共役アリル−シクロアルカジエニルジアニ
オン及び金属化用試薬からの金属カチオンを含有する塩
の形にあることができる)、金属化合物及び活性化用助
触媒を大気圧下で約−78℃〜室温の範囲、好ましくは
約−30℃〜室温の範囲の温度において接触させる。接
触は、好適な溶媒、即ちTHFのようなエーテル又はヘ
キサン若しくはトルエンのような炭化水素の存在下で行
なうのが好ましい。触媒先駆体、金属化合物及び活性化
用助触媒は、任意の順序で接触させることができるが、
しかし、初めに触媒先駆体と金属化合物とを接触させ、
次いで活性化用助触媒を接触させるか、又は初めに触媒
先駆体と活性化用助触媒とを接触させ、次いで金属化合
物を接触させるかのいずれかの順序で行なうのが好まし
い。
ジエニルジアニオン触媒先駆体と、第III B〜VIII族又
はランタニド群からの金属を含む化合物(以下、「金属
化合物」と称する)と、活性化用助触媒との反応生成物
を含む。反応生成物を生成させるに当たっては、触媒先
駆体(これは共役アリル−シクロアルカジエニルジアニ
オン及び金属化用試薬からの金属カチオンを含有する塩
の形にあることができる)、金属化合物及び活性化用助
触媒を大気圧下で約−78℃〜室温の範囲、好ましくは
約−30℃〜室温の範囲の温度において接触させる。接
触は、好適な溶媒、即ちTHFのようなエーテル又はヘ
キサン若しくはトルエンのような炭化水素の存在下で行
なうのが好ましい。触媒先駆体、金属化合物及び活性化
用助触媒は、任意の順序で接触させることができるが、
しかし、初めに触媒先駆体と金属化合物とを接触させ、
次いで活性化用助触媒を接触させるか、又は初めに触媒
先駆体と活性化用助触媒とを接触させ、次いで金属化合
物を接触させるかのいずれかの順序で行なうのが好まし
い。
【0023】初めに触媒先駆体と活性化用助触媒とを接
触させる場合には、触媒組成物中の活性化用助触媒対金
属の全体としての比を調節するために、金属化合物を添
加した後に反応生成物にさらに活性化用助触媒を添加す
ることができ、そうするのが望ましい。
触させる場合には、触媒組成物中の活性化用助触媒対金
属の全体としての比を調節するために、金属化合物を添
加した後に反応生成物にさらに活性化用助触媒を添加す
ることができ、そうするのが望ましい。
【0024】第III B〜VIII族又はランタニド群からの
金属を含む化合物は、第IVB族金属を含有する化合物で
あるのが好ましい。この金属化合物は、ジルコニウム化
合物であるのがより好ましい。好適なジルコニウム化合
物には、ハロゲン化ジルコニウム、ハロゲン化アルキル
ジルコニウム、アルキルジルコニウム類、ジルコニウム
アミド類、ジルコニウムジケトネート類、ジルコニウム
アルコキシド類、ジルコニウムカルボキシレート類等が
ある。ジルコニウム化合物の特定的な例には、四塩化ジ
ルコニウム、三塩化シクロペンタジエニルジルコニウ
ム、三塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニ
ウム、テトラベンジルジルコニウム、テトラキス(ジエ
チルアミノ)ジルコニウム、アセチルアセトナトジルコ
ニウム、ヘキサフルオルアセトアセトナトジルコニウ
ム、二塩化ビス(アセチルアセトナト)ジルコニウム、
ジルコニウムイソプロポキシド、2−エチルヘキサン酸
ジルコニウム、ClZr[CH(SiMe3)2]3 、[Me3SiCH2]2ZrCl2
(Et2O)2 、[PhCH2]2ZrCl2 、(Me3CH2)2ZrCl2(Et2O)2 及
び[ZrCl2(THF)(η-C8H8)] が包含される。
金属を含む化合物は、第IVB族金属を含有する化合物で
あるのが好ましい。この金属化合物は、ジルコニウム化
合物であるのがより好ましい。好適なジルコニウム化合
物には、ハロゲン化ジルコニウム、ハロゲン化アルキル
ジルコニウム、アルキルジルコニウム類、ジルコニウム
アミド類、ジルコニウムジケトネート類、ジルコニウム
アルコキシド類、ジルコニウムカルボキシレート類等が
ある。ジルコニウム化合物の特定的な例には、四塩化ジ
ルコニウム、三塩化シクロペンタジエニルジルコニウ
ム、三塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニ
ウム、テトラベンジルジルコニウム、テトラキス(ジエ
チルアミノ)ジルコニウム、アセチルアセトナトジルコ
ニウム、ヘキサフルオルアセトアセトナトジルコニウ
ム、二塩化ビス(アセチルアセトナト)ジルコニウム、
ジルコニウムイソプロポキシド、2−エチルヘキサン酸
ジルコニウム、ClZr[CH(SiMe3)2]3 、[Me3SiCH2]2ZrCl2
(Et2O)2 、[PhCH2]2ZrCl2 、(Me3CH2)2ZrCl2(Et2O)2 及
び[ZrCl2(THF)(η-C8H8)] が包含される。
【0025】アルキルリチウム化合物のような強い金属
化用試薬を用いて触媒先駆体を合成した場合には、触媒
先駆体を金属化合物と接触させる前にこの触媒先駆体を
金属交換用化合物と接触させることができ、そうするこ
とが有用である。金属交換用化合物は第IIA、IIB、II
I A又はIVA族ハロゲン化物又はアルコキシドであるの
が好ましい。この金属交換用化合物は、触媒先駆体と会
合した(金属化用試薬からの)金属カチオンを除去し、
これをより反応性が高い金属に置き換える。これによっ
て、触媒先駆体と金属化合物との反応が促進される。特
に好ましい金属交換用化合物は、珪素、アルミニウム及
び錫のハロゲン化物及びアルコキシドである。
化用試薬を用いて触媒先駆体を合成した場合には、触媒
先駆体を金属化合物と接触させる前にこの触媒先駆体を
金属交換用化合物と接触させることができ、そうするこ
とが有用である。金属交換用化合物は第IIA、IIB、II
I A又はIVA族ハロゲン化物又はアルコキシドであるの
が好ましい。この金属交換用化合物は、触媒先駆体と会
合した(金属化用試薬からの)金属カチオンを除去し、
これをより反応性が高い金属に置き換える。これによっ
て、触媒先駆体と金属化合物との反応が促進される。特
に好ましい金属交換用化合物は、珪素、アルミニウム及
び錫のハロゲン化物及びアルコキシドである。
【0026】活性化用助触媒は、触媒組成物を活性化す
ることができる。活性化用助触媒は、以下のものの1種
又はそれらの混合物であるのが好ましい: (a)一般式−(Al(R* )O)−(ここで、R* は
水素、1〜約12個の炭素原子を有するアルキル基又は
置換若しくは非置換フェニル若しくはナフチル基のよう
なアリール基である)の繰返し単位を含有する枝分かれ
状又は環状のオリゴマー状ポリ(ヒドロカルビルアルミ
ニウムオキシド); (b)一般式[A+ ][BR** 4 -](ここで、A+ はメ
タロセン触媒からアルキル、ハロゲン又は水素を抽出す
ることができるカチオン性ルイス又はブレンステッド酸
であり、Bは硼素であり、R**は置換芳香族炭化水素、
好ましくはペルフルオルフェニル基である)のイオン性
塩; (c)一般式BR** 3(ここで、R**は前記の通りであ
る)のアルキル硼素類。
ることができる。活性化用助触媒は、以下のものの1種
又はそれらの混合物であるのが好ましい: (a)一般式−(Al(R* )O)−(ここで、R* は
水素、1〜約12個の炭素原子を有するアルキル基又は
置換若しくは非置換フェニル若しくはナフチル基のよう
なアリール基である)の繰返し単位を含有する枝分かれ
状又は環状のオリゴマー状ポリ(ヒドロカルビルアルミ
ニウムオキシド); (b)一般式[A+ ][BR** 4 -](ここで、A+ はメ
タロセン触媒からアルキル、ハロゲン又は水素を抽出す
ることができるカチオン性ルイス又はブレンステッド酸
であり、Bは硼素であり、R**は置換芳香族炭化水素、
好ましくはペルフルオルフェニル基である)のイオン性
塩; (c)一般式BR** 3(ここで、R**は前記の通りであ
る)のアルキル硼素類。
【0027】式[A+ ][BR** 4 -]のイオン性塩又は
アルキル硼素を活性化用助触媒として用いる場合には、
金属化合物を触媒先駆体及び活性化用助触媒と接触させ
