JPH10125831A - ヒートシンク放熱フィン - Google Patents
ヒートシンク放熱フィンInfo
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- JPH10125831A JPH10125831A JP8276117A JP27611796A JPH10125831A JP H10125831 A JPH10125831 A JP H10125831A JP 8276117 A JP8276117 A JP 8276117A JP 27611796 A JP27611796 A JP 27611796A JP H10125831 A JPH10125831 A JP H10125831A
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- Japan
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- heat
- aluminum
- chip
- fin
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】製造時の加工が容易で、かつ軽量でチップに直
接装着して使用することができるヒートシンク放熱フィ
ンを提供する。 【解決手段】平板状の底板部(30)と、その片面に設
けられた放熱部(9)とを有するヒートシンク放熱フィ
ンであって、放熱部がアルミニウムからなり、平板状の
底板部はアルミニウム層と低線膨張係数の金属層とを備
えたクラッド板であり、少なくとも底板部の下面部がア
ルミニウム層になっていることを特徴とするヒートシン
ク放熱フィン。
接装着して使用することができるヒートシンク放熱フィ
ンを提供する。 【解決手段】平板状の底板部(30)と、その片面に設
けられた放熱部(9)とを有するヒートシンク放熱フィ
ンであって、放熱部がアルミニウムからなり、平板状の
底板部はアルミニウム層と低線膨張係数の金属層とを備
えたクラッド板であり、少なくとも底板部の下面部がア
ルミニウム層になっていることを特徴とするヒートシン
ク放熱フィン。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LSI(大規模集
積回路)チップに装着してチップを冷却するためのヒー
トシンク放熱フィン(以下放熱フィンと記す)に関す
る。
積回路)チップに装着してチップを冷却するためのヒー
トシンク放熱フィン(以下放熱フィンと記す)に関す
る。
【0002】
【従来の技術】LSIパッケージ(以下、単にパッケー
ジと記す)は、チップを収納した最も基本的なエレクト
ロニクスデバイスである。
ジと記す)は、チップを収納した最も基本的なエレクト
ロニクスデバイスである。
【0003】図4は、代表的なプラスチック製ボールグ
リッドアレイ型パッケージ(以下、BGAパッケージと
記す)の例を示し、(a)は断面図、(b)は平面図で
ある。チップ2はエポキシ樹脂板1に接着されており、
チップ2と樹脂板1上の外部端子となるハンダボール4
は、ボンディングワイヤ5および樹脂板1上の導電回路
(図示せず)を介して電気的に続され、全体がエポキシ
樹脂3で封着されている。ハンダボール4は、図4
(b)に示すように樹脂板1の下面に規則的に配列され
ており、プリント基板(図示せず)に実装される。
リッドアレイ型パッケージ(以下、BGAパッケージと
記す)の例を示し、(a)は断面図、(b)は平面図で
ある。チップ2はエポキシ樹脂板1に接着されており、
チップ2と樹脂板1上の外部端子となるハンダボール4
は、ボンディングワイヤ5および樹脂板1上の導電回路
(図示せず)を介して電気的に続され、全体がエポキシ
樹脂3で封着されている。ハンダボール4は、図4
(b)に示すように樹脂板1の下面に規則的に配列され
ており、プリント基板(図示せず)に実装される。
【0004】ところで、演算処理速度の向上のためにチ
ップの集積度は年々向上しており、それとともにチップ
の発熱による誤動作やパッケージの破壊などのトラブル
が問題となってきている。
ップの集積度は年々向上しており、それとともにチップ
の発熱による誤動作やパッケージの破壊などのトラブル
が問題となってきている。
【0005】チップの温度上昇を抑制する対策として最
も広く採用されているのが、パッケージにヒートシンク
放熱フィンを装着して、自然空冷あるいはファンによる
強制空冷によりチップから抜熱する方法である。
も広く採用されているのが、パッケージにヒートシンク
放熱フィンを装着して、自然空冷あるいはファンによる
強制空冷によりチップから抜熱する方法である。
【0006】図5〜図7は、放熱フィンの代表的な例を
示す。
示す。
【0007】5図は、チャンネル型放熱フィン6(以
下、チャンネルフィンと記す)の一例を示し、(a)は
平面図、(b)は正面図である。放熱部となる高さh、
厚さtの多数の放熱板6aが厚さTの底板部6bに間隙
gをとり垂直に設けられている。底板部7の平面寸法W
1×W2は、通常はパッケージの平面寸法と略々同一であ
る。
下、チャンネルフィンと記す)の一例を示し、(a)は
平面図、(b)は正面図である。放熱部となる高さh、
厚さtの多数の放熱板6aが厚さTの底板部6bに間隙
gをとり垂直に設けられている。底板部7の平面寸法W
1×W2は、通常はパッケージの平面寸法と略々同一であ
る。
【0008】6図は、ピン型放熱フィン7(以下、ピン
フィンと記す)の一例を示し、(a)は平面図、(b)
は正面図である。放熱部となる高さh、太さd1×d2の
多数の放熱ピン7aが厚さTの底板部6に間隙g1、g2
で垂直に林立している。放熱ピン7aの断面は、円形な
どの場合もある。
フィンと記す)の一例を示し、(a)は平面図、(b)
は正面図である。放熱部となる高さh、太さd1×d2の
多数の放熱ピン7aが厚さTの底板部6に間隙g1、g2
で垂直に林立している。放熱ピン7aの断面は、円形な
どの場合もある。
【0009】図7は、特願平7−91525号明細書に
記載したコルゲート型放熱フィン8(以下、コルゲート
フィンと記す)の例を示し、(a)は平面図、(b)は
正面図である。放熱部となる薄板厚の波形放熱板8aと
底板8bが、ろう付けで接合されている。これら放熱フ
ィンの材質は、軽量性と経済性等の観点からアルミニウ
ムあるいはアルミニウム合金(以下両者をアルミニウム
と総称する)が一般的であるが、熱伝導性を重視して銅
あるいは銅合金(以下両者を銅と総称する)で製造され
る場合もある。
記載したコルゲート型放熱フィン8(以下、コルゲート
フィンと記す)の例を示し、(a)は平面図、(b)は
正面図である。放熱部となる薄板厚の波形放熱板8aと
底板8bが、ろう付けで接合されている。これら放熱フ
ィンの材質は、軽量性と経済性等の観点からアルミニウ
ムあるいはアルミニウム合金(以下両者をアルミニウム
