JPH10112579A - レジスト露光方法及びその露光装置 - Google Patents
レジスト露光方法及びその露光装置Info
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- JPH10112579A JPH10112579A JP8286141A JP28614196A JPH10112579A JP H10112579 A JPH10112579 A JP H10112579A JP 8286141 A JP8286141 A JP 8286141A JP 28614196 A JP28614196 A JP 28614196A JP H10112579 A JPH10112579 A JP H10112579A
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 16
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターンマスクを使用することなく、半導体
デバイス等のレジストを精度よく露光する。 【解決手段】 露光すべきパターンに対応したパターン
データを作成し、これを電気信号としてディジタルマイ
クロミラーデバイスに入力し、その複数の各微小ミラー
をパターンデータに応じて傾動させる。ディジタルマイ
クロミラーデバイスに光を投射してその各微小ミラーか
らの反射光をレジストに投影してパターンデータに対応
した形状に露光させる。
デバイス等のレジストを精度よく露光する。 【解決手段】 露光すべきパターンに対応したパターン
データを作成し、これを電気信号としてディジタルマイ
クロミラーデバイスに入力し、その複数の各微小ミラー
をパターンデータに応じて傾動させる。ディジタルマイ
クロミラーデバイスに光を投射してその各微小ミラーか
らの反射光をレジストに投影してパターンデータに対応
した形状に露光させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レジスト露光方
法及びその露光装置に関し、特にパターンマスクを使用
することなく、レジストを精度よく露光できるようにし
た方法及び装置に関する。
法及びその露光装置に関し、特にパターンマスクを使用
することなく、レジストを精度よく露光できるようにし
た方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レジストの露光は半導体デバイスやプリ
ント基板等、各種の電気的デバイスの製作に利用される
が、以下では説明の便宜上、半導体デバイスの製造を例
にとって説明する。
ント基板等、各種の電気的デバイスの製作に利用される
が、以下では説明の便宜上、半導体デバイスの製造を例
にとって説明する。
【０００３】半導体デバイスを製作する場合、ウエハ上
に感光性樹脂膜であるレジストを形成し、該レジストを
所望のパターンに露光して感光させた後、エッチング等
の処理を行い、所望パターンにイオン打込みや不純物の
拡散等を行うのが一般的である。
に感光性樹脂膜であるレジストを形成し、該レジストを
所望のパターンに露光して感光させた後、エッチング等
の処理を行い、所望パターンにイオン打込みや不純物の
拡散等を行うのが一般的である。
【０００４】図３に従来の半導体デバイス用の露光装置
を示す。即ち、露光装置はＸーＹステージ１０の上方に
支持テーブル１６を設け、その上方に光学系１１及び光
源１２をレイアウトした構造が採用されている。露光を
行う場合、表面にレジストが形成されたウエハ１３を支
持テーブル１６上に載置するとともに、光源１２と光学
系１１との間に所定のパターンが描かれたパターンマス
ク１４を配置し、光源１２からの光をパターンマスク１
４に入射させ、パターンマスク１４に描かれたパターン
通りの形状をレジスト表面に縮小投影してレジストを感
光させる。ＸーＹステージ１０によってウエハ１３を次
の位置に移動させ、同じ操作を行って次の露光を行うよ
うになっている。
を示す。即ち、露光装置はＸーＹステージ１０の上方に
支持テーブル１６を設け、その上方に光学系１１及び光
源１２をレイアウトした構造が採用されている。露光を
行う場合、表面にレジストが形成されたウエハ１３を支
持テーブル１６上に載置するとともに、光源１２と光学
系１１との間に所定のパターンが描かれたパターンマス
ク１４を配置し、光源１２からの光をパターンマスク１
４に入射させ、パターンマスク１４に描かれたパターン
通りの形状をレジスト表面に縮小投影してレジストを感
光させる。ＸーＹステージ１０によってウエハ１３を次
の位置に移動させ、同じ操作を行って次の露光を行うよ
うになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の露光方
法ではパターンマスクの精度が半導体デバイスの品質に
密接に関係し、厳しい管理下の工程においてレチクルの
作製及びマスタマスクの作製を経てワークコピーマスク
