JPH1012952A - 光ファイバ増幅器 - Google Patents
光ファイバ増幅器Info
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- JPH1012952A JPH1012952A JP8159348A JP15934896A JPH1012952A JP H1012952 A JPH1012952 A JP H1012952A JP 8159348 A JP8159348 A JP 8159348A JP 15934896 A JP15934896 A JP 15934896A JP H1012952 A JPH1012952 A JP H1012952A
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- fiber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広帯域で低雑音の増幅特性を有する光ファイ
バ増幅器の提供を目的とする。 【解決手段】 初段増幅部、中段増幅部、後段増幅部の
前２段のいずれかにＥｒ 3+添加フツリン酸ファイバを備
えたものである。
バ増幅器の提供を目的とする。 【解決手段】 初段増幅部、中段増幅部、後段増幅部の
前２段のいずれかにＥｒ 3+添加フツリン酸ファイバを備
えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信及び光計測
の分野にて必要となる光ファイバ増幅器にあって、広帯
域、低雑音の光ファイバ増幅器に関する。
の分野にて必要となる光ファイバ増幅器にあって、広帯
域、低雑音の光ファイバ増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｅｒ3+添加光ファイバ増幅器（ＥＤＦ
Ａ）は、通信用光ファイバの伝送損失が最小となる１．
５μｍ帯での光増幅が可能であり、偏波依存性がなく通
信用光ファイバとの接続損失が小さく抑えられる等の特
徴を有するため、１．５μｍ帯光通信における光増幅器
として開発が進められ光通信システムへの応用が進めら
れている。かかる現状にあって、近年では伝送容量の拡
大のために波長多重（ＷＤＭ）伝送の研究が盛んに行な
われている。このＷＤＭ光伝送システムにおいては、光
増幅器の光増幅波長帯域が波長多重数を制限しており、
また光増幅器を多段に接続して構成したＷＤＭ光通信シ
ステムにおいては、光増幅器の各信号波長の利得係数の
違いに伴い光信号受信端での光信号強度が異なったり、
雑音の蓄積によりＳ／Ｎが劣化したりする等の問題が生
じている。この結果、広い波長域にわたってＷＤＭ光信
号を利得偏差なく増幅できる低雑音の光ファイバ増幅器
の開発が求められる。
Ａ）は、通信用光ファイバの伝送損失が最小となる１．
５μｍ帯での光増幅が可能であり、偏波依存性がなく通
信用光ファイバとの接続損失が小さく抑えられる等の特
徴を有するため、１．５μｍ帯光通信における光増幅器
として開発が進められ光通信システムへの応用が進めら
れている。かかる現状にあって、近年では伝送容量の拡
大のために波長多重（ＷＤＭ）伝送の研究が盛んに行な
われている。このＷＤＭ光伝送システムにおいては、光
増幅器の光増幅波長帯域が波長多重数を制限しており、
また光増幅器を多段に接続して構成したＷＤＭ光通信シ
ステムにおいては、光増幅器の各信号波長の利得係数の
違いに伴い光信号受信端での光信号強度が異なったり、
雑音の蓄積によりＳ／Ｎが劣化したりする等の問題が生
じている。この結果、広い波長域にわたってＷＤＭ光信
号を利得偏差なく増幅できる低雑音の光ファイバ増幅器
の開発が求められる。
【０００３】かかる光ファイバ増幅器の開発の過程にお
いて、増幅特性の改善方法として次のような方策があげ
