JPH1012924A - 半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタ - Google Patents
半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタInfo
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- JPH1012924A JPH1012924A JP7806097A JP7806097A JPH1012924A JP H1012924 A JPH1012924 A JP H1012924A JP 7806097 A JP7806097 A JP 7806097A JP 7806097 A JP7806097 A JP 7806097A JP H1012924 A JPH1012924 A JP H1012924A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＮのエピタキシャル成長を、基板とすぐ
れた整合性をもって行うことができた半導体積層構造を
提供する。 【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する基板１上
に、少なくとも１層以上のＧａＮ系化合物半導体層を形
成してなる半導体積層構造であって、その基板１の主面
が（１１１）、または（１１０）、あるいは（００１）
結晶面よりなる構成とする。
れた整合性をもって行うことができた半導体積層構造を
提供する。 【解決手段】 ペロブスカイト構造を有する基板１上
に、少なくとも１層以上のＧａＮ系化合物半導体層を形
成してなる半導体積層構造であって、その基板１の主面
が（１１１）、または（１１０）、あるいは（００１）
結晶面よりなる構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体発光
装置等に適用して好適な半導体積層構造、特にＡｌ，
Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以上とＮとを含むＧａＮ
系化合物半導体層を有する半導体積層構造、半導体発光
装置および電界効果トランジスタに係わる。
装置等に適用して好適な半導体積層構造、特にＡｌ，
Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以上とＮとを含むＧａＮ
系化合物半導体層を有する半導体積層構造、半導体発光
装置および電界効果トランジスタに係わる。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系III-V 族結晶は、その組成によ
ってバンドギャップエネルギーを１．９５〜６．２ｅＶ
まで変化させることができることから、緑色から紫外に
かけての広い波長範囲に渡る半導体発光装置材料として
注目されている。
ってバンドギャップエネルギーを１．９５〜６．２ｅＶ
まで変化させることができることから、緑色から紫外に
かけての広い波長範囲に渡る半導体発光装置材料として
注目されている。
【０００３】特に、近年、ＧａＮを使った高輝度の発光
ダイオードＬＥＤが実現されるに及んでその研究が著し
く盛んとなっている。
ダイオードＬＥＤが実現されるに及んでその研究が著し
く盛んとなっている。
【０００４】現在、ＧａＮ系材料の基板として一般にサ
ファイア結晶（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）が広く用いられている
が、ＧａＮとサファイア結晶との間に１６．１％という
大きな格子不整合が存在し、また、両者は熱膨張係数も
異なることから、必ずしも最適の基板ではない。この大
きな格子不整は、結晶成長させたＧａＮ中の転位密度を
増加させ、非発光センターの増加や、発光再結合寿命の
減少を通じて、特に高電流注入を行う必要があるレーザ
ーダイオードをはじめとした様々な素子の特性に重大な
影響を与えることが考えられる。
ファイア結晶（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）が広く用いられている
が、ＧａＮとサファイア結晶との間に１６．１％という
大きな格子不整合が存在し、また、両者は熱膨張係数も
異なることから、必ずしも最適の基板ではない。この大
きな格子不整は、結晶成長させたＧａＮ中の転位密度を
増加させ、非発光センターの増加や、発光再結合寿命の
減少を通じて、特に高電流注入を行う必要があるレーザ
ーダイオードをはじめとした様々な素子の特性に重大な
影響を与えることが考えられる。
【０００５】そこで、ＧａＮ系III-V 族化合物半導体の
積層構造において、これの成長基板としての、サファイ
ア基板に代わるものとして、６Ｈ−ＳｉＣ基板、Ｓｉ基
板、ＧａＡｓ基板、ＺｎＯ基板、ＭｇＯ基板、ＭｇＡｌ
2 Ｏ4 基板等が検討されているが、それぞれの結晶での
長所短所を有し、サファイア基板と置き換えることので
きる程度にすぐれた基板、したがって、ＧａＮ系化合物
半導体の積層構造は、未だ提案されていない。
積層構造において、これの成長基板としての、サファイ
ア基板に代わるものとして、６Ｈ−ＳｉＣ基板、Ｓｉ基
板、ＧａＡｓ基板、ＺｎＯ基板、ＭｇＯ基板、ＭｇＡｌ
2 Ｏ4 基板等が検討されているが、それぞれの結晶での
長所短所を有し、サファイア基板と置き換えることので
きる程度にすぐれた基板、したがって、ＧａＮ系化合物
半導体の積層構造は、未だ提案されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＧａＮ系材
料、特にＧａＮのエピタキシャル成長を良好に、すなわ
ちすぐれた整合性をもって行うことができる半導体積層
構造、半導体積層構造を有する半導体発光装置および電
界効果トランジスタを提供するものである。
料、特にＧａＮのエピタキシャル成長を良好に、すなわ
ちすぐれた整合性をもって行うことができる半導体積層
構造、半導体積層構造を有する半導体発光装置および電
界効果トランジスタを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体積層
構造は、ペロブスカイト構造を有する基板上に、少なく
