JPH1012561A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPH1012561A JPH1012561A JP16269396A JP16269396A JPH1012561A JP H1012561 A JPH1012561 A JP H1012561A JP 16269396 A JP16269396 A JP 16269396A JP 16269396 A JP16269396 A JP 16269396A JP H1012561 A JPH1012561 A JP H1012561A
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- JP
- Japan
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- wafer
- reactor
- reaction furnace
- processing
- wafers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】一度に複数枚のウエハを処理し、その処理をウ
エハ全面にわたって均一に行い、発塵の少ない処理を可
能にする。 【解決手段】短時間で半導体素子を製造することを考え
一度に二枚のウエハ１が処理でき、処理が均一で、低発
塵の装置を実現するため、反応炉３内にウエハ１の回転
機構を設けるのではなく、反応炉３内でのウエハ１の処
理，ウエハ１の取り出し，ウエハ１の向きの調整を繰り
返す。
エハ全面にわたって均一に行い、発塵の少ない処理を可
能にする。 【解決手段】短時間で半導体素子を製造することを考え
一度に二枚のウエハ１が処理でき、処理が均一で、低発
塵の装置を実現するため、反応炉３内にウエハ１の回転
機構を設けるのではなく、反応炉３内でのウエハ１の処
理，ウエハ１の取り出し，ウエハ１の向きの調整を繰り
返す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体処理装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】現在、酸化，アニール，熱ＣＶＤ装置な
どの半導体熱処理プロセスでは、一度に複数のウエハを
処理するバッチ式装置（縦型拡散装置，縦型ＣＶＤ装
置）が主として使用されている。しかし、半導体素子の
高集積化に対応して、数ｎｍ程度の非常に薄い酸化膜や
浅い拡散層の形成，自然酸化膜の防止技術が必須になっ
ており、これらの要求に対応するためには数分以下の短
時間処理に適し、クラスタユニット化やウエハの大口径
化への対応も容易な一度に一枚のウエハを処理する枚葉
式装置あるいは一度に数枚程度のウエハを処理する疑似
枚葉式装置が有利になっている。また、バッチ式装置と
枚葉式の他の装置（エッチング装置やスパッタ装置な
ど）とが混在したラインは、素子を短時間で製作するこ
とが困難で、枚葉式の熱処理装置が不可欠になってきて
いる。
どの半導体熱処理プロセスでは、一度に複数のウエハを
処理するバッチ式装置（縦型拡散装置，縦型ＣＶＤ装
置）が主として使用されている。しかし、半導体素子の
高集積化に対応して、数ｎｍ程度の非常に薄い酸化膜や
浅い拡散層の形成，自然酸化膜の防止技術が必須になっ
ており、これらの要求に対応するためには数分以下の短
時間処理に適し、クラスタユニット化やウエハの大口径
化への対応も容易な一度に一枚のウエハを処理する枚葉
式装置あるいは一度に数枚程度のウエハを処理する疑似
枚葉式装置が有利になっている。また、バッチ式装置と
枚葉式の他の装置（エッチング装置やスパッタ装置な
ど）とが混在したラインは、素子を短時間で製作するこ
とが困難で、枚葉式の熱処理装置が不可欠になってきて
いる。
【０００３】枚葉式熱処理装置ではウエハに施す処理を
ウエハ全面にわたって均一にするための一例としてウエ
ハを回転させるという手段がある。例えば電子材料１９
９５年３月号ｐｐ．６７−７０にあるように、支持台に
載せたウエハを支持台ごと回転させるものである。これ
は、ウエハを回転させずにガスは装置に対して平均的に
ある一方向に流していれば流れの上流と下流とでウエハ
の処理される程度が異なるが、ウエハを回転させること
によって、上流と下流の差を打ち消し、ウエハに施す処
