JPH10124938A - 相変化型光ディスクの製造方法及び相変化型光ディスク - Google Patents
相変化型光ディスクの製造方法及び相変化型光ディスクInfo
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- JPH10124938A JPH10124938A JP29777496A JP29777496A JPH10124938A JP H10124938 A JPH10124938 A JP H10124938A JP 29777496 A JP29777496 A JP 29777496A JP 29777496 A JP29777496 A JP 29777496A JP H10124938 A JPH10124938 A JP H10124938A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トラックパターンの転写と初期化とを同一工
程で行うことができる相変化型光ディスクの製造方法を
提供する。 【解決手段】 レーザ光の照射により可逆的に結晶とア
モルファスとの間を相変化する相変化型光ディスクＡを
製造する方法であって、透光性基板１上に第１の誘電体
層２、相変化型記録層３、第２の誘電体層４、反射層５
を順次積層した後、トラックパターン１５ａを設けたス
タンパ１１を加熱しながら反射層５に押し当て反射層５
〜透光性基板１を加熱してトラックパターン７，１５ａ
を反射層５〜透光性基板１に転写すると共に、相変化型
記録層３をアモルファスから結晶に相変化させる初期化
を行う。
程で行うことができる相変化型光ディスクの製造方法を
提供する。 【解決手段】 レーザ光の照射により可逆的に結晶とア
モルファスとの間を相変化する相変化型光ディスクＡを
製造する方法であって、透光性基板１上に第１の誘電体
層２、相変化型記録層３、第２の誘電体層４、反射層５
を順次積層した後、トラックパターン１５ａを設けたス
タンパ１１を加熱しながら反射層５に押し当て反射層５
〜透光性基板１を加熱してトラックパターン７，１５ａ
を反射層５〜透光性基板１に転写すると共に、相変化型
記録層３をアモルファスから結晶に相変化させる初期化
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報の記
録、再生、消去が可能な相変化型光ディスク及びその製
造方法に関する。
録、再生、消去が可能な相変化型光ディスク及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、相変化型光ディスクは透光性基
板上に第１の誘電体層と相変化型記録層と第２の誘電体
層と反射層と保護膜あるいは貼り合わせ基板とを順次積
層してなる。この相変化型光ディスクを構成する相変化
型記録層はこれを成膜したままではアモルファス状態で
あるから反射率が低い状態である。アモルファス状態で
あるこの相変化型記録層を一度結晶状態に変え、反射率
が高い状態にして、つまり初期化した後に記録を行う。
板上に第１の誘電体層と相変化型記録層と第２の誘電体
層と反射層と保護膜あるいは貼り合わせ基板とを順次積
層してなる。この相変化型光ディスクを構成する相変化
型記録層はこれを成膜したままではアモルファス状態で
あるから反射率が低い状態である。アモルファス状態で
あるこの相変化型記録層を一度結晶状態に変え、反射率
が高い状態にして、つまり初期化した後に記録を行う。
【０００３】さて、ディスクの半径方向に円弧状の多数
の記録トラックが平行に設けられる光記録媒体の光記録
層を基板上に成膜後、単一のレーザビームにより複数の
トラックを含む隣接する基板上の領域を一部重畳させな
がら順次走査する初期化方法が開示されている（例えば
特開平２−４２６６１号公報）。これによれば初期化時
間を短縮すると共に消し残りやノイズを低減するとして
いる。
の記録トラックが平行に設けられる光記録媒体の光記録
層を基板上に成膜後、単一のレーザビームにより複数の
トラックを含む隣接する基板上の領域を一部重畳させな
がら順次走査する初期化方法が開示されている（例えば
特開平２−４２６６１号公報）。これによれば初期化時
間を短縮すると共に消し残りやノイズを低減するとして
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の技術には、次の（１）〜（３）のような問題があ
る。 （１）単一のレーザビーム（レーザ光）により複数のト
ラックを含む隣接する基板上の領域を一部重畳させなが
ら順次走査するのでは、初期化に長時間を要する。基板
の成形や成膜が１０秒以下の短時間のタクトで処理でき
るのに対し、従来の初期化方法では、「分」のオーダー
となり、初期化工程が製造時間を短縮する上でネックと
なる。 （２）レーザビームを部分的に半径方向に走査していく