とも１層以上のＡｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以
上とＮとを含む化合物半導体層を形成してなる半導体積
層構造であって、その基板の主面が（１１１）、または
（１１０）、あるいは（００１）結晶面よりなる構成と
する。
構造は、ペロブスカイト構造を有する基板上に、少なく
とも１層以上のＡｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以
上とＮとを含む化合物半導体層を形成してなる半導体積
層構造であって、その基板の主面が（１１１）、または
（１１０）、あるいは（００１）結晶面よりなる構成と
する。
【０００８】この構成による半導体積層構造は、基板上
に直接的に、目的とするＧａＮ系III-V 族半導体層を、
基板と良く整合して、したがって結晶欠陥がきわめて少
ない、高品質のＧａＮ系半導体層を良好にエピタキシャ
ル成長させることができることから、各種半導体装置、
例えば発光特性にすぐれた半導体発光装置を構成するこ
とができる。
に直接的に、目的とするＧａＮ系III-V 族半導体層を、
基板と良く整合して、したがって結晶欠陥がきわめて少
ない、高品質のＧａＮ系半導体層を良好にエピタキシャ
ル成長させることができることから、各種半導体装置、
例えば発光特性にすぐれた半導体発光装置を構成するこ
とができる。
【０００９】また、本発明による半導体発光装置は、Ａ
ｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以上とＮを含む化合
物半導体層を少なくとも１層以上含む半導体発光装置で
あって、半導体発光装置はイットリウム・アルミニウム
・ペロブスカイト（以下ＹＡＰという）からなる基板上
に形成される。
ｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以上とＮを含む化合
物半導体層を少なくとも１層以上含む半導体発光装置で
あって、半導体発光装置はイットリウム・アルミニウム
・ペロブスカイト（以下ＹＡＰという）からなる基板上
に形成される。
【００１０】さらに本発明による電界効果トランジスタ
は、Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以上とＮとを
含む化合物半導体層を少なくとも１層以上含む電界効果
型トランジスタであって、この電界効果トランジスタは
ＹＡＰ基板上に形成される。
は、Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以上とＮとを
含む化合物半導体層を少なくとも１層以上含む電界効果
型トランジスタであって、この電界効果トランジスタは
ＹＡＰ基板上に形成される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明による半導体積層構造の実
施の形態を説明する。本発明による半導体積層構造は、
特にペロブスカイト構造型基板、具体的にはペロブスカ
イト構造型ＹＡｌＯ3 （ＹＡＰ：Yttrium Aluminium Pe
rovskite）結晶基板上にＧａＮ系III-V 族化合物半導体
層をエピタキシーする構成が採られる。
施の形態を説明する。本発明による半導体積層構造は、
特にペロブスカイト構造型基板、具体的にはペロブスカ
イト構造型ＹＡｌＯ3 （ＹＡＰ：Yttrium Aluminium Pe
rovskite）結晶基板上にＧａＮ系III-V 族化合物半導体
層をエピタキシーする構成が採られる。
【００１２】このペロブスカイト構造型ＹＡｌＯ3 結晶
基板上に、エピタキシャル成長されたＧａＮ系III-V 族
化合物半導体は、一般に基板に対してｃ軸が垂直になる
六方晶構造を有している。
基板上に、エピタキシャル成長されたＧａＮ系III-V 族
化合物半導体は、一般に基板に対してｃ軸が垂直になる
六方晶構造を有している。
【００１３】特に、（１１１）ＹＡｌＯ3 結晶基板に
は、ＧａＮ系結晶例えばＧａＮ結晶、ＩｎＧａＮ結晶、
ＡｌＧａＮ結晶等の半導体層を、確実且つきわめて良好
にエピタキシャル成長させることができる。
は、ＧａＮ系結晶例えばＧａＮ結晶、ＩｎＧａＮ結晶、
ＡｌＧａＮ結晶等の半導体層を、確実且つきわめて良好
にエピタキシャル成長させることができる。
【００１４】ＹＡｌＯ3 結晶は、希土類とアルミニウム
の１：１複合酸化物ＬｎＡｌＯ3 （ここでＬｎは希土類
元素）の１つであり、図４に示すペロブスカイト型結晶
構造（格子定数ａ＝５．１８Å，ｂ＝５．３３Å，ｃ＝
７．３７Åの斜方晶構造）をもち、ＧａＮ系III-V 族半
導体のエピタキシャル成長用基板として次に挙げる幾つ
かの有益な特徴を有している。
の１：１複合酸化物ＬｎＡｌＯ3 （ここでＬｎは希土類
元素）の１つであり、図４に示すペロブスカイト型結晶
構造（格子定数ａ＝５．１８Å，ｂ＝５．３３Å，ｃ＝
７．３７Åの斜方晶構造）をもち、ＧａＮ系III-V 族半
導体のエピタキシャル成長用基板として次に挙げる幾つ
かの有益な特徴を有している。
【００１５】すなわち、ＹＡｌＯ3 結晶は、 １．後述するように、或る特定の結晶面における結晶構
造の格子定数が、六方晶ＧａＮのものに近い。 ２．熱膨張係数（１０×１０-6／℃）が、六方晶ＧａＮ
の熱膨張係数（５．６×１０-6／℃）に近い。 ３．後述するように、或る特定の結晶面における結晶構
造が六方晶ＧａＮのものに類似している。 ４．融点が１８７５℃という高い温度であり、融点より
低温では相転位は観測されない。 ということである。ここで、特に重要なことは、上記１
と３に挙げたような結晶構造と、格子整合性を有するこ
とである。
造の格子定数が、六方晶ＧａＮのものに近い。 ２．熱膨張係数（１０×１０-6／℃）が、六方晶ＧａＮ
の熱膨張係数（５．６×１０-6／℃）に近い。 ３．後述するように、或る特定の結晶面における結晶構
造が六方晶ＧａＮのものに類似している。 ４．融点が１８７５℃という高い温度であり、融点より
低温では相転位は観測されない。 ということである。ここで、特に重要なことは、上記１
と３に挙げたような結晶構造と、格子整合性を有するこ
とである。
【００１６】まず、本発明によつ半導体積層構造を構成
する、（１１１）ＹＡｌＯ3 結晶について考察する。
する、（１１１）ＹＡｌＯ3 結晶について考察する。
【００１７】〔１〕（１１１）ＹＡｌＯ3 結晶につい
