JPH10111509A - 反射型ゲストホスト液晶表示装置 - Google Patents
反射型ゲストホスト液晶表示装置Info
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- JPH10111509A JPH10111509A JP8283220A JP28322096A JPH10111509A JP H10111509 A JPH10111509 A JP H10111509A JP 8283220 A JP8283220 A JP 8283220A JP 28322096 A JP28322096 A JP 28322096A JP H10111509 A JPH10111509 A JP H10111509A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射型ゲストホスト液晶表示装置に内蔵され
る光反射層の反射特性を改善して表示を明るく且つ見易
くする。 【解決手段】 入射側に配置される透明な基板1と、所
定の間隙を介して基板1に接合し反射側に配置される基
板2とを組み合わせてフラットパネル構造が得られる。
このフラットパネルの間隙内で基板1側にゲストホスト
液晶層3が配置し、基板2側に光反射層9が位置する。
又、ゲストホスト液晶層3と光反射層9との間に四分の
一波長板層10が介在する。基板1及び基板2には夫々
電極6,11が形成されており、ゲストホスト液晶層3
に電圧を印加する。光反射層9は凹凸反射面を有し入射
光を散乱反射すると共に、凹凸反射面の傾斜角θ1が基
板1の全反射角θCの半分以下に設定されている。
る光反射層の反射特性を改善して表示を明るく且つ見易
くする。 【解決手段】 入射側に配置される透明な基板1と、所
定の間隙を介して基板1に接合し反射側に配置される基
板2とを組み合わせてフラットパネル構造が得られる。
このフラットパネルの間隙内で基板1側にゲストホスト
液晶層3が配置し、基板2側に光反射層9が位置する。
又、ゲストホスト液晶層3と光反射層9との間に四分の
一波長板層10が介在する。基板1及び基板2には夫々
電極6,11が形成されており、ゲストホスト液晶層3
に電圧を印加する。光反射層9は凹凸反射面を有し入射
光を散乱反射すると共に、凹凸反射面の傾斜角θ1が基
板1の全反射角θCの半分以下に設定されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置に関する。より詳しくは、四分の一波長板
層及び光反射層をパネルに内蔵させて入射光の利用効率
を改善する技術に関する。更に詳しくは、光反射層の反
射特性を改善して表示の明るさ及び見易さを向上させる
技術に関する。
液晶表示装置に関する。より詳しくは、四分の一波長板
層及び光反射層をパネルに内蔵させて入射光の利用効率
を改善する技術に関する。更に詳しくは、光反射層の反
射特性を改善して表示の明るさ及び見易さを向上させる
技術に関する。
【0002】
【従来の技術】四分の一波長板層と光反射層を内蔵した
反射型ゲストホスト液晶表示装置は、例えば特開平6−
222351号公報に開示されており、図7にその断面
構造を示す。この反射型ゲストホスト液晶表示装置10
1は、上下一対の基板102及び103、ゲストホスト
液晶層104、二色性色素105、上下一対の透明電極
106及び110、上下一対の配向層107及び11
1、鏡面の光反射層108、四分の一波長板層109を
含んで構成されている。一対の基板102及び103
は、例えばガラス、石英、プラスチック等の絶縁性を有
する材料で構成されている。少くとも入射側に位置する
上側の基板102は透明である。一対の基板102及び
103の間隙には二色性色素105を含むゲストホスト
液晶層104が保持されている。ゲストホスト液晶層1
04はネマティック液晶分子104aを含んでおり、二
色性色素105はその分子の長軸に略平行な遷移双極子
モーメントを有する、所謂p形色素である。上側の基板
102の内表面102aには図示しないがスイッチング
素子が集積形成されている。又、透明な電極106は画
素電極としてマトリクス状にパタニングされており、対
応するスイッチング素子により駆動される。更に、上側
の基板102の内表面はポリイミド樹脂等からなる配向
層107で被覆されている。この配向層107の表面は
例えばラビング処理が施されており、ネマティック液晶
分子104aを水平配向している。
反射型ゲストホスト液晶表示装置は、例えば特開平6−
222351号公報に開示されており、図7にその断面
構造を示す。この反射型ゲストホスト液晶表示装置10
1は、上下一対の基板102及び103、ゲストホスト
液晶層104、二色性色素105、上下一対の透明電極
106及び110、上下一対の配向層107及び11
1、鏡面の光反射層108、四分の一波長板層109を
含んで構成されている。一対の基板102及び103
は、例えばガラス、石英、プラスチック等の絶縁性を有
する材料で構成されている。少くとも入射側に位置する
上側の基板102は透明である。一対の基板102及び
103の間隙には二色性色素105を含むゲストホスト
液晶層104が保持されている。ゲストホスト液晶層1
04はネマティック液晶分子104aを含んでおり、二
色性色素105はその分子の長軸に略平行な遷移双極子
モーメントを有する、所謂p形色素である。上側の基板
102の内表面102aには図示しないがスイッチング
素子が集積形成されている。又、透明な電極106は画
素電極としてマトリクス状にパタニングされており、対
応するスイッチング素子により駆動される。更に、上側
の基板102の内表面はポリイミド樹脂等からなる配向
層107で被覆されている。この配向層107の表面は
例えばラビング処理が施されており、ネマティック液晶
分子104aを水平配向している。
【0003】一方、反射側に位置する下側の基板103
の内表面103aにはアルミニウム等からなる鏡面の光
反射層108と、高分子液晶等からなる四分の一波長板
層109とがこの順に形成されている。更に、四分の一
波長板層109の上には対向電極となる透明電極110
と配向層111とがこの順に形成されている。
の内表面103aにはアルミニウム等からなる鏡面の光
