JPH10121040A - 新規な光刺激可能な蛍燐光体 - Google Patents
新規な光刺激可能な蛍燐光体Info
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- JPH10121040A JPH10121040A JP9291799A JP29179997A JPH10121040A JP H10121040 A JPH10121040 A JP H10121040A JP 9291799 A JP9291799 A JP 9291799A JP 29179997 A JP29179997 A JP 29179997A JP H10121040 A JPH10121040 A JP H10121040A
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- ray
- photostimulable
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- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/779—Halogenides
- C09K11/7791—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/7728—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7732—Halogenides
- C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
- Y10S430/168—X-ray exposure process
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透過性放射線に露呈された後に光刺激で蛍光
を発する貯蔵蛍燐光体を提供すること。 【解決手段】 本発明は式： Ｂａ1-x-y-p-3q-zＳｒxＭy 2+Ｍ2p 1+Ｍ2q 3+Ｆ2-a-bＢｒa
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
およびＬｕよりなる群から選択される少なくとも１種の
金属であり、０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ＜０.１０、０＜
ｐ＜０.３、０＜ｑ＜０.１、０.０５＜ａ＜０.７６、
０.２０＜ｂ＜０.９０、ａ＋ｂ＜１.００および１０ -6
＜ｚ＜０.２である］に従う光刺激可能な蛍燐光体を提
供する。
を発する貯蔵蛍燐光体を提供すること。 【解決手段】 本発明は式： Ｂａ1-x-y-p-3q-zＳｒxＭy 2+Ｍ2p 1+Ｍ2q 3+Ｆ2-a-bＢｒa
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ
およびＬｕよりなる群から選択される少なくとも１種の
金属であり、０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ＜０.１０、０＜
ｐ＜０.３、０＜ｑ＜０.１、０.０５＜ａ＜０.７６、
０.２０＜ｂ＜０.９０、ａ＋ｂ＜１.００および１０ -6
＜ｚ＜０.２である］に従う光刺激可能な蛍燐光体を提
供する。
Description
【０００１】
【発明の分野】本発明は透過性放射線に露呈された後に
光刺激(photostimulation)で蛍光を発生する貯蔵蛍燐光
体(storage phosphor)に関する。
光刺激(photostimulation)で蛍光を発生する貯蔵蛍燐光
体(storage phosphor)に関する。
【０００２】
【発明の背景】ラジオグラフィー(radiography)では、
被写体の内部がＸ線、ガンマ線および高エネルギー素粒
子放射線、例えばベータ線、電子線または中性子放射線
の種類に属する電離放射線としても知られる高エネルギ
ー放射線である透過性放射線により再現される。透過性
放射線から可視光線および／または紫外線への転換のた
めには、蛍燐光体と称する蛍光物質が使用される。
被写体の内部がＸ線、ガンマ線および高エネルギー素粒
子放射線、例えばベータ線、電子線または中性子放射線
の種類に属する電離放射線としても知られる高エネルギ
ー放射線である透過性放射線により再現される。透過性
放射線から可視光線および／または紫外線への転換のた
めには、蛍燐光体と称する蛍光物質が使用される。
【０００３】従来のラジオグラフシステムでは、被写体
の中を像通りに透過しそしていわゆる増感スクリーン
（Ｘ線転換スクリーン）の中で対応する強度の光に転換
させるＸ線によりＸ線写真が得られ、そこでは蛍燐光体
が透過したＸ線を吸収しそしてそれらを可視光線および
／または紫外放射線に転換させ、それに対する写真フィ
ルムの感度はＸ線の直接衝突に対するものより大きい。
の中を像通りに透過しそしていわゆる増感スクリーン
（Ｘ線転換スクリーン）の中で対応する強度の光に転換
させるＸ線によりＸ線写真が得られ、そこでは蛍燐光体
が透過したＸ線を吸収しそしてそれらを可視光線および
／または紫外放射線に転換させ、それに対する写真フィ
ルムの感度はＸ線の直接衝突に対するものより大きい。
【０００４】実際には、該スクリーンにより像通りに発
生した光が接触している写真ハロゲン化銀乳剤層フィル
ムを照射し、該フィルムを露光後に現像して内部にＸ線
像に相当する銀像を形成する。
生した光が接触している写真ハロゲン化銀乳剤層フィル
ムを照射し、該フィルムを露光後に現像して内部にＸ線
像に相当する銀像を形成する。
【０００５】例えば米国特許第３,８５９,５２７号に記
載されているようにさらに最近では、Ｘ線照射でのそれ
らの中間発光（早期発光）の他にＸ線エネルギーの大部
分を一時的に貯蔵する性質を有する光刺激可能な貯蔵蛍
燐光体を使用するＸ線記録システムが開発されている。
該エネルギーは光刺激により光刺激で使用される光とは
異なる波長の蛍光の形態で遊離する。該Ｘ線記録システ
ムでは、光刺激で発生した光は光電子的に検出されそし
て連続的な電気信号に転換される。
載されているようにさらに最近では、Ｘ線照射でのそれ
らの中間発光（早期発光）の他にＸ線エネルギーの大部
分を一時的に貯蔵する性質を有する光刺激可能な貯蔵蛍
燐光体を使用するＸ線記録システムが開発されている。
該エネルギーは光刺激により光刺激で使用される光とは
異なる波長の蛍光の形態で遊離する。該Ｘ線記録システ
ムでは、光刺激で発生した光は光電子的に検出されそし
て連続的な電気信号に転換される。
【０００６】光刺激可能な貯蔵蛍燐光体を用いて操作さ
れるそのようなＸ線像形成システムの基本的な構成部品
は、Ｘ線エネルギーパターンを一時的に貯蔵する通常は
板またはパネルの中に該蛍燐光体を粒子形で含有する像
形成センサー、光刺激用の走査レーザービーム、その後
にデジタル時間級数の信号に転換されるアナログ信号を
与える光電子式光検出器、一般的には像をデジタル式に
処理するデジタル像処理器、信号記録器、例えば磁気デ
ィスクまたはテープ、および写真フィルムまたは電子信
号表示装置、例えば陰極線管、の変調露光用の像記録器
である。光刺激可能な蛍光潜像の読み取りにおいて有用
なレーザーの概観は定期刊行の Research Disclosure D
ecember 1989, item 308117 に示されている。
れるそのようなＸ線像形成システムの基本的な構成部品
は、Ｘ線エネルギーパターンを一時的に貯蔵する通常は
板またはパネルの中に該蛍燐光体を粒子形で含有する像
形成センサー、光刺激用の走査レーザービーム、その後
にデジタル時間級数の信号に転換されるアナログ信号を
与える光電子式光検出器、一般的には像をデジタル式に
処理するデジタル像処理器、信号記録器、例えば磁気デ
ィスクまたはテープ、および写真フィルムまたは電子信
号表示装置、例えば陰極線管、の変調露光用の像記録器
である。光刺激可能な蛍光潜像の読み取りにおいて有用
なレーザーの概観は定期刊行の Research Disclosure D
ecember 1989, item 308117 に示されている。
【０００７】上記の像記録および再現方法の用途におい
て特に興味あるものは米国特許第４,２３９,９６８号で
同定されている特定のフルオロハロゲン化バリウム蛍燐
光体である。
て特に興味あるものは米国特許第４,２３９,９６８号で
同定されている特定のフルオロハロゲン化バリウム蛍燐
光体である。
【０００８】米国特許第４,２３９,９６８号によると、
（ｉ）可視光線または赤外線で刺激可能な蛍燐光体に被
写体の中を通過する放射線を吸収させ、（ii）該蛍燐光
体を可視光線および赤外線から選択される刺激線で刺激
して内部に貯蔵された放射エネルギーを蛍光として放出
させる段階を含んでなる放射線像(radiation image)を
記録および再現する方法であって、該蛍燐光体が式： (Ｂａ1-xＭx II）ＦＸ：ｙＡ ［式中、ＭIIはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄの１
つもしくはそれ以上であり、ＸはＢｒ、ＣｌまたはＩの
