JPH10125629A - 半導体ウェーハ割断方法 - Google Patents
半導体ウェーハ割断方法Info
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- JPH10125629A JPH10125629A JP27438796A JP27438796A JPH10125629A JP H10125629 A JPH10125629 A JP H10125629A JP 27438796 A JP27438796 A JP 27438796A JP 27438796 A JP27438796 A JP 27438796A JP H10125629 A JPH10125629 A JP H10125629A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便且つ品質劣化を起こす危険性もなく、確
実に半導体ウエーハのペレタイズができる半導体ウエー
ハ割断方法を提供する。 【解決手段】 ステージ２の下面にヒータブロック４を
密着させてステージ２を加熱し、半導体ウエーハ１に熱
を伝導させて間接的に加熱する。半導体ウエーハ１があ
る決まった温度まで加熱されると、半導体ウエーハ１の
上面に冷却されたサーモモジュール５を、均一な荷重を
かけて密着させて、急激に冷却し、半導体ウエーハ１に
熱応力を加え、切り込みラインからクラック（亀裂）を
発生させて、ペレットを分離・切断（ペレタイズ）す
る。
実に半導体ウエーハのペレタイズができる半導体ウエー
ハ割断方法を提供する。 【解決手段】 ステージ２の下面にヒータブロック４を
密着させてステージ２を加熱し、半導体ウエーハ１に熱
を伝導させて間接的に加熱する。半導体ウエーハ１があ
る決まった温度まで加熱されると、半導体ウエーハ１の
上面に冷却されたサーモモジュール５を、均一な荷重を
かけて密着させて、急激に冷却し、半導体ウエーハ１に
熱応力を加え、切り込みラインからクラック（亀裂）を
発生させて、ペレットを分離・切断（ペレタイズ）す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエーハ割断
方法に関し、特に化合物半導体ウエーハの割断方法に関
する。
方法に関し、特に化合物半導体ウエーハの割断方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、半導体ウエ
ーハ上に多くの半導体素子を構成し、半導体ウエーハを
半導体素子個片（ペレット）に分離・切断（ペレタイ
ズ）する必要がある。
ーハ上に多くの半導体素子を構成し、半導体ウエーハを
半導体素子個片（ペレット）に分離・切断（ペレタイ
ズ）する必要がある。
【０００３】シリコン半導体ウエーハについては、ペレ
ットに分離切断する技術はすでに確立しているが、シリ
コン半導体に比べて脆弱な例えばガリウム砒素等の化合
物半導体ウエーハは、シリコン半導体ウエーハとは異な
る分離切断装置が必要となる。
ットに分離切断する技術はすでに確立しているが、シリ
コン半導体に比べて脆弱な例えばガリウム砒素等の化合
物半導体ウエーハは、シリコン半導体ウエーハとは異な
る分離切断装置が必要となる。
【０００４】化合物半導体のような脆弱な半導体をペレ
タイズするためには、まずスクライブ（ハーフカット）
した上で、応力（ストレス）をかけて切断・分離する。
スクライブ装置は、図３に示すように半導体ウエーハ１
を載置し、９０゜回転・固定できるステージ２、半導体
ウエーハ１上に切り込みライン１−１を形成（スクライ
ブ）するダイアモンド針（スクライバ）３、ステージ２
をＸ軸方向に移動させるＸ軸スライダ２−１、ステージ
２をＹ軸方向に移動させるＹ軸スライダ２−２で構成さ
れている。
タイズするためには、まずスクライブ（ハーフカット）
した上で、応力（ストレス）をかけて切断・分離する。
スクライブ装置は、図３に示すように半導体ウエーハ１
を載置し、９０゜回転・固定できるステージ２、半導体
ウエーハ１上に切り込みライン１−１を形成（スクライ
ブ）するダイアモンド針（スクライバ）３、ステージ２
をＸ軸方向に移動させるＸ軸スライダ２−１、ステージ
２をＹ軸方向に移動させるＹ軸スライダ２−２で構成さ
れている。
【０００５】半導体ウエーハ１をステージ２上に例えば
吸着・保持し、ストリート（半導体素子間の隙間）に沿
ってダイアモンド針（スクライバ；ポイント）３を圧着
・移動することによって、Ｘ軸及びＹ軸スライダ２−
１，２で半導体ウエーハ１を移動させ、半導体ウエーハ
１の表面に一種の傷を付ける形で、平行線状の切り込み
ライン１−１を形成（スクライブ）する。
