JPH10116974A - 裏面照射型受光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
裏面照射型受光デバイスおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10116974A JPH10116974A JP8270006A JP27000696A JPH10116974A JP H10116974 A JPH10116974 A JP H10116974A JP 8270006 A JP8270006 A JP 8270006A JP 27000696 A JP27000696 A JP 27000696A JP H10116974 A JPH10116974 A JP H10116974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- field oxide
- reinforcing member
- receiving device
- thin plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/28—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors
- H10F30/285—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors the devices having PN homojunction gates
- H10F30/2857—CCDs having PN homojunction gates
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きな受光面積であっても高速動作可能な裏
面照射型受光デバイスを提供する。 【解決手段】 半導体薄板１００の電荷読み出し部１１
０側に対する裏面にアキュームレーション層５１０を備
えるとともに、電荷読み出し部１１０の電気信号の入出
力を、電荷読み出し部１１０近傍に形成され、配線長の
短いポリシリコン配線３００と、高温処理を必要とする
全ての工程の後に形成可能な、低抵抗のアルミニウム配
線６００とを介して行う。したがって、高効率に受光に
よる発生電荷を読み取れるとともに、高速な動作が可能
となる。
面照射型受光デバイスを提供する。 【解決手段】 半導体薄板１００の電荷読み出し部１１
０側に対する裏面にアキュームレーション層５１０を備
えるとともに、電荷読み出し部１１０の電気信号の入出
力を、電荷読み出し部１１０近傍に形成され、配線長の
短いポリシリコン配線３００と、高温処理を必要とする
全ての工程の後に形成可能な、低抵抗のアルミニウム配
線６００とを介して行う。したがって、高効率に受光に
よる発生電荷を読み取れるとともに、高速な動作が可能
となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線やγ線、あ
るいは、荷電粒子線などの吸収係数が大きなエネルギー
線の照射に対して有効な、裏面照射型電荷結合デバイス
（Charge CoupledDevice；ＣＣＤ）や裏面照射型アクテ
ィブピクセルセンサ（Active Pixel Sensor；ＡＰＳ）
といった裏面照射型受光デバイスおよびこうした裏面照
射型受光デバイスの製造方法に関するものである。
るいは、荷電粒子線などの吸収係数が大きなエネルギー
線の照射に対して有効な、裏面照射型電荷結合デバイス
（Charge CoupledDevice；ＣＣＤ）や裏面照射型アクテ
ィブピクセルセンサ（Active Pixel Sensor；ＡＰＳ）
といった裏面照射型受光デバイスおよびこうした裏面照
射型受光デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、実用的なＣＣＤ撮像デバイスと
しては、フレーム転送（ＦＴ）、フルフレーム転送（Ｆ
ＦＴ）、インターライン転送（ＩＴ）の三方式が代表的
であり、このうち計測用としては、主にフル・フレーム
転送方式が用いられる。
しては、フレーム転送（ＦＴ）、フルフレーム転送（Ｆ
ＦＴ）、インターライン転送（ＩＴ）の三方式が代表的
であり、このうち計測用としては、主にフル・フレーム
転送方式が用いられる。
【０００３】フルフレーム転送方式の特長は、蓄積部が
無く、受光部の面積を大きくできるので、光の利用率が
高く、微弱光の計測に適していることである。一方、入
射光が電荷転送用電極に吸収され得るので、吸収係数の
大きな入力、例えば、波長の短い光に関しては感度低下
が著しい。
無く、受光部の面積を大きくできるので、光の利用率が
高く、微弱光の計測に適していることである。一方、入
射光が電荷転送用電極に吸収され得るので、吸収係数の
大きな入力、例えば、波長の短い光に関しては感度低下
が著しい。
【０００４】典型的なフルフレーム転送方式のＣＣＤの
受光部の構造では、ポリシリコン電極が隙間無く受光部
の表面を覆い、また、各電極の分離のため、厚さが数μ
ｍにも及ぶＰＳＧ膜が重ねられている。特に、ポリシリ
コンは、４００ｎｍ以下の波長の光や電子を吸収してし
まうので、光電変換に寄与することができない。
受光部の構造では、ポリシリコン電極が隙間無く受光部
の表面を覆い、また、各電極の分離のため、厚さが数μ
ｍにも及ぶＰＳＧ膜が重ねられている。特に、ポリシリ
コンは、４００ｎｍ以下の波長の光や電子を吸収してし
まうので、光電変換に寄与することができない。
【０００５】このような光検出器に関しては、基板の受
光部を１５μｍから２０μｍ程度に薄くして、光を裏面
から照射するようにしたものがある。光電変換部はゲ−
ト酸化膜の下に設けられて、ポリシリコン電極２０が隙
間無く覆い、短波長光を吸収してしまうが、基板の裏面
には薄い酸化膜の他に障害物はなく、短波長光に対して
高感度が期待できる。この裏面照射型ＣＣＤは２００ｎ
ｍ程度の短波長光まで感度があり、更に電子衝撃型ＣＣ
Ｄ撮像デバイスにも応用される。このデバイスは電子衝
撃により生じる信号電荷の増倍作用を利用できるので、
高感度撮像デバイスとして期待される。
光部を１５μｍから２０μｍ程度に薄くして、光を裏面
から照射するようにしたものがある。光電変換部はゲ−
ト酸化膜の下に設けられて、ポリシリコン電極２０が隙
間無く覆い、短波長光を吸収してしまうが、基板の裏面
には薄い酸化膜の他に障害物はなく、短波長光に対して
高感度が期待できる。この裏面照射型ＣＣＤは２００ｎ
ｍ程度の短波長光まで感度があり、更に電子衝撃型ＣＣ
Ｄ撮像デバイスにも応用される。このデバイスは電子衝
撃により生じる信号電荷の増倍作用を利用できるので、
高感度撮像デバイスとして期待される。
【０００６】裏面照射型ＣＣＤなどの裏面照射型受光デ
バイスにおける薄型化の必要性は、以下の通りである。
バイスにおける薄型化の必要性は、以下の通りである。
【０００７】上述のように、裏面照射型受光デバイス
は、電荷読み取り部などが形成されている基板の表面と
は反対の裏面が光の入射面となる。一方、吸収係数の大
きな、波長が２００〜３００ｎｍの光（紫外線）は、そ
の殆どが入射面から僅かに入り込んだ位置で吸収されて
しまう。具体的には、シリコン基板の場合には、入射面
から０．０１μｍの深さまでで、入射光の殆どが吸収さ
れてしまう。
は、電荷読み取り部などが形成されている基板の表面と
は反対の裏面が光の入射面となる。一方、吸収係数の大
きな、波長が２００〜３００ｎｍの光（紫外線）は、そ
の殆どが入射面から僅かに入り込んだ位置で吸収されて
しまう。具体的には、シリコン基板の場合には、入射面
から０．０１μｍの深さまでで、入射光の殆どが吸収さ
れてしまう。
【０００８】したがって、裏面付近で発生した光電子
は、表面にあるＣＣＤのポテンシャル井戸にまで拡散す
るまでの間で、その殆どが再結合により失われてしま