反射層108と、高分子液晶等からなる四分の一波長板
層109とがこの順に形成されている。更に、四分の一
波長板層109の上には対向電極となる透明電極110
と配向層111とがこの順に形成されている。
【0004】続いて、この反射型ゲストホスト液晶表示
装置101を用いて白黒表示を行なう場合の動作につい
て簡潔に説明する。電圧無印加状態では、ネマティック
液晶分子104aは水平に配向しており、二色性色素1
05も同様に配向する。上側の基板102側から入射し
た光がゲストホスト液晶層104に進むと、入射光のう
ち二色性色素105の分子の長軸方向に対して平行な振
動面を持つ成分が二色性色素105によって吸収され
る。又、二色性色素105の分子の長軸方向に対して垂
直な振動面を持つ成分はゲストホスト液晶層104を通
過し、下側の基板103の表面103aに形成された四
分の一波長板層109で円偏光とされて、光反射層10
8で鏡面反射する。この時、反射光の偏光が逆廻りとな
り、再び四分の一波長板層109を通過し、二色性色素
105の分子の長軸方向に対して平行な振動面を持つ成
分となる。この成分は二色性色素105によって吸収さ
れるので完全な黒色表示となる。一方、電圧印加時には
ネマティック液晶分子104aは電界方向に沿って垂直
に配向し、二色性色素105も同様に配向する。上側の
基板102側から入射した光は二色性色素105によっ
て吸収されずにゲストホスト液晶層104を通過し、更
に、四分の一波長板層109で影響を受けることなく光
反射層108で正反射する。反射光は再び四分の一波長
板層109を通過し、ゲストホスト液晶層104で吸収
されずに出射する。従って白色表示となる。
装置101を用いて白黒表示を行なう場合の動作につい
て簡潔に説明する。電圧無印加状態では、ネマティック
液晶分子104aは水平に配向しており、二色性色素1
05も同様に配向する。上側の基板102側から入射し
た光がゲストホスト液晶層104に進むと、入射光のう
ち二色性色素105の分子の長軸方向に対して平行な振
動面を持つ成分が二色性色素105によって吸収され
る。又、二色性色素105の分子の長軸方向に対して垂
直な振動面を持つ成分はゲストホスト液晶層104を通
過し、下側の基板103の表面103aに形成された四
分の一波長板層109で円偏光とされて、光反射層10
8で鏡面反射する。この時、反射光の偏光が逆廻りとな
り、再び四分の一波長板層109を通過し、二色性色素
105の分子の長軸方向に対して平行な振動面を持つ成
分となる。この成分は二色性色素105によって吸収さ
れるので完全な黒色表示となる。一方、電圧印加時には
ネマティック液晶分子104aは電界方向に沿って垂直
に配向し、二色性色素105も同様に配向する。上側の
基板102側から入射した光は二色性色素105によっ
て吸収されずにゲストホスト液晶層104を通過し、更
に、四分の一波長板層109で影響を受けることなく光
反射層108で正反射する。反射光は再び四分の一波長
板層109を通過し、ゲストホスト液晶層104で吸収
されずに出射する。従って白色表示となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来構造で
は、アルミニウム等金属の蒸着膜を光反射層108とし
て形成する。この光反射層108は鏡面状態にあり入射
光を正反射する為極めて指向性が強い。従って、外部照
明光との関係で視角により表示の明るさが極端に変化す
る。この為、表示が極めて見難いという課題がある。
又、鏡面状態の光反射層108はメタリックな外観を呈
し、表示の背景としては必ずしも適当なものではない。
は、アルミニウム等金属の蒸着膜を光反射層108とし
て形成する。この光反射層108は鏡面状態にあり入射
光を正反射する為極めて指向性が強い。従って、外部照
明光との関係で視角により表示の明るさが極端に変化す
る。この為、表示が極めて見難いという課題がある。
又、鏡面状態の光反射層108はメタリックな外観を呈
し、表示の背景としては必ずしも適当なものではない。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる反射型ゲストホスト液晶表示装置は基本的な構成
として、入射側に配置される第1基板と、所定の間隙を
介して該第1基板に接合し反射側に配置される第2基板
と、該間隙内で第1基板側に位置するゲストホスト液晶
層と、該間隙内で第2基板側に位置する光反射層と、該
ゲストホスト液晶層と該光反射層の間に介在する四分の
一波長板層と、該第1基板側及び第2基板側に夫々形成
され該ゲストホスト液晶層に電圧を印加する電極とを備
えている。特徴事項として、前記光反射層は凹凸反射面
を有し入射光を散乱反射すると共に、該凹凸反射面の傾
斜角が該第1基板の全反射角の半分以下に設定されてい
る。例えば、第1基板がガラス等からなる場合その全反
射角は40°程度であり、この場合前記凹凸反射面はお
よそ20°以下の傾斜角を有する。好ましくは、前記光
反射層は凹凸が形成された樹脂膜とその表面に成膜され
た反射膜とからなり凹凸の最大傾斜角が該第1基板の全
反射角の半分以下に設定されている。形成手段として
は、予め隙間を残して離散的にパタニングされた樹脂膜
をリフローして隙間を埋め、なだらかな起伏を有する凹
凸を形成する。或いは、予め隙間を残して離散的にパタ
ニングされた樹脂膜をリフローして隙間を狭め、更に隙
間を他の樹脂膜で部分的に埋めてなだらかな起伏を有す
る凹凸を形成しても良い。
題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる反射型ゲストホスト液晶表示装置は基本的な構成
として、入射側に配置される第1基板と、所定の間隙を
介して該第1基板に接合し反射側に配置される第2基板
と、該間隙内で第1基板側に位置するゲストホスト液晶
層と、該間隙内で第2基板側に位置する光反射層と、該
ゲストホスト液晶層と該光反射層の間に介在する四分の
一波長板層と、該第1基板側及び第2基板側に夫々形成
され該ゲストホスト液晶層に電圧を印加する電極とを備
えている。特徴事項として、前記光反射層は凹凸反射面
を有し入射光を散乱反射すると共に、該凹凸反射面の傾
斜角が該第1基板の全反射角の半分以下に設定されてい
