JPH10125845A - Ｌｏｃ用リードフレーム及びそれを用いた半導体チップパッケージ - Google Patents
Ｌｏｃ用リードフレーム及びそれを用いた半導体チップパッケージInfo
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- JPH10125845A JPH10125845A JP9198600A JP19860097A JPH10125845A JP H10125845 A JPH10125845 A JP H10125845A JP 9198600 A JP9198600 A JP 9198600A JP 19860097 A JP19860097 A JP 19860097A JP H10125845 A JPH10125845 A JP H10125845A
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- chip bonding
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- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
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- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップに接着されるチップ接着部と、複数の
外部リードと一体に形成される基端部とを含み、チップ
接着部の厚さが基端部より小さい複数の内部リードを有
するＬＯＣ用リードフレーム及びそれを用いた半導体チ
ップパッケージを提供する。 【解決手段】 チップ上面の中央部に複数のボンディン
グパッドが設けられた半導体チップと、チップの上面に
接着されるチップ接着部と、チップ接着部と一体に形成
される基端部とを有する複数の内部リードと、内部リー
ドと一体に形成される複数の外部リードと、内部リード
とボンディングパッドとを接続する複数のボディングワ
イヤと、チップ、内部リード及びボンディングワイヤを
封止する封止手段とを含み、チップ接着部の厚さが、外
部リードの厚さより小さいことを特徴とするＬＯＣパッ
ケージ。
外部リードと一体に形成される基端部とを含み、チップ
接着部の厚さが基端部より小さい複数の内部リードを有
するＬＯＣ用リードフレーム及びそれを用いた半導体チ
ップパッケージを提供する。 【解決手段】 チップ上面の中央部に複数のボンディン
グパッドが設けられた半導体チップと、チップの上面に
接着されるチップ接着部と、チップ接着部と一体に形成
される基端部とを有する複数の内部リードと、内部リー
ドと一体に形成される複数の外部リードと、内部リード
とボンディングパッドとを接続する複数のボディングワ
イヤと、チップ、内部リード及びボンディングワイヤを
封止する封止手段とを含み、チップ接着部の厚さが、外
部リードの厚さより小さいことを特徴とするＬＯＣパッ
ケージ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ接着部と基
端部とを含み、チップ接着部の厚さが基端部より小さい
複数の内部リードを有するＬＯＣ用リードフレーム及び
それを用いた半導体チップパッケージに関する。
端部とを含み、チップ接着部の厚さが基端部より小さい
複数の内部リードを有するＬＯＣ用リードフレーム及び
それを用いた半導体チップパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】エポキシ系の成形樹脂を用いて封止され
た通常のプラスチックパッケージは、パッケージのサイ
ズに比べて、搭載できるチップサイズに制約が多かっ
た。
た通常のプラスチックパッケージは、パッケージのサイ
ズに比べて、搭載できるチップサイズに制約が多かっ
た。
【０００３】たとえば、半導体チップはダイパッドの上
面にボンディングされるが、この際、チップのボンディ
ングパッドとリードフレームのリードを各々電気的に接
続するためには、ダイパッドとリード間の間隔は、少な
くともリードフレームの厚さだけ確保しなければならな
い。
面にボンディングされるが、この際、チップのボンディ
ングパッドとリードフレームのリードを各々電気的に接
続するためには、ダイパッドとリード間の間隔は、少な
くともリードフレームの厚さだけ確保しなければならな
い。
【０００４】従って、ダイパッドに実際搭載できるチッ
プのサイズは、パッケージのサイズの約７０％に制限さ
れる。
プのサイズは、パッケージのサイズの約７０％に制限さ
れる。
【０００５】上記不都合を克服するため、ＬＯＣ(Lead
on Chip)パッケージ及びＣＯＬ(Chip on Lead)パッケー
ジが提案されている。
on Chip)パッケージ及びＣＯＬ(Chip on Lead)パッケー
ジが提案されている。
【０００６】特に、ＬＯＣパッケージでは、大型チップ
を搭載することができ、チップに電源を供給するバスバ
ー(bus bar)を設置することができるので、半導体素子
の電気的特性の改善に効果的である。
を搭載することができ、チップに電源を供給するバスバ
ー(bus bar)を設置することができるので、半導体素子
の電気的特性の改善に効果的である。
【０００７】また、ＬＯＣ技術を用いて半導体素子をパ
ッケージングすると、チップのボンディグパッドが、ボ
ンディングワイヤによりリードフレームのリードに電気
的に接続される際に、ボンディングパッドの位置決めに
関する制約を受けないので、チップ設計において有利で
ある。すなわち、ＬＯＣ構造では、チップのボンディン
グパッドをチップの端部又は中心部に配置することがで