（パターンマスク）を作製しなければならず、パターン
マスクの製作が非常に複雑であった。また、形成すべき
パターンが異なる毎にマスクを製作しなければならず、
多品種少量生産には対応し難いという問題もあった。
法ではパターンマスクの精度が半導体デバイスの品質に
密接に関係し、厳しい管理下の工程においてレチクルの
作製及びマスタマスクの作製を経てワークコピーマスク
（パターンマスク）を作製しなければならず、パターン
マスクの製作が非常に複雑であった。また、形成すべき
パターンが異なる毎にマスクを製作しなければならず、
多品種少量生産には対応し難いという問題もあった。
【０００６】本発明は、かかる問題点に鑑み、パターン
マスクを使用することなく、レジストを精度よく露光で
きるようにした露光方法を提供することを課題とする。
マスクを使用することなく、レジストを精度よく露光で
きるようにした露光方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明に係る露
光方法は、電気的デバイスの製作時に、ウエハ類上に形
成したレジストを露光するにあたり、露光すべきパター
ンに対応したパターンデータを作成し、パターンデータ
を電気信号としてディジタルマイクロミラーデバイス
（以下、ＤＭＤという）に入力し、その複数の各微小ミ
ラーをパターンデータに応じて傾動させ、該ＤＭＤに光
を投射してその各微小ミラーからの反射光をレジストに
投影してパターンデータに対応した形状に露光させるよ
うにしたことを特徴とする。
光方法は、電気的デバイスの製作時に、ウエハ類上に形
成したレジストを露光するにあたり、露光すべきパター
ンに対応したパターンデータを作成し、パターンデータ
を電気信号としてディジタルマイクロミラーデバイス
（以下、ＤＭＤという）に入力し、その複数の各微小ミ
ラーをパターンデータに応じて傾動させ、該ＤＭＤに光
を投射してその各微小ミラーからの反射光をレジストに
投影してパターンデータに対応した形状に露光させるよ
うにしたことを特徴とする。
【０００８】本発明でいう電気的デバイスには半導体デ
バイス及びプリント基板が含まれるが、レジストを用い
て製作される他のデバイスも含まれる。従って、ウエハ
類とはウエハやプリント用基板等、表面にレジストが形
成される他の部材を含む。パターンデータはこれを電気
信号としてＤＭＤに与える関係上、ＣＡＤ等のコンピュ
ータ内蔵処理装置で作成するのがよい。ＤＭＤからの反
射光は例えばパターンマクス密着方式が採用されるプリ
ント基板の場合にはそのままレジストに投影するのがよ
く、縮小方式が採用される半導体デバイスの場合には光
学系で縮小してレジストに投影するのがよい。
バイス及びプリント基板が含まれるが、レジストを用い
て製作される他のデバイスも含まれる。従って、ウエハ
類とはウエハやプリント用基板等、表面にレジストが形
成される他の部材を含む。パターンデータはこれを電気
信号としてＤＭＤに与える関係上、ＣＡＤ等のコンピュ
ータ内蔵処理装置で作成するのがよい。ＤＭＤからの反
射光は例えばパターンマクス密着方式が採用されるプリ
ント基板の場合にはそのままレジストに投影するのがよ
く、縮小方式が採用される半導体デバイスの場合には光
学系で縮小してレジストに投影するのがよい。
【０００９】また、上述の露光方法は光源、ＤＭＤ及び
ウエハ類の支持台という比較的簡単な装置で行うことが
できる。即ち、本発明によれば、表面にレジストが形成
されたウエハ類を支持する支持台と、該支持台に対向し
て配置され、２次元に配列されたメモリーアレイの各メ
モリーセル上に微小ミラーを配設して構成され、上記複
数の各微小ミラーを上記メモリーアレイに入力されるパ
ターンデータの電気信号に応じて傾動させ、該複数の微
小ミラーからの反射光を上記支持台に支持されたウエハ
類のレジストに投影してパターンデータに対応した形状
に露光するＤＭＤと、該ＤＭＤの微小ミラーに光を入射
する光源とを備えたレジスト露光装置を提供することが
できる。
ウエハ類の支持台という比較的簡単な装置で行うことが
できる。即ち、本発明によれば、表面にレジストが形成
されたウエハ類を支持する支持台と、該支持台に対向し
て配置され、２次元に配列されたメモリーアレイの各メ
モリーセル上に微小ミラーを配設して構成され、上記複
数の各微小ミラーを上記メモリーアレイに入力されるパ
ターンデータの電気信号に応じて傾動させ、該複数の微
小ミラーからの反射光を上記支持台に支持されたウエハ
類のレジストに投影してパターンデータに対応した形状
に露光するＤＭＤと、該ＤＭＤの微小ミラーに光を入射
する光源とを備えたレジスト露光装置を提供することが
できる。
【００１０】ＤＭＤの微小ミラーからの反射光はレジス
ト表面に直接投影してもよいが、結像精度を高める上
で、光学系を設けるのがよい。
ト表面に直接投影してもよいが、結像精度を高める上
で、光学系を設けるのがよい。
【００１１】
【作用及び発明の効果】本発明によれば、ＤＭＤを利用