る前に、この金属化合物をアルキル化するためにこの金
属化合物をトリメチルアルミニウム又はトリイソブチル
アルミニウムのようなアルキルアルミニウムと接触させ
ることができ、そうするのが望ましい。
アルキル硼素を活性化用助触媒として用いる場合には、
金属化合物を触媒先駆体及び活性化用助触媒と接触させ
る前に、この金属化合物をアルキル化するためにこの金
属化合物をトリメチルアルミニウム又はトリイソブチル
アルミニウムのようなアルキルアルミニウムと接触させ
ることができ、そうするのが望ましい。
【0028】活性化用助触媒は、枝分かれ状若しくは環
状のオリゴマー状ポリ(ヒドロカルビルアルミニウムオ
キシド)又はアルキル硼素であるのが好ましい。活性化
用助触媒は、メチルアルミノキサン(MAO)若しくは
変性メチルアルミノキサン(MMAO)又はアルキル硼
素であるのがより好ましい。
状のオリゴマー状ポリ(ヒドロカルビルアルミニウムオ
キシド)又はアルキル硼素であるのが好ましい。活性化
用助触媒は、メチルアルミノキサン(MAO)若しくは
変性メチルアルミノキサン(MMAO)又はアルキル硼
素であるのがより好ましい。
【0029】アルミノキサンは当技術分野においてよく
知られており、次式:
知られており、次式:
【化17】 で表わされるオリゴマー状の線状アルキルアルミノキサ
ン及び次式:
ン及び次式:
【化18】 のオリゴマー状の環状アルキルアルミノキサン(ここ
で、sは1〜40、好ましくは10〜20であり、pは
3〜40、好ましくは3〜20であり、R*** は1〜1
2個の炭素原子を有するアルキル基、好ましくはメチ
ル、又は置換若しくは非置換フェニル若しくはナフチル
基のようなアリール基である)を含む。
で、sは1〜40、好ましくは10〜20であり、pは
3〜40、好ましくは3〜20であり、R*** は1〜1
2個の炭素原子を有するアルキル基、好ましくはメチ
ル、又は置換若しくは非置換フェニル若しくはナフチル
基のようなアリール基である)を含む。
【0030】アルミノキサンは、様々な方法で製造する
ことができる。一般的に、例えばトリメチルアルミニウ
ム及び水からのアルミノキサンの製造においては、線状
アルミノキサンと環状アルミノキサンとの混合物が得ら
れる。例えば、アルキルアルミニウムを水分含有溶媒の
形の水で処理してもよい。別法として、トリメチルアル
ミニウムのようなアルキルアルミニウムを水和硫酸第一
鉄のような水和塩と接触させてもよい。後者の方法は、
例えばトルエン中のトリメチルアルミニウムの希溶液を
硫酸第一鉄七水和物の懸濁液で処理することを含む。ま
た、C2 又はそれより高級のアルキル基を含有するテト
ラアルキルジアルミノキサンを、化学量論的に過剰の量
より少ない量のトリメチルアルミニウムと反応させるこ
とによって、メチルアルミノキサンを生成させることも
できる。また、C2 又はそれより高級のアルキル基を含
有するテトラアルキルジアルミノキサン又はトリアルキ
ルアルミニウム化合物を水と反応させてポリアルキルア
ルミノキサンを生成させ、次いでこれをトリメチルアル
ミニウムと反応させることによって、メチルアルミノキ
サンの合成を達成することもできる。メチル基及びそれ
より高級のアルキル基の両方を含有するさらに変性され
たメチルアルミノキサンは、例えば米国特許第5041
584号明細書に開示されたように、C2 又はそれより
高級のアルキル基を含有するポリアルキルアルミノキサ
ンをトリメチルアルミニウムと反応させ、次いで水と反
応させることによって、合成することができる。
ことができる。一般的に、例えばトリメチルアルミニウ
ム及び水からのアルミノキサンの製造においては、線状
アルミノキサンと環状アルミノキサンとの混合物が得ら
れる。例えば、アルキルアルミニウムを水分含有溶媒の
形の水で処理してもよい。別法として、トリメチルアル
ミニウムのようなアルキルアルミニウムを水和硫酸第一
鉄のような水和塩と接触させてもよい。後者の方法は、
例えばトルエン中のトリメチルアルミニウムの希溶液を
硫酸第一鉄七水和物の懸濁液で処理することを含む。ま
た、C2 又はそれより高級のアルキル基を含有するテト
ラアルキルジアルミノキサンを、化学量論的に過剰の量
より少ない量のトリメチルアルミニウムと反応させるこ
とによって、メチルアルミノキサンを生成させることも
できる。また、C2 又はそれより高級のアルキル基を含
有するテトラアルキルジアルミノキサン又はトリアルキ
ルアルミニウム化合物を水と反応させてポリアルキルア
ルミノキサンを生成させ、次いでこれをトリメチルアル
ミニウムと反応させることによって、メチルアルミノキ
サンの合成を達成することもできる。メチル基及びそれ
より高級のアルキル基の両方を含有するさらに変性され
たメチルアルミノキサンは、例えば米国特許第5041
584号明細書に開示されたように、C2 又はそれより
高級のアルキル基を含有するポリアルキルアルミノキサ
ンをトリメチルアルミニウムと反応させ、次いで水と反
応させることによって、合成することができる。
【0031】触媒組成物中における触媒先駆体、金属化
合物及び活性化用助触媒の有用な使用量は変化し得る。
一般的に、触媒先駆体対金属化合物の比は約1:5〜約
5:1の範囲であることができ、約1:3〜約3:1の
範囲であるのが好ましく、約1:2〜約2:1の範囲で
あるのがより好ましい。
合物及び活性化用助触媒の有用な使用量は変化し得る。
一般的に、触媒先駆体対金属化合物の比は約1:5〜約
5:1の範囲であることができ、約1:3〜約3:1の
範囲であるのが好ましく、約1:2〜約2:1の範囲で
あるのがより好ましい。
【0032】活性化用助触媒が枝分かれ状又は環状のオ
リゴマー状ポリ(ヒドロカルビルアルミニウムオキシ
ド)である場合には、ポリ(ヒドロカルビルアルミニウ
ムオキシド)中に含有されるアルミニウム原子対金属化
合物中に含有される全金属原子のモル比は、約2:1〜
約100000:1の範囲であるのが一般的であり、約
10:1〜約10000:1の範囲であるのが好まし
く、約50:1〜約2000:1の範囲であるのが特に
好ましい。活性化用助触媒が式[A+ ][BR** 4 -]の
イオン性塩又は式BR** 3 のアルキル硼素である場合に
は、イオン性塩又はアルキル硼素中に含有される硼素原
子対金属化合物中に含有される全金属原子のモル比は、
約0.5:1〜約10:1の範囲であるのが一般的であ
り、約1:1〜約5:1の範囲であるのが好ましい。
リゴマー状ポリ(ヒドロカルビルアルミニウムオキシ
ド)である場合には、ポリ(ヒドロカルビルアルミニウ
ムオキシド)中に含有されるアルミニウム原子対金属化
合物中に含有される全金属原子のモル比は、約2:1〜
約100000:1の範囲であるのが一般的であり、約
10:1〜約10000:1の範囲であるのが好まし
く、約50:1〜約2000:1の範囲であるのが特に
好ましい。活性化用助触媒が式[A+ ][BR** 4 -]の
イオン性塩又は式BR** 3 のアルキル硼素である場合に
は、イオン性塩又はアルキル硼素中に含有される硼素原
子対金属化合物中に含有される全金属原子のモル比は、
約0.5:1〜約10:1の範囲であるのが一般的であ
り、約1:1〜約5:1の範囲であるのが好ましい。
【0033】触媒組成物は、担持されていても担持され
ていなくてもよく、充填剤と共に又は充填剤なしで噴霧
乾燥させることもできる。担持された触媒組成物の場
合、触媒組成物が触媒組成物及び担体の合計重量の1〜
90重量%の範囲となるように、触媒組成物を二酸化珪
素、酸化アルミニウム、二塩化マグネシウム、ポリスチ
レン、ポリエチレン、ポリプロピレン又はポリカーボネ
ートのような不活性基材中に含浸させ又はそれらの表面
上に付着させることができる。
ていなくてもよく、充填剤と共に又は充填剤なしで噴霧
乾燥させることもできる。担持された触媒組成物の場
合、触媒組成物が触媒組成物及び担体の合計重量の1〜
90重量%の範囲となるように、触媒組成物を二酸化珪
素、酸化アルミニウム、二塩化マグネシウム、ポリスチ
レン、ポリエチレン、ポリプロピレン又はポリカーボネ