て。 計算機を用いて結晶構造を解析したところ、（１１１）
面の結晶は、図５および図６に示す構造を有しているこ
とが判明した。この場合、結晶の空間群と報告されてい
る格子定数の値をもとに結晶構造を解析しており、結晶
の歪みは考慮していない。
て。 計算機を用いて結晶構造を解析したところ、（１１１）
面の結晶は、図５および図６に示す構造を有しているこ
とが判明した。この場合、結晶の空間群と報告されてい
る格子定数の値をもとに結晶構造を解析しており、結晶
の歪みは考慮していない。
【００１８】すなわち、この（１１１）面の結晶は、図
５に示すように、ＹとＡｌとＯの各原子が混在するＡ面
と、図６に示すように、Ｏ原子だけが存在するＢ面と、
Ａ面上のＹ原子，Ａｌ原子，Ｏ原子をＹ原子が最近接の
Ｏ原子に重なるように並進操作したＡ’面との３種類の
面が、ＡＢＡ’ＢＡＢＡ’ＢＡ・・・の順に積層してい
ることが判明した。
５に示すように、ＹとＡｌとＯの各原子が混在するＡ面
と、図６に示すように、Ｏ原子だけが存在するＢ面と、
Ａ面上のＹ原子，Ａｌ原子，Ｏ原子をＹ原子が最近接の
Ｏ原子に重なるように並進操作したＡ’面との３種類の
面が、ＡＢＡ’ＢＡＢＡ’ＢＡ・・・の順に積層してい
ることが判明した。
【００１９】ここではＡ面に注目する。Ａ面上のＹ原子
とＡｌ原子とは、図５で示されるように、図５において
縦方向に歪んだ六角形を形成する。この六角形の辺の長
さを見積もると、図５に記したように、ａ1 ＝３．１７
８Å，ａ2 ＝３．７１６Åとなる。
とＡｌ原子とは、図５で示されるように、図５において
縦方向に歪んだ六角形を形成する。この六角形の辺の長
さを見積もると、図５に記したように、ａ1 ＝３．１７
８Å，ａ2 ＝３．７１６Åとなる。
【００２０】一方、六方晶ＧａＮの（０００１）面上に
は、Ｇａ原子（もしくはＮ原子）が六角形を形成してお
り、この場合の各辺の長さａは同じであって、ａ＝３．
１８９Åとなっている。
は、Ｇａ原子（もしくはＮ原子）が六角形を形成してお
り、この場合の各辺の長さａは同じであって、ａ＝３．
１８９Åとなっている。
【００２１】これらＹＡｌＯ3 結晶とＧａＮ結晶とを比
較すると、同じ六角形をなし、またその辺の長さも近似
している。そこでＹＡｌＯ3 （１１１）Ａ面上で六角形
を形成するＹ原子とＡｌ原子が、ＧａＮの（０００１）
面上のＧａ原子もしくはＮ原子と結合することを考える
と、このときの格子不整の大きさΔａを、 Δａ＝〔ａ（ＧａＮ）−ａ（基板）〕／ａ（基板） （ここで、ａ（ＧａＮ）はＧａＮ結晶の格子定数、ａ
（基板）は基板の格子定数）で定義すると、ＹＡｌＯ3
（１１１）の格子定数ａ1 に対してのΔａ＝０．３％、
ＹＡｌＯ3 （１１１）の格子定数ａ2 に対してのΔａ＝
−１４．２％となる。
較すると、同じ六角形をなし、またその辺の長さも近似
している。そこでＹＡｌＯ3 （１１１）Ａ面上で六角形
を形成するＹ原子とＡｌ原子が、ＧａＮの（０００１）
面上のＧａ原子もしくはＮ原子と結合することを考える
と、このときの格子不整の大きさΔａを、 Δａ＝〔ａ（ＧａＮ）−ａ（基板）〕／ａ（基板） （ここで、ａ（ＧａＮ）はＧａＮ結晶の格子定数、ａ
（基板）は基板の格子定数）で定義すると、ＹＡｌＯ3
（１１１）の格子定数ａ1 に対してのΔａ＝０．３％、
ＹＡｌＯ3 （１１１）の格子定数ａ2 に対してのΔａ＝
−１４．２％となる。
【００２２】この格子不整は、前述したＧａＮのサファ
イア基板との格子不整の１６．１％に比して小さく、特
にＹＡｌＯ3 （１１１）の格子定数ａ1 に対してのΔａ
は、かなり小さい値を示している。
イア基板との格子不整の１６．１％に比して小さく、特
にＹＡｌＯ3 （１１１）の格子定数ａ1 に対してのΔａ
は、かなり小さい値を示している。
【００２３】また、上述の格子定数ａ1 に対する格子不
整Δａは、図７に示すＧａＮ系半導体と各種既存の結晶
成長用基板との格子定数の対比をみて明らかなように、
最もＧａＮの格子定数に近いことがわかる。
整Δａは、図７に示すＧａＮ系半導体と各種既存の結晶
成長用基板との格子定数の対比をみて明らかなように、
最もＧａＮの格子定数に近いことがわかる。
【００２４】したがって、この（１１１）ＹＡｌＯ3 結
晶面と六方晶ＧａＮ（０００１）結晶面との格子不整か
ら生じる全エネルギーは、冒頭に述べたサファイアとＧ
ａＮとの組み合わせのものより低下するとともに、これ
により発生する欠陥密度の低下が図られることが分か
る。
晶面と六方晶ＧａＮ（０００１）結晶面との格子不整か
ら生じる全エネルギーは、冒頭に述べたサファイアとＧ
ａＮとの組み合わせのものより低下するとともに、これ
により発生する欠陥密度の低下が図られることが分か
る。
【００２５】そして、実際に、ＭＢＥ（Molecular Beam
Epitaxy: 分子線エピタキシー）法によって、ＹＡｌＯ
3 （１１１）結晶の基板上に、ＧａＮ層を結晶成長した
ところ、そのＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折装置）で
ストリーク状のパターンが観察され、双晶も観察される
ことがなく、２次元成長が確認された。また、この場合
の結晶成長表面も鏡面であった。そして、ＲＨＥＥＤパ
ターンのストリークの間隔は、サファイア上にＧａＮを
結晶成長したときのものとほぼ一致することから、六方
晶のＧａＮ単結晶が（０００１）面を形成しながら成長
していることが確認された。したがって、前述の結晶構
造解析から分かるように、ＧａＮ（０００１）面の結晶
構造がＹＡｌＯ3 （１１１）面のものと良く似ているこ
とから、比較的格子整合したＧａＮ結晶がＹＡｌＯ3 結
晶基板上に形成されることが分かる。
Epitaxy: 分子線エピタキシー）法によって、ＹＡｌＯ
3 （１１１）結晶の基板上に、ＧａＮ層を結晶成長した
ところ、そのＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折装置）で
ストリーク状のパターンが観察され、双晶も観察される
ことがなく、２次元成長が確認された。また、この場合
の結晶成長表面も鏡面であった。そして、ＲＨＥＥＤパ
ターンのストリークの間隔は、サファイア上にＧａＮを
結晶成長したときのものとほぼ一致することから、六方
晶のＧａＮ単結晶が（０００１）面を形成しながら成長
していることが確認された。したがって、前述の結晶構