１つもしくはそれ以上であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、
Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、ＹｂおよびＥｒよりな
る群からの少なくとも１員であり、そしてｘは０＜ｘ＜
０.６の範囲でありそしてｙは０＜ｙ＜０.２の範囲であ
る］により表されるアルカリ土類金属フルオロハロゲン
化物蛍燐光体の群から選択される少なくとも１種の蛍燐
光体であること、並びに該刺激線の波長が５００ｎｍよ
り小さくないことを特徴とする方法が特許請求されてい
る。該米国特許では、グラフが刺激線の波長と刺激され
た光の蛍光、すなわち刺激スペクトル、との間の関係を
示しており、それからこの種の蛍燐光体がＨｅ−Ｎｅレ
ーザービーム（６３３ｎｍ）の刺激光に対する高い光刺
激感度を有するが５００ｎｍより下では劣悪な光刺激可
能性を有することがわかる。刺激される光（蛍光）は３
５０〜４５０ｎｍの波長範囲で刺激され、約３９０ｎｍ
にピークを有する（定期刊行の Radiology, Sept. 198
3, p.834 参照）。
（ｉ）可視光線または赤外線で刺激可能な蛍燐光体に被
写体の中を通過する放射線を吸収させ、（ii）該蛍燐光
体を可視光線および赤外線から選択される刺激線で刺激
して内部に貯蔵された放射エネルギーを蛍光として放出
させる段階を含んでなる放射線像(radiation image)を
記録および再現する方法であって、該蛍燐光体が式： (Ｂａ1-xＭx II）ＦＸ：ｙＡ ［式中、ＭIIはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄの１
つもしくはそれ以上であり、ＸはＢｒ、ＣｌまたはＩの
１つもしくはそれ以上であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、
Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、ＹｂおよびＥｒよりな
る群からの少なくとも１員であり、そしてｘは０＜ｘ＜
０.６の範囲でありそしてｙは０＜ｙ＜０.２の範囲であ
る］により表されるアルカリ土類金属フルオロハロゲン
化物蛍燐光体の群から選択される少なくとも１種の蛍燐
光体であること、並びに該刺激線の波長が５００ｎｍよ
り小さくないことを特徴とする方法が特許請求されてい
る。該米国特許では、グラフが刺激線の波長と刺激され
た光の蛍光、すなわち刺激スペクトル、との間の関係を
示しており、それからこの種の蛍燐光体がＨｅ−Ｎｅレ
ーザービーム（６３３ｎｍ）の刺激光に対する高い光刺
激感度を有するが５００ｎｍより下では劣悪な光刺激可
能性を有することがわかる。刺激される光（蛍光）は３
５０〜４５０ｎｍの波長範囲で刺激され、約３９０ｎｍ
にピークを有する（定期刊行の Radiology, Sept. 198
3, p.834 参照）。
【０００９】ラジオグラフィーでは、像形成法のどれに
でも言えるように、記録された像の信号−対−雑音比は
できるだけ高くなければならない。
でも言えるように、記録された像の信号−対−雑音比は
できるだけ高くなければならない。
【００１０】デジタルラジオグラフィーで使用されるＢ
ａＦＢｒ：Ｅｕ2+貯蔵蛍燐光体は一般的な医学ラジオグ
ラフィーに適する３０〜１２０ｋｅＶの範囲の相対的に
高いＸ線吸収を有しており、その吸収は例えばＬａＯＢ
ｒ：Ｔｍ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：ＴｂおよびＹＴａＯ4：Ｎｂの
如きスクリーン／フィルムラジオグラフィーで使用され
る最も即座に発色する蛍燐光体のＸ線吸収より低い。従
って、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：ＴｂまたはＹＴ
ａＯ4：Ｎｂスクリーンは同じ厚さを有するＢａＦＢ
ｒ：Ｅｕスクリーンより多量の照射Ｘ線を吸収するであ
ろう。ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：ＴｂまたはＹＴ
ａＯ4：Ｎｂスクリーンを用いて製造される像であるＸ
線像の、吸収されたＸ線投与量の平方根に比例する、信
号対雑音比（ＳＮＲ）は同じ厚さを有するＢａＦＢｒ：
Ｅｕスクリーンを用いて製造される像より雑音が少ない
であろう。より厚いスクリーンを使用する時には、より
多量のＸ線が吸収されるであろう。しかしながら、より
厚いスクリーンの使用はスクリーン中のより長い距離に
わたる光の拡散をもたらし、像解像度の悪化をもたら
す。この理由のために、米国特許第４,２３９,９６８号
に開示されているようにＢａＦＢｒスクリーンを使用す
るデジタルラジオグラフィーを用いて製造されるＸ線像
はスクリーン／フィルムラジオグラフィーを用いて製造
される像より雑音の大きい印象を与える。
ａＦＢｒ：Ｅｕ2+貯蔵蛍燐光体は一般的な医学ラジオグ
ラフィーに適する３０〜１２０ｋｅＶの範囲の相対的に
高いＸ線吸収を有しており、その吸収は例えばＬａＯＢ
ｒ：Ｔｍ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：ＴｂおよびＹＴａＯ4：Ｎｂの
如きスクリーン／フィルムラジオグラフィーで使用され
る最も即座に発色する蛍燐光体のＸ線吸収より低い。従
って、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：ＴｂまたはＹＴ
ａＯ4：Ｎｂスクリーンは同じ厚さを有するＢａＦＢ
ｒ：Ｅｕスクリーンより多量の照射Ｘ線を吸収するであ
ろう。ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：ＴｂまたはＹＴ
ａＯ4：Ｎｂスクリーンを用いて製造される像であるＸ
線像の、吸収されたＸ線投与量の平方根に比例する、信
号対雑音比（ＳＮＲ）は同じ厚さを有するＢａＦＢｒ：
Ｅｕスクリーンを用いて製造される像より雑音が少ない
であろう。より厚いスクリーンを使用する時には、より
多量のＸ線が吸収されるであろう。しかしながら、より
厚いスクリーンの使用はスクリーン中のより長い距離に
わたる光の拡散をもたらし、像解像度の悪化をもたら
す。この理由のために、米国特許第４,２３９,９６８号
に開示されているようにＢａＦＢｒスクリーンを使用す
るデジタルラジオグラフィーを用いて製造されるＸ線像
はスクリーン／フィルムラジオグラフィーを用いて製造
される像より雑音の大きい印象を与える。
【００１１】蛍燐光体スクリーンのＸ線吸収を増加させ
るためのさらに適切な方法は蛍燐光体の固有吸収を増加
させることによるものである。ＢａＦＢｒ：Ｅｕ貯蔵蛍
燐光体では、これは臭素をヨウ素により部分的に置換す
ることにより達成できる。
るためのさらに適切な方法は蛍燐光体の固有吸収を増加
させることによるものである。ＢａＦＢｒ：Ｅｕ貯蔵蛍
燐光体では、これは臭素をヨウ素により部分的に置換す
ることにより達成できる。
【００１２】大量のヨウ素を含有するＢａＦＸ：Ｅｕ蛍
燐光体は例えばＥＰ−Ａ １４２ ７３４に記載されてお
り、その蛍燐光体の一般式はＢａＦ(Ｂｒ1-xＩx)：ｙＥ
ｕであり、そして１０ -3＜ｘ＜１.０である。該特許の
図３には、ＢａＦＸ：Ｅｕ貯蔵蛍燐光体の相対的蛍光が
ヨウ素含有量の関数として示されている。上記開示のそ
の図３から、一般式に従うｘは１.０程度の大きさであ
ることができるが、Ｉによる大部分のＢｒの置換は刺激
時の発光の比較的少ない蛍光を生ずるためＩにより置換
されるＢｒの部分を好適には５０％より高くしてはなら
ないことが明らかである。貯蔵蛍燐光体システムの感度
は貯蔵蛍燐光体蛍光に比例しておりそして高いＸ線吸収
を除いては高いシステム感度が像雑音減少用に必須であ
るため、貯蔵蛍燐光体の相対的蛍光はできるだけ高くす
べきである。従って、ＥＰ−Ａ−１４２ ７３４に開示
されているような蛍燐光体では、ヨウ素の５０％より多
くが蛍燐光体中に含まれている時にはＸ線の比較的高い
吸収による画質における利点は相対的蛍光の減少により
相殺される。
燐光体は例えばＥＰ−Ａ １４２ ７３４に記載されてお
り、その蛍燐光体の一般式はＢａＦ(Ｂｒ1-xＩx)：ｙＥ
ｕであり、そして１０ -3＜ｘ＜１.０である。該特許の
図３には、ＢａＦＸ：Ｅｕ貯蔵蛍燐光体の相対的蛍光が
ヨウ素含有量の関数として示されている。上記開示のそ
の図３から、一般式に従うｘは１.０程度の大きさであ
ることができるが、Ｉによる大部分のＢｒの置換は刺激
時の発光の比較的少ない蛍光を生ずるためＩにより置換
されるＢｒの部分を好適には５０％より高くしてはなら
ないことが明らかである。貯蔵蛍燐光体システムの感度
は貯蔵蛍燐光体蛍光に比例しておりそして高いＸ線吸収
を除いては高いシステム感度が像雑音減少用に必須であ
るため、貯蔵蛍燐光体の相対的蛍光はできるだけ高くす
べきである。従って、ＥＰ−Ａ−１４２ ７３４に開示
されているような蛍燐光体では、ヨウ素の５０％より多
くが蛍燐光体中に含まれている時にはＸ線の比較的高い
吸収による画質における利点は相対的蛍光の減少により
相殺される。
【００１３】ＥＰ−Ａ ５３３ ２３６には、刺激が５５
０ｎｍの光で行われる時には刺激が６００ｎｍの光で行
われる時よりも刺激された光が高い強度を有するような