られる。 （１）Ｅｒ3+添加石英系光ファイバにＡｌ又はＡｌとＰ
とを共添加する。すなわち、例えばＡｌを共添加しない
Ｅｒ3+添加石英系光ファイバとＡｌを共添加したＥｒ3+
添加石英系光ファイバとは、図６に示すようにＡｌ共添
加なしの場合の光増幅波長特性は１５３６ｎｍと１５５
２ｎｍにて鋭いピークがあるのに対し、Ａｌ共添加の場
合には１５５２ｎｍのピークが平坦になると共に増幅利
得が増大して信号波長域１５４０〜１５６０ｎｍでの光
増幅波長特性が改善される。しかしながら、図６から判
明するようにＡｌ共添加をしても平坦部の信号波長域１
５４０〜１５６０ｎｍでの利得偏差はなお残り、信号波
長域を１５３２〜１５６０ｎｍまで含めると大きな利得
偏差が存在する。
いて、増幅特性の改善方法として次のような方策があげ
られる。 （１）Ｅｒ3+添加石英系光ファイバにＡｌ又はＡｌとＰ
とを共添加する。すなわち、例えばＡｌを共添加しない
Ｅｒ3+添加石英系光ファイバとＡｌを共添加したＥｒ3+
添加石英系光ファイバとは、図６に示すようにＡｌ共添
加なしの場合の光増幅波長特性は１５３６ｎｍと１５５
２ｎｍにて鋭いピークがあるのに対し、Ａｌ共添加の場
合には１５５２ｎｍのピークが平坦になると共に増幅利
得が増大して信号波長域１５４０〜１５６０ｎｍでの光
増幅波長特性が改善される。しかしながら、図６から判
明するようにＡｌ共添加をしても平坦部の信号波長域１
５４０〜１５６０ｎｍでの利得偏差はなお残り、信号波
長域を１５３２〜１５６０ｎｍまで含めると大きな利得
偏差が存在する。
【０００４】（２）かかる（１）に示すＡｌ等共添加に
よる特性改善でもなお残る問題点を解決するため、構成
上波長依存性を補償する波長等価器を付加する構成が考
えられる。つまり、図７に示すようにＥｒ3+添加光ファ
イバである光増幅媒体１−１、この光増幅媒体１−１へ
の励起光を発生する励起光源２−１，２−２，信号光と
励起光とを合波する合波器３−１，３−２，発振を抑え
る光アイソレータ４−１，４−２，を有し、更に波長等
価器１０が出力側に配置されている。この場合、波長等
価器１０としては、マッハツェンダ干渉回路からなる石
英系光回路が用いられる。かかる波長等価器１０の存在
により信号波長域１５４０〜１５６０ｎｍにおけるＷＤ
Ｍ信号を利得偏差０．１ｄＢにて増幅可能な光ファイバ
増幅器を構成できるが、光ファイバ増幅器に波長等価器
１０を付加するための価格が上昇し、また全体の増幅利
得を最も近い増幅利得に合わせるために非効率になると
共に、光増幅波長帯域は光ファイバによって決定される
ため１５４０〜１５６０ｎｍ以上は不可能であった。
よる特性改善でもなお残る問題点を解決するため、構成
上波長依存性を補償する波長等価器を付加する構成が考
えられる。つまり、図７に示すようにＥｒ3+添加光ファ
イバである光増幅媒体１−１、この光増幅媒体１−１へ
の励起光を発生する励起光源２−１，２−２，信号光と
励起光とを合波する合波器３−１，３−２，発振を抑え
る光アイソレータ４−１，４−２，を有し、更に波長等
価器１０が出力側に配置されている。この場合、波長等
価器１０としては、マッハツェンダ干渉回路からなる石
英系光回路が用いられる。かかる波長等価器１０の存在
により信号波長域１５４０〜１５６０ｎｍにおけるＷＤ
Ｍ信号を利得偏差０．１ｄＢにて増幅可能な光ファイバ
増幅器を構成できるが、光ファイバ増幅器に波長等価器
１０を付加するための価格が上昇し、また全体の増幅利
得を最も近い増幅利得に合わせるために非効率になると
共に、光増幅波長帯域は光ファイバによって決定される
ため１５４０〜１５６０ｎｍ以上は不可能であった。
【０００５】（３）更に、上述の（１）（２）に示す場
合には光増幅波長帯域が１５４０〜１５６０ｎｍに制限
されていた問題を解決すべくＥｒ3+添加光ファイバのホ