ートのような不活性基材中に含浸させ又はそれらの表面
上に付着させることができる。
【0034】触媒組成物は、既知の装置及び反応条件を
用いた任意の懸濁、溶液、スラリー又は気相法によるオ
レフィンの重合に用いることができ、ある特定タイプの
反応系に限定されない。一般的に、オレフィン重合温度
は、大気圧、大気圧以下又は大気圧以上の圧力におい
て、約0℃〜約200℃の範囲である。スラリー又は溶
液重合法は、大気圧以下又は大気圧以上の圧力及び約4
0℃〜約110℃の範囲の温度を用いることができる。
有用な液相重合反応系は、米国特許第3324095号
明細書に記載されている。液相反応系は、一般的に、オ
レフィンモノマー及び触媒組成物を添加され且つポリオ
レフィンを溶解又は懸濁させるための液状反応媒体を含
有させた反応容器を含む。この液状反応媒体は、大量の
液状モノマーから成っていてもよく、用いる重合条件下
で非反応性の不活性液状炭化水素から成っていてもよ
い。かかる不活性液状炭化水素は、触媒組成物又は方法
によって得られるポリマーについての溶媒としての働き
をする必要はないが、重合において用いられるモノマー
についての溶媒としての働きをするものであるのが通常
である。この目的に適した不活性液状炭化水素の中に
は、イソペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタ
ン、ベンゼン、トルエン等がある。一定の撹拌によって
オレフィンモノマーと触媒組成物との反応的接触を保つ
べきである。オレフィンポリマー生成物及び未反応オレ
フィンモノマーを含有する反応媒体が反応器から連続的
に取り出される。このオレフィンポリマー生成物を分離
し、未反応オレフィンモノマー及び液状反応媒体を反応
器に再循環する。
用いた任意の懸濁、溶液、スラリー又は気相法によるオ
レフィンの重合に用いることができ、ある特定タイプの
反応系に限定されない。一般的に、オレフィン重合温度
は、大気圧、大気圧以下又は大気圧以上の圧力におい
て、約0℃〜約200℃の範囲である。スラリー又は溶
液重合法は、大気圧以下又は大気圧以上の圧力及び約4
0℃〜約110℃の範囲の温度を用いることができる。
有用な液相重合反応系は、米国特許第3324095号
明細書に記載されている。液相反応系は、一般的に、オ
レフィンモノマー及び触媒組成物を添加され且つポリオ
レフィンを溶解又は懸濁させるための液状反応媒体を含
有させた反応容器を含む。この液状反応媒体は、大量の
液状モノマーから成っていてもよく、用いる重合条件下
で非反応性の不活性液状炭化水素から成っていてもよ
い。かかる不活性液状炭化水素は、触媒組成物又は方法
によって得られるポリマーについての溶媒としての働き
をする必要はないが、重合において用いられるモノマー
についての溶媒としての働きをするものであるのが通常
である。この目的に適した不活性液状炭化水素の中に
は、イソペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタ
ン、ベンゼン、トルエン等がある。一定の撹拌によって
オレフィンモノマーと触媒組成物との反応的接触を保つ
べきである。オレフィンポリマー生成物及び未反応オレ
フィンモノマーを含有する反応媒体が反応器から連続的
に取り出される。このオレフィンポリマー生成物を分離
し、未反応オレフィンモノマー及び液状反応媒体を反応
器に再循環する。
【0035】0.07〜70Kg/cm2 (1〜100
0psi)、好ましくは3.5〜28Kg/cm2 (5
0〜400psi)、特に好ましくは7〜21Kg/c
m2(100〜300psi)の範囲の大気圧以上の圧
力及び30〜130℃、好ましくは65〜110℃の範
囲の温度での気相重合を用いるのが好ましい。撹拌床又
は流動床気相反応系が特に有用である。一般的に、慣用
の気相流動床法は、1種以上のオレフィンモノマーを含
有する流れを、反応条件下で且つ触媒組成物の存在下で
流動床反応器中に、固体粒子の床を浮遊状態に保つのに
充分な空間速度で連続的に通すことによって、実施され
る。未反応モノマーを含有する流れは、反応器から連続
的に取り出され、圧縮され、冷却され、反応器に再循環
される。生成物は反応器から取り出され、補充用(make-
up) モノマーが再循環流に添加される。系の温度制御の
ために望まれる場合には、触媒組成物及び反応成分に対
して不活性な任意の気体を気体流中に存在させることも
できる。さらに、米国特許第4994534号明細書に
開示されたように、カーボンブラック、シリカ、クレー
又はタルクのような流動化助剤を用いることもできる。
0psi)、好ましくは3.5〜28Kg/cm2 (5
0〜400psi)、特に好ましくは7〜21Kg/c
m2(100〜300psi)の範囲の大気圧以上の圧
力及び30〜130℃、好ましくは65〜110℃の範
囲の温度での気相重合を用いるのが好ましい。撹拌床又
は流動床気相反応系が特に有用である。一般的に、慣用
の気相流動床法は、1種以上のオレフィンモノマーを含
有する流れを、反応条件下で且つ触媒組成物の存在下で
流動床反応器中に、固体粒子の床を浮遊状態に保つのに
充分な空間速度で連続的に通すことによって、実施され
る。未反応モノマーを含有する流れは、反応器から連続
的に取り出され、圧縮され、冷却され、反応器に再循環
される。生成物は反応器から取り出され、補充用(make-
up) モノマーが再循環流に添加される。系の温度制御の
ために望まれる場合には、触媒組成物及び反応成分に対
して不活性な任意の気体を気体流中に存在させることも
できる。さらに、米国特許第4994534号明細書に
開示されたように、カーボンブラック、シリカ、クレー
又はタルクのような流動化助剤を用いることもできる。
【0036】重合は、単一の反応器中で実施することも
でき、2個以上の一連の反応器中で実施することもで
き、そして実質的に触媒毒の不在下において実施され
る。触媒活性を高めるために、触媒毒に対する掃去剤
(scavenging agent)として有機金属化合物を用いるこ
とができる。掃去剤の例には、アルキル金属類、好まし
くはアルキルアルミニウム、特に好ましくはトリイソブ
チルアルミニウムがある。
でき、2個以上の一連の反応器中で実施することもで
き、そして実質的に触媒毒の不在下において実施され
る。触媒活性を高めるために、触媒毒に対する掃去剤
(scavenging agent)として有機金属化合物を用いるこ
とができる。掃去剤の例には、アルキル金属類、好まし
くはアルキルアルミニウム、特に好ましくはトリイソブ
チルアルミニウムがある。
【0037】所望のポリオレフィンの生成において触媒
組成物の作用を妨害しないということを条件として、慣
用の助剤を方法に含ませることができる。方法における
連鎖移動剤として、水素を、全モノマー供給物1モル当
たりに水素約10モルまでの量で用いることができる。
組成物の作用を妨害しないということを条件として、慣
用の助剤を方法に含ませることができる。方法における
連鎖移動剤として、水素を、全モノマー供給物1モル当
たりに水素約10モルまでの量で用いることができる。
【0038】本発明に従って製造することができるオレ
フィンポリマーには、エチレンホモポリマー、3〜約2
0個の炭素原子を有する直鎖状又は分枝鎖状の高級α−
オレフィンのホモポリマー及びエチレンとかかる高級α
−オレフィンとの共重合体(interpolymer)(約0.8
6〜約0.95の範囲の密度を有するもの)が包含され
るが、これらに限定されるものではない。好適な高級α
−オレフィンには、例えばプロピレン、1−ブテン、1
−ペンテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテ
ン、1−オクテン及び3,5,5−トリメチル−1−ヘ
キセンが包含される。本発明に従うオレフィンポリマー
はまた、約4〜約20個、好ましくは4〜12個の炭素
原子を有する直鎖状、分枝鎖状又は環状炭化水素ジエン
のような共役又は非共役ジエンを基とするもの又はかか
