JPH10119294A - インクジェット式記録ヘッドの流路基板の製造方法 - Google Patents
インクジェット式記録ヘッドの流路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH10119294A JPH10119294A JP29783696A JP29783696A JPH10119294A JP H10119294 A JPH10119294 A JP H10119294A JP 29783696 A JP29783696 A JP 29783696A JP 29783696 A JP29783696 A JP 29783696A JP H10119294 A JPH10119294 A JP H10119294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching pattern
- pattern
- supply port
- ink supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い精度の流路抵抗のインク供給口をシリコ
ン単結晶基板に形成すること。 【解決手段】 圧力発生室となる第１のエッチングパタ
ーンＰ１と、インク供給口を挟んで形成される第２のエ
ッチングパターンＰ２とを、第２のエッチングパターン
Ｐ２が、その幅が第１のエッチングパターンの幅よりも
狭くＷ１−ΔＷ０、かつ第１のエッチングパターンＰ１
の境界線Ｓ，Ｓよりも内側に位置するようにシリコン単
結晶基板に形成する。第２のエッチングパターンＰ２が
第１のエッチングパターンＰ１の境界線よりも内側に位
置しているため、インク供給口となる領域のエッチング
が第１のエッチングパターンＰ１の幅Ｗ１で停止する。
ン単結晶基板に形成すること。 【解決手段】 圧力発生室となる第１のエッチングパタ
ーンＰ１と、インク供給口を挟んで形成される第２のエ
ッチングパターンＰ２とを、第２のエッチングパターン
Ｐ２が、その幅が第１のエッチングパターンの幅よりも
狭くＷ１−ΔＷ０、かつ第１のエッチングパターンＰ１
の境界線Ｓ，Ｓよりも内側に位置するようにシリコン単
結晶基板に形成する。第２のエッチングパターンＰ２が
第１のエッチングパターンＰ１の境界線よりも内側に位
置しているため、インク供給口となる領域のエッチング
が第１のエッチングパターンＰ１の幅Ｗ１で停止する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、ノズル開口に連通
する圧力発生室とリザーバとこれらを接続するインク供
給口を備えた流路形成基板をシリコン単結晶基板により
製造するための方法に関する。
する圧力発生室とリザーバとこれらを接続するインク供
給口を備えた流路形成基板をシリコン単結晶基板により
製造するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】インクジェット式記録ヘッドは、図４に
示したように外部からインクの供給を受けるリザーバＡ
と、圧力発生手段Ｂにより加圧されてノズル開口Ｃから
インク滴を吐出させる圧力発生室Ｄと、リザーバＡのイ
ンクを圧力発生室Ｄに供給するインク供給口Ｅ、通孔Ｊ
とを形成する流路形成基板Ｆと、これの一方の面を封止
する弾性板Ｇと、他方の面を封止するノズルプレートＨ
を積層して構成されている。そして流路形成基板Ｆは、
比較的簡単に精密加工を行うことができるシリコン単結
晶基板を異方性エッチングする方法により製造されてい
る。
示したように外部からインクの供給を受けるリザーバＡ
と、圧力発生手段Ｂにより加圧されてノズル開口Ｃから
インク滴を吐出させる圧力発生室Ｄと、リザーバＡのイ
ンクを圧力発生室Ｄに供給するインク供給口Ｅ、通孔Ｊ
とを形成する流路形成基板Ｆと、これの一方の面を封止
する弾性板Ｇと、他方の面を封止するノズルプレートＨ
を積層して構成されている。そして流路形成基板Ｆは、
比較的簡単に精密加工を行うことができるシリコン単結
晶基板を異方性エッチングする方法により製造されてい
る。
【０００３】このように、シリコン単結晶基板の異方性
エッチングにより流路基板を形成する場合には、インク
吐出性能に大きく関与するインク供給口をいかに精密に
加工することが課題となる。すなわち、インク供給口
は、リザーバのインクを圧力発生室にスムーズに供給す
る一方、圧力発生室が加圧された場合には圧力を逃がす
ことなくノズル開口からインク滴として吐出させる機能
が必要となり、インクジェット式記録ヘッドの印刷品質
を左右する大きな要素である。
エッチングにより流路基板を形成する場合には、インク
吐出性能に大きく関与するインク供給口をいかに精密に
加工することが課題となる。すなわち、インク供給口
は、リザーバのインクを圧力発生室にスムーズに供給す
る一方、圧力発生室が加圧された場合には圧力を逃がす
ことなくノズル開口からインク滴として吐出させる機能
が必要となり、インクジェット式記録ヘッドの印刷品質
を左右する大きな要素である。
