JPH1012529A - レジスト現像方法およびレジスト現像装置 - Google Patents
レジスト現像方法およびレジスト現像装置Info
- Publication number
- JPH1012529A JPH1012529A JP8165955A JP16595596A JPH1012529A JP H1012529 A JPH1012529 A JP H1012529A JP 8165955 A JP8165955 A JP 8165955A JP 16595596 A JP16595596 A JP 16595596A JP H1012529 A JPH1012529 A JP H1012529A
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- JP
- Japan
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- developing
- resist
- substrate
- developing solution
- solution
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現像液の濃度管理が行ないやすく、かつレジ
スト膜厚の寸法精度を向上させることができるレジスト
現像方法を提供する。 【解決手段】 基板４を現像液中に浸漬させてレジスト
を現像するレジスト現像方法であって、前記基板４の上
表面４ａに現像液をシャワーノズル１２により散布した
のち、現像液に浸漬させる。
スト膜厚の寸法精度を向上させることができるレジスト
現像方法を提供する。 【解決手段】 基板４を現像液中に浸漬させてレジスト
を現像するレジスト現像方法であって、前記基板４の上
表面４ａに現像液をシャワーノズル１２により散布した
のち、現像液に浸漬させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト現像方法お
よびレジスト現像装置に関する。さらに詳しくは、液晶
ディスプレーおよび半導体素子の製造に用いられる基板
にポジ型フォトレジストを現像処理するレジスト現像方
法およびレジスト現像装置に関する。
よびレジスト現像装置に関する。さらに詳しくは、液晶
ディスプレーおよび半導体素子の製造に用いられる基板
にポジ型フォトレジストを現像処理するレジスト現像方
法およびレジスト現像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板にレジストを現像する方
法として、一般にディップ方式またはシャワー方式によ
る現像処理がある。前記ディップ方式とは、基板を処理
槽に搬入したのち、処理槽の下部に設置してある現像液
タンクより、処理槽内に現像液を供給して液面を上昇さ
せ、基板を浸漬させて現像する方法である。一方、前記
シャワー方式とは、基板を処理槽に搬入したのち、処理
槽の上部に設置してあるノズルより、基板の表面上に現
像液を散布して基板を現像する方法である。そして、現
像液は、使用薬液量を削減するため、使用後の現像液の
濃度を管理して、再利用れている。そして、処理槽の現
像液の濃度とタンク内の現像液の濃度の差を小さくする
ように管理されている。
法として、一般にディップ方式またはシャワー方式によ
る現像処理がある。前記ディップ方式とは、基板を処理
槽に搬入したのち、処理槽の下部に設置してある現像液
タンクより、処理槽内に現像液を供給して液面を上昇さ
せ、基板を浸漬させて現像する方法である。一方、前記
シャワー方式とは、基板を処理槽に搬入したのち、処理
槽の上部に設置してあるノズルより、基板の表面上に現
像液を散布して基板を現像する方法である。そして、現
像液は、使用薬液量を削減するため、使用後の現像液の
濃度を管理して、再利用れている。そして、処理槽の現
像液の濃度とタンク内の現像液の濃度の差を小さくする
ように管理されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記デ
ィップ方式のばあい、現像液の上昇は、基板下部（周辺
部）、それも流れ方向に対して上流側から上昇し、基板
端部を覆ったのち、基板中央を覆うため、遅い。その結
果、現像液が基板の表面上を覆うまでに時間が掛かり、
基板の端面と中央部における現像液の乾燥状態の違いに
より、現像液が早く浸る部分と遅く浸る部分に現像液の
濃度差が生じる。そのため、露光後の現像処理により残
したいレジストパターンの寸法がばらつくという問題が
ある。
ィップ方式のばあい、現像液の上昇は、基板下部（周辺
部）、それも流れ方向に対して上流側から上昇し、基板
端部を覆ったのち、基板中央を覆うため、遅い。その結
果、現像液が基板の表面上を覆うまでに時間が掛かり、
基板の端面と中央部における現像液の乾燥状態の違いに
より、現像液が早く浸る部分と遅く浸る部分に現像液の
濃度差が生じる。そのため、露光後の現像処理により残
したいレジストパターンの寸法がばらつくという問題が
ある。
【０００４】一方、前記シャワー方式のばあい、現像液
が空気中の二酸化炭素を取り込むため、現像液の濃度劣
化が激しく現像液を再利用する際には、現像液の濃度管
理が困難であり、また、処理後、ノズル配管内の現像液
が基板上にぼた落ちし、レジストパターン寸法の制御が
難しくなる問題がある。
が空気中の二酸化炭素を取り込むため、現像液の濃度劣
化が激しく現像液を再利用する際には、現像液の濃度管