るジエンを含有するものであってもよい。好ましいジエ
ンには、1,4−ペンタジエン、1,5−ヘキサジエ
ン、5−ビニル−2−ノルボルネン、1,7−オクタジ
エン、ビニルシクロヘキセン、ジシクロペンタジエン、
ブタジエン、イソブチレン、イソプレン、エチリデンノ
ルボルネン等が包含される。また、スチレン及び置換ス
チレンのようなビニル不飽和を有する芳香族化合物、並
びにアクリロニトリル、マレイン酸エステル、酢酸ビニ
ル、アクリレートエステル、メタクリレートエステル、
ビニルトリアルキルシラン等のような極性ビニルモノマ
ーも、本発明に従って重合させることができる。本発明
に従って製造することができる特定的なオレフィンポリ
マーには、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチ
レン/プロピレンゴム(EPR)、エチレン/プロピレ
ン/ジエンターポリマー(EPDM)、ポリブタジエ
ン、ポリイソプレン等が包含される。
フィンポリマーには、エチレンホモポリマー、3〜約2
0個の炭素原子を有する直鎖状又は分枝鎖状の高級α−
オレフィンのホモポリマー及びエチレンとかかる高級α
−オレフィンとの共重合体(interpolymer)(約0.8
6〜約0.95の範囲の密度を有するもの)が包含され
るが、これらに限定されるものではない。好適な高級α
−オレフィンには、例えばプロピレン、1−ブテン、1
−ペンテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテ
ン、1−オクテン及び3,5,5−トリメチル−1−ヘ
キセンが包含される。本発明に従うオレフィンポリマー
はまた、約4〜約20個、好ましくは4〜12個の炭素
原子を有する直鎖状、分枝鎖状又は環状炭化水素ジエン
のような共役又は非共役ジエンを基とするもの又はかか
るジエンを含有するものであってもよい。好ましいジエ
ンには、1,4−ペンタジエン、1,5−ヘキサジエ
ン、5−ビニル−2−ノルボルネン、1,7−オクタジ
エン、ビニルシクロヘキセン、ジシクロペンタジエン、
ブタジエン、イソブチレン、イソプレン、エチリデンノ
ルボルネン等が包含される。また、スチレン及び置換ス
チレンのようなビニル不飽和を有する芳香族化合物、並
びにアクリロニトリル、マレイン酸エステル、酢酸ビニ
ル、アクリレートエステル、メタクリレートエステル、
ビニルトリアルキルシラン等のような極性ビニルモノマ
ーも、本発明に従って重合させることができる。本発明
に従って製造することができる特定的なオレフィンポリ
マーには、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチ
レン/プロピレンゴム(EPR)、エチレン/プロピレ
ン/ジエンターポリマー(EPDM)、ポリブタジエ
ン、ポリイソプレン等が包含される。
【0039】
【実施例】以下の実施例は、本発明をさらに例示するも
のである。
のである。
【0040】用語 活性は、ポリエチレンのkg数/Zrのミリモル数・時
間・100psiエチレンで測定される。I2は、AS
TM法D−1238条件Eを用いて190℃において測
定したメルトインデックス(dg/分)である。I21
は、ASTM法D−1238条件Fを用いて測定したフ
ローインデックス(dg/分)である。MFRはメルト
フロー比I21/I2である。MMAOは、Akzo Chemi
cal Inc.から商品として入手できるヘプタン中の変性メ
チルアルミノキサンの溶液(アルミニウム約1.9モ
ル)(タイプ3)である。BBFは、ブチル枝分かれ頻
度(主鎖炭素原子1000個当たりのブチル枝分かれの
数)である。Mw は重量平均分子量であり、架橋したポ
リスチレンカラム(その細孔寸法の順序は1000Åよ
り小さいカラム1個、混合5×107 のカラム3個であ
る)を用いたゲル透過クロマトグラフィー(140℃、
1,2,4−トリクロルベンゼン溶媒、屈折率検出)に
よって測定される。PDIは多分散性指数であり、分子
量分布(Mw /Mn )に等しい。
間・100psiエチレンで測定される。I2は、AS
TM法D−1238条件Eを用いて190℃において測
定したメルトインデックス(dg/分)である。I21
は、ASTM法D−1238条件Fを用いて測定したフ
ローインデックス(dg/分)である。MFRはメルト
フロー比I21/I2である。MMAOは、Akzo Chemi
cal Inc.から商品として入手できるヘプタン中の変性メ
チルアルミノキサンの溶液(アルミニウム約1.9モ
ル)(タイプ3)である。BBFは、ブチル枝分かれ頻
度(主鎖炭素原子1000個当たりのブチル枝分かれの
数)である。Mw は重量平均分子量であり、架橋したポ
リスチレンカラム(その細孔寸法の順序は1000Åよ
り小さいカラム1個、混合5×107 のカラム3個であ
る)を用いたゲル透過クロマトグラフィー(140℃、
1,2,4−トリクロルベンゼン溶媒、屈折率検出)に
よって測定される。PDIは多分散性指数であり、分子
量分布(Mw /Mn )に等しい。
【0041】例1〜10 シンナミル−シクロペンタジエニルジアニオンと変性メ
チルアルミノキサンと様々なジルコニウム化合物との反
応生成物を含む触媒組成物を以下のようにして製造し、
エチレンと1−ヘキセンとを共重合させるのに用いた。
チルアルミノキサンと様々なジルコニウム化合物との反
応生成物を含む触媒組成物を以下のようにして製造し、
エチレンと1−ヘキセンとを共重合させるのに用いた。
【0042】シンナミル−シクロペンタジエニルジアニ
オンの製造及び単離 THF95ミリリットル中に臭化シンナミル102ミリ
モルの溶液を0℃に冷却した。冷却された溶液に等モル
量のナトリウムシクロペンタジエニド(THF中2.0
M)をアルゴン雰囲気下でゆっくり添加した。添加後
に、シンナミルシクロペンタジエンの反応をGC分析に
従って完了させた。反応混合物を真空下で残渣になるま
で濃縮して、褐色のオイルを得た。
オンの製造及び単離 THF95ミリリットル中に臭化シンナミル102ミリ
モルの溶液を0℃に冷却した。冷却された溶液に等モル
量のナトリウムシクロペンタジエニド(THF中2.0
M)をアルゴン雰囲気下でゆっくり添加した。添加後
に、シンナミルシクロペンタジエンの反応をGC分析に
従って完了させた。反応混合物を真空下で残渣になるま
で濃縮して、褐色のオイルを得た。
【0043】シンナミルシクロペンタジエン残渣(10
2ミリモル)を次いでアルゴン雰囲気下に置き、エーテ
ル100ミリリットルで希釈し、撹拌した。次いでこの
混合物を(臭化ナトリウムを除去するために)オーブン
で乾燥させた両頭ガラスフィルター中で真空ろ過し、固
体をエーテルで洗浄した。ろ液をアルゴン雰囲気下に置
き、−78℃に冷却した。この溶液に0.6当量のn−
ブチルリチウム(ヘキサン中に3.089Mのもの1
9.4ミリリットル、60ミリモル)を添加した。この
混合物を一晩撹拌した。固体のモノアニオン生成物を、
乾燥両頭ガラスフィルターを用いて真空ろ過し、乾燥エ
ーテルで洗浄した。固体を真空乾燥し、乾燥ボックス中
に保存した。
2ミリモル)を次いでアルゴン雰囲気下に置き、エーテ
ル100ミリリットルで希釈し、撹拌した。次いでこの
混合物を(臭化ナトリウムを除去するために)オーブン
で乾燥させた両頭ガラスフィルター中で真空ろ過し、固
体をエーテルで洗浄した。ろ液をアルゴン雰囲気下に置
き、−78℃に冷却した。この溶液に0.6当量のn−
ブチルリチウム(ヘキサン中に3.089Mのもの1
9.4ミリリットル、60ミリモル)を添加した。この
混合物を一晩撹拌した。固体のモノアニオン生成物を、
乾燥両頭ガラスフィルターを用いて真空ろ過し、乾燥エ
ーテルで洗浄した。固体を真空乾燥し、乾燥ボックス中
に保存した。
【0044】得られたリチウムシンナミルシクロペンタ
ジエニドのTHF中の溶液をアルゴン雰囲気下に置い
た。これに3当量のメチルリチウム(エーテル中)を室
温において添加した。得られた溶液を室温において2時
間撹拌し、次いで強真空下で残渣になるまで濃縮した。
この残渣に乾燥エーテルを添加し、得られたものをろ過