理を均一にするというものである。
ウエハ全面にわたって均一にするための一例としてウエ
ハを回転させるという手段がある。例えば電子材料１９
９５年３月号ｐｐ．６７−７０にあるように、支持台に
載せたウエハを支持台ごと回転させるものである。これ
は、ウエハを回転させずにガスは装置に対して平均的に
ある一方向に流していれば流れの上流と下流とでウエハ
の処理される程度が異なるが、ウエハを回転させること
によって、上流と下流の差を打ち消し、ウエハに施す処
理を均一にするというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】反応炉内に回転機構な
どの駆動部を有する半導体処理装置は、駆動部のない装
置に比べ発塵は多い。ところがウエハに施す処理のウエ
ハ全面に対する均一性という観点からは、ウエハを回転
させるという方法はその効果が顕著である。また、均一
性を得るためにウエハの回転機構を設けると、一度に処
理できるウエハの枚数が一枚に限定されやすく、一定時
間に処理できる枚数が低下する。
どの駆動部を有する半導体処理装置は、駆動部のない装
置に比べ発塵は多い。ところがウエハに施す処理のウエ
ハ全面に対する均一性という観点からは、ウエハを回転
させるという方法はその効果が顕著である。また、均一
性を得るためにウエハの回転機構を設けると、一度に処
理できるウエハの枚数が一枚に限定されやすく、一定時
間に処理できる枚数が低下する。
【０００５】回転機構を設けると一度に処理できるウエ
ハが一枚に限定されやすくなるのは以下のような理由に
よる。ここでは半導体素子を短時間で製造するという目
的で達成することを念頭に置いているので、処理時間の
かかるバッチ式の装置は対象としない。一回の処理が短
時間の枚葉式装置で、ウエハを所定の温度に加熱するに
はランプが用いられることが多い。ランプを用いた加熱
では、反応炉は石英などの透明材料からなり、ランプの
光を効率よくウエハまで到達させることが大切である。
そのため、ランプによって加熱されるのはウエハ及びウ
エハの支持台のみであり、透明な材料からなる反応炉の
壁はほとんど加熱されない。支持台上のウエハは上部か
ら加熱され、下部には回転機構があるとする。ここで二
枚以上のウエハを積層するようにおくと、一枚のウエハ
によって他のウエハにランプの光が到達しなくなり、ラ
ンプによって均一な加熱が不可能となる。また、別な加
熱方法として、反応炉全体を加熱するという方法もあ
る。これは、反応炉を断熱材で覆い、熱の散逸をできる
だけなくした状態で、反応炉を抵抗線に電流を流すこと
などによって加熱するものである。ところが、この方式
でも複数枚のウエハを同時に処理し、さらにそれらを回
転させようとすると、断熱材の一部に切り欠きが入り、
そこから熱が散逸するので、ウエハ全面を均一に加熱す
るのが困難になる。従って、一度に複数枚のウエハを処
理するにはウエハの回転をなくす必要がある。
ハが一枚に限定されやすくなるのは以下のような理由に
よる。ここでは半導体素子を短時間で製造するという目
的で達成することを念頭に置いているので、処理時間の
かかるバッチ式の装置は対象としない。一回の処理が短
時間の枚葉式装置で、ウエハを所定の温度に加熱するに
はランプが用いられることが多い。ランプを用いた加熱
では、反応炉は石英などの透明材料からなり、ランプの
光を効率よくウエハまで到達させることが大切である。
そのため、ランプによって加熱されるのはウエハ及びウ
エハの支持台のみであり、透明な材料からなる反応炉の
壁はほとんど加熱されない。支持台上のウエハは上部か
ら加熱され、下部には回転機構があるとする。ここで二
枚以上のウエハを積層するようにおくと、一枚のウエハ
によって他のウエハにランプの光が到達しなくなり、ラ
ンプによって均一な加熱が不可能となる。また、別な加
熱方法として、反応炉全体を加熱するという方法もあ
る。これは、反応炉を断熱材で覆い、熱の散逸をできる
だけなくした状態で、反応炉を抵抗線に電流を流すこと
などによって加熱するものである。ところが、この方式
でも複数枚のウエハを同時に処理し、さらにそれらを回
転させようとすると、断熱材の一部に切り欠きが入り、
そこから熱が散逸するので、ウエハ全面を均一に加熱す
るのが困難になる。従って、一度に複数枚のウエハを処
理するにはウエハの回転をなくす必要がある。