ストをフッ化物ガラス又は多成分ガラスに変更すること
も提案されている。すなわち、図８に示すように従来技
術（１）に示す石英系光ファイバに対して光ファイバの
ホストをフッ化物ガラスに変更した場合には、１５３２
〜１５６０ｎｍのＷＤＭ信号に対して利得偏差１．５ｄ
Ｂで増幅できると共に増幅波長帯域が１５４０ｎｍ以下
の短波長側にても改善することができた。この結果、波
長等価器を用いることなくフッ化物ガラスにより利益偏
差を抑えて平坦な光増幅波長特性を有しかつ１５３２〜
１５６０ｎｍの如く光増幅波長帯域も広がった。
合には光増幅波長帯域が１５４０〜１５６０ｎｍに制限
されていた問題を解決すべくＥｒ3+添加光ファイバのホ
ストをフッ化物ガラス又は多成分ガラスに変更すること
も提案されている。すなわち、図８に示すように従来技
術（１）に示す石英系光ファイバに対して光ファイバの
ホストをフッ化物ガラスに変更した場合には、１５３２
〜１５６０ｎｍのＷＤＭ信号に対して利得偏差１．５ｄ
Ｂで増幅できると共に増幅波長帯域が１５４０ｎｍ以下
の短波長側にても改善することができた。この結果、波
長等価器を用いることなくフッ化物ガラスにより利益偏
差を抑えて平坦な光増幅波長特性を有しかつ１５３２〜
１５６０ｎｍの如く光増幅波長帯域も広がった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このフ
ッ化物光ファイバを用いた場合、図９に示すように雑音
指数が高いという問題が生じている。すなわち、Ｅｒ3+
イオンのエネルギ凖位に関しては、図１０に示す如く基
底状態のエネルギ凖位4 Ｉ15/2に対し4 Ｉ13/2， 4 Ｉ
11/2，4 Ｉ9/2 等に分かれるのであるが、フッ化物光フ
ァイバでは格子振動に係るフォノンエネルギが約５００
ｃｍ-1で石英系光ファイバのフォノンエネルギ約１１０
０ｃｍ-1よりも小さいため、Ｅｒ3+イオンの4 Ｉ11/2凖
位の寿命はフッ化物光ファイバでは石英系光ファイバに
比べ長くなり、フッ化物光ファイバでの4 Ｉ11/2凖位を
励起するとこの凖位の電子が励起光を吸収し更に高い凖
位例えば4 Ｉ9/2 へ遷移する励起状態吸収が発生し、発
光始凖位である4 Ｉ13/2へ緩和せず、増幅が生じない。
この結果、フッ化物光ファイバを増幅媒体とした場合、
この光ファイバ増幅器ではＥｒ3+イオンの4 Ｉ11/2凖位
の励起できず、図９に示す６ｄＢ以上もの高い雑音指数
が生ずるという欠点を持つ。
ッ化物光ファイバを用いた場合、図９に示すように雑音
指数が高いという問題が生じている。すなわち、Ｅｒ3+
イオンのエネルギ凖位に関しては、図１０に示す如く基
底状態のエネルギ凖位4 Ｉ15/2に対し4 Ｉ13/2， 4 Ｉ
11/2，4 Ｉ9/2 等に分かれるのであるが、フッ化物光フ
ァイバでは格子振動に係るフォノンエネルギが約５００
ｃｍ-1で石英系光ファイバのフォノンエネルギ約１１０
０ｃｍ-1よりも小さいため、Ｅｒ3+イオンの4 Ｉ11/2凖
位の寿命はフッ化物光ファイバでは石英系光ファイバに
比べ長くなり、フッ化物光ファイバでの4 Ｉ11/2凖位を
励起するとこの凖位の電子が励起光を吸収し更に高い凖
位例えば4 Ｉ9/2 へ遷移する励起状態吸収が発生し、発
光始凖位である4 Ｉ13/2へ緩和せず、増幅が生じない。
この結果、フッ化物光ファイバを増幅媒体とした場合、
この光ファイバ増幅器ではＥｒ3+イオンの4 Ｉ11/2凖位
の励起できず、図９に示す６ｄＢ以上もの高い雑音指数
が生ずるという欠点を持つ。
【０００７】本発明は、上述の問題に鑑み、Ｅｒ3+添加
光ファイバ増幅器の増幅波長帯域が狭く、各信号波長の
利得偏差が大きいという欠点や雑音指数が大きいという
欠点を除去して、広帯域・利得平坦で低雑音の増幅特性
を有する光ファイバ増幅器の提供を目的とする。