して、ジアニオンをジリチウム塩として得た。
ジエニドのTHF中の溶液をアルゴン雰囲気下に置い
た。これに3当量のメチルリチウム(エーテル中)を室
温において添加した。得られた溶液を室温において2時
間撹拌し、次いで強真空下で残渣になるまで濃縮した。
この残渣に乾燥エーテルを添加し、得られたものをろ過
して、ジアニオンをジリチウム塩として得た。
【0045】触媒組成物の製造 次いで、上記のようにして製造したシンナミル−シクロ
ペンタジエニルジアニオン(ジリチウム塩として)を以
下のようにして四塩化ジルコニウム、三塩化シクロペン
タジエニルジルコニウム(CpZrCl3 )又は三塩化
ペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウム(Cp
* ZrCl3 )及びMMAOと反応させることによっ
て、一連の触媒組成物を製造した。
ペンタジエニルジアニオン(ジリチウム塩として)を以
下のようにして四塩化ジルコニウム、三塩化シクロペン
タジエニルジルコニウム(CpZrCl3 )又は三塩化
ペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウム(Cp
* ZrCl3 )及びMMAOと反応させることによっ
て、一連の触媒組成物を製造した。
【0046】等モル量のジリチウムシンナミルシクロペ
ンタジエニド及びジルコニウム化合物を乾燥ボックス中
でフラスコに装入した。この混合物に、撹拌しながら、
表1に示したような冷却したエーテル又は室温のエーテ
ル約1ミリリットルを添加した。得られた混合物を真空
下で残渣になるまで濃縮した。
ンタジエニド及びジルコニウム化合物を乾燥ボックス中
でフラスコに装入した。この混合物に、撹拌しながら、
表1に示したような冷却したエーテル又は室温のエーテ
ル約1ミリリットルを添加した。得られた混合物を真空
下で残渣になるまで濃縮した。
【0047】例6及び10の場合、初めにボックスから
フラスコを取り出し、低温浴(−78℃)中で冷却し、
撹拌しながらエーテル10ミリリットルで処理した。次
いでこの混合物を一晩放置して室温になるまでゆっくり
温め、次いで真空下で残渣になるまで濃縮した。
フラスコを取り出し、低温浴(−78℃)中で冷却し、
撹拌しながらエーテル10ミリリットルで処理した。次
いでこの混合物を一晩放置して室温になるまでゆっくり
温め、次いで真空下で残渣になるまで濃縮した。
【0048】各例について、得られたジアニオン/ジル
コニウム錯体を次いで乾燥トルエン中に溶解させた。例
4、5、9及び10においては、オーブン乾燥(オーブ
ンで乾燥させた)ガラスバイアルに撹拌下で500当量
のMMAOを装入し、これにジアニオン/ジルコニウム
錯体のトルエン溶液を添加した。例1、2、3、7及び
8においては、MMAOの導入の前に初めにトルエン1
0ミリリットルをバイアルに装入した。例6において
は、バイアルにジアニオン/ジルコニウム錯体を装入
し、トルエン10ミリリットルを撹拌下で添加し、次い
でバイアルに500当量のMMAOを添加した。各場合
において、MMAO/ジルコニウムモル比1000を有
する触媒組成物を形成させた。
コニウム錯体を次いで乾燥トルエン中に溶解させた。例
4、5、9及び10においては、オーブン乾燥(オーブ
ンで乾燥させた)ガラスバイアルに撹拌下で500当量
のMMAOを装入し、これにジアニオン/ジルコニウム
錯体のトルエン溶液を添加した。例1、2、3、7及び
8においては、MMAOの導入の前に初めにトルエン1
0ミリリットルをバイアルに装入した。例6において
は、バイアルにジアニオン/ジルコニウム錯体を装入
し、トルエン10ミリリットルを撹拌下で添加し、次い
でバイアルに500当量のMMAOを添加した。各場合
において、MMAO/ジルコニウムモル比1000を有
する触媒組成物を形成させた。
【0049】重合 これらの触媒組成物を用いた重合を、機械的撹拌機を備
えた1リットルのステンレス鋼製オートクレーブ中で、
スラリー相中で実施した。反応は、85psiaのエチ
レン圧下で、1−ヘキセン43ミリリットル及びヘキサ
ン溶媒600ミリリットルもまた反応器に存在させて、
75℃において行なった。反応時間はそれぞれ30分と
した。結果を表1に示す。
えた1リットルのステンレス鋼製オートクレーブ中で、
スラリー相中で実施した。反応は、85psiaのエチ
レン圧下で、1−ヘキセン43ミリリットル及びヘキサ
ン溶媒600ミリリットルもまた反応器に存在させて、
75℃において行なった。反応時間はそれぞれ30分と
した。結果を表1に示す。
【0050】
【表1】
【0051】例11〜16 シンナミル−シクロペンタジエニルジアニオンと変性メ
チルアルミノキサンと様々なジルコニウム化合物との反
応生成物を含むさらなる触媒組成物を例1〜10に記載
したようにして製造し、エチレンと1−ヘキセンとを共
重合させるのに用いた。結果を表2に示す。
チルアルミノキサンと様々なジルコニウム化合物との反
応生成物を含むさらなる触媒組成物を例1〜10に記載
したようにして製造し、エチレンと1−ヘキセンとを共
重合させるのに用いた。結果を表2に示す。
【0052】
【表2】
【0053】例17〜24 シンナミル−シクロペンタジエニルジアニオンと変性メ
チルアルミノキサンと様々なジルコニウム化合物との反
応生成物を含むさらなる触媒組成物を以下のようにして
製造し、エチレンと1−ヘキセンとを共重合させるのに
用いた。
チルアルミノキサンと様々なジルコニウム化合物との反
応生成物を含むさらなる触媒組成物を以下のようにして
製造し、エチレンと1−ヘキセンとを共重合させるのに
用いた。
【0054】触媒組成物の製造 例17〜24のそれぞれについて、例1〜10において
製造したシンナミル−シクロペンタジエニルジアニオン
0.0452ミリモルを室温においてMMAO1.5ミ
リリットルと一緒にし、4日間撹拌した。得られたジア
ニオン/MMAO錯体約5マイクロモルを、表3に示し
たジルコニウム化合物約5マイクロモルを含有させたオ
ーブン乾燥バイアルに添加した(但し、例22及び23
の場合にはジルコニウム化合物を約2.5マイクロモル
だけ用いた)。例17、18、20、21及び22の場
合には、トルエンもまたバイアルに添加した。得られた
混合物を20〜55分間撹拌して、触媒組成物を形成さ
せた。
製造したシンナミル−シクロペンタジエニルジアニオン
0.0452ミリモルを室温においてMMAO1.5ミ
リリットルと一緒にし、4日間撹拌した。得られたジア
ニオン/MMAO錯体約5マイクロモルを、表3に示し
たジルコニウム化合物約5マイクロモルを含有させたオ
ーブン乾燥バイアルに添加した(但し、例22及び23
の場合にはジルコニウム化合物を約2.5マイクロモル
だけ用いた)。例17、18、20、21及び22の場
合には、トルエンもまたバイアルに添加した。得られた
混合物を20〜55分間撹拌して、触媒組成物を形成さ
せた。
【0055】重合 例17〜24のそれぞれについて、触媒組成物をオート
クレーブ反応器中に追加の2ミリモルのMMAOと共に
導入した(但し、例22及び23の場合には、それぞれ
1ミリモル及び0.33ミリモルを追加的に用いた)。
これらの触媒組成物を用いた重合を例1におけるように
実施した。結果を下記の表3に示す。
クレーブ反応器中に追加の2ミリモルのMMAOと共に
導入した(但し、例22及び23の場合には、それぞれ
1ミリモル及び0.33ミリモルを追加的に用いた)。
これらの触媒組成物を用いた重合を例1におけるように
実施した。結果を下記の表3に示す。
【0056】
【表3】
【0057】例25 1−シンナミルインデニルジアニオンと変性メチルアル
ミノキサンとZrCl4 との反応生成物を含むさらなる
触媒組成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−
ヘキセンとを共重合させるのに用いた。
ミノキサンとZrCl4 との反応生成物を含むさらなる
触媒組成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−