ので初期化状態が不均一になり易い。 （３）高出力レーザダイオードは寿命が短く、ランニン
グコストが高い。
来の技術には、次の（１）〜（３）のような問題があ
る。 （１）単一のレーザビーム（レーザ光）により複数のト
ラックを含む隣接する基板上の領域を一部重畳させなが
ら順次走査するのでは、初期化に長時間を要する。基板
の成形や成膜が１０秒以下の短時間のタクトで処理でき
るのに対し、従来の初期化方法では、「分」のオーダー
となり、初期化工程が製造時間を短縮する上でネックと
なる。 （２）レーザビームを部分的に半径方向に走査していく
ので初期化状態が不均一になり易い。 （３）高出力レーザダイオードは寿命が短く、ランニン
グコストが高い。
【０００５】そこで、本発明は上記の点に着目してなさ
れたものであり、透光性基板、第１の誘電体層、相変化
型記録層、第２の誘電体層、反射層を順次積層した後、
トラックパターンを設けたスタンパを加熱しながらこの
反射層に押し当て、透光性基板乃至反射層を加熱してト
ラックパターンを相変化型記録層に転写すると共に、こ
の相変化型記録層をアモルファスから結晶に相変化させ
る初期化を行うから、このため、トラックパターンの転
写と初期化とが短時間（ほぼ同時）に行うことができ、
また、スタンパとディスクを収納する金型との熱容量が
大きいのでディスクの全面（相変化型記録層）を均一に
しかも同時に初期化を行い相変化型記録層はすべて結晶
化（初期化）できるから、初期化時の偏心が全くなく、
内周や外周でデータ領域に未初期化部分が残ることを完
全に除去することを目的とするものである。
れたものであり、透光性基板、第１の誘電体層、相変化
型記録層、第２の誘電体層、反射層を順次積層した後、
トラックパターンを設けたスタンパを加熱しながらこの
反射層に押し当て、透光性基板乃至反射層を加熱してト
ラックパターンを相変化型記録層に転写すると共に、こ
の相変化型記録層をアモルファスから結晶に相変化させ
る初期化を行うから、このため、トラックパターンの転
写と初期化とが短時間（ほぼ同時）に行うことができ、
また、スタンパとディスクを収納する金型との熱容量が
大きいのでディスクの全面（相変化型記録層）を均一に
しかも同時に初期化を行い相変化型記録層はすべて結晶
化（初期化）できるから、初期化時の偏心が全くなく、
内周や外周でデータ領域に未初期化部分が残ることを完
全に除去することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明は下記（１）〜（５）の構成になる相変
化型光ディスク製造方法及び相変化型光ディスクを提供
する。
ために、本発明は下記（１）〜（５）の構成になる相変
化型光ディスク製造方法及び相変化型光ディスクを提供
する。
【０００７】（１） 図１（Ａ），（Ｂ）、図２に示す
ように、（図１（Ａ）中、矢印ａ方向からの）レーザ光
の照射により可逆的に結晶とアモルファスとの間を相変
化する相変化型光ディスクＡの製造方法であって、平坦
な透光性基板１上に相変化型記録層３を少なくとも積層
し、次いで、トラックパターン１５ａを設けたスタンパ
１１を加熱しながらこの相変化型記録層３に押し当て、
前記透光性基板１及び相変化型記録層３を少なくとも加
熱して前記トラックパターン１５ｂ，７を前記相変化型
記録層３に転写すると共に、前記相変化型記録層３をア
モルファスから結晶に相変化させる初期化を行うことを
特徴とする相変化型光ディスクの製造方法。
ように、（図１（Ａ）中、矢印ａ方向からの）レーザ光
の照射により可逆的に結晶とアモルファスとの間を相変
化する相変化型光ディスクＡの製造方法であって、平坦
な透光性基板１上に相変化型記録層３を少なくとも積層
し、次いで、トラックパターン１５ａを設けたスタンパ
１１を加熱しながらこの相変化型記録層３に押し当て、
前記透光性基板１及び相変化型記録層３を少なくとも加
熱して前記トラックパターン１５ｂ，７を前記相変化型
記録層３に転写すると共に、前記相変化型記録層３をア
モルファスから結晶に相変化させる初期化を行うことを
特徴とする相変化型光ディスクの製造方法。
【０００８】（２） 図１（Ａ），（Ｂ）、図２に示す
ように、（図１（Ａ）中、矢印ａ方向からの）レーザ光
の照射により可逆的に結晶とアモルファスとの間を相変
化する相変化型光ディスクＡの製造方法であって、平坦
な透光性基板１上に、第１の誘電体層２、相変化型記録
層３、第２の誘電体層４、反射層５を順次積層し、トラ
ックパターン１５ａを設けたスタンパ１１を加熱しなが
ら前記反射層５に押し当て、前記反射層５乃至透光性基
板１を加熱して前記トラックパターン１５ｂ，７を前記
反射層５乃至透光性基板１に転写すると共に、前記相変
化型記録層３をアモルファスから結晶に相変化させる初
期化を行うことを特徴とする相変化型光ディスクの製造
方法。
ように、（図１（Ａ）中、矢印ａ方向からの）レーザ光
の照射により可逆的に結晶とアモルファスとの間を相変