【０００４】このインク供給口を圧力発生室と同程度の
幅ｗとする一方、その深さを浅くしてノズル開口と同程
度の流路抵抗を持たせる方法が採られていた。これによ
れば、可及的に幅の広いエッチングパターンを使用する
ことができるため、パターンの精度を確保でき、また深
さΔｄについてはエッチング時間を管理することにより
精密に管理することができる長所がある。
幅ｗとする一方、その深さを浅くしてノズル開口と同程
度の流路抵抗を持たせる方法が採られていた。これによ
れば、可及的に幅の広いエッチングパターンを使用する
ことができるため、パターンの精度を確保でき、また深
さΔｄについてはエッチング時間を管理することにより
精密に管理することができる長所がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このインク供給口Ｅ
は、図５（イ）に示したように圧力発生室Ｄとインク供
給口Ｅを挟む通孔Ｊとを同一幅Ｗ１パターンＰ３、Ｐ４
を形成して片面から他方の面までエッチングし、次いで
これらパターンＰ３、Ｐ４で挟まれた領域をハーフエッ
チングすることにより、幅Ｗ１の凹部として形成されて
いる。
は、図５（イ）に示したように圧力発生室Ｄとインク供
給口Ｅを挟む通孔Ｊとを同一幅Ｗ１パターンＰ３、Ｐ４
を形成して片面から他方の面までエッチングし、次いで
これらパターンＰ３、Ｐ４で挟まれた領域をハーフエッ
チングすることにより、幅Ｗ１の凹部として形成されて
いる。
【０００６】しかしながら、異方性エッチングの特性
上、一方のエッチングパターン、例えば通孔Ｊを形成す
るパターンＰ３が他方のエッチングパターンＰ１に対し
て点線で示したように位置ズレΔＬしている場合には、
図５（ロ）に示したようにインク供給口Ｅが圧力発生室
Ｄの第１のエッチングパターンＰ３と第２のエッチング
パターンＰ４との線が接する位置まで拡大してエッチン
グを受けるため、インク供給口Ｅが所期の幅Ｗ１よりも
若干量ΔＷ拡大してしまい、インク供給口Ｅの流路抵抗
が変動してインク吐出能力にバラつきが生じ、印字品質
の低下を招くという問題がある。
上、一方のエッチングパターン、例えば通孔Ｊを形成す
るパターンＰ３が他方のエッチングパターンＰ１に対し
て点線で示したように位置ズレΔＬしている場合には、
図５（ロ）に示したようにインク供給口Ｅが圧力発生室
Ｄの第１のエッチングパターンＰ３と第２のエッチング
パターンＰ４との線が接する位置まで拡大してエッチン
グを受けるため、インク供給口Ｅが所期の幅Ｗ１よりも
若干量ΔＷ拡大してしまい、インク供給口Ｅの流路抵抗
が変動してインク吐出能力にバラつきが生じ、印字品質
の低下を招くという問題がある。
【０００７】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、その目的とするところは、エッチングパ
ターンの位置ズレに関わりなくインク供給口の拡幅を防
止して高い精度の流路抵抗を備えたインクジェット式記
録ヘッドの流路形成基板の製造方法を提案することであ
る。
ものであって、その目的とするところは、エッチングパ
ターンの位置ズレに関わりなくインク供給口の拡幅を防
止して高い精度の流路抵抗を備えたインクジェット式記
録ヘッドの流路形成基板の製造方法を提案することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような問題を解消す
るために本発明においては、圧力発生室となる第１のエ
ッチングパターンと、インク供給口を挟んで形成される
第２のエッチングパターンとを、第２のエッチングパタ
ーンが、その幅が第１のエッチングパターンの幅よりも
狭く、かつ第１のエッチングパターンの境界線よりも内
側に位置するようにシリコン単結晶基板に形成する第１
の工程と、第１、第２のエッチングパターンが形成され
た面から他方の面に到達するまで異方性エッチングする
第２の工程と、第１のエッチングパターンと第２のエッ
チングパターンにより挟まれた領域をインク供給口に適
した深さまで異方性エッチングする第３の工程とを備え
るようにした。
るために本発明においては、圧力発生室となる第１のエ
ッチングパターンと、インク供給口を挟んで形成される
第２のエッチングパターンとを、第２のエッチングパタ
ーンが、その幅が第１のエッチングパターンの幅よりも
狭く、かつ第１のエッチングパターンの境界線よりも内
側に位置するようにシリコン単結晶基板に形成する第１
の工程と、第１、第２のエッチングパターンが形成され
た面から他方の面に到達するまで異方性エッチングする
第２の工程と、第１のエッチングパターンと第２のエッ
チングパターンにより挟まれた領域をインク供給口に適
した深さまで異方性エッチングする第３の工程とを備え
るようにした。
【０００９】
【作用】第２のエッチングパターンが第１のエッチング
パターンの境界線よりも内側に位置しているため、イン
ク供給口となる領域は、各パターンによる最外側の線、
つまり第１のエッチングパターンの幅でエッチングが停
止する。
