JPH10125726A - 基板及び基板の接続方法 - Google Patents
基板及び基板の接続方法Info
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- JPH10125726A JPH10125726A JP8277908A JP27790896A JPH10125726A JP H10125726 A JPH10125726 A JP H10125726A JP 8277908 A JP8277908 A JP 8277908A JP 27790896 A JP27790896 A JP 27790896A JP H10125726 A JPH10125726 A JP H10125726A
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- substrate
- terminal electrode
- electrode portion
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続後のバンプの形状を確実に所定形状に整
形することができ、所定形状を応力集中が起こりにくい
形状とすることにより応力集中に起因する接続部の破断
を未然に防止することができる基板及び基板の接続方法
を提供する。 【解決手段】 まず、（Ａ）に示すようにハンダによっ
て構成された円柱状のバンプ１２Ｃが端子電極部１１上
に形成されたＩＣチップ１０をバンプ１２Ｃ側を下向き
として回路基板１６の端子電極部１８上方に位置決め
し、次にＩＣチップ１０全体を矢印３０方向に移動させ
ると共にリフローによりバンプ１２Ｃを加熱して溶融さ
せ、ＩＣチップ１０をＩＣチップ１０の端子電極部１１
側の表面を覆っている保護膜１４の表面と回路基板１６
上の保護膜２０の表面とが接触する位置まで移動して停
止させ、バンプ１２Ｃを冷却して固着させる。この結
果、（Ｂ）に示すようにバンプ１２Ｃは保護膜２０に設
けられている開孔部２２と同一形状である鼓状のバンプ
１２Ｄとなる。
形することができ、所定形状を応力集中が起こりにくい
形状とすることにより応力集中に起因する接続部の破断
を未然に防止することができる基板及び基板の接続方法
を提供する。 【解決手段】 まず、（Ａ）に示すようにハンダによっ
て構成された円柱状のバンプ１２Ｃが端子電極部１１上
に形成されたＩＣチップ１０をバンプ１２Ｃ側を下向き
として回路基板１６の端子電極部１８上方に位置決め
し、次にＩＣチップ１０全体を矢印３０方向に移動させ
ると共にリフローによりバンプ１２Ｃを加熱して溶融さ
せ、ＩＣチップ１０をＩＣチップ１０の端子電極部１１
側の表面を覆っている保護膜１４の表面と回路基板１６
上の保護膜２０の表面とが接触する位置まで移動して停
止させ、バンプ１２Ｃを冷却して固着させる。この結
果、（Ｂ）に示すようにバンプ１２Ｃは保護膜２０に設
けられている開孔部２２と同一形状である鼓状のバンプ
１２Ｄとなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板及び基板の接続
方法に関するものであり、特に、接続時にバンプの形状
を整形することができる半導体チップや回路基板等の基
板及び基板の接続方法に関するものである。
方法に関するものであり、特に、接続時にバンプの形状
を整形することができる半導体チップや回路基板等の基
板及び基板の接続方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣチップの端子電極部上に形成
したバンプと回路基板の端子電極部との接続は図４
（Ａ）に示すように、端子電極部１１側の表面に保護膜
１４が形成されたＩＣチップ１０の端子電極部１１上に
形成されたバンプ１２Ａを相対する回路基板１６の端子
電極部１８上方に位置合わせした後にバンプ１２Ａを加
熱しながらＩＣチップ１０全体を矢印３４方向に移動す
ることによりバンプ１２Ａと回路基板１６の端子電極部
１８を接触させ、バンプ１２Ａを冷却、固着させること
によるか、予め端子電極部１８上に載置したバンプ１２
Ａを加熱溶融させることによって行っていた。
したバンプと回路基板の端子電極部との接続は図４
（Ａ）に示すように、端子電極部１１側の表面に保護膜
１４が形成されたＩＣチップ１０の端子電極部１１上に
形成されたバンプ１２Ａを相対する回路基板１６の端子
電極部１８上方に位置合わせした後にバンプ１２Ａを加
熱しながらＩＣチップ１０全体を矢印３４方向に移動す
ることによりバンプ１２Ａと回路基板１６の端子電極部
１８を接触させ、バンプ１２Ａを冷却、固着させること
によるか、予め端子電極部１８上に載置したバンプ１２
Ａを加熱溶融させることによって行っていた。
【０００３】しかしながら以上のような方法では、接続