化する相変化型光ディスクＡの製造方法であって、平坦
な透光性基板１上に、第１の誘電体層２、相変化型記録
層３、第２の誘電体層４、反射層５を順次積層し、トラ
ックパターン１５ａを設けたスタンパ１１を加熱しなが
ら前記反射層５に押し当て、前記反射層５乃至透光性基
板１を加熱して前記トラックパターン１５ｂ，７を前記
反射層５乃至透光性基板１に転写すると共に、前記相変
化型記録層３をアモルファスから結晶に相変化させる初
期化を行うことを特徴とする相変化型光ディスクの製造
方法。
【０００９】（３） 上記（１）又は（２）記載の相変
化型光ディスクの製造方法により製造された相変化型光
ディスク同士Ａ，Ａを重ね合わせて貼り合わせることに
より、貼り合わせ相変化型光ディスクを製造することを
特徴とする相変化型光ディスクの製造方法。
化型光ディスクの製造方法により製造された相変化型光
ディスク同士Ａ，Ａを重ね合わせて貼り合わせることに
より、貼り合わせ相変化型光ディスクを製造することを
特徴とする相変化型光ディスクの製造方法。
【００１０】（４） 上記（１）又は（２）記載の相変
化型光ディスクの製造方法により製造された相変化型光
ディスクＡであって、平坦な透光性基板１上に積層され
た相変化型記録層３は、当該ディスクＡの未使用状態に
おいては初期化が全周にわたり完了していることを特徴
とする相変化型光ディスク。
化型光ディスクの製造方法により製造された相変化型光
ディスクＡであって、平坦な透光性基板１上に積層され
た相変化型記録層３は、当該ディスクＡの未使用状態に
おいては初期化が全周にわたり完了していることを特徴
とする相変化型光ディスク。
【００１１】（５） 上記（３）記載の相変化型光ディ
スクの製造方法により製造された貼り合わせ相変化型光
ディスクであって、２層の相変化型記録層Ａ，Ａは、当
該ディスクの未使用状態においては初期化が全周にわた
り完了していることを特徴とする相変化型光ディスク。
スクの製造方法により製造された貼り合わせ相変化型光
ディスクであって、２層の相変化型記録層Ａ，Ａは、当
該ディスクの未使用状態においては初期化が全周にわた
り完了していることを特徴とする相変化型光ディスク。
【００１２】
【発明の実施の態様】以下、本発明について、［相変化
型光ディスクの構造］、［相変化型光ディスクの製造方
法］の順に図１〜図４に沿って説明する。図１は本発明
の相変化型光ディスクの製造方法におけるトラックパタ
ーン転写状態を説明するための図であり、同図（Ａ）は
トラックパターンを各層に転写した後の状態を示す図、
同図（Ｂ）はトラックパターンを各層に転写する前の状
態を示す図、図２はトラックパターン転写装置を説明す
るための図、図３は本発明の相変化型光ディスクを説明
するための図であり、同図（Ａ）はトラックパターン転
写の後本発明の相変化型光ディスクが未使用状態におい
て初期化が全周にわたり完了している状態を示す図、同
図（Ｂ）は透光性基板乃至反射層を積層しさらに初期化
した後も従来の相変化型光ディスクでは未使用状態にお
いて未初期化部分が存在する状態を示す図である。
型光ディスクの構造］、［相変化型光ディスクの製造方
法］の順に図１〜図４に沿って説明する。図１は本発明
の相変化型光ディスクの製造方法におけるトラックパタ
ーン転写状態を説明するための図であり、同図（Ａ）は
トラックパターンを各層に転写した後の状態を示す図、
同図（Ｂ）はトラックパターンを各層に転写する前の状
態を示す図、図２はトラックパターン転写装置を説明す
るための図、図３は本発明の相変化型光ディスクを説明
するための図であり、同図（Ａ）はトラックパターン転
写の後本発明の相変化型光ディスクが未使用状態におい
て初期化が全周にわたり完了している状態を示す図、同
図（Ｂ）は透光性基板乃至反射層を積層しさらに初期化
した後も従来の相変化型光ディスクでは未使用状態にお
いて未初期化部分が存在する状態を示す図である。
【００１３】［相変化型光ディスクの構造］
【００１４】本発明になる相変化型光ディスクＡは、図
１（Ａ）に示すように、矢印ａ方向から透光性基板１に
入射するレーザ光の相変化型記録層３に形成されたトラ
ック７への照射により、相変化型記録層３を可逆的に結
晶とアモルファスとの間を相変化することにより、光学
的に情報の記録、再生、消去が可能なものである。
１（Ａ）に示すように、矢印ａ方向から透光性基板１に
入射するレーザ光の相変化型記録層３に形成されたトラ
ック７への照射により、相変化型記録層３を可逆的に結
晶とアモルファスとの間を相変化することにより、光学
的に情報の記録、再生、消去が可能なものである。
【００１５】詳しくは、相変化型光ディスクＡは、平坦
な透光性基板１と、この基板１上に積層形成される第１
の誘電体層２と、この第１の誘電体層２上に積層形成さ
れる相変化型記録層３と、この相変化型記録層３上に積
層形成される第２の誘電体層４と、この第２の誘電体層