きるので、半導体チップを自由に設計することができる
という利点がある。
ッケージングすると、チップのボンディグパッドが、ボ
ンディングワイヤによりリードフレームのリードに電気
的に接続される際に、ボンディングパッドの位置決めに
関する制約を受けないので、チップ設計において有利で
ある。すなわち、ＬＯＣ構造では、チップのボンディン
グパッドをチップの端部又は中心部に配置することがで
きるので、半導体チップを自由に設計することができる
という利点がある。
【０００８】また、ＬＯＣ構造は、ダイパッドを有しな
いため、ダイパッドと成形樹脂間の熱膨張係数の差異に
起因する剥離を防止することができる。
いため、ダイパッドと成形樹脂間の熱膨張係数の差異に
起因する剥離を防止することができる。
【０００９】図８は、従来のＬＯＣパッケージを示す断
面図である。図８において、従来のＬＯＣパッケージ１
００は、半導体チップ１０の上面の対向する両端部に取
り付けられる複数のリード２０を有する。
面図である。図８において、従来のＬＯＣパッケージ１
００は、半導体チップ１０の上面の対向する両端部に取
り付けられる複数のリード２０を有する。
【００１０】リード２０は、チップ１０中心部のボンデ
ィングパッド１２に電気的に接続される複数の内部リー
ド２６と、外部装置に電気的に接続され、内部リード２
６と一体に形成される複数の外部リード２４とから構成
される。
ィングパッド１２に電気的に接続される複数の内部リー
ド２６と、外部装置に電気的に接続され、内部リード２
６と一体に形成される複数の外部リード２４とから構成
される。
【００１１】半導体チップ１０の上面は、両面接着性ポ
リイミドテープ５０により内部リード２６の下面に接着
されている。ここで、両面接着性ポリイミドテープ５０
は、チップ上面におけるボンディングパッド１２が設け
られていない部分に接着される。
リイミドテープ５０により内部リード２６の下面に接着
されている。ここで、両面接着性ポリイミドテープ５０
は、チップ上面におけるボンディングパッド１２が設け
られていない部分に接着される。
【００１２】チップ１０上面の中心部に形成されたボン
ディングパッド１２は、ボンディングワイヤ３０により
対応する内部リード２６に電気的に接続される。
ディングパッド１２は、ボンディングワイヤ３０により
対応する内部リード２６に電気的に接続される。
【００１３】半導体チップ１０と、内部リード２６と、
ボンディングワイヤ３０を含む電気的接続部とを、外部
環境から保護するため、エポキシ系の成形樹脂で封止す
ることにより、個別パッケージ胴体４０を得る。内部リ
ード２６と一体に形成される外部リード２４は、パッケ
ージ胴体４０から外部に突出し、基板への実装に適合す
るようにＪ字形状で折曲される。ここで、内部リード２
６は、均一な厚さを有する。
ボンディングワイヤ３０を含む電気的接続部とを、外部
環境から保護するため、エポキシ系の成形樹脂で封止す
ることにより、個別パッケージ胴体４０を得る。内部リ
ード２６と一体に形成される外部リード２４は、パッケ
ージ胴体４０から外部に突出し、基板への実装に適合す
るようにＪ字形状で折曲される。ここで、内部リード２
６は、均一な厚さを有する。
【００１４】図９は、図８に図示した半導体チップとリ
ードフレーム間のワイヤボンディングを示す平面図であ
り、図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図
であり、図１１は、図９の内部リードを示す拡大斜視図
である。
ードフレーム間のワイヤボンディングを示す平面図であ
り、図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図
であり、図１１は、図９の内部リードを示す拡大斜視図
である。
【００１５】図９、図１０及び図１１に示すように、複
数のリード２０が、ＬＯＣ用リードフレーム８０の対向
する両端部に形成され、一方の端部のリード２０は、他
方の端部のリード２０から所定の間隔で離隔される。
数のリード２０が、ＬＯＣ用リードフレーム８０の対向
する両端部に形成され、一方の端部のリード２０は、他
方の端部のリード２０から所定の間隔で離隔される。
【００１６】タイバー２５は、リード２０が形成される
端部以外の両端部に形成される。サイドレール２８は、
リードフレーム８０の対向する両端部に形成される。タ
イバー２５及び外部リード２４は、サイドレール２８と
一体に形成される。サイドレール２８は、リード２０を
支持し、リードフレーム８０が移送レール（図示せず）
により移送される際、移送レールと接触する。
端部以外の両端部に形成される。サイドレール２８は、
リードフレーム８０の対向する両端部に形成される。タ
イバー２５及び外部リード２４は、サイドレール２８と
一体に形成される。サイドレール２８は、リード２０を
支持し、リードフレーム８０が移送レール（図示せず）
により移送される際、移送レールと接触する。
【００１７】両面接着性ポリイミドテープ５０の上面
は、熱圧着法により内部リード２６の下面に取り付けら
れ、ポリイミドテープ５０の下面は、熱圧着法によりチ
ップ１０の上面に取り付けられる。
は、熱圧着法により内部リード２６の下面に取り付けら
れ、ポリイミドテープ５０の下面は、熱圧着法によりチ
ップ１０の上面に取り付けられる。
【００１８】内部リード２６は、ボンディングワイヤ３
０により対応するボンディングパッド１２に電気的に接
続される。チップ１０のボンディングパッド１２は、対
向する内部リード２６の間に整列される。
０により対応するボンディングパッド１２に電気的に接
続される。チップ１０のボンディングパッド１２は、対
向する内部リード２６の間に整列される。
【００１９】ＬＯＣ用リードフレーム８０は、一定の厚