る。例えば、第1基板がガラス等からなる場合その全反
射角は40°程度であり、この場合前記凹凸反射面はお
よそ20°以下の傾斜角を有する。好ましくは、前記光
反射層は凹凸が形成された樹脂膜とその表面に成膜され
た反射膜とからなり凹凸の最大傾斜角が該第1基板の全
反射角の半分以下に設定されている。形成手段として
は、予め隙間を残して離散的にパタニングされた樹脂膜
をリフローして隙間を埋め、なだらかな起伏を有する凹
凸を形成する。或いは、予め隙間を残して離散的にパタ
ニングされた樹脂膜をリフローして隙間を狭め、更に隙
間を他の樹脂膜で部分的に埋めてなだらかな起伏を有す
る凹凸を形成しても良い。
【0007】本発明によれば、反射型ゲストホスト液晶
表示装置に内蔵された光反射層は凹凸反射面を有し光散
乱性を備えている。従来の鏡面光反射層と異なり入射光
を散乱反射し比較的広角度範囲で出射する。この為、観
察者は比較的広い視角範囲で明瞭な表示を視認でき、表
示の明るさが顕著に改善できると共に表示が見易くな
る。又、従来の鏡面光反射層のメタリックな外観と異な
り、光散乱性を備えた光反射層は所謂ペーパーホワイト
の外観を呈し表示背景として好ましいものである。特
に、本発明では光反射層の凹凸反射面の傾斜角を観察者
側に位置する第1基板の全反射角の半分以下に設定して
いる。このように設定することで、光反射層により散乱
反射した光は殆んど第1基板によって全反射を受けるこ
となく観察者側に向って出射される。従って、入射光の
利用効率を顕著に改善でき、一層明るい表示画面が得ら
れる。
表示装置に内蔵された光反射層は凹凸反射面を有し光散
乱性を備えている。従来の鏡面光反射層と異なり入射光
を散乱反射し比較的広角度範囲で出射する。この為、観
察者は比較的広い視角範囲で明瞭な表示を視認でき、表
示の明るさが顕著に改善できると共に表示が見易くな
る。又、従来の鏡面光反射層のメタリックな外観と異な
り、光散乱性を備えた光反射層は所謂ペーパーホワイト
の外観を呈し表示背景として好ましいものである。特
に、本発明では光反射層の凹凸反射面の傾斜角を観察者
側に位置する第1基板の全反射角の半分以下に設定して
いる。このように設定することで、光反射層により散乱
反射した光は殆んど第1基板によって全反射を受けるこ
となく観察者側に向って出射される。従って、入射光の
利用効率を顕著に改善でき、一層明るい表示画面が得ら
れる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良
な実施形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかる反
射型ゲストホスト液晶表示装置の基本的な構造並びに光
学的な機能を表わしている。(A)に示すように、本反
射型ゲストホスト液晶表示装置は入射側に配置される透
明な第1の基板1と、所定の間隙を介して入射側の基板
1に接合し反射側に配置される第2の基板2とを用いた
フラットパネル構造となっている。上下一対の基板1,
2の間隙内でゲストホスト液晶層3が基板1側に位置し
ている。又、同じく間隙内で光反射層9が基板2側に位
置している。更に、ゲストホスト液晶層3と光反射層9
との間に四分の一波長板層10が介在している。加え
て、基板1及び2側に夫々透明な電極6及び11が形成
されており、ゲストホスト液晶層3に電圧を印加する。
尚、各電極6,11の表面は夫々配向層7,15で被覆
されており、ゲストホスト液晶層3を水平配向してい
る。このゲストホスト液晶層3はネマティック液晶分子
4を主体とし二色性色素5を所定の割合で含有したもの
である。特徴事項として、光反射層9は凹凸反射面を有
し入射光を散乱反射すると共に、凹凸反射面の傾斜角が
入射側に位置する基板1の全反射角の半分以下に設定さ
れている。例えば、基板1がガラス等からなる場合その
全反射角は40°程度である。この時、光反射層9の凹
凸反射面はおよそ20°以下の傾斜角を有する。好まし
くは、光反射層9は凹凸が形成された樹脂膜9aとその
表面に成膜された反射膜9bとからなり、凹凸の最大傾
斜角が基板1の全反射角の半分以下に設定されている。
尚、光反射層9の凹凸反射面を埋める為平坦化層14が
塗工されており、その上に前述した四分の一波長板層1
0が成膜されている。
な実施形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかる反
射型ゲストホスト液晶表示装置の基本的な構造並びに光
学的な機能を表わしている。(A)に示すように、本反
射型ゲストホスト液晶表示装置は入射側に配置される透
明な第1の基板1と、所定の間隙を介して入射側の基板
1に接合し反射側に配置される第2の基板2とを用いた
フラットパネル構造となっている。上下一対の基板1,
2の間隙内でゲストホスト液晶層3が基板1側に位置し
ている。又、同じく間隙内で光反射層9が基板2側に位
置している。更に、ゲストホスト液晶層3と光反射層9
との間に四分の一波長板層10が介在している。加え
て、基板1及び2側に夫々透明な電極6及び11が形成
されており、ゲストホスト液晶層3に電圧を印加する。
尚、各電極6,11の表面は夫々配向層7,15で被覆
されており、ゲストホスト液晶層3を水平配向してい
る。このゲストホスト液晶層3はネマティック液晶分子
4を主体とし二色性色素5を所定の割合で含有したもの
である。特徴事項として、光反射層9は凹凸反射面を有
し入射光を散乱反射すると共に、凹凸反射面の傾斜角が
入射側に位置する基板1の全反射角の半分以下に設定さ
れている。例えば、基板1がガラス等からなる場合その
全反射角は40°程度である。この時、光反射層9の凹
凸反射面はおよそ20°以下の傾斜角を有する。好まし
くは、光反射層9は凹凸が形成された樹脂膜9aとその
表面に成膜された反射膜9bとからなり、凹凸の最大傾
斜角が基板1の全反射角の半分以下に設定されている。
尚、光反射層9の凹凸反射面を埋める為平坦化層14が
塗工されており、その上に前述した四分の一波長板層1
0が成膜されている。
【0009】(B)は光反射層9の光学的な機能を模式
的に表わした幾何光学図である。理解を容易にする為、
周期的な凹凸構造を有する光反射層9の一単位を切り出
し、アイランド9sとして表わしている。このアイラン
