JPH1011721A - 多層巨大磁気抵抗型薄膜変換器 - Google Patents
多層巨大磁気抵抗型薄膜変換器Info
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- JPH1011721A JPH1011721A JP4458197A JP4458197A JPH1011721A JP H1011721 A JPH1011721 A JP H1011721A JP 4458197 A JP4458197 A JP 4458197A JP 4458197 A JP4458197 A JP 4458197A JP H1011721 A JPH1011721 A JP H1011721A
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- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 磁気変換ギャップＧを画定する１対の磁束ガ
イドヨーク部材１４、１５を用いた巨大磁気抵抗型（Ｇ
ＭＲ）変換器。多数の層の積層体で形成されたＧＭＲ構
造１１が、一方の磁束ガイドヨーク部材の離隔された部
分１４ａ、１４ｂ間に、変換ギャップから離して配置さ
れ、かつこれら離隔部分の対向面と電気的に結合されて
いる。一方の磁束ガイドヨーク部材の離隔された部分及
びＧＭＲ構造を通してセンス電流を供給すると、変換器
の平面内電流（ＣＩＰ）モードの動作が実現される。磁
気バイアスは、磁石２１により又は電流を伝導するバイ
アス導電体によりＧＭＲ構造に供給される。 【効果】 ＧＭＲ積層体構造を変換ギャップから離隔し
て増加したスペースを利用して、該ＧＭＲ積層体構造の
層の数、その長さ及び幅を最適化できる。製造工程を簡
単化できる。
イドヨーク部材１４、１５を用いた巨大磁気抵抗型（Ｇ
ＭＲ）変換器。多数の層の積層体で形成されたＧＭＲ構
造１１が、一方の磁束ガイドヨーク部材の離隔された部
分１４ａ、１４ｂ間に、変換ギャップから離して配置さ
れ、かつこれら離隔部分の対向面と電気的に結合されて
いる。一方の磁束ガイドヨーク部材の離隔された部分及
びＧＭＲ構造を通してセンス電流を供給すると、変換器
の平面内電流（ＣＩＰ）モードの動作が実現される。磁
気バイアスは、磁石２１により又は電流を伝導するバイ
アス導電体によりＧＭＲ構造に供給される。 【効果】 ＧＭＲ積層体構造を変換ギャップから離隔し
て増加したスペースを利用して、該ＧＭＲ積層体構造の
層の数、その長さ及び幅を最適化できる。製造工程を簡
単化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁束のガイドとして働
く磁気ヨーク部材と、磁気的に記録された情報を読み取
るための巨大磁気抵抗型センサとを組み込んだ薄膜磁気
変換器に関する。
く磁気ヨーク部材と、磁気的に記録された情報を読み取
るための巨大磁気抵抗型センサとを組み込んだ薄膜磁気
変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】本願発明に関連する先行技術として、本
願と同じ出願人に譲渡された１９９６年２月１２日付け
米国特許出願番号第０８／６００，２３８号明細書に
は、磁束ガイドヨーク構造を備えた巨大磁気抵抗（ＧＭ
Ｒ）を用いて、平面に対して垂直な電流（current-perp
endicular-to-the-plane）（ＣＰＰ）モードで動作する
薄膜変換器が開示されている。
願と同じ出願人に譲渡された１９９６年２月１２日付け
米国特許出願番号第０８／６００，２３８号明細書に
は、磁束ガイドヨーク構造を備えた巨大磁気抵抗（ＧＭ
Ｒ）を用いて、平面に対して垂直な電流（current-perp
endicular-to-the-plane）（ＣＰＰ）モードで動作する
薄膜変換器が開示されている。
【０００３】従来より巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）を利用し
たセンサを用いた磁気変換器の使用が知られている。グ
ルンバーグ（Grunberg）の米国特許第４，９４９，０３
９号公報には、銅、銀、又は金のような非磁性金属、若
しくは反強磁性材料の層により互いに分離して積層され
た多数の強磁性層を用いた薄膜変換器が開示されてい
る。従って、交互に配置された強磁性層は逆向きに磁化
される。前記非磁性／反強磁性材料は、層の界面でスピ