さｔで製造される。上述したような構造を有するＬＯＣ
用リードフレーム８０において、リードフレーム８０の
厚さｔは、リードフレームの製造工程時に、内部リード
２６の幅ｗ及び内部リード２６間の間隔ｓを決定する重
要な因子である。
さｔで製造される。上述したような構造を有するＬＯＣ
用リードフレーム８０において、リードフレーム８０の
厚さｔは、リードフレームの製造工程時に、内部リード
２６の幅ｗ及び内部リード２６間の間隔ｓを決定する重
要な因子である。
【００２０】リードフレームの製造方法としては、通常
は、スタンピング法(stamping method)又はエッチング
法(etching method)が使用される。スタンピング法で
は、リードフレームの厚さｔの７５％までの幅ｗ及び間
隔ｓを有する内部リード２６を製造することができ、エ
ッチング法では、リードフレームの厚さｔの８０％まで
の幅ｗ及び間隔ｓを有する内部リード２６を製造するこ
とができる。ここで、リードフレーム素材は、鉄合金や
銅合金よりなる。合金素材がローリング形態であれば、
パンチングプレスを用いたスタンピング法を使用するこ
とが好ましいし、シート形態であれば、エッチング法を
使用することが好ましい。リードフレーム製造段階にお
ける前記チップサイズの限界は、ＬＯＣパッケージ製造
において重要な因子となる。そのため、従来の半導体チ
ップと同様の容量を有し、かつより小さいサイズを有す
る半導体チップを開発するための研究が推進されてい
る。
は、スタンピング法(stamping method)又はエッチング
法(etching method)が使用される。スタンピング法で
は、リードフレームの厚さｔの７５％までの幅ｗ及び間
隔ｓを有する内部リード２６を製造することができ、エ
ッチング法では、リードフレームの厚さｔの８０％まで
の幅ｗ及び間隔ｓを有する内部リード２６を製造するこ
とができる。ここで、リードフレーム素材は、鉄合金や
銅合金よりなる。合金素材がローリング形態であれば、
パンチングプレスを用いたスタンピング法を使用するこ
とが好ましいし、シート形態であれば、エッチング法を
使用することが好ましい。リードフレーム製造段階にお
ける前記チップサイズの限界は、ＬＯＣパッケージ製造
において重要な因子となる。そのため、従来の半導体チ
ップと同様の容量を有し、かつより小さいサイズを有す
る半導体チップを開発するための研究が推進されてい
る。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】ＬＯＣリードフレーム
の内部リードは、半導体チップの上面に配置されるが、
半導体チップのサイズが減少すると、内部リードのうち
最外側に配置される内部リードは、チップの上面に配置
されることができない。
の内部リードは、半導体チップの上面に配置されるが、
半導体チップのサイズが減少すると、内部リードのうち
最外側に配置される内部リードは、チップの上面に配置
されることができない。
【００２２】ＬＯＣリードフレームの内部リードの幅及
び間隔を小さく形成すれば、この問題を解決することが
できる。しかし、内部リードの設計には上述したような
限界値が存在する。さらに、内部リードを限界値で設計
するとしても、内部リード間の電気的干渉のような問題
が生ずる。
び間隔を小さく形成すれば、この問題を解決することが
できる。しかし、内部リードの設計には上述したような
限界値が存在する。さらに、内部リードを限界値で設計
するとしても、内部リード間の電気的干渉のような問題
が生ずる。
【００２３】また、電子装置に実装されるＬＯＣパッケ
ージの種類により、外部リードの幅及び間隔が、国際規
格で定められている。
ージの種類により、外部リードの幅及び間隔が、国際規
格で定められている。
【００２４】そこで、本発明の目的は、チップに接着さ
れるチップ接着部と、複数の外部リードと一体に形成さ
れる基端部とを含み、チップ接着部の厚さが基端部より
小さい複数の内部リードを有するＬＯＣ用リードフレー
ム及びそれを用いた半導体チップパッケージを提供する
ことにある。
れるチップ接着部と、複数の外部リードと一体に形成さ
れる基端部とを含み、チップ接着部の厚さが基端部より
小さい複数の内部リードを有するＬＯＣ用リードフレー
ム及びそれを用いた半導体チップパッケージを提供する
ことにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明でのＬＯＣパッケージは、チップ上面の中央
部に複数のボンディングパッドが設けられた半導体チッ
プと、チップの上面に接着されるチップ接着部と、チッ
プ接着部と一体に形成される基端部とを有する複数の内
部リードと、内部リードと一体に形成される複数の外部
リードと、内部リードとボンディングパッドとを接続す
る複数のボディングワイヤと、チップ、内部リード及び
ボンディングワイヤを封止する封止手段とを含み、チッ
プ接着部の厚さが、外部リードの厚さより小さいことを
特徴とする。
に、本発明でのＬＯＣパッケージは、チップ上面の中央
部に複数のボンディングパッドが設けられた半導体チッ
プと、チップの上面に接着されるチップ接着部と、チッ
プ接着部と一体に形成される基端部とを有する複数の内
部リードと、内部リードと一体に形成される複数の外部
リードと、内部リードとボンディングパッドとを接続す
る複数のボディングワイヤと、チップ、内部リード及び
ボンディングワイヤを封止する封止手段とを含み、チッ
プ接着部の厚さが、外部リードの厚さより小さいことを
特徴とする。
【００２６】さらに、前記目的を達成するために、本発
明のＬＯＣ用リードフレームは、チップの上面に接着さ
れるチップ接着部と、チップ接着部と一体に形成される
基端部とを有する複数の内部リードと、内部リードと一