ヘキセンとを共重合させるのに用いた。
【0058】1−シンナミルインデニルジアニオンの製
造 THF300ミリリットル中に98%インデン364ミ
リモルの溶液をアルゴン雰囲気下で−78℃に冷却し
た。この溶液に等モル量のn−ブチルリチウムを添加し
た。得られた混合物を室温になるまで温めた。次いでこ
れにTHF100ミリリットル中の95%塩化シンナミ
ル等モル量(58.45g)を−30℃において装入し
た。次いでこの混合物を室温になるまで温め、1時間反
応させて、シンナミルインデンを生成させた。このシン
ナミルインデンを強真空下で残渣になるまで濃縮し、次
いでヘキサン100ミリリットルで2回洗浄し、濃縮し
た。残渣を温ヘキサン100ミリリットルで3回洗浄
し、熱ろ過した。ろ液を再び真空下で残渣になるまで濃
縮した。ろ液のシンナミルインデンは55〜69℃にお
いて溶融した。回収収率は62%だった。
造 THF300ミリリットル中に98%インデン364ミ
リモルの溶液をアルゴン雰囲気下で−78℃に冷却し
た。この溶液に等モル量のn−ブチルリチウムを添加し
た。得られた混合物を室温になるまで温めた。次いでこ
れにTHF100ミリリットル中の95%塩化シンナミ
ル等モル量(58.45g)を−30℃において装入し
た。次いでこの混合物を室温になるまで温め、1時間反
応させて、シンナミルインデンを生成させた。このシン
ナミルインデンを強真空下で残渣になるまで濃縮し、次
いでヘキサン100ミリリットルで2回洗浄し、濃縮し
た。残渣を温ヘキサン100ミリリットルで3回洗浄
し、熱ろ過した。ろ液を再び真空下で残渣になるまで濃
縮した。ろ液のシンナミルインデンは55〜69℃にお
いて溶融した。回収収率は62%だった。
【0059】エーテル300ミリリットル中にシンナミ
ルインデン224ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下に
置き、0℃に冷却した。この溶液に0.89当量のn−
ブチルリチウム(200ミリモル)を添加し、次いでこ
の溶液を室温になるまで温めた。この混合物にヘキサン
を添加し、これを殆ど残渣になるまで濃縮した。さらに
この混合物にヘキサンを添加し、一晩撹拌した。生成物
の固体状のリチウムシンナミルインデニドを後にろ過
し、洗浄し、真空乾燥した。回収収量は44gだった。
ルインデン224ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下に
置き、0℃に冷却した。この溶液に0.89当量のn−
ブチルリチウム(200ミリモル)を添加し、次いでこ
の溶液を室温になるまで温めた。この混合物にヘキサン
を添加し、これを殆ど残渣になるまで濃縮した。さらに
この混合物にヘキサンを添加し、一晩撹拌した。生成物
の固体状のリチウムシンナミルインデニドを後にろ過
し、洗浄し、真空乾燥した。回収収量は44gだった。
【0060】ジアニオンを生成させるために、THF5
0.0ミリリットル中にリチウムシンナミルインデニド
11ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下に置き、0℃に
冷却した。これに1.0当量のブチルリチウムを供給
し、次いで室温において1時間撹拌した。
0.0ミリリットル中にリチウムシンナミルインデニド
11ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下に置き、0℃に
冷却した。これに1.0当量のブチルリチウムを供給
し、次いで室温において1時間撹拌した。
【0061】触媒組成物の製造 次いでジアニオン溶液を、THF50ミリリットル中に
2.0当量の四塩化ジルコニウム(5.0g、21.4
ミリモル)を含有させた溶液に−30℃において両頭針
によって移し、3日間撹拌した。反応混合物を真空下で
残渣になるまで濃縮し、オーブン乾燥ガラスバイアル中
で撹拌しながら500当量のMMAOと一緒にした。
2.0当量の四塩化ジルコニウム(5.0g、21.4
ミリモル)を含有させた溶液に−30℃において両頭針
によって移し、3日間撹拌した。反応混合物を真空下で
残渣になるまで濃縮し、オーブン乾燥ガラスバイアル中
で撹拌しながら500当量のMMAOと一緒にした。
【0062】重合 1−シンナミルインデニルジアニオンを含有する触媒組
成物を用いて、前記の例1〜10におけるようにしてエ
チレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒の活
性は6700だった。11.9のブチル枝分かれ頻度、
0.513のI2及び26.3のメルトフロー比を有す
るコポリマーが得られた。
成物を用いて、前記の例1〜10におけるようにしてエ
チレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒の活
性は6700だった。11.9のブチル枝分かれ頻度、
0.513のI2及び26.3のメルトフロー比を有す
るコポリマーが得られた。
【0063】例26〜29 シンナミル−シクロペンタジエニルジアニオンと硼素化
合物と変性メチルアルミノキサンと様々なジルコニウム
化合物との反応生成物を含むさらなる触媒組成物を以下
のようにして製造し、エチレンと1−ヘキセンとを共重
合させるのに用いた。
合物と変性メチルアルミノキサンと様々なジルコニウム
化合物との反応生成物を含むさらなる触媒組成物を以下
のようにして製造し、エチレンと1−ヘキセンとを共重
合させるのに用いた。
【0064】触媒組成物の製造 例26〜29のそれぞれにおいて、THF中に例1〜1
0において製造したジリチウムシンナミルシクロペンタ
ジエニド0.28ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下に
置き、0℃に冷却した。この溶液に等モル量の表4に示
した硼素化合物を添加した。得られた混合物を0℃にお
いて30分間撹拌し、次いで室温になるまで温めた。次
いでこれを室温においてTHF中の表4に示したジルコ
ニウム化合物の溶液に装入した。この混合物を一晩撹拌
し、次いで真空下で残渣になるまで濃縮した。
0において製造したジリチウムシンナミルシクロペンタ
ジエニド0.28ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下に
置き、0℃に冷却した。この溶液に等モル量の表4に示
した硼素化合物を添加した。得られた混合物を0℃にお
いて30分間撹拌し、次いで室温になるまで温めた。次
いでこれを室温においてTHF中の表4に示したジルコ
ニウム化合物の溶液に装入した。この混合物を一晩撹拌
し、次いで真空下で残渣になるまで濃縮した。
【0065】例26〜29のそれぞれについて、得られ
たジアニオン/硼素/ジルコニウム錯体を次いで乾燥ト
ルエン中に溶解させた。例28においては、オーブン乾
燥ガラスバイアルに撹拌しながら500当量のMMAO
を装入し、これにジアニオン/硼素/ジルコニウム錯体
のトルエン溶液を添加した。例26及び27において
は、MMAOを導入する前に初めにトルエン10ミリリ
ットルをバイアルに装入した。例29においては、ジア
ニオン/硼素/ジルコニウム錯体をバイアルに装入し、
撹拌しながらトルエン10ミリリットルを添加し、次い
でこのバイアルに500当量のMMAOを添加した。
たジアニオン/硼素/ジルコニウム錯体を次いで乾燥ト
ルエン中に溶解させた。例28においては、オーブン乾
燥ガラスバイアルに撹拌しながら500当量のMMAO
を装入し、これにジアニオン/硼素/ジルコニウム錯体
のトルエン溶液を添加した。例26及び27において
は、MMAOを導入する前に初めにトルエン10ミリリ
ットルをバイアルに装入した。例29においては、ジア
ニオン/硼素/ジルコニウム錯体をバイアルに装入し、
撹拌しながらトルエン10ミリリットルを添加し、次い
でこのバイアルに500当量のMMAOを添加した。
【0066】重合 これらの触媒を用いた重合を例1〜10におけるように