光ファイバ増幅器の増幅波長帯域が狭く、各信号波長の
利得偏差が大きいという欠点や雑音指数が大きいという
欠点を除去して、広帯域・利得平坦で低雑音の増幅特性
を有する光ファイバ増幅器の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成する本
発明は、次の発明特定事項を有する。 （１）コア部及びクラッド部にＥｒ3+を添加した光ファ
イバからなる光増幅媒体と、この光増幅媒体への励起光
を発光する励起光源と、この励起光源からの励起光及び
被増幅光を結合して前記光増幅媒体に導く光学手段と、
を有する増幅部を備えた光ファイバ増幅器において、前
記増幅部を初段増幅部、中段増幅部、後段増幅部からな
る３段とし、この３段の増幅部の少なくとも１段の光増
幅媒体をＥｒ3+添加フツリン酸ファイバとし、たことを
特徴とする。 （２）（１）において、初段増幅部及び中段増幅部の光
増幅媒体としてはＥｒ 3+添加石英系ファイバとＥｒ3+添
加フツリン酸ファイバとの組合せとし、後段増幅部をＥ
ｒ3+添加フッ化物ファイバとしたことを特徴とする。 （３）（１）又は（２）において、Ｅｒ3+添加フツリン
酸ファイバは酸素とフッ素との濃度割合を変えて光増幅
波長特性を変化させたことを特徴とする。 （４）（１）において、Ｅｒ3+添加フツリン酸ファイバ
を少なくとも２段の増幅部につきそれぞれ配置し、それ
ぞれの段の前記Ｅｒ3+添加フツリン酸ファイバの酸素と
フッ素の濃度割合を変えて相互に補い合う光増幅波長特
性としたことを特徴とする。 （５）（１），（２），（３）又は（４）において、３
段の増幅部は光アイソレータを介して直列に接続されて
いることを特徴とする。 （６）（１）（２）（３）、又は（４）において、３段
の増幅部のうち初段増幅部の励起光源は、Ｅｒ3+イオン
のエネルギ凖位のうち、4 Ｉ11/2凖位を励起する光源と
したことを特徴とする。
発明は、次の発明特定事項を有する。 （１）コア部及びクラッド部にＥｒ3+を添加した光ファ
イバからなる光増幅媒体と、この光増幅媒体への励起光
を発光する励起光源と、この励起光源からの励起光及び
被増幅光を結合して前記光増幅媒体に導く光学手段と、
を有する増幅部を備えた光ファイバ増幅器において、前
記増幅部を初段増幅部、中段増幅部、後段増幅部からな
る３段とし、この３段の増幅部の少なくとも１段の光増
幅媒体をＥｒ3+添加フツリン酸ファイバとし、たことを
特徴とする。 （２）（１）において、初段増幅部及び中段増幅部の光
増幅媒体としてはＥｒ 3+添加石英系ファイバとＥｒ3+添
加フツリン酸ファイバとの組合せとし、後段増幅部をＥ
ｒ3+添加フッ化物ファイバとしたことを特徴とする。 （３）（１）又は（２）において、Ｅｒ3+添加フツリン
酸ファイバは酸素とフッ素との濃度割合を変えて光増幅
波長特性を変化させたことを特徴とする。 （４）（１）において、Ｅｒ3+添加フツリン酸ファイバ
を少なくとも２段の増幅部につきそれぞれ配置し、それ
ぞれの段の前記Ｅｒ3+添加フツリン酸ファイバの酸素と
フッ素の濃度割合を変えて相互に補い合う光増幅波長特
性としたことを特徴とする。 （５）（１），（２），（３）又は（４）において、３
段の増幅部は光アイソレータを介して直列に接続されて
いることを特徴とする。 （６）（１）（２）（３）、又は（４）において、３段
の増幅部のうち初段増幅部の励起光源は、Ｅｒ3+イオン
のエネルギ凖位のうち、4 Ｉ11/2凖位を励起する光源と
したことを特徴とする。
【０００９】Ｅｒ3+添加した光ファイバ増幅器にあって
フツリン酸ファイバを少なくとも１段備えており、この
フツリン酸ファイバでは、Ｅｒ3+イオンは酸素とフッ素
の両方に囲まれているために、Ｅｒ3+イオンが酸素に囲
まれている石英系ファイバと、Ｅｒ3+イオンがフッ素に
囲まれているフッ化物ファイバの中間的な特性が現れ