ド9sの表面は実際には反射膜で覆われており、ここで
は反射面を球面で近似している。球面の中心をOで示し
てある。アイランド9sは反射側に位置する基板の内表
面2aの上に形成されている。これと対向する入射側の
基板の外表面を1bで表わしている。入射側基板の外表
面1bを境界として外部の屈折率をn0で表わし、内部
の屈折率をn1で表わしている。ここではn0を空気の
屈折率で代表し、n1をガラス等からなる入射側基板1
の屈折率で代表することにする。図から明らかなよう
に、アイランド9sを無数に含む光反射層9は光散乱性
を備えている。従って、ペーパーホワイトの外観を呈し
表示背景として好ましいばかりでなく、入射光を比較的
広い角度範囲で反射する為、視野角が拡大し表示が見易
くなると共に広い視角範囲で表示の明るさが増す。
的に表わした幾何光学図である。理解を容易にする為、
周期的な凹凸構造を有する光反射層9の一単位を切り出
し、アイランド9sとして表わしている。このアイラン
ド9sの表面は実際には反射膜で覆われており、ここで
は反射面を球面で近似している。球面の中心をOで示し
てある。アイランド9sは反射側に位置する基板の内表
面2aの上に形成されている。これと対向する入射側の
基板の外表面を1bで表わしている。入射側基板の外表
面1bを境界として外部の屈折率をn0で表わし、内部
の屈折率をn1で表わしている。ここではn0を空気の
屈折率で代表し、n1をガラス等からなる入射側基板1
の屈折率で代表することにする。図から明らかなよう
に、アイランド9sを無数に含む光反射層9は光散乱性
を備えている。従って、ペーパーホワイトの外観を呈し
表示背景として好ましいばかりでなく、入射光を比較的
広い角度範囲で反射する為、視野角が拡大し表示が見易
くなると共に広い視角範囲で表示の明るさが増す。
【0010】しかしながら、反射光のうち上側基板の外
表面1bの全反射角θCを超えた部分は観察者側に出射
されない為無効となる。本発明ではこの無効成分を除く
為、球状アイランド9sの傾斜角θ1が全反射角θCの
半分以下となるように設定されている。ここで全反射角
はsinθC=n0/n1で表わされる。n0を1と
し、n1を1.5とすると、全反射角θCは40°程度
となる。そこで、アイランド9sの最大傾斜角θ1を2
0°以下に設定すればよい。
表面1bの全反射角θCを超えた部分は観察者側に出射
されない為無効となる。本発明ではこの無効成分を除く
為、球状アイランド9sの傾斜角θ1が全反射角θCの
半分以下となるように設定されている。ここで全反射角
はsinθC=n0/n1で表わされる。n0を1と
し、n1を1.5とすると、全反射角θCは40°程度
となる。そこで、アイランド9sの最大傾斜角θ1を2
0°以下に設定すればよい。
【0011】以上の点につき、(B)を参照して更に詳
細に説明する。入射光がアイランド9s上の点P1に垂
直入射した場合を考える。その入射角θ1はP1とOを
結んだ法線に対する入射光のなす角θ1で表わされる。
その時、図示の幾何学的な関係から明らかなように、P
1を通るアイランド9sの接線9tと反射側基板の内表
面2aとのなす角が入射角と等しくθ1となる。ここで
は、このθ1をP1における傾斜角と定義している。即
ち、入射点P1におけるアイランド9sの傾斜角は垂直
入射光の入射角θ1と等しい。P1からの反射光は上側
基板の外表面1bに向けて出射される。この反射光と外
表面1bの交点をRで表わす。外表面1bに対する反射
光の入射角は、Rに立てた法線を基準としてθCで表わ
される。図示の幾何学的な関係から明らかなように、θ
Cは丁度入射光の入射角θ1の2倍となっている。図示
では、外表面1bに対する反射光の入射角θCが丁度全
反射角に等しい。従って、P1に垂直入射した光はアイ
ランド9sで反射した後、外表面1bで全反射される為
無効成分となってしまう。θ1より小さな入射角で入射
した光は全反射を受けることがないので、外表面1bを
通過し観察者側に出射される。従って、アイランド9s
の全表面積のうちハッチングを付した部分が有効領域と
なり、それ以下は無効領域である。実質的に光反射層9
の凹凸面が有効領域のみを含むように、凹凸反射面の傾
斜角を設定すればよい。即ち、(B)に示すように、凹
凸反射面の傾斜角を入射側基板の外表面1bにおける全
反射角の半分以下に設定すればよいことになる。仮に、
(B)に示したアイランド9sをそのまま光反射層9の
構成要素とした場合、例えば点P2に垂直入射した光は
全て全反射される為無効成分となってしまう。アイラン
ド9sの最下端に位置する入射点P2に対応する入射角
はθ2で表わされている。θ2の2倍は全反射角θCを
遥かに超える為基板1の外表面1bを通過することがで
きない。ここで理解を容易にする為利用率という概念を
導入する。この利用率は以下の数式により定義される。
但し、rはアイランド9sの半径を示す。
細に説明する。入射光がアイランド9s上の点P1に垂
直入射した場合を考える。その入射角θ1はP1とOを
結んだ法線に対する入射光のなす角θ1で表わされる。
その時、図示の幾何学的な関係から明らかなように、P
1を通るアイランド9sの接線9tと反射側基板の内表
面2aとのなす角が入射角と等しくθ1となる。ここで
は、このθ1をP1における傾斜角と定義している。即
ち、入射点P1におけるアイランド9sの傾斜角は垂直
入射光の入射角θ1と等しい。P1からの反射光は上側
基板の外表面1bに向けて出射される。この反射光と外
表面1bの交点をRで表わす。外表面1bに対する反射
光の入射角は、Rに立てた法線を基準としてθCで表わ
される。図示の幾何学的な関係から明らかなように、θ
Cは丁度入射光の入射角θ1の2倍となっている。図示
では、外表面1bに対する反射光の入射角θCが丁度全
反射角に等しい。従って、P1に垂直入射した光はアイ
ランド9sで反射した後、外表面1bで全反射される為
無効成分となってしまう。θ1より小さな入射角で入射
した光は全反射を受けることがないので、外表面1bを
通過し観察者側に出射される。従って、アイランド9s
の全表面積のうちハッチングを付した部分が有効領域と
なり、それ以下は無効領域である。実質的に光反射層9
の凹凸面が有効領域のみを含むように、凹凸反射面の傾
斜角を設定すればよい。即ち、(B)に示すように、凹