吸着・保持し、ストリート（半導体素子間の隙間）に沿
ってダイアモンド針（スクライバ；ポイント）３を圧着
・移動することによって、Ｘ軸及びＹ軸スライダ２−
１，２で半導体ウエーハ１を移動させ、半導体ウエーハ
１の表面に一種の傷を付ける形で、平行線状の切り込み
ライン１−１を形成（スクライブ）する。
【０００６】さらに、ステージ２を図示の矢印の方向に
９０゜回転させて固定し、同様にダイアモンド針３の圧
着とＸ／Ｙ軸スライダ２−１，２で移動させて格子状の
切り込みライン１−１を形成する。
９０゜回転させて固定し、同様にダイアモンド針３の圧
着とＸ／Ｙ軸スライダ２−１，２で移動させて格子状の
切り込みライン１−１を形成する。
【０００７】従来の応力印加手段は、例えば特開平６−
１５１５８９号公報に記載された、図４に示すようなよ
うな方法がある。図４において、格子状に切り込みライ
ン１−１を設けた半導体ウエーハ１を、貼り付けシート
１１によって張り付けた、形状記憶合金で構成されたウ
エーハ載置手段１２と、コの字形の溝でウエーハ載置手
段１２を保持する保持具７と、ウエーハ載置手段１２の
温度を検知する温度検知器９と、加熱ヒータ１４、リレ
ー１０及び電源１６で構成される温度制御手段８とで構
成される。
１５１５８９号公報に記載された、図４に示すようなよ
うな方法がある。図４において、格子状に切り込みライ
ン１−１を設けた半導体ウエーハ１を、貼り付けシート
１１によって張り付けた、形状記憶合金で構成されたウ
エーハ載置手段１２と、コの字形の溝でウエーハ載置手
段１２を保持する保持具７と、ウエーハ載置手段１２の
温度を検知する温度検知器９と、加熱ヒータ１４、リレ
ー１０及び電源１６で構成される温度制御手段８とで構
成される。
【０００８】ウエーハ載置手段１２は、形状記憶合金で
構成されていて常温では平面であるのが、加熱ヒータ１
４である温度まで加熱されると図示のように変形して、
半導体ウエーハ１に機械的な応力を与える。機械的な応
力が与えられた半導体ウエーハ１は、切り込みライン１
−１に沿って切断され、ペレタイズが完了する。ウエー
ハ載置手段１２がある定められた温度まで加熱される
と、温度検知器９がその温度を検知し、リレー１０が電
源１６を切断し、加熱ヒータ１４の印加電力を除去す
る。
構成されていて常温では平面であるのが、加熱ヒータ１
４である温度まで加熱されると図示のように変形して、
半導体ウエーハ１に機械的な応力を与える。機械的な応
力が与えられた半導体ウエーハ１は、切り込みライン１
−１に沿って切断され、ペレタイズが完了する。ウエー
ハ載置手段１２がある定められた温度まで加熱される
と、温度検知器９がその温度を検知し、リレー１０が電
源１６を切断し、加熱ヒータ１４の印加電力を除去す
る。
【０００９】特開昭５６−２９３４５号公報には、図４
のウエーハ載置手段１２を半導体ウエーハ１より熱膨張
係数の小さい板状の弾性体で構成し、半導体ウエーハ１
とウエーハ載置手段１２とを例えば金・シリコンろう材
で接着し、加熱ヒータ１４で加熱することにより、ウエ
ーハ載置手段１２と半導体ウエーハ１との間の膨張係数
の差で、ウエーハ載置手段１２を例えば図示のように変
形させ、半導体ウエーハ１に機械的な応力を与えて、ペ
レタイズする方法が提案されている。
のウエーハ載置手段１２を半導体ウエーハ１より熱膨張
係数の小さい板状の弾性体で構成し、半導体ウエーハ１
とウエーハ載置手段１２とを例えば金・シリコンろう材
で接着し、加熱ヒータ１４で加熱することにより、ウエ
ーハ載置手段１２と半導体ウエーハ１との間の膨張係数
の差で、ウエーハ載置手段１２を例えば図示のように変
形させ、半導体ウエーハ１に機械的な応力を与えて、ペ
レタイズする方法が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】特開平６−１５１５８
９号公報に記載されたペレタイズ方法は、形状記憶合金
の変形量がバラツキ、半導体ウエーハ全体に均一な応力
がかからず、分離・切断できない部分や素子のチッピン
グ、カケが生じる可能性がある。また、半導体ウエーハ
とウエーハ載置手段とを密着させるについて、貼り付け
シートの粘着力では完全に接着・保持できない。そのた
め、半導体ウエーハが貼り付けシート上で滑ったり、あ
るいははがれるためウエーハ載置手段の変形に追従でき
ず、ペレタイズが不完全になる可能性がある。
９号公報に記載されたペレタイズ方法は、形状記憶合金
の変形量がバラツキ、半導体ウエーハ全体に均一な応力
がかからず、分離・切断できない部分や素子のチッピン
グ、カケが生じる可能性がある。また、半導体ウエーハ
とウエーハ載置手段とを密着させるについて、貼り付け