ン依存（spin-dependent）電子の散乱を生じさせる材料
からなる。このようなアセンブリにおいて変換器が感知
した磁束に応答した、巨大磁気抵抗と称する磁気抵抗の
変化は、逆平行磁化層やこのような非磁性／反強磁性中
間層を用いない構造に見られる場合よりも非常に大き
い。
たセンサを用いた磁気変換器の使用が知られている。グ
ルンバーグ（Grunberg）の米国特許第４，９４９，０３
９号公報には、銅、銀、又は金のような非磁性金属、若
しくは反強磁性材料の層により互いに分離して積層され
た多数の強磁性層を用いた薄膜変換器が開示されてい
る。従って、交互に配置された強磁性層は逆向きに磁化
される。前記非磁性／反強磁性材料は、層の界面でスピ
ン依存（spin-dependent）電子の散乱を生じさせる材料
からなる。このようなアセンブリにおいて変換器が感知
した磁束に応答した、巨大磁気抵抗と称する磁気抵抗の
変化は、逆平行磁化層やこのような非磁性／反強磁性中
間層を用いない構造に見られる場合よりも非常に大き
い。
【０００４】リグロック（Ruigrok）他の米国特許第
５，２７０，８９５号公報には、変換器の読取り部分と
書込み部分との間で共有されるヨーク型の磁束ガイドを
用いて、読取り及び書込み機能の動作を改善するように
した薄膜磁気変換器が記載されている。この特許公報に
記載される構造では、磁気抵抗（ＭＲ）要素がヨーク部
材の外側に配置される。
５，２７０，８９５号公報には、変換器の読取り部分と
書込み部分との間で共有されるヨーク型の磁束ガイドを
用いて、読取り及び書込み機能の動作を改善するように
した薄膜磁気変換器が記載されている。この特許公報に
記載される構造では、磁気抵抗（ＭＲ）要素がヨーク部
材の外側に配置される。
【０００５】ベイビッチ（Baibich）他による論文「Gia
nt Magnetoresistance of (001) Fe/(001) Cr Magnetic
Superlattices」、Physical Review Letters、Volume
61、Number 21、1998年発行、第2472頁には、Ｃｒ層の
厚さにおける変化のＦｅ／Ｃｒ磁気格子の磁気抵抗への
影響が記載されている。巨大磁気抵抗は、Ｆｅ層とＣｒ
層間の界面におけるスピン依存の散乱に帰するものであ
る。
nt Magnetoresistance of (001) Fe/(001) Cr Magnetic
Superlattices」、Physical Review Letters、Volume
61、Number 21、1998年発行、第2472頁には、Ｃｒ層の
厚さにおける変化のＦｅ／Ｃｒ磁気格子の磁気抵抗への
影響が記載されている。巨大磁気抵抗は、Ｆｅ層とＣｒ
層間の界面におけるスピン依存の散乱に帰するものであ
る。
【０００６】フォルカーツ（Folkerts）他による論文
「Performance Of Yoke Type GMR Heads」、IEEE Trans
action on Magnetics、1995年11月発行には、感知素子
がヨーク型磁束ガイドの分離された２つの部品の上に配
置されたスピンバルブ変換器が記載されている。
「Performance Of Yoke Type GMR Heads」、IEEE Trans
action on Magnetics、1995年11月発行には、感知素子
がヨーク型磁束ガイドの分離された２つの部品の上に配
置されたスピンバルブ変換器が記載されている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、薄膜多
層ＧＭＲ変換器アセンブリは、磁束をＧＭＲ構造に結合
する上側及び下側磁束ガイドヨーク部材からなる。一方
の前記磁束ガイドヨーク部材は、前記ＧＭＲ構造を収容
する間隙を有する。前記ＧＭＲ構造は、前記変換器を支
持する空気ベアリングスライダ（図示せず）の空気ベア
リング面（ＡＢＳ）から離隔され、それにより増加した
スペースを利用して、前記ＧＭＲ積層体構造の層の数及
び該積層体の長さ及び幅を最適化できるようになってい
る。このような構成により、製造プロセスの複雑さが大
幅に減少する。
層ＧＭＲ変換器アセンブリは、磁束をＧＭＲ構造に結合
する上側及び下側磁束ガイドヨーク部材からなる。一方
の前記磁束ガイドヨーク部材は、前記ＧＭＲ構造を収容
する間隙を有する。前記ＧＭＲ構造は、前記変換器を支
持する空気ベアリングスライダ（図示せず）の空気ベア
リング面（ＡＢＳ）から離隔され、それにより増加した