造解析から分かるように、ＧａＮ（０００１）面の結晶
構造がＹＡｌＯ3 （１１１）面のものと良く似ているこ
とから、比較的格子整合したＧａＮ結晶がＹＡｌＯ3 結
晶基板上に形成されることが分かる。
【００２６】また、このＧａＮの結晶性をみるために、
上述したＹＡｌＯ3 （１１１）面の基板上に、ＧａＮを
育成して、そのＸ線反射スペクトルとＰＬ（フォトルミ
ネセンス）スペクトルを測定した。図８および図９に、
それぞれそのＸ線反射スペクトルとＰＬスペクトルを示
す。これらはいづれも比較的半値幅が狭いスペクトルで
あり、良好な結晶性を有していることが確認された。特
に、ＰＬスペクトルは、サファイア基板上のＧａＮ結晶
の場合と同様、バンド端発光が支配的であり、深い準位
からの発光強度は弱い。さらに、その半値幅はサファイ
ア基板上のＧａＮより狭く、高品質のＧａＮが結晶成長
していることが確認された。
上述したＹＡｌＯ3 （１１１）面の基板上に、ＧａＮを
育成して、そのＸ線反射スペクトルとＰＬ（フォトルミ
ネセンス）スペクトルを測定した。図８および図９に、
それぞれそのＸ線反射スペクトルとＰＬスペクトルを示
す。これらはいづれも比較的半値幅が狭いスペクトルで
あり、良好な結晶性を有していることが確認された。特
に、ＰＬスペクトルは、サファイア基板上のＧａＮ結晶
の場合と同様、バンド端発光が支配的であり、深い準位
からの発光強度は弱い。さらに、その半値幅はサファイ
ア基板上のＧａＮより狭く、高品質のＧａＮが結晶成長
していることが確認された。
【００２７】このＹＡｌＯ3 （１１１）面に対するＧａ
Ｎの結晶成長は、ＭＢＥ法によった。この場合、ＹＡｌ
Ｏ3 （１１１）基板は、Ｍｏによる支持ブロック上に、
Ｉｎを介して接合し、これをＭＢＥ成長室に導入配置し
た。そして、まず、３００℃で５分間程度保持して、基
板や、Ｍｏブロック中の水分を除去した後、窒素ガスを
成長室に導入した。この窒素ガス流量は２cc／min で、
成長室の真空度は１×１０-4Torrに達した。ここでＥＣ
Ｒ（Electron Cyclotron Resonance) プラズマ発生装置
を駆動させ、窒素（Ｎ）をプラズマ化させた。このプラ
ズマ発生のために供給されたマイクロ波のエネルギーは
約４０Ｗであった。この窒素プラズマをＹＡｌＯ3 基板
に照射させながら、基板温度を８５０℃まで上昇させ
た。この窒素プラズマの照射時間は、約３０分間とし
た。その後、すでに昇温させてあった分子線源のＧａセ
ルのシャッターを開け、Ｇａビームと窒素プラズマを同
時にＹＡｌＯ3 基板に供給してＧａＮのエピタキシャル
成長を行った。このときのＧａのビームは、１．５×１
０-7Torrであった。
Ｎの結晶成長は、ＭＢＥ法によった。この場合、ＹＡｌ
Ｏ3 （１１１）基板は、Ｍｏによる支持ブロック上に、
Ｉｎを介して接合し、これをＭＢＥ成長室に導入配置し
た。そして、まず、３００℃で５分間程度保持して、基
板や、Ｍｏブロック中の水分を除去した後、窒素ガスを
成長室に導入した。この窒素ガス流量は２cc／min で、
成長室の真空度は１×１０-4Torrに達した。ここでＥＣ
Ｒ（Electron Cyclotron Resonance) プラズマ発生装置
を駆動させ、窒素（Ｎ）をプラズマ化させた。このプラ
ズマ発生のために供給されたマイクロ波のエネルギーは
約４０Ｗであった。この窒素プラズマをＹＡｌＯ3 基板
に照射させながら、基板温度を８５０℃まで上昇させ
た。この窒素プラズマの照射時間は、約３０分間とし
た。その後、すでに昇温させてあった分子線源のＧａセ
ルのシャッターを開け、Ｇａビームと窒素プラズマを同
時にＹＡｌＯ3 基板に供給してＧａＮのエピタキシャル
成長を行った。このときのＧａのビームは、１．５×１
０-7Torrであった。
【００２８】次に、（１１０）ＹＡｌＯ3 結晶およびＹ
ＡｌＯ3 結晶についてみる。
ＡｌＯ3 結晶についてみる。
【００２９】〔２〕（１１０）ＹＡｌＯ3 結晶につい
て。 計算機を用いて結晶構造を解析したところ、（１１０）
面の結晶は、図１０および図１１に示すような構造を有
していることが判明した。すなわち、Ａｌ原子と、Ｏ原
子とが混在するＡ面と、Ｙ原子と、Ｏ原子とが混在する
Ｂ面との２種類の面が、ＡＢＡＢＡ・・・の順に積み重
なっている。このときのＢ面に注目すると、Ｙ原子とＯ
原子とが六角形を形成していることが分かる。この六角
形も、図１０および図１１において、その縦方向に関し
て歪んでいて、この六角形の辺の長さを見積もると、図
１１に記したように、ａ1 ＝２．６１６Å，ａ2 ＝３．
６９９Åとなる。したがって、ＹＡｌＯ3 （１１０）面
と、ＧａＮ（０００１）面の格子不整の大きさは、前述
の定義式を用いると、ＹＡｌＯ3 （１１０）の格子定数
ａ1 に対してのΔａ＝２１．９％、ＹＡｌＯ3 （１１
０）の格子定数ａ2 に対してのΔａ＝−１３．８％が得
られた。これらは、格子不整の向きが反対であり、その
大きさが同程度であることから、サファイア基板上のＧ
ａＮの場合の格子不整の大きさが等方的でΔａ＝１６．
１％であることと比較すると、基板とＧａＮ結晶面の歪
みは緩和される可能性が示されている。
て。 計算機を用いて結晶構造を解析したところ、（１１０）
面の結晶は、図１０および図１１に示すような構造を有
していることが判明した。すなわち、Ａｌ原子と、Ｏ原
子とが混在するＡ面と、Ｙ原子と、Ｏ原子とが混在する
Ｂ面との２種類の面が、ＡＢＡＢＡ・・・の順に積み重
なっている。このときのＢ面に注目すると、Ｙ原子とＯ
原子とが六角形を形成していることが分かる。この六角
形も、図１０および図１１において、その縦方向に関し
て歪んでいて、この六角形の辺の長さを見積もると、図
１１に記したように、ａ1 ＝２．６１６Å，ａ2 ＝３．
６９９Åとなる。したがって、ＹＡｌＯ3 （１１０）面
と、ＧａＮ（０００１）面の格子不整の大きさは、前述
の定義式を用いると、ＹＡｌＯ3 （１１０）の格子定数
ａ1 に対してのΔａ＝２１．９％、ＹＡｌＯ3 （１１
０）の格子定数ａ2 に対してのΔａ＝−１３．８％が得
られた。これらは、格子不整の向きが反対であり、その
大きさが同程度であることから、サファイア基板上のＧ
ａＮの場合の格子不整の大きさが等方的でΔａ＝１６．
１％であることと比較すると、基板とＧａＮ結晶面の歪
みは緩和される可能性が示されている。
【００３０】そして、前述したＹＡｌＯ3 （１１１）結