シートの粘着力では完全に接着・保持できない。そのた
め、半導体ウエーハが貼り付けシート上で滑ったり、あ
るいははがれるためウエーハ載置手段の変形に追従でき
ず、ペレタイズが不完全になる可能性がある。
【００１１】特開昭５６−２９３４５号公報に記載され
たペレタイズ方法は、ウエーハ載置手段の板厚が薄く且
つ熱伝導率の大きい材料の場合、加熱ヒータの熱を直に
半導体ウエーハに伝えることとなり、脆弱な半導体例え
ば化合物半導体の場合は、熱による特性劣化を生じる可
能性がある。また、半導体ウエーハとウエーハ載置手段
との接着に使用する金・シリコンろう材は、接着力が大
きいため取り除く際大きな工数を要する。
たペレタイズ方法は、ウエーハ載置手段の板厚が薄く且
つ熱伝導率の大きい材料の場合、加熱ヒータの熱を直に
半導体ウエーハに伝えることとなり、脆弱な半導体例え
ば化合物半導体の場合は、熱による特性劣化を生じる可
能性がある。また、半導体ウエーハとウエーハ載置手段
との接着に使用する金・シリコンろう材は、接着力が大
きいため取り除く際大きな工数を要する。
【００１２】本発明の目的は、簡便且つ品質劣化を起こ
す危険性もなく、確実に半導体ウエーハのペレタイズが
できる半導体ウエーハ割断方法を提供することである。
す危険性もなく、確実に半導体ウエーハのペレタイズが
できる半導体ウエーハ割断方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、あらか
じめ半導体素子間に格子状の切り込みラインを設けた半
導体ウエーハに応力を与え、前記切り込みラインから亀
裂を発生させ個々の半導体素子を分離・切断する半導体
ウエーハ割断方法であって、前記半導体ウエーハを加熱
するウエーハ加熱工程と、その後、前記半導体ウェーハ
を冷却するウエーハ冷却工程とを含むことを特徴とす
る。
じめ半導体素子間に格子状の切り込みラインを設けた半
導体ウエーハに応力を与え、前記切り込みラインから亀
裂を発生させ個々の半導体素子を分離・切断する半導体
ウエーハ割断方法であって、前記半導体ウエーハを加熱
するウエーハ加熱工程と、その後、前記半導体ウェーハ
を冷却するウエーハ冷却工程とを含むことを特徴とす
る。
【００１４】本発明の作用は次の通りである。切り込み
ラインを設けた半導体ウエーハの物体固有の熱特性を利
用し、温度変動で生じる膨張・圧縮現象を、半導体ウエ
ーハの切り込みラインに熱的な応力として加え、切り込
みラインから亀裂を生じさせてペレタイズする。
ラインを設けた半導体ウエーハの物体固有の熱特性を利
用し、温度変動で生じる膨張・圧縮現象を、半導体ウエ
ーハの切り込みラインに熱的な応力として加え、切り込
みラインから亀裂を生じさせてペレタイズする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１６】図１は本発明による半導体ウエーハ割断方
法を実施する装置の構成を示す側面図であり、図３〜４
と同等部分は同一符号にて示している。
法を実施する装置の構成を示す側面図であり、図３〜４
と同等部分は同一符号にて示している。
【００１７】本発明においても、まず、図３に示すよう
に半導体ウエーハ１を載置し、９０゜回転・固定できる
ステージ２、半導体ウエーハ１上に切り込みライン１−
１を形成（スクライブ）するダイアモンド針（スクライ
バ）３、ステージ２をＸ軸方向に移動させるＸ軸スライ
ダ２−１、ステージ２をＹ軸方向に移動させるＹ軸スラ
イダ２−２で構成されている。
に半導体ウエーハ１を載置し、９０゜回転・固定できる
ステージ２、半導体ウエーハ１上に切り込みライン１−
１を形成（スクライブ）するダイアモンド針（スクライ
バ）３、ステージ２をＸ軸方向に移動させるＸ軸スライ
ダ２−１、ステージ２をＹ軸方向に移動させるＹ軸スラ
イダ２−２で構成されている。
【００１８】半導体ウエーハ１をステージ２上に例えば
吸着・保持し、ストリート（半導体素子間の隙間）に沿
ってダイアモンド針（スクライバ；ポイント）３を圧着
・移動することによって、Ｘ軸及びＹ軸スライダ２−
１，２で半導体ウエーハ１を移動させ、半導体ウエーハ
１の表面に一種の傷を付ける形で、平行線状の切り込み
ライン１−１を形成（スクライブ）する。
吸着・保持し、ストリート（半導体素子間の隙間）に沿
ってダイアモンド針（スクライバ；ポイント）３を圧着
・移動することによって、Ｘ軸及びＹ軸スライダ２−
１，２で半導体ウエーハ１を移動させ、半導体ウエーハ
１の表面に一種の傷を付ける形で、平行線状の切り込み
ライン１−１を形成（スクライブ）する。
【００１９】さらに、ステージ２を図示の矢印の方向に
９０゜回転させて固定し、同様にダイアモンド針３の圧