と総称する)が一般的であるが、熱伝導性を重視して銅
あるいは銅合金(以下両者を銅と総称する)で製造され
る場合もある。
【0010】図8は、ピンフィン7を取り付けたBGA
パッケージ10の一例を示し、(a)は断面図、(b)
は平面図である。このピンフィン7はBGAパッケージ
のエポキシ樹脂板11の上面に伝熱性の接着層14で接
合されている。チップ2は、樹脂板11の下面に伝熱性
の接着層16で接合され、樹脂板11のチップ搭載部に
は半田などを埋めたサーマルビア15と呼ばれる貫通孔
が設けられている。チップ2と樹脂板13上の外部端子
となるハンダボール4はボンディングワイヤ5および導
電回路(図示せず)を介して電気的に続され、チップ2
を収納した額縁状のエポキシ樹脂板12、13の内部は
注入エポキシ樹脂17で封着されている。 チップ2か
らの熱は、サーマルビア15を通って底板6に伝わり、
放熱ピン7aから放散される。
パッケージ10の一例を示し、(a)は断面図、(b)
は平面図である。このピンフィン7はBGAパッケージ
のエポキシ樹脂板11の上面に伝熱性の接着層14で接
合されている。チップ2は、樹脂板11の下面に伝熱性
の接着層16で接合され、樹脂板11のチップ搭載部に
は半田などを埋めたサーマルビア15と呼ばれる貫通孔
が設けられている。チップ2と樹脂板13上の外部端子
となるハンダボール4はボンディングワイヤ5および導
電回路(図示せず)を介して電気的に続され、チップ2
を収納した額縁状のエポキシ樹脂板12、13の内部は
注入エポキシ樹脂17で封着されている。 チップ2か
らの熱は、サーマルビア15を通って底板6に伝わり、
放熱ピン7aから放散される。
【0011】図9は、ピンフィン7を取り付けた他のB
GAパッケージ18の例を示し、(a)は断面図、
(b)は平面図である。このピンフィン7は、パッケー
ジ18のヒートスプレッダ19の上面に伝熱性の接着層
22で接合されている。ヒートスプレッダ19は、チッ
プ2からの熱をピンフィン7に伝えるのが役割であり、
熱伝導性に優れた銅あるいは銅合金などで製作され、額
縁状のエポキシ樹脂板20に接合されている。エポキシ
樹脂板20の内部に収納されたチップ2は、エポキシ樹
脂板20に接合された額縁状エポキシ樹脂板21の下面
の外部端子であるハンダボール4と、ボンディングワイ
ヤ5および導電回路(図示せず)を介して電気的に接続
され、注入エポキシ樹脂23で封着されている。チップ
2とヒートスプレッダ19の下面の間にはグリース状の
サーマルコンパウンド24が挟まれている。
GAパッケージ18の例を示し、(a)は断面図、
(b)は平面図である。このピンフィン7は、パッケー
ジ18のヒートスプレッダ19の上面に伝熱性の接着層
22で接合されている。ヒートスプレッダ19は、チッ
プ2からの熱をピンフィン7に伝えるのが役割であり、
熱伝導性に優れた銅あるいは銅合金などで製作され、額
縁状のエポキシ樹脂板20に接合されている。エポキシ
樹脂板20の内部に収納されたチップ2は、エポキシ樹
脂板20に接合された額縁状エポキシ樹脂板21の下面
の外部端子であるハンダボール4と、ボンディングワイ
ヤ5および導電回路(図示せず)を介して電気的に接続
され、注入エポキシ樹脂23で封着されている。チップ
2とヒートスプレッダ19の下面の間にはグリース状の
サーマルコンパウンド24が挟まれている。
【0012】サーマルコンパウンド24を用いるのは、
チップ2をヒートスプレッダ19に接着材で強固に接合
すると、シリコン製のチップ2の線膨張係数(2〜3×10
-6/K)と銅あるいは銅合金製のヒートスプレッダ19の
線膨張係数(約17×10-6/K)の差があまりに大きく、熱
応力によってチップ2が破壊されてしまうからである。
すなわち、サーマルコンパウンド24には、線膨張差を
吸収する緩衝材としての役割がある。もちろん、金属製
のヒートスプレッダ19とチップ2を電気的に絶縁する
役割もある。なお、ヒートスプレッダ19を銅を含浸さ
せたタングステン製にすれば、線膨張係数(約 5×10-6
/k)がシリコンに近づき、熱伝導性も確保できるので、
チップをヒートスプレッダに直接的に接合できることが
知られている。 しかしながら、タングステンの比重
(約19)が極めて大きく、パッケージの重量がかさんで
しまうので、電子機器の軽量化の趨勢に適合し得ない。
また、タングステンの加工が難しく、経済的に製造でき
ないことも大きな障害である。 ヒートシンク放熱フィ
ンをチップに直接的に接着固定できれば、BGAパッケ
ージを構成する部品点数が大幅に減少し、かつ小型で高
性能の放熱フィンが実現できる。
チップ2をヒートスプレッダ19に接着材で強固に接合
すると、シリコン製のチップ2の線膨張係数(2〜3×10
-6/K)と銅あるいは銅合金製のヒートスプレッダ19の
線膨張係数(約17×10-6/K)の差があまりに大きく、熱
応力によってチップ2が破壊されてしまうからである。
すなわち、サーマルコンパウンド24には、線膨張差を
吸収する緩衝材としての役割がある。もちろん、金属製
のヒートスプレッダ19とチップ2を電気的に絶縁する
役割もある。なお、ヒートスプレッダ19を銅を含浸さ
せたタングステン製にすれば、線膨張係数(約 5×10-6
/k)がシリコンに近づき、熱伝導性も確保できるので、
チップをヒートスプレッダに直接的に接合できることが
知られている。 しかしながら、タングステンの比重
(約19)が極めて大きく、パッケージの重量がかさんで
しまうので、電子機器の軽量化の趨勢に適合し得ない。
また、タングステンの加工が難しく、経済的に製造でき
ないことも大きな障害である。 ヒートシンク放熱フィ
ンをチップに直接的に接着固定できれば、BGAパッケ
ージを構成する部品点数が大幅に減少し、かつ小型で高
性能の放熱フィンが実現できる。
【0013】図10は、Ball Grid Array Technology(M
cGraw-Hill,Inc.) 198頁に記載されているところの放熱
フィン50を直接取り付けたBGAパッケージ25の概
念図を示す。(a)は断面図、(b)は平面図である。
cGraw-Hill,Inc.) 198頁に記載されているところの放熱
フィン50を直接取り付けたBGAパッケージ25の概
念図を示す。(a)は断面図、(b)は平面図である。
【0014】パッケージ25に収納されたチップ2´の
周縁部は注入エポキシ樹脂27で封着されているが、上
面は露出しており、その面に接着層28で放熱フィン5
0が接合されている。チップ2´の下面にはPb、Sn
やAuの多数のバンプ29が設けられている。
周縁部は注入エポキシ樹脂27で封着されているが、上
面は露出しており、その面に接着層28で放熱フィン5
0が接合されている。チップ2´の下面にはPb、Sn
やAuの多数のバンプ29が設けられている。
【0015】図8、図9の場合とは逆に、チップの回路