体に形成される複数の外部リードと、リードフレームの
対向する両端部に位置するサイドレールと、両サイドレ
ールに連結されるタイバーとを含み、チップ接着部の厚
さが、外部リードの厚さより小さいことを特徴とする。
明のＬＯＣ用リードフレームは、チップの上面に接着さ
れるチップ接着部と、チップ接着部と一体に形成される
基端部とを有する複数の内部リードと、内部リードと一
体に形成される複数の外部リードと、リードフレームの
対向する両端部に位置するサイドレールと、両サイドレ
ールに連結されるタイバーとを含み、チップ接着部の厚
さが、外部リードの厚さより小さいことを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明をより詳しく説明する。
明をより詳しく説明する。
【００２８】図１は、本発明によるＬＯＣ用リードフレ
ームの製造工程を示す斜視図であり、図２は、図１のII
−II線に沿って切断した断面図である。
ームの製造工程を示す斜視図であり、図２は、図１のII
−II線に沿って切断した断面図である。
【００２９】図１及び図２に示すように、内部リードの
チップ接着部となる部分を、切削装置１７０で切削する
ことにより、リードフレーム素材１８４上に溝１２３を
形成する。そのため、チップ接着部がリードフレームの
他の部分より薄くなる。
チップ接着部となる部分を、切削装置１７０で切削する
ことにより、リードフレーム素材１８４上に溝１２３を
形成する。そのため、チップ接着部がリードフレームの
他の部分より薄くなる。
【００３０】切削装置１７０において、ローラー１７
１、１７３は、一方のローラー１７１に巻かれた素材１
８４が、切削工程後、他方のローラー１７３に巻き取ら
れるように、素材１８４の両端部に設置される。両ロー
ラー１７１、１７３の間には、圧着ローラー１７２、１
７４が配置され、上部圧着ローラー１７４は、素材１８
４の上面１２１と当椄し、下部圧着ローラー１７２は、
素材１８４の下面に当椄される。
１、１７３は、一方のローラー１７１に巻かれた素材１
８４が、切削工程後、他方のローラー１７３に巻き取ら
れるように、素材１８４の両端部に設置される。両ロー
ラー１７１、１７３の間には、圧着ローラー１７２、１
７４が配置され、上部圧着ローラー１７４は、素材１８
４の上面１２１と当椄し、下部圧着ローラー１７２は、
素材１８４の下面に当椄される。
【００３１】切削ブレード１６０は、素材１８４が巻か
れたローラー１７１と圧着ローラー１７２、１７４との
間に配置される。
れたローラー１７１と圧着ローラー１７２、１７４との
間に配置される。
【００３２】ここで、両ローラー１７１、１７３を同一
の方向に回転させながら、切削ブレード１６０により素
材１８４を切削することにより、溝１２３が形成され
る。この溝１２３が、内部リードのチップ接着部とな
る。
の方向に回転させながら、切削ブレード１６０により素
材１８４を切削することにより、溝１２３が形成され
る。この溝１２３が、内部リードのチップ接着部とな
る。
【００３３】その後、溝１２３の切削面は、圧着ローラ
ー１７２、１７４により平坦化される。円柱形状の圧着
ローラーは、上部圧着ローラー１７４と、下部圧着ロー
ラー１７２とから構成される。上部圧着ローラー１７４
は、リードフレーム素材１８４の上面１２１及び溝１２
３に接触し、溝１２３上に整列される部分１７５は、溝
１２３の切削面を圧着するように、上部圧着ローラー１
７４の他の部分より厚く形成される。
ー１７２、１７４により平坦化される。円柱形状の圧着
ローラーは、上部圧着ローラー１７４と、下部圧着ロー
ラー１７２とから構成される。上部圧着ローラー１７４
は、リードフレーム素材１８４の上面１２１及び溝１２
３に接触し、溝１２３上に整列される部分１７５は、溝
１２３の切削面を圧着するように、上部圧着ローラー１
７４の他の部分より厚く形成される。
【００３４】４００ｍｉｌの幅を有するパッケージ胴体
を製造するために、溝１２３は、３７０ｍｉｌの幅ｗ１
で切削される。溝１２３の幅が、パッケージ胴体より３
０ｍｉｌ程度小さい理由は、後述する。また、溝１２３
の深さは、必要な深さとすることができる。
を製造するために、溝１２３は、３７０ｍｉｌの幅ｗ１
で切削される。溝１２３の幅が、パッケージ胴体より３
０ｍｉｌ程度小さい理由は、後述する。また、溝１２３
の深さは、必要な深さとすることができる。
【００３５】この際、リードフレーム素材１８４として
は、鉄系合金板や銅系合金板を使用することができる。
は、鉄系合金板や銅系合金板を使用することができる。
【００３６】本実施例では、リードフレーム素材１８４
がローリング形態を有するので、切削装置１７０を用い
て溝１２３を形成したが、リードフレーム素材がシート
形態を有する場合は、エッチング法を用いて溝を形成す
ることが好ましい。
がローリング形態を有するので、切削装置１７０を用い
て溝１２３を形成したが、リードフレーム素材がシート
形態を有する場合は、エッチング法を用いて溝を形成す
ることが好ましい。
【００３７】図３は、本発明によるＬＯＣ用リードフレ
ームと半導体チップ間のワイヤボンディングを示す平面
図であり、図４は、図３のIV−IV線に沿って切断した断
面図であり、図５は、図３の内部リードを示す拡大斜視
図である。
ームと半導体チップ間のワイヤボンディングを示す平面
図であり、図４は、図３のIV−IV線に沿って切断した断
面図であり、図５は、図３の内部リードを示す拡大斜視
図である。
【００３８】図３、図４及び図５を参照すると、本発明
によるＬＯＣ用リードフレーム１８０において、リード
フレームのパターンは、内部リードのチップ接着部とな
る部分を、切削装置１７０で切削することで、リードフ