して実施した。結果を表4に示す。
して実施した。結果を表4に示す。
【0067】
【表4】
【0068】例30 初めにクロルトリメチルシランによって金属交換させた
シンナミル−シクロペンタジエニルジアニオンとZrC
l4 と変性メチルアルミノキサンとの反応生成物を含む
触媒組成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−
ヘキセンとを共重合させるのに用いた。
シンナミル−シクロペンタジエニルジアニオンとZrC
l4 と変性メチルアルミノキサンとの反応生成物を含む
触媒組成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−
ヘキセンとを共重合させるのに用いた。
【0069】THF約1ミリリットル中に前記の例1〜
10において製造したジリチウムシンナミルシクロペン
タジエニド1.09ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下
に置いた。これに2.5当量のクロルトリメチルシラン
を装入し、次いで1時間撹拌した。この混合物を真空下
で残渣になるまで濃縮した。残渣をトルエンで2回洗浄
し、塩化リチウムを除去するために真空乾燥した。
10において製造したジリチウムシンナミルシクロペン
タジエニド1.09ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下
に置いた。これに2.5当量のクロルトリメチルシラン
を装入し、次いで1時間撹拌した。この混合物を真空下
で残渣になるまで濃縮した。残渣をトルエンで2回洗浄
し、塩化リチウムを除去するために真空乾燥した。
【0070】次いでろ液を室温において等モル量の四塩
化ジルコニウムに装入し、撹拌した。この混合物を真空
下で残渣になるまで濃縮し、オーブン乾燥ガラスバイア
ル中で撹拌しながら500当量のMMAOと一緒にし
た。
化ジルコニウムに装入し、撹拌した。この混合物を真空
下で残渣になるまで濃縮し、オーブン乾燥ガラスバイア
ル中で撹拌しながら500当量のMMAOと一緒にし
た。
【0071】重合 この触媒組成物を用いて、例1〜10におけるようにし
てエチレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒
の活性は7211だった。0.176のI2、3.35
のI21及び22.05のメルトフロー比を有するコポ
リマーが得られた。
てエチレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒
の活性は7211だった。0.176のI2、3.35
のI21及び22.05のメルトフロー比を有するコポ
リマーが得られた。
【0072】例31 初めに塩化トリメチル錫によって金属交換させたシンナ
ミル−シクロペンタジエニルジアニオンとZrCl4 と
変性メチルアルミノキサンとの反応生成物を含む触媒組
成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−ヘキセ
ンとを共重合させるのに用いた。
ミル−シクロペンタジエニルジアニオンとZrCl4 と
変性メチルアルミノキサンとの反応生成物を含む触媒組
成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−ヘキセ
ンとを共重合させるのに用いた。
【0073】THF5.0ミリリットル中に前記の例1
〜10において製造したジリチウムシンナミルシクロペ
ンタジエニド0.2ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下
に置き、−78℃に冷却した。これに1.0当量の塩化
トリメチル錫を装入し、得られた混合物を室温になるま
で温めた。この混合物を真空下で残渣になるまで濃縮し
た。
〜10において製造したジリチウムシンナミルシクロペ
ンタジエニド0.2ミリモルの溶液をアルゴン雰囲気下
に置き、−78℃に冷却した。これに1.0当量の塩化
トリメチル錫を装入し、得られた混合物を室温になるま
で温めた。この混合物を真空下で残渣になるまで濃縮し
た。
【0074】触媒組成物を形成させるために、得られた
生成物を次いで室温において等モル量の四塩化ジルコニ
ウムに装入し、一晩撹拌した。これを真空下で残渣にな
るまで濃縮し、オーブン乾燥ガラスバイアル中で撹拌し
ながら500当量のMMAOと一緒にした。
生成物を次いで室温において等モル量の四塩化ジルコニ
ウムに装入し、一晩撹拌した。これを真空下で残渣にな
るまで濃縮し、オーブン乾燥ガラスバイアル中で撹拌し
ながら500当量のMMAOと一緒にした。
【0075】重合 この触媒組成物を用いて、例1〜10におけるようにし
てエチレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒
の活性は20888だった。0.294のI2、5.2
のI21及び17.6のメルトフロー比を有するコポリ
マーが得られた。
てエチレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒
の活性は20888だった。0.294のI2、5.2
のI21及び17.6のメルトフロー比を有するコポリ
マーが得られた。
【0076】例32 初めにトリメチルアルミニウムによって金属交換させた
シンナミル−シクロペンタジエニルジアニオンとZrC
l4 と変性メチルアルミノキサンとの反応生成物を含む
触媒組成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−
ヘキセンとを共重合させるのに用いた。
シンナミル−シクロペンタジエニルジアニオンとZrC
l4 と変性メチルアルミノキサンとの反応生成物を含む
触媒組成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−
ヘキセンとを共重合させるのに用いた。
【0077】THF5.0ミリリットル中に前記の例1
〜10において製造したジリチウムシンナミルシクロペ
ンタジエニド0.124ミリモルの溶液をアルゴン雰囲
気下に置き、−30℃に冷却した。これに2.0当量の
トリメチルアルミニウムを装入した。次いでこれを室温
になるまで温め、4時間撹拌した。この混合物を強真空
下で残渣になるまで濃縮した。
〜10において製造したジリチウムシンナミルシクロペ
ンタジエニド0.124ミリモルの溶液をアルゴン雰囲
気下に置き、−30℃に冷却した。これに2.0当量の
トリメチルアルミニウムを装入した。次いでこれを室温
になるまで温め、4時間撹拌した。この混合物を強真空
下で残渣になるまで濃縮した。
【0078】得られた生成物を次いで室温において2当
量の四塩化ジルコニウムに装入し、3日間撹拌した。こ
れを真空下で残渣になるまで濃縮し、オーブン乾燥ガラ
スバイアル中で撹拌しながら500当量のMMAOと一
緒にした。
量の四塩化ジルコニウムに装入し、3日間撹拌した。こ
れを真空下で残渣になるまで濃縮し、オーブン乾燥ガラ
スバイアル中で撹拌しながら500当量のMMAOと一
緒にした。
【0079】重合 この触媒組成物を用いて、例1〜10におけるようにし
てエチレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒
の活性は12205だった。0.166のI2、3.0
8のI21、18.5のメルトフロー比及び9.39の
BBFを有するコポリマーが得られた。
てエチレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒
の活性は12205だった。0.166のI2、3.0
8のI21、18.5のメルトフロー比及び9.39の
BBFを有するコポリマーが得られた。
【0080】例33 初めに臭化マグネシウムによって金属交換させたシンナ
ミル−シクロペンタジエニルジアニオンとZrCl4 と
変性メチルアルミノキサンとの反応生成物を含む触媒組