４上に積層形成される反射層５と、この反射層５上に積
層形成される保護層６とを順次積層して構成される。同
図中、７はトラック（トラックパターン）。
な透光性基板１と、この基板１上に積層形成される第１
の誘電体層２と、この第１の誘電体層２上に積層形成さ
れる相変化型記録層３と、この相変化型記録層３上に積
層形成される第２の誘電体層４と、この第２の誘電体層
４上に積層形成される反射層５と、この反射層５上に積
層形成される保護層６とを順次積層して構成される。同
図中、７はトラック（トラックパターン）。
【００１６】前記した透光性基板１は、レーザ光が透過
できる透明基板であり、ポリカーボネート、ポリオレフ
ィン、アクリル等の平坦なプラスチック基板が用いられ
る。
できる透明基板であり、ポリカーボネート、ポリオレフ
ィン、アクリル等の平坦なプラスチック基板が用いられ
る。
【００１７】前記した第１の誘電体層２は、金属の酸化
物、窒化物、硫化物が用いられる。例えば、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 （硫化亜鉛・酸化シリコン化合物）、ＺｎＳ（硫
化亜鉛），ＳｉＯ2 （酸化シリコン）、Ｔａ2 Ｏ5 （酸
化タンタル）、Ｓｉ3 Ｎ4 （窒化シリコン）、ＡｌＮ
（窒化アルミニウム）、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウ
ム）、ＡｌＳｉＯＮ（アルミニウムシリコン窒酸化
物），ＺｒＯ2 （酸化シルコニウム）、ＴｉＯ2 （酸化
チタン）などの単体あるいはこれらの混合物が用いられ
る。膜厚は１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲にある。使用す
る光源（レーザビームの光源）の波長によって最適膜厚
は変動するが、好ましくは、再生信号を増大させるため
に、５０ｎｍ〜２００ｎｍとするのがよい。さらには、
基板１への熱伝導の影響を低減する上でも、８０ｎｍ以
上にするのがよい。
物、窒化物、硫化物が用いられる。例えば、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 （硫化亜鉛・酸化シリコン化合物）、ＺｎＳ（硫
化亜鉛），ＳｉＯ2 （酸化シリコン）、Ｔａ2 Ｏ5 （酸
化タンタル）、Ｓｉ3 Ｎ4 （窒化シリコン）、ＡｌＮ
（窒化アルミニウム）、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウ
ム）、ＡｌＳｉＯＮ（アルミニウムシリコン窒酸化
物），ＺｒＯ2 （酸化シルコニウム）、ＴｉＯ2 （酸化
チタン）などの単体あるいはこれらの混合物が用いられ
る。膜厚は１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲にある。使用す
る光源（レーザビームの光源）の波長によって最適膜厚
は変動するが、好ましくは、再生信号を増大させるため
に、５０ｎｍ〜２００ｎｍとするのがよい。さらには、
基板１への熱伝導の影響を低減する上でも、８０ｎｍ以
上にするのがよい。
【００１８】前記した相変化型記録層３は、アモルファ
ス−結晶間の反射率変化あるいは屈折率変化を利用する
相変化材料が用いられる。例えば、Ｇｅ（ゲルマニウ
ム）−Ｓｂ（アンチモン）−Ｔｅ（テルル）系、Ａｇ
（銀）−Ｉｎ（インジウム）−Ｔｅ−Ｓｂ系などがあげ
られる。相変化型記録層３の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎ
ｍ、好ましくは、再生信号を増大させるために、１０ｎ
ｍ〜３０ｎｍとするのがよい。
ス−結晶間の反射率変化あるいは屈折率変化を利用する
相変化材料が用いられる。例えば、Ｇｅ（ゲルマニウ
ム）−Ｓｂ（アンチモン）−Ｔｅ（テルル）系、Ａｇ
（銀）−Ｉｎ（インジウム）−Ｔｅ−Ｓｂ系などがあげ
られる。相変化型記録層３の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎ
ｍ、好ましくは、再生信号を増大させるために、１０ｎ
ｍ〜３０ｎｍとするのがよい。
【００１９】前記した第２の誘電体層４は、第１の誘電
体層２と同じ材料が用いられる。第２の誘電体層４は第
１の誘電体層２よりも薄く、いわゆる急冷構造をとり、
熱的ダメージを軽減するために膜厚は１ｎｍ〜５０ｎｍ
とするのがよい。
体層２と同じ材料が用いられる。第２の誘電体層４は第
１の誘電体層２よりも薄く、いわゆる急冷構造をとり、
熱的ダメージを軽減するために膜厚は１ｎｍ〜５０ｎｍ
とするのがよい。
【００２０】前記した反射層５は、熱伝導が高い金属、
あるいは半導体等の薄膜が用いられる。例えば、Ａｌ、
Ａｕ（金）、Ａｇ、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ｉ