凸反射面の傾斜角を入射側基板の外表面1bにおける全
反射角の半分以下に設定すればよいことになる。仮に、
(B)に示したアイランド9sをそのまま光反射層9の
構成要素とした場合、例えば点P2に垂直入射した光は
全て全反射される為無効成分となってしまう。アイラン
ド9sの最下端に位置する入射点P2に対応する入射角
はθ2で表わされている。θ2の2倍は全反射角θCを
遥かに超える為基板1の外表面1bを通過することがで
きない。ここで理解を容易にする為利用率という概念を
導入する。この利用率は以下の数式により定義される。
但し、rはアイランド9sの半径を示す。
【数1】 利用率を示す式の分母はアイランド9sの全表面積を表
わし、分子はアイランド9sのハッチングを付した面積
を示している。この式から明らかなように、θ2をθ1
に近付けていけば利用率がそれだけ高くなる。
わし、分子はアイランド9sのハッチングを付した面積
を示している。この式から明らかなように、θ2をθ1
に近付けていけば利用率がそれだけ高くなる。
【0012】図2を参照して、本発明にかかる光反射層
の形成方法を詳細に説明する。先ず(A)に示すよう
に、ガラス等からなる下側の基板2の表面に光感光性の
樹脂膜9aを全面的に塗布する。感光性の樹脂膜9aと
しては例えばフォトレジストを用いることができる。
(B)に示すように、所定のマスクを介してフォトレジ
ストを露光現像し、樹脂膜9aを離散的なアイランドに
パタニング加工する。この状態では、各アイランドは柱
状である。続いて(C)に示すように、基板2を加熱処
理して樹脂膜9aのリフローを行なう。このリフローに
よりフォトレジストの柱状形状はなだらかに変形し、所
望の凹凸形状が得られる。(D)に示すように、上記の
ようにして形成された樹脂膜9aの凹凸面に所望の膜厚
で良好な反射率を有するアルミニウム等の反射膜9bが
真空蒸着等により形成される。凹凸の深さ寸法を例えば
数μmに設定することで、良好な光散乱特性が得られ反
射膜9bは白色を呈する。続いて(E)に示すように、
反射膜9b表面の凹凸を平坦化層14で埋める。この平
坦化層14はアクリル樹脂等透明な有機物で形成されて
おり、スピンコート等で塗布する。続いて平坦化層14
の表面をラビング処理する。最後に(F)に示すよう
に、平坦化層14の上に高分子液晶材料を塗布する。こ
の高分子液晶は、例えば安息香酸エステル系のメソゲン
をペンダントとした側鎖型の高分子液晶である。この高
分子液晶材料をシクロヘキサノンとメチルエチルケトン
を8対2の割合で混合した溶液に3〜5重量%溶解させ
る。この溶液を例えば1000rpm の回転速度でスピン
コートし、平坦化層14の上に高分子液晶材料を成膜す
る。この後基板加熱を行ない一旦高分子液晶材料を光学
的に等方状態まで加温する。続いて加熱温度を徐々に降
下しネマティック相を経て室温状態まで戻す。ネマティ
ック相において高分子液晶は下地のラビング方向に沿っ
て配列し、所望の一軸配向性が得られる。この一軸配向
状態は基板2を室温に戻すことにより固定される。この
ようなアニール処理により、高分子液晶材料に含まれる
液晶分子は一軸配向し、所望の四分の一波長板層10が
得られる。更にこの四分の一波長板層10の表面にIT
O等の透明導電膜からなる電極11を形成する。更に電
極11の表面にポリイミド樹脂等からなる配向膜7を形
成する。この配向膜7を所定の方向に沿ってラビング処
理することで、その上に接するゲストホスト液晶層の水
平配向を実現できる。
の形成方法を詳細に説明する。先ず(A)に示すよう
に、ガラス等からなる下側の基板2の表面に光感光性の
樹脂膜9aを全面的に塗布する。感光性の樹脂膜9aと
しては例えばフォトレジストを用いることができる。
(B)に示すように、所定のマスクを介してフォトレジ
ストを露光現像し、樹脂膜9aを離散的なアイランドに
パタニング加工する。この状態では、各アイランドは柱
状である。続いて(C)に示すように、基板2を加熱処
理して樹脂膜9aのリフローを行なう。このリフローに
よりフォトレジストの柱状形状はなだらかに変形し、所
望の凹凸形状が得られる。(D)に示すように、上記の
ようにして形成された樹脂膜9aの凹凸面に所望の膜厚
で良好な反射率を有するアルミニウム等の反射膜9bが
真空蒸着等により形成される。凹凸の深さ寸法を例えば
数μmに設定することで、良好な光散乱特性が得られ反
射膜9bは白色を呈する。続いて(E)に示すように、
反射膜9b表面の凹凸を平坦化層14で埋める。この平
坦化層14はアクリル樹脂等透明な有機物で形成されて
おり、スピンコート等で塗布する。続いて平坦化層14
の表面をラビング処理する。最後に(F)に示すよう
に、平坦化層14の上に高分子液晶材料を塗布する。こ
の高分子液晶は、例えば安息香酸エステル系のメソゲン
をペンダントとした側鎖型の高分子液晶である。この高
分子液晶材料をシクロヘキサノンとメチルエチルケトン
を8対2の割合で混合した溶液に3〜5重量%溶解させ
る。この溶液を例えば1000rpm の回転速度でスピン
コートし、平坦化層14の上に高分子液晶材料を成膜す
る。この後基板加熱を行ない一旦高分子液晶材料を光学
的に等方状態まで加温する。続いて加熱温度を徐々に降
下しネマティック相を経て室温状態まで戻す。ネマティ
ック相において高分子液晶は下地のラビング方向に沿っ
て配列し、所望の一軸配向性が得られる。この一軸配向
状態は基板2を室温に戻すことにより固定される。この
ようなアニール処理により、高分子液晶材料に含まれる
液晶分子は一軸配向し、所望の四分の一波長板層10が
得られる。更にこの四分の一波長板層10の表面にIT
O等の透明導電膜からなる電極11を形成する。更に電
極11の表面にポリイミド樹脂等からなる配向膜7を形
成する。この配向膜7を所定の方向に沿ってラビング処
理することで、その上に接するゲストホスト液晶層の水
平配向を実現できる。
【0013】図3は、リフロー処理を施した後のアイラ
ンド9sの形状を模式的に表わしている。予め柱状にパ
タニングされたアイランドはリフロー処理(加熱処理)
により流動化し、最終的に球状もしくは椀状のアイラン
ド9sとなる。この時、アイランド9sの接触角θLは
流動化した樹脂の表面張力や粘度によって物理的に決ま