パターンの境界線よりも内側に位置しているため、イン
ク供給口となる領域は、各パターンによる最外側の線、
つまり第１のエッチングパターンの幅でエッチングが停
止する。
【００１０】
【発明の実施の形態】そこで以下に本発明の詳細を図示
した実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の一実
施例を示すものであって、表面が結晶方位（１１０）と
なるように切り出されたシリコン単結晶基板１を熱酸化
し、全表面に１μｍ程度のＳiＯ2層２、３を形成した母
材４を用意する。このＳiＯ2層２、３、シリコン単結晶
基板１はエッチングする際のエッチング保護膜としても
機能する（I）。
した実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の一実
施例を示すものであって、表面が結晶方位（１１０）と
なるように切り出されたシリコン単結晶基板１を熱酸化
し、全表面に１μｍ程度のＳiＯ2層２、３を形成した母
材４を用意する。このＳiＯ2層２、３、シリコン単結晶
基板１はエッチングする際のエッチング保護膜としても
機能する（I）。
【００１１】圧力発生室Ｄの並び方向が結晶方位（１１
２）となるようにフオトレジスト５を形成して図２、図
３に示したように圧力発生室Ｄとなる幅Ｗ１を有する第
１のエッチングパターンＰ１と、インク供給口Ｅとなる
領域を挟む通孔Ｊとなる第２のエッチングパターンＰ２
とを形成する。このとき第２のエッチングパターンＰ２
を、第１のエッチングパターンＰ１の幅Ｗ１よりも狭い
幅Ｗ２とするとともに、第１のエッチングパターンＰ１
の幅方向の境界線Ｓ，Ｓよりも内側に位置するように形
成する（II）。
２）となるようにフオトレジスト５を形成して図２、図
３に示したように圧力発生室Ｄとなる幅Ｗ１を有する第
１のエッチングパターンＰ１と、インク供給口Ｅとなる
領域を挟む通孔Ｊとなる第２のエッチングパターンＰ２
とを形成する。このとき第２のエッチングパターンＰ２
を、第１のエッチングパターンＰ１の幅Ｗ１よりも狭い
幅Ｗ２とするとともに、第１のエッチングパターンＰ１
の幅方向の境界線Ｓ，Ｓよりも内側に位置するように形
成する（II）。
【００１２】ついで、弗化水素酸と塩化アンモニウムを
１：６の割合で混合した緩衝弗酸液を用いてＳiＯ2層２
を除去して、上述のエッチングパターンＰ１、Ｐ２に一
致した異方性エッチング用の窓パターンＰ１’、Ｐ２’
を形成する（III）。
１：６の割合で混合した緩衝弗酸液を用いてＳiＯ2層２
を除去して、上述のエッチングパターンＰ１、Ｐ２に一
致した異方性エッチング用の窓パターンＰ１’、Ｐ２’
を形成する（III）。
【００１３】インク供給口Ｅ、及びリザーバＡを形成す
る領域のフォトレジスト５を再除去して５分程度前述の
緩衝弗酸液によりこの領域のＳiＯ2層６、７を厚さ約
０．５μｍ程度にまで薄くする（IV）。
る領域のフォトレジスト５を再除去して５分程度前述の
緩衝弗酸液によりこの領域のＳiＯ2層６、７を厚さ約
０．５μｍ程度にまで薄くする（IV）。
【００１４】フォトレジスト５を除去した後、母材４を
８０°Ｃ程度に加熱した１０％の水酸化カリウム溶液に
浸漬して異方性エッチングを実行する。エッチングが他
方のＳiＯ2層３まで進行すると、圧力発生室Ｄ及び通孔
ＪとなるパターンＰ１’及びパターンＰ２’に対応した
凹部が形成される。
８０°Ｃ程度に加熱した１０％の水酸化カリウム溶液に
浸漬して異方性エッチングを実行する。エッチングが他
方のＳiＯ2層３まで進行すると、圧力発生室Ｄ及び通孔
ＪとなるパターンＰ１’及びパターンＰ２’に対応した
凹部が形成される。
【００１５】同時に保護膜として機能したＳiＯ2層２、
６、７も約０．４μｍ程度がエッチングを受けて無くな
り、結局インク供給口Ｅ、及びリザーバＡを形成する領
域のＳiＯ2層６、７が０．１μｍ程度に、またＳiＯ2層
２が０．６μｍ程度の厚さで残る（V）。
６、７も約０．４μｍ程度がエッチングを受けて無くな
り、結局インク供給口Ｅ、及びリザーバＡを形成する領
域のＳiＯ2層６、７が０．１μｍ程度に、またＳiＯ2層
２が０．６μｍ程度の厚さで残る（V）。
【００１６】前述の母材４を緩衝弗酸液に０．１μｍの
ＳiＯ2層を除去できる程度の時間、例えば１分程度浸潰
して、インク供給口Ｅ及びリザーバＡが形成される領域
のＳiＯ2層６、７を除去する。又、他の領域のＳiＯ2膜
２については厚さ０．５μｍ程度の層２’が残る（V
I）。
ＳiＯ2層を除去できる程度の時間、例えば１分程度浸潰
して、インク供給口Ｅ及びリザーバＡが形成される領域
のＳiＯ2層６、７を除去する。又、他の領域のＳiＯ2膜
２については厚さ０．５μｍ程度の層２’が残る（V
I）。
【００１７】母材４を約４０％の水酸化カリウム溶液に
再び侵潰して異方性エッチングを行なってインク供給口
Ｅ、及びリザーバＡの領域を選択的に再度エッチングす
る（VII）。
再び侵潰して異方性エッチングを行なってインク供給口
Ｅ、及びリザーバＡの領域を選択的に再度エッチングす