スペースを利用して、前記ＧＭＲ積層体構造の層の数及
び該積層体の長さ及び幅を最適化できるようになってい
る。このような構成により、製造プロセスの複雑さが大
幅に減少する。
【０００８】本発明のある実施例では、導体リードによ
り磁束ガイドヨーク部材を介してセンス電流が多層ＧＭ
Ｒ構造に供給されて、平面内電流（current-in-the-pla
ne）（ＣＩＰ）モードを生じさせる。磁気バイアスは、
前記ＧＭＲ構造の各端部に近接配置された永久磁石を用
いて多層ＧＭＲ構造に印加される。別の実施例では、磁
気バイアスが、前記ＧＭＲ構造に近接配置された電流伝
導用導体により与えられる。更に別の実施例では、バイ
アス磁界が、前記ＧＭＲ構造の上に配置された永久磁石
構造により生成される。
り磁束ガイドヨーク部材を介してセンス電流が多層ＧＭ
Ｒ構造に供給されて、平面内電流（current-in-the-pla
ne）（ＣＩＰ）モードを生じさせる。磁気バイアスは、
前記ＧＭＲ構造の各端部に近接配置された永久磁石を用
いて多層ＧＭＲ構造に印加される。別の実施例では、磁
気バイアスが、前記ＧＭＲ構造に近接配置された電流伝
導用導体により与えられる。更に別の実施例では、バイ
アス磁界が、前記ＧＭＲ構造の上に配置された永久磁石
構造により生成される。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１Ａに関して、薄膜磁気変換器
は、それぞれに変換ギャップＧを画定するポール先端部
分を有する下側磁束ガイドヨーク部材１４と上側磁束ガ
イドヨーク部材１５とで形成された磁気ヨークを備え
る。多層ＧＭＲ構造１１は、下側磁束ガイド部材１４の
２個の分割された部分１４ａ、１４ｂ間にかつそれらと
磁気的及び電気的に接触させて配置される。当業者に良
く知られるように、かつ図１Ｂに示されるように、多層
ＧＭＲ構造１１は、強磁性層１１ｂと非磁性金属／反強
磁性層１１ｃとを交互に配した積層体からなる。また、
ＧＭＲ構造１１は、Ｆｅ又はＲｕのような材料又は他の
適当な材料からなる下側シード（seed）層又はバッファ
層１１ｄを設けて、該ＧＭＲ構造の磁気抵抗を最大にす
ることができる。
は、それぞれに変換ギャップＧを画定するポール先端部
分を有する下側磁束ガイドヨーク部材１４と上側磁束ガ
イドヨーク部材１５とで形成された磁気ヨークを備え
る。多層ＧＭＲ構造１１は、下側磁束ガイド部材１４の
２個の分割された部分１４ａ、１４ｂ間にかつそれらと
磁気的及び電気的に接触させて配置される。当業者に良
く知られるように、かつ図１Ｂに示されるように、多層
ＧＭＲ構造１１は、強磁性層１１ｂと非磁性金属／反強
磁性層１１ｃとを交互に配した積層体からなる。また、
ＧＭＲ構造１１は、Ｆｅ又はＲｕのような材料又は他の
適当な材料からなる下側シード（seed）層又はバッファ
層１１ｄを設けて、該ＧＭＲ構造の磁気抵抗を最大にす
ることができる。
【００１０】図１Ａ に関して、センス電流が１対の導
電リード部材２０ａ、ｂを介してＧＭＲ構造１１に供給
される。電流は、導電リード部材２０ａから下側磁束ガ
イドヨーク部分１４ａを通ってＧＭＲ構造１１に流れ、
更に下側磁束ガイドヨーク部分１４ｂを通って導電リー
ド部材２０ｂに流れ、その結果装置の動作がＣＩＰモー
ドになる。図１Ｂに示すように、前記センス電流は、電
源１７から供給することができる。ＧＭＲ構造１１の両
端における電圧降下の変化は、増幅器１８において検出
され、かつ前記変換器が感知した磁束の表示として適当
な利用手段（図示せず）に供給される。
電リード部材２０ａ、ｂを介してＧＭＲ構造１１に供給
される。電流は、導電リード部材２０ａから下側磁束ガ
イドヨーク部分１４ａを通ってＧＭＲ構造１１に流れ、
更に下側磁束ガイドヨーク部分１４ｂを通って導電リー
ド部材２０ｂに流れ、その結果装置の動作がＣＩＰモー
ドになる。図１Ｂに示すように、前記センス電流は、電
源１７から供給することができる。ＧＭＲ構造１１の両
端における電圧降下の変化は、増幅器１８において検出
され、かつ前記変換器が感知した磁束の表示として適当
な利用手段（図示せず）に供給される。
【００１１】誘導された磁場に対して垂直に磁場を作用
させる永久磁石手段２１により、多層ＧＭＲ構造１１に
磁気バイアスが与えられて、バルクハウゼンノイズを低
減させ、かつ該ＧＭＲ構造の感度（動作点）を最適化す
る。上側磁束ガイドヨーク部材１５は、ＧＭＲ構造１１
の上を延長して、前記誘導磁場をＧＭＲ構造１１に磁気
結合させている。下側及び上側磁束ガイドヨーク部材１
４、１５の各面１４ｄ、１５ｄは、互いに読取り変換ギ
ャップを表す距離Ｇだけ僅かに離隔されている。動作時
には、読取りギャップＧが、変換器により感知される情
報信号を変換するために磁気媒体（図示せず）のような
記録媒体に近接し又は断続的に接触するように配置され
る。
させる永久磁石手段２１により、多層ＧＭＲ構造１１に
磁気バイアスが与えられて、バルクハウゼンノイズを低
減させ、かつ該ＧＭＲ構造の感度（動作点）を最適化す
る。上側磁束ガイドヨーク部材１５は、ＧＭＲ構造１１
の上を延長して、前記誘導磁場をＧＭＲ構造１１に磁気
結合させている。下側及び上側磁束ガイドヨーク部材１
４、１５の各面１４ｄ、１５ｄは、互いに読取り変換ギ
ャップを表す距離Ｇだけ僅かに離隔されている。動作時
には、読取りギャップＧが、変換器により感知される情
報信号を変換するために磁気媒体（図示せず）のような
記録媒体に近接し又は断続的に接触するように配置され
る。
【００１２】図１Ａの構造により、ＧＭＲ構造１１がヨ
ーク部材１４、１５の端部により前記ＡＢＳから離隔さ
れ、かつ前記ＧＭＲ構造の層の数及び寸法を、その長さ
及び幅を含めて最適化し得るＧＭＲ変換器アセンブリが
提供される。図１Ａの構造の変形例として、ＧＭＲ構造
１１は、図１Ａに示される下側ヨーク部材１４の部分間
ではなく、上側ヨーク部材１５の部分間に配置すること
ができる。
ーク部材１４、１５の端部により前記ＡＢＳから離隔さ
れ、かつ前記ＧＭＲ構造の層の数及び寸法を、その長さ
及び幅を含めて最適化し得るＧＭＲ変換器アセンブリが
提供される。図１Ａの構造の変形例として、ＧＭＲ構造
１１は、図１Ａに示される下側ヨーク部材１４の部分間
ではなく、上側ヨーク部材１５の部分間に配置すること
ができる。
【００１３】図２Ａ及び図２Ｂは、ＧＭＲ構造への磁気
バイアスが導電手段により与えられるようにした本発明
の別の実施例を示している。図２Ａにおいて、参照符号
３０は導電体を示しており、これによりバイアス電流が
伝導されて、バイアス磁場をＧＭＲ積層構造１１上に、
ヨーク部材１４、１５を通る磁場により生成される磁場
と平行な向きに生成する。図２Ｂは、バイアス導電体３
０をＧＭＲ構造１１の上方にかつ磁気的に近接配置し
て、導電リード部材２０ａ、２０ｂ及び磁束ガイドヨー
ク部分１４ａ、１４ｂを流れるセンス電流を供給する電
源１７を示している。
バイアスが導電手段により与えられるようにした本発明
の別の実施例を示している。図２Ａにおいて、参照符号
３０は導電体を示しており、これによりバイアス電流が
伝導されて、バイアス磁場をＧＭＲ積層構造１１上に、
ヨーク部材１４、１５を通る磁場により生成される磁場
と平行な向きに生成する。図２Ｂは、バイアス導電体３
０をＧＭＲ構造１１の上方にかつ磁気的に近接配置し
て、導電リード部材２０ａ、２０ｂ及び磁束ガイドヨー
ク部分１４ａ、１４ｂを流れるセンス電流を供給する電
源１７を示している。
【００１４】図３Ａ及び図３Ｂは、永久磁石３５の形態
をなす永久磁石バイアス手段を用いた本発明の更に別の
実施例を示している。永久磁石３５は、当業者に周知の
ようにバイアス磁界を発生させる。
をなす永久磁石バイアス手段を用いた本発明の更に別の
実施例を示している。永久磁石３５は、当業者に周知の
ようにバイアス磁界を発生させる。
【図１】Ａ図は本発明の実施例を示す概略斜視図、Ｂ図
はＡ図の実施例の磁気及び電気要素を概略的に示す平面
図である。
はＡ図の実施例の磁気及び電気要素を概略的に示す平面
図である。
【図２】Ａ図は、バイアス電流を伝導する導電体により
磁気バイアスが与えられる本発明の別の実施例を示す斜
視図、Ｂ図は、Ａ図の実施例の磁気及び電気要素を示す
概略図である。
磁気バイアスが与えられる本発明の別の実施例を示す斜
視図、Ｂ図は、Ａ図の実施例の磁気及び電気要素を示す
概略図である。
【図３】Ａ図は、永久磁石を用いた本発明の更に別の実
施例を示す斜視図、Ｂ図はＡ図の実施例の磁気及び電気
要素を示す概略図である。
施例を示す斜視図、Ｂ図はＡ図の実施例の磁気及び電気
要素を示す概略図である。
１１ ＧＭＲ積層体構造 １１ｂ 強磁性層 １１ｃ 非磁性／反強磁性金属層 １１ｄ バッファ層 １４ 下側磁束ガイドヨーク部材 １４ａ、１４ｂ 下側磁束ガイドヨーク部分 １４ｄ 面 １５ 上側磁束ガイドヨーク部材 １５ｄ 面 １７ 電源 １８ 増幅器 ２０ａ、２０ｂ 導体リード部材 ２１ 永久磁石手段 ３０ バイアス導電体 ３５ 永久磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デレク・ジャン・クローズ アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94539，フリーモント，キノールト・ウェ イ・185
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気記録媒体と共働する多層巨大磁気抵
抗型薄膜変換器であって、 第１の磁束ガイド部材と該第１磁束ガイド部材から離隔
された第２磁束ガイド部材とを有し、前記第１及び第２
磁束ガイド部材の端部が、互いに離隔されて、磁気記録
媒体に近接して設けられる変換ギャップを形成し、かつ
一方の前記磁束ガイド部材が２個の分割部分を有する磁
気ヨークと、 前記磁気記録媒体により前記磁気ヨーク内に誘導される
磁束の通路内に位置するように、前記一方の磁束ガイド
部材の前記２個の分割部分間に配置され、かつ前記変換
ギャップから離隔された多層巨大磁気抵抗構造とを備
え、 前記巨大磁気抵抗構造が、前記各分割部分が前記多層磁
気抵抗構造の電気リードとして動作するように、前記一
方の磁束ガイド部材の前記２個の分割部分と電気的に接
続され、それにより前記多層巨大磁気抵抗構造及び前記
磁束ガイド部材の前記分割部分の中を通過する電流が、
前記多層巨大磁気抵抗構造の多数の層の平面内を流れる
ようになっており、 前記多層巨大磁気抵抗構造が、強磁性材料の層と、銅、
銀及び金からなる群から選択した１つの金属からなる層
との複数の対からなり、 前記各強磁性材料層が前記選択金属のいずれかの前記層
に近接して配置され、かつ前記巨大磁気抵抗構造に磁気
バイアスを与えるために、前記多層巨大磁気抵抗構造に
磁気的に近接して配置された磁気バイアス手段を更に備
えることを特徴とする多層巨大磁気抵抗型薄膜変換器。 - 【請求項２】 前記磁気バイアス手段が、前記巨大磁気
抵抗構造の両側に配置された永久磁石手段からなること
を特徴とする請求項１記載の多層巨大磁気抵抗型薄膜変
換器。 - 【請求項３】 前記磁気バイアス手段が、前記多層巨大
磁気抵抗構造に磁気的に近接させて、かつバイアス電流
を搬送する前記第１及び第２磁束ガイド部材間に配置さ
れた導電体からなることを特徴とする請求項１記載の多
層巨大磁気抵抗型薄膜変換器。 - 【請求項４】 前記磁気バイアス手段が、前記磁気抵抗
構造の上側に配置された永久磁石手段からなり、それに
より前記永久磁石手段の磁化方向が、前記多層磁気抵抗
構造の前記層と平行な平面内の向きで、かつ前記第１及
び第２磁束ガイド部材に平行又は垂直な向きをなすこと
を特徴とする請求項１記載の多層巨大磁気抵抗型薄膜変
換器。 - 【請求項５】 バッファ材料の層を更に備え、前記磁気
抵抗構造が前記バッファ材料層の上に配置され、それに
より前記磁気抵抗構造の磁気抵抗が効果的に増大するよ
うにしたことを特徴とする請求項１記載の多層巨大磁気
抵抗型薄膜変換器。 - 【請求項６】 前記磁気バイアス手段が、前記多層磁気
抵抗構造の両側に配置された永久磁石からなることを特
徴とする請求項５記載の多層巨大磁気抵抗型薄膜変換
器。 - 【請求項７】 前記磁気バイアス手段が、前記多層巨大
磁気抵抗構造に磁気的に近接させて、かつバイアス電流
を搬送する前記第１及び第２磁束ガイド部材間に配置さ
れた導電体からなることを特徴とする請求項５記載の多
層巨大磁気抵抗型薄膜変換器。 - 【請求項８】 前記磁気バイアス手段が、前記多層磁気
抵抗構造の上側に配置された永久磁石手段からなり、そ
れにより前記永久磁石手段の磁化方向が、前記多層磁気
抵抗構造の前記層と平行な平面内の向きで、かつ前記第
１及び第２磁束ガイド部材に平行又は垂直な向きをなす
ことを特徴とする請求項５記載の多層巨大磁気抵抗型薄
膜変換器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US60023896A | 1996-02-12 | 1996-02-12 | |