晶基板に対するＧａＮのエピタキシャル成長と同様の方
法によって、このＹＡｌＯ3 （１１０）結晶基板上に、
ＧａＮのＭＢＥによる結晶成長を行ったところ、目視で
は鏡面成長がなされており、そのＲＨＥＥＤでストリー
ク状のパターンが観察され、ストリークの間隔は、Ｇａ
Ｎ（０００１）面上で観察されるものの１種類であるこ
とから、双晶のないＧａＮが（０００１）面を形成しな
がらエピタキシャル成長されていることが分かった。し
かしながら、ストリーク内部にスポットが見えることか
ら、平坦な２次元成長よりも３次元性を帯びた凹凸のあ
る結晶成長をしていることが分かる。したがって、前述
のＹＡｌＯ3 （１１１）面上に成長させたＧａＮにおけ
るような良質な結晶性は望めないが、ＹＡｌＯ3 （１１
０）面上にも（０００１）ＧａＮ結晶のエピタキシャル
成長が可能であることが分かった。
晶基板に対するＧａＮのエピタキシャル成長と同様の方
法によって、このＹＡｌＯ3 （１１０）結晶基板上に、
ＧａＮのＭＢＥによる結晶成長を行ったところ、目視で
は鏡面成長がなされており、そのＲＨＥＥＤでストリー
ク状のパターンが観察され、ストリークの間隔は、Ｇａ
Ｎ（０００１）面上で観察されるものの１種類であるこ
とから、双晶のないＧａＮが（０００１）面を形成しな
がらエピタキシャル成長されていることが分かった。し
かしながら、ストリーク内部にスポットが見えることか
ら、平坦な２次元成長よりも３次元性を帯びた凹凸のあ
る結晶成長をしていることが分かる。したがって、前述
のＹＡｌＯ3 （１１１）面上に成長させたＧａＮにおけ
るような良質な結晶性は望めないが、ＹＡｌＯ3 （１１
０）面上にも（０００１）ＧａＮ結晶のエピタキシャル
成長が可能であることが分かった。
【００３１】〔３〕（００１）ＹＡｌＯ3 （００１）結
晶について。 計算機を用いて結晶構造を解析したところ、（００１）
面の結晶は、図１２および図１３に示すような構造を有
していることが判明した。すなわち、Ａｌ原子と、Ｏ原
子とが混在するＡ面と、Ｙ原子と、Ｏ原子とが混在する
Ｂ面との２種類の面が、ＡＢＡＢＡ・・・の順に積み重
なっている。このときのＡ面に注目すると、Ｏ原子が六
角形を形成していることが分かる。この六角形も、図１
２および図１３において、示したように歪んでいて、こ
の六角形の辺の長さを見積もると、図１２に記したよう
に、ａ1 ＝２．５９Å，ａ2 ＝３．６６Åとなる。した
がって、ＹＡｌＯ3 （００１）面と、ＧａＮ（０００
１）面の格子不整の大きさは、前述の定義式を用いる
と、ＹＡｌＯ3 （００１）の格子定数ａ1 に対してのΔ
ａ＝−１２．９％、ＹＡｌＯ3 （００１）の格子定数ａ
2 に対してのΔａ＝２３．１％が得られた。これらは、
前述のＹＡｌＯ3 （１１０）面を用いた場合とＧａＮ結
晶面の歪が緩和され、後述するように、このＹＡｌＯ3
（００１）基板上に（０００１）ＧａＮのエピタキシャ
ル成長が可能である。
晶について。 計算機を用いて結晶構造を解析したところ、（００１）
面の結晶は、図１２および図１３に示すような構造を有
していることが判明した。すなわち、Ａｌ原子と、Ｏ原
子とが混在するＡ面と、Ｙ原子と、Ｏ原子とが混在する
Ｂ面との２種類の面が、ＡＢＡＢＡ・・・の順に積み重
なっている。このときのＡ面に注目すると、Ｏ原子が六
角形を形成していることが分かる。この六角形も、図１
２および図１３において、示したように歪んでいて、こ
の六角形の辺の長さを見積もると、図１２に記したよう
に、ａ1 ＝２．５９Å，ａ2 ＝３．６６Åとなる。した
がって、ＹＡｌＯ3 （００１）面と、ＧａＮ（０００
１）面の格子不整の大きさは、前述の定義式を用いる
と、ＹＡｌＯ3 （００１）の格子定数ａ1 に対してのΔ
ａ＝−１２．９％、ＹＡｌＯ3 （００１）の格子定数ａ
2 に対してのΔａ＝２３．１％が得られた。これらは、
前述のＹＡｌＯ3 （１１０）面を用いた場合とＧａＮ結
晶面の歪が緩和され、後述するように、このＹＡｌＯ3
（００１）基板上に（０００１）ＧａＮのエピタキシャ
ル成長が可能である。
【００３２】そして、前述したＹＡｌＯ3 （１１１）結
晶基板に対するＧａＮのエピタキシャル成長と同様の方
法によって、このＹＡｌＯ3 （００１）結晶基板上に、
ＧａＮのＭＢＥによる結晶成長を行ったところ、目視で
は鏡面成長がなされており、そのＲＨＥＥＤでストリー
ク状のパターンが観察され、ストリークの間隔は、Ｇａ
Ｎ（０００１）面上で観察されるものであることからＧ
ａＮが（０００１）面を形成しながらエピタキシャル成
長されていることが分かった。しかしながら、ストリー
ク内部にスポットが見えることから、平坦な２次元成長
よりも３次元性を帯びた凹凸のある結晶成長をしてお
り、双晶も存在している。したがって、前述のＹＡｌＯ
3 （１１１）面や、ＹＡｌＯ3 （１１０）面を用いた場
合のＧａＮエピタキシーにおけるほどに良質な結晶性は
望めないものの、このＹＡｌＯ3 （００１）面にも（０
００１）ＧａＮのエピタキシャル成長の可能性を示して
いる。
晶基板に対するＧａＮのエピタキシャル成長と同様の方
法によって、このＹＡｌＯ3 （００１）結晶基板上に、
ＧａＮのＭＢＥによる結晶成長を行ったところ、目視で
は鏡面成長がなされており、そのＲＨＥＥＤでストリー
ク状のパターンが観察され、ストリークの間隔は、Ｇａ
Ｎ（０００１）面上で観察されるものであることからＧ
ａＮが（０００１）面を形成しながらエピタキシャル成
長されていることが分かった。しかしながら、ストリー
ク内部にスポットが見えることから、平坦な２次元成長
よりも３次元性を帯びた凹凸のある結晶成長をしてお
り、双晶も存在している。したがって、前述のＹＡｌＯ
3 （１１１）面や、ＹＡｌＯ3 （１１０）面を用いた場
合のＧａＮエピタキシーにおけるほどに良質な結晶性は
望めないものの、このＹＡｌＯ3 （００１）面にも（０
００１）ＧａＮのエピタキシャル成長の可能性を示して
いる。
【００３３】尚、ＹＡｌＯ3 （１１１）基板、またはＹ
ＡｌＯ3 （１１０）、あるいはＹＡｌＯ3 （００１）基
板上にＧａＮ系化合物半導体層を形成した半導体積層構
造は、サファイア基板上に形成されたＧａＮ結晶のよう
に結晶方位の基板面内回転がないことから劈開が可能で
ある。劈開を行う場合の劈開面は、ＧａＮ結晶における
ｍ面またはａ面とすることが好ましい。基板上に形成し