ｎ，Ｔｉ，Ｃｒ（クロム），Ｐｔ（プラチナ）などの金
属、あるいはこれらの合金が主に用いられる。その膜厚
は５０ｎｍ〜３００ｎｍにすることが望ましい。
あるいは半導体等の薄膜が用いられる。例えば、Ａｌ、
Ａｕ（金）、Ａｇ、Ｃｕ（銅），Ｎｉ（ニッケル），Ｉ
ｎ，Ｔｉ，Ｃｒ（クロム），Ｐｔ（プラチナ）などの金
属、あるいはこれらの合金が主に用いられる。その膜厚
は５０ｎｍ〜３００ｎｍにすることが望ましい。
【００２１】上述した図１（Ａ）に示した相変化型光デ
ィスクＡは、いわゆる単板式のものであるが、本発明に
なる相変化型光ディスクはこうした単板式のものに限る
ものではなく、２枚の相変化型光ディスクＡ同士を重ね
合わせて貼り合わせることにより成る、いわゆる貼り合
わせ式の相変化型光ディスクであっても良いことは勿論
である。具体的には、１枚目（下層）の相変化型光ディ
スクを構成する保護層６上に接着剤層（図示せず）を介
して２枚目（上層）の相変化型光ディスクを構成する基
板１を重ね合わせ貼り合わせるのである。この場合、１
枚目の相変化型光ディスクを構成する相変化型記録層３
に対して照射するレーザ光は１枚目の相変化型光ディス
クを構成する透光性基板１側（図１（Ａ）中、矢印ａ方
向側）から入射することになり、一方、２枚目の相変化
型光ディスクを構成する相変化型記録層３に対して照射
するレーザ光は２枚目の相変化型光ディスクを構成する
保護層６側（図１（Ａ）中、矢印ｂ方向側）から入射す
ることになる。
ィスクＡは、いわゆる単板式のものであるが、本発明に
なる相変化型光ディスクはこうした単板式のものに限る
ものではなく、２枚の相変化型光ディスクＡ同士を重ね
合わせて貼り合わせることにより成る、いわゆる貼り合
わせ式の相変化型光ディスクであっても良いことは勿論
である。具体的には、１枚目（下層）の相変化型光ディ
スクを構成する保護層６上に接着剤層（図示せず）を介
して２枚目（上層）の相変化型光ディスクを構成する基
板１を重ね合わせ貼り合わせるのである。この場合、１
枚目の相変化型光ディスクを構成する相変化型記録層３
に対して照射するレーザ光は１枚目の相変化型光ディス
クを構成する透光性基板１側（図１（Ａ）中、矢印ａ方
向側）から入射することになり、一方、２枚目の相変化
型光ディスクを構成する相変化型記録層３に対して照射
するレーザ光は２枚目の相変化型光ディスクを構成する
保護層６側（図１（Ａ）中、矢印ｂ方向側）から入射す
ることになる。
【００２２】上述した構成の相変化型光ディスクを製造
することについて次に述べる。 ［相変化型光ディスクの製造方法］
することについて次に述べる。 ［相変化型光ディスクの製造方法］
【００２３】本発明になる相変化型光ディスク製造方法
は、大略、下記する（１）〜（６）の工程の順に行われ
る。工程（１）〜工程（４）はいずれも真空状態で行わ
れる。
は、大略、下記する（１）〜（６）の工程の順に行われ
る。工程（１）〜工程（４）はいずれも真空状態で行わ
れる。
【００２４】・工程（１）…平坦な透光性基板１上に第
１の誘電体層２を形成する。
１の誘電体層２を形成する。
【００２５】・工程（２）…第１の誘電体層２上に相変
化型記録層３を形成する。
化型記録層３を形成する。
【００２６】・工程（３）…相変化型記録層３上に第２
の誘電体層４を形成する。
の誘電体層４を形成する。
【００２７】・工程（４）…第２の誘電体層４上に反射
層５を形成する。こうして、図１（Ｂ）に示す積層状態
（透光性基板１乃至反射層５に至る５層）のディスクＢ
を形成する。
層５を形成する。こうして、図１（Ｂ）に示す積層状態
（透光性基板１乃至反射層５に至る５層）のディスクＢ
を形成する。
【００２８】・工程（５）…トラックパターン１５ａを
設けた後述するスタンパ（図２に図示）を加熱しなが
ら、図１（Ｂ）に示す積層状態のディスクＢの最上層部
である反射層５に押し当て、このトラックパターン１５
ａを、反射層５、第２の誘電体層４、相変化型記録層
３、第１の誘電体層２、透光性基板１にそれぞれ転写す
る。この結果、トラックパターン１５ａを反転したトラ
ックパターン１５ｂ（即ちトラックパターン７）が転写
された相変化型記録層３はアモルファスから結晶に相変
化することにより、相変化型記録層３の初期化が全周に
わたり行われる。図３（Ａ）に示すディスクＢ´は工程
（５）によって透光性基板１乃至反射層５にそれぞれト
ラックパターン７が形成されると共に相変化型記録層３
の初期化が全周にわたり行われた状態のディスイクであ
る。
設けた後述するスタンパ（図２に図示）を加熱しなが
ら、図１（Ｂ）に示す積層状態のディスクＢの最上層部
である反射層５に押し当て、このトラックパターン１５
ａを、反射層５、第２の誘電体層４、相変化型記録層
３、第１の誘電体層２、透光性基板１にそれぞれ転写す
る。この結果、トラックパターン１５ａを反転したトラ
ックパターン１５ｂ（即ちトラックパターン７）が転写
