JPH10127792A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】患部の厚さの変化に合わせてエネルギー幅分布
を作ることができ、患部を精度よく照射できる荷電粒子
ビーム装置を提供する。 【解決手段】荷電粒子ビーム装置は、前段加速器９８，
シンクロトロン型の加速器１００，回転照射装置１１０
および制御装置群１４０から構成される。低エネルギー
のイオンが前段加速器９８から加速器１００に入射さ
れ、加速器１００において加速された後、治療室１０３
内の回転照射装置１１０に出射されて、イオンビームが
治療に用いられる。照射制御装置１３０は、加速器１０
０から回転照射装置110への荷電粒子ビームの出射を制
御し、ビームエネルギーがＥi となるようにレンジシフ
ター５０５を移動させ、ビームエネルギー幅がΔＥi と
なるようにリッジフィルター５０３を移動させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビームを
癌治療や患部の診断に利用する荷電粒子ビーム装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来における荷電粒子ビーム装置に関し
ては、特開平7−148277 号に記されている。

【０００３】癌治療や患部の診断に使用する荷電粒子ビ
ーム装置は、照射深さを荷電粒子ビームのエネルギーに
より変えられる効果を利用する。患部５００を正確に照
射するために、従来、図１２に示すボーラス５０１やリ
ッジフィルター５０２が使用されてきた。ボーラス５０
１は、荷電粒子ビームの到達深さが下流側の患部形状に
合致するようにビームエネルギーの最大値の空間分布を
調整する装置である。図３のリッジフィルター５０２
は、ビームにエネルギー幅を持たせる装置で、リッジフ
ィルターの山の部分でエネルギーの最低値が決まり、リ
ッジフィルターの谷の部分でエネルギーの最高値が決ま
り、エネルギー幅が不均一になるように山の部分と谷の
部分の組み合わせが不均一にされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上のような、リッジ
フィルター５０２を使った従来の荷電粒子ビーム装置で
は、複雑な厚さ分布を持つ患部を治療する際、患部の厚
さの変化に合致したエネルギー幅分布を作ることが困難
で、患部の精度の良い照射が困難になる問題があった。

【０００５】本発明の目的は、患部の厚さの変化に合わ
せてエネルギー幅分布を作ることができ、患部を精度よ
く照射できる荷電粒子ビーム装置を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の特徴は、移動手段が、エネルギー幅の変化率を持つ
ように山と谷を有するリッジフィルターを移動すること
にある。この特徴によれば、移動手段がリッジフィルタ
ーを移動させ、荷電粒子ビームの通過位置を変えて、通
過する荷電粒子ビームのエネルギー幅を変えることがで
きる。また、本発明の他の特徴は、移動手段が、通過し
た荷電粒子ビームが互いに異なるエネルギー幅を持つ複
数のリッジフィルターを移動させることにあり、移動手
段が複数のリッジフィルターを移動させて、同様の作用
を生じる。

【０００７】本発明の他の特徴は、制御装置が、通過す
る荷電粒子ビームのエネルギー幅が照射目標の厚さに対
応するように、リッジフィルターを移動させることにあ
る。この特徴によれば、照射目標の厚さの変化に合わせ
てエネルギー幅分布を作ることができ、照射対象が複雑
な形状をしている場合にも、照射対象の全体を精度よく
照射できる。また、本発明の他の特徴である、制御手段
が、通過する荷電粒子ビームのエネルギー幅が照射目標
の厚さに対応するように、複数のリッジフィルターのう
ち少なくとも１つを選び、選ばれたリッジフィルターを
移動させることによっても、同様の作用を生じる。

【０００８】さらに、本発明の他の特徴は、荷電粒子ビ
ームの照射位置を変更するときに制御装置がリッジフィ
ルターを移動させることにある。この特徴によれば、照
射位置ごとに照射目標の厚さに合わせてエネルギー幅分
布を作ることができるので、照射対象が複雑な形状をし
ている場合にも、照射対象の全体を精度よく照射でき
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】