理が困難であり、また、処理後、ノズル配管内の現像液
が基板上にぼた落ちし、レジストパターン寸法の制御が
難しくなる問題がある。
【０００５】本発明は、叙上の事情に鑑み、現像液の濃
度管理が行ないやすく、かつレジスト膜厚の寸法精度を
向上させることができるレジスト現像方法およびレジス
ト現像装置を提供することを目的とする。
度管理が行ないやすく、かつレジスト膜厚の寸法精度を
向上させることができるレジスト現像方法およびレジス
ト現像装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト現像方
法は、被現像物を現像液中に浸漬させてレジストを現像
するレジスト現像方法であって、前記被現像物の上表面
に現像液を散布したのち、現像液に浸漬させることを特
徴としている。
法は、被現像物を現像液中に浸漬させてレジストを現像
するレジスト現像方法であって、前記被現像物の上表面
に現像液を散布したのち、現像液に浸漬させることを特
徴としている。
【０００７】また、本発明のレジスト現像装置は、被現
像物を現像液中に浸漬させてレジストを現像するレジス
ト現像装置であって、前記被現像物の上表面に現像液を
散布する散布手段を備えてなることを特徴としている。
像物を現像液中に浸漬させてレジストを現像するレジス
ト現像装置であって、前記被現像物の上表面に現像液を
散布する散布手段を備えてなることを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
のレジスト現像方法およびレジスト現像装置を説明す
る。
のレジスト現像方法およびレジスト現像装置を説明す
る。
【０００９】図１は本発明のレジスト現像装置の一実施
例を示す縦断面図、図２は図１におけるレジスト現像装
置の側断面図である。
例を示す縦断面図、図２は図１におけるレジスト現像装
置の側断面図である。
【００１０】図１〜２に示すように、レジスト現像装置
は、処理槽１と、濃度管理を行なった現像液を現像タン
ク２から処理槽１に送り込むポンプ３と、被現像物であ
る基板４を載置する支持部５と、前記基板４の上表面に
現像液を散布する散布手段Ｓとから構成されている。前
記現像タンク２には、濃度管理システム６が連結されて
おり、該システム６により前記現像タンク２内の現像液
の濃度と前記処理槽１の現像液の濃度の差が小さくなる
ように管理されている。この管理としては、たとえば導
電率法を用いた管理または透過率法を用いた管理のよう
にすることができる。
は、処理槽１と、濃度管理を行なった現像液を現像タン
ク２から処理槽１に送り込むポンプ３と、被現像物であ
る基板４を載置する支持部５と、前記基板４の上表面に
現像液を散布する散布手段Ｓとから構成されている。前
記現像タンク２には、濃度管理システム６が連結されて
おり、該システム６により前記現像タンク２内の現像液
の濃度と前記処理槽１の現像液の濃度の差が小さくなる
ように管理されている。この管理としては、たとえば導
電率法を用いた管理または透過率法を用いた管理のよう
にすることができる。
【００１１】前記処理槽１は、内部容器７と外部容器８
とからなっている。内部容器７は、底部に前記ポンプ３
が供給配管９を介して連結されており、前端に低い壁７
ａと側端および後端に高い壁７ｂ、７ｃが形成されてい
る。低い壁７ａ側から流れ出た現像液は、外部容器８の
底部に連結される排出配管１０から現像タンク２へ戻る
ようにされている。
とからなっている。内部容器７は、底部に前記ポンプ３
が供給配管９を介して連結されており、前端に低い壁７
ａと側端および後端に高い壁７ｂ、７ｃが形成されてい
る。低い壁７ａ側から流れ出た現像液は、外部容器８の
底部に連結される排出配管１０から現像タンク２へ戻る
ようにされている。
【００１２】前記支持部５は、前記内部容器７内に設け
られており、基板４を現像液に浸漬したのち、現像液を
内部容器の低い壁７ａから現像タンク２へ戻す際、基板
４の周辺に滞留させないように、簀の子状を呈してい
る。
られており、基板４を現像液に浸漬したのち、現像液を
内部容器の低い壁７ａから現像タンク２へ戻す際、基板
４の周辺に滞留させないように、簀の子状を呈してい
る。
【００１３】前記散布手段Ｓは、複数の噴射ノズル１１
が形成されたシャワーノズル１２と、該シャワーノズル
１２に供給配管１３を介して連結される供給源のポンプ
１４とから構成されている。前記シャワーノズル１２
は、基板４の上表面４ａを基準として高さＨが約５〜１
０ｍｍ、好ましくは約６〜７ｍｍ、噴射角度θが約５〜
１５°、好ましくは約１０°および基板４の端部４ｂか
ら約１５〜３０ｍｍ、好ましくは約２５ｍｍ離れた位置
（距離Ｌ）に設けられている。なお、シャワーノズル１
２の設置位置であるが、基板４の真上にシャワーノズル
１２を設置し、使用したばあい、処理後、噴射ノズル１
１から液ぼたを生じるばあいがあり、レジストパターン
に影響が及ぶ可能性がある。そのことから、レジストパ
ターンに影響を及ぼしにくいと考えられる、基板４の端
部から水平方向外側、すなわち斜め上方にシャワーノズ
ル１２を設置している。
が形成されたシャワーノズル１２と、該シャワーノズル
１２に供給配管１３を介して連結される供給源のポンプ
１４とから構成されている。前記シャワーノズル１２
は、基板４の上表面４ａを基準として高さＨが約５〜１
０ｍｍ、好ましくは約６〜７ｍｍ、噴射角度θが約５〜
１５°、好ましくは約１０°および基板４の端部４ｂか