る。したがって、石英系ファイバやフッ化物ファイバあ
るいは他の濃度のフツリン酸ファイバを組み合せること
により増幅利得を広範囲にて平坦化させ得る光ファイバ
増幅器が得られる。また、雑音指数は初段増幅媒体が重
要となり、この初段にてＥｒ3+イオンの励起凖位に依存
する雑音指数を小さくすべく4 Ｉ11/2凖位励起を生ずる
石英系やフツリン酸からなる増幅媒体を備えることによ
り低雑音化が図られる。
フツリン酸ファイバを少なくとも１段備えており、この
フツリン酸ファイバでは、Ｅｒ3+イオンは酸素とフッ素
の両方に囲まれているために、Ｅｒ3+イオンが酸素に囲
まれている石英系ファイバと、Ｅｒ3+イオンがフッ素に
囲まれているフッ化物ファイバの中間的な特性が現れ
る。したがって、石英系ファイバやフッ化物ファイバあ
るいは他の濃度のフツリン酸ファイバを組み合せること
により増幅利得を広範囲にて平坦化させ得る光ファイバ
増幅器が得られる。また、雑音指数は初段増幅媒体が重
要となり、この初段にてＥｒ3+イオンの励起凖位に依存
する雑音指数を小さくすべく4 Ｉ11/2凖位励起を生ずる
石英系やフツリン酸からなる増幅媒体を備えることによ
り低雑音化が図られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】ここで、図１〜図５及び図１１を
参照して本発明による実施の形態の一例を説明する。図
１は一例の構成を示している。なお、図１において図７
と同一部分には同符号を付す。すなわち、１−１，，１
−２，１−３は増幅用光ファイバ、２−１，２−２，２
−３は増幅用光ファイバ１−１，１−２，１−３への励
起光を発生する励起光源、３−１，３−２，３−３はそ
れぞれ励起光源２−１，２−２，２−３で発生された励
起光を信号光と合波する合波器、４−１，４−２，４−
３，４−４は光アイソレータである。増幅用光ファイバ
１−１としてはＥｒ3+添加石英系光ファイバ（ファイバ
長２ｍ、比屈折率差１．８％、カットオフ波長１．１μ
ｍ、Ａｌ添加濃度４ｗｔ％、Ｅｒ3+添加濃度１３００ｐ
ｐｍ）、増幅用ファイバ１−２としてはＥｒ3+添加フツ
リン酸ファイバ（ガラス組成Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ａ
ｌＦ3 −ＬｉＦ−ＭｇＦ2 −ＣａＦ2 −ＳｒＦ2 −Ｂａ
Ｆ2 −ＬａＦ3 、ファイバ長５０ｃｍ、比屈折率差０．
２９％、カットオフ波長１．３μｍ、Ｅｒ3+添加濃度３
３００ｐｐｍ）、増幅用ファイバ１−３としてはＥｒ3+
添加フッ化物ファイバ（ガラス組成ＺｒＦ4 −ＢａＦ2
−ＬａＦ3 −ＹＦ3 −ＡｌＦ3 −ＬｉＦ−ＮａＦ、ファ
イバ長５ｍ、比屈折率差２．５％、カットオフ波長１．
０μｍ、Ｅｒ3+添加濃度１０００ｐｐｍ）からなる。励
起光源２−１，２−２として、９８０ｎｍ帯歪量子井戸
半導体レーザ（励起光量は励起光源２−１，２−２共に
１２０ｍＷ）を用い、励起光源２−３として、１４８０
ｎｍ帯半導体レーザを用いた。合波器３−１，３−２，
３−３として共にＷＤＭファイバカップラを用いた。光
アイソレータ４−１，４−２，４−３，４−４として
は、偏波無依存型の１５５０ｎｍ帯用光アイソレータを
用いた。
参照して本発明による実施の形態の一例を説明する。図
１は一例の構成を示している。なお、図１において図７
と同一部分には同符号を付す。すなわち、１−１，，１
−２，１−３は増幅用光ファイバ、２−１，２−２，２
−３は増幅用光ファイバ１−１，１−２，１−３への励
起光を発生する励起光源、３−１，３−２，３−３はそ
れぞれ励起光源２−１，２−２，２−３で発生された励
起光を信号光と合波する合波器、４−１，４−２，４−
３，４−４は光アイソレータである。増幅用光ファイバ
１−１としてはＥｒ3+添加石英系光ファイバ（ファイバ