された相変化型記録層３はアモルファスから結晶に相変
化することにより、相変化型記録層３の初期化が全周に
わたり行われる。図３（Ａ）に示すディスクＢ´は工程
（５）によって透光性基板１乃至反射層５にそれぞれト
ラックパターン７が形成されると共に相変化型記録層３
の初期化が全周にわたり行われた状態のディスイクであ
る。
【００２９】・工程（６）…トラックパターンが転写さ
れた反射層５上に紫外線硬化樹脂の保護層６を塗布形成
する。塗布方法としては、スピンコート法、スプレー
法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート法、
スクリーン印刷法等が用いられる。紫外線硬化樹脂は、
少なくともプレポリマ−、単官能アクリレ−トモノマ
−、多官能アクリレ−トモノマ−等と光重合開始剤から
なる。
れた反射層５上に紫外線硬化樹脂の保護層６を塗布形成
する。塗布方法としては、スピンコート法、スプレー
法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート法、
スクリーン印刷法等が用いられる。紫外線硬化樹脂は、
少なくともプレポリマ−、単官能アクリレ−トモノマ
−、多官能アクリレ−トモノマ−等と光重合開始剤から
なる。
【００３０】こうして、図１（Ａ）に示す構造の単板の
相変化型光ディスクＡを製造することができる。
相変化型光ディスクＡを製造することができる。
【００３１】ここで、前記した工程（５）で行われるト
ラックパターンの転写についてさらに詳しく説明する。
前記した工程（１）〜工程（４）における真空成膜後、
図１（Ｂ）に示した積層状態（透光性基板１乃至反射層
５の５層）のディスクＢを大気中に取り出し、トラック
パターン転写装置（図２に図示）１０に取り付ける。
ラックパターンの転写についてさらに詳しく説明する。
前記した工程（１）〜工程（４）における真空成膜後、
図１（Ｂ）に示した積層状態（透光性基板１乃至反射層
５の５層）のディスクＢを大気中に取り出し、トラック
パターン転写装置（図２に図示）１０に取り付ける。
【００３２】このトラックパターン転写装置１０は、例
えば上記した透光性基板１を成型するのに用いられる射
出成形機と同一構成のものを利用することができるが、
こうした射出成形機をトラックパターン転写装置１０と
して利用した場合に溶融した透光性基板１の材料を金型
１４内に射出しないことは言うまでもない。
えば上記した透光性基板１を成型するのに用いられる射
出成形機と同一構成のものを利用することができるが、
こうした射出成形機をトラックパターン転写装置１０と
して利用した場合に溶融した透光性基板１の材料を金型
１４内に射出しないことは言うまでもない。
【００３３】このトラックパターン転写装置１０は、図
２に示すように、スタンパ１１、ヒータ１２、加圧シリ
ンダ１３、金型１４から構成される。
２に示すように、スタンパ１１、ヒータ１２、加圧シリ
ンダ１３、金型１４から構成される。
【００３４】上記したトラックパターン１５ａをディス
クＢに転写するスタンパ１１は、フォトレジスト層を設
けたガラス原盤上にレーザ光によりトラックパターンを
カッティングし、現像、導電化処理、メッキ等の工程か
らなる通常のマスタリング工程によって作製されたもの
である。
クＢに転写するスタンパ１１は、フォトレジスト層を設
けたガラス原盤上にレーザ光によりトラックパターンを
カッティングし、現像、導電化処理、メッキ等の工程か
らなる通常のマスタリング工程によって作製されたもの
である。
【００３５】前記した加圧シリンダ１３はその内部にヒ
ータ１２が収納されており、その下端部に取り付けられ
たスタンパ１１に熱及び押圧力を供給する。
ータ１２が収納されており、その下端部に取り付けられ
たスタンパ１１に熱及び押圧力を供給する。
【００３６】前記した金型１４はディスクＢを収納固定
可能な程度の容積を有しており、また、加圧シリンダ１
３の下端部に取り付けたスタンパ１１を進退自在に収納
可能なように装置本体に取り付けられている。
可能な程度の容積を有しており、また、加圧シリンダ１
３の下端部に取り付けたスタンパ１１を進退自在に収納
可能なように装置本体に取り付けられている。
【００３７】前記した構成のトラックパターン転写装置
１０は、次のようにトラックパターン転写動作を行う。
１０は、次のようにトラックパターン転写動作を行う。
【００３８】ディスクＢを構成する反射層５の上面に加
熱したスタンパ１１を押し当て、加圧して凹凸からなる
トラックパターンを基板Ｂに転写する。加熱温度は、プ
ラスチック基板である透光性基板１の熱変形温度ならび
に相変化型記録層３の結晶化温度以上に設定する。加圧
時間は、転写性によって左右されるが数秒から数十秒
（５秒，６秒〜５０秒，６０秒）とするのが好ましい。
トラックパターン１５ｂの転写と同時に結晶化温度以上
の加熱によって相変化型記録層３がアモルファスから結
