JPH10119032A

JPH10119032A - 劈開性を持つ単結晶インゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方法

Info

Publication number: JPH10119032A
Application number: JP28096496A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Ikehara; 正博池原
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-10-23
Filing date: 1996-10-23
Publication date: 1998-05-12
Anticipated expiration: 2016-10-23
Also published as: JP3280869B2

Abstract

(57)【要約】【課題】単結晶インゴッドを切断してウェハを製造す
る際に必要となる、劈開性を持つ単結晶インゴットの切
断加工時の結晶方位合わせを容易かつ安全に行うことの
できる方法を得る。【解決手段】劈開性を持つ単結晶インゴット１のサイ
ズ不足部分ｓを結晶端より順次面方位出しの目的で予備
切断していき、その切片（１ａ₁、１ａ₂・・）におけ
る劈開面に可視レーザ光１８を照射してその入出射角φ
を測定し、該測定値から所望の切断面と予備切断面との
角度差に関する情報を得、該情報に基づき単結晶インゴ
ットの切断加工時の結晶方位合わせを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、劈開性を持つ単結
晶インゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方法に関
し、特に、劈開性を持つ単結晶インゴットをウェハ状に
切断加工するに際して、面方位出しのための予備切断中
における、劈開面を利用した結晶方位合わせ情報を利用
することにより、結晶方位合わせを、安全かつ簡便に精
度よく、短い手順で行うことを可能とした結晶方位合わ
せ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】単結晶インゴッドを切断してウェハを製
造する場合、所望の結晶方位を割り出す必要があり、そ
のために、先ず単結晶インゴットの予備切断を行い、そ
の切断面にＸ線照射装置からのＸ線を入射して出射Ｘ線
で起こっている干渉の解析により、所望の結晶方位を割
り出すＸ線回析法を利用することが行われている（格子
面間隔が既知である被切断結晶における所望の切断結晶
面間隔をｄ、用いる単色Ｘ線の波長をλ、入射角をθと
すると、ｎλ＝２ｄsin θ（ただし、ｎは整数）の条件
が満たされるとき、位相の一致が起こる〔Bragg's Law]
現象を利用する方法）。

【０００３】単結晶インゴッドの予備切断には、通常、
図６に示すような内周刃ソー１０が用いられ、切断に際
して、単結晶インゴット１はグラファイト製の結晶貼り
付け台２に貼り付けられ、その状態で、内周先端にダン
ヤモンド粒塗布部３を持つ内周刃４を配置した内周刃ソ
ー１０の固定用治具１１に取り付けられる。そして、前
記固定用治具１１を図示しない移動手段により内周刃４
の中心から放射方向に移動させることにより、単結晶イ
ンゴット１の予備切断片を前記グラファイト製の結晶貼
り付け台２と共に切り出す。その後、予備切断された切
断面から得られる前記Ｘ線回析による結晶方位情報を基
に、内周刃ソー１０の持つ角度調整機構（図示されな
い）を調整して、内周刃ソー１０の固定用治具１１の角
度を所望の角度にセットし、内周刃ソー１０による単結
晶インゴット１本体からのウェハの切断加工を行う。

【０００４】他の方法では、前記予備切断された後の単
結晶インゴット１本体を貼り付けた結晶貼り付け台２
を、内周刃ソー１０の固定用治具１１から取り外し、そ
れを本切断装置である図７に示すようなマルチワイヤー
ソー２０の固定用治具２１に取り付け、前記予備切断で
得られた結晶方位情報をもとに、マルチワイヤーソー２
０の持つ角度調整機構（図示されない）を調整して、マ
ルチワイヤーソー２０の固定用治具２１の角度を所望の
角度にセットし、ウェハの本切断加工を行う。なお、図
７において、５は切断体としてのワイヤであり、螺旋状
の溝を周囲に形成したワークローラ６、６に所定の間隔
で巻き付けられていて、ワークローラ６、６の回転によ
りワイヤ５を単結晶インゴット１に摺接移動させなが
ら、単結晶インゴット１をウェハに切断する。７は切断
面に砥液を供給するための砥液供給管である。