後のバンプ１２Ｂは図４（Ｂ）に示すように中央部の径
が両端部の径より太くなった形状、すなわち太鼓状とな
り、両端部に応力集中が起こることによって接続部が破
断しやすいという問題点があった。
後のバンプ１２Ｂは図４（Ｂ）に示すように中央部の径
が両端部の径より太くなった形状、すなわち太鼓状とな
り、両端部に応力集中が起こることによって接続部が破
断しやすいという問題点があった。
【０００４】このような問題点を解決するために特開平
５−１４４８７４号公報には、バンプを加熱溶融して相
対する回路基板の端子電極部に接続させると同時にＩＣ
チップを所定距離だけ上昇させることにより、バンプの
形状を中央部の径が両端部の径より細くなった鼓状とす
る方法が記載されている。
５−１４４８７４号公報には、バンプを加熱溶融して相
対する回路基板の端子電極部に接続させると同時にＩＣ
チップを所定距離だけ上昇させることにより、バンプの
形状を中央部の径が両端部の径より細くなった鼓状とす
る方法が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、ＩＣチップを所定距離上昇させることによ
りバンプの表面張力を利用してバンプを鼓状にしている
ため、中央部の径を所望の径にすることが難しいという
問題点があった。また、接続方法がリフローのみに限定
されるという問題点があった。
来技術では、ＩＣチップを所定距離上昇させることによ
りバンプの表面張力を利用してバンプを鼓状にしている
ため、中央部の径を所望の径にすることが難しいという
問題点があった。また、接続方法がリフローのみに限定
されるという問題点があった。
【０００６】本発明は上記問題点を解消するために成さ
れたもので、接続方法がリフロー及び熱圧着の何れの場
合でも接続後のバンプの形状を確実に所定形状に整形す
ることができ、所定形状を応力集中が起こらない形状に
することにより、応力集中に起因する接続部の破断を未
然に防止することができる基板及び基板の接続方法を提
供することを目的としている。
れたもので、接続方法がリフロー及び熱圧着の何れの場
合でも接続後のバンプの形状を確実に所定形状に整形す
ることができ、所定形状を応力集中が起こらない形状に
することにより、応力集中に起因する接続部の破断を未
然に防止することができる基板及び基板の接続方法を提
供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の基板は、端子電極部上に形成されたバ
ンプを有する基板と接続可能でかつ端子電極部を有する
基板であって、接続後のバンプ形状が所定形状になるよ
うに、前記端子電極部と他の基板の端子電極部上に形成
されたバンプとの接続の際に前記バンプを所定形状に整
形するための開孔部が前記端子電極部上に設けられた保
護膜を表面に形成したものである。
に請求項１記載の基板は、端子電極部上に形成されたバ
ンプを有する基板と接続可能でかつ端子電極部を有する
基板であって、接続後のバンプ形状が所定形状になるよ
うに、前記端子電極部と他の基板の端子電極部上に形成
されたバンプとの接続の際に前記バンプを所定形状に整
形するための開孔部が前記端子電極部上に設けられた保
護膜を表面に形成したものである。
【０００８】請求項１記載の基板によれば、端子電極部
上にバンプが形成された他の基板との接続後のバンプを
所定形状に整形する開孔部が基板表面の保護膜に設けら
れている。従って、所定形状を応力集中が起こりにくい
形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同一の
応力集中が起こりにくい形状に確実に整形することがで
き、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未然に
防止することができる。
上にバンプが形成された他の基板との接続後のバンプを
所定形状に整形する開孔部が基板表面の保護膜に設けら
れている。従って、所定形状を応力集中が起こりにくい
形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同一の
応力集中が起こりにくい形状に確実に整形することがで
き、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未然に
防止することができる。
【０００９】請求項２記載の基板は、端子電極部を有す
る基板と接続可能でかつ端子電極部上に形成されたバン
プを有する基板であって、接続後のバンプ形状が所定形
状になるように、前記バンプと他の基板の端子電極部と
の接続の際に前記バンプを所定形状に整形するための開
孔部が前記バンプを取り囲むように前記端子電極部上に
設けられた保護膜を表面に形成したものである。
る基板と接続可能でかつ端子電極部上に形成されたバン