（実施例１）本発明の第１の実施例の荷電粒子ビーム装
置を図１を用いて説明する。

【００１０】本実施例の荷電粒子ビーム装置は、前段加
速器９８，シンクロトロン型の加速器１００，回転照射
装置１１０および制御装置群１４０から主に構成され
る。低エネルギーのイオンが前段加速器９８から加速器
１００に入射され、加速器100において加速された後、
治療室１０３内の回転照射装置１１０に出射されて、イ
オンビームが治療に用いられる。

【００１１】加速器１００を構成する主な機器について
説明する。加速器１００は、加速器１００を周回する荷
電粒子ビームのベータトロン振動を共鳴状態にし、周回
する荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加して荷電粒子
ビームのベータトロン振動を増加し、共鳴の安定限界を
超えさせて加速器から出射する拡散共鳴出射法を利用し
てビーム出射を行う加速器である。

【００１２】加速器１００は、周回する荷電粒子ビーム
を曲げる偏向電磁石１４６，周回する荷電粒子ビームに
エネルギーを与える高周波加速空胴１４７，周回する荷
電粒子ビームのベータトロン振動数を定める４極電磁石
１４５，ベータトロン振動を共鳴状態にする多極電磁石
１１、および周回する荷電粒子ビームに高周波を印加し
てベータトロン振動を増加する出射用高周波印加装置１
２０を備えている。また、偏向電磁石１４６，４極電磁
石１４５、および多極電磁石１１に電流を、そして、高
周波加速空胴１４７に電力を供給する加速器用電源装置
１６５と、出射用高周波印加装置１２０に電力を供給す
る出射用高周波電源１６６を備える。

【００１３】回転照射装置１１０を説明する。回転照射
装置１１０は、加速器１００から出射された出射ビーム
を照射対象まで輸送するための４極電磁石１５０および
偏向電磁石１５１、および４極電磁石１５０および偏向
電磁石１５１に電流を供給する電源装置１７０を備え
る。

【００１４】回転照射装置１１０は、偏向電磁石１５１
よりも下流に照射ノズル１１１を備える。図２に照射ノ
ズル１１１を示す。照射ノズル１１１は、出射ビームを
ｘ方向およびｙ方向に動かすための電磁石２２０，２２
１を備える。ここで、ｘ方向は偏向電磁石１５１の偏向
面に平行な方向、ｙ方向は偏向電磁石１５１の偏向面に
垂直な方向である。電磁石２２０，２２１には電流を供
給する電源装置１６０が接続されている。電磁石２２
０，２２１の下流には、レンジシフター５０５とリッジ
フィルター５０３を設置する。レンジシフター５０５と
リッジフィルター５０３にはそれぞれ移動装置１６１，
１６２が接続されている。リッジフィルター５０３のさ
らに下流で、照射対象である患者の直前には、ビームの
照射線量分布を測定する照射線量モニター２００を設置
している。

【００１５】図４にレンジシフター５０５を示す。レン
ジシフター５０５を水平方向に移動させ、ビームの通過
位置の厚さを変えることにより、通過するビームのエネ
ルギーを変えることができる。

【００１６】図３にリッジフィルター５０３を示す。リ
ッジフィルター５０３は、ｘ方向に、山と谷が繰り返す
構造を有する。この山の部分を通過した粒子は、エネル
ギーの減少が大きく、谷の部分を通過した粒子は、エネ
ルギーの減少が少ない。従って、山の部分の高さと谷の
部分の厚さを適切に選ぶことにより、ビームのエネルギ
ーが変化する幅を選択できる。リッジフィルター５０３
は、谷の部分の厚さがｖで、ｘ0 からｘ1 までの山の高
さはｈ1 ，ｘ1 からｘ2 までの山の高さはｈ2とｘi+1
まで増加していく。ｙ方向（図面の奥行き方向）には、
同じ山と谷が並んでいる。荷電粒子ビームがｘ0 からｘ
1 の間を通るときビームエネルギー幅はΔＥ1 となり、
水平方向にｘi-1 からｘ1 の間を通るときビームエネル
ギー幅はΔＥi となる。