レーム素材１８４上に溝１２３を形成した後、パンチン
グプレス（図示せず）を用いたスタンピング法により形
成する。
によるＬＯＣ用リードフレーム１８０において、リード
フレームのパターンは、内部リードのチップ接着部とな
る部分を、切削装置１７０で切削することで、リードフ
レーム素材１８４上に溝１２３を形成した後、パンチン
グプレス（図示せず）を用いたスタンピング法により形
成する。
【００３９】本発明によるＬＯＣ用リードフレーム１８
０において、複数のリード１２０は、半導体チップ１１
０上面の対向する両端部に配置され、一方の端部のリー
ド１２０は、他方の端部のリード１２０から所定の間隔
で離隔される。
０において、複数のリード１２０は、半導体チップ１１
０上面の対向する両端部に配置され、一方の端部のリー
ド１２０は、他方の端部のリード１２０から所定の間隔
で離隔される。
【００４０】リード１２０は、チップ１１０中心部のボ
ンディングパッド１１２に電気的に接続される複数の内
部リード１２６と、外部装置に電気的に接続され、内部
リード１２６と一体に形成される複数の外部リード１２
４とから構成される。
ンディングパッド１１２に電気的に接続される複数の内
部リード１２６と、外部装置に電気的に接続され、内部
リード１２６と一体に形成される複数の外部リード１２
４とから構成される。
【００４１】より詳細には、内部リード１２６は、チッ
プ接着部１２６ａと、基端部１２６ｂとから構成され
る。基端部１２６ｂは、外部リード１２４と一体に形成
され、外部リード１２４と同一の厚さを有する。また、
チップ接着部１２６ａは、基端部１２６ｂと一体に形成
され、基端部１２６ｂより小さい厚さを有する。
プ接着部１２６ａと、基端部１２６ｂとから構成され
る。基端部１２６ｂは、外部リード１２４と一体に形成
され、外部リード１２４と同一の厚さを有する。また、
チップ接着部１２６ａは、基端部１２６ｂと一体に形成
され、基端部１２６ｂより小さい厚さを有する。
【００４２】内部リード１２６の下面は、平坦であり、
内部リード１２６の上面は、段差を有する。つまり、基
端部１２６ｂの上面は、外部リード１２４と同一の高さ
を有するが、切削装置１７０により切削形成されたチッ
プ接着部１２６ａの上面は、基端部１２６ｂより低い高
さを有する。
内部リード１２６の上面は、段差を有する。つまり、基
端部１２６ｂの上面は、外部リード１２４と同一の高さ
を有するが、切削装置１７０により切削形成されたチッ
プ接着部１２６ａの上面は、基端部１２６ｂより低い高
さを有する。
【００４３】タイバー１２５は、リード１２０が形成さ
れる端部以外の両端部に形成される。サイドレール１２
８は、リードフレーム１８０の対向する両端部に形成さ
れる。タイバー１２５及び外部リード１２４は、サイド
レール１２８と一体に形成される。サイドレール１２８
は、リード１２０を支持し、リードフレーム１８０が移
送レール（図示せず）によって移送される際、移送レー
ルと接触する。
れる端部以外の両端部に形成される。サイドレール１２
８は、リードフレーム１８０の対向する両端部に形成さ
れる。タイバー１２５及び外部リード１２４は、サイド
レール１２８と一体に形成される。サイドレール１２８
は、リード１２０を支持し、リードフレーム１８０が移
送レール（図示せず）によって移送される際、移送レー
ルと接触する。
【００４４】両面接着性ポリイミドテープ１５０の上面
は、熱圧着法により内部リード１２６のチップ接着部１
２６ａの下面に接着され、ポリイミドテープ１５０の下
面は、熱圧着法によりチップ１１０の上面に接着され
る。
は、熱圧着法により内部リード１２６のチップ接着部１
２６ａの下面に接着され、ポリイミドテープ１５０の下
面は、熱圧着法によりチップ１１０の上面に接着され
る。
【００４５】内部リード１２６は、ボンディングワイヤ
１３０により対応するチップのボンディングパッド１１
２に電気的に接続される。チップ１１０のボンディング
パッド１１２は、対向する内部リード１２６の列の間に
整列して形成される。
１３０により対応するチップのボンディングパッド１１
２に電気的に接続される。チップ１１０のボンディング
パッド１１２は、対向する内部リード１２６の列の間に
整列して形成される。
【００４６】内部リード１２６のチップ接着部１２６ａ
の厚さｔ２を、内部リード１２６の基端部１２６ｂの厚
さｔ１より薄く形成した理由は、チップ接着部１２６ａ
の厚さｔ２を減少することにより、チップ接着部１２６
ａの幅ｗ２及び間隔ｓ２を減少させることができるから
である。
の厚さｔ２を、内部リード１２６の基端部１２６ｂの厚
さｔ１より薄く形成した理由は、チップ接着部１２６ａ
の厚さｔ２を減少することにより、チップ接着部１２６
ａの幅ｗ２及び間隔ｓ２を減少させることができるから
である。
【００４７】すなわち、スタンピング法では、チップ接
着部１２６ａの厚さｔ２の７５％に至る幅ｗ２及び間隔
ｓ２を有するチップ接着部１２６ａを製造することがで
き、エッチング法では、チップ接着部１２６ａの厚さｔ
２の８０％に至る幅ｗ２及び間隔ｓ２を有するチップ接
着部１２６ａを製造することができる。
着部１２６ａの厚さｔ２の７５％に至る幅ｗ２及び間隔
ｓ２を有するチップ接着部１２６ａを製造することがで
き、エッチング法では、チップ接着部１２６ａの厚さｔ
２の８０％に至る幅ｗ２及び間隔ｓ２を有するチップ接
着部１２６ａを製造することができる。
【００４８】従って、内部リード１２６のチップ接着部
１２６ａの厚さｔ２を減少することにより、図８、図９
及び図１０に示したチップ１０と同様の容量を有すると
同時に、チップ１０のサイズａより小さいサイズｂを有
する半導体チップ１１０の上面に、内部リード１２６が
接着されるように、リードフレーム１８０をパターニン