【０００６】本発明の目的は主として枚葉式装置でウエ
ハに施す処理がウエハ全面にわたって均一で、発塵が少
なく、かつ一定時間に処理数枚数の多い半導体処理装
置，半導体処理方法を提供することにある。
ハに施す処理がウエハ全面にわたって均一で、発塵が少
なく、かつ一定時間に処理数枚数の多い半導体処理装
置，半導体処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、ウエハを
反応炉で処理したのちに、ウエハを取り出し、別の反応
炉に挿入し、そこで前記処理とほぼ同様の処理を施すこ
とによって解決できる。このとき最初の処理に用いた反
応炉内の平均的なガスの流れの方向に対するウエハの向
きと次の処理に用いた反応炉内の平均的なガスの流れの
方向に対するウエハの向きが異なっていることが重要で
ある。また、ウエハを反応炉で処理したのちに、ウエハ
を取り出し、そこでウエハの向きを変え、もとの反応炉
に挿入し、そこで前記処理とほぼ同様の処理を施すこと
によっても解決できる。また、反応炉内にウエハの回転
機構を設けないので一度に複数枚のウエハを処理するこ
とも可能で、一定時間で処理できるウエハの枚数を増加
させることができる。
反応炉で処理したのちに、ウエハを取り出し、別の反応
炉に挿入し、そこで前記処理とほぼ同様の処理を施すこ
とによって解決できる。このとき最初の処理に用いた反
応炉内の平均的なガスの流れの方向に対するウエハの向
きと次の処理に用いた反応炉内の平均的なガスの流れの
方向に対するウエハの向きが異なっていることが重要で
ある。また、ウエハを反応炉で処理したのちに、ウエハ
を取り出し、そこでウエハの向きを変え、もとの反応炉
に挿入し、そこで前記処理とほぼ同様の処理を施すこと
によっても解決できる。また、反応炉内にウエハの回転
機構を設けないので一度に複数枚のウエハを処理するこ
とも可能で、一定時間で処理できるウエハの枚数を増加
させることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図を用い
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例である。ウエハ１
はカセット単位でカセット室２に入れられ、カセット室
から反応炉３あるいは反応炉４で処理できる枚数に応じ
てウエハ搬送装置５によって搬送され、反応炉３に挿入
される。ウエハ１の向きは、オリフラがウエハ搬送装置
５から最も遠くなるようにする。反応炉３では、圧力を
所定の圧力に保ち、またウエハ１を所定の温度に加熱
し、ウエハ搬送装置５に近い方から遠い方に向けて反応
性のガスを所定量流すことによって、ウエハ１に処理を
施す。この処理を終えた後に、ウエハ搬送装置５によっ
てウエハ１を反応炉３から取り出し、反応炉４に挿入す
る。ウエハ１の向きは、オリフラがウエハ搬送装置５か
ら最も近くなるようにする。反応炉４でも反応炉３での
圧力，温度条件にほぼ等しい条件を保ったまま、ウエハ
搬送装置５に近い方から遠い方に向けて反応性のガスを
反応炉３の流量とほぼ同流量流すことによって、再びウ
エハ１に処理を施す。ウエハ１に対する処理を終え、ウ
エハ１を本装置から取り出す前には、ウエハ１を冷却室
６あるいは７に入れて、その温度を適当に下げてやる必
要がある場合もある。冷却室はウエハの処理速度に応じ
て容量や個数を決定すればよく、冷却室の個数と反応炉
の個数とは必ずしも一致していなくてもよい。
はカセット単位でカセット室２に入れられ、カセット室
から反応炉３あるいは反応炉４で処理できる枚数に応じ
てウエハ搬送装置５によって搬送され、反応炉３に挿入
される。ウエハ１の向きは、オリフラがウエハ搬送装置
５から最も遠くなるようにする。反応炉３では、圧力を
所定の圧力に保ち、またウエハ１を所定の温度に加熱
し、ウエハ搬送装置５に近い方から遠い方に向けて反応
性のガスを所定量流すことによって、ウエハ１に処理を
施す。この処理を終えた後に、ウエハ搬送装置５によっ
てウエハ１を反応炉３から取り出し、反応炉４に挿入す
る。ウエハ１の向きは、オリフラがウエハ搬送装置５か
ら最も近くなるようにする。反応炉４でも反応炉３での
圧力，温度条件にほぼ等しい条件を保ったまま、ウエハ
搬送装置５に近い方から遠い方に向けて反応性のガスを
反応炉３の流量とほぼ同流量流すことによって、再びウ