２価のユウロピウム活性化された刺激可能な蛍燐光体が
特許請求されている。該蛍燐光体では臭素の「少量部
分」が塩素および／またはヨウ素により置換されている
と述べられている。少量部分とは５０原子％より少ない
ことであると理解すべきである。
０ｎｍの光で行われる時には刺激が６００ｎｍの光で行
われる時よりも刺激された光が高い強度を有するような
２価のユウロピウム活性化された刺激可能な蛍燐光体が
特許請求されている。該蛍燐光体では臭素の「少量部
分」が塩素および／またはヨウ素により置換されている
と述べられている。少量部分とは５０原子％より少ない
ことであると理解すべきである。
【００１４】デジタルラジオグラフィーでは、６００ｎ
ｍより高い波長を有する光により非常に効果的に刺激さ
れる光刺激可能な蛍燐光体を使用することが有利であ
り、その理由は刺激のために使用できる小さい確実なレ
ーザー（例えば、Ｈｅ−Ｎｅ、半導体レーザー、固体レ
ーザーなど）の選択範囲が非常に大きいため刺激可能な
蛍燐光体スクリーンを読み取る（刺激する）装置の寸法
がレーザータイプにより指定されないからである。ＥＰ
−Ａ ７０４ ５１１には、 ｉ．光刺激可能な蛍燐光体を含有する放射像貯蔵パネル
に被写体の中を通過したかまたは被写体から放射された
放射線を吸収させ、 ii．該貯蔵パネルを７００〜９００ｎｍの範囲内の波長
を有する電磁波である刺激線に露呈して内部に貯蔵され
た放射エネルギーを発光として放出させ、 iii．発生した光を検出する段階を含んでなる放射像記
録および再現方法であって、該光刺激可能な蛍燐光体が
一般式： Ｂａ1-x-y′′-z-rＳｒxＰｂy′′Ｃｓ2rＥｕzＦ2-a-b
ＢｒaＩb′ ［式中、０＜ｘ＜０.３０、１０ -4＜ｙ′′＜１０-3、
１０ -7＜ｚ＜０.１５、０＜ｒ＜０.０５、０.７５＜ａ
＋ｂ＜１.００、０.０５＜ｂ＜０.２０である］に相当
することを特徴とする方法が開示されている。
ｍより高い波長を有する光により非常に効果的に刺激さ
れる光刺激可能な蛍燐光体を使用することが有利であ
り、その理由は刺激のために使用できる小さい確実なレ
ーザー（例えば、Ｈｅ−Ｎｅ、半導体レーザー、固体レ
ーザーなど）の選択範囲が非常に大きいため刺激可能な
蛍燐光体スクリーンを読み取る（刺激する）装置の寸法
がレーザータイプにより指定されないからである。ＥＰ
−Ａ ７０４ ５１１には、 ｉ．光刺激可能な蛍燐光体を含有する放射像貯蔵パネル
に被写体の中を通過したかまたは被写体から放射された
放射線を吸収させ、 ii．該貯蔵パネルを７００〜９００ｎｍの範囲内の波長
を有する電磁波である刺激線に露呈して内部に貯蔵され
た放射エネルギーを発光として放出させ、 iii．発生した光を検出する段階を含んでなる放射像記
録および再現方法であって、該光刺激可能な蛍燐光体が
一般式： Ｂａ1-x-y′′-z-rＳｒxＰｂy′′Ｃｓ2rＥｕzＦ2-a-b
ＢｒaＩb′ ［式中、０＜ｘ＜０.３０、１０ -4＜ｙ′′＜１０-3、
１０ -7＜ｚ＜０.１５、０＜ｒ＜０.０５、０.７５＜ａ
＋ｂ＜１.００、０.０５＜ｂ＜０.２０である］に相当
することを特徴とする方法が開示されている。
【００１５】しかしながら、ＥＰ−Ａ ７０４ ５１１の
方法により製造されるラジオグラフィーで得られる信号
−対−雑音は依然として改良の余地がある。
方法により製造されるラジオグラフィーで得られる信号
−対−雑音は依然として改良の余地がある。
【００１６】従って、より良好な信号−対−雑音比とよ
り高い速度を与えそして６００ｎｍより上の波長で刺激
可能である刺激可能な蛍燐光体に対する要望が依然とし
て存在する。
り高い速度を与えそして６００ｎｍより上の波長で刺激
可能である刺激可能な蛍燐光体に対する要望が依然とし
て存在する。
【００１７】
【発明の目的および要旨】本発明の目的は、高い強度の
光刺激された発光と高いＸ線吸収を兼備しており、その
結果として、Ｘ線量雑音の水準減少および蛍光雑音の水
準減少により同時に高い鮮鋭さおよび低い雑音量を有す
る像を形成するラジオグラフィーのための貯蔵蛍燐光体
システムを作成可能にする貯蔵蛍燐光体種を提供するこ
とである。
光刺激された発光と高いＸ線吸収を兼備しており、その
結果として、Ｘ線量雑音の水準減少および蛍光雑音の水
準減少により同時に高い鮮鋭さおよび低い雑音量を有す
る像を形成するラジオグラフィーのための貯蔵蛍燐光体
システムを作成可能にする貯蔵蛍燐光体種を提供するこ
とである。
【００１８】本発明の別の目的は、高い強度の光刺激さ
れた発光と高いＸ線吸収を兼備しており、そして６００
ｎｍより上の波長を有する光で刺激される時に光刺激さ
れた発光の高い強度を示す貯蔵蛍燐光体種を提供するこ
とである。
れた発光と高いＸ線吸収を兼備しており、そして６００
ｎｍより上の波長を有する光で刺激される時に光刺激さ
れた発光の高い強度を示す貯蔵蛍燐光体種を提供するこ
とである。
【００１９】本発明の別の目的は、医学診断用のパネル
中で使用することができ、それにより患者に投与される
Ｘ線の投与量を低下させことができ且つ診断像の画質を
高めることができる光刺激可能な蛍燐光体を提供するこ
とである。
中で使用することができ、それにより患者に投与される
Ｘ線の投与量を低下させことができ且つ診断像の画質を
高めることができる光刺激可能な蛍燐光体を提供するこ
とである。
【００２０】本発明の他の目的は、結合剤層の中に分散
されている該光刺激可能な蛍燐光体を含有するＸ線スク
リーンまたはパネルを提供することである。
されている該光刺激可能な蛍燐光体を含有するＸ線スク
リーンまたはパネルを提供することである。
【００２１】本発明の別の目的は、分散させた形態で該
蛍燐光体を含むパネルにより透過性放射線のパターンを
記録および再現する方法であって、それにより６００ｎ
ｍより上の波長を有する光を用いる光刺激で非常に高い
信号−対−雑音比を有する像を形成する方法を提供する
ことである。
蛍燐光体を含むパネルにより透過性放射線のパターンを
記録および再現する方法であって、それにより６００ｎ
ｍより上の波長を有する光を用いる光刺激で非常に高い
信号−対−雑音比を有する像を形成する方法を提供する
ことである。
【００２２】本発明の他の目的および利点は以下の記載
から明らかになるであろう。
から明らかになるであろう。
【００２３】本発明によると、下記の式（Ｉ）： Ｂａ1-x-y-p-3q-zＳｒxＭy 2+Ｍ2p 1+Ｍ2q 3+Ｆ2-a-bＢｒa
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の２価の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙまたは３価のランタ
ニド、例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕよりなる
群から選択される少なくとも１種の３価の金属であり、
０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ＜０.１０、０＜ｐ＜０.３、
０＜ｑ＜０.１、０.０５＜ａ＜０.７６、０.２０＜ｂ＜
０.９０、ａ＋ｂ＜１.００および１０ -6＜ｚ＜０.２で
ある］の範囲内にある光刺激可能な蛍燐光体が提供され
る。
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の２価の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙまたは３価のランタ
ニド、例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕよりなる
群から選択される少なくとも１種の３価の金属であり、
０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ＜０.１０、０＜ｐ＜０.３、
０＜ｑ＜０.１、０.０５＜ａ＜０.７６、０.２０＜ｂ＜
０.９０、ａ＋ｂ＜１.００および１０ -6＜ｚ＜０.２で
ある］の範囲内にある光刺激可能な蛍燐光体が提供され
る。
【００２４】好適な態様では、０.０６＜ｘ＜０.２０で
ありそして０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６である。
ありそして０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６である。
【００２５】別の好適な態様では、０.０６＜ｘ＜０.２
０であり、０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６であり、Ｍ1+がＣ
ｓまたはＲｂであり、Ｍ2+がＰｂであり、１０ -4＜ｙ＜
１０-3であり、１０ -4＜ｐ＜１０-1でありそしてｑ＝０
である。
０であり、０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６であり、Ｍ1+がＣ
ｓまたはＲｂであり、Ｍ2+がＰｂであり、１０ -4＜ｙ＜
１０-3であり、１０ -4＜ｐ＜１０-1でありそしてｑ＝０
である。
【００２６】
【発明の詳細な記述】蛍燐光体中に存在する弗素のモル
量が臭素およびヨウ素の合計モル量より高い式（Ｉ）に
従う光刺激可能な蛍燐光体において、刺激が観察された
後に許容できないほどの蛍光の損失前に臭素がヨウ素に
より９０％の量まで置換されていてもよいことが見いだ
された。ＥＰ−Ａ １４２ ７３４の図３に教示されてい
るように臭素がヨウ素で約５０％置換される時には蛍光
が減少しないという事実により、ヨウ素含有量を増加さ
せることによりＸ線の吸収が線状に増加するため、臭素
をヨウ素によりさらに置換することにより本発明に従う
蛍燐光体のＸ線吸収を増加させることができる。例え
ば、臭素の４０％がヨウ素により置換されている蛍燐光
体の相対的吸収が１であ時には、例えば臭素の８０％が
ヨウ素により置換されている蛍燐光体の吸収は１.１１
であり、そして本発明の蛍燐光体においては臭素の８０
％がヨウ素により置換されている蛍燐光体の蛍光は臭素
の５０％が置換されている蛍燐光体のものより２０％ほ
ど高い。それ故、臭素の８０％がヨウ素により置換され
ている本発明に従う刺激可能な蛍燐光体は臭素の４０％
だけがヨウ素により置換されている蛍燐光体の速度より
約３０％ほど大きい速度を示すであろう。これは、本発
明に従う刺激可能な蛍燐光体を用いると該蛍燐光体を含
んでなる光刺激可能なパネルの速度を先行技術の蛍燐光
体を用いる場合よりさらに良好に「注文製作」しうるこ
と、すなわち種々の医学用途において必要な信号−対−
雑音比に調節および適合しうることを意味する。
量が臭素およびヨウ素の合計モル量より高い式（Ｉ）に
従う光刺激可能な蛍燐光体において、刺激が観察された
後に許容できないほどの蛍光の損失前に臭素がヨウ素に
より９０％の量まで置換されていてもよいことが見いだ
された。ＥＰ−Ａ １４２ ７３４の図３に教示されてい
るように臭素がヨウ素で約５０％置換される時には蛍光
が減少しないという事実により、ヨウ素含有量を増加さ
せることによりＸ線の吸収が線状に増加するため、臭素
をヨウ素によりさらに置換することにより本発明に従う
蛍燐光体のＸ線吸収を増加させることができる。例え
ば、臭素の４０％がヨウ素により置換されている蛍燐光
体の相対的吸収が１であ時には、例えば臭素の８０％が
ヨウ素により置換されている蛍燐光体の吸収は１.１１
であり、そして本発明の蛍燐光体においては臭素の８０
％がヨウ素により置換されている蛍燐光体の蛍光は臭素
の５０％が置換されている蛍燐光体のものより２０％ほ
ど高い。それ故、臭素の８０％がヨウ素により置換され
ている本発明に従う刺激可能な蛍燐光体は臭素の４０％
だけがヨウ素により置換されている蛍燐光体の速度より
約３０％ほど大きい速度を示すであろう。これは、本発
明に従う刺激可能な蛍燐光体を用いると該蛍燐光体を含
んでなる光刺激可能なパネルの速度を先行技術の蛍燐光
体を用いる場合よりさらに良好に「注文製作」しうるこ
と、すなわち種々の医学用途において必要な信号−対−
雑音比に調節および適合しうることを意味する。
【００２７】本発明は、それ故、式（Ｉ）： Ｂａ1-x-y-p-3q-zＳｒxＭy 2+Ｍ2p 1+Ｍ2q 3+Ｆ2-a-bＢｒa
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の２価の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙまたは３価のランタ
ニド、例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕよりなる
群から選択される少なくとも１種の３価の金属であり、
０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ＜０.１０、０＜ｐ＜０.３、
０＜ｑ＜０.１、０.０５＜ａ＜０.７６、０.２０＜ｂ＜
０.９０、ａ＋ｂ＜１.００および１０ -6＜ｚ＜０.２で
ある］に従う光刺激可能な蛍燐光体を包含する。
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の２価の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙまたは３価のランタ
ニド、例えばＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕよりなる
群から選択される少なくとも１種の３価の金属であり、
０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ＜０.１０、０＜ｐ＜０.３、
０＜ｑ＜０.１、０.０５＜ａ＜０.７６、０.２０＜ｂ＜
０.９０、ａ＋ｂ＜１.００および１０ -6＜ｚ＜０.２で
ある］に従う光刺激可能な蛍燐光体を包含する。
【００２８】臭素をヨウ素の少なくとも２０モル％によ
り置換する有利な効果は式（Ｉ）において０.０６＜ｘ
＜０.２０および０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６である時に
さらに顕著であった。
り置換する有利な効果は式（Ｉ）において０.０６＜ｘ
＜０.２０および０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６である時に
さらに顕著であった。
【００２９】速度、雑音、信号−対−雑音比および種々
の医学用途の要求に対する光刺激可能なパネル中での自
由度の観点から非常に有用な蛍燐光体は、０.０６＜ｘ
＜０.２０であり、０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６であり、
Ｍ1+がＣｓまたはＲｂであり、Ｍ2+がＰｂであり、１０
-4＜ｙ＜１０-3であり、１０ -4＜ｐ＜１０-1でありそし
てｑ＝０である式（Ｉ）に相当する。
の医学用途の要求に対する光刺激可能なパネル中での自
由度の観点から非常に有用な蛍燐光体は、０.０６＜ｘ
＜０.２０であり、０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６であり、
Ｍ1+がＣｓまたはＲｂであり、Ｍ2+がＰｂであり、１０
-4＜ｙ＜１０-3であり、１０ -4＜ｐ＜１０-1でありそし
てｑ＝０である式（Ｉ）に相当する。
【００３０】最も好適な態様では、本発明に従う蛍燐光
体は０.０６＜ｘ＜０.２０であり、０.８５＜ａ＋ｂ＜
０.９６であり、０.３＜ｂ＜０.８であり、Ｍ1+がＣｓ
またはＲｂであり、Ｍ2+がＰｂであり、１０ -4＜ｙ＜１
０-3であり、１０ -4＜ｐ＜１０-1でありそしてｑ＝０で
ある式（Ｉ）に相当する。
体は０.０６＜ｘ＜０.２０であり、０.８５＜ａ＋ｂ＜
０.９６であり、０.３＜ｂ＜０.８であり、Ｍ1+がＣｓ
またはＲｂであり、Ｍ2+がＰｂであり、１０ -4＜ｙ＜１
０-3であり、１０ -4＜ｐ＜１０-1でありそしてｑ＝０で
ある式（Ｉ）に相当する。
【００３１】本発明に従う蛍燐光体は当技術で既知のい
ずれかの方法に従い、蛍燐光体中に導入しようとする蛍
燐光体前駆体から出発して、製造することができる。こ
れらの蛍燐光体前駆体を適当な化学量論的割合で混合し
そして次に特定の期間にわたり加熱する。冷却後に、蛍
燐光体の焼結した塊を微細な蛍燐光体粒子に粉砕する。
粉砕操作は適当な平均粒子寸法および寸法分布を有する
蛍燐光体粉末が得られるまで続ける。場合により、粉砕
した蛍燐光体粉末を特定の粒子寸法分布を有する別個の
部分に分類することもできる。蛍燐光体の製造中に、い
ずれかの既知の融剤材料を反応混合物に加えることもで
きる。本発明に従う材料の製造における使用に有用な融
剤材料は、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属のハロゲン化物、メタ珪酸塩である。原料混合物中に
すでに存在するアルカリ金属またはアルカリ土類金属の
ハロゲン化物を含んでなる融剤が最も好ましい。本発明
に従う刺激可能な蛍燐光体の製造のために非常に有用で
あり且つ好適な方法は、ここに引用することにより本発
明の内容となる Research Disclosure Volume 358,Febr
uary 1994 p 93 item 35841 に見られる。
ずれかの方法に従い、蛍燐光体中に導入しようとする蛍
燐光体前駆体から出発して、製造することができる。こ
れらの蛍燐光体前駆体を適当な化学量論的割合で混合し
そして次に特定の期間にわたり加熱する。冷却後に、蛍
燐光体の焼結した塊を微細な蛍燐光体粒子に粉砕する。
粉砕操作は適当な平均粒子寸法および寸法分布を有する
蛍燐光体粉末が得られるまで続ける。場合により、粉砕
した蛍燐光体粉末を特定の粒子寸法分布を有する別個の
部分に分類することもできる。蛍燐光体の製造中に、い
ずれかの既知の融剤材料を反応混合物に加えることもで
きる。本発明に従う材料の製造における使用に有用な融
剤材料は、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属のハロゲン化物、メタ珪酸塩である。原料混合物中に
すでに存在するアルカリ金属またはアルカリ土類金属の
ハロゲン化物を含んでなる融剤が最も好ましい。本発明
に従う刺激可能な蛍燐光体の製造のために非常に有用で
あり且つ好適な方法は、ここに引用することにより本発
明の内容となる Research Disclosure Volume 358,Febr