グすることが可能となる。
１２６ａの厚さｔ２を減少することにより、図８、図９
及び図１０に示したチップ１０と同様の容量を有すると
同時に、チップ１０のサイズａより小さいサイズｂを有
する半導体チップ１１０の上面に、内部リード１２６が
接着されるように、リードフレーム１８０をパターニン
グすることが可能となる。
【００４９】また、外部リード１２４に連結される内部
リード基端部１２６ｂの厚さｔ１を、外部リード１２４
と同一に形成するので、従来の成形装置を本発明に使用
することができる。
リード基端部１２６ｂの厚さｔ１を、外部リード１２４
と同一に形成するので、従来の成形装置を本発明に使用
することができる。
【００５０】本実施例では、パッケージ胴体１４０の幅
ｗ３に対してパッケージ胴体１４０の両側から約１５ｍ
ｉｌ程度内側の位置に基端部１２６ｂが形成され、下向
段差を有するチップ接着部１２６ａが形成される。ま
た、チップ１１０の対向する両端部上に位置するチップ
接着部１２６ａ間の幅ｗ１は、３７０ｍｉｌである。
ｗ３に対してパッケージ胴体１４０の両側から約１５ｍ
ｉｌ程度内側の位置に基端部１２６ｂが形成され、下向
段差を有するチップ接着部１２６ａが形成される。ま
た、チップ１１０の対向する両端部上に位置するチップ
接着部１２６ａ間の幅ｗ１は、３７０ｍｉｌである。
【００５１】従って、従来のチップと同一の容量を有し
ながら、サイズが小さいチップに関して、従来の外部リ
ードピッチと同一のピッチを有するリードフレームを使
用することが可能となる。
ながら、サイズが小さいチップに関して、従来の外部リ
ードピッチと同一のピッチを有するリードフレームを使
用することが可能となる。
【００５２】また、リードフレームは、内部リードのチ
ップ接着部が従来の内部リードより小さい幅ｗ２及び間
隔ｓ２を有するようにパターニングされるので、コイニ
ング(coining)工程又はスパンキング(spanking)工程が
使用される。ここで、コイニング工程は、チップ接着部
１２６ａ及びボンディングパッド１１２間のワイヤボン
ディング性を改善するため、圧着板を用いてチップ接着
部１２６ａを圧着する方法である。また、スパンキング
工程は、リードフレームの扁平度及びワイヤボンディン
グ性を改善するため、圧着板によりリードフレーム全体
を圧着する方法である。スパンキング工程において、圧
着板は、チップ接着部のパターン構造に正確に合致する
ように製作される。
ップ接着部が従来の内部リードより小さい幅ｗ２及び間
隔ｓ２を有するようにパターニングされるので、コイニ
ング(coining)工程又はスパンキング(spanking)工程が
使用される。ここで、コイニング工程は、チップ接着部
１２６ａ及びボンディングパッド１１２間のワイヤボン
ディング性を改善するため、圧着板を用いてチップ接着
部１２６ａを圧着する方法である。また、スパンキング
工程は、リードフレームの扁平度及びワイヤボンディン
グ性を改善するため、圧着板によりリードフレーム全体
を圧着する方法である。スパンキング工程において、圧
着板は、チップ接着部のパターン構造に正確に合致する
ように製作される。
【００５３】図６は、封止されたＬＯＣパッケージを示
す断面図である。図６において、図３に示した本発明に
よるＬＯＣ用リードフレーム１８０を利用した半導体チ
ップパッケージ２００では、チップ１１０の上面に取り
付けられるチップ接着部１２６ａの厚さが、内部リード
基端部１２６ｂの厚さより小さい。また、チップ接着部
１２６ａの下面は、両面接着性ポリイミドテープ１５０
によりチップ１１０の上面に取り付けられる。ここで、
両面接着性ポリイミドテープ１５０は、チップ上面のボ
ンディングパッド１１２が形成されていない部分に接着
される。
す断面図である。図６において、図３に示した本発明に
よるＬＯＣ用リードフレーム１８０を利用した半導体チ
ップパッケージ２００では、チップ１１０の上面に取り
付けられるチップ接着部１２６ａの厚さが、内部リード
基端部１２６ｂの厚さより小さい。また、チップ接着部
１２６ａの下面は、両面接着性ポリイミドテープ１５０
によりチップ１１０の上面に取り付けられる。ここで、
両面接着性ポリイミドテープ１５０は、チップ上面のボ
ンディングパッド１１２が形成されていない部分に接着
される。
【００５４】チップ１１０上面の中心部に形成されるボ
ンディングパッド１１２は、ボンディングワイヤ１３０
により対応するチップ接着部１２６ａに電気的に接続さ
れる。
ンディングパッド１１２は、ボンディングワイヤ１３０
により対応するチップ接着部１２６ａに電気的に接続さ
れる。
【００５５】半導体チップ１１０と、内部リード１２６
と、ボンディングワイヤ１３０を含む電気的接続部と
を、外部環境から保護するため、エポキシ系の成形樹脂
で封止することにより、個別パッケージ胴体１４０を得
る。内部リード１２６と一体に形成される外部リード１
２４は、パッケージ胴体１４０から外部に突出し、基板
への実装に適合するようにＪ字形状で折曲される。
と、ボンディングワイヤ１３０を含む電気的接続部と
を、外部環境から保護するため、エポキシ系の成形樹脂
で封止することにより、個別パッケージ胴体１４０を得
る。内部リード１２６と一体に形成される外部リード１
２４は、パッケージ胴体１４０から外部に突出し、基板
への実装に適合するようにＪ字形状で折曲される。
【００５６】図７は、本発明の他の実施例によるＬＯＣ
パッケージを示す断面図である。図７において、本発明
の他の実施例によるＬＯＣパッケージ３００では、内部
リード２２６の上面は扁平であり、内部リード２２６の
下面は段差を有する。すなわち、基端部２２６ｂの下面
は、外部リード２２４の下面と同一の高さを有するが、