プを有する基板であって、接続後のバンプ形状が所定形
状になるように、前記バンプと他の基板の端子電極部と
の接続の際に前記バンプを所定形状に整形するための開
孔部が前記バンプを取り囲むように前記端子電極部上に
設けられた保護膜を表面に形成したものである。
【００１０】請求項２記載の基板によれば、他の基板の
端子電極部との接続後のバンプを所定形状に整形する開
孔部が、バンプを取り囲むように基板表面の保護膜に設
けられている。従って、所定形状を応力集中が起こりに
くい形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同
一の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形すること
ができ、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未
然に防止することができる。
端子電極部との接続後のバンプを所定形状に整形する開
孔部が、バンプを取り囲むように基板表面の保護膜に設
けられている。従って、所定形状を応力集中が起こりに
くい形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同
一の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形すること
ができ、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未
然に防止することができる。
【００１１】請求項３記載の基板の接続方法は、第一基
板の端子電極部上に形成されたバンプと第二基板の端子
電極部とを接続する基板の接続方法において、接続後の
バンプ形状が所定形状になるように、前記バンプと前記
第二基板の端子電極部との接続の際に前記バンプを所定
形状に整形するための開孔部が端子電極部上に設けた保
護膜を前記第一基板及び前記第二基板の何れか一方の表
面に形成し、前記バンプをリフローまたは熱圧着により
前記第二基板の端子電極部と接続することを特徴として
いる。
板の端子電極部上に形成されたバンプと第二基板の端子
電極部とを接続する基板の接続方法において、接続後の
バンプ形状が所定形状になるように、前記バンプと前記
第二基板の端子電極部との接続の際に前記バンプを所定
形状に整形するための開孔部が端子電極部上に設けた保
護膜を前記第一基板及び前記第二基板の何れか一方の表
面に形成し、前記バンプをリフローまたは熱圧着により
前記第二基板の端子電極部と接続することを特徴として
いる。
【００１２】請求項３記載の基板の接続方法によれば、
第一基板の端子電極部上に形成されたバンプと第二基板
の端子電極部とをリフローまたは熱圧着により接続する
際に、第一基板及び第二基板の何れか一方の表面に形成
されている保護膜の端子電極部上の開孔部により、第一
基板の端子電極部上に形成されているバンプは所定形状
に整形される。従って、所定形状を応力集中が起こりに
くい形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同
一の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形すること
ができ、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未
然に防止することができる。
第一基板の端子電極部上に形成されたバンプと第二基板
の端子電極部とをリフローまたは熱圧着により接続する
際に、第一基板及び第二基板の何れか一方の表面に形成
されている保護膜の端子電極部上の開孔部により、第一
基板の端子電極部上に形成されているバンプは所定形状
に整形される。従って、所定形状を応力集中が起こりに
くい形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同
一の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形すること
ができ、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未
然に防止することができる。
【００１３】なお、本発明における基板には、プリント
配線基板等の回路基板の他に、回路及び端子電極部を有
するＩＣチップやバンプを有するＩＣパッケージ等が含
まれる。従って、請求項１及び請求項２の発明における
基板、請求項３の発明における第一基板及び第二基板は
各々回路基板、半導体チップ、ＩＣパッケージ等の何れ
であってもよく、請求項３に記載の基板の接続方法は、
ＩＣパッケージ等を含む回路基板と半導体チップの接
続、ＩＣパッケージ等を含む回路基板同士の接続及び半
導体チップ同士の接続に対して適用することができる。
配線基板等の回路基板の他に、回路及び端子電極部を有