長２ｍ、比屈折率差１．８％、カットオフ波長１．１μ
ｍ、Ａｌ添加濃度４ｗｔ％、Ｅｒ3+添加濃度１３００ｐ
ｐｍ）、増幅用ファイバ１−２としてはＥｒ3+添加フツ
リン酸ファイバ（ガラス組成Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ａ
ｌＦ3 −ＬｉＦ−ＭｇＦ2 −ＣａＦ2 −ＳｒＦ2 −Ｂａ
Ｆ2 −ＬａＦ3 、ファイバ長５０ｃｍ、比屈折率差０．
２９％、カットオフ波長１．３μｍ、Ｅｒ3+添加濃度３
３００ｐｐｍ）、増幅用ファイバ１−３としてはＥｒ3+
添加フッ化物ファイバ（ガラス組成ＺｒＦ4 −ＢａＦ2
−ＬａＦ3 −ＹＦ3 −ＡｌＦ3 −ＬｉＦ−ＮａＦ、ファ
イバ長５ｍ、比屈折率差２．５％、カットオフ波長１．
０μｍ、Ｅｒ3+添加濃度１０００ｐｐｍ）からなる。励
起光源２−１，２−２として、９８０ｎｍ帯歪量子井戸
半導体レーザ（励起光量は励起光源２−１，２−２共に
１２０ｍＷ）を用い、励起光源２−３として、１４８０
ｎｍ帯半導体レーザを用いた。合波器３−１，３−２，
３−３として共にＷＤＭファイバカップラを用いた。光
アイソレータ４−１，４−２，４−３，４−４として
は、偏波無依存型の１５５０ｎｍ帯用光アイソレータを
用いた。
【００１１】この図１に示す構成につき、図２に示すＷ
ＤＭ信号増幅特性評価系を用いて評価した。なお、この
特性評価のための構成において、５−１，５−２，５−
３，５−４，５−５，５−６，５−７，５−８は波長可
変の信号光源、６は波長可変光源５の信号光を合波する
合波器、７は信号光量を調整する光アッテネータ、８は
図１に示す被測定光ファイバ増幅器、９は光ファイバ増
幅器８で増幅された信号光を検出する光スペクトラムア
ナライザである。波長可変光源５−１，５−２，５−
３，５−４，５−５，５−６，５−７，５−８の信号波
長は、１５３２，１５３６，１５４０，１５４４，１５
４８，１５５２，１５５６ｎｍである。
ＤＭ信号増幅特性評価系を用いて評価した。なお、この
特性評価のための構成において、５−１，５−２，５−
３，５−４，５−５，５−６，５−７，５−８は波長可
変の信号光源、６は波長可変光源５の信号光を合波する
合波器、７は信号光量を調整する光アッテネータ、８は
図１に示す被測定光ファイバ増幅器、９は光ファイバ増
幅器８で増幅された信号光を検出する光スペクトラムア
ナライザである。波長可変光源５−１，５−２，５−
３，５−４，５−５，５−６，５−７，５−８の信号波
長は、１５３２，１５３６，１５４０，１５４４，１５
４８，１５５２，１５５６ｎｍである。
【００１２】この評価の結果、前述の被測定光ファイバ
増幅器の光増幅波長特性及び雑音特性は、図３に示すも
のとなった。すなわち、前述した光ファイバ増幅器で
は、１５３２〜１５６０ｎｍのＷＤＭ信号を平均利得２
５ｄＢとし、利得偏差１ｄＢ以内で光増幅でき、更に雑
音指数は４．９ｄＢ以下となった。このように前述した
例の構成とすることにより、光増幅波長特性及び雑音特
性を改善することができ、従来技術に示す図８、図９と
比べても利得偏差０．５ｄＢ雑音指数１ｄＢ以上の改善
となり、例えば光ファイバ増幅器を１０台直列につなげ
た伝送路を考えた場合、利得偏差は従来技術（３）では
１５ｄＢになるのに対し、本光ファイバ増幅器で１０ｄ
Ｂに抑えることができる。
増幅器の光増幅波長特性及び雑音特性は、図３に示すも
のとなった。すなわち、前述した光ファイバ増幅器で
は、１５３２〜１５６０ｎｍのＷＤＭ信号を平均利得２
５ｄＢとし、利得偏差１ｄＢ以内で光増幅でき、更に雑
音指数は４．９ｄＢ以下となった。このように前述した
例の構成とすることにより、光増幅波長特性及び雑音特
性を改善することができ、従来技術に示す図８、図９と
比べても利得偏差０．５ｄＢ雑音指数１ｄＢ以上の改善