チップ接着部２２６ａの下面は、切削装置１７０により
切削されるため、チップ接続部２２６ａは基端部２２６
ｂより小さい厚さを有する。本実施例の他の構造は、図
６のパッケージと同様である。
パッケージを示す断面図である。図７において、本発明
の他の実施例によるＬＯＣパッケージ３００では、内部
リード２２６の上面は扁平であり、内部リード２２６の
下面は段差を有する。すなわち、基端部２２６ｂの下面
は、外部リード２２４の下面と同一の高さを有するが、
チップ接着部２２６ａの下面は、切削装置１７０により
切削されるため、チップ接続部２２６ａは基端部２２６
ｂより小さい厚さを有する。本実施例の他の構造は、図
６のパッケージと同様である。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
内部リードのチップ接着部の厚さを減少することによ
り、半導体チップの上面に接着されるチップ接着部の幅
及び間隔を減少させることができるので、同一の容量を
有するより小さな半導体チップに適用することが可能と
なる。
内部リードのチップ接着部の厚さを減少することによ
り、半導体チップの上面に接着されるチップ接着部の幅
及び間隔を減少させることができるので、同一の容量を
有するより小さな半導体チップに適用することが可能と
なる。
【図１】本発明によるＬＯＣ用リードフレームの製造工
程を示す斜視図である。
程を示す斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿って切断した断面図であ
る。
る。
【図３】本発明によるＬＯＣ用リードフレームと半導体
チップ間のワイヤボンディングを示す平面図である。
チップ間のワイヤボンディングを示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿って切断した断面図であ
る。
る。
【図５】図３の内部リードを示す拡大斜視図である。
【図６】本発明の実施例による封止されたＬＯＣパッケ
ージを示す断面図である。
ージを示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施例によるＬＯＣパッケージを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】従来のＬＯＣパッケージを示す断面図である。
【図９】図８に図示した半導体チップとリードフレーム
間のワイヤボンディングを示す平面図である。
間のワイヤボンディングを示す平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図であ
る。
る。
【図１１】図９の内部リードを示す拡大斜視図である。
１１０， ２１０ 半導体チップ １２０， ２２０ リード １２６ａ， ２２６ａ チップ接着部 １２６ｂ， ２２６ｂ 内部リード基端部 １３０， ２３０ ボンディングワイヤ １４０， ２４０ パッケージ胴体 １５０， ２５０ ポリイミドテープ １７０ 切削装置 １８０ リードフレーム １８４ リードフレーム素材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宋 秉 錫 大韓民国京畿道水原市八達区梅灘４洞三星 １次アパート３洞603号
Claims (16)
- 【請求項１】 チップ上面の中央部に複数のボンディン
グパッドが設けられる半導体チップと、 前記チップの上面に接着されるチップ接着部と、該チッ
プ接着部と一体に形成される基端部とを有する複数の内
部リードと、 前記内部リードと一体に形成される複数の外部リード
と、 前記内部リードと前記ボンディングパッドとを接続する
複数のボディングワイヤと、 前記チップ、前記内部リード及び前記ボンディングワイ
ヤを封止する封止手段とを含み、 前記チップ接着部の厚さが、前記外部リードの厚さより
小さいことを特徴とするＬＯＣパッケージ。 - 【請求項２】 前記チップ接着部の幅及び間隔は、チッ
プ接着部の厚さの８０％以下であることを特徴とする請
求項１に記載のＬＯＣパッケージ。 - 【請求項３】 前記内部リードの下面は、扁平であり、
その上面は、段差を有し、また、基端部の上面は、外部
リードと同一の高さを有し、チップ接着部の上面は、基
端部より小さい高さを有することを特徴とする請求項１
に記載のＬＯＣパッケージ。 - 【請求項４】 前記チップ接着部は、切削装置により切
削することにより形成されることを特徴とする請求項１
に記載のＬＯＣパッケージ。 - 【請求項５】 前記チップ接着部は、エッチング法によ
り形成されることを特徴とする請求項１に記載のＬＯＣ
パッケージ。 - 【請求項６】 前記内部リードの上面は、扁平であり、
その下面は、段差を有し、また、基端部の下面は、外部
リードと同一の高さを有し、チップ接着部の下面は、基
端部より低い高さを有することを特徴とする請求項１に
記載のＬＯＣパッケージ。 - 【請求項７】 前記チップ接着部が、切削装置により切
削することにより形成されることを特徴とする請求項６
に記載のＬＯＣパッケージ。 - 【請求項８】 前記チップ接着部は、エッチング法によ
り形成することを特徴とする請求項６に記載のＬＯＣパ
ッケージ。 - 【請求項９】 チップの上面に接着されるチップ接着部
と、チップ接着部と一体に形成される基端部とを有する
複数の内部リードと、 前記内部リードと一体に形成される複数の外部リード
と、 リードフレームの対向する両端部に位置するサイドレー
ルと、 前記両サイドレールに連結されるタイバーとを含み、 前記チップ接着部の厚さが、前記外部リードの厚さより
小さいことを特徴とするＬＯＣ用リードフレーム。 - 【請求項１０】 前記チップ接着部の幅及び間隔は、チ
ップ接着部の厚さの８０％以下であることを特徴とする