う。また、ポテンシャル井戸にまで到達したとしても、
数１００μｍという長い道のりを拡散している間に、信
号同士が混じり合い、解像度を著しく低下させることに
なる。
は、表面にあるＣＣＤのポテンシャル井戸にまで拡散す
るまでの間で、その殆どが再結合により失われてしま
う。また、ポテンシャル井戸にまで到達したとしても、
数１００μｍという長い道のりを拡散している間に、信
号同士が混じり合い、解像度を著しく低下させることに
なる。
【０００９】また、裏面照射型の受光デバイスでは、受
光部の薄型化に加えて、裏面入射面にアキュームレーシ
ョン層と称する層が形成され、ポテンシャルのスロープ
が形成されることが必要である。図４は、アキュームレ
ーションの説明図である。図４において、図面に向かっ
て左側が裏面、右側が表面を表している。基板９１０の
裏面には、保護膜である酸化膜９５２が成長によって形
成されている。
光部の薄型化に加えて、裏面入射面にアキュームレーシ
ョン層と称する層が形成され、ポテンシャルのスロープ
が形成されることが必要である。図４は、アキュームレ
ーションの説明図である。図４において、図面に向かっ
て左側が裏面、右側が表面を表している。基板９１０の
裏面には、保護膜である酸化膜９５２が成長によって形
成されている。
【００１０】しかし、酸化膜９５２には酸化膜電荷や界
面準位が必ず存在し、これらはいずれも基板９１０の裏
面を空乏化させるように働く。即ちポテンシャルプロフ
ァイルでみれば、図４中の実線で示したように裏面の酸
化膜９５２に近付くにしたがって電子に対するポテンシ
ャルが低くなり、即ち裏面から浅いところで生じた光電
子はＣＣＤのポテンシャル井戸には行くことができず、
裏面酸化膜９５２とシリコンの界面に押しやられ再結合
するのを待つ運命となる。したがって、受光部を薄形化
し裏面を酸化後、裏面酸化膜９５２に近い基板９１０を
アキュームレーション状態にし、図４中の点線に示した
ようなポテンシャルプロファイルにする。これにより、
裏面の浅いところで生じた光電子も効率よく表面側のＣ
ＣＤのポテンシャル井戸に到達することができる。
面準位が必ず存在し、これらはいずれも基板９１０の裏
面を空乏化させるように働く。即ちポテンシャルプロフ
ァイルでみれば、図４中の実線で示したように裏面の酸
化膜９５２に近付くにしたがって電子に対するポテンシ
ャルが低くなり、即ち裏面から浅いところで生じた光電
子はＣＣＤのポテンシャル井戸には行くことができず、
裏面酸化膜９５２とシリコンの界面に押しやられ再結合
するのを待つ運命となる。したがって、受光部を薄形化
し裏面を酸化後、裏面酸化膜９５２に近い基板９１０を
アキュームレーション状態にし、図４中の点線に示した
ようなポテンシャルプロファイルにする。これにより、
裏面の浅いところで生じた光電子も効率よく表面側のＣ
ＣＤのポテンシャル井戸に到達することができる。
【００１１】アキュームレーション層の形成は、裏面酸
化膜９５２にボロンをイオン注入し、これを８００℃以
上で熱処理して注入原子の活性化を行うことで達成され
る。
化膜９５２にボロンをイオン注入し、これを８００℃以
上で熱処理して注入原子の活性化を行うことで達成され
る。
【００１２】裏面照射型受光デバイスの製造にあたっ
て、以上のような、成長酸化膜の形成、イオン注入後の
高温アニールなどの熱処理を可能とする製造方法および
この製造方法によって製造される裏面照射型受光デバイ
スとして、米国特許番号第４９２３８２５号公報に開示
の技術（以後、従来例と呼ぶ）が提案されている。
て、以上のような、成長酸化膜の形成、イオン注入後の
高温アニールなどの熱処理を可能とする製造方法および
この製造方法によって製造される裏面照射型受光デバイ
スとして、米国特許番号第４９２３８２５号公報に開示
の技術（以後、従来例と呼ぶ）が提案されている。
【００１３】図５は、従来例の技術を用いた裏面照射型
受光デバイスの構成図である。図５に示すように、この
デバイスは、（ａ）電荷読み出し部９１１である電荷結
合デバイス（ＣＣＤ：Charge Coupled Device）が表面
９１６側に形成された、シリコンを主材とする半導体薄
板９１０と、（ｂ）電荷読み出し部９１１の周囲に形成
されたフィールド酸化膜９２０と、（ｃ）電荷読み出し
部９１１上およびフィールド酸化膜の表面９２６上の電
荷読み出し部９１１の周辺部に形成されたポリシリコン
配線９３１と、（ｄ）電荷読み出し部９１１の形成領域
とフィールド酸化膜９２０を隔てた領域上に形成された
ポリシリコン電極９３２と、（ｅ）ポリシリコン配線９
３１とポリシリコン電極９３２とを電気的に接続する金
属配線９３３と、（ｆ）半導体薄板９１０の表面９１６
上およびフィールド酸化膜９２０の表面９２６上に堆積
された硼硅酸ガラスから成る補強部材９４０と、（ｇ）
半導体薄板９１０の裏面９１７に形成されたアキューム
レーション層９５１と、（ｈ）アキュームレーション層
９５１の表面に形成された保護酸化膜９５２と、（ｉ）
ポリシリコン電極９３２上に形成された金属電極９６０
とを備える。
受光デバイスの構成図である。図５に示すように、この
デバイスは、（ａ）電荷読み出し部９１１である電荷結
合デバイス（ＣＣＤ：Charge Coupled Device）が表面
９１６側に形成された、シリコンを主材とする半導体薄
板９１０と、（ｂ）電荷読み出し部９１１の周囲に形成
されたフィールド酸化膜９２０と、（ｃ）電荷読み出し
部９１１上およびフィールド酸化膜の表面９２６上の電
荷読み出し部９１１の周辺部に形成されたポリシリコン
配線９３１と、（ｄ）電荷読み出し部９１１の形成領域
とフィールド酸化膜９２０を隔てた領域上に形成された
ポリシリコン電極９３２と、（ｅ）ポリシリコン配線９
３１とポリシリコン電極９３２とを電気的に接続する金
属配線９３３と、（ｆ）半導体薄板９１０の表面９１６
上およびフィールド酸化膜９２０の表面９２６上に堆積
された硼硅酸ガラスから成る補強部材９４０と、（ｇ）
半導体薄板９１０の裏面９１７に形成されたアキューム
レーション層９５１と、（ｈ）アキュームレーション層
９５１の表面に形成された保護酸化膜９５２と、（ｉ）
ポリシリコン電極９３２上に形成された金属電極９６０
とを備える。
【００１４】この裏面照射型受光デバイスは、以下のよ
うにして製造される。図６および図７は、従来例の裏面
照射型受光デバイスの製造工程図である。
うにして製造される。図６および図７は、従来例の裏面
照射型受光デバイスの製造工程図である。
【００１５】まず、半導体基板９１９に電荷読み出し部
９１１を形成し、フィールド酸化膜９２０を形成した
後、ポリシリコン配線９３１およびポリシリコン電極９
３２を形成する（図６（ａ）参照）。引き続き、ポリシ
リコン配線９３１とポリシリコン電極９３２とを電気的
に接続する金属配線９３３を形成する（図６（ｂ）参
照）。
９１１を形成し、フィールド酸化膜９２０を形成した
後、ポリシリコン配線９３１およびポリシリコン電極９
３２を形成する（図６（ａ）参照）。引き続き、ポリシ
リコン配線９３１とポリシリコン電極９３２とを電気的
に接続する金属配線９３３を形成する（図６（ｂ）参
照）。
【００１６】次に、半導体基板９１９の表面９１６とフ
ィールド酸化膜９２０の表面９２６とが形成する面上に
硼硅酸ガラスを堆積して、補強部材９４０を形成する
（図６（ｃ）参照）。引き続き、半導体基板９１９を薄
板化して半導体薄板９１０とし、表面に保護酸化膜９５
２を形成後、イオン注入および加熱による活性化を行っ
てアキュームレーション層９５１を形成する（図７
（ａ）参照）。
ィールド酸化膜９２０の表面９２６とが形成する面上に
硼硅酸ガラスを堆積して、補強部材９４０を形成する
（図６（ｃ）参照）。引き続き、半導体基板９１９を薄
板化して半導体薄板９１０とし、表面に保護酸化膜９５
２を形成後、イオン注入および加熱による活性化を行っ