ら約１５〜３０ｍｍ、好ましくは約２５ｍｍ離れた位置
（距離Ｌ）に設けられている。なお、シャワーノズル１
２の設置位置であるが、基板４の真上にシャワーノズル
１２を設置し、使用したばあい、処理後、噴射ノズル１
１から液ぼたを生じるばあいがあり、レジストパターン
に影響が及ぶ可能性がある。そのことから、レジストパ
ターンに影響を及ぼしにくいと考えられる、基板４の端
部から水平方向外側、すなわち斜め上方にシャワーノズ
ル１２を設置している。
【００１４】つぎに本発明のレジスト現像装置における
現像処理を説明する。まず濃度管理を行なった現像液を
現像タンク２から処理槽１に送る。処理槽１の下部から
現像液が上昇し、基板４の表面を覆う。基板４を覆う際
に基板４の端部から徐々に基板中央に向かって現像液が
広がる。そのため、基板４の全面を覆うまでに時間がか
かる。そこで、基板４の斜め上部に設置される、シャワ
ーノズル１２により強制的に現像液を基板４の上表面４
ａに流し、基板４の端部と基板４の中央部とでの現像液
が浸る差を小さくする。ついで、現像液が基板４の表面
に覆ったあと、シャワーノズル１２による現像液の散布
を止め、現像処理（ディップ処理）のみを実施する。シ
ャワーノズル１２を使用し続けると、現像液の劣化が激
しくなり濃度管理が困難となるため、現像液が基板４の
表面を覆う以外は使用しない。
現像処理を説明する。まず濃度管理を行なった現像液を
現像タンク２から処理槽１に送る。処理槽１の下部から
現像液が上昇し、基板４の表面を覆う。基板４を覆う際
に基板４の端部から徐々に基板中央に向かって現像液が
広がる。そのため、基板４の全面を覆うまでに時間がか
かる。そこで、基板４の斜め上部に設置される、シャワ
ーノズル１２により強制的に現像液を基板４の上表面４
ａに流し、基板４の端部と基板４の中央部とでの現像液
が浸る差を小さくする。ついで、現像液が基板４の表面
に覆ったあと、シャワーノズル１２による現像液の散布
を止め、現像処理（ディップ処理）のみを実施する。シ
ャワーノズル１２を使用し続けると、現像液の劣化が激
しくなり濃度管理が困難となるため、現像液が基板４の
表面を覆う以外は使用しない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
現像処理する際、前もって基板上面に均一に現像液を散
布することで、基板の表面上の現像液の濃度差を小さく
し、レジストの膜厚の寸法精度を向上させることができ
る。
現像処理する際、前もって基板上面に均一に現像液を散
布することで、基板の表面上の現像液の濃度差を小さく
し、レジストの膜厚の寸法精度を向上させることができ
る。
【００１６】また、基板の端部から離れたシャワーノズ
ルからの噴射により、液ぼたをなくし、レジストの膜厚
の寸法精度を向上させることができる。
ルからの噴射により、液ぼたをなくし、レジストの膜厚
の寸法精度を向上させることができる。
【図１】本発明のレジスト現像装置の一実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図２】図１におけるレジスト現像装置の側断面図であ
る。
る。
１ 処理槽 ２ 現像タンク ３ ポンプ ４ 基板 ５ 支持部 ６ 濃度管理システム ７ 内部容器 ７ａ、７ｂ、７ｃ 壁 ８ 外部容器 １１ 噴射ノズル １２ シャワーノズル Ｓ 散布手段
Claims (8)
- 【請求項１】 被現像物を現像液中に浸漬させてレジス
トを現像するレジスト現像方法であって、前記被現像物
の上表面に現像液を散布したのち、現像液に浸漬させる
ことを特徴とするレジスト現像方法。 - 【請求項２】 現像液を斜め下向へ散布する請求項１記
載の現像方法。 - 【請求項３】 現像液を前記被現像物の端部から水平方
向外側に離れた位置から散布する請求項２の現像方法。 - 【請求項４】 前記被現像物の上表面を基準にして高さ
が約５〜１０ｍｍ、噴射角度が約５〜１５°および被現
像物の端部から約１５〜３０ｍｍ離れた位置から現像物
を散布する請求項３記載の現像方法。 - 【請求項５】 被現像物を現像液中に浸漬させてレジス
トを現像するレジスト現像装置であって、前記被現像物
の上表面に現像液を散布する散布手段を備えてなること
を特徴とするレジスト現像装置。 - 【請求項６】 前記散布手段が斜め下方へ向けられたシ
ャワーノズルを有してなる請求項５記載の現像装置。 - 【請求項７】 前記シャワーノズルが被現像物の端部か
ら水平方向外側に離れた位置に設けられてなる請求項６
記載の現像装置。 - 【請求項８】 前記シャワーノズルが被現像物の上表面
を基準として高さが約５〜１０ｍｍ、噴射角度が約５〜
１５°および被現像物の端部から約１５〜３０ｍｍ離れ