ってしまう。この為、単にリフロー処理を施しただけで
は接触角θLを必要な値以下に制御することが困難な場
合もある。
ンド9sの形状を模式的に表わしている。予め柱状にパ
タニングされたアイランドはリフロー処理(加熱処理)
により流動化し、最終的に球状もしくは椀状のアイラン
ド9sとなる。この時、アイランド9sの接触角θLは
流動化した樹脂の表面張力や粘度によって物理的に決ま
ってしまう。この為、単にリフロー処理を施しただけで
は接触角θLを必要な値以下に制御することが困難な場
合もある。
【0014】図4は、アイランドの傾斜角を所望の値以
下に制御する為の手法を示す模式的な工程図である。先
ず(A)に示すように基板2の上に予め接近したアイラ
ンド9sをパタニング形成する。その後(B)に示すよ
うに熱処理によってアイランド9sをリフローし最終的
になだらかな凹凸形状を得ている。以上のように、予め
隙間を残して離散的にパタニングされた樹脂膜のアイラ
ンド9sをリフローして隙間を埋め、なだらかな起伏を
有する凹凸を形成する。これにより、凹凸反射面の傾斜
角を入射側基板の全反射角の半分以下となるように制御
することが可能になる。尚、図4に示した例では凹凸反
射面の最大傾斜角が20°程度であり、凹凸反射面の高
さ寸法は最大で1.6μm程度に設定されている。
下に制御する為の手法を示す模式的な工程図である。先
ず(A)に示すように基板2の上に予め接近したアイラ
ンド9sをパタニング形成する。その後(B)に示すよ
うに熱処理によってアイランド9sをリフローし最終的
になだらかな凹凸形状を得ている。以上のように、予め
隙間を残して離散的にパタニングされた樹脂膜のアイラ
ンド9sをリフローして隙間を埋め、なだらかな起伏を
有する凹凸を形成する。これにより、凹凸反射面の傾斜
角を入射側基板の全反射角の半分以下となるように制御
することが可能になる。尚、図4に示した例では凹凸反
射面の最大傾斜角が20°程度であり、凹凸反射面の高
さ寸法は最大で1.6μm程度に設定されている。
【0015】図5は、アイランド形成の他の手法を示す
模式的な工程図である。先ず(A)に示すように、基板
2の上に比較的厚膜のアイランド9sを柱状にパタニン
グする。その後(B)に示すように、リフローを施しア
イランド9sを椀状に変形させる。最後に(C)に示す
ように、アイランド9sの表面に別の樹脂膜9xを塗布
し、リフロー後のアイランド9sの急峻な傾斜部を埋め
る。即ち、予め隙間を残して離散的にパタニングされた
樹脂膜のアイランド9sをリフローして隙間を狭め、更
に隙間を他の樹脂膜9xで部分的に埋めなだらかな起伏
を有する凹凸を形成している。これにより、凹凸反射面
の傾斜角が入射側基板の全反射角の半分以下となるよう
に制御できる。因みに、(B)に示したリフロー後の状
態ではアイランド9sの傾斜角は最大で37.6°であ
る。但し、この例では厚みが1.5μmのフォトレジス
トを樹脂膜として用いている。最大傾斜角が37.6°
の時利用率は高々29%程度でしかない。この後(C)
に示すように、例えば20nmの厚みで高分子樹脂膜を塗
布すると、利用率は90%迄向上した。
模式的な工程図である。先ず(A)に示すように、基板
2の上に比較的厚膜のアイランド9sを柱状にパタニン
グする。その後(B)に示すように、リフローを施しア
イランド9sを椀状に変形させる。最後に(C)に示す
ように、アイランド9sの表面に別の樹脂膜9xを塗布
し、リフロー後のアイランド9sの急峻な傾斜部を埋め
る。即ち、予め隙間を残して離散的にパタニングされた
樹脂膜のアイランド9sをリフローして隙間を狭め、更
に隙間を他の樹脂膜9xで部分的に埋めなだらかな起伏
を有する凹凸を形成している。これにより、凹凸反射面
の傾斜角が入射側基板の全反射角の半分以下となるよう
に制御できる。因みに、(B)に示したリフロー後の状
態ではアイランド9sの傾斜角は最大で37.6°であ
る。但し、この例では厚みが1.5μmのフォトレジス
トを樹脂膜として用いている。最大傾斜角が37.6°
の時利用率は高々29%程度でしかない。この後(C)
に示すように、例えば20nmの厚みで高分子樹脂膜を塗
布すると、利用率は90%迄向上した。
【0016】最後に図6を参照して、本発明にかかる反
射型ゲストホスト液晶表示装置の具体的な実施例を詳細
に説明する。図示するように、本表示装置は所定の間隙
を介して互いに接合した上下一対の基板1,2を用いて
構成されている。上側基板1は入射側に位置しガラス等
の透明基材からなる。一方下側の基板2は反射側に位置
し、必ずしも透明材料を用いる必要はない。一対の基板
1,2の間隙にはゲストホスト液晶層3が保持されてい
る。このゲストホスト液晶層3は負の誘電異方性を有す
るネマティック液晶分子4を主体とし、且つ二色性色素
5を所定の割合で含有している。上側の基板1の内表面
には対向電極6と配向層7が順に形成されている。対向
電極6はITO等の透明導電膜からなる。配向層7は例
えばポリイミドフィルムからなり、ゲストホスト液晶層
3を垂直配向している。尚、本発明はこれに限られるも
のではなく、図1に示したようにゲストホスト液晶層を
水平配向してもよい。本実施例では電圧無印加状態でゲ
ストホスト液晶層3は垂直配向し、電圧印加状態では水
平配向に移行する。
射型ゲストホスト液晶表示装置の具体的な実施例を詳細
に説明する。図示するように、本表示装置は所定の間隙
を介して互いに接合した上下一対の基板1,2を用いて
構成されている。上側基板1は入射側に位置しガラス等
の透明基材からなる。一方下側の基板2は反射側に位置
し、必ずしも透明材料を用いる必要はない。一対の基板
1,2の間隙にはゲストホスト液晶層3が保持されてい
る。このゲストホスト液晶層3は負の誘電異方性を有す
るネマティック液晶分子4を主体とし、且つ二色性色素
5を所定の割合で含有している。上側の基板1の内表面
には対向電極6と配向層7が順に形成されている。対向
電極6はITO等の透明導電膜からなる。配向層7は例
えばポリイミドフィルムからなり、ゲストホスト液晶層
3を垂直配向している。尚、本発明はこれに限られるも
のではなく、図1に示したようにゲストホスト液晶層を
水平配向してもよい。本実施例では電圧無印加状態でゲ
ストホスト液晶層3は垂直配向し、電圧印加状態では水