成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−ヘキセ
ンとを共重合させるのに用いた。
ミル−シクロペンタジエニルジアニオンとZrCl4 と
変性メチルアルミノキサンとの反応生成物を含む触媒組
成物を以下のようにして製造し、エチレンと1−ヘキセ
ンとを共重合させるのに用いた。
【0081】前記の例1〜10において製造したジリチ
ウムシンナミルシクロペンタジエニドと臭化マグネシウ
ムとの等モル(0.22ミリモル)混合物を乾燥ボック
ス中で室温において撹拌した。この固体に冷却した(−
30℃)THF−d8約1ミリリットルを添加した。こ
の溶液を2時間撹拌した。
ウムシンナミルシクロペンタジエニドと臭化マグネシウ
ムとの等モル(0.22ミリモル)混合物を乾燥ボック
ス中で室温において撹拌した。この固体に冷却した(−
30℃)THF−d8約1ミリリットルを添加した。こ
の溶液を2時間撹拌した。
【0082】得られた生成物を初めにTHF−d8約1
ミリリットル中の等モル量の四塩化ジルコニウムの溶液
に室温において装入した。この混合物を一晩撹拌した。
溶媒層を真空下で残渣になるまで濃縮した。この残渣に
撹拌下でトルエン10ミリリットルを添加し、次いで5
00当量のMMAOを添加した。これによって触媒生成
物を製造した。
ミリリットル中の等モル量の四塩化ジルコニウムの溶液
に室温において装入した。この混合物を一晩撹拌した。
溶媒層を真空下で残渣になるまで濃縮した。この残渣に
撹拌下でトルエン10ミリリットルを添加し、次いで5
00当量のMMAOを添加した。これによって触媒生成
物を製造した。
【0083】重合 この触媒組成物を用いて、例1〜10におけるようにし
てエチレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒
の活性は4345だった。
てエチレンと1−ヘキセンとの共重合を実施した。触媒
の活性は4345だった。
【化13】
【化13】
【化14】
【化14】
Claims (17)
- 【請求項1】 次式: 【化1】 (式中、Lはシクロアルカジエニルリガンドであり、 W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個の炭素原
子を有するヒドロカルビル基又はシリル基であり、少な
くとも2個の第IVA族原子を含む橋渡し基を介してLに
結合することができ、但し、X、Y及びZの一つは、第
IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香族基、エ
チレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽和炭化水
素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分から選択され
る陰電荷安定化用基である)の触媒先駆体。 - 【請求項2】 次式: 【化2】 の触媒先駆体。
- 【請求項3】 次式: 【化3】 の触媒先駆体。
- 【請求項4】 (1)次式: 【化4】 (式中、Lはシクロアルカジエニルリガンドであり、 W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個の炭素原
子を有するヒドロカルビル基又はシリル基であり、少な
くとも2個の第IVA族原子を含む橋渡し基を介してLに
結合することができ、但し、X、Y及びZの一つは、第
IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香族基、エ
チレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽和炭化水
素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分から選択され
る陰電荷安定化用基である)の触媒先駆体と、(2)第
III B〜VIII族又はランタニド群からの金属を含む化合
物と、(3)活性化用助触媒との反応生成物を含む、触
媒組成物。 - 【請求項5】 触媒先駆体が 【化5】 である、請求項4記載の触媒組成物。
- 【請求項6】 触媒先駆体が 【化6】 である、請求項4記載の触媒組成物。
- 【請求項7】 第III B〜VIII族又はランタニド群から
の金属を含む化合物がジルコニウム化合物である、請求
項4記載の触媒組成物。 - 【請求項8】 活性化用助触媒がメチルアルミノキサ
ン、変性メチルアルミノキサン、アルキル硼素類及びそ
れらの混合物より成る群から選択される、請求項4記載
の触媒組成物。 - 【請求項9】 重合条件下で少なくとも1種のα−オレ
フィンを、(1)次式: 【化7】 (式中、Lはシクロアルカジエニルリガンドであり、
W、X、Y及びZはそれぞれ水素、1〜20個の炭素原
子を有するヒドロカルビル基又はシリル基であり、少な
くとも2個の第IVA族原子を含む橋渡し基を介してLに
結合することができ、但し、X、Y及びZの一つは、第
IVA族トリアルキル基、アリール基、複素芳香族基、エ
チレン系不飽和炭化水素基、アセチレン系不飽和炭化水
素基、ケトン系基及び芳香族有機金属部分から選択され
る陰電荷安定化用基である)の触媒先駆体と、(2)第
III B〜VIII族又はランタニド群からの金属を含む化合
物と、(3)活性化用助触媒との反応生成物を含む触媒
組成物と接触させることを含む、オレフィンポリマーの
製造方法。 - 【請求項10】 触媒先駆体が 【化8】 を有する、請求項9記載の方法。
- 【請求項11】 触媒先駆体が 【化9】 を有する、請求項9記載の方法。
- 【請求項12】 第III B〜VIII族又はランタニド群か
らの金属を含む化合物がジルコニウム化合物である、請
求項9記載の方法。 - 【請求項13】 活性化用助触媒がメチルアルミノキサ
ン、変性メチルアルミノキサン、アルキル硼素類及びそ
れらの混合物より成る群から選択される、請求項9記載
の方法。 - 【請求項14】 気相中で実施される、請求項9記載の
方法。 - 【請求項15】 オレフィンモノマーがエチレン、それ
より高級のα−オレフィン、ジエン及びそれらの混合物
より成る群から選択される、請求項9記載の方法。 - 【請求項16】 請求項9記載の方法によって製造され
たオレフィンポリマー。 - 【請求項17】 請求項9記載の方法によって製造され
たエチレンポリマー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294297A JPH10110009A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | オレフィンポリマー製造用触媒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294297A JPH10110009A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | オレフィンポリマー製造用触媒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10110009A true JPH10110009A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17805881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8294297A Withdrawn JPH10110009A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | オレフィンポリマー製造用触媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10110009A (ja) |
-
1996
- 1996-10-02 JP JP8294297A patent/JPH10110009A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |