JPH10121240A - プラズマ注入システム - Google Patents

プラズマ注入システム

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JPH10121240A
JPH10121240A JP9278564A JP27856497A JPH10121240A JP H10121240 A JPH10121240 A JP H10121240A JP 9278564 A JP9278564 A JP 9278564A JP 27856497 A JP27856497 A JP 27856497A JP H10121240 A JPH10121240 A JP H10121240A
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 １つの連続した電圧パルスで、プラズマ生成
及びワークピース処理の両方の目的を達成できるプラズ
マ注入システムを提供すること。 【解決手段】 処理室（１２）、ワークピースを支持す
る導電性ワークピース支持部（３０）、導電性ワークピ
ース支持部（３０）に支持されたワークピース（１４）
に隣接する処理領域（３４）を占有するガス分子からな
る処理物質を処理室（１２）内に注入するインジェクタ
ー（３２）、及び導電性ワークピース支持部（３０）と
インジェクター（３２）を相対的に繰り返してバイアス
して、処理室（１２）に注入されたガス分子をイオン化
し、また、ワークピース（１４）の処理面（１２０）に
荷電粒子を加速して衝突させるために連続した電圧パル
ス（１１２、Ｎ、Ｐ）を発生させるための電圧源を有す
る制御回路（１００）を構成することにより上記課題を
達成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワークピースに衝
突させるために加速されるプラズマ粒子の中にワークピ
ースを浸すワークピース処理システムに関する。このよ
うなシステムでは、１つ以上のワークピースを、正電荷
イオンを含むプラズマの中に浸し、続いて、制御された
イオン濃度でウエハをドーピングするために、正電荷イ
オンはシリコンウエハの表面に向かって加速される。
【０００２】
【従来の技術】商業的に有益なイオン注入システムは、
注入室から離れたイオン源室を有しており、１つ以上の
ワークピースがイオン源からのイオンによって処理され
る。イオンが生成され、分析され、イオンビームを形成
するために加速されるように、イオン源室の出口開口か
らイオンが出される。イオンビームは、排気されたビー
ム通路に沿ってイオン注入室に向けられ、１つ以上のワ
ークピースに衝突する。一般的にワークピースは円形で
あり、注入室内に配置されている。イオンビームは、注
入室内のウエハに、イオンを浸透させるように衝突させ
るに十分なエネルギーを有している。一般的なシステム
では、ウエハはシリコンウエハであり、イオンはウエハ
をドーピングして、半導体材料を作るために使用され
る。従来の注入装置では、マスクや不活性化層を使用す
る選択注入でＩＣ（集積回路）を製造することができ
る。
【０００３】“プラズマソースを用いたイオン注入方法
及び装置”と題する、コンラッドの米国特許第４７６４
３９４号には、イオン衝撃手段によってターゲットを処
理するためのイオン注入システムが開示されている。密
閉した室内のターゲットにイオン化プラズマを形成する
ことによって三次元ターゲットの表面へのイオン注入が
可能である。一旦、ターゲットの周囲領域にプラズマが
形成されると、ターゲットを操作しなくても、プラズマ
からのイオンはあらゆる面からターゲットに指向され
る。この注入は、イオンをターゲットの露出面に指向さ
せる、２０ＫＶまたはそれ以上の高電圧の繰り返しパル
スを適用することによって達成される。米国特許第４７
６４３９４号に開示されているプラズマを生成する技術
は、中性ガスをターゲット領域に導入して、イオン化放
射でガスをイオン化している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】米国特許第４７６４３
９４号に開示されているシステムは、分離したイオン源
を利用して、ワークピースの周囲領域にイオンプラズマ
を生成しており、プラズマ中のプラスイオンをワークピ
ースに引き付けるためにワークピースを支持している電
極に負電圧パルスを選択的に送るようにしている。本発
明の目的は、１つの連続した電圧パルスで、プラズマ生
成及びワークピース処理の両方を達成できるプラズマ注
入システムを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、粒子衝撃によ
ってワークピースを処理する技術に関する。注入室は室
内部を有しており、導電性のワークピース支持部は、一
方の電極として機能し、室内部に１つ以上のワークピー
スを配置する。室は室内部を区画する導電性の壁部を有
しており、第２電極として機能する。
【０００６】ワークピースは、注入室に挿入され、導電
性の支持部に配置されるので、ワークピースの処理面
は、注入室の内部領域に面する。中性電荷のガス分子の
形のワークピース処理材が注入室に注入されるので、ガ
スは、導電性の支持部に支持されたワークピースに極め
て接近して注入室の領域を満たすことになる。
【０００７】一方の電極を形成する導電性のワークピー
ス支持部と、第２電極を形成する注入室の導電性壁部と
の間にバイアス電圧が印加される。バイアス電圧は、好
適には、第１及び第２電極を相対的にバイアスする連続
した電気パルスであり、室に注入されたガス分子をイオ
ン化し、また、イオン化された荷電粒子をワークピース
の処理面に向けて加速する。
【０００８】本発明によれば、制御された濃度のイオン
をシリコンウエハ中に注入して、ウエハをドーピングす
る。経験によれば、好適な注入ドーズ濃度は、好適なイ
オンドーピング材料で達成される。
【０００９】本発明は、ワークピースの大表面がイオン
衝撃によって処理される、フラットパネルディスプレイ
などの注入に好適である。フラットパネルディスプレイ
は、一面をポリシリコンまたはアモルファスシリコンで
コーティングされたガラスのような基板から製造され
る。コーティングされた基板は、イオン注入室に挿入さ
れ、イオン衝撃によって処理される。
【００１０】本発明は、従来のイオン源が比較的長い排
気されたイオンビーム通路によって注入ステーションか
ら離されているイオン注入装置より明らかに優れてい
る。本発明のイオン注入装置の製造コストは、プラズマ
源及びプラズマ源の給電装置を省略することにより一層
安くなる。処理室の大きさは、室内にプラズマを生成す
る電極間の間隔を比較的小さくできるので小型化でき
る。注入装置の操作コストは、システムの大きさ、パワ
ー消費量により削減され、メンテナンスも簡単に行うこ
とができる。シリコンでコーティングされたアルミニュ
ームのような材料からなる、２つの隣接したプレートに
よって、２つのプレート間にプラズマが閉じ込められる
ように注入装置の汚染は減少される。処理されるワーク
ピースのサイズに合わせて電極のサイズを大きくするだ
けで、フラットパネルディスプレイのような横断面の大
きいワークピースを処理する能力はは改善される。ま
た、注入の一様性は非常に良く、変化物はほぼ１％以内
を達成できる。
【００１１】プラズマを生成するために開示された技術
はイオン注入装置に限定されず、プラズマエッチィング
(plasma etching)やプラズマアッシング(plasma ashin
g) にも適用される。第１及び第２電極に印加されるパ
ルスの極性を反転させた場合、電子でワークピースを処
理することが可能となり、感光性樹脂の処理に有益であ
る。一般に、正または負電圧は、第１及び第２電極の一
方に印加され、他方の電極は基準電極として、一般的に
は接地電位に保たれる。
【００１２】本発明の他の目的、優位性及び特徴は、本
発明の好適な実施の形態を説明した詳細な説明及び図面
に基いてより良く理解できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、イオン処理するために平
面のワークピース１４が挿入される処理室１２を有する
イオン注入システム１０の全体図である。図１に示され
ているシステムは、一度に１つのウエハを処理室１２内
に挿入するためのロードロック２０を備えている。ロー
ドロック２０を使用することにより、ワークピースが処
理室１２内に出し入れされる時、バルブ手段２１によっ
て処理室１２は減圧状態（大気圧に関して）に維持され
る。このバルブ手段２１は、ワークピースが処理室１２
内に挿入される時に、また回収される時に開閉される。
【００１４】図１に示されている処理室１２は、ワーク
ピース１４が挿入される室内部２４を画定する内壁２２
を有している。ワークピース１４は、平面の導電性のテ
ーブルまたは支持台３０上に位置される。支持台３０
は、支持台上に支持されるワークピースの大きさにあっ
た寸法を有している。
【００１５】ワークピース支持台から上方に離れてガス
放出用マニホールド３２があり、このマニホールド３２
は、マニホールドとワークピース１４の間の領域３４に
イオン化可能なガスを注入する。このワークピース上の
領域３４は、注入システム１０の動作中、イオンプラズ
マが生成される領域である。イオン化されず、また注入
されないガス分子は出口開口３５を介して室から引き出
される。図２及び図３に示されている一形態では、出口
開口３５は支持台３０の近くに形成されている。
【００１６】室の外側にあるガス源３６は、室の壁を貫
通してマニホールドに通じている導入管３７を介してイ
オン化可能なガスを放出する。マニホールドは、導入管
３７からワークピース１４に面して整列された複数の開
口４０（図２及び図３）に通じる複数の分岐通路を有し
ている。一様に処理するためには、マニホールドとワー
クピース１４との間の領域３４内のガス密度をできるだ
け一様に維持することが必要である。好適には、マニホ
ールド３２は平面視略円形であり、マニホールドの外周
部の回りのガス濃度をできるだけ一様に維持するため
に、整列された複数の開口４０を有している。ワークピ
ース１４は、プラズマの電位的に一様でない領域を避け
て略円形の支持台の端部から内側に離されて支持台３０
の上に配置される。また、電極の端部の電界強度を制御
するために、第１電極としての支持台３０、及び第２電
極としてのマニホールド３２の端部の形状を好適に設計
することによって、一様な注入が保証される。
【００１７】まず、ガスが、ガス分子がイオン化される
プラズマ領域３４（１つ以上の電子が剥離される）に入
り、正電荷の原子は、連続する負電圧パルスによってワ
ークピースに向かって加速される。この負電圧パルス
は、マニホールド３２が接地電位に維持されている間、
導電性の支持台３０（図２）に印加される。支持台３０
及びマニホールド３２に印加される電圧の極性が反転す
ると、結果として、電子はワークピースに衝突させるた
めに加速される。この実施の形態では、１つのワークピ
ースが、支持台３０上に支持されるように示されている
が、本発明によれば複数のワークピースに同時に注入さ
せることができる。
【００１８】図２及び図３には、ワークピース１４の上
方の領域３４でワークピースを処理する物質の濃度を生
成するために使用される、４つの異なる相対的にバイア
スする配置が示されている。図２においては、マニホー
ルド３２及び室壁は接地されている。この配置では、領
域３４に相対的に高電界でイオンを発生させ、また支持
台に向かって加速させるように、負電圧パルスＮが導電
性支持台３０に印加される。図３においては、支持台３
０は接地され、電圧パルスはマニホールド３２に印加さ
れる。この配置では、正電圧パルスＰによって正電荷イ
オンがワークピース１４に向かって加速される。
【００１９】室１２の外側に配置されたモジュレータ回
路１００は、導電性支持台３０及び導電性マニホールド
３２を相対的にバイアスするために、一方の電極として
のテーブル３０と他方の電極としてのマニホールド３２
を横切って電圧パルスを印加する。商業的に受け入れら
れる電源はどれでも、電圧パルスを供給するために好適
である。
【００２０】好適なモジュレータ回路１００は、室内に
注入されるガス分子をイオン化し、また、イオン化され
たガス分子を１つ以上のワークピース１４の注入面に向
かって加速するために連続したパルスを供給するよう
に、相対的にハイパワーの固体スイッチによって制御さ
れる電源を有している。パルス１１２の繰返率及びパル
ス持続時間は、グロー放電が発生し、２つの電極３０、
３２に印加されるパルスによって領域３４にプラズマが
形成され、維持されることを保証するように選ばれる。
プラズマの密度は、イオン化パルスが除去された後の再
結合及び拡散によってミリセコンドのオーダーの時間内
に減少させることができる。プラズマを連続的に維持す
るために、数千／秒以上のパルス繰返率が必要である。
しかしながら、より低いパルス繰返率でのイオン化及び
注入は各々のパルス期間で起こるが注入率は低くなる。
【００２１】汚染を減少させるために、支持台３０及び
マニホールド３２は、シリコンで被覆されたアルミニュ
ウムで形成されている。少なくとも、室壁２２の部分及
び／または支持台３０の非作業領域を、クオーツのよう
な絶縁材で被覆することによっても、汚染と同じように
パワーの消費も減少できる。
【００２２】図４には、イオンプラズマ領域３４からの
イオン１３０が表面１２０に衝突した時に、ワークピー
ス１４の処理面１２０で起こりえる反応を示している。
図４に示されている、イオン−表面の相互作用は、非弾
性反応（光子、Ｘ線、二次電子を発生させ、同時にイオ
ン注入をする）及び弾性反応（スパッタリング及び反射
粒子）の両方の反応を生じさせる。入射イオン１３０
は、ワークピース１４の固体格子内に捕獲される。これ
がイオン注入である。トラッピング確率ｎは、図５に示
されているように、イオンエネルギーＥの増加及びイオ
ン質量ｍの減少によって増加する。高エネルギー（Ｅ＞
１０ＫｅＶ）では、イオン質量にかかわらず、トラッピ
ング確率はｎ＝１である。イオンエネルギーは、モジュ
レータ１００のパルス電圧によって順番に指令されるプ
ラズマのシース電圧で決定される。また、トラッピング
確率はガス圧に影響されるので、イオンは表面１２０に
到達する前にガス分子の衝突によって一部のエネルギー
を失うことになる。
【００２３】ワークピース１４を室内に挿入するロード
ロック２０を使用することによって、室１２内部を排気
状態に維持する。真空ポンプ１４０は、室１２とポンプ
１４０との間に配置されるバルブ１４２を介して室内を
減圧状態に維持する。同じポンプ１４０をガス出口開口
３５に連結することができる。
【００２４】シリコンウエハは、本発明に従ってニトロ
ゲンドーパント材によって注入される。ニトロゲンガス
は、アルミニュウム製のマニホールド３２を介してガス
源３６から室１２内に導入される。マニホールド３２を
通って延び、室内部に開口している、いくつかの通路を
介してニトロゲンガスは分配される。図２に示されてい
る室１２全体は、ウエハ支持台３０を除いて接地されて
おり、ウエハ支持台３０は、ロードロック２０を経由し
て室内に挿入されるシリコンウエハを支持している。支
持台３０にパルスを送るために、絶縁体１５０が室壁と
支持台３０とを分離している。室の側壁及び底壁は耐性
のあるクオーツによって保護されている。ニトロゲンプ
ラズマは、パルス繰返率２０００ｐｐｓ、５マイクロセ
コンドのパルス幅の、負のパルスをウエハ支持台３０に
送ることによって発生する。
【００２５】グロー放電が起こるスレッショルドパルス
電圧は、室１２に導入されるガスの種類、ガス圧、電極
３０、３２の間隔に左右される。電極３０、３２の間隔
は、目的の電圧パルスの振幅を得るための電界強度を決
定する。
【００２６】希望するイオン化を生成するために必要な
パルス電圧は、領域３４に入力される他の外部入力によ
っても左右される。図２及び図３に、放射源１５２を含
むように示されているこれらの入力は、室の側壁の窓１
５３を通ったＵＶ、または、放射線である。ヘルムホル
ツコイル１５４は、領域３４に磁界を形成するために配
置されている。ヘルムホルツコイル１５４は、室の外側
あるいは内側に配置されてもよい。あるいは、領域３４
に磁界を形成するために永久磁石が使用されてもよい。
【００２７】本発明によれば、磁界がなくても、接地さ
れた処理室壁に関して−３．６ＫＶの電圧で処理室内に
プラズマが生成される。電極間の間隔が同じで、ヘルム
ホルツコイル１５４によって４０ガウスの磁界を発生さ
せた場合、−１．８ＫＶでプラズマは発生する。ドーズ
量は、ガス圧及びパルス状態に関連している。Ｖ＝−５
ＫＶ、パルス幅４マイクロセコンド、５０００Ｈｚのパ
ルス繰返率の注入状態の場合、ガス圧によるドーズ量は
４×１０13cm2/sec 〜２×１０15cm2/sec である。
【００２８】本発明によるドーピングの場合、直径６イ
ンチのシリコンウエハが一様に導電化される。図６は、
ボロントリフロイドを使用したプラズマ注入による、ボ
ロンのドーピングプロファイル（ウエハ表面からの距離
の関数として濃度が原子／ｃｍ3 で示されている。）を
示している。図７は、６インチのシリコンウエハに急速
な熱アニールに従ってボロンをドーピングする間に達成
されるドーピングの一様性を示しており、図７には、４
点プローブで測定した、地形図のような抵抗線図が示さ
れている。図７では、等高線の代わりに等しい抵抗線図
で示しており、平均的な抵抗線は太線で示されている。
太線から内側及び外側の放射方向の同心線は、平均抵抗
線以上または以下の漸進的な抵抗線を表している。ウエ
ハ１４の表面を横断する平均抵抗線からの全体的なずれ
は約１％である。
【００２９】本発明は幾分特定して説明されているが、
添付された請求の範囲または精神に含まれる全ての変更
や修正は、本発明に含まれることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のイオン注入システムを示す図
である。
【図２】図２は、処理室内にプラズマを生成するための
カソード及びアノードを含む処理室の拡大説明図であ
る。
【図３】図３は、図２と同様の説明図である。
【図４】図４は、ワークピースの表面に衝突するイオン
間の相互作用を示す図である。
【図５】図５は、イオンがワークピースに衝突する時、
イオンエネルギーと質量の関数としてイオン注入の確率
を示すグラフである。
【図６】図６は、ボロントリフロイドガス分子から導出
されたボロンで導電化された直径６インチのウエハの注
入のために、ウエハの表面付近の深さの関数としてイオ
ン注入濃度を示すグラフである。
【図７】図７は、ボロン注入された６インチウエハのド
ーピングの一様性を示すグラフである。
【符号の説明】