てアキュームレーション層９５１を形成する（図７
（ａ）参照）。
【００１７】次いで、半導体薄板９１０の電荷読み出し
部９１１の周囲部をエッチング除去して、ポリシリコン
電極９３２を露出させる（図７（ｂ）参照）。引き続
き、ポリシリコン電極９３２に金属電極９６０を形成し
てボンディングパッドとする（図７（ｃ）参照）。この
後、ワイヤボンディングをボンディングパッドに施し
て、図８の裏面照射型受光デバイスを得る。
部９１１の周囲部をエッチング除去して、ポリシリコン
電極９３２を露出させる（図７（ｂ）参照）。引き続
き、ポリシリコン電極９３２に金属電極９６０を形成し
てボンディングパッドとする（図７（ｃ）参照）。この
後、ワイヤボンディングをボンディングパッドに施し
て、図８の裏面照射型受光デバイスを得る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】従来の裏面照射型受光
デバイスは上記のように製造されるので、以下のような
問題点があった。
デバイスは上記のように製造されるので、以下のような
問題点があった。
【００１９】半導体薄板９１０と補強部材９４０とに挟
まれた金属配線９３３には、製造工程において、補強部
材９４０の形成時における硼硅酸ガラスの焼結時の熱処
理（８５０℃〜９００℃）、保護酸化膜の成長時の熱処
理（８００℃〜９００℃）、およびイオン注入後の高温
アニール（８００℃〜９００℃）で高温加熱がなされ
る。
まれた金属配線９３３には、製造工程において、補強部
材９４０の形成時における硼硅酸ガラスの焼結時の熱処
理（８５０℃〜９００℃）、保護酸化膜の成長時の熱処
理（８００℃〜９００℃）、およびイオン注入後の高温
アニール（８００℃〜９００℃）で高温加熱がなされ
る。
【００２０】したがって、金属配線９３３の材料とし
て、融点が６６０℃程度であるアルミニウムを使用する
ことができず、モリブデンやタングステンなどの高融点
金属またはそれらのシリサイドなどを使用することとな
る。
て、融点が６６０℃程度であるアルミニウムを使用する
ことができず、モリブデンやタングステンなどの高融点
金属またはそれらのシリサイドなどを使用することとな
る。
【００２１】現状の高融点金属またはそれらのシリサイ
ドなど、特に高融点金属は、アルミニウムに比べて、下
地との密着性、ドライエッチング性、およびコンタクト
部の自然酸化膜還元性などの点で問題が多い。したがっ
て、アルミニウムを使用したときのように、安定してプ
ロセスを進行させることは困難である。
ドなど、特に高融点金属は、アルミニウムに比べて、下
地との密着性、ドライエッチング性、およびコンタクト
部の自然酸化膜還元性などの点で問題が多い。したがっ
て、アルミニウムを使用したときのように、安定してプ
ロセスを進行させることは困難である。
【００２２】高融点金属のシリサイドは、高融点金属自
体と比較して、下地との密着性やドライエッチング性は
良好である。しかし、高融点金属のシリサイドを使用し
た場合には、配線抵抗が大きくなる。
体と比較して、下地との密着性やドライエッチング性は
良好である。しかし、高融点金属のシリサイドを使用し
た場合には、配線抵抗が大きくなる。
【００２３】天文観測用の受光デバイスでは大きな受光
面積を必要とするので、配線長が長くなる。例えば、１
画素サイズが１２μｍ×１２μｍで、水平方向に２０４
８画素とするとともに、垂直方向に４０９６画素とする
と、チップの大きさは、水平方向が約２．５ｃｍ、垂直
方向が約５ｃｍにもなってしまう。
面積を必要とするので、配線長が長くなる。例えば、１
画素サイズが１２μｍ×１２μｍで、水平方向に２０４
８画素とするとともに、垂直方向に４０９６画素とする
と、チップの大きさは、水平方向が約２．５ｃｍ、垂直
方向が約５ｃｍにもなってしまう。
【００２４】更に、図８に示すように、こうしたチップ
９９０を例えば水平方向に５個、垂直方向に２個配列し
てバタブル組立を行うと、水平方向１２．５ｃｍ、垂直
方向１０ｃｍの非常に大きな受光面積を得ることができ
る。こうしたバタブル組立にあたっては、垂直方向での
チップ間の受光部として働かないデッドレイヤを小さく
するために、各チップ９９０1〜９９０10のボンディン
グパッド部は、水平な辺の一辺に揃えて配置される。し
たがって、垂直方向の配線長は約５ｃｍにもなる。
９９０を例えば水平方向に５個、垂直方向に２個配列し
てバタブル組立を行うと、水平方向１２．５ｃｍ、垂直
方向１０ｃｍの非常に大きな受光面積を得ることができ
る。こうしたバタブル組立にあたっては、垂直方向での
チップ間の受光部として働かないデッドレイヤを小さく
するために、各チップ９９０1〜９９０10のボンディン
グパッド部は、水平な辺の一辺に揃えて配置される。し
たがって、垂直方向の配線長は約５ｃｍにもなる。
【００２５】高融点金属のシリサイドの配線の代表的な
シート抵抗は０．５Ω／□であるので、垂直方向の配線
として、配線幅が２０μｍ、配線長を５ｃｍを想定する
と、配線抵抗は１２５０Ωにもなる。配線容量を４０ｎ
Ｆとすると、ＣＲ時定数は５０μｓともなり、高速動作
が困難になる。
シート抵抗は０．５Ω／□であるので、垂直方向の配線
として、配線幅が２０μｍ、配線長を５ｃｍを想定する
と、配線抵抗は１２５０Ωにもなる。配線容量を４０ｎ
Ｆとすると、ＣＲ時定数は５０μｓともなり、高速動作
が困難になる。
【００２６】本発明は、上記を鑑みてなされたものであ
り、大きな受光面積であっても高速動作可能な裏面照射
型受光デバイスを提供することを目的とする。
り、大きな受光面積であっても高速動作可能な裏面照射
型受光デバイスを提供することを目的とする。
【００２７】また、本発明は、大きな受光面積であって
も高速動作可能な裏面照射型受光デバイスを好適に製造
することが可能な裏面照射型受光デバイスの製造方法を
提供することを目的とする。
も高速動作可能な裏面照射型受光デバイスを好適に製造
することが可能な裏面照射型受光デバイスの製造方法を
提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】請求項１の裏面照射型受
光デバイスは、シリコンを主材とする半導体薄板の第１
の表面に１次元あるいは２次元的な配列を有する電荷読
み出し部が形成されるとともに、半導体薄板の第１の表
面の裏面である第２の表面から入射した電磁波あるいは
荷電粒子のエネルギを検出する裏面照射型受光デバイス
であって、（ａ）半導体薄板の第１の表面上側に配設さ
れた補強部材と、（ｂ）電荷読み出し部の形成領域の周
囲の補強部材に接して形成され、少なくとも電荷読み出
し部の周辺部を除いて、補強部材との界面に対向する表
面が露出されるとともに、露出領域にコンタクトホール
が形成されたフィールド酸化膜と、（ｃ）電荷読み出し
部上およびフィールド酸化膜の補強部材との界面の電荷
読み出し部からコンタクトホール形成領域に至る領域上
に形成されたポリシリコン配線と、（ｄ）半導体薄板の
第２の表面に形成されたアキュームレーション層と、
（ｅ）フィールド酸化膜のコンタクトホール中およびフ
イールド酸化膜の露出領域上に形成され、ポリシリコン
配線と電気的に接続するアルミニウム配線とを備えるこ
とを特徴とする。
光デバイスは、シリコンを主材とする半導体薄板の第１
の表面に１次元あるいは２次元的な配列を有する電荷読
み出し部が形成されるとともに、半導体薄板の第１の表
面の裏面である第２の表面から入射した電磁波あるいは
荷電粒子のエネルギを検出する裏面照射型受光デバイス
であって、（ａ）半導体薄板の第１の表面上側に配設さ
れた補強部材と、（ｂ）電荷読み出し部の形成領域の周
囲の補強部材に接して形成され、少なくとも電荷読み出
し部の周辺部を除いて、補強部材との界面に対向する表
面が露出されるとともに、露出領域にコンタクトホール
が形成されたフィールド酸化膜と、（ｃ）電荷読み出し