【００１７】ここで、患部の深さと荷電粒子ビームのエ
ネルギーとの関係を説明する。図５に体内の深さと荷電
粒子ビームの照射線量の関係の例を示す。図５の照射線
量のピークをブラッグピークと呼ぶ。患部への荷電粒子
ビームの照射はブラッグピークの位置で行われる。ブラ
ッグピークの位置は、荷電粒子ビームのエネルギーによ
り変化する。また、荷電粒子ビームのエネルギーに幅が
あると、ブラッグピークの位置にも幅ができる。従っ
て、患部の深さによってエネルギーを変え、患部の深さ
方向の厚みによってエネルギーに幅を持たせれば、深さ
方向に厚みを持つ患部の全部に荷電粒子ビームを照射す
ることができる。

【００１８】制御装置群１４０を説明する。制御装置群
１４０は、照射制御装置１３０，演算装置１３１，加速
器制御装置１３２を備える。

【００１９】照射制御装置１３０は、加速器１００から
回転照射装置１１０への荷電粒子ビームの出射と、患部
へ照射される荷電粒子ビームの照射位置やエネルギーを
制御するための制御装置である。加速器１００から回転
照射装置１１０へ出射された荷電粒子ビームは照射対象
に照射されるので、加速器１００からの出射を制御する
ことは、患部への荷電粒子ビームの照射を制御すること
になる。

【００２０】演算装置１３１は、照射制御装置１３０が
患部への荷電粒子ビームの照射を制御するために必要な
データを求める装置である。

【００２１】加速器制御装置１３２は、前段加速器９８
から加速器１００への荷電粒子ビームの出射，加速器１
００を周回する荷電粒子ビームの加速、および回転照射
装置１１０における荷電粒子ビームの輸送を制御するた
めの装置である。

【００２２】まず、演算装置１３１の役割について説明
し、次に照射制御装置１３０と加速器制御装置１３２に
よる荷電粒子ビーム装置の運転方法を説明する。

【００２３】演算装置１３１は、オペレーターから患部
の形状，深さ，必要な照射線量Ａ等の患部情報を入力さ
れる。演算装置１３１は、入力された患部情報に基づい
て、図６に示すように、患部の深さ方向の厚さに応じて
複数の領域Ｒi （ｉ＝１・・Ｎ）に分割し、領域Ｒi の
中心点Ｐi（ｉ＝１，２・・Ｍ）とその位置（Ｘi ，Ｙi
）を定める。演算装置１３１は、さらに、各領域Ｒの
患部の深さに応じて照射に適したビームエネルギーＥi
(ｉ＝１・・Ｎ）、加速器１００における加速エネルギ
ーＥb ，各ｉの患部の厚さに応じてエネルギー幅ΔＥi
を定める。加速エネルギーＥb を照射するビームエネル
ギーＥi(ｉ＝１・・Ｎ）の最大値より大きな値に選ぶ。
さらに、ビームエネルギーＥi とエネルギー幅ΔＥi の
照射ビームが得られるように、ビームが通過するレンジ
シフター５０５とリッジフィルター５０３の位置を調整
するための移動装置１６１，１６２の制御量を演算して
求める。さらに、中心点Ｐi,j と荷電粒子ビームの中心
とを合わせるために、電磁石２２０，２２１に供給され
る電流ＩＸi，ＩＹiを定める。

【００２４】演算装置１３１は、各領域Ｒi のビームエ
ネルギーＥi ,エネルギー幅ΔＥi ,加速エネルギーＥb
，中心点Ｐi ，中心点Ｐi の座標（ｘi ，ｙi ），目
標照射線量Ａi ，電流ＩＸi ，ＩＹi ，移動装置１６
１，１６２の制御量を照射制御装置１３０に出力する。

【００２５】本実施例の荷電粒子ビーム装置の運転方法
を図７に示す。

【００２６】（１）加速器制御装置１３２は、前段加速
器９８が荷電粒子ビームを出射するように、前段加速器
９８を制御する。

【００２７】（２）照射制御装置１３０は、記憶してい
たビームエネルギーＥb を加速器制御装置１３２に出力
する。

【００２８】（３）加速器制御装置１３２は、周回する
荷電粒子ビームをエネルギーＥb まで加速するために、
偏向電磁石１４６，４極電磁石１４５、および多極電磁
石１１に電流を供給するように、そして、高周波加速空
胴１４７に電力を供給するように、加速器用電源装置１
６５を制御する。