る（VII）。
【００１８】このとき、第２のエッチングパターンＰ
２’が前述したように第１のエッチングパターンＰ１’
の境界線Ｓ，Ｓよりも内側に位置しているため、インク
供給口Ｅとなる領域は、各パターンによる最外側の線、
つまり第１のエッチングパターンＰ１’の幅Ｗ１でエッ
チングが停止する。
２’が前述したように第１のエッチングパターンＰ１’
の境界線Ｓ，Ｓよりも内側に位置しているため、インク
供給口Ｅとなる領域は、各パターンによる最外側の線、
つまり第１のエッチングパターンＰ１’の幅Ｗ１でエッ
チングが停止する。
【００１９】これにより、第１のエッチングパターンＰ
１と第２のエッチングパターンＰ２との間での位置ズレ
が、第２のエッチングパターンＰ２が第１のエッチング
パターンＰ１の境界線Ｓ，Ｓの範囲内に収まっていれ
ば、図３に示したようにインク供給口Ｅの幅が圧力発生
室Ｄと同一の幅Ｗ１として形成されることになる。
１と第２のエッチングパターンＰ２との間での位置ズレ
が、第２のエッチングパターンＰ２が第１のエッチング
パターンＰ１の境界線Ｓ，Ｓの範囲内に収まっていれ
ば、図３に示したようにインク供給口Ｅの幅が圧力発生
室Ｄと同一の幅Ｗ１として形成されることになる。
【００２０】したがって、第２回目に行うハーフエッチ
ングのエッチング量、通常はエッチング時間を管理する
ことにより所望の流路抵抗を備えたインク供給口Ｅを形
成することができる。なお、インク供給口Ｅとリザーバ
Ａとの間に位置する通孔Ｊの幅が若干狭くなっていると
しても、インク供給口Ｅよりも深いため、インク滴吐出
性能を左右する程の流路抵抗の変化を引き起こすことは
ない。
ングのエッチング量、通常はエッチング時間を管理する
ことにより所望の流路抵抗を備えたインク供給口Ｅを形
成することができる。なお、インク供給口Ｅとリザーバ
Ａとの間に位置する通孔Ｊの幅が若干狭くなっていると
しても、インク供給口Ｅよりも深いため、インク滴吐出
性能を左右する程の流路抵抗の変化を引き起こすことは
ない。
【００２１】最後に残存しているＳiＯ2層２’、３を緩
衝弗酸液により除去すると、流路形成基板が完成する
（VIII）。
衝弗酸液により除去すると、流路形成基板が完成する
（VIII）。
【００２２】なお、エッチングパターンＰ１をエッチン
グパターンＰ２の幅よりも狭くしてパターンＰ２内に位
置させるようにしても、インク供給口の幅を所望の幅に
規制できるが、エッチングパターンＰ１により形成すべ
き圧力発生室の形状が変化するため、コンプライアンス
等のインク吐出性能に関る、インク供給口の流路抵抗よ
りも大きなファクタが変化してしまうので、好ましくな
い。
グパターンＰ２の幅よりも狭くしてパターンＰ２内に位
置させるようにしても、インク供給口の幅を所望の幅に
規制できるが、エッチングパターンＰ１により形成すべ
き圧力発生室の形状が変化するため、コンプライアンス
等のインク吐出性能に関る、インク供給口の流路抵抗よ
りも大きなファクタが変化してしまうので、好ましくな
い。
【００２３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明において
は、圧力発生室となる第１のエッチングパターンと、イ
ンク供給口を挟んで形成される第２のエッチングパター
ンとを、第２のエッチングパターンが、その幅が第１の
エッチングパターンの幅よりも狭く、かつ第１のエッチ
ングパターンの境界線よりも内側に位置するようにシリ
コン単結晶基板に形成する第１の工程と、第１、第２の
エッチングパターンが形成された面から他方の面に到達
するまで異方性エッチングする第２の工程と、第１のエ
ッチングパターンと第２のエッチングパターンにより挟
まれた領域をインク供給口に適した深さまで異方性エッ
チングする第３の工程とを備えたので、第２のエッチン
グパターンが第１のエッチングパターンの境界線よりも
内側に位置することになり、インク供給口となる領域の
エッチングを第１のエッチングパターンの幅で停止させ
ることができる。
は、圧力発生室となる第１のエッチングパターンと、イ
ンク供給口を挟んで形成される第２のエッチングパター
ンとを、第２のエッチングパターンが、その幅が第１の
エッチングパターンの幅よりも狭く、かつ第１のエッチ
ングパターンの境界線よりも内側に位置するようにシリ
コン単結晶基板に形成する第１の工程と、第１、第２の
エッチングパターンが形成された面から他方の面に到達
するまで異方性エッチングする第２の工程と、第１のエ
ッチングパターンと第２のエッチングパターンにより挟
まれた領域をインク供給口に適した深さまで異方性エッ
チングする第３の工程とを備えたので、第２のエッチン
グパターンが第１のエッチングパターンの境界線よりも
内側に位置することになり、インク供給口となる領域の
エッチングを第１のエッチングパターンの幅で停止させ
ることができる。
【図１】図（I）乃至（VIII）は、それぞれ本発明の流
路形成基板の製造工程を示す図である。
路形成基板の製造工程を示す図である。