するＩＣチップやバンプを有するＩＣパッケージ等が含
まれる。従って、請求項１及び請求項２の発明における
基板、請求項３の発明における第一基板及び第二基板は
各々回路基板、半導体チップ、ＩＣパッケージ等の何れ
であってもよく、請求項３に記載の基板の接続方法は、
ＩＣパッケージ等を含む回路基板と半導体チップの接
続、ＩＣパッケージ等を含む回路基板同士の接続及び半
導体チップ同士の接続に対して適用することができる。
【００１４】
［第１実施形態］以下、図面を参照しながら本発明に係
る基板及び基板の接続方法を詳細に説明する。
る基板及び基板の接続方法を詳細に説明する。
【００１５】まず、図１（Ａ）、（Ｂ）に基づいて、本
発明の第１実施形態における基板としての回路基板とＩ
Ｃチップとの接続方法を説明する。
発明の第１実施形態における基板としての回路基板とＩ
Ｃチップとの接続方法を説明する。
【００１６】本実施形態に係る回路基板１６は、図１
（Ａ）に示すように端子電極部１８側の表面に端子電極
部１８上の略中央部分に端子電極部１８上面に対する垂
直方向中央部の径が両端部の径より細くなった鼓状の開
孔部２２を設けたレジスト等の保護膜２０を有してい
る。
（Ａ）に示すように端子電極部１８側の表面に端子電極
部１８上の略中央部分に端子電極部１８上面に対する垂
直方向中央部の径が両端部の径より細くなった鼓状の開
孔部２２を設けたレジスト等の保護膜２０を有してい
る。
【００１７】なお、鼓状の開孔部２２は次の工程により
形成される。まず、図３（Ａ）に示すように、回路基板
１６の端子電極部１８側の表面に開孔部２２の半分の高
さに一致する厚さに異方性エッチング樹脂５０を塗布
し、さらに異方性エッチング樹脂５０の表面にマスク５
２を載置した後にエッチングを行なう。なお、マスク５
２にはマスク開孔部５２Ａが設けられており、端子電極
部１８表面の略鉛直上方の面のみがマスクされるように
マスク５２は載置される。以上のエッチングの結果、異
方性エッチング樹脂５０における図３（Ｂ）の斜線部分
が除去され、端子電極部１８の表面上に開孔部２２の下
半分と同一形状の樹脂残部５０Ａが残る。なお、エッチ
ングの際のエッチングレートを調整することにより樹脂
残部５０Ａの傾斜部分の傾斜の大きさを調整することが
できる。
形成される。まず、図３（Ａ）に示すように、回路基板
１６の端子電極部１８側の表面に開孔部２２の半分の高
さに一致する厚さに異方性エッチング樹脂５０を塗布
し、さらに異方性エッチング樹脂５０の表面にマスク５
２を載置した後にエッチングを行なう。なお、マスク５
２にはマスク開孔部５２Ａが設けられており、端子電極
部１８表面の略鉛直上方の面のみがマスクされるように
マスク５２は載置される。以上のエッチングの結果、異
方性エッチング樹脂５０における図３（Ｂ）の斜線部分
が除去され、端子電極部１８の表面上に開孔部２２の下
半分と同一形状の樹脂残部５０Ａが残る。なお、エッチ
ングの際のエッチングレートを調整することにより樹脂
残部５０Ａの傾斜部分の傾斜の大きさを調整することが
できる。
【００１８】次に、図３（Ｃ）に示すように、回路基板
１６の端子電極部１８側の表面に保護膜２０を開孔部２
２の高さと同一の厚さに塗布し、図３（Ｄ）に示すよう
に、保護膜２０の表面にマスク５４を載置した後にエッ
チングを行なう。なお、マスク５４にはマスク開孔部５
４Ａが設けられており、マスク開孔部５４Ａの中心が端
子電極部１８の中心の略鉛直上方に位置するようにマス
ク５４は載置される。以上のエッチングの結果、開孔部
２２の上半分と同一形状である図３（Ｅ）の斜線部分に
示す保護膜除去部２０Ａが除去される。なお、エッチン
グレートを調整することにより、保護膜除去部２０Ａの
傾斜部分の傾斜の大きさを調整することができる。
１６の端子電極部１８側の表面に保護膜２０を開孔部２
２の高さと同一の厚さに塗布し、図３（Ｄ）に示すよう
に、保護膜２０の表面にマスク５４を載置した後にエッ
チングを行なう。なお、マスク５４にはマスク開孔部５
４Ａが設けられており、マスク開孔部５４Ａの中心が端
子電極部１８の中心の略鉛直上方に位置するようにマス
ク５４は載置される。以上のエッチングの結果、開孔部
２２の上半分と同一形状である図３（Ｅ）の斜線部分に
示す保護膜除去部２０Ａが除去される。なお、エッチン
グレートを調整することにより、保護膜除去部２０Ａの
傾斜部分の傾斜の大きさを調整することができる。
【００１９】最後に、樹脂残部５０Ａのみをエッチング
除去することにより、図３（Ｆ）に示す鼓状の開孔部２
２が形成される。
除去することにより、図３（Ｆ）に示す鼓状の開孔部２
２が形成される。
【００２０】この際、開孔部２２は、その容積が相対す
るバンプ１２Ｃの体積と同一となるように形成するのが
好ましい。
るバンプ１２Ｃの体積と同一となるように形成するのが