がボンディングされる側の面に設けられているので、フ
リップチップとも呼ばれる。バンプ29は、エポキシ樹
脂板26の上面の接続端子(図示せず)にボンディング
される。ワイヤレスボンディングされるので、伝送時間
の短縮やボンデイング 時間の短縮が可能である。これら
接続端子と樹脂板26の下面のハンダボール4とは電気
的に導通している。チップ2の下面全体を利用してボン
ディングが行われ、しかも樹脂板26の下面全体にハン
ダボール4を配置できるので、パッケージ25の外形寸
法は図8のパッケージ10、図9のパッケージ18より
も小さくすることが可能で、チップサイズパッケージと
も呼ばれる。
がボンディングされる側の面に設けられているので、フ
リップチップとも呼ばれる。バンプ29は、エポキシ樹
脂板26の上面の接続端子(図示せず)にボンディング
される。ワイヤレスボンディングされるので、伝送時間
の短縮やボンデイング 時間の短縮が可能である。これら
接続端子と樹脂板26の下面のハンダボール4とは電気
的に導通している。チップ2の下面全体を利用してボン
ディングが行われ、しかも樹脂板26の下面全体にハン
ダボール4を配置できるので、パッケージ25の外形寸
法は図8のパッケージ10、図9のパッケージ18より
も小さくすることが可能で、チップサイズパッケージと
も呼ばれる。
【0016】しかし、図10に示されている放熱フィン
付きBGAパッケージは、従来知られているアルミニウ
ム製あるいは銅製の放熱フィンを用いては実現すること
はできない。すなわち、シリコン製のチップ2´の線熱
膨張係数と放熱フィン50の線熱膨張係数との差が大き
く、使用中に熱応力によってチップが破壊されてしま
う。放熱フィン50を線膨張係数がシリコンと同等の前
記した銅含浸タングステンで作製されたチップ2´を接
合することは可能であるが加工が難しいために放熱性能
が優れた形状の放熱フィン50を経済的に製造すること
ができない。また、何よりもその重量が大きいので、チ
ップ2´に負荷がかかるという問題もある。したがっ
て、このようなチップに直接放熱フィンを装着させたB
GAパッケージは実用化されていないのが現状である。
付きBGAパッケージは、従来知られているアルミニウ
ム製あるいは銅製の放熱フィンを用いては実現すること
はできない。すなわち、シリコン製のチップ2´の線熱
膨張係数と放熱フィン50の線熱膨張係数との差が大き
く、使用中に熱応力によってチップが破壊されてしま
う。放熱フィン50を線膨張係数がシリコンと同等の前
記した銅含浸タングステンで作製されたチップ2´を接
合することは可能であるが加工が難しいために放熱性能
が優れた形状の放熱フィン50を経済的に製造すること
ができない。また、何よりもその重量が大きいので、チ
ップ2´に負荷がかかるという問題もある。したがっ
て、このようなチップに直接放熱フィンを装着させたB
GAパッケージは実用化されていないのが現状である。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の放熱フィンが装着されたパッケージにおいては、熱を
発生するチップと放熱フィンは直接的には接合されてい
ない。すなわち、図8のパッケージ10では樹脂板11
と接着層16、14が、また、図9のパッケージ18で
はサーマルコンパウンド24とヒートスプレッダ19と
接着層22が介在している。図8に示すパッケージ10
においては、樹脂板11に半田などを埋めたサーマルビ
ア15が伝熱のために設けられてはいるが、その断面積
が制約されるので、伝熱面積を大きくとることができな
い。さらに、二重に接着層が設けられているので、その
伝熱抵抗も問題である。
の放熱フィンが装着されたパッケージにおいては、熱を
発生するチップと放熱フィンは直接的には接合されてい
ない。すなわち、図8のパッケージ10では樹脂板11
と接着層16、14が、また、図9のパッケージ18で
はサーマルコンパウンド24とヒートスプレッダ19と
接着層22が介在している。図8に示すパッケージ10
においては、樹脂板11に半田などを埋めたサーマルビ
ア15が伝熱のために設けられてはいるが、その断面積
が制約されるので、伝熱面積を大きくとることができな
い。さらに、二重に接着層が設けられているので、その
伝熱抵抗も問題である。
【0018】図9に示したパッケージ18においては、
銅あるいは銅合金製のヒートスプレッダ19の伝熱性は
良好であり、チップ2からの伝熱面積を大きくとれるの
で、図8のパッケージ10よりも有利である。しかしな
がら、線膨張差の緩衝を第一義的な目的としたサーマル
コンパウンド24は少なくとも0.2〜0.3mmの厚
さを必要とするので、その伝熱抵抗がある程度大きくな
ることはやむを得ない。また、サーマルコンパウンド1
5自体には強固な接合力が期待できないので、長期にわ
たって伝熱性を安定して保持するという信頼性の点でも
問題がある。以上のごとく、従来の放熱フィンが装着さ
れたパッケージにおいては、チップと放熱フィンの間に
種々のものが介在して伝熱が行われるため、放熱フィン
の冷却性能が十分には発揮し得ないという欠点があっ
た。
銅あるいは銅合金製のヒートスプレッダ19の伝熱性は
良好であり、チップ2からの伝熱面積を大きくとれるの
で、図8のパッケージ10よりも有利である。しかしな
がら、線膨張差の緩衝を第一義的な目的としたサーマル
コンパウンド24は少なくとも0.2〜0.3mmの厚
さを必要とするので、その伝熱抵抗がある程度大きくな
ることはやむを得ない。また、サーマルコンパウンド1
5自体には強固な接合力が期待できないので、長期にわ
たって伝熱性を安定して保持するという信頼性の点でも
問題がある。以上のごとく、従来の放熱フィンが装着さ
れたパッケージにおいては、チップと放熱フィンの間に
種々のものが介在して伝熱が行われるため、放熱フィン
の冷却性能が十分には発揮し得ないという欠点があっ
た。
【0019】また、図10に示したパッケージに直接装
着できる放熱フィンは、前記した理由により実用化され
ていない。
着できる放熱フィンは、前記した理由により実用化され
ていない。
【0020】本発明は、製造時の加工が容易で、かつ軽
量でチップに直接装着して使用することができるヒート
シンク放熱フィンを提供することを課題とする。
量でチップに直接装着して使用することができるヒート
シンク放熱フィンを提供することを課題とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】放熱フィンの底板がシリ
コンに近い線膨張係数を有し、加工が容易でかつ軽量の
放熱フィンが開発されれば、チップを薄厚(0.1mm
以下)の接着層で放熱フィンに直接接合することができ
るので、極めて効率的な冷却ができる。そればかりか、
放熱フィン付きBGAパッケージの構造を大幅に簡略化
することができ、かつ小型化することができる。
コンに近い線膨張係数を有し、加工が容易でかつ軽量の