することによりパターンを直接的にレジストに投影して
露光しているので、従来のパターンマスクは不要とな
り、デバイスの製作工程を簡単化できるばかりでなく、
異なるパターンに対してはＤＭＤでパターンデータを作
成すればよく、多品種少量生産にも容易に対応できる。
また、パターンマスクの製作という煩雑な工程を省くこ
とができる結果、デバイス製作時間を短縮できる。
することによりパターンを直接的にレジストに投影して
露光しているので、従来のパターンマスクは不要とな
り、デバイスの製作工程を簡単化できるばかりでなく、
異なるパターンに対してはＤＭＤでパターンデータを作
成すればよく、多品種少量生産にも容易に対応できる。
また、パターンマスクの製作という煩雑な工程を省くこ
とができる結果、デバイス製作時間を短縮できる。
【００１２】さらに、現在実用化されているＤＭＤの微
小ミラーは１０数μｍ間隔で１９０万画素程度あり、非
常に高精度の半導体デバイスの場合には適用し難いが、
通常の精度の半導体デバイスやプリント基板の製作には
精度的に問題なく適用できることとなる。
小ミラーは１０数μｍ間隔で１９０万画素程度あり、非
常に高精度の半導体デバイスの場合には適用し難いが、
通常の精度の半導体デバイスやプリント基板の製作には
精度的に問題なく適用できることとなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す具体例
に基づいて詳細に説明する。図１及び図２は本発明の好
ましい実施形態を示す。図において、ＸーＹステージ１
０はボールネジとモータとで構成され、Ｘ軸方向及びＹ
軸方向に高精度の送りができるようになっている。この
ＸーＹステージ１０は上方にテーブル（支持台）１６を
有し、該テーブル１６上には表面にレジストが形成され
たウエハ１３が載置支持されるようになっている。
に基づいて詳細に説明する。図１及び図２は本発明の好
ましい実施形態を示す。図において、ＸーＹステージ１
０はボールネジとモータとで構成され、Ｘ軸方向及びＹ
軸方向に高精度の送りができるようになっている。この
ＸーＹステージ１０は上方にテーブル（支持台）１６を
有し、該テーブル１６上には表面にレジストが形成され
たウエハ１３が載置支持されるようになっている。
【００１４】ＸーＹステージ１０の上方にはＤＭＤ２０
及びレンズ系１１が上下方向に同軸上に配置され、該Ｄ
ＭＤ２は約１９０万のメモリーセルを２次元に配列して
メモリーアレイとなし、各メモリーセル上にアルミニウ
ムの微小ミラーを形成して構成され、微小ミラー間隔は
約１７μｍとなっている。このＤＭＤ２０には斜め下方
から光源２１の光が連続的に入射されるようになってい
る。ＤＭＤ２０の反対側には光吸収板２２が配置され、
これはＤＭＤ２０による画像作成に必要な反射光以外の
光を吸収するようになっている。
及びレンズ系１１が上下方向に同軸上に配置され、該Ｄ
ＭＤ２は約１９０万のメモリーセルを２次元に配列して
メモリーアレイとなし、各メモリーセル上にアルミニウ
ムの微小ミラーを形成して構成され、微小ミラー間隔は
約１７μｍとなっている。このＤＭＤ２０には斜め下方
から光源２１の光が連続的に入射されるようになってい
る。ＤＭＤ２０の反対側には光吸収板２２が配置され、
これはＤＭＤ２０による画像作成に必要な反射光以外の
光を吸収するようになっている。
【００１５】次に、レジスト露光方法について説明す
る。図２はＤＭＤ２０によるレジストパターン投影の原
理を示す。まず、ＣＡＤで形成すべきパターンのデータ
を作成し、そのパターンデータを電気信号としてＤＭＤ
２０に入力する。ここで、ＤＭＤ２は最近開発された、
いわゆる空間光変調素子であって、面上に多数の微小ミ
ラーを有し、その個々の微小ミラーの角度が電気信号に
より変化するデバイスである。従って、ＤＭＤ２０の複
数の各微小ミラーは入力されたパターンデータに応じて
傾動する。かかる複数の微小ミラーに光源２１から光を
入射すると、複数の微小ミラーで構成されるミラー面上
に仮想スライス原像Ａが形成され、その反射光が投影レ
ンズ１１を経てスクリーン１７に投影されてレジストパ
ターンに対応する画像Ｂが結像される。
る。図２はＤＭＤ２０によるレジストパターン投影の原
理を示す。まず、ＣＡＤで形成すべきパターンのデータ
を作成し、そのパターンデータを電気信号としてＤＭＤ
２０に入力する。ここで、ＤＭＤ２は最近開発された、
いわゆる空間光変調素子であって、面上に多数の微小ミ
ラーを有し、その個々の微小ミラーの角度が電気信号に
より変化するデバイスである。従って、ＤＭＤ２０の複
数の各微小ミラーは入力されたパターンデータに応じて
傾動する。かかる複数の微小ミラーに光源２１から光を
入射すると、複数の微小ミラーで構成されるミラー面上
に仮想スライス原像Ａが形成され、その反射光が投影レ
ンズ１１を経てスクリーン１７に投影されてレジストパ
ターンに対応する画像Ｂが結像される。
【００１６】そこで、上述の原理を利用し、スクリーン