好ましい。
【００２１】以上のように形成された回路基板１６とＩ
Ｃチップ１０との接続方法を次に説明する。
Ｃチップ１０との接続方法を次に説明する。
【００２２】まず、図１（Ａ）に示すようにハンダによ
って構成された円柱状のバンプ１２Ｃが端子電極部１１
上に形成されたＩＣチップ１０をバンプ１２Ｃ側を下向
きとして回路基板１６の端子電極部１８上方に位置決め
し、次にＩＣチップ１０全体を矢印３０方向に移動させ
ると共にリフローによりバンプ１２Ｃを加熱して溶融さ
せ、ＩＣチップ１０をＩＣチップ１０の端子電極部１１
側の表面を覆っている保護膜１４の表面と回路基板１６
上の保護膜２０の表面とが接触する位置まで移動して停
止させ、バンプ１２Ｃを冷却して固着させる。
って構成された円柱状のバンプ１２Ｃが端子電極部１１
上に形成されたＩＣチップ１０をバンプ１２Ｃ側を下向
きとして回路基板１６の端子電極部１８上方に位置決め
し、次にＩＣチップ１０全体を矢印３０方向に移動させ
ると共にリフローによりバンプ１２Ｃを加熱して溶融さ
せ、ＩＣチップ１０をＩＣチップ１０の端子電極部１１
側の表面を覆っている保護膜１４の表面と回路基板１６
上の保護膜２０の表面とが接触する位置まで移動して停
止させ、バンプ１２Ｃを冷却して固着させる。
【００２３】以上の接続方法でＩＣチップ１０と回路基
板１６が接続された状態を図１（Ｂ）に示す。図１
（Ｂ）に示すように接続する際に加熱されることにより
溶融したバンプ１２Ｃは、保護膜２０に設けられた開孔
部２２の形状に拘束されて接続後は開孔部２２と同様の
形状、すなわち鼓状のバンプ１２Ｄとなる。
板１６が接続された状態を図１（Ｂ）に示す。図１
（Ｂ）に示すように接続する際に加熱されることにより
溶融したバンプ１２Ｃは、保護膜２０に設けられた開孔
部２２の形状に拘束されて接続後は開孔部２２と同様の
形状、すなわち鼓状のバンプ１２Ｄとなる。
【００２４】以上説明したように、本発明の第１実施形
態では、回路基板１６上の保護膜２０に鼓状の開孔部２
２を設けることにより、バンプ１２Ｃと端子電極部１８
とを接続する際に、バンプ１２Ｃを応力集中が起こりに
くい鼓状に確実に整形することができるので、バンプ１
２Ｃと端子電極部１８との接続後の応力集中に起因する
接続部の破断を未然に防止することができる。
態では、回路基板１６上の保護膜２０に鼓状の開孔部２
２を設けることにより、バンプ１２Ｃと端子電極部１８
とを接続する際に、バンプ１２Ｃを応力集中が起こりに
くい鼓状に確実に整形することができるので、バンプ１
２Ｃと端子電極部１８との接続後の応力集中に起因する
接続部の破断を未然に防止することができる。
【００２５】［第２実施形態］次に、図２に基づいて、
本発明の第２実施形態における回路基板と基板としての
ＩＣチップとの接続方法を説明する。
本発明の第２実施形態における回路基板と基板としての
ＩＣチップとの接続方法を説明する。
【００２６】本第２実施形態に係るＩＣチップ１０は、
図２に示すように端子電極部１１側の表面に端子電極部
１１上の略中央部分に円柱状に形成されたバンプ１２Ｅ
を取り囲むように鼓状の開孔部２２Ｂを設けた保護膜１
４Ｂを有している。なお、保護膜１４Ｂに設けられた開
孔部２２Ｂは、第１実施形態における開孔部の形成工程
と同様の工程にて形成することができる。この際、開孔
部２２Ｂは、その容積がバンプ１２Ｅの体積と同一とな
るように形成するのが好ましい。
図２に示すように端子電極部１１側の表面に端子電極部
１１上の略中央部分に円柱状に形成されたバンプ１２Ｅ
を取り囲むように鼓状の開孔部２２Ｂを設けた保護膜１
４Ｂを有している。なお、保護膜１４Ｂに設けられた開
孔部２２Ｂは、第１実施形態における開孔部の形成工程
と同様の工程にて形成することができる。この際、開孔
部２２Ｂは、その容積がバンプ１２Ｅの体積と同一とな
るように形成するのが好ましい。
【００２７】以上のように保護膜１４Ｂが形成されたＩ
Ｃチップ１０と回路基板１６との接続方法を次に説明す
る。
Ｃチップ１０と回路基板１６との接続方法を次に説明す
る。
【００２８】まず、ＩＣチップ１０をバンプ１２Ｅ側を
下向きとしてバンプ１２Ｅを回路基板１６の端子電極部
１８上方に位置決めし、次にＩＣチップ１０全体を矢印
３２方向に移動させると共にリフローによりバンプ１２
Ｅを加熱して溶融させ、ＩＣチップ１０をＩＣチップ１
０の端子電極部１１側の表面を覆っている保護膜１４Ｂ
の表面と回路基板１６上の保護膜２０Ｂの表面とが接触
する位置まで移動して停止させ、バンプ１２Ｅを冷却し
て固着させる。
下向きとしてバンプ１２Ｅを回路基板１６の端子電極部
１８上方に位置決めし、次にＩＣチップ１０全体を矢印
３２方向に移動させると共にリフローによりバンプ１２
Ｅを加熱して溶融させ、ＩＣチップ１０をＩＣチップ１
０の端子電極部１１側の表面を覆っている保護膜１４Ｂ