部上およびフィールド酸化膜の補強部材との界面の電荷
読み出し部からコンタクトホール形成領域に至る領域上
に形成されたポリシリコン配線と、（ｄ）半導体薄板の
第２の表面に形成されたアキュームレーション層と、
（ｅ）フィールド酸化膜のコンタクトホール中およびフ
イールド酸化膜の露出領域上に形成され、ポリシリコン
配線と電気的に接続するアルミニウム配線とを備えるこ
とを特徴とする。
【００２９】ここで、補強部材として、硼硅酸ガラスお
よび硼リン硅酸ガラスの内のいずれか一方を好適に採用
できる。
よび硼リン硅酸ガラスの内のいずれか一方を好適に採用
できる。
【００３０】請求項１の裏面照射型受光デバイスでは、
電荷読み出し部の電気信号の入出力を、電荷読み出し部
近傍に形成され、配線長の短いポリシリコン配線と低抵
抗のアルミニウム配線（ボンディングパッドを含む）と
を介して行う。アルミニウム配線のシート抵抗は２×１
０-2程度なので、配線幅が２０μｍ、配線長を５ｃｍを
想定しても、配線抵抗は５０Ωで済む。配線容量を４０
ｎＦとすると、ＣＲ時定数は２μｓであり、従来に比べ
て格段に高速で動作する。
電荷読み出し部の電気信号の入出力を、電荷読み出し部
近傍に形成され、配線長の短いポリシリコン配線と低抵
抗のアルミニウム配線（ボンディングパッドを含む）と
を介して行う。アルミニウム配線のシート抵抗は２×１
０-2程度なので、配線幅が２０μｍ、配線長を５ｃｍを
想定しても、配線抵抗は５０Ωで済む。配線容量を４０
ｎＦとすると、ＣＲ時定数は２μｓであり、従来に比べ
て格段に高速で動作する。
【００３１】請求項３の裏面照射型受光デバイスの製造
方法は、（ａ）シリコンを主材とする半導体基板の第１
の表面に電荷読み出し部を形成する第１の工程と、
（ｂ）電荷読み出し部の周囲の半導体基板の第１の表面
上にフィールド酸化膜を形成する第２の工程と、（ｃ）
電荷読み出し部上および半導体基板の第１の表面に応じ
たフィールド酸化膜の第１の表面上に、選択的にポリシ
リコン配線を施す第３の工程と、（ｄ）半導体基板の第
１の表面上およびフィールド酸化膜の第１の表面上に補
強部材を配設する第４の工程と、（ｅ）半導体基板の第
２の表面を加工して、半導体基板を半導体薄板とする第
５の工程と、（ｆ）半導体薄板の第２の表面側からイオ
ン注入を行い、活性化して、アキュームレーション層を
形成する第６の工程と、（ｇ）電荷読み出し部の形成領
域と電荷読み出し部の近接領域以外の半導体薄板の構成
材料を除去し、フィールド酸化膜を露出させる第７の工
程と、（ｈ）フィールド酸化膜の露出領域にポリシリコ
ン配線へ通じるコンタクトホールを形成する第８の工程
と、（ｉ）フィールド酸化膜のコンタクトホール中およ
びフイールド酸化膜の露出領域上に、ポリシリコン配線
と電気的に接続するアルミニウム配線を施す第９の工程
とを備えることを特徴とする。
方法は、（ａ）シリコンを主材とする半導体基板の第１
の表面に電荷読み出し部を形成する第１の工程と、
（ｂ）電荷読み出し部の周囲の半導体基板の第１の表面
上にフィールド酸化膜を形成する第２の工程と、（ｃ）
電荷読み出し部上および半導体基板の第１の表面に応じ
たフィールド酸化膜の第１の表面上に、選択的にポリシ
リコン配線を施す第３の工程と、（ｄ）半導体基板の第
１の表面上およびフィールド酸化膜の第１の表面上に補
強部材を配設する第４の工程と、（ｅ）半導体基板の第
２の表面を加工して、半導体基板を半導体薄板とする第
５の工程と、（ｆ）半導体薄板の第２の表面側からイオ
ン注入を行い、活性化して、アキュームレーション層を
形成する第６の工程と、（ｇ）電荷読み出し部の形成領
域と電荷読み出し部の近接領域以外の半導体薄板の構成
材料を除去し、フィールド酸化膜を露出させる第７の工
程と、（ｈ）フィールド酸化膜の露出領域にポリシリコ
ン配線へ通じるコンタクトホールを形成する第８の工程
と、（ｉ）フィールド酸化膜のコンタクトホール中およ
びフイールド酸化膜の露出領域上に、ポリシリコン配線
と電気的に接続するアルミニウム配線を施す第９の工程
とを備えることを特徴とする。
【００３２】ここで、第４の工程を、（i）半導体基板
の第１の表面とフィールド酸化膜の第１の表面とが成す
面と補強部材とを貼り付ける工程とすることも可能であ
るし、また、（ii）半導体基板の第１の表面とフィール
ド酸化膜の第１の表面とが成す面上に補強部材用材料を
堆積する工程とすることも可能である。
の第１の表面とフィールド酸化膜の第１の表面とが成す
面と補強部材とを貼り付ける工程とすることも可能であ
るし、また、（ii）半導体基板の第１の表面とフィール
ド酸化膜の第１の表面とが成す面上に補強部材用材料を
堆積する工程とすることも可能である。
【００３３】また、補強部材として、硼硅酸ガラスおよ
び硼リン硅酸ガラスの内のいずれか一方を好適に採用で
きる。
び硼リン硅酸ガラスの内のいずれか一方を好適に採用で
きる。
【００３４】請求項３の裏面照射型受光デバイスの製造
方法では、アルミニウム配線を施す工程（第９の工程）
の前に、高温処理を必要とする全ての工程、例えば、補
強部材９４０の配設工程（第４の工程）、保護酸化膜の
成長工程（第５の工程）、およびイオン注入後の高温ア
ニール工程（第６の工程）などを完了する。
方法では、アルミニウム配線を施す工程（第９の工程）
の前に、高温処理を必要とする全ての工程、例えば、補
強部材９４０の配設工程（第４の工程）、保護酸化膜の
成長工程（第５の工程）、およびイオン注入後の高温ア
ニール工程（第６の工程）などを完了する。
【００３５】したがって、受光側にアキュームレーショ
ン層を形成しつつ、従来の半導体技術として確立した技
術であるアルミニウム配線を使用することが可能とな
り、請求項１の裏面照射型受光デバイスを好適に製造さ
れる。
ン層を形成しつつ、従来の半導体技術として確立した技
術であるアルミニウム配線を使用することが可能とな
り、請求項１の裏面照射型受光デバイスを好適に製造さ
れる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の裏面照射型受光デバイスおよび裏面照射型受光デバイ
スの製造方法の実施の形態を説明する。なお、図面の説
明にあたって同一の要素には同一の符号を付し、重複す
る説明を省略する。
の裏面照射型受光デバイスおよび裏面照射型受光デバイ
スの製造方法の実施の形態を説明する。なお、図面の説
明にあたって同一の要素には同一の符号を付し、重複す
る説明を省略する。
【００３７】図１は本発明の一実施形態の裏面照射型受
光デバイスの構成図である。図１に示すように、この受
光デバイスは、（ａ）表面１０１側に電荷読み出し部１
１０が形成された、シリコンを主材とする半導体薄板１
００と、（ｂ）電荷読み出し部１１０の形成領域の周囲
に形成され、電荷読み出し部１１０の周辺部を除いて、
フィールド酸化膜２００の表面２０２が露出されるとと
もに、露出領域にコンタクトホール２０５が形成された
フィールド酸化膜２００と、（ｂ）電荷読み出し部１１
０上およびフィールド酸化膜の表面２０１上のコンタク
トホール２０５の形成領域に至る領域上に形成されたポ
リシリコン配線３００と、（ｃ）半導体薄板１００の表
面１０１上のフィールド酸化膜２００の表面２０１上に
配設された補強部材４００と、（ｄ）半導体薄板１００
の表面１０２に形成されたアキュームレーション層５１
０と、（ｅ）アキュームレーション層５１０の表面上に
形成された保護酸化膜５２０と、（ｅ）フィールド酸化
膜２００のコンタクトホール２０５中およびフイールド
酸化膜２００の露出領域上に形成され、ポリシリコン配
線３００と電気的に接続するアルミニウム配線６００
（ボンディングパッド部６１０を含む）とを備える。
光デバイスの構成図である。図１に示すように、この受
光デバイスは、（ａ）表面１０１側に電荷読み出し部１
１０が形成された、シリコンを主材とする半導体薄板１
００と、（ｂ）電荷読み出し部１１０の形成領域の周囲