晶に相変化し、反射率が上昇して初期化が短時間で完了
する。スタンパ１１全体が加熱されているので、相変化
型記録層３の内周から外周の全面にわたり均一に初期化
が行われる（図３（Ａ）に図示）。
熱したスタンパ１１を押し当て、加圧して凹凸からなる
トラックパターンを基板Ｂに転写する。加熱温度は、プ
ラスチック基板である透光性基板１の熱変形温度ならび
に相変化型記録層３の結晶化温度以上に設定する。加圧
時間は、転写性によって左右されるが数秒から数十秒
（５秒，６秒〜５０秒，６０秒）とするのが好ましい。
トラックパターン１５ｂの転写と同時に結晶化温度以上
の加熱によって相変化型記録層３がアモルファスから結
晶に相変化し、反射率が上昇して初期化が短時間で完了
する。スタンパ１１全体が加熱されているので、相変化
型記録層３の内周から外周の全面にわたり均一に初期化
が行われる（図３（Ａ）に図示）。
【００３９】これに対して、図３（Ｂ）に示す、予めト
ラックパターンが形成されてある透光性基板上に第１の
誘電体層と相変化型記録層と第２の誘電体層と反射層と
保護膜あるいは貼り合わせ基板とを順次積層してなる従
来の相変化型光ディスクの製造方法では、相変化型光デ
ィスクの製造完了時において相変化型記録層が未初期化
状態（外周部分３ａ〜最内周部分３ｂ）であるのに対し
て、本発明の相変化型光ディスクの製造方法では相変化
型光ディスクの製造完了時において相変化型記録層が初
期化完了状態であることを示したものである。
ラックパターンが形成されてある透光性基板上に第１の
誘電体層と相変化型記録層と第２の誘電体層と反射層と
保護膜あるいは貼り合わせ基板とを順次積層してなる従
来の相変化型光ディスクの製造方法では、相変化型光デ
ィスクの製造完了時において相変化型記録層が未初期化
状態（外周部分３ａ〜最内周部分３ｂ）であるのに対し
て、本発明の相変化型光ディスクの製造方法では相変化
型光ディスクの製造完了時において相変化型記録層が初
期化完了状態であることを示したものである。
【００４０】さて、上述した工程（１）〜工程（６）に
より製造される相変化型光ディスクＡはいわゆる単板式
のものであるが、２枚の相変化型光ディスクＡ同士を重
ね合わせて貼り合わせることにより成るいわゆる貼り合
わせ式の相変化型光ディスクを製造する場合には、次の
工程（７）を工程（６）に追加すればよい。
より製造される相変化型光ディスクＡはいわゆる単板式
のものであるが、２枚の相変化型光ディスクＡ同士を重
ね合わせて貼り合わせることにより成るいわゆる貼り合
わせ式の相変化型光ディスクを製造する場合には、次の
工程（７）を工程（６）に追加すればよい。
【００４１】・工程（７）…工程（１）〜工程（６）に
より製造された１枚目（下層）の相変化型光ディスクを
構成する保護層６上に接着剤を塗付し、この接着剤層上
に２枚目（上層）の相変化型光ディスクを構成する基板
１を重ね合わせ貼り合わせる。
より製造された１枚目（下層）の相変化型光ディスクを
構成する保護層６上に接着剤を塗付し、この接着剤層上
に２枚目（上層）の相変化型光ディスクを構成する基板
１を重ね合わせ貼り合わせる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の相変化型
光ディスクの製造方法及び相変化型光ディスクデータ検
出装置によれば、次の効果を奏することができる。 （１）トラックパターンの転写と初期化が短時間で（ほ
ぼ同時に）できる。 （２）スタンパと金型の熱容量が大きいので全面均一に
初期化できる。 （３）平坦な基板は常に共通で、スタンパを変更するだ
けで様々なフォーマットの光ディスクを簡単に作製する
ことができる。 （４）記録層があるところはすべて結晶化（初期化）す
るため、初期化時の偏心が全くなく、内周や外周でデー
タ領域に未初期化部分が残ることはない。 （５）タクトが短い上、高価なレーザダイオードを使わ
ないためランニングコストを低く抑えられる。
光ディスクの製造方法及び相変化型光ディスクデータ検
出装置によれば、次の効果を奏することができる。 （１）トラックパターンの転写と初期化が短時間で（ほ
ぼ同時に）できる。 （２）スタンパと金型の熱容量が大きいので全面均一に
初期化できる。 （３）平坦な基板は常に共通で、スタンパを変更するだ
けで様々なフォーマットの光ディスクを簡単に作製する
ことができる。 （４）記録層があるところはすべて結晶化（初期化）す
るため、初期化時の偏心が全くなく、内周や外周でデー
タ領域に未初期化部分が残ることはない。 （５）タクトが短い上、高価なレーザダイオードを使わ
ないためランニングコストを低く抑えられる。
【図１】本発明の相変化型光ディスクの製造方法におけ
るトラックパターン転写状態を説明するための図であ
る。
るトラックパターン転写状態を説明するための図であ
る。
【図２】トラックパターン転写装置を説明するための図
である。