【０００５】また、結晶方位をＸ線ではなく光学的手段
によって割り出す方法及び装置も知られており、例え
ば、試料台上に載置した結晶試料に対して、入射光線を
スクリーンのピンホールを通して投射し、試料台を調節
して入射光線に対する結晶試料の方向を調節し、１つ又
は複数の光像をスクリーンのピンホール部分に順次一致
させ、それぞれの場合の角度を記録・計算することによ
って該結晶試料における結晶方位を測定するようにした
ものが知られている（例えば実公昭６３−１５８１２号
公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線を用いる方
法は、取り扱いに慎重を要し、また、装置が大型かつ高
価でありメンテナンスが容易でなく、さらに、放射線被
爆量チェック等作業の安全性確保に留意することが求め
られている。また、Ｘ線はビームが極端に細く絞り込ま
れるために、ビームが照射される微小部分の情報を得る
のには適しているが、反面、限られた部分の情報である
ことから、被測定面の形成に注意を払う必要があった。

【０００７】また、予備切断時及び本切断時に、単結晶
インゴットを貼り付けたグラファイト製の結晶貼り付け
台２を切断装置側の取付け治具（１１、２１）に直接取
り付けるようにしていたために、精度維持が困難であ
り、結局それぞれの時点で結晶方位調整のための作業を
必要し、作業が複雑化していた。

【０００８】従って、本発明の目的は、単結晶インゴッ
ドを切断してウェハを製造する際に必要となる結晶方位
合わせを容易かつ安全に行うことのできるようにした方
法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、
単一の切断装置（例えば、内周刃ソー）により予備切断
と本切断を行う場合であっても、予備切断を内周刃ソー
で行い本切断を別の切断装置（例えば、マルチワイヤー
ソー）で行う場合であっても、面方位割り出しのための
予備切断時に得られる結晶方位情報をそのまま本切断時
での単結晶インゴットの位置決めに利用できるように
し、それにより、一度の切断面の調整でもって、ウェハ
の切断加工をすべて終えることを可能とする、単結晶イ
ンゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方法を提供する
ことにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】半導体結晶は大別すると
単元素半導体と化合物半導体に分けられ、単元素半導体
（ＳｉやＧｅ等）は劈開性を有しないが、ＧａＰやＧａ
Ａｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やＺｎＳ等のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体は劈開性を有し、その劈開面は、研
磨によって得られる面とは異なり、原子の面によって作
られるきわめて平坦な面である。

【００１０】一方、レーザ光（可視レーザ光）は優れた
直進性を持ち、レーザ光自身安全であると共に、レーザ
光発信・受信装置はＸ線回析装置と比較して小型かつ安
全である。さらに、レーザ光のビームは１〜２ｍｍφ程
度の広い面積を照射できるため、被測定面の形成に特別
の注意を払うことなく幅広い面からの情報を一時に得る
ことができる。

【００１１】本発明は、前記劈開性を持つ単結晶インゴ
ットの該「劈開面」の特性と「レーザ光（可視レーザ
光）」の持つ特性とを有効に利用して所期の目的を達成
しようとするものであり、そのために、結晶方位割り出
しのための方法及び装置としては前記したような光学的
手段によって結晶方位を割り出す方法及び装置を基本的
に利用し、かつ、レーザ光の照射面としては単結晶イン
ゴットが持つサイズ不足部分を予備切断していく過程で
得られる切片における劈開面を面方位出しの目的で利用
するようにしている。

【００１２】すなわち、本発明は、基本的に、劈開性を
持つ単結晶インゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方
法であって、該単結晶インゴットのサイズ不足部分を結
晶端より順次面方位出しの目的で予備切断していき、そ
の切片における劈開面に可視レーザ光を照射してその入
出射角を測定して結晶方位に関する情報を得、該面方位
出しのための予備切断中の情報に基づき当該単結晶イン
ゴットの本切断時における結晶方位合わせを行うことを
特徴とする。