着とＸ／Ｙ軸スライダ２−１，２で移動させて格子状の
切り込みライン１−１を形成する。
９０゜回転させて固定し、同様にダイアモンド針３の圧
着とＸ／Ｙ軸スライダ２−１，２で移動させて格子状の
切り込みライン１−１を形成する。
【００２０】本発明においては、図１に示すように、半
導体ウエーハ１を上面に吸着固定したステージ２と、ス
テージ２を加熱するヒータブロック４と、半導体ウエー
ハ１を上面から冷却するサーモモジュール５とで構成さ
れ、図３に示すスクライブ装置のステージ２を共用して
いる。
導体ウエーハ１を上面に吸着固定したステージ２と、ス
テージ２を加熱するヒータブロック４と、半導体ウエー
ハ１を上面から冷却するサーモモジュール５とで構成さ
れ、図３に示すスクライブ装置のステージ２を共用して
いる。
【００２１】ステージ２は図２に示すように、アルミニ
ュームあるいはステンレススティール製で、その半導体
ウエーハ取り付け面に多くの真空吸引孔６が設けられ、
真空吸引によって半導体ウエーハ１を密着・保持する。
サーモモジュール５は、半導体ウエーハ１に密着する面
をペルチェ効果で冷却することができる。
ュームあるいはステンレススティール製で、その半導体
ウエーハ取り付け面に多くの真空吸引孔６が設けられ、
真空吸引によって半導体ウエーハ１を密着・保持する。
サーモモジュール５は、半導体ウエーハ１に密着する面
をペルチェ効果で冷却することができる。
【００２２】本発明の実施例の動作は図１において、ス
テージ２の下面（部）にヒータブロック４を密着させて
ステージ２を加熱し、半導体ウエーハ１に熱を伝導させ
て間接的に加熱する。半導体ウエーハ１がある決まった
温度まで加熱されると、半導体ウエーハ１の上面に冷却
されたサーモモジュール５を、均一な荷重をかけて密着
させて、急激に冷却し、半導体ウエーハ１に熱的な応力
を加え、切り込みライン１−１からクラック（亀裂）を
発生させて、ペレットを分離・切断（ペレタイズ）す
る。ペレタイズ後は、サーモモジュール５を上部に待避
させ、ステージ２の真空を解除することで、半導体ウエ
ーハ（ペレット）１とステージ２とを容易に脱着でき
る。
テージ２の下面（部）にヒータブロック４を密着させて
ステージ２を加熱し、半導体ウエーハ１に熱を伝導させ
て間接的に加熱する。半導体ウエーハ１がある決まった
温度まで加熱されると、半導体ウエーハ１の上面に冷却
されたサーモモジュール５を、均一な荷重をかけて密着
させて、急激に冷却し、半導体ウエーハ１に熱的な応力
を加え、切り込みライン１−１からクラック（亀裂）を
発生させて、ペレットを分離・切断（ペレタイズ）す
る。ペレタイズ後は、サーモモジュール５を上部に待避
させ、ステージ２の真空を解除することで、半導体ウエ
ーハ（ペレット）１とステージ２とを容易に脱着でき
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ステージ
にヒータブロックとサーモモジュールを設けることによ
り、簡便且つ品質劣化を起こす危険性もなく、確実に半
導体ウエーハのペレット分離・切断（ペレタイズ）が行
える効果がある。特に、化合物半導体（ガリウム砒素
等）はシリコンに比し脆弱なために、本発明を用いるこ
とでより効果がある。
にヒータブロックとサーモモジュールを設けることによ
り、簡便且つ品質劣化を起こす危険性もなく、確実に半
導体ウエーハのペレット分離・切断（ペレタイズ）が行
える効果がある。特に、化合物半導体（ガリウム砒素
等）はシリコンに比し脆弱なために、本発明を用いるこ
とでより効果がある。
【図１】本発明の実施例のための装置の側面図である。
【図２】ステージの半導体ウエーハ吸着部の上面図であ
る。
る。
【図３】本発明の適用される半導体ウエーハ割断装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図４】従来の応力印加手段の一例の側面図である。
１ 半導体ウエーハ ２ ステージ ４ ヒータブロック ５ サーモモジュール
Claims (3)
- 【請求項１】 予め半導体素子間に格子状の切り込みラ
インを設けた半導体ウエーハに応力を与えることにより
前記半導体素子を個々に分離切断する半導体ウエーハの
割断方法であって、前記半導体ウエーハを加熱する工程
と、しかる後に前記半導体ウエーハを冷却する工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の割断方法。 - 【請求項２】 前記冷却する工程において、加熱された
半導体ウエーハを冷却することにより熱的応力を当該ウ
エーハに加えるようにしたことを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の割断方法。 - 【請求項３】 前記半導体ウエーハは化合物半導体のウ
エーハであることを特徴とする請求項１または２記載の
半導体装置の割断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27438796A JPH10125629A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 半導体ウェーハ割断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27438796A JPH10125629A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 半導体ウェーハ割断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125629A true JPH10125629A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17540968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27438796A Pending JPH10125629A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 半導体ウェーハ割断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125629A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10102315B4 (de) * | 2001-01-18 | 2012-10-25 | Aixtron Se | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen und Zwischenprodukt bei diesen Verfahren |
| JP2013236001A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
| JP2015061033A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東京精密 | レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法 |
| JP2018022875A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019061981A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
| JP2019061983A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
-
1996
- 1996-10-17 JP JP27438796A patent/JPH10125629A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10102315B4 (de) * | 2001-01-18 | 2012-10-25 | Aixtron Se | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen und Zwischenprodukt bei diesen Verfahren |
| JP2013236001A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
| JP2015061033A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 株式会社東京精密 | レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法 |
| JP2018022875A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019061981A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
| JP2019061983A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
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