【図２】シリコン単結晶基板を用いて流路形成基板を構
成するための、エッチングパターンの一実施例を示す図
である。
成するための、エッチングパターンの一実施例を示す図
である。
【図３】同上パターンにより異方性エッチングを行なっ
た結果を示す図である。
た結果を示す図である。
【図４】シリコン単結晶基板を異方性エッチングにより
構成された流路形成基板を用いたインクジェット式記録
ヘッドの一例を、１つの圧力発生室の断面で示す図であ
る。
構成された流路形成基板を用いたインクジェット式記録
ヘッドの一例を、１つの圧力発生室の断面で示す図であ
る。
【図５】図（イ）、（ロ）は、それぞれ従来の流路形成
基板を形成する際のエッチングパターンと、エッチング
により形成されたインク供給口を示す図である。
基板を形成する際のエッチングパターンと、エッチング
により形成されたインク供給口を示す図である。
１ シリコン単結晶基板 ２、３ ＳｉＯ2 ４ 母材 ５ フォトレジスト ６、７ ＳｉＯ2 Ｐ１、Ｐ１’ 第１のエッチングパターン Ｐ２、Ｐ２’ 第２のエッチングパターン Ａ リザーバ Ｂ 圧力発生手段 Ｃ ノズル開口 Ｄ 圧力発生室 Ｅ インク供給口 Ｆ 流路形成基板 Ｇ 弾性板 Ｈ ノズルプレート Ｊ 通孔
Claims (2)
- 【請求項１】 圧力発生室となる第１のエッチングパタ
ーンと、インク供給口を挟んで形成される第２のエッチ
ングパターンとを、第２のエッチングパターンが、その
幅が第１のエッチングパターンの幅よりも狭く、かつ第
１のエッチングパターンの境界線よりも内側に位置する
ようにシリコン単結晶基板に形成する第１の工程と、 第１、第２のエッチングパターンが形成された面から他
方の面に到達するまで異方性エッチングする第２の工程
と、 第１のエッチングパターンと第２のエッチングパターン
により挟まれた領域をインク供給口に適した深さまで異
方性エッチングする第３の工程と、 を備えたインクジェット式記録ヘッドの流路基板の製造
方法。 - 【請求項２】 前記第３の工程においてリザーバを同時
に形成する請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッ
ドの流路基板の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29783696A JPH10119294A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | インクジェット式記録ヘッドの流路基板の製造方法 |
| US08/954,088 US6290341B1 (en) | 1996-10-18 | 1997-10-20 | Ink jet printing head which prevents the stagnation of ink in the vicinity of the nozzle orifices |
| EP97118151A EP0839654B1 (en) | 1996-10-18 | 1997-10-20 | Ink-jet printing head and method of manufacturing the same |
| DE69727255T DE69727255T2 (de) | 1996-10-18 | 1997-10-20 | Tintenstrahldruckkopf und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP01103094A EP1108545B1 (en) | 1996-10-18 | 1997-10-20 | Ink jet printing head and method of manufacturing the same |
| DE69710411T DE69710411T2 (de) | 1996-10-18 | 1997-10-20 | Tintenstrahldruckkopf und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US09/908,633 US6789319B2 (en) | 1996-10-18 | 2001-07-20 | Method of manufacturing an ink jet print head |
| US10/915,442 US7153442B2 (en) | 1996-10-18 | 2004-08-11 | Method of manufacturing an ink jet print head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29783696A JPH10119294A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | インクジェット式記録ヘッドの流路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10119294A true JPH10119294A (ja) | 1998-05-12 |