に形成され、電荷読み出し部１１０の周辺部を除いて、
フィールド酸化膜２００の表面２０２が露出されるとと
もに、露出領域にコンタクトホール２０５が形成された
フィールド酸化膜２００と、（ｂ）電荷読み出し部１１
０上およびフィールド酸化膜の表面２０１上のコンタク
トホール２０５の形成領域に至る領域上に形成されたポ
リシリコン配線３００と、（ｃ）半導体薄板１００の表
面１０１上のフィールド酸化膜２００の表面２０１上に
配設された補強部材４００と、（ｄ）半導体薄板１００
の表面１０２に形成されたアキュームレーション層５１
０と、（ｅ）アキュームレーション層５１０の表面上に
形成された保護酸化膜５２０と、（ｅ）フィールド酸化
膜２００のコンタクトホール２０５中およびフイールド
酸化膜２００の露出領域上に形成され、ポリシリコン配
線３００と電気的に接続するアルミニウム配線６００
（ボンディングパッド部６１０を含む）とを備える。
【００３８】ここで、補強部材として、硼硅酸ガラス
（ＢＳＧ）または硼リン硅酸ガラス（ＢＰＳＧ）を好適
に採用できる。
（ＢＳＧ）または硼リン硅酸ガラス（ＢＰＳＧ）を好適
に採用できる。
【００３９】本実施形態の裏面照射型受光デバイスは、
以下のようにして製造される。図２および図３は、本実
施形態の裏面照射型受光デバイスの製造工程図である。
以下のようにして製造される。図２および図３は、本実
施形態の裏面照射型受光デバイスの製造工程図である。
【００４０】まず、シリコンを主材とする半導体基板１
９０の表面１０１に電荷読み出し部１１０を形成し、電
荷読み出し部１１０の周囲の半導体基板１９０の表面１
０１にフィールド酸化膜２００を形成後、電荷読み出し
部１１０上およびフィールド酸化膜２００の表面２０１
上に、選択的にポリシリコン配線３００を施す（図２
（ａ）参照）。
９０の表面１０１に電荷読み出し部１１０を形成し、電
荷読み出し部１１０の周囲の半導体基板１９０の表面１
０１にフィールド酸化膜２００を形成後、電荷読み出し
部１１０上およびフィールド酸化膜２００の表面２０１
上に、選択的にポリシリコン配線３００を施す（図２
（ａ）参照）。
【００４１】次に、半導体基板１９０の表面１０１上お
よびフィールド酸化膜２００の表面２０１に補強部材４
００を配設する（図２（ｂ）参照）。補強部材４００に
は、ＢＳＧまたはＢＰＳＧを好適に採用できる。そし
て、ＢＳＧまたはＢＰＳＧから成るガラス体を接着剤で
貼り付けてもよいし、従来技術のようにＢＳＧを堆積し
焼結してもよい。
よびフィールド酸化膜２００の表面２０１に補強部材４
００を配設する（図２（ｂ）参照）。補強部材４００に
は、ＢＳＧまたはＢＰＳＧを好適に採用できる。そし
て、ＢＳＧまたはＢＰＳＧから成るガラス体を接着剤で
貼り付けてもよいし、従来技術のようにＢＳＧを堆積し
焼結してもよい。
【００４２】引き続き、半導体基板１９０を加工して、
半導体基板１９０を半導体薄板１００とし、半導体薄板
１００の表面１０２上に保護酸化膜５２０を形成後、表
面１０２側からイオン注入を行い、活性化して、アキュ
ームレーション層５１０を形成する（図２（ｃ）参
照）。
半導体基板１９０を半導体薄板１００とし、半導体薄板
１００の表面１０２上に保護酸化膜５２０を形成後、表
面１０２側からイオン注入を行い、活性化して、アキュ
ームレーション層５１０を形成する（図２（ｃ）参
照）。
【００４３】次いで、電荷読み出し部１１０の形成領域
と電荷読み出し部１１０の近接領域とが形成する領域以
外の半導体薄板１００の構成材料を除去し、フィールド
酸化膜２００を露出させ（図３（ａ）参照）、フィール
ド酸化膜２００の露出領域にポリシリコン配線３００へ
通じるコンタクトホール２０５を形成する（図３（ｂ）
参照）。
と電荷読み出し部１１０の近接領域とが形成する領域以
外の半導体薄板１００の構成材料を除去し、フィールド
酸化膜２００を露出させ（図３（ａ）参照）、フィール
ド酸化膜２００の露出領域にポリシリコン配線３００へ
通じるコンタクトホール２０５を形成する（図３（ｂ）
参照）。
【００４４】そして、フィールド酸化膜２００のコンタ
クトホール２０５中およびフイールド酸化膜２００の露
出領域上に、ポリシリコン配線３００と電気的に接続す
るアルミニウム配線６００（ボンディングパッド部６１
０を含む）を施す。この後、ボンディングパッド部６１
０にワイヤボンディングを施して、本実施形態の裏面照
射型受光デバイスを得る。
クトホール２０５中およびフイールド酸化膜２００の露
出領域上に、ポリシリコン配線３００と電気的に接続す
るアルミニウム配線６００（ボンディングパッド部６１
０を含む）を施す。この後、ボンディングパッド部６１
０にワイヤボンディングを施して、本実施形態の裏面照
射型受光デバイスを得る。
【００４５】この製造方法では、アルミニウム配線６０
０を施す工程の前に、高温処理を必要とする全ての工
程、例えば、補強部材４００の配設工程、保護酸化膜５
２０の成長工程、およびイオン注入後の高温アニール工
程などを完了する。
０を施す工程の前に、高温処理を必要とする全ての工
程、例えば、補強部材４００の配設工程、保護酸化膜５
２０の成長工程、およびイオン注入後の高温アニール工
程などを完了する。
【００４６】したがって、受光側にアキュームレーショ
ン層５１０を形成しつつ、従来の半導体技術として確立
した技術であるアルミニウム配線技術を使用して、アル
ミニウム配線６００を施している。
ン層５１０を形成しつつ、従来の半導体技術として確立
した技術であるアルミニウム配線技術を使用して、アル
ミニウム配線６００を施している。
【００４７】この結果、本実施形態の裏面照射型受光デ
バイスでは、受光側でアキュームレーションが可能とな
るので、電荷の収集効率が高くなるとともに、配線抵抗
が小さいので高速動作が可能となる。
バイスでは、受光側でアキュームレーションが可能とな
るので、電荷の収集効率が高くなるとともに、配線抵抗
が小さいので高速動作が可能となる。
【００４８】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の裏
面照射型受光デバイスによれば、電荷読み出し部の電気
信号の入出力を、電荷読み出し部近傍に形成され、配線
長の短いポリシリコン配線と低抵抗のアルミニウム配線
とを介して行う。したがって、従来に比べて格段に高速
な動作が可能となる。
面照射型受光デバイスによれば、電荷読み出し部の電気
信号の入出力を、電荷読み出し部近傍に形成され、配線
長の短いポリシリコン配線と低抵抗のアルミニウム配線
とを介して行う。したがって、従来に比べて格段に高速
な動作が可能となる。
【００４９】また、本発明の裏面照射型受光デバイスの
製造方法では、アルミニウム配線を施す工程の前に、高
温処理を必要とする全ての工程、例えば、補強部材の配
設工程、保護酸化膜の成長工程、およびイオン注入後の
高温アニール工程などを完了する。したがって、従来の
半導体技術として確立した技術であるアルミニウム配線
を使用することが可能となり、本発明の裏面照射型受光
デバイスを好適に製造できる。
製造方法では、アルミニウム配線を施す工程の前に、高
温処理を必要とする全ての工程、例えば、補強部材の配
設工程、保護酸化膜の成長工程、およびイオン注入後の
高温アニール工程などを完了する。したがって、従来の
半導体技術として確立した技術であるアルミニウム配線
を使用することが可能となり、本発明の裏面照射型受光
デバイスを好適に製造できる。
【図１】本発明の一実施形態の裏面照射型受光デバイス
の構成図である。
の構成図である。
【図２】本発明の一実施形態の裏面照射型受光デバイス
の製造工程図（前半）である。
の製造工程図（前半）である。
【図３】本発明の一実施形態の裏面照射型受光デバイス
の製造工程図（後半）である。
の製造工程図（後半）である。
【図４】アキュームレーションの説明図である。