請求項９に記載のＬＯＣ用リードフレーム。 - 【請求項１１】 前記内部リードの下面は、扁平であ
り、その上面は、段差を有し、また、基端部の上面は、
外部リードと同一の高さを有し、チップ接着部の上面
は、基端部より低い高さを有することを特徴とする請求
項９に記載のＬＯＣ用リードフレーム。 - 【請求項１２】 前記チップ接着部は、切削装置により
切削することにより形成されることを特徴とする請求項
９に記載のＬＯＣ用リードフレーム。 - 【請求項１３】 前記チップ接着部は、エッチング法に
より形成されることを特徴とする請求項９に記載のＬＯ
Ｃ用リードフレーム。 - 【請求項１４】 前記内部リードの上面は、扁平であ
り、その下面は、段差を有し、また、基端部の下面は、
外部リードと同一の高さを有し、チップ接着部の下面
は、基端部より低い高さを有することを特徴とする請求
項９に記載のＬＯＣ用リードフレーム。 - 【請求項１５】 前記チップ接着部は、切削装置により
切削することにより形成されることを特徴とする請求項
１４に記載のＬＯＣ用リードフレーム。 - 【請求項１６】 前記チップ接着部は、エッチング法に
より形成されることを特徴とする請求項１４に記載のＬ
ＯＣ用リードフレーム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996-45111 | 1996-10-10 | ||
| KR1019960045111A KR19980026609A (ko) | 1996-10-10 | 1996-10-10 | 리드 온 칩용 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125845A true JPH10125845A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=19476983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9198600A Pending JPH10125845A (ja) | 1996-10-10 | 1997-07-24 | Ｌｏｃ用リードフレーム及びそれを用いた半導体チップパッケージ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125845A (ja) |
| KR (1) | KR19980026609A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285074B2 (en) | 1997-08-25 | 2001-09-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6320248B1 (en) | 1998-12-17 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Lead frame and method of fabricating semiconductor device including the lead frame |
| KR100359361B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2002-10-31 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 리드 프레임 및 이를 포함한 반도체 장치의 제조방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020031719A (ko) * | 2000-10-23 | 2002-05-03 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 구조 |
-
1996
- 1996-10-10 KR KR1019960045111A patent/KR19980026609A/ko not_active Ceased
-
1997
- 1997-07-24 JP JP9198600A patent/JPH10125845A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285074B2 (en) | 1997-08-25 | 2001-09-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6297545B1 (en) | 1997-08-25 | 2001-10-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6320248B1 (en) | 1998-12-17 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Lead frame and method of fabricating semiconductor device including the lead frame |
| KR100359361B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2002-10-31 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 리드 프레임 및 이를 포함한 반도체 장치의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980026609A (ko) | 1998-07-15 |
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