【００２９】（４）周回する荷電粒子ビームがエネルギ
ーＥb まで加速されたら、加速器制御装置１３２は、周
回する荷電粒子ビームのベータトロン振動を共鳴状態に
するために、４極電磁石１４５、および多極電磁石１１
に電流を供給するように、加速器用電源装置１６５を制
御する。

【００３０】４極電磁石１４５および多極電磁石１１に
所定の電流が供給されると、荷電粒子ビームのベータト
ロン振動に共鳴を起こさせる安定限界ができる。安定限
界内の荷電粒子ビームは安定に周回するが、安定限界を
越えた荷電粒子ビームはベータトロン振動に共鳴を起こ
す。

【００３１】（５）照射制御装置１３０は、荷電粒子ビ
ームの中心と中心点Ｐi とを合わせるために、電磁石２
２０，２２１に電流ＩＸi ，ＩＹi を供給するように、
電源装置１６０を制御する。

【００３２】（６）制御装置１３０は、移動装置１６１
を制御してレンジシフター５０５を移動させてビームエ
ネルギーがＥi となるように設定する。

【００３３】（７）制御装置１３０は、移動装置１６２
を制御してリッジフィルター５０３を移動させてビーム
エネルギー幅がΔＥi となるように設定する。

【００３４】（８）加速器制御装置１３２は、加速器１
００から回転照射装置１１０に出射される荷電粒子ビー
ムを照射対象である患部まで輸送するために、４極電磁
石１５０および偏向電磁石１５１に電流を供給するよう
に、電源装置１７０を制御する。

【００３５】（９）照射制御装置１３０は、目標照射線
量Ａi と照射線量モニター２００で測定された中心点Ｐ
i の照射線量を比較する。

【００３６】（１０）中心点Ｐi の照射線量が目標照射
線量Ａi に達していない場合は、照射制御装置１３０
は、加速器１００から回転照射装置１１０に出射を開始
するために、出射用高周波印加装置１２０に電力を供給
するように、出射用高周波電源１６６を制御する。

【００３７】出射用高周波印加装置１２０に電力が供給
されると、周回する荷電粒子ビームに高周波電磁界が印
加され、周回する荷電粒子ビームのベータトロン振動振
幅が増加する。ベータトロン振動振幅が増加して、ベー
タトロン振動の共鳴の安定限界を越えると荷電粒子ビー
ムは、加速器１００から回転照射装置１１０へ出射され
る。回転照射装置１１０において、荷電粒子ビームは領
域Ｒi に照射される。

【００３８】（１１）照射制御装置１３０は、目標照射
線量Ａi と照射線量モニター２００で測定された中心点
Ｐi の照射線量を比較する。中心点Ｐi の照射線量が目
標照射線量Ａi に達していない場合は出射を続ける。

【００３９】（１２）照射制御装置１３０は、中心点Ｐ
i の照射線量が目標照射線量Ａi に達していれば出射を
停止するように、出射用高周波電源１６６を制御する。
そして次の領域Ｒi+1 の中心点Ｐi+1 に荷電粒子ビーム
の中心を合わせるように電源装置１６０を制御する。

【００４０】（１３）領域Ｒi の照射から領域Ｒi+1 の
照射へ移る際に、加速器１００を周回しているビームを
利用できる場合は、（５）からの運転を行い、ビーム
量，出射時間が不足する場合は、荷電粒子ビームを補給
するために（１）からの運転を行う。

【００４１】（１４）全ての領域Ｒiを照射したら、荷
電粒子ビーム装置の運転を終了する。上記実施例では、
レンジシフター５０５を移動させて、エネルギーを調整
しているが、患者直前においてボーラスによりエネルギ
ー補償を行ってもよい。また、上記実施例では、コリメ
ータによるビーム整形を行っていないが、コリメータを
使えばより安全性の高い治療が行える。

【００４２】また、本実施例では、レンジシフター５０
５を移動させてエネルギーを調整しているが、レンジシ
フター５０５を用いないで加速器１００において周回す
る荷電粒子ビームのエネルギーを変更してもよい。

【００４３】また、本実施例では、照射装置へのビーム
供給、及び停止をシンクロトロンでの出射と停止によっ
て行っているが、ビーム輸送系１７１に高速応答の電磁
石を設置し、照射装置へのビーム供給、及び停止を行っ
てもよい。