【図５】従来例の裏面照射型受光デバイスの構成図であ
る。
る。
【図６】従来例の裏面照射型受光デバイスの製造工程図
（前半）である。
（前半）である。
【図７】従来例の裏面照射型受光デバイスの製造工程図
（後半）である。
（後半）である。
【図８】バタブル組立の説明図である。
１００…半導体薄板、１１０…電荷読み出し部、２００
…フィールド酸化膜、２０５…コンタクトホール、３０
０…ポリシリコン配線、４００…補強部材、５１０…ア
キュームレーション層、５２０…保護酸化膜、６００…
アルミニウム配線、６１０…ボンディングパッド部。
…フィールド酸化膜、２０５…コンタクトホール、３０
０…ポリシリコン配線、４００…補強部材、５１０…ア
キュームレーション層、５２０…保護酸化膜、６００…
アルミニウム配線、６１０…ボンディングパッド部。
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコンを主材とする半導体薄板の第１
の表面に、１次元あるいは２次元的な配列を有する電荷
読み出し部が形成されるとともに、前記半導体薄板の第
１の表面の裏面である第２の表面から入射した電磁波あ
るいは荷電粒子のエネルギを検出する裏面照射型受光デ
バイスであって、 前記半導体薄板の第１の表面上側に配設された補強部材
と、 前記電荷読み出し部の形成領域の周囲の前記補強部材に
接して形成され、少なくとも前記電荷読み出し部の周辺
部を除いて、前記補強部材との界面に対向する表面が露
出されるとともに、露出領域にコンタクトホールが形成
されたフィールド酸化膜と、 前記電荷読み出し部上および前記フィールド酸化膜の前
記補強部材との界面の前記電荷読み出し部からコンタク
トホール形成領域に至る領域上に形成されたポリシリコ
ン配線と、 前記半導体薄板の第２の表面に形成されたアキュームレ
ーション層と、 前記フィールド酸化膜のコンタクトホール中および前記
フイールド酸化膜の露出領域上に形成され、前記ポリシ
リコン配線と電気的に接続するアルミニウム配線と、 を備えることを特徴とする裏面照射型受光デバイス。 - 【請求項２】 前記補強部材は、硼硅酸ガラスおよび硼
リン硅酸ガラスの内のいずれか一方から成る、ことを特
徴とする請求項１記載の裏面照射型受光デバイス。 - 【請求項３】 シリコンを主材とする半導体基板の第１
の表面に電荷読み出し部を形成する第１の工程と、 前記電荷読み出し部の周囲の前記半導体基板の第１の表
面上にフィールド酸化膜を形成する第２の工程と、 前記電荷読み出し部上および前記半導体基板の第１の表
面側に応じた前記フィールド酸化膜の第１の表面上に、
選択的にポリシリコン配線を施す第３の工程と、 前記半導体基板の第１の表面上および前記フィールド酸
化膜の第１の表面上に補強部材を配設する第４の工程
と、 前記半導体基板の第２の表面を加工して、前記半導体基
板を半導体薄板とする第５の工程と、 前記半導体薄板の第２の表面側からイオン注入を行い、
活性化して、アキュームレーション層を形成する第６の
工程と、 前記電荷読み出し部の形成領域と前記電荷読み出し部の
近接領域以外の前記半導体薄板の構成材料を除去し、前
記フィールド酸化膜を露出させる第７の工程と、 前記フィールド酸化膜の露出領域に前記ポリシリコン配
線へ通じるコンタクトホールを形成する第８の工程と、 前記フィールド酸化膜のコンタクトホール中および前記
フイールド酸化膜の露出領域上に、前記ポリシリコン配
線と電気的に接続するアルミニウム配線を施す第９の工
程と、 を備えることを特徴とする裏面照射型受光デバイスの製
造方法。 - 【請求項４】 前記第４の工程は、前記半導体基板の第
１の表面と前記フィールド酸化膜の第１の表面とが成す
面と補強部材とを貼り付ける工程である、ことを特徴と
する請求項３記載の裏面照射型受光デバイスの製造方
法。 - 【請求項５】 前記第４の工程は、前記半導体基板の第
１の表面と前記フィールド酸化膜の第１の表面とが成す
面上に補強部材用材料を堆積する工程である、ことを特
徴とする請求項３記載の裏面照射型受光デバイスの製造
方法。 - 【請求項６】 前記補強部材は、硼硅酸ガラスおよび硼
リン硅酸ガラスの内のいずれか一方から成る、ことを特
徴とする請求項３記載の裏面照射型受光デバイスの製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27000696A JP3620936B2 (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 裏面照射型受光デバイスおよびその製造方法 |
| US08/948,822 US6031274A (en) | 1996-10-11 | 1997-10-10 | Back irradiation type light-receiving device and method of making the same |
| DE69737492T DE69737492T2 (de) | 1996-10-11 | 1997-10-10 | Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Bauelements mit rückseitem Strahlungseintritt |
| EP97308026A EP0836231B1 (en) | 1996-10-11 | 1997-10-10 | Method of making a back irradiation type light-receiving device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27000696A JP3620936B2 (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 裏面照射型受光デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116974A true JPH10116974A (ja) | 1998-05-06 |
| JP3620936B2 JP3620936B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=17480247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27000696A Expired - Lifetime JP3620936B2 (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 裏面照射型受光デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6031274A (ja) |
| EP (1) | EP0836231B1 (ja) |
| JP (1) | JP3620936B2 (ja) |
| DE (1) | DE69737492T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093195A1 (ja) * | 2003-04-16 | 2004-10-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面照射型光検出装置の製造方法 |
| JP2023100014A (ja) * | 2022-01-05 | 2023-07-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7829438B2 (en) | 2006-10-10 | 2010-11-09 | Tessera, Inc. | Edge connect wafer level stacking |