uary 1994 p 93 item 35841 に見られる。
【００３２】本発明に従う刺激可能な蛍燐光体の製造の
ための他の有用な方法は米国特許第５,１５４,３６０号
に見られる。
ための他の有用な方法は米国特許第５,１５４,３６０号
に見られる。
【００３３】本質的には、Ｘ線蛍燐光体を製造するため
の既知の方法は（ｉ）蛍燐光体前駆体材料を混合して
「原料混合物(“raw mix")」を製造し、（ii）該「原料
混合物」を粉砕して表面積を増加させ、（iii）該粉砕
した「原料混合物」を高温において１つもしくは複数の
段階で燃焼して前駆体を反応させそして焼結した塊とし
て存在する蛍燐光体を製造し、（iv）この蛍燐光体の焼
結した塊を乳鉢ミル中で崩壊し、（ｖ）この蛍燐光体の
崩壊した塊を粉砕して微細な蛍燐光体粒子を製造しそし
てこの微細な蛍燐光体粒子を空気分級機の中で分級する
段階を含んでなる。
の既知の方法は（ｉ）蛍燐光体前駆体材料を混合して
「原料混合物(“raw mix")」を製造し、（ii）該「原料
混合物」を粉砕して表面積を増加させ、（iii）該粉砕
した「原料混合物」を高温において１つもしくは複数の
段階で燃焼して前駆体を反応させそして焼結した塊とし
て存在する蛍燐光体を製造し、（iv）この蛍燐光体の焼
結した塊を乳鉢ミル中で崩壊し、（ｖ）この蛍燐光体の
崩壊した塊を粉砕して微細な蛍燐光体粒子を製造しそし
てこの微細な蛍燐光体粒子を空気分級機の中で分級する
段階を含んでなる。
【００３４】本発明に従う方法における使用のための蛍
燐光体粒子は好適には分級される。この分級により、蛍
燐光体粒子の寸法分布が多くとも約２０重量％の、好適
には多くとも１０重量％の、１μｍより小さい直径を有
する粒子を含んでなることが確実になる。小さい蛍燐光
体粒子（＜１μｍの直径を有する蛍燐光体粒子）の不存
在が画質に対して有利な影響を有する。
燐光体粒子は好適には分級される。この分級により、蛍
燐光体粒子の寸法分布が多くとも約２０重量％の、好適
には多くとも１０重量％の、１μｍより小さい直径を有
する粒子を含んでなることが確実になる。小さい蛍燐光
体粒子（＜１μｍの直径を有する蛍燐光体粒子）の不存
在が画質に対して有利な影響を有する。
【００３５】本発明に従う方法における使用のために
は、蛍燐光体は結合剤層の中に分散された形態で存在す
ることができ、その層は担持されていてもまたは自己−
担持性であってもよくそしてスクリーンまたはパネルを
形成する。
は、蛍燐光体は結合剤層の中に分散された形態で存在す
ることができ、その層は担持されていてもまたは自己−
担持性であってもよくそしてスクリーンまたはパネルを
形成する。
【００３６】結合剤層は該蛍燐光体を分散された形態で
好適には１種もしくは複数のフィルム生成性有機重合
体、例えば酢酸酪酸セルロース、ポリ（メタ）アクリル
酸アルキル類、例えばポリメタクリル酸メチル、例えば
米国特許第３,０４３,７１０号に記載されているような
ポリビニル−ｎ−ブチラール、コポリ（酢酸ビニル／塩
化ビニル）およびコポリ（アクリロニトリル／ブタジエ
ン／スチレン）またはコポリ（塩化ビニル／酢酸ビニル
／ビニルアルコール）或いはそれらの混合物、の中に混
入する。
好適には１種もしくは複数のフィルム生成性有機重合
体、例えば酢酸酪酸セルロース、ポリ（メタ）アクリル
酸アルキル類、例えばポリメタクリル酸メチル、例えば
米国特許第３,０４３,７１０号に記載されているような
ポリビニル−ｎ−ブチラール、コポリ（酢酸ビニル／塩
化ビニル）およびコポリ（アクリロニトリル／ブタジエ
ン／スチレン）またはコポリ（塩化ビニル／酢酸ビニル
／ビニルアルコール）或いはそれらの混合物、の中に混
入する。
【００３７】結合剤が使用される時には、最少量の結合
剤を使用することが最も好ましい。蛍燐光体対結合剤の
重量比は好適には８０：２０〜９９：１である。蛍燐光
体対結合媒体の容量比は好適には８５／１５である。
剤を使用することが最も好ましい。蛍燐光体対結合剤の
重量比は好適には８０：２０〜９９：１である。蛍燐光
体対結合媒体の容量比は好適には８５／１５である。
【００３８】好適には、結合媒体は実質的に１種もしく
はそれ以上の飽和ゴムブロックを有する水素化されたス
チレン−ジエンブロック共重合体、例えばＷＯ ９４／
００５３１に開示されているようなゴム状および／また
はエラストマー状重合体、からなっている。本発明に従
う蛍燐光体スクリーン中でのブロック−共重合体状結合
剤として使用される特に適する熱可塑性ゴムはＫＲＡＴ
ＯＮ−Ｇゴムであり、ＫＲＡＴＯＮはシェル（ＳＨＥＬ
Ｌ）からの商標名である。
はそれ以上の飽和ゴムブロックを有する水素化されたス
チレン−ジエンブロック共重合体、例えばＷＯ ９４／
００５３１に開示されているようなゴム状および／また
はエラストマー状重合体、からなっている。本発明に従
う蛍燐光体スクリーン中でのブロック−共重合体状結合
剤として使用される特に適する熱可塑性ゴムはＫＲＡＴ
ＯＮ−Ｇゴムであり、ＫＲＡＴＯＮはシェル（ＳＨＥＬ
Ｌ）からの商標名である。
【００３９】蛍燐光体の被覆率は好適には約５〜２５０
ｍｇ／ｃｍ2の、最も好適には２０〜１７５ｍｇ／ｃｍ2
の間の範囲である。
ｍｇ／ｃｍ2の、最も好適には２０〜１７５ｍｇ／ｃｍ2
の間の範囲である。
【００４０】本発明に従い使用される刺激可能な蛍燐光
体は好適にはそれを疎水性または疎水性になる基質と化
学的または物理的に接着させることにより水分の影響に
対して保護する。
体は好適にはそれを疎水性または疎水性になる基質と化
学的または物理的に接着させることにより水分の影響に
対して保護する。
【００４１】好適な態様によると、蛍燐光体層は担体シ
ート上に担持された層として使用される。適する担体材
料はフィルム生成性有機樹脂、例えばポリエチレンテレ
フタレートから製造されるが、場合により例えばアルフ
ァ−オレフィン系樹脂の如き樹脂層でコーテイングされ
ていてもよい紙担体およびボール紙担体も特に有用であ
る。ガラス担体および金属担体も挙げられる。蛍燐光体
層の厚さは好適には０.０５ｍｍ〜０.５ｍｍの範囲であ
る。
ート上に担持された層として使用される。適する担体材
料はフィルム生成性有機樹脂、例えばポリエチレンテレ
フタレートから製造されるが、場合により例えばアルフ
ァ−オレフィン系樹脂の如き樹脂層でコーテイングされ
ていてもよい紙担体およびボール紙担体も特に有用であ
る。ガラス担体および金属担体も挙げられる。蛍燐光体
層の厚さは好適には０.０５ｍｍ〜０.５ｍｍの範囲であ
る。
【００４２】スクリーンまたはパネルを製造するために
本発明に従う蛍燐光体を結合剤と組み合わせて使用する
時には、蛍燐光体粒子を結合剤の溶液中に良く分散させ
そして次に担体上にコーテイングしそして乾燥する。こ
の蛍燐光体結合剤層のコーテイングはいずれかの一般的
な技術に従い、例えば噴霧、浸漬−コーテイングまたは
ドクターブレードコーテイングにより、行うことができ
る。コーテイング後に、コーテイング混合物の１種もし
くは複数の溶媒を蒸発により、例えば熱い（６０℃）空
気流中での乾燥により除去する。
本発明に従う蛍燐光体を結合剤と組み合わせて使用する
時には、蛍燐光体粒子を結合剤の溶液中に良く分散させ
そして次に担体上にコーテイングしそして乾燥する。こ
の蛍燐光体結合剤層のコーテイングはいずれかの一般的
な技術に従い、例えば噴霧、浸漬−コーテイングまたは
ドクターブレードコーテイングにより、行うことができ
る。コーテイング後に、コーテイング混合物の１種もし
くは複数の溶媒を蒸発により、例えば熱い（６０℃）空
気流中での乾燥により除去する。
【００４３】超音波処理を適用して充填密度を改良しそ
して蛍燐光体−結合剤組み合わせの脱気を行うこともで
きる。保護コーテイングの場合による適用の前に、蛍燐
光体−結合剤層をカレンダー処理して充填密度（すなわ
ち１ｃｍ3の乾燥コーテイング当たりの蛍燐光体のグラ
ム数）を改良してもよい。
して蛍燐光体−結合剤組み合わせの脱気を行うこともで
きる。保護コーテイングの場合による適用の前に、蛍燐
光体−結合剤層をカレンダー処理して充填密度（すなわ
ち１ｃｍ3の乾燥コーテイング当たりの蛍燐光体のグラ
ム数）を改良してもよい。
【００４４】場合により、光−反射層を蛍燐光体−含有
層とその担体との間に付与して光刺激により発生する光
の出力を増加させてもよい。そのような光−反射層は結
合剤中に分散させた白色顔料粒子、例えば二酸化チタン
粒子を含有していてもよく、またはそれが蒸着金属層、
例えばアルミニウム層からなっていてもよく、または例
えば米国特許第４,３８０,７０２号に記載されているよ
うにそれは刺激放射線を吸収するが発生した光を反射す
る着色顔料層であってもよい。
層とその担体との間に付与して光刺激により発生する光
の出力を増加させてもよい。そのような光−反射層は結
合剤中に分散させた白色顔料粒子、例えば二酸化チタン
粒子を含有していてもよく、またはそれが蒸着金属層、
例えばアルミニウム層からなっていてもよく、または例
えば米国特許第４,３８０,７０２号に記載されているよ
うにそれは刺激放射線を吸収するが発生した光を反射す
る着色顔料層であってもよい。
【００４５】解像度を改良するために、蛍燐光体層の間
に発生した光を吸収する層、すなわちカーボンブラック
を含有する層を付与することまたは着色担体、例えば灰
色もしくは黒色フィルム担体を使用することができる。
に発生した光を吸収する層、すなわちカーボンブラック
を含有する層を付与することまたは着色担体、例えば灰
色もしくは黒色フィルム担体を使用することができる。
【００４６】刺激可能な蛍燐光体を刺激するためには、
７００〜９００ｎｍの間の波長範囲内で発光するレーザ
ーまたは発光ダイオード（例えばＨｅ−Ｎｅレーザー、
クリプトンレーザー、ダイオードレーザー、ＧａＡｌＡ
ｓ−レーザー、染料レーザーなど）を使用することがで
きる。
７００〜９００ｎｍの間の波長範囲内で発光するレーザ
ーまたは発光ダイオード（例えばＨｅ−Ｎｅレーザー、
クリプトンレーザー、ダイオードレーザー、ＧａＡｌＡ
ｓ−レーザー、染料レーザーなど）を使用することがで
きる。
【００４７】本発明を以下に示した実施例および比較例
により説明するが、それらは本発明を限定するものでは
ない。
により説明するが、それらは本発明を限定するものでは
ない。
【００４８】
１．刺激可能な蛍燐光体の製造 全ての刺激可能な蛍燐光体サンプルは下記の方法で製造
された。
された。
【００４９】特定の蛍燐光体を生成するように選択され
た割合で原料混合物を製造するための蛍燐光体前駆体を
ＰＥ容器の中で集め、そして混合物をジャーローリング
ミル上で１５分間にわたり均質化した。次に、粉末混合
物を回転式ブレードミキサー（ヘンシェル−ドイツ）上
で１５分間にわたり均質化しそしてＡｒ雰囲気下で２,
０００ｒｐｍにおいて５分間粉砕した。各々が１３０ｇ
の混合物を含有する３個のるつぼを石英管の中に入れ
た。石英管を気体出口側で水による空気止めが付いた縁
で密封した。
た割合で原料混合物を製造するための蛍燐光体前駆体を
ＰＥ容器の中で集め、そして混合物をジャーローリング
ミル上で１５分間にわたり均質化した。次に、粉末混合
物を回転式ブレードミキサー（ヘンシェル−ドイツ）上
で１５分間にわたり均質化しそしてＡｒ雰囲気下で２,
０００ｒｐｍにおいて５分間粉砕した。各々が１３０ｇ
の混合物を含有する３個のるつぼを石英管の中に入れ
た。石英管を気体出口側で水による空気止めが付いた縁
で密封した。
【００５０】密封した石英管を８５０℃の炉の中に入
れ、そして温度を３時間にわたる燃焼中にこの温度に一
定に保った。燃焼中に、管に１.５リットル／分の速度
でＡｒを流した。
れ、そして温度を３時間にわたる燃焼中にこの温度に一
定に保った。燃焼中に、管に１.５リットル／分の速度
でＡｒを流した。
【００５１】燃焼後に、管を炉から取り出しそして放冷
した。
した。
【００５２】冷却後に、縁を除去しそして３個のるつぼ
を管から取り出した。
を管から取り出した。
【００５３】粉末を粉砕しそして均質化した。
【００５４】第二の燃焼を７５０℃において６時間にわ
たり１.５リットル／分の９９.８％Ｎ2／０.２％Ｈ2気
体流速下で行った。
たり１.５リットル／分の９９.８％Ｎ2／０.２％Ｈ2気
体流速下で行った。
【００５５】最後に、粉末を乳棒および乳鉢を用いて崩
壊した。
壊した。
【００５６】蛍燐光体前駆体の割合は個々の実施例の項
目のところに示されている。
目のところに示されている。
【００５７】２．測定 ２.１.測定Ａ：蛍燐光体組成物。
【００５８】カチオンは燃焼中に蒸発しないため、蛍燐
光体のＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｓ、ＰｂおよびＥｕ含有量
は測定されず、そしてそれらのカチオン比は原料混合物
中のものに等しいと仮定された。
光体のＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｓ、ＰｂおよびＥｕ含有量
は測定されず、そしてそれらのカチオン比は原料混合物
中のものに等しいと仮定された。
【００５９】反応物としてハロゲン化アンモニウムを使
用する時には、蒸発しないカチオンより過剰に存在する
ハロゲン化物は燃焼中に部分的に蒸発する。
用する時には、蒸発しないカチオンより過剰に存在する
ハロゲン化物は燃焼中に部分的に蒸発する。
【００６０】蛍燐光体のＦ−およびＢｒ−含有量をイオ
ン−クロマトグラフィーにより測定した。
ン−クロマトグラフィーにより測定した。
【００６１】 測定装置および条件： イオンクロマトグラフ ：ｇｉｃ分析器 検出器 ：伝導度検出器 保護カラム ：ＡＧ３ 分離器カラム ：ＡＳ３ 注入カラム ：５０μｌ 検出器感度 ：１００μｓ／１０００ｍＶ実物大 溶離剤 ：２.８ｍＭ ＮａＨＣＯ3：２.２ｍＭ Ｎａ2ＣＯ3 溶離剤流速 ：２.０ｍｌ／分 再生剤 ：０.０２５Ｎ Ｈ2ＳＯ4 再生剤流速 ：３.０ｍｌ／分 基準時間Ｆ ：１.６５分 Ｆ-の測定 弗化物イオン（Ｆ-）の濃度をＦ−ピークの高さから測
定した。
定した。
【００６２】測定工程の精度を測定するために、５種の
１ｐｐｍＮａＦ標準を製造した。
１ｐｐｍＮａＦ標準を製造した。
【００６３】０.５５２５ｇのＮａＦ ｐ.ａ.（プロ分析
品質）を重量測定しそして２５０ｍｌメスフラスコの中
に移した。ＮａＦを二重蒸留水の中に溶解させそして水
を加えて２５０ｍｌの合計量とした。溶液を最初に二重
蒸留水で１０倍に希釈しそして次にさらに１００倍に希
釈した。５種の１ｐｐｍＮａＦ標準を注入しそしてピー
ク高さを測定した。平均ピーク高さは任意単位値で３８
５,０６８でありそして標準偏差は９１４.２９９であっ
た。これが０.００２３７の変動性係数（平均値により
割算された標準偏差）を与えた。
品質）を重量測定しそして２５０ｍｌメスフラスコの中
に移した。ＮａＦを二重蒸留水の中に溶解させそして水
を加えて２５０ｍｌの合計量とした。溶液を最初に二重
蒸留水で１０倍に希釈しそして次にさらに１００倍に希
釈した。５種の１ｐｐｍＮａＦ標準を注入しそしてピー
ク高さを測定した。平均ピーク高さは任意単位値で３８
５,０６８でありそして標準偏差は９１４.２９９であっ
た。これが０.００２３７の変動性係数（平均値により
割算された標準偏差）を与えた。
【００６４】蛍燐光体サンプル中のＦ−濃度を測定する
ために、５０ｍｇの各々のサンプルを試験管の中に移し
そして１ｍｌの分析的に純粋なＨＣｌ（１Ｎ）を加え、
その後に約１０ｍｌの二重蒸留水を加えた。管を次に密
封しそして沸騰している水浴の中で５〜１０分間にわた
り加熱した。管を次に氷の中で冷却しそして１ｍｌのＮ
ａＯＨ（１Ｎ）を注入した。溶液を次に５０ｍｌメスフ
ラスコの中に注ぎそして溶液を二重蒸留水で５０ｍｌと
した。最後に、溶液を溶離剤で５０倍に希釈しそしてイ
オン−クロマトグラフの中に注入した。
ために、５０ｍｇの各々のサンプルを試験管の中に移し
そして１ｍｌの分析的に純粋なＨＣｌ（１Ｎ）を加え、
その後に約１０ｍｌの二重蒸留水を加えた。管を次に密
封しそして沸騰している水浴の中で５〜１０分間にわた
り加熱した。管を次に氷の中で冷却しそして１ｍｌのＮ
ａＯＨ（１Ｎ）を注入した。溶液を次に５０ｍｌメスフ
ラスコの中に注ぎそして溶液を二重蒸留水で５０ｍｌと
した。最後に、溶液を溶離剤で５０倍に希釈しそしてイ
オン−クロマトグラフの中に注入した。
【００６５】測定工程で得られた結果の精度を、それを
理論的には２１.７％Ｆを含有する純粋なＢａＦ2標準に
適用することにより、試験した。希釈因数は５０の代わ
りに１００であった。純粋なＢａＦ2標準に対して測定
された平均百分率Ｆは２１.７３であり、０.１１５の標
準偏差であった。これが０.００５３の変動性係数（平
均値により割算された標準偏差）を与えた。
理論的には２１.７％Ｆを含有する純粋なＢａＦ2標準に
適用することにより、試験した。希釈因数は５０の代わ
りに１００であった。純粋なＢａＦ2標準に対して測定
された平均百分率Ｆは２１.７３であり、０.１１５の標
準偏差であった。これが０.００５３の変動性係数（平
均値により割算された標準偏差）を与えた。
【００６６】蛍燐光体中のＦ−濃度測定の再現性を、測
定を標準蛍燐光体に関して５倍で行うことにより、測定
した。標準蛍燐光体に関して測定した平均値百分率Ｆは
８.１４であり、０.２８８の標準偏差であった。これが
０.０３５４の変動性係数（標準変動性を平均値により
割算したもの）を与えた。
定を標準蛍燐光体に関して５倍で行うことにより、測定
した。標準蛍燐光体に関して測定した平均値百分率Ｆは
８.１４であり、０.２８８の標準偏差であった。これが
０.０３５４の変動性係数（標準変動性を平均値により
割算したもの）を与えた。
【００６７】Ｂｒ-の測定 臭化物イオン（Ｂｒ-）の濃度をＢｒ−ピークの高さか
ら測定した。
ら測定した。
【００６８】臭化物イオン含有量を測定するための測定
工程の精度を測定するために、５種の５ｐｐｍＮａＢｒ
標準を以下の通りにして製造した。
工程の精度を測定するために、５種の５ｐｐｍＮａＢｒ
標準を以下の通りにして製造した。
【００６９】０.３２１９ｇのＮａＢｒ ｐ.ａ.（プロ分
析品質）を重量測定しそして２５０ｍｌメスフラスコの
中に移した。ＮａＢｒを二重蒸留水の中に溶解させそし
て水を加えて２５０ｍｌの合計量とした。１０００ｐｐ
ｍ溶液を最初に二重蒸留水で２００倍に希釈しそして次
にイオン−クロマトグラフに注入した。ピーク高さを測
定した。平均ピーク高さは任意単位値で２００,７０９
でありそして標準偏差は６６９.１０６であった。これ
が０.００３３３の変動性係数（平均値により割算され
た標準偏差）を与えた。
析品質）を重量測定しそして２５０ｍｌメスフラスコの
中に移した。ＮａＢｒを二重蒸留水の中に溶解させそし
て水を加えて２５０ｍｌの合計量とした。１０００ｐｐ
ｍ溶液を最初に二重蒸留水で２００倍に希釈しそして次
にイオン−クロマトグラフに注入した。ピーク高さを測
定した。平均ピーク高さは任意単位値で２００,７０９
でありそして標準偏差は６６９.１０６であった。これ
が０.００３３３の変動性係数（平均値により割算され
た標準偏差）を与えた。
【００７０】上記の工程で得られた結果の再現性を、測
定を標準蛍燐光体に関して５倍で行うことにより、測定
した。標準蛍燐光体に関して測定した平均値百分率Ｂｒ
は３２.０７６であり、０.１８０の標準偏差であった。
これが０.００５６の変動性係数（平均値により割算さ
れた標準偏差）を与えた。
定を標準蛍燐光体に関して５倍で行うことにより、測定
した。標準蛍燐光体に関して測定した平均値百分率Ｂｒ
は３２.０７６であり、０.１８０の標準偏差であった。
これが０.００５６の変動性係数（平均値により割算さ
れた標準偏差）を与えた。
【００７１】Ｉ−含有量をＸＲＦ（Ｘ線回折）により測
定した。
定した。
【００７２】２.２.測定Ｂ：特定のＸ線投与量への露呈
で貯蔵された光刺激可能な合計エネルギー Ｘ線励起前に、蛍燐光体スクリーン中に依然として存在
する残存エネルギーを５００Ｗのハロゲンランプでの照
射により除去する。蛍燐光体スクリーンを次に８５ｋＶ
ｐおよび２０ｍＡで操作するＸ線源で励起する。この目
的のために、シーメンスＡＧ−ＷドイツのＮＡＮＯＰＨ
ＯＳ Ｘ線源を使用した。低エネルギーＸ線を２１ｍｍ
厚さのアルミニウム板を用いて濾過してＸ線スペクトル
を強めた。Ｘ線励起後に、蛍燐光体を暗所で測定装置に
移した。この装置中で、レーザー光線を使用してＸ線照
射された蛍燐光体スクリーンを光刺激する。この測定で
使用したレーザーはＨｅ−Ｎｅレーザー（スペクトラ・
フィジックス）である。このレーザーを用いると１２ｍ
Ｗの光学的な力を６３２ｎｍで利用できる。
で貯蔵された光刺激可能な合計エネルギー Ｘ線励起前に、蛍燐光体スクリーン中に依然として存在
する残存エネルギーを５００Ｗのハロゲンランプでの照
射により除去する。蛍燐光体スクリーンを次に８５ｋＶ
ｐおよび２０ｍＡで操作するＸ線源で励起する。この目
的のために、シーメンスＡＧ−ＷドイツのＮＡＮＯＰＨ
ＯＳ Ｘ線源を使用した。低エネルギーＸ線を２１ｍｍ
厚さのアルミニウム板を用いて濾過してＸ線スペクトル
を強めた。Ｘ線励起後に、蛍燐光体を暗所で測定装置に
移した。この装置中で、レーザー光線を使用してＸ線照
射された蛍燐光体スクリーンを光刺激する。この測定で
使用したレーザーはＨｅ−Ｎｅレーザー（スペクトラ・
フィジックス）である。このレーザーを用いると１２ｍ
Ｗの光学的な力を６３２ｎｍで利用できる。
【００７３】このレーザー−光学機器は電子シャッタ
ー、ビーム−拡張器およびフィルターを含んでなる。光
電子増倍管（Ｈａｍａｍａｔｓｕ Ｒ １３９８）が光刺
激により発生した光を集めそして対応する電流を与え
る。測定工程はＨＰ ６９４４マルチプログラマーに連
結されたヒューレット・パッカード・ベーシック・コン
トローラー３８２により調節される。電流対電圧変換器
を用いる増幅後に、ＴＥＫＴＲＯＮＩＸ ＴＤＳ４２０
デジタル・オシロスコープが得られた光電流を可視化さ
せる。電子シャッターが開いている時にはレーザー光線
が蛍燐光体スクリーンを刺激し始めそしてデジタル・オ
シロスコープを始動させる。スクリーンと接触して置か
れている隔膜を使用して、７ｍｍ2によってのみ発生し
た光を集める。レーザー力（６ｍＷ）の半分だけがスク
リーンに到達する。この方法で刺激光線の強度はより均
一となる。
ー、ビーム−拡張器およびフィルターを含んでなる。光
電子増倍管（Ｈａｍａｍａｔｓｕ Ｒ １３９８）が光刺
激により発生した光を集めそして対応する電流を与え
る。測定工程はＨＰ ６９４４マルチプログラマーに連
結されたヒューレット・パッカード・ベーシック・コン
トローラー３８２により調節される。電流対電圧変換器
を用いる増幅後に、ＴＥＫＴＲＯＮＩＸ ＴＤＳ４２０
デジタル・オシロスコープが得られた光電流を可視化さ
せる。電子シャッターが開いている時にはレーザー光線
が蛍燐光体スクリーンを刺激し始めそしてデジタル・オ
シロスコープを始動させる。スクリーンと接触して置か
れている隔膜を使用して、７ｍｍ2によってのみ発生し
た光を集める。レーザー力（６ｍＷ）の半分だけがスク
リーンに到達する。この方法で刺激光線の強度はより均
一となる。
【００７４】光増幅器からの信号量振幅は光刺激性の光
の強度および貯蔵された光刺激可能なエネルギーと線状
である。信号は力の法則につれて減少する。信号曲線が
入る時にオシロスコープが第二の時間を始動させて、一
定であり且つ入力に依存しないエラーの成分として定義
されている相殺分を測定する。この相殺分を引いた後
に、信号が最大値の１／ｅに達する点を計算する。曲線
より下の合計を次に開始時からこの１／ｅ点までにわた
り計算する。関数はｆ(ｔ)＝Ａ.ｅ-t/τ［式中、Ａは振
幅であり、τは時間定数であり、ｔは刺激時間であり、
そしてｅは自然対数の基本値である］により数学的に記
載される。
の強度および貯蔵された光刺激可能なエネルギーと線状
である。信号は力の法則につれて減少する。信号曲線が
入る時にオシロスコープが第二の時間を始動させて、一
定であり且つ入力に依存しないエラーの成分として定義
されている相殺分を測定する。この相殺分を引いた後
に、信号が最大値の１／ｅに達する点を計算する。曲線
より下の合計を次に開始時からこの１／ｅ点までにわた
り計算する。関数はｆ(ｔ)＝Ａ.ｅ-t/τ［式中、Ａは振
幅であり、τは時間定数であり、ｔは刺激時間であり、
そしてｅは自然対数の基本値である］により数学的に記
載される。
【００７５】貯蔵されたエネルギーの６３％が放出され
るτ＝ｔの時に１／ｅ点に到達する。この結果を得るた
めには、コンピューターがこの合計をシステムの感度と
掛算する。光増幅器および増幅器の感度は従って光増幅
器の陽極−陰極電圧の関数として測定すべきであり、そ
して蛍燐光体の発色スペクトルおよび分離フィルターの
透過スペクトルの渦巻き状態を計算すべきである。発光
は全ての方向に拡散するため、発生した光の一部だけが
光増幅器により検出される。パネルおよび光増幅器の位
置は合計発光の１０％が光増幅器により検出されるよう
なものである。全てのこれらの補正が行われた後に、転
換効率値（Ｃ.Ｅ.）がｐＪ／ｍｍ3／ｍＲで得られる。
この値はスクリーンの厚さにつれて変動し、従って測定
を比較可能にするためにはそれらを一定の蛍燐光体被覆
率で行わなければならない。
るτ＝ｔの時に１／ｅ点に到達する。この結果を得るた
めには、コンピューターがこの合計をシステムの感度と
掛算する。光増幅器および増幅器の感度は従って光増幅
器の陽極−陰極電圧の関数として測定すべきであり、そ
して蛍燐光体の発色スペクトルおよび分離フィルターの
透過スペクトルの渦巻き状態を計算すべきである。発光
は全ての方向に拡散するため、発生した光の一部だけが
光増幅器により検出される。パネルおよび光増幅器の位
置は合計発光の１０％が光増幅器により検出されるよう
なものである。全てのこれらの補正が行われた後に、転
換効率値（Ｃ.Ｅ.）がｐＪ／ｍｍ3／ｍＲで得られる。
この値はスクリーンの厚さにつれて変動し、従って測定
を比較可能にするためにはそれらを一定の蛍燐光体被覆
率で行わなければならない。
【００７６】刺激エネルギー（Ｓ.Ｅ.）は貯蔵されたエ
ネルギーの６３％を刺激するのに必要なエネルギーであ
ると定義されそしてμＪ／ｍｍ2で表示される。
ネルギーの６３％を刺激するのに必要なエネルギーであ
ると定義されそしてμＪ／ｍｍ2で表示される。
【００７７】Ｃ.Ｅ.およびＳ.Ｅ.の値から、実際的な使
用に関する蛍燐光体の感度を記載する値である示性数
（Ｆ.Ｏ.Ｍ.）が計算された。Ｆ.Ｏ.Ｍ.＝１０００×
Ｃ.Ｅ.／Ｓ.Ｅ.。
用に関する蛍燐光体の感度を記載する値である示性数
（Ｆ.Ｏ.Ｍ.）が計算された。Ｆ.Ｏ.Ｍ.＝１０００×
Ｃ.Ｅ.／Ｓ.Ｅ.。
【００７８】２.３.性質Ｃ：蛍燐光体のＸ線吸収 種々の蛍燐光体の吸収を４０ｋｅＶの単色Ｘ線露光に関
して「光電気およびコンプトン吸収係数」、（μ／ρ）
aとして計算した。計算の基礎として、"Storm,E., H.J.
Israel: "Photon Cross Sections from 0.001 - 100 M
eV for Elements 1 -100", Report LA3753 - Los Alamo
s Scientific Laboratory of the University of Calif
ornia, Nov. 1967" を使用した。ＢａＦＢｒが対照とし
て選択されそして吸収がＢａ0.90Ｓｒ0.10Ｆ1.10Ｂｒ
0.90-xＩxに関して計算された。
して「光電気およびコンプトン吸収係数」、（μ／ρ）
aとして計算した。計算の基礎として、"Storm,E., H.J.