| US08/600,238 | 1996-02-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1011721A true JPH1011721A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=24402832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4458197A Pending JPH1011721A (ja) | 1996-02-12 | 1997-02-12 | 多層巨大磁気抵抗型薄膜変換器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0789250A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1011721A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438341B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2004-07-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 요크형 재생 자기 헤드 및 그 제조 방법, 및 자기 디스크장치 |
| US6888705B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-05-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS) |
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| US7616411B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-11-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current perpendicular to plane (CPP) magnetoresistive sensor having a flux guide structure and synthetic free layer |
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| JP2004363157A (ja) | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 薄膜磁気センサ及びその製造方法 |
| US7019371B2 (en) | 2004-01-26 | 2006-03-28 | Seagate Technology Llc | Current-in-plane magnetic sensor including a trilayer structure |
| US7839605B2 (en) | 2005-11-13 | 2010-11-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Electrical signal-processing device integrating a flux sensor with a flux generator in a magnetic circuit |
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| DE3820475C1 (ja) | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| DE69106334T2 (de) * | 1990-12-10 | 1995-05-04 | Hitachi Ltd | Mehrsicht Film mit magnetoresistiven Effekt und magnetoresitives Element. |
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-
1997
- 1997-02-04 EP EP97101731A patent/EP0789250A3/en not_active Withdrawn
- 1997-02-12 JP JP4458197A patent/JPH1011721A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0789250A3 (en) | 1997-10-01 |
| EP0789250A2 (en) | 1997-08-13 |
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