| US7901989B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-03-08 | Tessera, Inc. | Reconstituted wafer level stacking |
| US8513789B2 (en) * | 2006-10-10 | 2013-08-20 | Tessera, Inc. | Edge connect wafer level stacking with leads extending along edges |
| US7791199B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-09-07 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips |
| US8569876B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-10-29 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips with array |
| US7952195B2 (en) * | 2006-12-28 | 2011-05-31 | Tessera, Inc. | Stacked packages with bridging traces |
| EP2135280A2 (en) * | 2007-03-05 | 2009-12-23 | Tessera, Inc. | Chips having rear contacts connected by through vias to front contacts |
| CN101809739B (zh) * | 2007-07-27 | 2014-08-20 | 泰塞拉公司 | 具有后应用的衬垫延长部分的重构晶片堆封装 |
| KR101538648B1 (ko) * | 2007-07-31 | 2015-07-22 | 인벤사스 코포레이션 | 실리콘 쓰루 비아를 사용하는 반도체 패키지 공정 |
| WO2009020572A2 (en) | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Tessera Technologies Hungary Kft. | Stack packages using reconstituted wafers |
| US8043895B2 (en) * | 2007-08-09 | 2011-10-25 | Tessera, Inc. | Method of fabricating stacked assembly including plurality of stacked microelectronic elements |
| US20100053407A1 (en) * | 2008-02-26 | 2010-03-04 | Tessera, Inc. | Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors |
| US20090212381A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Tessera, Inc. | Wafer level packages for rear-face illuminated solid state image sensors |
| JP5639052B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2014-12-10 | テッセラ，インコーポレイテッド | ウェハレベルでの縁部の積重ね |
| US8466542B2 (en) * | 2009-03-13 | 2013-06-18 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assemblies having vias extending through bond pads |
| US9640437B2 (en) | 2010-07-23 | 2017-05-02 | Tessera, Inc. | Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream |
| US8796135B2 (en) | 2010-07-23 | 2014-08-05 | Tessera, Inc. | Microelectronic elements with rear contacts connected with via first or via middle structures |
| US8791575B2 (en) | 2010-07-23 | 2014-07-29 | Tessera, Inc. | Microelectronic elements having metallic pads overlying vias |
| US8610259B2 (en) | 2010-09-17 | 2013-12-17 | Tessera, Inc. | Multi-function and shielded 3D interconnects |
| US8847380B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-09-30 | Tessera, Inc. | Staged via formation from both sides of chip |
| KR101059490B1 (ko) | 2010-11-15 | 2011-08-25 | 테세라 리써치 엘엘씨 | 임베드된 트레이스에 의해 구성된 전도성 패드 |
| US8587126B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-11-19 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVs formed in stages with plural active chips |
| US8736066B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-05-27 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assemby with TSVS formed in stages and carrier above chip |
| US8637968B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-01-28 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly having interposer connecting active chips |
| US8610264B2 (en) | 2010-12-08 | 2013-12-17 | Tessera, Inc. | Compliant interconnects in wafers |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54110068U (ja) * | 1978-01-20 | 1979-08-02 | ||
| US4870475A (en) * | 1985-11-01 | 1989-09-26 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US4892842A (en) * | 1987-10-29 | 1990-01-09 | Tektronix, Inc. | Method of treating an integrated circuit |