【００１３】本発明において、前記面方位出しのための
予備切断と本切断とを同じ切断装置（例えば、内周刃ソ
ー）により行うようにしてもよく、前記面方位出しのた
めの予備切断を内周刃ソーで行い、本切断を他の切断装
置（例えば、マルチワイヤーソー）で行うようにしても
よい。さらに、本発明においては、前記特定の結晶方位
を出すべき切断面と前記予備切断面との角度差に関する
情報（すなわち、結晶方位面に関する情報）は、予備切
断された切片のみから得られるので、予備切断の過程で
必要な情報を得ることが可能となると共に、単結晶イン
ゴットの前記内周刃ソーへの固定用治具と前記マルチワ
イヤーソーへの固定用治具とを共通化することが可能と
なり、内周刃ソーでの面方位出しのための予備切断後の
単結晶インゴットをその単結晶インゴットを貼り付けた
固定用治具と共に前記マルチワイヤーソーに移動するこ
とによって、マルチワイヤーソー側での角度調整を省略
することも可能となる。

【００１４】また、上記のように、本発明ではＸ線を使
用しないことから、面方位出しのための予備切断及びウ
ェハの切断加工を安全かつ容易に行うことができ、ま
た、装置自体を低コスト化することが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明による劈開性を持つ
単結晶インゴット切断加工時の結晶方位合わせ方法を、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＰ（ガリウム燐）
を例に取り詳細に説明する。

【００１６】図１に示すように、ＧａＰ等のインゴット
は通常Ｂ₂Ｏ₃（酸化硼素）等の液体封止による引き上げ
法（ＬＥＣ法）等によって、５〜１０ｍｍ角×５ｃｍ程
度の小さい種結晶１’から成長させた結晶１であり、一
般にその外形は図１に示すような砲弾型をしており、結
晶端部にはウェハに求められる大きさに満たないサイズ
不足部分１ｓがある。その部分は切り捨てられるが、切
り捨てに際して、結晶成長後の熱膨張率に起因して結晶
に内在する歪みによって結晶にクラックが入ることを防
ぐために、結晶端より薄く所定の幅で順次スライスして
いくことが行われる。

【００１７】本発明は、この切り捨てられる部分（すな
わちサイズ不足部分１ｓ）の切片（１ａ₁、１ａ₂、１
ａ₃・・）を有効に利用するものであり、該切り捨てら
れる切片を割った際に現れる、切断面（予備切断面）に
直交又はそれに近い角度で交わる劈開面をレーザ光照射
面として用いる。

【００１８】例えば、切断面に直交する劈開面を利用す
る場合であって、利用する劈開面同志（少なくとも２面
が必要とされる）が直交する場合（例えば、｛１００｝
面での切断時における｛１１０｝劈開面）は、図２
（ａ）のＸ面（７）又は（８）とＹ面（９）又は（１
０）の２面をレーザ光反射に利用し、また、利用する劈
開面同志が直交しない場合（例えば、｛１１１｝面での
切断時における｛１１０｝劈開面）は、図２（ｂ）のＸ
面（１１）又は（１２）とＹ’面（１３）又は（１４）
又は（１５）又は（１６）の２面をレーザ光反射に利用
する。

【００１９】なお、図２（ａ）のＸ面（７）又は（８）
は、前記｛１１０｝劈開面のうち、Ｘ軸に直交するもの
であり、Ｙ面（９）又は（１０）は、前記｛１１０｝劈
開面のうち、Ｙ軸と直交するものである。

【００２０】図２（ｂ）のＸ面（１１）又は（１２）
は、前記｛１１０｝劈開面のうち、Ｘ軸と直交するもの
であり、Ｙ’面（１３）又は（１４）又は（１５）又は
（１６）は、｛１１０｝劈開面のうち、Ｙ’軸と直交す
るものである。ただし、ここで、Ｙ’軸は、Ｘ軸と直交
するＹ軸に対しＸ−Ｙ平面に±３０°回転した位置にあ
り、Ｘ軸と直交する｛１１０｝劈開面以外の｛１１０｝
劈開面に直交する。