１２ 処理室 １４ ワークピース ２０ ロードロック ２１ バルブ ２２ 内壁 ２４ 室内部 ３０ ワークピース支持部 ３２ 導電性壁部（インジェクター、マニホール
ド） ３４ 処理領域 ３６ ガス源 ３７ 導入管 １００ 制御回路（モジュレータ回路） １４０ 真空ポンプ １４２ バルブ １５０ 絶縁体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 390033020 Ｅａｔｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｃｌｅｖｅｌ ａｎｄ，Ｏｈｉｏ 44114，Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジークワン シャオ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02159 ニュートン グレート メドウ ロード 47

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）１つ以上のワークピース（１４）を
    処理室（１２）の内部（２４）に挿入し、前記ワークピ
    ース（１４）を導電性のワークピース支持部（３０）上
    に支持して、前記ワークピース（１４）の処理面（１２
    ０）が、内部（２４）を区画する導電性壁部（３２）を
    有する処理室（１２）のの処理領域（３４）に面する工
    程； （ｂ）中性電荷のガス分子からなる処理物質を処理室
    （１２）内に注入して、ガス分子が処理領域（３４）を
    占有する工程； （ｃ）処理室（１２）内に注入されたガス分子をイオン
    化し、前記ワークピース（１４）の処理面（１２０）に
    荷電粒子を加速して衝突させるために、電圧パルス（１
    １２、Ｎ、Ｐ）を印加することによって、処理室（１
    ２）の導電性のワークピース支持部（３０）と導電性の
    壁部（３２）を繰り返して相対的にバイアスする工程；
    からなることを特徴とする１つ以上のワークピースの処
    理方法。
  2. 【請求項２】工程（ｃ）が、処理室（１２）に注入され
    たガス分子をイオン化し、１つ以上のワークピース（１
    ４）の処理面（１２０）に正電荷イオンを加速して衝突
    させるために、処理室（１２）の導電性壁部（３２）に
    関して導電性のワークピース支持部（３０）を負電荷を
    帯びるように繰り返してバイアスする工程からなること
    を特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】工程（ｃ）が、処理室（１２）に注入され
    たガス分子をイオン化し、１つ以上のワークピース（１
    ４）の処理面（１２０）に電子を加速して衝突させるた
    めに、処理室（１２）の導電性壁部（３２）に関して導
    電性のワークピース支持部（３０）を正電荷を帯びるよ
    うに繰り返してバイアスする工程からなることを特徴と
    する請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】工程（ｃ）が、導電性の壁部（３２）を基
    準電位に維持すると同時に、導電性のワークピース支持
    部（３０）に電圧パルス（１１２、Ｎ）を印加する工程
    からなることを特徴とする請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】工程（ｃ）が、導電性のワークピース支持
    部（３０）を基準電位に維持すると同時に、導電性の壁
    部（３２）に電圧パルス（Ｐ）を印加する工程からなる
    ことを特徴とする請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】処理室（１２）の処理領域（３４）に磁界
    を発生させる工程を含むことを特徴とする請求項１記載
    の方法。
  7. 【請求項７】処理室（１２）の処理領域（３４）に放射
    させる工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方
    法。
  8. 【請求項８】導電性のワークピース支持部（３０）及び
    導電性壁部（３２）をバイアスするために印加される電
    圧パルス（１１２、Ｎ、Ｐ）は、処理室（１２）の内部
    （２４）に一定のレベルのイオンプラズマ濃度を維持す
    るために十分な、パルスレート、幅、及び大きさを有す
    ることを特徴とする請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】電圧パルス（１１２、Ｎ、Ｐ）は、マイク