た位置に設けられてなる請求項７記載の現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8165955A JPH1012529A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | レジスト現像方法およびレジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8165955A JPH1012529A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | レジスト現像方法およびレジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012529A true JPH1012529A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15822201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8165955A Pending JPH1012529A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | レジスト現像方法およびレジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012529A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6814832B2 (en) | 2001-07-24 | 2004-11-09 | Seiko Epson Corporation | Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance |
| US6887650B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-05-03 | Seiko Epson Corporation | Transfer method, method of manufacturing thin film devices, method of manufacturing integrated circuits, circuit board and manufacturing method thereof, electro-optical apparatus and manufacturing method thereof, ic card, and electronic appliance |
| KR100519963B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2005-12-20 | 삼성전자주식회사 | 엘씨디 패널 건조용 에어 나이프 장치 및 에어 나이프 장치조정 방법 |
| US7253087B2 (en) | 2003-05-23 | 2007-08-07 | Seiko Epson Corporation | Method of producing thin-film device, electro-optical device, and electronic apparatus |
| CN108469718A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-08-31 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种掩模的显影方法及装置 |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP8165955A patent/JPH1012529A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100519963B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2005-12-20 | 삼성전자주식회사 | 엘씨디 패널 건조용 에어 나이프 장치 및 에어 나이프 장치조정 방법 |
| US6814832B2 (en) | 2001-07-24 | 2004-11-09 | Seiko Epson Corporation | Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance |
| US6887650B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-05-03 | Seiko Epson Corporation | Transfer method, method of manufacturing thin film devices, method of manufacturing integrated circuits, circuit board and manufacturing method thereof, electro-optical apparatus and manufacturing method thereof, ic card, and electronic appliance |
| US7253087B2 (en) | 2003-05-23 | 2007-08-07 | Seiko Epson Corporation | Method of producing thin-film device, electro-optical device, and electronic apparatus |
| CN108469718A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-08-31 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种掩模的显影方法及装置 |
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