【００２１】次に、前記した劈開面に可視レーザ光を照
射してその入射角・出射角を測定する測定系について説
明する。図３（ａ）は該測定系の一例を示しており、図
において、３１はウェハ台であり、レーザ光を散乱させ
ずに良く反射する材料（例えば、加工性が良く、プリズ
ム等に利用されるガラスや合成石英に、Ａｕ等の金属を
コーティングしたもの）で作られている。そして、その
上面であるウェハ設置面３１Ｈとレーザ光反射面３１Ｖ
とが直交するように加工されている。さらに、該ウェハ
台３１はウェハ角度及び高さ調節台３２に搭載されてい
る。４１はレーザ光発振器であり、可視レーザ光１８が
前記ウェハ台３１のレーザ光反射面３１Ｖに照射するよ
うに配置される。

【００２２】レーザ光発振器４１とウェハ台３１の間で
あってレーザ光発振器４１の直前には、図３（ｂ）に示
すようなルーラー５０を配置する。該ルーラー５０にお
いて、５１は発信レーザ光１８の通過孔であり、５２は
目盛りである。また、１８ａはウェハ台３１側への入射
光路を、１８ｂはウェハ台３１側からの出射光路を示し
ている。

【００２３】測定に際して、先ず、レーザ光発振器４１
から発信し前記ルーラー５０の開孔５１を通過する入射
光路１８ａの位置と、ウェハ台３１のレーザ光反射面３
１Ｖに当たって反射し、ルーラー５０に達した出射光路
１８ｂの位置との２軸方向の距離ｈ、ｗ（図３（ｂ））
が、ｈ＝０かつｗ≒０となるように、前記ウェハ角度及
び高さ調節台３２を調節する。なお、このとき、ｗはウ
ェハ台３１のレーザ光反射面３１Ｖとルーラー５０の距
離Ｌ（図３（ａ））に対して十分小さいことが望ましく
（すなわち、１００ｗ＜Ｌ）、また、レーザ光１８はそ
の中心位置が肉眼で見定めやすいよう、１ｍｍφ近傍の
ビームであることが好ましい。

【００２４】図示しない制御機構によりウェハ角度及び
高さ調節台３２の位置を調節後、前記予備切断した切片
１ａを、その劈開面がレーザ光反射面３１Ｖとほぼ同一
平面上にくるようにして、ウェハ台３１のウェハ設置面
３１Ｈ上に置く。そして、ウェハ角度及び高さ調節台３
２を操作して切片１ａの高さを下げ、レーザ光１８ａが
切片１ａの劈開面に当たるようにし、出射光１８ｂがル
ーラー５０に達したときの前記距離ｈを読み取る。

【００２５】レーザ光１８の入射角・出射角をそれぞれ
φとすると、ｔａｎ２φ＝ｈ／Ｌであり、φ＝ｔａｎ^-1
（ｈ／Ｌ）／２として求められる。今、例えは、所望の
切断結晶面が(111) 面であり、劈開面が(110) 面と(10
1) 面と(011) 面である場合、所望の切断結晶面と劈開
面とのなす角をθとすると、θはそれぞれの面の法線ベ
クトルの内積（式１）により、ｃｏｓθ＝２／（２^1/2
×２^1/2）＝１、であり、θ＝９０°となる。（式１）（ａ，ｂ）＝｜ａ｜×｜ｂ｜×ｃｏｓθ（ただ
し、θはベクトルａとベクトルｂとのなす角）

【００２６】従って、（所望の切断結晶面）⊥（劈開
面）であり、かつ、予備切断面とレーザ光軸とは平行で
あるので、予備切断面と所望の切断結晶面とのなす角ψ
と前記角φとの関係は、図２（ａ）のＸ軸やＹ軸及び図２（ｂ）のＸ軸を含む
平面内では、ψ＝φｃｏｓ０°、であり、図２（ｂ）のＹ軸を含む平面内では、ψ＝φｃｏｓ３
０°、となる。