エハ１に処理を施す。ウエハ１に対する処理を終え、ウ
エハ１を本装置から取り出す前には、ウエハ１を冷却室
６あるいは７に入れて、その温度を適当に下げてやる必
要がある場合もある。冷却室はウエハの処理速度に応じ
て容量や個数を決定すればよく、冷却室の個数と反応炉
の個数とは必ずしも一致していなくてもよい。
【００１０】ウエハ１への処理の均一性に関しては、以
下のように考えられる。ウエハ１のオリフラは反応炉３
での処理ではウエハ１の最も下流に位置しているのに対
し、反応炉４での処理ではウエハ１の最も上流に位置し
ていることになり、実質的に上流と下流の影響が相殺さ
れることになる。上記処理をＣＶＤと考え、ウエハ上の
ＣＶＤ膜の成長速度ｇ（ｘ）が原料ガスの濃度Ｃ（ｘ）
に比例するとき、ウエハ上のＣＶＤ膜の成長速度の均一
性ｑは以下のように考えられる。ここでウエハ１は完全
な円であるとし、流れは一次元で近似できるとし、流れ
に平行な方向（ｘ方向）の成長速度の分布のみを考慮す
ることにする。ｘの原点はウエハ１の最も上流の位置と
する。平均流速をｕとすると時刻ｔはｔ＝ｘ／ｕと変換
でき、ｇ（ｘ）∝Ｃ（ｘ）＝Ｃ（０）exp(−ｋｘ／ｕ）
である。ｋは単位時間当たりに原料が消滅する速度であ
る。均一性ｑをｑ＝（ｇの最大値−ｇの最小値）／（ｇ
の最大値＋ｇの最小値）で定義すると、単に反応炉３で
のみ処理したときの均一性ｑ1 は
下のように考えられる。ウエハ１のオリフラは反応炉３
での処理ではウエハ１の最も下流に位置しているのに対
し、反応炉４での処理ではウエハ１の最も上流に位置し
ていることになり、実質的に上流と下流の影響が相殺さ
れることになる。上記処理をＣＶＤと考え、ウエハ上の
ＣＶＤ膜の成長速度ｇ（ｘ）が原料ガスの濃度Ｃ（ｘ）
に比例するとき、ウエハ上のＣＶＤ膜の成長速度の均一
性ｑは以下のように考えられる。ここでウエハ１は完全
な円であるとし、流れは一次元で近似できるとし、流れ
に平行な方向（ｘ方向）の成長速度の分布のみを考慮す
ることにする。ｘの原点はウエハ１の最も上流の位置と
する。平均流速をｕとすると時刻ｔはｔ＝ｘ／ｕと変換
でき、ｇ（ｘ）∝Ｃ（ｘ）＝Ｃ（０）exp(−ｋｘ／ｕ）
である。ｋは単位時間当たりに原料が消滅する速度であ
る。均一性ｑをｑ＝（ｇの最大値−ｇの最小値）／（ｇ
の最大値＋ｇの最小値）で定義すると、単に反応炉３で
のみ処理したときの均一性ｑ1 は
【００１１】
【数１】 ｑ1＝（１−exp(−ｋｄ／ｕ)）／（１＋exp(−ｋｄ／ｕ)） …（数１） である。ここで、ｄはウエハの直径である。一方、本実
施例によれば、均一性ｑ2 は
施例によれば、均一性ｑ2 は
【００１２】
【数２】 ｑ2＝(1＋exp(−kd/u)−exp(−kd/2u))／(1＋exp(-kd/u)＋exp(−kd/2u)) ＝((1−exp(−kd/2u)／(1＋exp(−kd/2u))2 …（数２） である。このとき、比較のためｑ1 とｑ2 の比をとる
と、
と、
【００１３】
【数３】 ｑ1／ｑ2＝(1＋exp(−kd/2u))3／(1＋exp(−kd/u))／(1−exp(−kd/2u)) ＝(1＋exp(−kd/2u))2／(1＋exp(−kd/u))*(1＋exp(−kd/2u)) ／(1−exp(−kd/2u)) …（数３） となる。０＜ｋ＜∞，ｕ＞０の条件では
【００１４】
【数４】 ｑ1／ｑ2＞１ …（数４） であり、本発明によりウエハに対する処理の均一性が増
すことがわかる。
すことがわかる。
【００１５】次に本発明の他の実施例を示す。この実施
例では、反応炉３で所定の処理をした後に、ウエハ搬送
装置５によってウエハ１を反応炉３の外に出し、そこで
ウエハ１の向きを変え再び反応炉３に挿入し、前述の処
理とほぼ同様の処理をするというもので、反応炉がひと
つでもウエハ１への処理を均一にすることができる。
例では、反応炉３で所定の処理をした後に、ウエハ搬送
装置５によってウエハ１を反応炉３の外に出し、そこで
ウエハ１の向きを変え再び反応炉３に挿入し、前述の処
理とほぼ同様の処理をするというもので、反応炉がひと
つでもウエハ１への処理を均一にすることができる。
【００１６】第一の実施例でも第二の実施例でも、反応
炉での処理，ウエハの取り出し，反応炉外でのウエハの
向きの変更，ウエハの反応炉への挿入を複数回繰り返す