の表面と回路基板１６上の保護膜２０Ｂの表面とが接触
する位置まで移動して停止させ、バンプ１２Ｅを冷却し
て固着させる。
【００２９】以上の接続方法により、接続する際に加熱
されることにより溶融したバンプ１２Ｅは、保護膜１４
Ｂに設けられた開孔部２２Ｂの形状に拘束されて接続後
は開孔部２２Ｂと同様の形状、すなわち鼓状となる。
されることにより溶融したバンプ１２Ｅは、保護膜１４
Ｂに設けられた開孔部２２Ｂの形状に拘束されて接続後
は開孔部２２Ｂと同様の形状、すなわち鼓状となる。
【００３０】以上説明したように、本発明の第２実施形
態の基板及び基板の接続方法では、ＩＣチップ１０上の
保護膜１４Ｂに鼓状の開孔部２２Ｂを設けることによ
り、バンプ１２Ｅと端子電極部１８とを接続する際に、
バンプ１２Ｅを応力集中が起こりにくい鼓状に確実に整
形することができるので、基板接続後の応力集中に起因
する接続部の破断を未然に防止することができる。
態の基板及び基板の接続方法では、ＩＣチップ１０上の
保護膜１４Ｂに鼓状の開孔部２２Ｂを設けることによ
り、バンプ１２Ｅと端子電極部１８とを接続する際に、
バンプ１２Ｅを応力集中が起こりにくい鼓状に確実に整
形することができるので、基板接続後の応力集中に起因
する接続部の破断を未然に防止することができる。
【００３１】なお、上記各実施形態では、リフローによ
りＩＣチップの端子電極部上に形成されたバンプを溶融
して回路基板上の端子電極部と接続する場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、熱
圧着により接続するようにしてもよい。この場合は、金
（Ａｕ）、ハンダ等により構成したバンプを回路基板の
端子電極部上方に位置合わせした後、バンプをバンプ液
相点温度未満の温度に加熱して端子電極部に熱圧着す
る。この時、加熱されて軟化したバンプは、保護膜に形
成された鼓状の開孔部に拘束されて塑性変形を起こし、
鼓状のバンプとなる。
りＩＣチップの端子電極部上に形成されたバンプを溶融
して回路基板上の端子電極部と接続する場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、熱
圧着により接続するようにしてもよい。この場合は、金
（Ａｕ）、ハンダ等により構成したバンプを回路基板の
端子電極部上方に位置合わせした後、バンプをバンプ液
相点温度未満の温度に加熱して端子電極部に熱圧着す
る。この時、加熱されて軟化したバンプは、保護膜に形
成された鼓状の開孔部に拘束されて塑性変形を起こし、
鼓状のバンプとなる。
【００３２】また、上記各実施形態では、保護膜に形成
する開孔部は、その容積がバンプの体積と同一となるよ
うに形成する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、開孔部の容積はバンプの体積
以下であればよい。なお、開孔部の容積がバンプの体積
より小さい場合には、接続後にＩＣチップの保護膜と回
路基板の保護膜との間に隙間ができるため、この隙間を
封止樹脂にて封止するとさらに信頼性を上げることがで
きる。
する開孔部は、その容積がバンプの体積と同一となるよ
うに形成する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、開孔部の容積はバンプの体積
以下であればよい。なお、開孔部の容積がバンプの体積
より小さい場合には、接続後にＩＣチップの保護膜と回
路基板の保護膜との間に隙間ができるため、この隙間を
封止樹脂にて封止するとさらに信頼性を上げることがで
きる。
【００３３】また、上記各実施形態では、ＩＣチップ側
の端子電極部上にバンプを形成して回路基板の端子電極
部と接続する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、回路基板側の端子電極部上に
バンプを形成する場合においても同様の効果が得られ
る。
の端子電極部上にバンプを形成して回路基板の端子電極
部と接続する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、回路基板側の端子電極部上に
バンプを形成する場合においても同様の効果が得られ
る。
【００３４】また、上記各実施形態では、開孔部の形状
が鼓状である場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、応力集中が起こりにくい所定
の形状とすることができる。
が鼓状である場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、応力集中が起こりにくい所定
の形状とすることができる。
【００３５】また、上記各実施形態では、ＩＣチップと