【００２７】すなわち、の場合、(110) 面、(101)
面、(011) 面はそれぞれ１２０°で交わるため、Ｙ’軸
はＹ軸と３０°の角度をなし、従って、Ｙ’軸を含みＸ
−Ｙ平面に垂直な平面で測定されたφのＹ軸成分を求め
るためには、ｃｏｓ３０°との積を求める必要がある。

【００２８】本発明によれば、上記のようにして、単結
晶インゴットのサイズ不足部分を結晶端より順次面方位
出しの目的で予備切断していき、該切片に対して順次上
記のような処理を行うことにより、予備切断面を所望の
切断面に一致させるに必要な情報（すなわち、Ｘ軸又は
Ｙ軸を含み、かつＸ−Ｙ平面に垂直な面内での角度修正
量）が明らかになるために、予備切断を行った単結晶イ
ンゴットを切断装置である例えば内周刃ソーの取り付け
治具から取り外すことなく、内周刃ソーの角度調節機構
を利用して、特定の結晶方位を出すべき所望の切断面と
実際の予備切断面との角度差を調整し、内周刃ソーによ
る本切断によって所望の結晶方位を持つウェハを確実に
切削加工することができる。その際に、上記の面方位出
しのための予備切断を結晶先端から数センチにわたり数
回にわたって行い、各予備切断切片毎に角度調整を行う
ことにより、無理なく面精度を上げていくことが可能と
なる。

【００２９】次に、面方位出しのための予備切断に内周
ソーを用い、本切断にはマルチワイヤーソーを用いて、
劈開性を持つ単結晶インゴットの切断加工を行う場合に
ついて説明する。前記のようにして内周刃ソーでの予備
切断時に、該予備切断面を所望の結晶面に一致させるた
めに必要な情報（すなわち、Ｘ軸又はＹ軸を含み、かつ
Ｘ−Ｙ平面に垂直な面内での角度修正量）が明らかにさ
れる。この情報をそのまま本切断装置であるマルチワイ
ヤーソーで利用できるように、本実施の態様では、単結
晶インゴットを内周刃ソーに固定するに当たって、図４
に示すようなＳＵＳのような高い加工精度を出すことが
でき、かつ形状変形性の少ない材料で作られた治具対を
用いる。

【００３０】図４において、６０は切断装置側（例え
ば、内周刃ソー１０側）に固定される取り付け治具であ
り、後記するように、互いに９０°で位置するＸ面６１
とＹ面６２、及び内周刃ソー１０の図示しない機枠への
固定面となる水平部６３とを有する。素材はＳＵＳであ
り、Ｘ面６１とＹ面６２には、通常ウェハに要求される
結晶方位精度である±０．５°を十分上回る、例えば±
０．０５°程度の精度を維持することができるように、
十分な精度で平面加工が施される。

【００３１】７０は前記取り付け治具６０に着脱自在に
取り付けられるインゴット取り付け用の結晶固定治具で
あり、取り付け治具６０のＸ面６１とＹ面６２に当接す
るＸ面７１とＹ面７２とを有し、該Ｘ面７１とＹ面７２
は取り付け治具６０のＸ面６１とＹ面６２と同じ精度で
の平面加工が施される。また、この例でのＸ面７１と反
対側の面はインゴット１の取り付け面７３とされ、該面
７３には、単結晶インゴット１を貼り付けたグラファイ
ト製の結晶貼り付け台２が適宜の取り付け手段により固
定される。

【００３２】図５は前記取り付け治具６０及び結晶固定
治具７０を用いて、従来の内周刃ソーで予備切断する状
態を示している。まず、従来と同様に単結晶インゴット
１を貼り付けたグラファイト製の結晶貼り付け台２を、
前記結晶固定治具７０の面７３に、その下端部を結晶固
定治具７０の下端よりも下方に位置させた状態で固着し
たものを用意し、それを、図示しない固定ネジ等によ
り、内周刃ソー１０側に固定した取り付け治具６０に装
着する。その状態で、単結晶インゴット１のサイズ不足
部分１ｓに対して予備切断を行い、図５に示すように、
内周刃４により、グラファィト製の結晶貼り付け台２’
と共にインゴット１を予備切断して、予備切断切片１ａ
を得る。この予備切断切片１ａに対して前記した測定系
を用いて、所望の切断面と予備切断面との角度差に関す
る情報を得る。この予備切断は複数段について順次行わ
れ、その際に、予備切断終了となるポイント１ｘの位置
は、安全をみて結晶固定治具７０の下端から数ｍｍオー
バーハングするようにセットする。このようにすること
により、予備切断で切り落とさないインゴット部分はＳ
ＵＳ製の結晶固定治具７０により堅固に支持されること
となり必要とされる精度を確保される。

【００３３】切断面を所望の結晶面に一致させるために
必要な情報が、劈開面でのレーザー光反射測定から求め
られた後に、前記結晶固定治具７０を内周刃ソー１０に
固定してある取り付け治具６０から外し、結晶固定治具
７０と共にインゴット１をマルチワイヤーソー２０側に
移載する。図示されないが、マルチワイヤーソー側で
も、前記取り付け治具６０と同じ取り付け治具が機枠側
に固定されており、該取り付け治具に対して、前記結晶
固定治具７０を装着する。このようにして、結晶インゴ
ット１を貼り付けた治具７０を内周刃ソー１０での予備
切断加工時とマルチワイヤーソー２０での本切断加工時
に共有することにより、結晶インゴットを単一の治具７
０に貼り付けたまま、結晶方位精度が狂わない状態で、
移動することが可能となる。

【００３４】上記の説明は本発明による劈開性を持つ単
結晶インゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方法の好
ましい幾つかの実施の形態の説明であって、他に多くの
変形例が存在する。例えば、前記では、レーザ光による
測定面をＸ面、Ｙ面でそれぞれ１面、計２面について行
うようにしているが、これは一例であって、レーザ光を
用いた結晶面精度を上げるために、例えば図２（ａ）の
Ｘ面の測定を行う場合、（７）と（８）の両方で測定を
行い、前記ｈの０からのずれを補正するようにして、さ
らに精度を向上させるようにしてもよい。また、劈開面
にレーザ光を照射してその入出射角を測定する手法も、
図示のようなルーラーを用いた測定法に限らず、適宜の
光センサーを用いかつ適宜のコンピュータにより必要情
報を演算するような手法であってもよい。

【００３５】

【発明の効果】上記のとおりであり、本発明によれば、
劈開性を有する単結晶インゴッドを切断してウェハを製
造する際に必要となる結晶方位の割り出しを容易かつ安
全に行うことのでき、また、単一の切断装置により予備
切断と本切断を行う場合であっても、別々の切断装置で
行う場合であっても、面方位出しのための予備切断時で
得られる結晶方位情報をそのまま容易に本切断時での単
結晶インゴットの位置決めに利用することができる利点
がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】結晶成長させた状態の劈開性をもつ単結晶イン
ゴットを説明する図。

【図２】劈開性を持つ単結晶インゴットの切断面と劈開
面との位置関係を説明する図。

【図３】本発明による測定系（図ａ）及び用いるルーラ
ー（図ｂ）を説明する図であり、図ｂは図ａのＡ−Ａ方
向から見た状態を示している。

【図４】切断装置に単結晶インゴットを取り付けるため
の治具を示す斜視図。

【図５】切断装置に図４の治具を用いて単結晶インゴッ
トを取り付けた状態を説明する図。

【図６】内周刃ソーを用いて単結晶インゴットを予備切
断する従来装置を説明する図。

【図７】マルチワイヤーソーを用いて単結晶インゴット
を本切断する状態を説明する図。

【符号の簡単な説明】

１…劈開性を持つ単結晶インゴット、１ａ…予備切断さ
れた劈開性を持つ単結晶の切片、２…グラファィト製の
結晶貼り付け台２、３…ダンヤモンド粒塗布部、４…内
周刃、１１…取り付け治具、１０…内周刃ソー、５…ワ
イヤ、６…ワークローラ、７…砥液供給管、２１…取り
付け治具、２０…マルチワイヤーソー、３１…ウェハ
台、３１Ｈ…ウェハ設置面、３１Ｖ…レーザ光反射面、
３２…ウェハ角度及び高さ調節台、４１…レーザ光発振
器、１８…レーザ光、５０…ルーラー、５１…レーザ光
通過孔、５２…目盛り、６０…切断装置に固定される取
り付け治具、７０…結晶固定用治具

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】劈開性を持つ単結晶インゴットの切断加
工時の結晶方位合わせ方法であって、該単結晶インゴッ
トのサイズ不足部分を結晶端より順次面方位出しの目的
で予備切断していき、その切片における劈開面に可視レ
ーザ光を照射してその入出射角を測定して結晶方位に関
する情報を得、該面方位出しのための予備切断中の情報
に基づき当該単結晶インゴットの本切断時における結晶
方位合わせを行うことを特徴とする、劈開性を持つ単結
晶インゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方法。
【請求項２】前記予備切断を内周刃ソーで行い、本切
断をマルチワイヤーソーで行うことを特徴とする請求項
１記載の劈開性を持つ単結晶インゴット切断加工時の結
晶方位合わせ方法。
【請求項３】単結晶インゴットの前記内周刃ソーへの
固定用治具と前記マルチワイヤーソーへの固定用治具と
を共通化し、内周刃ソーでの面方位出しのための予備切
断後の単結晶インゴットをその単結晶インゴットを貼り
付けた固定用治具と共に前記マルチワイヤーソーに移載
することを特徴とする請求項２記載の劈開性を持つ単結
晶インゴット切断加工時の結晶方位合わせ方法。
【請求項４】劈開性を持つ単結晶インゴットの切断加
工時の結晶方位合わせ方法であって、該単結晶インゴットを角度調節機構を持つ切断機構に装
着する工程、装着した単結晶インゴットのサイズ不足部分を結晶端よ
り順次面方位出しの目的で予備切断して切片を得る工
程、該切片における劈開面を顕出させる工程、該顕出した劈開面の交差する２面について、それぞれ可
視レーザ光を照射してその入反射角φを求め、該入反射
角φから、現在の切断面と所望の切断結晶面とのＸ軸又
はＹ軸を含みかつＸ−Ｙ平面に垂直な面内での角度修正
量を算出する工程、該算出された角度修正情報に基づき、該切断機構の角度
調節機構を調整して単結晶インゴットの切断加工時の結
晶方位合わせを行う工程、を含むことを特徴とする劈開性を持つ単結晶インゴット
の切断加工時の結晶方位合わせ方法。
【請求項５】前記所望の切断結晶面が｛１００｝面で
あり、レーザ光を照射する劈開面が｛１１０｝面である
直交する２面であることを特徴とする請求項４記載の劈
開性を持つ単結晶インゴットの切断加工時の結晶方位合
わせ方法。
【請求項６】前記所望の切断結晶面が｛１１１｝面で
あり、レーザ光を照射する劈開面が｛１１０｝面である
交差する２面であり、該２面の交差角度に応じた座標軸
変換を行ってＸ軸又はＹ軸を含みかつＸ−Ｙ平面に垂直
な面内での角度修正量を算出することを特徴とする請求
項４記載の劈開性を持つ単結晶インゴットの切断加工時
の結晶方位合わせ方法。
【請求項７】請求項４ないし６いずれか記載の方法に
おける面方位出しのための予備切断を行う角度調節機構
を持つ切断機構が内周刃ソーであり、該内周刃ソーにお
いて本切断加工時の結晶方位に合わせられた単結晶イン
ゴットを、該単結晶インゴット固定用治具ごとマルチワ
イヤーソーに移載することによって本切断加工時の結晶
方位合わせとすることを特徴とする劈開性を持つ単結晶
インゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方法。