ことも可能で、ウエハの向きを少しづつ変えることで、
実質的にウエハを反応炉内で回転させるのと同様の効果
を得ることも可能である。
炉での処理，ウエハの取り出し，反応炉外でのウエハの
向きの変更，ウエハの反応炉への挿入を複数回繰り返す
ことも可能で、ウエハの向きを少しづつ変えることで、
実質的にウエハを反応炉内で回転させるのと同様の効果
を得ることも可能である。
【００１７】このとき、ウエハを反応炉内で回転させる
のと、ウエハを反応炉外で回転させるのとでは、発塵の
程度が大きく異なる。通常反応炉では、反応性のガスを
導入し、ウエハを処理するので、反応炉内ではウエハ以
外の部分もウエハとほぼ同等の環境にさらされている。
すなわち、ウエハに膜を成長させる場合には、反応炉内
のウエハ以外の部分にも膜が成長しており、従って、ウ
エハを回転させる機構にも膜が成長する。この回転機構
に膜が付着した状態でウエハを回転させると、付着した
膜がはがれ、発塵の原因となる。
のと、ウエハを反応炉外で回転させるのとでは、発塵の
程度が大きく異なる。通常反応炉では、反応性のガスを
導入し、ウエハを処理するので、反応炉内ではウエハ以
外の部分もウエハとほぼ同等の環境にさらされている。
すなわち、ウエハに膜を成長させる場合には、反応炉内
のウエハ以外の部分にも膜が成長しており、従って、ウ
エハを回転させる機構にも膜が成長する。この回転機構
に膜が付着した状態でウエハを回転させると、付着した
膜がはがれ、発塵の原因となる。
【００１８】ところが、本発明では回転機構があるのは
反応炉の外であり、そこは反応炉でウエハを処理してい
るときには、反応炉とはゲートバルブなどで分離されて
いる。従って、本発明によれば、少なくとも反応炉での
ウエハの処理と反応炉内の回転機構とが絡む塵埃を発生
することがない。
反応炉の外であり、そこは反応炉でウエハを処理してい
るときには、反応炉とはゲートバルブなどで分離されて
いる。従って、本発明によれば、少なくとも反応炉での
ウエハの処理と反応炉内の回転機構とが絡む塵埃を発生
することがない。
【００１９】図１に示した半導体処理装置では、反応炉
は二つしか具備されていないが、それ以上の反応炉を用
いて同様の効果を得ることもできる。また、図１で異な
るウエハに対して反応炉３における処理と反応炉４にお
ける処理をほぼ同時に行うことにより、さらには、ウエ
ハの待ち時間が最小になるようにウエハ搬送と処理のシ
ーケンスを考慮することにより、反応炉の効率的な利用
も可能となる。
は二つしか具備されていないが、それ以上の反応炉を用
いて同様の効果を得ることもできる。また、図１で異な
るウエハに対して反応炉３における処理と反応炉４にお
ける処理をほぼ同時に行うことにより、さらには、ウエ
ハの待ち時間が最小になるようにウエハ搬送と処理のシ
ーケンスを考慮することにより、反応炉の効率的な利用
も可能となる。
【００２０】また、上述した実施例ではウエハの回転機
構が反応炉３あるいは反応炉４内に存在しないので、反
応炉３あるいは反応炉４では一度に二枚のウエハを処理
することも可能である。このときの反応炉３の断面図の
一例を図２に示す。反応炉３の中にウエハは二枚は水平
に積層するようにウエハ支持台８に置かれる。ウエハ１
は上下に位置するヒータ９によって加熱される。また、
反応炉３及びヒータ９は断熱材１０によって覆われてお
り、二枚のウエハを均一に加熱するようになっている。
このとき、上側のウエハから反応炉内壁までの距離と下
側のウエハから上側のウエハまでの距離はほぼ等しくな
るようにしている。これは上側のウエハと下側のウエハ
とに施す処理を均一にするためである。また、反応炉３
に同時に入れるウエハは最大二枚とする。それは短時間
でウエハを均一に加熱するには、三枚以上のウエハを入
れることはできない。ウエハは熱輻射によって加熱され
るので、上下のウエハはそれぞれ反応炉３の上下の壁か
らの熱輻射を受ける。もし、三枚以上のウエハをほぼ水
平に積層するようにおいた場合、中心に位置するウエハ
は反応炉の壁からの熱輻射は受けにくく、短時間で均一
な温度にすることはできないためである。
構が反応炉３あるいは反応炉４内に存在しないので、反
応炉３あるいは反応炉４では一度に二枚のウエハを処理
することも可能である。このときの反応炉３の断面図の
一例を図２に示す。反応炉３の中にウエハは二枚は水平