回路基板との接続を行う場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、バンプを含むＩＣ
パッケージと基板の接続、ＩＣチップ同士あるいはＩＣ
パッケージを含む回路基板同士の接続においても適用す
ることができる。
回路基板との接続を行う場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、バンプを含むＩＣ
パッケージと基板の接続、ＩＣチップ同士あるいはＩＣ
パッケージを含む回路基板同士の接続においても適用す
ることができる。
【００３６】さらに、上記各実施形態では、バンプ形状
を円柱状としたが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、球状バンプあるいはボールバンプ等についても適
用可能である。
を円柱状としたが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、球状バンプあるいはボールバンプ等についても適
用可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に記載の基
板は、端子電極部上にバンプが形成された他の基板との
接続後のバンプを所定形状に整形する開孔部が基板表面
の保護膜に設けられているので、所定形状を応力集中が
起こりにくい形状とすることにより、バンプを開孔部の
形状と同一の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形
することができ、接続後の応力集中に起因する接続部の
破断を未然に防止することができる、という効果を有す
る。
板は、端子電極部上にバンプが形成された他の基板との
接続後のバンプを所定形状に整形する開孔部が基板表面
の保護膜に設けられているので、所定形状を応力集中が
起こりにくい形状とすることにより、バンプを開孔部の
形状と同一の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形
することができ、接続後の応力集中に起因する接続部の
破断を未然に防止することができる、という効果を有す
る。
【００３８】また、請求項２に記載の基板は、他の基板
の端子電極部との接続後のバンプを所定形状に整形する
開孔部が、バンプを取り囲むように基板表面の保護膜に
設けられているので、所定形状を応力集中が起こりにく
い形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同一
の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形することが
でき、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未然
に防止することができる、という効果を有する。
の端子電極部との接続後のバンプを所定形状に整形する
開孔部が、バンプを取り囲むように基板表面の保護膜に
設けられているので、所定形状を応力集中が起こりにく
い形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同一
の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形することが
でき、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未然
に防止することができる、という効果を有する。
【００３９】さらに、請求項３に記載の基板の接続方法
は、第一基板の端子電極部上に形成されたバンプと第二
基板の端子電極部とをリフローまたは熱圧着により接続
する際に、第一基板及び第二基板の何れか一方の表面に
形成されている保護膜の端子電極部上の開孔部により、
第一基板の端子電極部上に形成されているバンプは所定
形状に整形されるので、所定形状を応力集中が起こりに
くい形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同
一の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形すること
ができ、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未
然に防止することができる、という効果を有する。
は、第一基板の端子電極部上に形成されたバンプと第二
基板の端子電極部とをリフローまたは熱圧着により接続
する際に、第一基板及び第二基板の何れか一方の表面に
形成されている保護膜の端子電極部上の開孔部により、
第一基板の端子電極部上に形成されているバンプは所定
形状に整形されるので、所定形状を応力集中が起こりに
くい形状とすることにより、バンプを開孔部の形状と同
一の応力集中が起こりにくい形状に確実に整形すること