Family
ID=17851791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29783696A Pending JPH10119294A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-21 | インクジェット式記録ヘッドの流路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10119294A (ja) |
-
1996
- 1996-10-21 JP JP29783696A patent/JPH10119294A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5385635A (en) | Process for fabricating silicon channel structures with variable cross-sectional areas | |
| US5308442A (en) | Anisotropically etched ink fill slots in silicon | |
| JP4671200B2 (ja) | インクジェットプリントヘッドの製造方法 | |
| JPH0529638B2 (ja) | ||
| KR20080033111A (ko) | 잉크 젯 프린트 헤드 및 잉크 젯 프린트 헤드의 제조 방법 | |
| JPH0655733A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
| US6910272B2 (en) | Method of manufacturing an ink jet recording head | |
| US6875365B2 (en) | Method for producing liquid discharge head | |
| US6290341B1 (en) | Ink jet printing head which prevents the stagnation of ink in the vicinity of the nozzle orifices | |
| US7560039B2 (en) | Methods of deep reactive ion etching | |
| EP1361065B1 (en) | Method of manufacturing a printer head having an electrostatic actuator | |
| EP1075389A1 (en) | Method of manufacturing ink-jet printer head | |
| JPH10119294A (ja) | インクジェット式記録ヘッドの流路基板の製造方法 | |
| JP2007526138A (ja) | スロット形成方法及び流体噴射装置 | |
| JP4993731B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
| JP2003053700A (ja) | シリコン結晶異方性エッチング方法、インク流路板製造方法、インク流路板、インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリンタ | |
| JP4074784B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP7520622B2 (ja) | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2004106199A (ja) | インクジェットヘッドのノズル形成方法 | |
| JP2000127382A (ja) | インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置 | |
| JP2002240293A (ja) | 液滴噴射記録装置およびシリコン構造体の製造方法 | |
| JPH07137266A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP2002326360A (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
| JP3564853B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法およびそのヘッドを用いたプリンタ | |
| JP2007160927A (ja) | パリレンマスクを用いたシリコン湿式エッチング方法及びこの方法を用いたインクジェットプリントヘッドのノズルプレートの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031008 |