たＧａＮ結晶のｍ面およびａ面と各面の基板との位置関
係を、図５、図１０、図１２および図１３にそれぞれ示
す。
ＡｌＯ3 （１１０）、あるいはＹＡｌＯ3 （００１）基
板上にＧａＮ系化合物半導体層を形成した半導体積層構
造は、サファイア基板上に形成されたＧａＮ結晶のよう
に結晶方位の基板面内回転がないことから劈開が可能で
ある。劈開を行う場合の劈開面は、ＧａＮ結晶における
ｍ面またはａ面とすることが好ましい。基板上に形成し
たＧａＮ結晶のｍ面およびａ面と各面の基板との位置関
係を、図５、図１０、図１２および図１３にそれぞれ示
す。
【００３４】本発明においては、ＹＡｌＯ3 （１１１）
結晶基板上にＧａＮ系化合物半導体層をエピタキシャル
成長して半導体積層構造を構成する。
結晶基板上にＧａＮ系化合物半導体層をエピタキシャル
成長して半導体積層構造を構成する。
【００３５】本発明によるＧａＮ系III-V 族化合物半導
体発光装置、例えば半導体レーザーに適用する場合の一
例を、図１の概略断面図を参照して説明する。
体発光装置、例えば半導体レーザーに適用する場合の一
例を、図１の概略断面図を参照して説明する。
【００３６】この例においては、ＹＡｌＯ3 結晶基板
１、特に望ましくは、（１１１）ＹＡｌＯ3 基板上に、
ＭＢＥ法、もしくはＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemic
al Vapor Deposition:有機金属化学的気相成長）法によ
って、必要に応じてＧａＮまたはＡｌＮあるいはＡｌＧ
ａＮによるバッファ層２をエピタキシャル成長し、続い
てすなわち連続的に、順次第１導電型例えばｎ型のＡｌ
0.15Ｇａ0.85Ｎによる第１クラッド層３、ＧａＮによる
活性層４、第２導電型例えばｐ型のＡｌ0.15Ｇａ 0.85Ｎ
による第２クラッド層５、これと同導電型のｐ型のＧａ
Ｎよりなるコンタクト層６とを順次エピタキシャル成長
する。
１、特に望ましくは、（１１１）ＹＡｌＯ3 基板上に、
ＭＢＥ法、もしくはＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemic
al Vapor Deposition:有機金属化学的気相成長）法によ
って、必要に応じてＧａＮまたはＡｌＮあるいはＡｌＧ
ａＮによるバッファ層２をエピタキシャル成長し、続い
てすなわち連続的に、順次第１導電型例えばｎ型のＡｌ
0.15Ｇａ0.85Ｎによる第１クラッド層３、ＧａＮによる
活性層４、第２導電型例えばｐ型のＡｌ0.15Ｇａ 0.85Ｎ
による第２クラッド層５、これと同導電型のｐ型のＧａ
Ｎよりなるコンタクト層６とを順次エピタキシャル成長
する。
【００３７】その後、第２クラッド層およびコンタクト
層６のキャリア活性化のためのアニールを行う。
層６のキャリア活性化のためのアニールを行う。
【００３８】そして、例えばフォトリソグラフィを用い
てＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によって、コンタ
クト層６側から第１クラッド層３に至る深さのエッチン
グを行って、クラッド層３の一部を外部に露呈し、ここ
に一方の電極例えばＴｉとＡｌとを積層被着して、アロ
イ処理を行ってクラッド層３にｎ側電極７をオーミック
にコンタクトする。
てＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によって、コンタ
クト層６側から第１クラッド層３に至る深さのエッチン
グを行って、クラッド層３の一部を外部に露呈し、ここ
に一方の電極例えばＴｉとＡｌとを積層被着して、アロ
イ処理を行ってクラッド層３にｎ側電極７をオーミック
にコンタクトする。
【００３９】一方、コンタクト層６上に絶縁膜８を形成
し、これに図１において紙面と直交する方向に延在する
ストライプ状の開口８Ｗを、例えばフォトリソグラフィ
によるエッチングによって穿設して、この開口８Ｗを通
じて例えばＮｉとＡｕの積層被着し、アロイ処理を行っ
てｐ側電極９をオーミックにコンタクトする。
し、これに図１において紙面と直交する方向に延在する
ストライプ状の開口８Ｗを、例えばフォトリソグラフィ
によるエッチングによって穿設して、この開口８Ｗを通
じて例えばＮｉとＡｕの積層被着し、アロイ処理を行っ
てｐ側電極９をオーミックにコンタクトする。
【００４０】このようなＧａＮ系化合物半導体の積層構
造によって構成したＧａＮ系半導体発光装置は、結晶性
にすぐれ、安定して信頼性の高い発光特性にすぐれた半
導体発光装置を構成できた。
造によって構成したＧａＮ系半導体発光装置は、結晶性
にすぐれ、安定して信頼性の高い発光特性にすぐれた半
導体発光装置を構成できた。
【００４１】尚、図１の構成では、クラッド層３を露呈
するエッチングを行って、ここに電極７の形成を行った
場合であるが、ＹＡｌＯ3 結晶基板１において、これに
不純物のドーピングも行って、基板１側から電極７の導
出を行うようにすることもでき、この場合には、この半
導体発光装置の製造の簡易化をはかることができる。
するエッチングを行って、ここに電極７の形成を行った
場合であるが、ＹＡｌＯ3 結晶基板１において、これに
不純物のドーピングも行って、基板１側から電極７の導
出を行うようにすることもでき、この場合には、この半
導体発光装置の製造の簡易化をはかることができる。
【００４２】また、本発明は、他のＧａＮ系半導体装置
に適用することができる。本発明にらる電界効果トラン
ジスタの一例を説明する。例えばMESFET(Metal Semicon
ductor Field Effect Transistor) に適用する場合の一
例を、図２の概略平面図、図３の概略断面図を参照して
説明する。
に適用することができる。本発明にらる電界効果トラン
ジスタの一例を説明する。例えばMESFET(Metal Semicon
ductor Field Effect Transistor) に適用する場合の一
例を、図２の概略平面図、図３の概略断面図を参照して
説明する。
【００４３】この場合においても、（１１１）ＹＡｌＯ
3 結晶基板上に、ＭＢＥ法、もしくはＭＯＣＶＤ法によ
って、必要に応じてＧａＮまたはＡｌＮによるバッファ
層１２をエピタキシャル成長し、続いてすなわち連続的
に、第１導電型例えばｎ型のＧａＮによるチャネル形成