ができ、接続後の応力集中に起因する接続部の破断を未
然に防止することができる、という効果を有する。
【図１】本発明の第１実施形態における基板及び基板の
接続方法を示す概略側面図であり、（Ａ）は接続前の状
態を示す図、（Ｂ）は接続後の状態を示す図である。
接続方法を示す概略側面図であり、（Ａ）は接続前の状
態を示す図、（Ｂ）は接続後の状態を示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態における基板及び基板の
接続方法を示す概略側面図である。
接続方法を示す概略側面図である。
【図３】保護膜に設けられた鼓状開孔部の形成工程を示
す概略側面図である。
す概略側面図である。
【図４】従来の基板及び基板の接続方法を示す概略側面
図であり、（Ａ）は接続前の状態を示す図、（Ｂ）は接
続後の状態を示す図である。
図であり、（Ａ）は接続前の状態を示す図、（Ｂ）は接
続後の状態を示す図である。
１０ ＩＣチップ（基板） １１ 端子電極部 １２ バンプ １４ 保護膜 １６ 回路基板（基板） １８ 端子電極部 ２０ 保護膜 ２２ 開孔部
Claims (3)
- 【請求項１】 端子電極部上に形成されたバンプを有す
る基板と接続可能でかつ端子電極部を有する基板であっ
て、 接続後のバンプ形状が所定形状になるように、前記端子
電極部と他の基板の端子電極部上に形成されたバンプと
の接続の際に前記バンプを所定形状に整形するための開
孔部が前記端子電極部上に設けられた保護膜を表面に形
成した基板。 - 【請求項２】 端子電極部を有する基板と接続可能でか
つ端子電極部上に形成されたバンプを有する基板であっ
て、 接続後のバンプ形状が所定形状になるように、前記バン
プと他の基板の端子電極部との接続の際に前記バンプを
所定形状に整形するための開孔部が前記バンプを取り囲
むように前記端子電極部上に設けられた保護膜を表面に
形成した基板。 - 【請求項３】 第一基板の端子電極部上に形成されたバ
ンプと第二基板の端子電極部とを接続する基板の接続方
法において、 接続後のバンプ形状が所定形状になるように、前記バン
プと前記第二基板の端子電極部との接続の際に前記バン
プを所定形状に整形するための開孔部が端子電極部上に
設けた保護膜を前記第一基板及び前記第二基板の何れか
一方の表面に形成し、前記バンプをリフローまたは熱圧
着により前記第二基板の端子電極部と接続することを特
徴とする基板の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8277908A JPH10125726A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 基板及び基板の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8277908A JPH10125726A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 基板及び基板の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125726A true JPH10125726A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17589978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8277908A Pending JPH10125726A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 基板及び基板の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125726A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1306897B1 (en) * | 2001-10-29 | 2013-12-11 | Fujitsu Limited | Method of making electrode-to-electrode bond structure |
-
1996
- 1996-10-21 JP JP8277908A patent/JPH10125726A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1306897B1 (en) * | 2001-10-29 | 2013-12-11 | Fujitsu Limited | Method of making electrode-to-electrode bond structure |
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