である。
【図３】本発明の相変化型光ディスクを説明するための
図である。
図である。
１ 透光性基板 ２ 第１の誘電体層 ３ 相変化型記録層 ４ 第２の誘電体層 ５ 反射層 ７，１５ａ，１５ｂ トラックパターン １１ スタンパ Ａ 相変化型光ディスク
Claims (5)
- 【請求項１】レーザ光の照射により可逆的に結晶とアモ
ルファスとの間を相変化する相変化型光ディスクの製造
方法であって、 平坦な透光性基板上に相変化型記録層を少なくとも積層
し、 次いで、トラックパターンを設けたスタンパを加熱しな
がらこの相変化型記録層に押し当て、前記透光性基板及
び相変化型記録層を少なくとも加熱して前記トラックパ
ターンを前記相変化型記録層に転写すると共に、前記相
変化型記録層をアモルファスから結晶に相変化させる初
期化を行うことを特徴とする相変化型光ディスクの製造
方法。 - 【請求項２】レーザ光の照射により可逆的に結晶とアモ
ルファスとの間を相変化する相変化型光ディスクの製造
方法であって、 平坦な透光性基板上に、第１の誘電体層、相変化型記録
層、第２の誘電体層、反射層を順次積層し、 トラックパターンを設けたスタンパを加熱しながら前記
反射層に押し当て、前記反射層乃至透光性基板を加熱し
て前記トラックパターンを前記反射層乃至透光性基板に
転写すると共に、前記相変化型記録層をアモルファスか
ら結晶に相変化させる初期化を行うことを特徴とする相
変化型光ディスクの製造方法。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の相変化型光ディスク
の製造方法により製造された相変化型光ディスク同士を
重ね合わせて貼り合わせることにより、貼り合わせ相変
化型光ディスクを製造することを特徴とする相変化型光
ディスクの製造方法。 - 【請求項４】請求項１又は２記載の相変化型光ディスク
の製造方法により製造された相変化型光ディスクであっ
て、 平坦な透光性基板上に積層された相変化型記録層は、当
該ディスクの未使用状態においては初期化が全周にわた
り完了していることを特徴とする相変化型光ディスク。 - 【請求項５】請求項３記載の相変化型光ディスクの製造
方法により製造された貼り合わせ相変化型光ディスクで
あって、 ２層の相変化型記録層は、当該ディスクの未使用状態に
おいては初期化が全周にわたり完了していることを特徴
とする相変化型光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29777496A JPH10124938A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 相変化型光ディスクの製造方法及び相変化型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29777496A JPH10124938A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 相変化型光ディスクの製造方法及び相変化型光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10124938A true JPH10124938A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17851014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29777496A Pending JPH10124938A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 相変化型光ディスクの製造方法及び相変化型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10124938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115666962A (zh) * | 2020-06-01 | 2023-01-31 | 伊英克公司 | 施加图案的方法以及用于物品的安全装置 |
-
1996
- 1996-10-21 JP JP29777496A patent/JPH10124938A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115666962A (zh) * | 2020-06-01 | 2023-01-31 | 伊英克公司 | 施加图案的方法以及用于物品的安全装置 |
| CN115666962B (zh) * | 2020-06-01 | 2026-04-10 | 伊英克公司 | 施加图案的方法以及用于物品的安全装置 |
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