の半導体層１３をエピタキシャル成長する。そして、図
示しないが、例えば複数のMESFETもしくは他の回路素子
を同一半導体層１３上に形成する場合には、これらの互
いに電気的に素子分離すべき部分に、例えばＲＩＥによ
る分離溝の形成、イオン注入等による素子分離領域の形
成を行う。
3 結晶基板上に、ＭＢＥ法、もしくはＭＯＣＶＤ法によ
って、必要に応じてＧａＮまたはＡｌＮによるバッファ
層１２をエピタキシャル成長し、続いてすなわち連続的
に、第１導電型例えばｎ型のＧａＮによるチャネル形成
の半導体層１３をエピタキシャル成長する。そして、図
示しないが、例えば複数のMESFETもしくは他の回路素子
を同一半導体層１３上に形成する場合には、これらの互
いに電気的に素子分離すべき部分に、例えばＲＩＥによ
る分離溝の形成、イオン注入等による素子分離領域の形
成を行う。
【００４４】そして、半導体層１３上に所要の間隔を保
持して、ソースおよびドレイン各オーミック電極１４Ｓ
および１４Ｄを蒸着する。このときフォトリソグラフィ
等によるエッチングにより電極パターンを形成する。そ
の後アロイしてコンタクト抵抗の低減化をはかる。
持して、ソースおよびドレイン各オーミック電極１４Ｓ
および１４Ｄを蒸着する。このときフォトリソグラフィ
等によるエッチングにより電極パターンを形成する。そ
の後アロイしてコンタクト抵抗の低減化をはかる。
【００４５】一方、ソースおよびドレイン電極１４Ｓお
よび１４Ｄ間に、ショットキーゲート電極１４Ｇを形成
する。
よび１４Ｄ間に、ショットキーゲート電極１４Ｇを形成
する。
【００４６】このようにしてＹＡｌＯ3 結晶基板１１上
に積層形成された半導体積層構造によるMESFET等の半導
体装置においては、結晶性にすぐれた半導体層を構成す
ることができることから、少数キャリアの寿命の向上、
キャリアの移動度の向上、コンダクタンスＧｍの向上、
しきい値電圧のばらつきの改善等をはかることができ
る。
に積層形成された半導体積層構造によるMESFET等の半導
体装置においては、結晶性にすぐれた半導体層を構成す
ることができることから、少数キャリアの寿命の向上、
キャリアの移動度の向上、コンダクタンスＧｍの向上、
しきい値電圧のばらつきの改善等をはかることができ
る。
【００４７】また、上述した例では、本発明を、半導体
発光装置およびMESFETに適用した場合であるが、そのほ
かの各種半導体装置に適用することができることはいう
までもなく、また、半導体発光装置およびMESFETにおい
ても上述した構造に限られるものではなく、種々の構造
を採ることができることはいうまでもない。
発光装置およびMESFETに適用した場合であるが、そのほ
かの各種半導体装置に適用することができることはいう
までもなく、また、半導体発光装置およびMESFETにおい
ても上述した構造に限られるものではなく、種々の構造
を採ることができることはいうまでもない。
【００４８】尚、本明細書において、（１１１），（１
１０），（００１）各結晶面等は、これら各結晶面か
ら、これら結晶面の特性を失うことのない程度に傾いた
面をも含むものである。
１０），（００１）各結晶面等は、これら各結晶面か
ら、これら結晶面の特性を失うことのない程度に傾いた
面をも含むものである。
【００４９】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、ＹＡ
ｌＯ3 結晶基板上にＧａＮ系化合物半導体を積層エピタ
キシーした構成による半導体積層構造としたことによ
り、各種半導体装置を構成するとき、基板とＧａＮ半導
体層との間の格子不整に基く転位密度を低く抑えること
ができたことから、それぞれすぐれた特性の半導体装置
を構成することができる。
ｌＯ3 結晶基板上にＧａＮ系化合物半導体を積層エピタ
キシーした構成による半導体積層構造としたことによ
り、各種半導体装置を構成するとき、基板とＧａＮ半導
体層との間の格子不整に基く転位密度を低く抑えること
ができたことから、それぞれすぐれた特性の半導体装置
を構成することができる。
【００５０】例えば、半導体発光装置である半導体レー
ザーにおいては、非発光センターの低減化が期待され、
これによりしきい値電流Ｉthの低減化をはかることがで
き、また、レーザー寿命の長期化をはかることができ
る。
ザーにおいては、非発光センターの低減化が期待され、
これによりしきい値電流Ｉthの低減化をはかることがで
き、また、レーザー寿命の長期化をはかることができ
る。
【００５１】また、ＹＡｌＯ3 結晶基板において、これ
に不純物のドーピングも可能であることから、例えば半
導体レーザーにおいて基板側から一方の電極の導出がで
きることから、この種の半導体装置の製造の簡易化をは
かることができる。
に不純物のドーピングも可能であることから、例えば半
導体レーザーにおいて基板側から一方の電極の導出がで
きることから、この種の半導体装置の製造の簡易化をは
かることができる。
【００５２】また、MESFET等の半導体装置においては、
結晶性にすぐれた半導体層を構成することができること
から、少数キャリアの寿命の向上、キャリアの移動度の
向上、コンダクタンスＧｍの向上、しきい値電圧のばら
つきの改善等をはかることができる。
結晶性にすぐれた半導体層を構成することができること
から、少数キャリアの寿命の向上、キャリアの移動度の
向上、コンダクタンスＧｍの向上、しきい値電圧のばら
つきの改善等をはかることができる。
【図１】本発明による半導体発光装置の一例の概略断面
図である。
図である。
【図２】本発明による電界効果トランジスタのMESFETの
一例の概略平面図である。
一例の概略平面図である。
【図３】図２のMESFETの概略断面図である。
【図４】ＹＡｌＯ3 結晶構造図である。
【図５】ＹＡｌＯ3 （１１１）結晶のＡ面の原子の配列
を示す図である。
を示す図である。
【図６】ＹＡｌＯ3 （１１１）結晶のＢ面の原子の配列
を示す図である。
を示す図である。
【図７】各種材料のバンドギャップエネルギーと格子定
数とを示す図である。
数とを示す図である。
【図８】ＹＡｌＯ3 （１１１）結晶基板上に成長したＧ
ａＮのＸ線反射スペクトルを示す図である。
ａＮのＸ線反射スペクトルを示す図である。
【図９】ＹＡｌＯ3 （１１１）結晶基板上に成長したＧ
ａＮのＰＬスペクトルを示す図である。
ａＮのＰＬスペクトルを示す図である。