Israel: "Photon Cross Sections from 0.001 - 100 M
eV for Elements 1 -100", Report LA3753 - Los Alamo
s Scientific Laboratory of the University of Calif
ornia, Nov. 1967" を使用した。ＢａＦＢｒが対照とし
て選択されそして吸収がＢａ0.90Ｓｒ0.10Ｆ1.10Ｂｒ
0.90-xＩxに関して計算された。
【００７９】結果は以下の表１および図１に従い、そこ
にはヨウ素含有量の関数としての相対的吸収が示されて
いる。
にはヨウ素含有量の関数としての相対的吸収が示されて
いる。
【００８０】
【表１】
【００８１】基準蛍燐光体（ＲＰ）の製造 下記の組成を有する原料混合物を製造した： ＢａＦ2： ０.８５５７モル ＳｒＦ2： ０.１４モル ＰｂＦ2： ０.０００３モル ＣｓＩ： ０.００３モル ＮＨ4Ｂｒ： ０.９５モル ＥｕＦ3： ０.００１モル 上記の製造工程後に、蛍燐光体サンプルが得られ、そし
てその組成を測定Ａに従い測定した。
てその組成を測定Ａに従い測定した。
【００８２】基準蛍燐光体は式： Ｂａ0.8557Ｓｒ0.14Ｅｕ0.001Ｐｂ0.0003Ｃｓ0.003Ｆ
1.10Ｂｒ0.90 (ＲＰ) に相当した。
1.10Ｂｒ0.90 (ＲＰ) に相当した。
【００８３】本発明に従う蛍燐光体（ＩＰ）の製造 ＢａＩ2の存在量および比例して減少するＮＨ4Ｂｒの量
以外は基準蛍燐光体に関して以上で記載された７種の原
料混合物を製造した。ＮＨ4Ｂｒを下記の割合でＢａＩ2
により置換した：０.５モルのＢａＩ2で１モルのＮＨ4
Ｂｒを置換した。同時にＢａＦ2の量もＢａ／Ｓｒ比が
７種全ての原料混合物に関して同じになるように減少さ
せた。
以外は基準蛍燐光体に関して以上で記載された７種の原
料混合物を製造した。ＮＨ4Ｂｒを下記の割合でＢａＩ2
により置換した：０.５モルのＢａＩ2で１モルのＮＨ4
Ｂｒを置換した。同時にＢａＦ2の量もＢａ／Ｓｒ比が
７種全ての原料混合物に関して同じになるように減少さ
せた。
【００８４】種々の本発明の蛍燐光体（ＩＰ１〜ＩＰ
７）に関する原料混合物中に存在するＢａＩ2の量は表
２に示されている。
７）に関する原料混合物中に存在するＢａＩ2の量は表
２に示されている。
【００８５】
【表２】
【００８６】上記の製造工程後に、７種の蛍燐光体サン
プルが得られ、そしてそれらの組成を測定Ａに従い測定
した。
プルが得られ、そしてそれらの組成を測定Ａに従い測定
した。
【００８７】７種の本発明の蛍燐光体は式： Ｂａ0.8557Ｓｒ0.14Ｅｕ0.001Ｐｂ0.0003Ｃｓ0.003Ｆ1.10Ｂｒ0.75Ｉ0.15(IP1) Ｂａ0.8557Ｓｒ0.14Ｅｕ0.001Ｐｂ0.0003Ｃｓ0.003Ｆ1.10Ｂｒ0.66Ｉ0.24(IP2) Ｂａ0.8557Ｓｒ0.14Ｅｕ0.001Ｐｂ0.0003Ｃｓ0.003Ｆ1.10Ｂｒ0.57Ｉ0.33(IP3) Ｂａ0.8557Ｓｒ0.14Ｅｕ0.001Ｐｂ0.0003Ｃｓ0.003Ｆ1.10Ｂｒ0.40Ｉ0.50(IP4) Ｂａ0.8557Ｓｒ0.14Ｅｕ0.001Ｐｂ0.0003Ｃｓ0.003Ｆ1.10Ｂｒ0.30Ｉ0.60(IP5) Ｂａ0.8557Ｓｒ0.14Ｅｕ0.001Ｐｂ0.0003Ｃｓ0.003Ｆ1.10Ｂｒ0.20Ｉ0.70(IP6) Ｂａ0.8557Ｓｒ0.14Ｅｕ0.001Ｐｂ0.0003Ｃｓ0.003Ｆ1.10Ｂｒ0.10Ｉ0.80(IP7) に相当した。
【００８８】７種の蛍燐光体粉末を、メチルエチルケト
ン中に溶解させたアセト酪酸セルロースを含有する結合
剤溶液の中に分散させた。得られた分散液をポリエチレ
ンテレフタレートの１００μｍ厚さの透明シート上にコ
ーテイングして約１,０００ｇ／ｍ2の乾燥コーテイング
厚さを与えた。
ン中に溶解させたアセト酪酸セルロースを含有する結合
剤溶液の中に分散させた。得られた分散液をポリエチレ
ンテレフタレートの１００μｍ厚さの透明シート上にコ
ーテイングして約１,０００ｇ／ｍ2の乾燥コーテイング
厚さを与えた。
【００８９】基準蛍燐光体（ＲＰ）および本発明の蛍燐
光体（ＩＰ１〜ＩＰ７）に関する転換係数（Ｃ.Ｅ.）お
よび刺激エネルギー（Ｓ.Ｅ.）を刺激下で６３２ｎｍで
発光するＨｅ−Ｎｅレーザーを用いて測定した（測定
Ｂ）。Ｃ.Ｅ.およびＳ.Ｅ.の値から、実際的な使用に関
する蛍燐光体の感度を記載する値である示性数（Ｆ.Ｏ.
Ｍ.）が計算された。Ｆ.Ｏ.Ｍ.＝１０００×Ｃ.Ｅ.／
Ｓ.Ｅ.。
光体（ＩＰ１〜ＩＰ７）に関する転換係数（Ｃ.Ｅ.）お
よび刺激エネルギー（Ｓ.Ｅ.）を刺激下で６３２ｎｍで
発光するＨｅ−Ｎｅレーザーを用いて測定した（測定
Ｂ）。Ｃ.Ｅ.およびＳ.Ｅ.の値から、実際的な使用に関
する蛍燐光体の感度を記載する値である示性数（Ｆ.Ｏ.
Ｍ.）が計算された。Ｆ.Ｏ.Ｍ.＝１０００×Ｃ.Ｅ.／
Ｓ.Ｅ.。
【００９０】Ｆ.Ｏ.Ｍ.の値および相対的な値は表３に
示されている。相対的な値は図２にもヨウ素含有量の関
数として表示されている。
示されている。相対的な値は図２にもヨウ素含有量の関
数として表示されている。
【００９１】
【表３】
【００９２】本発明の主なる特徴および態様は以下のと
おりである。
おりである。
【００９３】１．式（Ｉ）： Ｂａ1-x-y-p-3q-zＳｒxＭy 2+Ｍ2p 1+Ｍ2q 3+Ｆ2-a-bＢｒa
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の２価の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、ＹｂおよびＬｕよりなる群から選択される少なくと
も１種の３価の金属であり、０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ
＜０.１０、０＜ｐ＜０.３、０＜ｑ＜０.１、０.０５＜
ａ＜０.７６、０.２０＜ｂ＜０.９０、ａ＋ｂ＜１.００
および１０ -6＜ｚ＜０.２である］に従う光刺激可能な
蛍燐光体。
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の２価の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、ＹｂおよびＬｕよりなる群から選択される少なくと
も１種の３価の金属であり、０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ
＜０.１０、０＜ｐ＜０.３、０＜ｑ＜０.１、０.０５＜
ａ＜０.７６、０.２０＜ｂ＜０.９０、ａ＋ｂ＜１.００
および１０ -6＜ｚ＜０.２である］に従う光刺激可能な
蛍燐光体。
【００９４】２．０.０６＜ｘ＜０.２０、０＜ｐ＜０.
３および０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６である上記１の光刺
激可能な蛍燐光体。
３および０.８５＜ａ＋ｂ＜０.９６である上記１の光刺
激可能な蛍燐光体。
【００９５】３．Ｍ1+がＣｓまたはＲｂであり、Ｍ2+が
Ｐｂであり、１０ -5＜ｙ＜１０-3であり、１０ -4＜ｐ＜
１０-1でありそしてｑ＝０である上記１または２の光刺
激可能な蛍燐光体。
Ｐｂであり、１０ -5＜ｙ＜１０-3であり、１０ -4＜ｐ＜
１０-1でありそしてｑ＝０である上記１または２の光刺
激可能な蛍燐光体。
【００９６】４．０.３０＜ｂ＜０.８０である上記１〜
３のいずれかの光刺激可能な蛍燐光体。
３のいずれかの光刺激可能な蛍燐光体。
【００９７】５．前記項のいずれかの蛍燐光体を含んで
なる光刺激可能なスクリーンまたはパネル。
なる光刺激可能なスクリーンまたはパネル。
【００９８】６．ｉ．光刺激可能な蛍燐光体を含有する
放射像貯蔵パネルに被写体中を通過したかまたは被写体
から放射された放射線を吸収させ、 ii．該貯蔵パネルを６００−９００ｎｍの範囲内の波長
を有する電磁波である刺激線に露呈して内部に貯蔵され
た放射エネルギーを発光として放出させ、 iii．この発光を検出する段階を含んでなる放射像記録
および再現方法であって、該光刺激可能な蛍燐光体が上
記１〜４のいずれかに相当することを特徴とする方法。
放射像貯蔵パネルに被写体中を通過したかまたは被写体
から放射された放射線を吸収させ、 ii．該貯蔵パネルを６００−９００ｎｍの範囲内の波長
を有する電磁波である刺激線に露呈して内部に貯蔵され
た放射エネルギーを発光として放出させ、 iii．この発光を検出する段階を含んでなる放射像記録
および再現方法であって、該光刺激可能な蛍燐光体が上
記１〜４のいずれかに相当することを特徴とする方法。
【図１】ヨウ素含有量の関数としてのフルオロハロゲン
化バリウム蛍燐光体の相対的Ｘ線吸収を示すグラフであ
る。
化バリウム蛍燐光体の相対的Ｘ線吸収を示すグラフであ
る。
【図２】ヨウ素含有量の関数としての本発明に従うフル
オロハロゲン化バリウム蛍燐光体の相対的Ｆ.Ｏ.Ｍ.
（示性数）を示すグラフである。
オロハロゲン化バリウム蛍燐光体の相対的Ｆ.Ｏ.Ｍ.
（示性数）を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 式（Ｉ）： Ｂａ1-x-y-p-3q-zＳｒxＭy 2+Ｍ2p 1+Ｍ2q 3+Ｆ2-a-bＢｒa
Ｉb：ｚＥｕ ［式中、Ｍ1+はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓよりな
る群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属であ
り、Ｍ2+はＣａ、ＭｇおよびＰｂよりなる群から選択さ
れる少なくとも１種の２価の金属であり、Ｍ3+はＡｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、ＹｂおよびＬｕよりなる群から選択される少なくと
も１種の３価の金属であり、０＜ｘ＜０.３０、０＜ｙ
＜０.１０、０＜ｐ＜０.３、０＜ｑ＜０.１、０.０５＜
ａ＜０.７６、０.２０＜ｂ＜０.９０、ａ＋ｂ＜１.００
および１０ -6＜ｚ＜０.２である］に従う光刺激可能な
蛍燐光体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の蛍燐光体を含んでなる
光刺激可能なスクリーンまたはパネル。 - 【請求項３】 ｉ．光刺激可能な蛍燐光体を含有する放
射像貯蔵パネルに被写体中を通過したかまたは被写体か
ら放射された放射線を吸収させ、 ii．該貯蔵パネルを６００〜９００ｎｍの範囲内の波長
を有する電磁波である刺激線に露呈して内部に貯蔵され
た放射エネルギーを発光として放出させ、 iii．この発光を検出する段階を含んでなる放射像記録
および再現方法であって、該光刺激可能な蛍燐光体が請
求項１に相当するものであることを特徴とする方法。
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