平配向に移行する。
【0017】下側の基板2には少くとも薄膜トランジス
タ8からなるスイッチング素子と光反射層9と四分の一
波長板層10と画素電極11とが形成されている。基本
的な構成として、四分の一波長板層10は薄膜トランジ
スタ8や光反射層9の上方に成膜されており、且つ薄膜
トランジスタ8に連通するコンタクトホール12が設け
られている。画素電極11はこの四分の一波長板層10
の上にパタニングされている。従って、画素電極11と
対向電極6との間でゲストホスト液晶層3に十分な電界
を印加することが可能である。この画素電極11は四分
の一波長板層10に開口したコンタクトホール12を介
して薄膜トランジスタ8に電気接続している。
タ8からなるスイッチング素子と光反射層9と四分の一
波長板層10と画素電極11とが形成されている。基本
的な構成として、四分の一波長板層10は薄膜トランジ
スタ8や光反射層9の上方に成膜されており、且つ薄膜
トランジスタ8に連通するコンタクトホール12が設け
られている。画素電極11はこの四分の一波長板層10
の上にパタニングされている。従って、画素電極11と
対向電極6との間でゲストホスト液晶層3に十分な電界
を印加することが可能である。この画素電極11は四分
の一波長板層10に開口したコンタクトホール12を介
して薄膜トランジスタ8に電気接続している。
【0018】以下、個々の要素について具体的な説明を
加える。本実施例では、四分の一波長板層10は一軸配
向した高分子液晶膜で構成されている。この高分子液晶
膜を一軸配向する為下地配向層13が用いられている。
薄膜トランジスタ8及び光反射層9の凹凸を埋める為平
坦化層14が介在しており、上述した下地配向層13は
この平坦化層14の上に形成される。そして、四分の一
波長板層10もこの平坦化層14の表面に成膜されてい
る。この場合、画素電極11は四分の一波長板層10及
び平坦化層14を貫通して設けたコンタクトホール12
を介して薄膜トランジスタ8に接続することになる。光
反射層9は個々の画素電極11に対応して細分化されて
いる。個々に細分化された部分は対応する画素電極11
と同電位に接続されている。かかる構成により、光反射
層9と画素電極11との間に介在する四分の一波長板層
10や平坦化層14に不要な電界が加わることがない。
光反射層9は図示するように散乱性の凹凸反射面を備え
ており、入射光の鏡面反射を防止して画質の改善を図っ
ている。更に、凹凸反射面の最大傾斜角が入射側に位置
する基板1の全反射角の半分以下に設定されており、入
射光を略全量反射して観察者側に出射できるようにして
いる。これにより表示の明るさが大幅に改善可能であ
る。画素電極11の表面を被覆するように配向層15が
形成されており、ゲストホスト液晶層3に接してその配
向を制御している。本例では、この配向層15は対向す
る配向層7と一緒になって、ゲストホスト液晶層3を垂
直配向している。最後に、薄膜トランジスタ8はボトム
ゲート構造を有しており、下から順にゲート電極16、
ゲート絶縁膜17、半導体薄膜18を重ねた積層構造を
有している。半導体薄膜18は例えば多結晶シリコンか
らなり、ゲート電極16と整合するチャネル領域は上側
からストッパ19により保護されている。かかる構成を
有するボトムゲート型の薄膜トランジスタ8は層間絶縁
膜20により被覆されている。層間絶縁膜20には一対
のコンタクトホールが開口しており、これらを介してソ
ース電極21及びドレイン電極22が薄膜トランジスタ
8に電気接続している。これらの電極21及び22は例
えばアルミニウムをパタニングしたものである。ドレイ
ン電極22は光反射層9と同電位になっている。又、画
素電極11は前述したコンタクトホール12を介してこ
のドレイン電極22と電気接続している。一方、ソース
電極21には信号電圧が供給される。
加える。本実施例では、四分の一波長板層10は一軸配
向した高分子液晶膜で構成されている。この高分子液晶
膜を一軸配向する為下地配向層13が用いられている。
薄膜トランジスタ8及び光反射層9の凹凸を埋める為平
坦化層14が介在しており、上述した下地配向層13は
この平坦化層14の上に形成される。そして、四分の一
波長板層10もこの平坦化層14の表面に成膜されてい
る。この場合、画素電極11は四分の一波長板層10及
び平坦化層14を貫通して設けたコンタクトホール12
を介して薄膜トランジスタ8に接続することになる。光
反射層9は個々の画素電極11に対応して細分化されて
いる。個々に細分化された部分は対応する画素電極11
と同電位に接続されている。かかる構成により、光反射
層9と画素電極11との間に介在する四分の一波長板層
10や平坦化層14に不要な電界が加わることがない。
光反射層9は図示するように散乱性の凹凸反射面を備え
ており、入射光の鏡面反射を防止して画質の改善を図っ
ている。更に、凹凸反射面の最大傾斜角が入射側に位置
する基板1の全反射角の半分以下に設定されており、入
射光を略全量反射して観察者側に出射できるようにして
いる。これにより表示の明るさが大幅に改善可能であ
る。画素電極11の表面を被覆するように配向層15が
形成されており、ゲストホスト液晶層3に接してその配
向を制御している。本例では、この配向層15は対向す
る配向層7と一緒になって、ゲストホスト液晶層3を垂
直配向している。最後に、薄膜トランジスタ8はボトム
ゲート構造を有しており、下から順にゲート電極16、
ゲート絶縁膜17、半導体薄膜18を重ねた積層構造を
有している。半導体薄膜18は例えば多結晶シリコンか
らなり、ゲート電極16と整合するチャネル領域は上側
からストッパ19により保護されている。かかる構成を
有するボトムゲート型の薄膜トランジスタ8は層間絶縁
膜20により被覆されている。層間絶縁膜20には一対
のコンタクトホールが開口しており、これらを介してソ
ース電極21及びドレイン電極22が薄膜トランジスタ
8に電気接続している。これらの電極21及び22は例
えばアルミニウムをパタニングしたものである。ドレイ
ン電極22は光反射層9と同電位になっている。又、画
素電極11は前述したコンタクトホール12を介してこ
のドレイン電極22と電気接続している。一方、ソース