放熱フィンが開発されれば、チップを薄厚(0.1mm
以下)の接着層で放熱フィンに直接接合することができ
るので、極めて効率的な冷却ができる。そればかりか、
放熱フィン付きBGAパッケージの構造を大幅に簡略化
することができ、かつ小型化することができる。
【0022】そこで、本発明者らは、そのようなヒート
シンク放熱フィンを開発すべく種々実験、検討した結
果、下記の知見を得た。
シンク放熱フィンを開発すべく種々実験、検討した結
果、下記の知見を得た。
【0023】1)放熱フィンの材質は、加工性、電熱性
および重量の観点からアルミニウムが最適であるが、線
熱膨張係数が大きいためアルミニウムからなる放熱フィ
ン直接チップに接着して使用することはできない。しか
し、放熱フィンの底板を線熱膨張係数の小さい金属とア
ルミニウムとのクラッド板にすることにより全体の線膨
張係数を小さくし、使用時に発生するチップの破壊を防
止することができる。また、アルミニウムとのクラッド
板とすることにより、放熱フィンの重量増加が少なくな
る。
および重量の観点からアルミニウムが最適であるが、線
熱膨張係数が大きいためアルミニウムからなる放熱フィ
ン直接チップに接着して使用することはできない。しか
し、放熱フィンの底板を線熱膨張係数の小さい金属とア
ルミニウムとのクラッド板にすることにより全体の線膨
張係数を小さくし、使用時に発生するチップの破壊を防
止することができる。また、アルミニウムとのクラッド
板とすることにより、放熱フィンの重量増加が少なくな
る。
【0024】2)チップと放熱フィンとを確実に電気絶
縁するために、放熱フィンの底板の下面部はアルミニウ
ム層にする必要がある。
縁するために、放熱フィンの底板の下面部はアルミニウ
ム層にする必要がある。
【0025】本発明はこのような知見に基づいてなされ
たものであり、その要旨は、「平板状の底板部と、その
片面に設けられた放熱部とを有するヒートシンク放熱フ
ィンであって、放熱部がアルミニウムからなり、平板状
の底板部はアルミニウム層と低線膨張係数の金属層とを
備えたクラッド板であり、少なくとも底板部の下面部が
アルミニウム層になっていることを特徴とするヒートシ
ンク放熱フィン」ここで、アルミニウムとは純アルミニ
ウムとアルミニウム合金の両者を示すものとする。ま
た、底板部の下面部の下面とは放熱部材が設けられてい
る面と反対の面を示し、下面部とは下面を含む下面近傍
を示すものとする。
たものであり、その要旨は、「平板状の底板部と、その
片面に設けられた放熱部とを有するヒートシンク放熱フ
ィンであって、放熱部がアルミニウムからなり、平板状
の底板部はアルミニウム層と低線膨張係数の金属層とを
備えたクラッド板であり、少なくとも底板部の下面部が
アルミニウム層になっていることを特徴とするヒートシ
ンク放熱フィン」ここで、アルミニウムとは純アルミニ
ウムとアルミニウム合金の両者を示すものとする。ま
た、底板部の下面部の下面とは放熱部材が設けられてい
る面と反対の面を示し、下面部とは下面を含む下面近傍
を示すものとする。
【0026】さらに、少なくとも底板部の下面部がアル
ミニウム層になっているとは、底板部の下面部は必ずア
ルミニウム層にし、必要により底板部の放熱側の面を含
むその近傍(以下底板の上面部と記す)をもアルミニウ
ム層にすることを意味する。本発明者らは、チップを放
熱フィンに直接接合するためには、熱応力によってチッ
プが破壊されるのを防止するため、放熱フィンの底板の
線膨張係数をシリコンの線膨張係数に近づけることに着
目した。
ミニウム層になっているとは、底板部の下面部は必ずア
ルミニウム層にし、必要により底板部の放熱側の面を含
むその近傍(以下底板の上面部と記す)をもアルミニウ
ム層にすることを意味する。本発明者らは、チップを放
熱フィンに直接接合するためには、熱応力によってチッ
プが破壊されるのを防止するため、放熱フィンの底板の
線膨張係数をシリコンの線膨張係数に近づけることに着
目した。
【0027】先に示したようにシリコンの線膨張係数は
2〜3×10-6/Kである。一方、放熱フィンに用いら
れるアルミニウムあるいはアルミニウム合金の線膨張係
数はおよそ23×10-6/K、銅あるいは銅合金の線膨
張係数はおよそ17×10-6/Kであり、シリコンとの
線膨張係数の差はあまりにも大きい。そこで、10〜2
5mm角の各種サイズのチップを線膨張係数が異なる各
種の金属に接着固定し、室温から高集積度のチップが到
達すると想定される150℃程度までの温度範囲で熱膨
張試験を実施し、チップを破壊せしめない限界の線膨張
係数について実験を行った。
2〜3×10-6/Kである。一方、放熱フィンに用いら
れるアルミニウムあるいはアルミニウム合金の線膨張係
数はおよそ23×10-6/K、銅あるいは銅合金の線膨
張係数はおよそ17×10-6/Kであり、シリコンとの
線膨張係数の差はあまりにも大きい。そこで、10〜2
5mm角の各種サイズのチップを線膨張係数が異なる各
種の金属に接着固定し、室温から高集積度のチップが到
達すると想定される150℃程度までの温度範囲で熱膨
張試験を実施し、チップを破壊せしめない限界の線膨張
係数について実験を行った。
【0028】その結果、線膨張係数が9×10-6/K以
下であれば15mm角までのチップが破壊されず、ま
た、7×10-6/K以下であれば25mm角までのチッ
プが破壊されないことを見出した。次いで、放熱フィン
の底板を低線膨張係数とする共に軽量性を損なわない放
熱フィンの構造について幾多の試作実験を重ねた。
下であれば15mm角までのチップが破壊されず、ま
た、7×10-6/K以下であれば25mm角までのチッ
プが破壊されないことを見出した。次いで、放熱フィン
の底板を低線膨張係数とする共に軽量性を損なわない放
熱フィンの構造について幾多の試作実験を重ねた。
【0029】その結果、アルミニウムと線膨張係数が小
さい金属とをクラッド構造とすることにより目的とする
特性が得られるとの知見を得た。もちろん、銅あるいは
銅合金と線膨張係数が小さい材料との組み合わせでも可
能であるが、電子部品の軽量化の観点からはアルミニウ
ムとの組み合わせとした。
さい金属とをクラッド構造とすることにより目的とする
特性が得られるとの知見を得た。もちろん、銅あるいは
銅合金と線膨張係数が小さい材料との組み合わせでも可
能であるが、電子部品の軽量化の観点からはアルミニウ
ムとの組み合わせとした。
【0030】
【発明の実施の形態】以下、本発明のヒートシンク放熱
フィンにおいて規定した各条件について説明する。
フィンにおいて規定した各条件について説明する。
【0031】1)放熱部材にアルミニウムを用いる理由 アルミニウムは加工が容易であり、伝熱性に優れ、軽量
かつ経済的であり放熱フィンに好適な材料であるため、
放熱部材はアルミニウムとした。また、アルミニウムは
アルマイト処理によって優れた耐食性が得られると同時
に、黒あるいは白などの色調が得られるという利点があ
る。
かつ経済的であり放熱フィンに好適な材料であるため、
放熱部材はアルミニウムとした。また、アルミニウムは
アルマイト処理によって優れた耐食性が得られると同時
に、黒あるいは白などの色調が得られるという利点があ
る。
【0032】2)底板部をアルミニウム層と低線膨張係
数の金属層のクラッド板にする理由 放熱フィンの底板部部の下面部、必要により上面は下記
3)で述べる理由によりアルミニウム層としなければな
らない。しかし、アルミニウムは線膨張係数が大きいの
で、線膨張係数の小さい金属とクラッド板とすることに
より、底板部全体の線膨張係数をチップが熱応力で破壊
されない程度の大きさにするためである。
数の金属層のクラッド板にする理由 放熱フィンの底板部部の下面部、必要により上面は下記
3)で述べる理由によりアルミニウム層としなければな
らない。しかし、アルミニウムは線膨張係数が大きいの
で、線膨張係数の小さい金属とクラッド板とすることに
より、底板部全体の線膨張係数をチップが熱応力で破壊
されない程度の大きさにするためである。
【0033】低線膨張係数の金属とは、アルミニウムと
低線膨張係数の金属とのクラッド板の底板部にした場合
に、室温から150℃までにおけるその底板の線膨張係
数が9×10-6/K以下にすることのできる金属をい
い、好ましくは7×10-6/K以下にすることのできる
金属である。このような線熱膨張係数にしておけば実用
的には問題がない。
低線膨張係数の金属とのクラッド板の底板部にした場合
に、室温から150℃までにおけるその底板の線膨張係
数が9×10-6/K以下にすることのできる金属をい
い、好ましくは7×10-6/K以下にすることのできる
金属である。このような線熱膨張係数にしておけば実用
的には問題がない。
【0034】底板部の線膨張係数をチップの線膨張係数
に近づけるほど破壊の危険性はなくなることはいうまで
もない。
に近づけるほど破壊の危険性はなくなることはいうまで
もない。
【0035】なお、底板部全体の線膨張係数を上記のよ
うにするために、低線膨張係数の金属の線膨張係数をい
くらにすればよいかは、底板部に設けるアルミニウム層
の厚さにより異なるので、特に規定するものではない。
うにするために、低線膨張係数の金属の線膨張係数をい
くらにすればよいかは、底板部に設けるアルミニウム層
の厚さにより異なるので、特に規定するものではない。
【0036】底板部全体の線膨張係数を上記のようなレ
ベルにするためには、クラッド板を構成する低線膨張率
の金属の線膨張係数が、アルミニウムのそれよりも小さ
いことが必要であることはいうまでもない。低線膨張率
の金属の線膨張係数が小さければ小さいほど底板部の厚
さにしめるアルミニウム層の厚さ比率を大きくすること
ができるので、放熱フィンの全重量を小さくすることが
できる。
ベルにするためには、クラッド板を構成する低線膨張率
の金属の線膨張係数が、アルミニウムのそれよりも小さ
いことが必要であることはいうまでもない。低線膨張率
の金属の線膨張係数が小さければ小さいほど底板部の厚
さにしめるアルミニウム層の厚さ比率を大きくすること
ができるので、放熱フィンの全重量を小さくすることが
できる。
【0037】低線膨張係数の金属としては、35〜36
重量%のNiを含有する鉄合金がよく、36Ni−Fe
合金(インバー)の150℃までの平均線膨張係数はお
よそ1.2×10-6/K、36Ni−4Co−Fe合金
(スーパーインバー)の150℃までの平均線膨張係数
はおよそ0.6×10-6/Kである。
重量%のNiを含有する鉄合金がよく、36Ni−Fe
合金(インバー)の150℃までの平均線膨張係数はお
よそ1.2×10-6/K、36Ni−4Co−Fe合金
(スーパーインバー)の150℃までの平均線膨張係数
はおよそ0.6×10-6/Kである。
【0038】なお、従来の放熱フィンに対し、本発明の
放熱フィンは、放熱部とチップ間に低線膨張係数の金属
層が介在することになるが、熱伝導性は良いので、放熱
特性にはほとんど影響をおよぼさない。
放熱フィンは、放熱部とチップ間に低線膨張係数の金属
層が介在することになるが、熱伝導性は良いので、放熱
特性にはほとんど影響をおよぼさない。
【0039】3)底板部の下面部をアルミニウム層にす
る理由 底板部の下面部をアルミニウム層にするのは、アルマイ
ト処理によって耐食性を高めると同時に、チップと放熱
フィンの間の電気絶縁性を得るためである。
る理由 底板部の下面部をアルミニウム層にするのは、アルマイ
ト処理によって耐食性を高めると同時に、チップと放熱
フィンの間の電気絶縁性を得るためである。
【0040】また、アルミニウム製の放熱部の熱膨張に
よって、チップに有害な底板部の反りが大きくなること
を抑制する目的もある。
よって、チップに有害な底板部の反りが大きくなること
を抑制する目的もある。
【0041】4)必要により底板部の上面もアルミニウ
ム層にする理由 底板部の上面にアルミニウム層を設けるのは、アルマイ
ト処理による耐食性あるいは色調を付与するためであ
る。また、アルミニウム製の放熱部および底板部下面の
アルミニウム層の線膨張のバランスによっては底板部の
反りを抑制するという役割もある。耐食性あるいは色調
の付与のみが目的である場合には、底板の上面にはアル
ミニウム層は必ずしもなくてもよく、例えば塗装などに
よって行ってもよい。
ム層にする理由 底板部の上面にアルミニウム層を設けるのは、アルマイ
ト処理による耐食性あるいは色調を付与するためであ
る。また、アルミニウム製の放熱部および底板部下面の
アルミニウム層の線膨張のバランスによっては底板部の
反りを抑制するという役割もある。耐食性あるいは色調
の付与のみが目的である場合には、底板の上面にはアル
ミニウム層は必ずしもなくてもよく、例えば塗装などに
よって行ってもよい。
【0042】なお、アルミニウムからなる放熱部材を底
板にろう付けして放熱フィンとなす場合には、底板の上
面にもアルミニウム層を設けておくとろう付けが簡単で
ある。この場合には、底板の上面にアルミニウム合金ろ
うを設けておくか、放熱部材のろう付け面にアルミニウ
ムろうの層を有する片面ブレージングシートにしておけ
ばよい。
板にろう付けして放熱フィンとなす場合には、底板の上
面にもアルミニウム層を設けておくとろう付けが簡単で
ある。この場合には、底板の上面にアルミニウム合金ろ
うを設けておくか、放熱部材のろう付け面にアルミニウ
ムろうの層を有する片面ブレージングシートにしておけ
ばよい。
【0043】底板の周縁に露出する低膨張金属の部位の
色調を他に合わせる必要がある場合には、塗装処理など
の手段を講ずればよい。
色調を他に合わせる必要がある場合には、塗装処理など
の手段を講ずればよい。
【0044】本発明の放熱フィンにおける放熱部は、ピ
ンフィン、チャンネルフィンおよびコルゲートフィン等
どのような形状であってもよい。特にコルゲートフィン
は軽量であるので好ましい。
ンフィン、チャンネルフィンおよびコルゲートフィン等
どのような形状であってもよい。特にコルゲートフィン
は軽量であるので好ましい。
【0045】また、底板のクラッド板の製造方法は、ア
ルミニウムと低線膨張金属とを重ね合わせて熱間または
温間にて圧延する方法が好ましい。このようにして製造
することにより両金属の界面で金属拡散が生じ、強固に
金属接合されるからである。以下、本発明の放熱フィン
の具体例について説明する。
ルミニウムと低線膨張金属とを重ね合わせて熱間または
温間にて圧延する方法が好ましい。このようにして製造
することにより両金属の界面で金属拡散が生じ、強固に
金属接合されるからである。以下、本発明の放熱フィン
の具体例について説明する。
【0046】図1は、本発明の放熱フィンの一例を示
し、放熱部にコルゲートフィンを用い、底板の上面およ
び下面部がアルミニウム層になっている放熱フィンで、
(a)は平面図、(b)は正面図および(c)は底板3
0の部分拡大図である。
し、放熱部にコルゲートフィンを用い、底板の上面およ
び下面部がアルミニウム層になっている放熱フィンで、
(a)は平面図、(b)は正面図および(c)は底板3
0の部分拡大図である。
【0047】放熱部は図7に示したコルゲートフィン9
と同じであり、波形放熱板9と底板30がろう付けで接
合されている。図1(c)に示すように底板30は、底
板の上下面部がアルミニウム層32、33からなり、こ
れらアルミニウム層により低膨張金属層31がサンドイ
ッチ状に挟まれた構成となっている。
と同じであり、波形放熱板9と底板30がろう付けで接
合されている。図1(c)に示すように底板30は、底
板の上下面部がアルミニウム層32、33からなり、こ
れらアルミニウム層により低膨張金属層31がサンドイ
ッチ状に挟まれた構成となっている。
【0048】底板の上下面部層32、33の厚さの合計
(td′+te′)と線膨張係数および低膨張金属層31
の厚さ tc′と線膨張係数によって、底板30の下面部
に平行な方向の線膨張係数が調整できる。
(td′+te′)と線膨張係数および低膨張金属層31
の厚さ tc′と線膨張係数によって、底板30の下面部
に平行な方向の線膨張係数が調整できる。
【0049】アルミニウム層32には波形放熱板9の底
部9aがろう付けされるので、この部分の線膨張によっ
て温度上昇時の底板30に有害な反りが発生しないよう
に、底板上下面部層32、33の厚さtd′、te′の比
を調整する。前述のように、上下面部層32、33は、
アルマイト処理によって底板30の表面に耐食性と電気
絶縁性を付与するのが目的である。また、上面層32に
はアルミニウムからなる波形放熱板9をろう付けする役
割もある。
部9aがろう付けされるので、この部分の線膨張によっ
て温度上昇時の底板30に有害な反りが発生しないよう
に、底板上下面部層32、33の厚さtd′、te′の比
を調整する。前述のように、上下面部層32、33は、
アルマイト処理によって底板30の表面に耐食性と電気
絶縁性を付与するのが目的である。また、上面層32に
はアルミニウムからなる波形放熱板9をろう付けする役
割もある。
【0050】なお、低膨張金属層31に直接波形放熱板
19をろう付けできる場合には上面層32は必ずしも必
要ではないが、アルマイト処理に替わる耐食処理が必要
となる場合もある。上面層(32をろう付けに利用する
場合には、これをアルミニウム合金ろうで製造しておけ
ば、波形放熱板9のろう付けを能率的に行うことができ
る。もちろん、前述のように波形放熱板9の接合する側
の面にアルミニウム合金ろうを設けておいてもよい。図
2は、本発明の放熱フィンの他の例で、放熱部にピンフ
ィンを用いた例である。同図(a)は平面図、(b)は
正面図および(c)は底板部34の部分拡大図である。
ピンフィンは、図6で示した従来のピンフィンと同じで
あり、アルミニウムからなる放熱ピン8が底板部34と
一体になっており規則的に林立している。
19をろう付けできる場合には上面層32は必ずしも必
要ではないが、アルマイト処理に替わる耐食処理が必要
となる場合もある。上面層(32をろう付けに利用する
場合には、これをアルミニウム合金ろうで製造しておけ
ば、波形放熱板9のろう付けを能率的に行うことができ
る。もちろん、前述のように波形放熱板9の接合する側
の面にアルミニウム合金ろうを設けておいてもよい。図
2は、本発明の放熱フィンの他の例で、放熱部にピンフ
ィンを用いた例である。同図(a)は平面図、(b)は
正面図および(c)は底板部34の部分拡大図である。
ピンフィンは、図6で示した従来のピンフィンと同じで
あり、アルミニウムからなる放熱ピン8が底板部34と
一体になっており規則的に林立している。
【0051】(c)に示すように底板34は、図1の放
熱フィンと同様に上下面部がアルミニウム層36、37
が設けられている。
熱フィンと同様に上下面部がアルミニウム層36、37
が設けられている。
【0052】チップからの熱による放熱フィンの温度上
昇は底板部で大きく、放熱部では根本から先端に向かっ
て温度は低下していく。そのため、放熱部の底板部の線
膨張におよぼす影響は小さく、底板部の線膨張係数は底
板部を構成する各金属の厚さと線膨張係数によってほぼ
決まると考えてよい。すなわち、図2(c)では、底板
部の上下面部層36、37の厚さの合計(td+te)と
線膨張係数、低膨張材金属35の厚さtc と線膨張係数
によって底板部34の下面部に平行な方向の線膨張係数
が調整できる。
昇は底板部で大きく、放熱部では根本から先端に向かっ
て温度は低下していく。そのため、放熱部の底板部の線
膨張におよぼす影響は小さく、底板部の線膨張係数は底
板部を構成する各金属の厚さと線膨張係数によってほぼ
決まると考えてよい。すなわち、図2(c)では、底板
部の上下面部層36、37の厚さの合計(td+te)と
線膨張係数、低膨張材金属35の厚さtc と線膨張係数
によって底板部34の下面部に平行な方向の線膨張係数
が調整できる。
【0053】なお、td、teの大小関係は、温度上昇時
に底板部にチップを破壊するような反り変形が生じない
ように調整される。底板部の反り変形に放熱部が影響し
ない場合にはtd=teでよい。
に底板部にチップを破壊するような反り変形が生じない
ように調整される。底板部の反り変形に放熱部が影響し
ない場合にはtd=teでよい。
【0054】図3は、本発明の放熱フィンを製造する一
方法を説明するための図である。ピンフィンの高さに相
当する厚さtaのアルミニウム38と低膨張金属39と
アルミニウムの三層からなるクラッド材を製造し、アル
ミニウム38を切削加工によりピン状や板状の放熱部を
形成することにより放熱フィンを製造することができ
る。
方法を説明するための図である。ピンフィンの高さに相
当する厚さtaのアルミニウム38と低膨張金属39と
アルミニウムの三層からなるクラッド材を製造し、アル
ミニウム38を切削加工によりピン状や板状の放熱部を
形成することにより放熱フィンを製造することができ
る。
【0055】
【実施例】 (実施例1)図3は、本実施例に用いた放熱部がピンか
らなる放熱フィンの素材であるクラッド板を示す図であ
る。
らなる放熱フィンの素材であるクラッド板を示す図であ
る。
【0056】図3に示すように、この素材は上層、中間
層および下層の三層からなるクラッド板で、上層38お
よび下層40がJISH4000規定の3003アルミニウム合金、
中間層39がスーパーインバー合金(36Ni−4Co
−Fe)からなる。各層の厚さは以下の通りである。
層および下層の三層からなるクラッド板で、上層38お
よび下層40がJISH4000規定の3003アルミニウム合金、
中間層39がスーパーインバー合金(36Ni−4Co
−Fe)からなる。各層の厚さは以下の通りである。
【0057】 上層(アルミニユウム合金) :ta=19.15mm 中間層(スーハ゜インハ゛ー合金) :tc= 0.7mm 下層(アルミニユウム合金) :te= 0.15mm 全高さ :H=20mm この素材から切削加工により、図2に示す放熱部が横断
面正方形の全高さH=20mmの放熱フィンを製作し、つい
でアルマイト処理を施した。この放熱フィンの寸法は以
下の通りであった。
面正方形の全高さH=20mmの放熱フィンを製作し、つい
でアルマイト処理を施した。この放熱フィンの寸法は以
下の通りであった。
【0058】放熱ピン(合計121本) 太さ :d1=2mm、d2=2mm、 高さ :h=19mm ピンの間隙:g1=3mm、g2=3mm底板部 上面層厚さ(アルミニユウム合金) :td=0.15mm 中間層厚さ(スーハ゜インハ゛ー合金):tc=0.7mm 下面部層厚さ(アルミニユウム合金) :te=0.15mm 平面寸法 :W1=42mm、W2=42mm この放熱フィンの底板部部34を電熱ヒータで150℃
まで加熱し、底板部下面に平行な方向の線膨張率を求め
たところ4.8×10-6/Kであった。
まで加熱し、底板部下面に平行な方向の線膨張率を求め
たところ4.8×10-6/Kであった。
【0059】次いで、この放熱フィンの底板部34の下
面に25mm角、厚さ0.5mmのシリコンチップを接
着し、チップに対して電熱ヒータによる150℃までの
加熱と強制空冷による20℃までの冷却を50回繰り返
した。
面に25mm角、厚さ0.5mmのシリコンチップを接
着し、チップに対して電熱ヒータによる150℃までの
加熱と強制空冷による20℃までの冷却を50回繰り返
した。
【0060】その後のチップには、亀裂は全く観察され
なかった。
なかった。
【0061】なお、この放熱フィンの重量は36.4g
で、放熱フィン全体を3003アルニウム合金で製作した場
合(重量29.6g)より約7gの増加にとどまった。 (実施例2)厚さt=0.3mmの3003アルミニウム合金薄板
を用い、図1に示すコルゲートフィン9を製作した。た
だし、山の数は9つとした。フィンの寸法は下記の通り
であった。
で、放熱フィン全体を3003アルニウム合金で製作した場
合(重量29.6g)より約7gの増加にとどまった。 (実施例2)厚さt=0.3mmの3003アルミニウム合金薄板
を用い、図1に示すコルゲートフィン9を製作した。た
だし、山の数は9つとした。フィンの寸法は下記の通り
であった。
【0062】 ピッチ:p=4.2mm 間隙 :g=1.8mm 高さ :h=8.3mm 厚さ :t=0.3mm 底板部として、厚さtc=1.0mmのインバー合金(36N
i−Fe)層と厚さte´=0.3mmの3003アルミニウム合
金層とtd´=0.1mmのJISZ3263規定のアルミニウム合金
ろう層を備えたクラッド板を容易し、全厚T=1.4mmの底
板に温度580℃で上記コルゲートフィンを真空ろう付け
した。
i−Fe)層と厚さte´=0.3mmの3003アルミニウム合
金層とtd´=0.1mmのJISZ3263規定のアルミニウム合金
ろう層を備えたクラッド板を容易し、全厚T=1.4mmの底
板に温度580℃で上記コルゲートフィンを真空ろう付け
した。
【0063】このようにして、平面寸法W1=40mm、W2=
40mm、全高H=9.7mmのコルゲートフィンを備えた放熱フ
ィンを製作し、アルマイト処理を施した。
40mm、全高H=9.7mmのコルゲートフィンを備えた放熱フ
ィンを製作し、アルマイト処理を施した。
【0064】この放熱フィンの底板を電熱ヒータで15
0℃まで加熱し、底板部下面に平行な方向の線膨張率を
求めたところ4.1×10-6/Kであった。
0℃まで加熱し、底板部下面に平行な方向の線膨張率を
求めたところ4.1×10-6/Kであった。
【0065】次いで、この放熱フィンの底板部に、25
mm角、厚さ0.5mmのシリコンチップを接着し、チ
ップに対して電熱ヒータによる150℃までの加熱と強
制空冷による20℃までの冷却を50回繰り返した。
mm角、厚さ0.5mmのシリコンチップを接着し、チ
ップに対して電熱ヒータによる150℃までの加熱と強
制空冷による20℃までの冷却を50回繰り返した。
【0066】その後のチップには亀裂は全く観察されな
かった。
かった。
【0067】なお、この放熱フィンの重量は15.1g
で、全体を3003アルニウム合金で製作した場合(重量
6.2g)より約9gの増加にとどまった。
で、全体を3003アルニウム合金で製作した場合(重量
6.2g)より約9gの増加にとどまった。
【0068】
【発明の効果】本発明のアルミニウムと低線膨張金属を
組み合わせたクラッド板を底板部とした放熱フィンは、
底板部とチップの線膨張率の違いによる使用中のチップ
の破壊が発生しないのでシリコンチップに直接接着する
ことができ、放熱性に優れている。 また、チップ面を
パッケージから露出させ、そこに放熱フィンを直接接着
することが可能となるので、パッケージを簡単な構造で
かつ小型化することができる。放熱部が塑性加工あるい
は切削加工が容易でかつ軽量なアルミニウムであるの
で、放熱性能に優れた形状を自由に設定することができ
る。さらに、チップからの熱が効率的に放熱フィンに伝
えられるので、放熱フィンの冷却性能を十分に発揮させ
ることができる。その結果として、放熱フィン自体を小
型化することもできる。チップの集積度の向上とそれに
ともなう発熱量の増加の中で、電子機器は今後ますます
小型化、軽量化していかざるを得ない。このようなニー
ズに対して、本発明の放熱フィンは大いなる効果を奏す
るものである。
組み合わせたクラッド板を底板部とした放熱フィンは、
底板部とチップの線膨張率の違いによる使用中のチップ
の破壊が発生しないのでシリコンチップに直接接着する
ことができ、放熱性に優れている。 また、チップ面を
パッケージから露出させ、そこに放熱フィンを直接接着
することが可能となるので、パッケージを簡単な構造で
かつ小型化することができる。放熱部が塑性加工あるい
は切削加工が容易でかつ軽量なアルミニウムであるの
で、放熱性能に優れた形状を自由に設定することができ
る。さらに、チップからの熱が効率的に放熱フィンに伝
えられるので、放熱フィンの冷却性能を十分に発揮させ
ることができる。その結果として、放熱フィン自体を小
型化することもできる。チップの集積度の向上とそれに
ともなう発熱量の増加の中で、電子機器は今後ますます
小型化、軽量化していかざるを得ない。このようなニー
ズに対して、本発明の放熱フィンは大いなる効果を奏す
るものである。
【図1】本発明の放熱フィンの一例を示す説明図であ
る。
る。
【図2】本発明の他の例を示す説明図である。
【図3】放熱フィンを製造する素材の説明図である。
【図4】従来の放熱フィンを使用しないプラスチック製
BGAパッケージの図である。
BGAパッケージの図である。
【図5】従来のチャンネル型放熱フィンの図である。
【図6】従来のピン型放熱フィンの図である。
【図7】コルゲート型放熱フィンの図
【図8】プラスチック製BGAパッケージに従来の放熱
フィンを取付けた図である。
フィンを取付けた図である。
【図9】プラスチック製BGAに従来の放熱フィンを取
付けた他の例を示す図である。
付けた他の例を示す図である。
【図10】ヒートシンク放熱フィンをパッケージに直接
取り付けたBGAパッケージの概念図を示す図である。
取り付けたBGAパッケージの概念図を示す図である。
1、11、12、13、17、20、21、 エポキシ樹脂板 2 チップ 4 半田ボール 5 ボンディングワイヤ 6 放熱板 7 底板部 8 放熱ピン 9 コルゲートフィン 14、16、22、28 接着層 15 サーマルピア 19 ヒートスプレッダ 24 サーマルコンパウンド 25 パッケージ
Claims (1)
- 【請求項1】平板状の底板部と、その片面に設けられた
放熱部とを有するヒートシンク放熱フィンであって、放
熱部がアルミニウムからなり、平板状の底板部はアルミ
ニウム層と低線膨張係数の金属層とを備えたクラッド板
であり、少なくとも底板部の下面部がアルミニウム層に
なっていることを特徴とするヒートシンク放熱フィン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276117A JPH10125831A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | ヒートシンク放熱フィン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276117A JPH10125831A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | ヒートシンク放熱フィン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125831A true JPH10125831A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17565039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8276117A Pending JPH10125831A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | ヒートシンク放熱フィン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125831A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002039167A1 (en) * | 2000-11-02 | 2002-05-16 | Ntt Advanced Technology Corporation | Optical active connector plug for lan and connector port |
| EP1227349A3 (en) * | 2001-01-18 | 2004-06-23 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Optical connector and shield connector therefor |
| JP2013062506A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Infineon Technologies Ag | クラッド型ベースプレートを含む半導体装置 |
| JP2013077634A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Kaneka Corp | 放熱構造を有する電子機器 |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP8276117A patent/JPH10125831A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002039167A1 (en) * | 2000-11-02 | 2002-05-16 | Ntt Advanced Technology Corporation | Optical active connector plug for lan and connector port |
| US6758693B2 (en) | 2000-11-02 | 2004-07-06 | Ntt Advanced Technology Corporation | Optical active connector plug for LAN and its connector port |
| EP1227349A3 (en) * | 2001-01-18 | 2004-06-23 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Optical connector and shield connector therefor |
| JP2013062506A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Infineon Technologies Ag | クラッド型ベースプレートを含む半導体装置 |
| JP2013077634A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Kaneka Corp | 放熱構造を有する電子機器 |
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