【００４４】本実施例によれば、照射目標が複雑な形状
をしている場合にも、ビームエネルギー幅を適切に調整
でき、精度よく患部を照射できる。また、照射線量が目
標に達するまで照射を継続するため、ビーム強度が時間
的に変化した場合でも、患部にビームの密度を一様に照
射できる。

【００４５】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
を説明する。図８に示すように、本施例では、患部を複
数位置に分けて照射するために、患者をｘ方向に移動さ
せるベッド２２２を使用する。ベッド２２２には駆動装
置２２３が接続されている。図９に示すように、照射ノ
ズル１１１では照射位置をｙ方向に移動させる電磁石２
２１を使用する。リッジフィルター５０４は、図１０に
示すように、一定のエネルギー変化幅、即ち、山と谷が
一定のものを、変化幅が異なるように複数種類用いる。

【００４６】演算装置１３１は、第１の実施例で電磁石
２２０に供給される電流ＩＸi を定める代わりに、ベッ
ド２２２を動かすための駆動装置２２３の制御量を定
め、照射制御装置１３０に出力する。また、演算装置１
３１は、領域Ｒi に必要なエネルギー幅を実現するリッ
ジフィルター５０４の組み合わせを調整するための移動
装置１６２の制御量を演算して求め、照射制御装置１３
０に出力する。

【００４７】本実施例の荷電粒子ビーム装置の運転方法
を図１１に示す。（５）と（７）以外は第１の実施例と
同じである。

【００４８】（５）で、照射制御装置１３０は、荷電粒
子ビームの中心と中心点Ｐi とを合わせるために、駆動
装置２２３を制御し、電磁石２２１に電流ＩＹi を供給
するように電源装置１６０を制御する。

【００４９】（７）で、領域Ｒi の照射に必要なビーム
エネルギー幅を得るために、制御装置１３０は、適切な
リッジフィルター５０４を選ぶように移動装置１６２を
制御し、リッジフィルター５０４を移動させてビームエ
ネルギー幅がΔＥi となるように設定する。

【００５０】本実施例においても、実施例１で説明した
ように、レンジシフター５０５を用いないで、加速器１
００において荷電粒子ビームのエネルギーを変えてもよ
い。本実施例によれば、第１の実施例と同様に照射目標
が複雑な形状をしている場合にも、ビームエネルギー幅
を適切に調整でき、精度よく患部を照射できる。また、
照射線量が目標に達するまで照射を継続するため、ビー
ム強度が時間的に変化した場合でも、患部にビームの密
度を一様に照射できる。

【００５１】また、上記した第１の実施例および第２の
実施例では、加速手段にシンクロトロン型の加速器１０
０を用いた例を示したが、加速手段にサイクロトロンを
用いた場合にも、イオン源からサイクロトロンへのビー
ム供給，停止を切り換えることを行えば、本実施例と同
様に患部への荷電粒子ビームの照射を制御することがで
き、本実施例と同様の作用効果を得ることができる。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、移動手段がリッジフィ
ルターを移動させることにより、荷電粒子ビームの通過
位置を変えて、通過する荷電粒子ビームのエネルギー幅
を変えることができる。

【００５３】また、制御装置が通過する荷電粒子ビーム
のエネルギー幅が照射目標の厚さに対応するように、リ
ッジフィルターを移動させることにより、照射目標の厚
さの変化に合わせてエネルギー幅分布を作ることがで
き、照射対象が複雑な形状をしている場合にも、照射対
象の全体を精度よく照射できる。

【００５４】また、制御装置が荷電粒子ビームの照射位
置を変更するときにリッジフィルターを移動させること
により、照射位置ごとに照射目標の厚さに合わせてエネ
ルギー幅分布を作ることができるので、照射対象が複雑
な形状をしている場合にも、照射対象の全体を精度よく
照射できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の荷電粒子ビーム照射装置を示す
図である。