【図１０】ＹＡｌＯ3 （１１０）結晶のＡ面の原子の配
列を示す図である。
列を示す図である。
【図１１】ＹＡｌＯ3 （１１０）結晶のＢ面の原子の配
列を示す図である。
列を示す図である。
【図１２】ＹＡｌＯ3 （００１）結晶のＡ面の原子の配
列を示す図である。
列を示す図である。
【図１３】ＹＡｌＯ3 （００１）結晶のＢ面の原子の配
列を示す図である。
列を示す図である。
１，１１ 基板、２，１２ バッファ層、３ 第１クラ
ッド層、４ 活性層、５ 第２クラッド層、６ コンタ
クト層、７，９ 電極、１３ ＧａＮ半導体層、１４Ｓ
ソース電極、１４Ｄ ドレイン電極、１４Ｇ ゲート
電極
ッド層、４ 活性層、５ 第２クラッド層、６ コンタ
クト層、７，９ 電極、１３ ＧａＮ半導体層、１４Ｓ
ソース電極、１４Ｄ ドレイン電極、１４Ｇ ゲート
電極
Claims (7)
- 【請求項１】 ペロブスカイト構造を有する基板上に、
少なくとも１層以上のＡｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１
元素以上とＮとを含む化合物半導体層を形成してなる半
導体積層構造であって、 上記基板の主面が（１１１）、または（１１０）、ある
いは（００１）結晶面よりなることを特徴とする半導体
積層構造。 - 【請求項２】 上記基板が、イットリウム・アルミニウ
ム・ペロブスカイトよりなることを特徴とする請求項１
に記載の半導体積層構造。 - 【請求項３】 上記化合物半導体は六方晶であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体積層構造。 - 【請求項４】 Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以
上とＮとを含む化合物半導体層を少なくとも１層以上含
む半導体装置であって、 該半導体装置がイットリウム・アルミニウム・ペロブス
カイトからなる基板上に形成されたことを特徴とする半
導体発光装置。 - 【請求項５】 上記イットリウム・アルミニウム・ペロ
ブスカイトからなる基板の主面は（１１１）結晶面より
なることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装
置。 - 【請求項６】 Ａｌ，Ｂ，Ｇａ，Ｉｎのうちの１元素以
上とＮとを含む化合物半導体層を少なくとも１層以上含
む電界効果型トランジスタであって、 上記半導体レーザはイットリウム・アルミニウム・ペロ
ブスカイトからなる基板の上に形成されることを特徴と
する電界効果トランジスタ。 - 【請求項７】 上記イットリウム・アルミニウム・ペロ
ブスカイトからなる基板の主面は（１１１）結晶面より
なることを特徴とする請求項６に記載の電界効果トラン
ジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7806097A JPH1012924A (ja) | 1996-04-22 | 1997-03-28 | 半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-100350 | 1996-04-22 | ||
| JP10035096 | 1996-04-22 | ||
| JP7806097A JPH1012924A (ja) | 1996-04-22 | 1997-03-28 | 半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012924A true JPH1012924A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=26419135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7806097A Pending JPH1012924A (ja) | 1996-04-22 | 1997-03-28 | 半導体積層構造、半導体発光装置および電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012924A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044539A1 (en) * | 1997-03-28 | 1998-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing compound semiconductors |
| JP2004266057A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2011093803A (ja) * | 2011-02-02 | 2011-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP7806097A patent/JPH1012924A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044539A1 (en) * | 1997-03-28 | 1998-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing compound semiconductors |
| US6358822B1 (en) | 1997-03-28 | 2002-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of epitaxially growing III-V compound semiconductor containing nitrogen and at least another group V element utilizing MBE |
| JP2004266057A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2011093803A (ja) * | 2011-02-02 | 2011-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 |
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