１７の代わりに、ウエハ１３表面のレジストにパターン
データに応じた画像を形成する。すると、レジストは投
影されたパターンに対応するのみが露光されて感光する
ので、ＸーＹステージ１０を操作してウエハ１３を次の
位置に移動させ、同じ操作を繰り返せば、次々とレジス
トを露光できる。
１７の代わりに、ウエハ１３表面のレジストにパターン
データに応じた画像を形成する。すると、レジストは投
影されたパターンに対応するのみが露光されて感光する
ので、ＸーＹステージ１０を操作してウエハ１３を次の
位置に移動させ、同じ操作を繰り返せば、次々とレジス
トを露光できる。
【図１】 本発明の好ましい実施形態におけるレジスト
露光装置を示す概略構成図である。
露光装置を示す概略構成図である。
【図２】 上記装置の原理を説明するための図である。
【図３】 従来のレジスト露光装置を示す概略構成図で
ある。
ある。
１１ レンズ系（光学系） １３ ウエハ １６ テーブル（支持台） ２０ ＤＭＤ（ディジタルマイクロミラーデバイス） ２１ 光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１９
Claims (4)
- 【請求項１】 電気的デバイスの製作時に、ウエハ類上
に形成したレジストを露光するにあたり、 露光すべきパターンに対応したパターンデータを作成
し、 該パターンデータを電気信号としてディジタルマイクロ
ミラーデバイスに入力し、その複数の各微小ミラーをパ
ターンデータに応じて傾動させ、 該ディジタルマイクロミラーデバイスに光を投射してそ
の各微小ミラーからの反射光をレジストに投影してパタ
ーンデータに対応した形状に露光させるようにしたこと
を特徴とするレジスト露光方法。 - 【請求項２】 上記ディジタルマイクロミラーデバイス
の各微小ミラーからの反射光を光学系で縮小して又はそ
のままレジストに投影するようにした請求項１記載のレ
ジスト露光方法。 - 【請求項３】 表面にレジストが形成されたウエハ類を
支持する支持台と、 該支持台に対向して配置され、２次元に配列されたメモ
リーアレイの各メモリーセル上に微小ミラーを配設して
構成され、上記複数の各微小ミラーを上記メモリーアレ
イに入力されるパターンデータの電気信号に応じて傾動
させ、該複数の微小ミラーからの反射光を上記支持台に
支持されたウエハ類のレジストに投影してパターンデー
タに対応した形状に露光するディジタルマイクロミラー
デバイスと、 該ディジタルマイクロミラーデバイスの微小ミラーに光
を入射する光源とを備えたことを特徴とするレジスト露
光装置。 - 【請求項４】 上記複数の微小ミラーからの反射光を上
記レジストに縮小投影する光学系を更に備えた請求項３
記載のレジスト露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8286141A JPH10112579A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | レジスト露光方法及びその露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8286141A JPH10112579A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | レジスト露光方法及びその露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112579A true JPH10112579A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17700473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8286141A Pending JPH10112579A (ja) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | レジスト露光方法及びその露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10112579A (ja) |
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| JP2008233783A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 描画方法およびそのコンピュータプログラム |
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-
1996
- 1996-10-07 JP JP8286141A patent/JPH10112579A/ja active Pending
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