    ロセコンドのオーダーで継続し、数千ヘルツのオーダー
    のパルス繰返率を有することを特徴とする請求項８記載
    の方法。
  10. 【請求項１０】（ａ）室内部（２４）を画定する処理室
    （１２）であって、室内部を区画する導電性壁部（３
    ２）を有する処理室（１２）； （ｂ）処理室（１２）の室内部（２４）に１つ以上のワ
    ークピースを支持する導電性ワークピース支持部（３
    ０）； （ｃ）導電性ワークピース支持部（３０）に支持された
    １つ以上のワークピース（１４）に隣接する処理領域
    （３４）を占有するガス分子からなる処理物質を処理室
    （１２）内に注入するインジェクター（３２）；及び （ｄ）処理室（１２）の導電性ワークピース支持部（３
    ０）と導電性壁部（３２）を繰り返して相対的にバイア
    スするための制御回路（１００）であって、該制御回路
    （１００）は、処理室（１２）に注入されたガス分子を
    イオン化するために、また、１つ以上のワークピース
    （１４）の処理面（１２０）に荷電粒子を加速して衝突
    させるために、連続した電圧パルス（１１２、Ｎ、Ｐ）
    を発生させるための電圧源を構成する；ことを特徴とす
    るワークピースの処理装置。
  11. 【請求項１１】導電性壁部（３２）はインジェクター
    （３２）を構成することを特徴とする請求項１０記載の
    ワークピースの処理装置。
  12. 【請求項１２】制御回路（１００）は、処理室（１２）
    内に注入されたガス分子をイオン化するため、また、１
    つ以上のワークピースの処理面（１２０）に正電荷イオ
    ンを加速して衝突させるために、処理室（１２）の導電
    性壁部（３２）に関して導電性ワークピース支持部（３
    ０）を負電荷を帯びるように繰り返してバイアスするこ
    とを特徴とする請求項１０記載のワークピースの処理装
    置。
  13. 【請求項１３】制御回路（１００）は、処理室（１２）
    内に注入されたガス分子をイオン化するため、また、１
    つ以上のワークピース（１４）の処理面（１２０）に電
    子を加速して衝突させるために、処理室（１２）の導電
    性壁部（３２）に関して導電性ワークピース支持部（３
    ０）を正電荷を帯びるように繰り返してバイアスするこ
    とを特徴とする請求項１０記載のワークピースの処理装
    置。
  14. 【請求項１４】電圧源は導電性ワークピース支持部（３
    ０）に電圧パルス（１１２、Ｎ）を印加し、制御回路
    （１００）は、導電性壁部（３２）を基準電位に維持す
    ることを特徴とする請求項１０記載のワークピースの処
    理装置。
  15. 【請求項１５】電圧源は導電性壁部（３２）に電圧パル
    ス（Ｐ）を印加し、制御回路（１００）は、導電性ワー
    クピース支持部（３０）を基準電位に維持することを特
    徴とする請求項１０記載のワークピースの処理装置。
  16. 【請求項１６】導電性ワークピース支持部（３０）は、
    処理室（１２）の絶縁部（１５０）で支持されているこ
    とを特徴とする請求項１０記載のワークピースの処理装
    置。
  17. 【請求項１７】インジェクター（３２）は、室内部（２
    ４）にガス分子を分配するためのマニホールド（３２）
    を構成することを特徴とする請求項１０記載のワークピ
    ースの処理装置。
  18. 【請求項１８】マニホールド（３２）は導電材からな
    り、処理室（１２）の絶縁部（１５０）で支持されてお
    り、電圧源は、導電性ワークピース支持部（３０）に関
    して導電性マニホールド（３２）を相対的にバイアスす
    るために、導電性のマニホールド（３２）に電圧パルス
    （Ｐ）を印加することを特徴とする請求項１７記載のワ
    ークピースの処理装置。
  19. 【請求項１９】少なくとも、室内部（２４）及び導電性
    ワークピース支持部（３０）の非作業領域は、絶縁材に
    沿って並んでいることを特徴とする請求項１０記載のワ
    ークピースの処理装置。
  20. 【請求項２０】処理室（１２）の処理領域（３４）に磁
    界を形成するために磁石（１５４）を有することを特徴
    とする請求項１０記載のワークピースの処理装置。
  21. 【請求項２１】処理室（１２）の処理領域（３４）に放
    射させるために放射源（１５２）を有することを特徴と
    する請求項１０記載のワークピースの処理装置。
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