に積層するようにウエハ支持台８に置かれる。ウエハ１
は上下に位置するヒータ９によって加熱される。また、
反応炉３及びヒータ９は断熱材１０によって覆われてお
り、二枚のウエハを均一に加熱するようになっている。
このとき、上側のウエハから反応炉内壁までの距離と下
側のウエハから上側のウエハまでの距離はほぼ等しくな
るようにしている。これは上側のウエハと下側のウエハ
とに施す処理を均一にするためである。また、反応炉３
に同時に入れるウエハは最大二枚とする。それは短時間
でウエハを均一に加熱するには、三枚以上のウエハを入
れることはできない。ウエハは熱輻射によって加熱され
るので、上下のウエハはそれぞれ反応炉３の上下の壁か
らの熱輻射を受ける。もし、三枚以上のウエハをほぼ水
平に積層するようにおいた場合、中心に位置するウエハ
は反応炉の壁からの熱輻射は受けにくく、短時間で均一
な温度にすることはできないためである。
【００２１】以上、発明はＣＶＤを例にとって説明した
が、本発明は適用がＣＶＤに限られるものではなく、エ
ピタキシャル成長，酸化，エッチング処理などに対して
も適用可能である。
が、本発明は適用がＣＶＤに限られるものではなく、エ
ピタキシャル成長，酸化，エッチング処理などに対して
も適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、反応炉の中にウエハの
回転機構を設けることなく、一度に二枚のウエハの処理
をウエハ全面で均一にすることができる。また、反応炉
の中にウエハの回転機構がないので、ウエハの処理に起
因する発塵を低減することができる。
回転機構を設けることなく、一度に二枚のウエハの処理
をウエハ全面で均一にすることができる。また、反応炉
の中にウエハの回転機構がないので、ウエハの処理に起
因する発塵を低減することができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体処理装置の説明図。
【図２】本発明の一実施例の反応炉の断面図。
１…ウエハ、２…カセット室、３…反応炉、４…他の反
応炉、５…ウエハ搬送装置、６…冷却室、７…他の冷却
室。
応炉、５…ウエハ搬送装置、６…冷却室、７…他の冷却
室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】複数の反応炉を有し、前記反応炉でウエハ
を処理する半導体処理装置において、第一反応炉で前記
ウエハに処理を施した後、前記ウエハを前記第一反応炉
から取り出し、前記第一反応炉と第二反応炉とでは前記
ウエハの向きと平均的なガスの流れの関係が異なるよう
に前記第一反応炉，前記第二反応炉の外で前記ウエハの
向きを調整し、前記ウエハを前記第二反応炉に入れ、前
記処理とほぼ同一の処理を施すことを特徴とする半導体
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16269396A JPH1012561A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16269396A JPH1012561A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012561A true JPH1012561A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15759511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16269396A Pending JPH1012561A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124191A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP16269396A patent/JPH1012561A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124191A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
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