| US4923825A (en) * | 1989-05-01 | 1990-05-08 | Tektronix, Inc. | Method of treating a semiconductor body |
| JPH06326293A (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
| JP3183390B2 (ja) * | 1995-09-05 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像装置 |
-
1996
- 1996-10-11 JP JP27000696A patent/JP3620936B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-10 DE DE69737492T patent/DE69737492T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-10 EP EP97308026A patent/EP0836231B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-10 US US08/948,822 patent/US6031274A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093195A1 (ja) * | 2003-04-16 | 2004-10-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面照射型光検出装置の製造方法 |
| JP2004319791A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面照射型光検出装置の製造方法 |
| CN100459137C (zh) * | 2003-04-16 | 2009-02-04 | 浜松光子学株式会社 | 背面照射型光检测装置的制造方法 |
| US7556975B2 (en) | 2003-04-16 | 2009-07-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing backside-illuminated optical sensor |
| KR101052670B1 (ko) | 2003-04-16 | 2011-07-28 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 이면 조사형 광검출 장치의 제조 방법 |
| JP2023100014A (ja) * | 2022-01-05 | 2023-07-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69737492T2 (de) | 2007-11-29 |
| JP3620936B2 (ja) | 2005-02-16 |
| US6031274A (en) | 2000-02-29 |
| EP0836231B1 (en) | 2007-03-21 |
| DE69737492D1 (de) | 2007-05-03 |
| EP0836231A3 (en) | 1998-11-11 |
| EP0836231A2 (en) | 1998-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3620936B2 (ja) | 裏面照射型受光デバイスおよびその製造方法 | |
| US6204506B1 (en) | Back illuminated photodetector and method of fabricating the same | |
| JP4237966B2 (ja) | 検出器 | |
| JP3759435B2 (ja) | Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子 | |
| TWI267982B (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
| US8497483B2 (en) | Circuit substrate and method | |
| JPH0135549B2 (ja) | ||
| EP0616373A2 (en) | Photoelectric conversion semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2008514011A (ja) | Ｓｏｉウェーハで作ったバック照明式ｃｍｏｓまたはｃｃｄ撮像素子（ｉｍａｇｅｒ）の製造方法 | |
| JP2014060450A (ja) | 半導体イメージ・センサ | |
| JP2797984B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2002314061A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2004031452A (ja) | 裏面入射型固体撮像素子 | |
| JPH09331058A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2002033473A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2651323B2 (ja) | 半導体エネルギー検出器 | |
| US6278102B1 (en) | Method of detecting electromagnetic radiation with bandgap engineered active pixel cell design | |
| JPH06196680A (ja) | 半導体エネルギー検出器とその製造方法 | |
| US6114685A (en) | Solid-state radiation detector having a charge transfer device | |
| EP0430068A2 (en) | Imaging device | |
| TWI278231B (en) | Solid-state imaging device, method of producing the same, and camera | |
| JP3124451B2 (ja) | Ｃｃｄ固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH05152551A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP3857387B2 (ja) | 半導体放射線検出装置の製造方法 | |
| US7045761B2 (en) | Self-pixelating focal plane array with electronic output |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040510 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040708 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040902 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040908 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041109 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |