JPH10125844A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダムをキャビティー外周に近接しつつ最大幅
の標準値を維持する。 【解決手段】 ＳＯＪ・ＩＣ１９において、各アウタリ
ード８の両端辺における樹脂封止体１７の近傍に小幅部
９が形成され、小幅部９内にダム切断痕１０ｂが形成さ
れており、各アウタリード８がこのダム切断痕１０ｂ内
にて屈曲されている。小幅部９の幅寸法はアウタリード
８の標準値未満に設定されている。 【効果】 ダムを樹脂封止体に近接させることにより、
アウタリード間とダムと樹脂封止体との隙間に形成され
る厚いバリを微小化できるため、厚いバリが樹脂封止体
から脱落するのを防止できる。ダム切断痕１０ｂの部位
が屈曲されて生ずる塑性変形突起１０ｃが小幅部内に収
まるため、塑性変形突起１０ｃがアウタリードの標準寸
法を越えて外側に突出するのを防止でき、ダム切断痕１
０ｂを屈曲するにもかかわらずアウタリードの最大幅の
標準値を維持できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、アウタリードの成形技術およびダムの切断
技術に関し、例えば、アウトライン形アウタリードまた
はインライン形アウタリードを有する樹脂封止形パッケ
ージを備えている半導体集積回路装置（以下、ＩＣとい
う。）に利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、アウトライン形アウタリードま
たはインライン形アウタリードを有する樹脂封止形パッ
ケージを備えているＩＣの製造方法においては、半導体
ペレット（以下、ペレットという。）等を樹脂封止する
樹脂封止体がトランスファ成形装置によって成形されて
いる。すなわち、ペレットが機械的かつ電気的に接続さ
れたリードフレームがトランスファ成形装置の上型と下
型との合わせ面間に挟み込まれた状態で、合わせ面に形
成されたキャビティーに液状の樹脂（以下、レジンとい
う。）がポットからランナおよびゲートを通じて送給さ
れて樹脂封止体が成形される。この樹脂封止体の成形に
際してキャビティーに充填されたレジンが隣合うアウタ
リード間から流出するのをせき止めるために、隣合うア
ウタリード間にはダムが架設されている。

【０００３】このようにしてキャビティーから隣合うア
ウタリード間に流出したレジンはダムによってそれ以上
の流出はせき止められる。しかし、ダムにせき止められ
たレジンはダムと隣合うアウタリード間とキャビティー
の外縁とによって囲まれた空間内に溜まって所謂厚いバ
リを形成する。この厚いバリはパッケージの外観を損な
うばかりでなく不慮に脱落する危惧があるため、製品出
荷に際しては除去されるのが通例である。そこで、この
厚いバリの発生を防止する方法として、ダムをキャビテ
ィーの外縁に近接して配置する方法が、提案されてい
る。

【０００４】なお、樹脂封止形パッケージのバリ取り工
程を述べてある例としては、株式会社日経ＢＰ社１９９
３年５月３１日発行の「ＶＬＳＩパッケージング技術
（下）」Ｐ４１〜Ｐ４３、がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダムを
キャビティーの外縁に近接して配置することにより厚い
バリの発生を防止する方法においては、アウタリードか
らダムが切り落とされた後にアウタリードが屈曲される
際に、屈曲部位がアウタリードにおけるダム切断痕内に
丁度位置することにより、屈曲に伴う塑性変形突起がア
ウタリードの幅寸法よりも外側に大きく突出した状態に
なるため、規格によって定められた標準寸法を維持する
ことができないという問題点があることが、本発明者に
よって明らかにされた。

【０００６】本発明の目的は、ダムをキャビティーの外
縁に近接して配置しても標準寸法を維持することができ
る半導体装置の製造技術を提供することにある。

【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００９】すなわち、半導体装置の製造方法は次の工
程を備えている。 （ａ） 小幅部が両端辺のインナリードとの境界近傍に
形成されているとともに、この小幅部内にダムが形成さ
れている各アウタリードを有するリードフレームが準備
されるリードフレーム準備工程。 （ｂ） 前記リードフレームに半導体ペレットが機械的
かつ電気的に接続される接続工程。 （ｃ） 前記半導体ペレットが機械的かつ電気的に接続
されたリードフレームに前記ダムに外周が近接する樹脂
封止体が成形される樹脂封止体成形工程。 （ｄ） 前記樹脂封止体が成形されたリードフレームの
前記各ダムが切り落とされるダム切断工程。 （ｅ） 前記ダムが切り落とされた前記各アウタリード
がダム切断痕内にて屈曲されるアウタリード成形工程。

【００１０】前記した手段によれば、樹脂封止体の成形
に際してダムがキャビティーの外縁に近接して配置され
た状態になるため、樹脂成形後の樹脂封止体において厚
いバリは出っ張り寸法が抑制された状態になる。したが
って、厚いバリが樹脂封止体に一体化するため樹脂封止
から不慮に脱落する危惧はない。

【００１１】他方、ダムの切断後のアウタリードの屈曲
成形に際して、ダム切断痕の部位が屈曲されることによ
り、塑性変形突起がダム切断痕の部位で突出したとして
も、ダムの切断痕は小幅部内に配置されているため、塑
性変形突起がアウタリードの標準寸法を越えて外側に突
出することはない。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
半導体装置を示しており、（ａ）は一部切断正面図、
（ｂ）は側面図、（ｃ）は拡大部分斜視図である。図２
以降は本発明の一実施形態である半導体装置の製造方法
の各工程を示す各説明図である。

【００１３】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置の製造方法は、アウトライン形アウタリードを有す
る樹脂封止形パッケージを備えているＩＣの一例である
樹脂封止形のスモール・アウトライン・Ｊ−リーリッド
・パッケージを備えているＩＣ（以下、ＳＯＪ・ＩＣと
いう。）を製造するのに使用されている。以下、本発明
の一実施形態であるＳＯＪ・ＩＣの製造方法を説明す
る。この説明により、本発明の一実施形態であるＳＯＪ
・ＩＣについての構成の詳細が共に明らかにされる。

【００１４】本実施形態において、本発明に係るＳＯＪ
・ＩＣの製造方法には、図２に示されている多連リード
フレーム１が使用されている。この多連リードフレーム
１は銅系（銅またはその合金）材料または鉄系（鉄また
はその合金）からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレ
ス加工またはエッチング加工等の適当な手段により一体
成形されている。

【００１５】多連リードフレーム１には複数の単位リー
ドフレーム２が横方向に１列に並設されている。但し、
便宜上、一単位のみが説明および図示されている。単位
リードフレーム２は位置決め孔３ａが開設されている外
枠３を一対備えており、両外枠３、３は所定の間隔で平
行になるように配されて一連にそれぞれ延設されてい
る。隣り合う単位リードフレーム２、２間には一対のセ
クション枠４が、両外枠３、３間に互いに平行に配され
て一体的に架設されており、これら外枠３、３、セクシ
ョン枠４、４によって形成された略長方形の枠体（フレ
ーム）内に単位リードフレーム２が構成されている。

【００１６】単位リードフレーム２において、両外枠
３、３の中央部には各タブ吊りリード５がそれぞれ直角
方向内向きに一体的に突設されており、各タブ吊りリー
ド５の先端には四角形の平板形状に形成されたタブ６
が、枠体の枠形状と略同心的に配されて一体的に吊持さ
れている。ちなみに、タブ６は後記するインナリード群
を含む平面よりも半導体ペレットの厚み分程裏面方向に
下げられている。所謂タブ下げである。

【００１７】各セクション枠４には複数本のアウタリー
ド８が長手方向に等間隔に配されて、互いに平行でセク
ション枠４と直交するように一体的に突設されており、
各アウタリード８の先端には各インナリード７がそれぞ
れ一連に連結されている。各インナリード７の先端部は
タブ６に近接されてこれを取り囲むように配置されてい
る。アウタリード８のインナリード７との境界には小幅
部９が形成されており、この小幅部９の幅寸法は端子幅
（アウタリード幅）の最も大きい寸法（ダムの切断残り
は含まない）の標準寸法未満に設定されている。隣合う
アウタリード８、８間には後述する樹脂封止体の成形時
にレジンの流れをせき止めるためのダム１０が隣合うア
ウタリード８、８間を横断するように架設されており、
ダム１０は小幅部９の内部に配置されている。

【００１８】以上のように構成されて準備された多連リ
ードフレーム１には、各単位リードフレーム２毎にペレ
ット・ボンディング作業、続いて、ワイヤ・ボンディン
グ作業が実施され、これら作業により、図３に示されて
いるような組立体が製造されることになる。これらのボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム２毎に順
次実施される。

【００１９】まず、ペレットボンディング作業により、
ＩＣの製造工程中所謂前工程において半導体素子を含む
集積回路（図示せず）を作り込まれたペレット１２が、
各単位リードフレーム２におけるタブ６の上の中央に配
されて、銀ペースト等の適当な材料を用いられて形成さ
れるボンディング層１１を介して固着される。銀ペース
トは、エポキシ系樹脂接着剤、硬化促進剤、および溶剤
に銀粉が混入されて構成されているものであり、リード
フレーム上に塗布された銀ペーストにペレットが押接さ
れた後、適当な温度により硬化（キュア）されることに
より、ボンディング層１１を形成するようになってい
る。

【００２０】そして、タブ６に固定的にボンディングさ
れたペレット１２のボンディングパッド（図示せず）
と、単位リードフレーム２における各インナリード７の
先端部との間に、銅系材料（銅または銅合金）を使用さ
れて形成されたワイヤ１３が、超音波熱圧着式の適当な
ワイヤボンディング装置が使用されることにより、その
両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。以上
のボンディング作業により、ペレット１２に作り込まれ
ている集積回路は、ボンディングパッド、ワイヤ１３、
インナリード７およびアウタリード８を介して電気的に
外部に引き出された状態になる。

【００２１】その後、ペレットおよびワイヤ・ボンディ
ングされた多連リードフレームの組立体１４には、各単
位リードフレーム毎に樹脂封止体が、図４および図５に
示されているトランスファ成形装置を使用されて単位リ
ードフレーム群について同時成形される。

【００２２】図４および図５に示されているトランスフ
ァ成形装置２０はシリンダ装置等（図示せず）によって
互いに型締めされる上型２１と下型２２とを備えてお
り、上型２１と下型２２との合わせ面には四角形の平盤
形状の上型キャビティー凹部２３ａと下型キャビティー
凹部２３ｂとが、互いに協働してキャビティー２３を形
成するようにそれぞれ複数組没設されている。上型２１
の合わせ面にはポット２４が開設されており、ポット２
４にはシリンダ装置（図示せず）によって進退されるプ
ランジャ２５が成形材料としての樹脂から成るタブレッ
トが投入され、このタブレットが溶融されて成る液状の
樹脂（レジン）を押し出して圧送し得るようになってい
る。

【００２３】下型２２の合わせ面にはカル２６がポット
２４との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ２７がポット２４にそれぞれ接続するよ
うに放射状に配されて没設されている。各ランナ２７の
他端部は下型キャビティー凹部２３ｂにそれぞれ接続さ
れており、その接続部にはゲート２８がレジンをキャビ
ティー２３内に注入し得るように形成されている。ま
た、下型２２の合わせ面には逃げ凹所２９がリードフレ
ームの厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム１の
外形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい
寸法の一定深さに没設されている。

【００２４】トランスファ成形に際し、トランスファ成
形装置のワークである組立体１４は下型２２に没設され
ている逃げ凹所２９内において、各単位リードフレーム
２におけるペレット１２が各キャビティー２３内にそれ
ぞれ収容されるように配されてセットされる。この状態
において、図４および図５に示されているように、単位
リードフレーム２におけるダム１０の内側端辺１０ａは
下型キャビティー凹部２３ｂの外周縁、すなわち、キャ
ビティー２３の外周にきわめて近接された状態になる。
つまり、ダム１０とキャビティー２３との相関関係は、
樹脂封止体の成形時においてダム１０の内側端辺１０ａ
とキャビティー２３の外周とが所定寸法をもって近接す
る状態になるようにそれぞれ設定されている。そして、
ダム１０の内側端辺１０ａとキャビティー２３の外周と
の隙間１５の寸法としては、後述する厚いバリが樹脂封
止体に一体になって不慮の脱落を防止することができる
寸法以下が設定されており、具体的には例えば、０．１
ｍｍ以下に設定されている。

【００２５】続いて、上型２１と下型２２とが型締めさ
れ、ポット２４からプランジャ２５により成形材料とし
てのレジン３０がランナ２７およびゲート２８を通じて
各キャビティー２３に送給されてそれぞれ圧入される。

【００２６】キャビティー２３内に圧入されたレジン３
０はその充填に伴って、上型２１と下型２２との合わせ
面間において隣合うアウタリード８、８の間からキャビ
ティー２３の外部に漏洩する。しかし、キャビティー２
３は隣合うアウタリード８、８間においてダム１０群に
よって包囲されているため、キャビティー２３から漏洩
したレジン３０がダム１０を越えてさらに外方へ流出す
ることはない。そして、キャビティー２３から隣合うア
ウタリード８、８およびダム１０によって取り囲まれた
隙間１５内に漏洩したレジン３０により、図６に示され
ているように、厚いバリ１６が形成されることになる。
しかし、本実施形態においては、ダム１０の内側端辺１
０ａがキャビティー２３の外周に近接されているため、
この厚いバリ１６は０．１ｍｍ幅以下のきわめて微細な
ものになる。

【００２７】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体
１７が成形されると、上型２１および下型２２は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）により
樹脂封止体１７群が離型される。以上のようにして、多
連リードフレーム１の各単位リードフレーム２に樹脂封
止体１７が成形された図６に示されている成形品１８
が、トランスファ成形装置２０によって成形されたこと
になる。

【００２８】樹脂封止体１７の内部にはペレット１２、
インナリード７群およびワイヤ１３群が樹脂封止されて
いる。この状態において、樹脂封止体１７における隣合
うアウタリード８、８とダム１０の内側端辺１０ａとの
隙間１５内に形成された厚いバリ１６はきわめて微細で
あるため、樹脂封止体１７に殆ど一体化されており、し
かも、微細であるため、外観上も厚いバリ１６と認識さ
れ得ない程度のものになっている。

【００２９】その後、成形品１８は半田めっき処理工程
において多連リードフレーム１の表面に半田めっき被膜
（図示せず）が被着され、ダム切断工程においてダム１
０が切断され、リード成形（ｔｒｉｍｍｉｎｇ ａｎｄ
ｆｏｒｍｉｎｇ）工程においてアウタリード８がＪ字
形状に屈曲成形される。これにより、図１に示されてい
るＳＯＪ・ＩＣ１９が製造されたことになる。

【００３０】ところで、本実施形態においては、厚いバ
リ１６はきわめて微細であるため、バリ取り工程におい
て除去せずに、ダム切断工程においてダム１０の切断と
同時に処理することができる。次に、図７に示されてい
るダム切断装置４０を使用したダム切断工程を説明す
る。

【００３１】図７に示されているダム切断装置４０は上
側取付板４１および下側取付板４２を備えている。上側
取付板４１はシリンダ装置（図示せず）によって上下動
されることにより、機台上に固設されている下側取付板
４２に対して接近および離反するように構成されてい
る。上側取付板４１には上側ホルダ４３が固定されてお
り、下側取付板４２には下側ホルダ４４が固定されてい
る。上側ホルダ４３には上側押さえ型４５が固定されて
おり、下側ホルダ４４には下側押さえ型４６が上側押さ
え型４５に芯合わせされた状態で固定されている。上側
押さえ型４５と下側押さえ型４６とは外枠３およびセク
ション枠４を上下から挟んで押さえるように構成されて
いる。上側押さえ型４５はガイド４７およびスプリング
４８により独立懸架されている。

【００３２】上側ホルダ４３にはくし歯状の剪断刃４９
ａを有するパンチ４９が、各剪断刃４９ａが隣合うアウ
タリード８、８間の各ダム１０に対向するように配され
て、垂直方向下向きに固定されている。下型ホルダ４４
にはくし歯状の剪断刃５０ａを有するダイ５０が、各剪
断刃５０ａが各アウタリード８に対向するように配され
て垂直方向上向きに固定されている。パンチ４９の剪断
刃４９ａとダイ５０の剪断刃５０ａとは協働してダム１
０を隣合うアウタリード８、８間から切り落とすように
構成されている。なお、５１は樹脂封止体受け台であ
る。

【００３３】以上のように構成されたダム切断装置４０
によってダム１０が切断されるに際して、ダム切断装置
４０のワークである前記した成形品１８の樹脂封止体１
７は樹脂封止体受け台５１に載置され、外枠３およびセ
クション枠４は下側押さえ型４６に載置される。

【００３４】続いて、シリンダ装置により上側取付板４
１が下降され、上側押さえ型４５が下側押さえ型４６に
スプリング４８の付勢力により合わせられる。これによ
り、上側押さえ型４５と下側押さえ型４６との間で外枠
３およびセクション枠４が挟持される。上側取付板４１
がさらに下降されて行くと、パンチ４９が下降されて行
く。このとき、上側押さえ型４５はスプリング４８が圧
縮変形されるため、下側押さえ型４６に押圧される。パ
ンチ４９の下降に伴って、パンチ４９の剪断刃４９ａと
ダイ５０の剪断刃５０ａとの協働による剪断によりダム
１０が隣合うアウタリード８、８間から切り落とされ
る。

【００３５】ここで、ダム１０がアウタリード８の小幅
部９内に配置されていることにより、パンチ４９の剪断
刃４９ａとダイ５０の剪断刃５０ａとのクリアランスは
適正に設定することができるため、ダム１０の切断後の
ダム切断痕１０ｂは微小かつ綺麗な状態になる。例え
ば、ダイ５０の剪断刃５０ａの位置を小幅部９の端辺に
対向させ、パンチ４９の剪断刃４９ａの位置をアウタリ
ード８の端辺の延長線上に対向させた場合には、ダム切
断痕１０ｂの全幅をアウタリード８の全幅未満に抑制さ
せることができるとともに、パンチ４９の剪断刃４９ａ
とダイ５０の剪断刃５０ａとのクリアランスを充分に確
保することができるため、切り口を綺麗に形成させるこ
とができる。したがって、多連リードフレーム１の表面
に半田めっき被膜が先に被着された場合であっても、所
謂半田髭がダムの剪断によって発生することは防止され
る。

【００３６】パンチ４９が所定のストロークを終了する
と、パンチ４９は上側取付板４１により上昇され、元の
待機状態まで戻される。以上のようにしてダム切断装置
４０において、ダムの切断が終了し、上側取付板４１が
上昇すると、樹脂封止体１７からダム１０を切り落とさ
れた成形品１８は、下側押さえ型４６および樹脂封止体
受け台５１からピックアップされてリード成形工程へ移
送される。

【００３７】リード成形工程において、アウタリード８
のセクション枠４との接続部位が切断され、切断側端部
が図８（ａ）に示されているように弯曲成形される。続
いて、ダム切断痕１０ｂの略中心を起点としてアウタリ
ード８の基端部が図８（ｂ）に示されているように直角
に屈曲される。アウタリード８の基端部が直角に屈曲さ
れて行く時に被屈曲部の小径側領域では圧縮塑性変形が
発生するため、被屈曲部の小径側領域の肉がアウタリー
ド８の両端辺方向に突出することになり、その結果、図
８（ｃ）に示されているように、被屈曲部の小径側端辺
には塑性変形突起１０ｃが形成されてしまう。塑性変形
突起１０ｃはアウタリード８の幅方向両側にそれぞれ突
出するため、アウタリード８の最大幅寸法は両方の塑性
変形突起１０ｃ、１０ｃの先端間の寸法になり、その結
果、アウタリード８の最大幅寸法が規格外になってしま
う危惧がある。

【００３８】しかし、本実施形態においては、ダム切断
痕１０ｂはアウタリード８の小幅部９内に配置されてい
るため、塑性変形突起１０ｃがアウタリード８の幅方向
両側にそれぞれ突出しても、塑性変形突起１０ｃの尖端
はアウタリード８の最大幅寸法以内に収まり、その結
果、アウタリード８の最大幅寸法を規格内に維持するこ
とができる。

【００３９】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 アウタリードの両端辺のインナリードとの境界近傍
に小幅部を形成するとともに、この小幅部内にダムを配
置することにより、樹脂封止体の成形に際してダムがキ
ャビティーの外周に近接して配置された状態になるた
め、樹脂成形後の樹脂封止体における隣合うアウタリー
ドとダムの内側端辺との空間内に形成された厚いバリの
出っ張り寸法を抑制することができる。

【００４０】 前記により、厚いバリを外観上、厚
いバリと認識され得ない程度に微小化させることができ
るため、厚いバリのバリ取り工程を省略することがで
き、また、厚いバリが樹脂封止体から不慮に脱落するの
を防止することができる。

【００４１】 アウタリードの両端辺のインナリード
との境界近傍に小幅部を形成するとともに、この小幅部
内にダムを配置することにより、ダムの切断工程におい
て、パンチの剪断刃とダイの剪断刃とのクリアランスを
適正に設定することができるため、ダム切断痕を微細に
抑制することができるとともに、綺麗に切断することが
できる。

【００４２】 アウタリードの両端辺のインナリード
との境界近傍に小幅部を形成するとともに、この小幅部
内にダムを配置することにより、ダムの切断後のアウタ
リードの屈曲成形に際して、ダム切断痕の部位が屈曲さ
れることによって発生する塑性変形突起がダム切断痕の
部位に突出したとしても、塑性変形突起がアウタリード
の標準寸法を越えて外側に突出することを防止すること
ができるため、ダム切断痕の部位を屈曲するにもかかわ
らず、アウタリードの最大幅寸法の規格を確保すること
ができる。

【００４３】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４４】例えば、アウタリードはＪ字形状に屈曲成
形するに限らず、ガル・ウイング形状やＩ−リーリッド
形状、さらに、挿入形リード形状に形成することができ
る。

【００４５】また、トランスファ成形装置、ダム切断装
置等の具体的構成は前記実施形態の構成を使用するに限
られない。

【００４６】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である樹脂封
止ＳＯＪ・ＩＣの製造方法に適用した場合について説明
したが、それに限定されるものではなく、クワッド・フ
ラット・Ｊ−リーリッド・パッケージ（ＱＦＪ）、ガル
・ウイング・リード・パッケージ、Ｉ−リーリッド・パ
ッケージ等のアウトライン形パッケージを備えているＩ
Ｃやトランジスタアレー、デュアル・インライン・パッ
ケージ等のインライン形パッケージを備えているＩＣの
ような半導体装置の製造方法全般に適用することができ
る。

【００４７】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４８】アウタリードの両端辺のインナリードとの
境界近傍に小幅部を形成するとともに、この小幅部内に
ダムを配置することにより、樹脂封止体の成形に際して
ダムがキャビティーの外周に近接して配置された状態に
なるため、樹脂成形後の樹脂封止体における隣合うアウ
タリードとダムの内側端辺との空間内に形成された厚い
バリの出っ張り寸法を抑制することができる。

【００４９】アウタリードの両端辺のインナリードとの
境界近傍に小幅部を形成するとともに、この小幅部内に
ダムを配置することにより、ダムの切断工程において、
パンチの剪断刃とダイの剪断刃とのクリアランスを適正
に設定することができるため、ダム切断痕を微細に抑制
することができるとともに、綺麗に切断することができ
る。

【００５０】アウタリードの両端辺のインナリードとの
境界近傍に小幅部を形成するとともに、この小幅部内に
ダムを配置することにより、ダムの切断後のアウタリー
ドの屈曲成形に際して、ダム切断痕の部位が屈曲される
ことによって発生する塑性変形突起がダム切断痕の部位
に突出したとしても、塑性変形突起がアウタリードの標
準寸法を越えて外側に突出することを防止することがで
きるため、ダム切断痕の部位を屈曲させるにもかかわら
ず、アウタリードの最大幅寸法の規格を確保することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体装置を示して
おり、（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）は側面図、
（ｃ）は拡大部分斜視図である。

【図２】本発明の一実施形態である半導体装置の製造方
法に使用されるリードフレームを示しており、（ａ）は
一部省略平面図、（ｂ）は一部省略正面図である。

【図３】ペレットおよびワイヤボンディング工程後を示
しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は正面断面
図である。

【図４】樹脂封止体の成形工程を示しており、（ａ）は
側面断面図、（ｂ）は拡大部分正面断面図である。

【図５】同じく一部省略拡大部分平面図である。

【図６】樹脂封止体成形後を示しており、（ａ）は一部
省略一部切断平面図、（ｂ）は正面断面図である。

【図７】ダム切断工程を示しており、（ａ）は正面断面
図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う部分断面図であ
る。

【図８】リード成形工程を示しており、（ａ）は弯曲ス
テップの拡大部分正面図、（ｂ）は屈曲ステップの拡大
部分正面図、（ｃ）は屈曲後の拡大部分側面図である。

【符号の説明】

１…多連リードフレーム、２…単位リードフレーム、３
…外枠、４…セクション枠、５…タブ吊りリード、６…
タブ、７…インナリード、８…アウタリード、９…小幅
部、１０…ダム、１０ａ…内側端辺、１０ｂ…ダム切断
痕、１０ｃ…塑性変形突起、１１…ボンディング層、１
２…ペレット、１３…ワイヤ、１４…組立体、１５…隙
間、１６…厚いバリ、１７…樹脂封止体、１８…成形
品、１９…ＳＯＪ・ＩＣ（半導体装置）、２０…トラン
スファ成形装置、２１…上型、２２…下型、２３…キャ
ビティー、２３ａ…上型キャビティー凹部、２３ｂ…下
型キャビティー凹部、２４…ポット、２５…プランジ
ャ、２６…カル、２７…ランナ、２８…ゲート、２９…
逃げ凹所、３０…レジン、４０…ダム切断装置、４１…
上側取付板、４２…下側取付板、４３…上側ホルダ、４
４…下側ホルダ、４５…上側押さえ型、４６…下側押さ
え型、４７…ガイド、４８…スプリング、４９…パン
チ、４９ａ…剪断刃、５０…ダイ、５０ａ…剪断刃、５
１…樹脂封止体受け台。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂封止体の側面から一列横隊に整列さ
   れて突出された複数本のアウタリードが樹脂封止体の厚
   さ一方向に揃えられて屈曲されている半導体装置におい
   て、 前記各アウタリードの両端辺における前記樹脂封止体の
   近傍に小幅部が形成されているとともに、この小幅部内
   にダム切断痕が形成されており、前記各アウタリードが
   このダム切断痕内にて屈曲されていることを特徴とする
   半導体装置。
2. 【請求項２】 前記各アウタリードの小幅部の幅寸法が
   アウタリードの標準値未満に設定されていることを特徴
   とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
   造方法であって、 前記小幅部が両端辺のインナリードとの境界近傍に形成
   されているとともに、この小幅部内にダムが形成されて
   いる前記各アウタリードを有するリードフレームが準備
   されるリードフレーム準備工程と、 前記リードフレームに半導体ペレットが機械的かつ電気
   的に接続される接続工程と、 前記半導体ペレットが機械的かつ電気的に接続されたリ
   ードフレームに前記ダムに外周辺が近接する前記樹脂封
   止体が成形される樹脂封止体成形工程と、 前記樹脂封止体が成形されたリードフレームの前記各ダ
   ムが切り落とされるダム切断工程と、 前記ダムが切り落とされた前記各アウタリードがダム切
   断痕内にて屈曲されるアウタリード成形工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記ダム切断工程において、剪断刃が小
   幅部内に臨まされていることを特徴とする請求項３に記
   載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項３または４記載の半導体装置の製
   造方法に使用されるリードフレームであって、 前記小幅部が両端辺のインナリードとの境界近傍に形成
   されているとともに、この小幅部内にダムが形成されて
   いる前記各アウタリードを有するリードフレーム。