【図２】第１の実施例の照射ノズル１１１を示す図であ
る。

【図３】第１の実施例のリッジフィルター５０３を示す
図である。

【図４】レンジシフター５０５を示す図である。

【図５】ブラッグピークを示す概念図である。

【図６】患部と領域Ｒi を説明する図である。

【図７】第１の実施例の荷電粒子ビーム照射装置の運転
方法を示す図である。

【図８】第２の実施例の荷電粒子ビーム照射装置を示す
図である。

【図９】第２の実施例の照射ノズル１１１を示す図であ
る。

【図１０】第２の実施例のリッジフィルター５０４を示
す図である。

【図１１】第２の実施例の荷電粒子ビーム照射装置の運
転方法を示す図である。

【図１２】従来のボーラスとリッジフィルターを示す図
である。

【符号の説明】

１１…多極電磁石、９８…前段加速器、９９…照射野、
１００…加速器、101…ｘ方向走査電磁石、１０２…ｙ
方向走査電磁石、１０３…治療室、１１０…回転照射装
置、１２０…出射用高周波印加装置、１３０…照射制御
装置、１３１…演算装置、１３３…照射領域形成部、１
３４…エネルギー計算部、１３５…照射線量計算部、１
３６…電磁石電流計算、１４０…制御装置群、１４５…
４極電磁石、１４６…偏向電磁石、１４７…高周波加速
空胴、１５０…４極電磁石、151…偏向電磁石、１６０
…電源装置、１６１，１６２…移動装置、１６５…加速
器用電源装置、１６６…出射用高周波電源、１７０…電
源装置、１７１…輸送系、２００…照射線量モニター、
２２０，２２１…電磁石、２２２…患者ベッド、２２３
…駆動装置、５００…患部、５０１…ボーラス、５０
２，５０３，５０４…リッジフィルター、５０５…レン
ジシフター。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】荷電粒子ビームを加速する手段と、前記荷
   電粒子ビームをエネルギーを変更する手段と、前記荷電
   粒子ビームを照射目標に照射する照射装置を備え、前記
   照射装置は、前記荷電粒子ビームが通過する位置によっ
   て通過した前記荷電粒子ビームのエネルギー幅が異なる
   ように、不均一な山と谷を有するリッジフィルターを有
   する荷電粒子ビーム装置において、 前記リッジフィルターは前記荷電粒子ビームの進行方向
   と垂直な方向に前記エネルギー幅の変化率を持つように
   山と谷を有し、 前記荷電粒子ビームの進行方向と垂直な方向に前記リッ
   ジフィルターを移動する移動手段を備えることを特徴と
   する荷電粒子ビーム装置。
2. 【請求項２】前記リッジフィルターを通過する前記荷電
   粒子ビームのエネルギー幅が前記荷電粒子ビームの進行
   方向の前記照射目標の厚さに対応するように、前記移動
   手段を制御する制御装置を備えることを特徴とする請求
   項１の荷電粒子ビーム装置。
3. 【請求項３】荷電粒子ビームを加速する手段と、前記荷
   電粒子ビームをエネルギーを変更する手段と、前記荷電
   粒子ビームを照射目標に照射する照射装置を備え、前記
   照射装置は、前記荷電粒子ビームが通過する位置によっ
   て通過した前記荷電粒子ビームのエネルギー幅が異なる
   ように、不均一な山と谷を有するリッジフィルターを有
   する荷電粒子ビーム装置において、 前記リッジフィルターは、通過した前記荷電粒子ビーム
   が互いに異なるエネルギー幅を持つ複数のリッジフィル
   ターであり、 前記荷電粒子ビームの進行方向と垂直な方向に前記リッ
   ジフィルターを移動する移動手段を備えることを特徴と
   する荷電粒子ビーム装置。
4. 【請求項４】前記リッジフィルターを通過する前記荷電
   粒子ビームのエネルギー幅が前記荷電粒子ビームの進行
   方向の前記照射目標の厚さに対応するように、複数の前
   記リッジフィルターのうち少なくとも１つを選び、選ば
   れた前記リッジフィルターを移動させるように前記移動
   手段を制御する制御装置を備えることを特徴とする請求
   項３の荷電粒子ビーム装置。
5. 【請求項５】前記制御装置は、前記荷電粒子ビームの照
   射位置を変更するときに前記移動手段を制御することを
   特徴とする請求項２または請求項４の荷電粒子ビーム装
   置。