電極21には信号電圧が供給される。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射型ゲストホスト液晶表示装置に内蔵される光反射層
は表面に凹凸を有し光散乱性を備えている。かかる構成
により、見易く且つ明るい高輝度の反射型ゲストホスト
液晶表示装置を実現することができる。特に、凹凸反射
面の傾斜角が入射側基板の全反射角の半分以下となるよ
うに設定されている。かかる構成により、入射光の略全
量を効率良く反射して観察者側に出射可能となり、入射
光の利用率が大幅に改善され極めて明るい反射型ゲスト
ホスト液晶表示装置が実現できる。
反射型ゲストホスト液晶表示装置に内蔵される光反射層
は表面に凹凸を有し光散乱性を備えている。かかる構成
により、見易く且つ明るい高輝度の反射型ゲストホスト
液晶表示装置を実現することができる。特に、凹凸反射
面の傾斜角が入射側基板の全反射角の半分以下となるよ
うに設定されている。かかる構成により、入射光の略全
量を効率良く反射して観察者側に出射可能となり、入射
光の利用率が大幅に改善され極めて明るい反射型ゲスト
ホスト液晶表示装置が実現できる。
【図1】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置の構造並びに機能を示す説明図である。
置の構造並びに機能を示す説明図である。
【図2】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置に内蔵される光反射層の形成方法を示す工程図であ
る。
置に内蔵される光反射層の形成方法を示す工程図であ
る。
【図3】同じく形成方法を示す模式図である。
【図4】同じく形成方法の改良例を示す工程図である。
【図5】同じく形成方法の改良例を示す工程図である。
【図6】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置の具体的な構成例を示す部分断面図である。
置の具体的な構成例を示す部分断面図である。
【図7】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
1…基板、2…基板、3…ゲストホスト液晶層、6…電
極、7…配向層、9…光反射層、9a…樹脂膜、9b…
反射膜、10…四分の一波長板層、11…電極
極、7…配向層、9…光反射層、9a…樹脂膜、9b…
反射膜、10…四分の一波長板層、11…電極
Claims (5)
- 【請求項1】 入射側に配置する透明な第1基板と、所
定の間隙を介して該第1基板に接合し反射側に配置され
る第2基板と、該間隙内で第1基板側に位置するゲスト
ホスト液晶層と、該間隙内で第2基板側に位置する光反
射層と、該ゲストホスト液晶層と該光反射層の間に介在
する四分の一波長板層と、該第1基板側及び第2基板側
に夫々形成され該ゲストホスト液晶層に電圧を印加する
電極とを備えた反射型ゲストホスト液晶表示装置であっ
て、 前記光反射層は凹凸反射面を有し入射光を散乱反射する
と共に該凹凸反射面の傾斜角が該第1基板の全反射角の
半分以下に設定されていることを特徴とする反射型ゲス
トホスト液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記凹凸反射面はおよそ20°以下の傾
斜角を有することを特徴とする請求項1記載の反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置。 - 【請求項3】 前記光反射層は凹凸が形成された樹脂膜
とその表面に成膜された反射膜とからなり凹凸の最大傾
斜角が該第1基板の全反射角の半分以下に設定されてい
ることを特徴とする請求項1記載の反射型ゲストホスト
液晶表示装置。 - 【請求項4】 予め隙間を残して離散的にパタニングさ
れた樹脂膜をリフローして隙間を埋め、なだらかな起伏
を有する凹凸を形成することを特徴とする請求項3記載
の反射型ゲストホスト液晶表示装置。 - 【請求項5】 予め隙間を残して離散的にパタニングさ
れた樹脂膜をリフローして隙間を狭め、更に隙間を他の
樹脂膜で部分的に埋めなだらかな起伏を有する凹凸を形
成することを特徴とする請求項3記載の反射型ゲストホ
スト液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8283220A JPH10111509A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8283220A JPH10111509A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10111509A true JPH10111509A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17662658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8283220A Pending JPH10111509A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 反射型ゲストホスト液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10111509A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002010806A1 (en) * | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflection sheet and production method therefor, and display unit using it |
| US6552766B2 (en) | 1998-12-28 | 2003-04-22 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Reflection liquid crystal display device having slanted parts in interfaces |
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