となり、例えば光ファイバ増幅器を１０台直列につなげ
た伝送路を考えた場合、利得偏差は従来技術（３）では
１５ｄＢになるのに対し、本光ファイバ増幅器で１０ｄ
Ｂに抑えることができる。
【００１３】図３の場合に示す特性は、励起光源２−２
として８００ｎｍ帯量子井戸半導体レーザを用いたと
き、初段増幅部及び中段増幅部を図４に示す後方励起系
とし、後段増幅部を前方励起系としても同様の光増幅波
長特性や雑音特性が得られた。
として８００ｎｍ帯量子井戸半導体レーザを用いたと
き、初段増幅部及び中段増幅部を図４に示す後方励起系
とし、後段増幅部を前方励起系としても同様の光増幅波
長特性や雑音特性が得られた。
【００１４】次に他の変形例につき図１を用いて説明す
る。増幅用光ファイバ１−１としては、Ｅｒ3+添加フツ
リン酸ファイバ（ガラス組成Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ａ
ｌＦ 3 −ＬｉＦ−ＭｇＦ2 −ＣａＦ2 −ＳｒＦ2 −Ｂａ
Ｆ2 −ＬａＦ3 、ファイバ長５０ｃｍ、比屈折率差０．
２９％、カットオフ波長１．３μｍ、Ｅｒ3+添加濃度３
３００ｐｐｍ）、増幅用ファイバ１−２としてはＥｒ3+
添加石英系ファイバ（ファイバ長２ｍ、比屈折率差１．
８％、カットオフ波長１．１μｍ、Ａｌ添加濃度４ｗｔ
％、Ｅｒ3+添加濃度１３００ｐｐｍ）、増幅用ファイバ
１−３としてはＥｒ3+添加フッ化物ファイバ（ガラス組
成ＺｒＦ4 −ＢａＦ2 −ＬａＦ3 −ＹＦ 3 −ＡｌＦ3 −
ＬｉＦ−ＮａＦ、ファイバ長５ｍ、比屈折率差２．５
％、カットオフ波長１．０μｍ、Ｅｒ3+添加濃度１００
０ｐｐｍ）からなる。励起光源２−１，２−２として、
９８０ｎｍ帯歪量子井戸半導体レーザ（励起光量は励起
光源２−１，２−２共に１２０ｍＷ）を用い、励起光源
２−３として、１４８０ｎｍ帯半導体レーザを用いた。
合波器３−１，３−２，３−３として共にＷＤＭファイ
バカップラを用いた。光アイソレータ４−１，４−２，
４−３，４−４としては、偏波無依存型の１５５０ｎｍ
帯用光アイソレータを用いた。
る。増幅用光ファイバ１−１としては、Ｅｒ3+添加フツ
リン酸ファイバ（ガラス組成Ｐ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ａ
ｌＦ 3 −ＬｉＦ−ＭｇＦ2 −ＣａＦ2 −ＳｒＦ2 −Ｂａ
Ｆ2 −ＬａＦ3 、ファイバ長５０ｃｍ、比屈折率差０．
２９％、カットオフ波長１．３μｍ、Ｅｒ3+添加濃度３
３００ｐｐｍ）、増幅用ファイバ１−２としてはＥｒ3+
添加石英系ファイバ（ファイバ長２ｍ、比屈折率差１．
８％、カットオフ波長１．１μｍ、Ａｌ添加濃度４ｗｔ
％、Ｅｒ3+添加濃度１３００ｐｐｍ）、増幅用ファイバ
１−３としてはＥｒ3+添加フッ化物ファイバ（ガラス組
成ＺｒＦ4 −ＢａＦ2 −ＬａＦ3 −ＹＦ 3 −ＡｌＦ3 −
ＬｉＦ−ＮａＦ、ファイバ長５ｍ、比屈折率差２．５
％、カットオフ波長１．０μｍ、Ｅｒ3+添加濃度１００
０ｐｐｍ）からなる。励起光源２−１，２−２として、
９８０ｎｍ帯歪量子井戸半導体レーザ（励起光量は励起
光源２−１，２−２共に１２０ｍＷ）を用い、励起光源
２−３として、１４８０ｎｍ帯半導体レーザを用いた。
合波器３−１，３−２，３−３として共にＷＤＭファイ
バカップラを用いた。光アイソレータ４−１，４−２，
４−３，４−４としては、偏波無依存型の１５５０ｎｍ
帯用光アイソレータを用いた。
【００１５】かかる構成を図２に示すＷＤＭ信号増幅特
性評価系にて評価した結果、図５に示す如く、１５３２
〜１５６０ｎｍのＷＤＭ信号を平均利得２７ｄＢ、利得
偏差１ｄＢ以内で光増幅でき、更に雑音指数は５．１ｄ
Ｂ以下となった。こうして、光増幅波長特性及び雑音特
性を改善でき、従来技術に比べ利得偏差０．５ｄＢ、雑
音指数１ｄＢ程度の改善ができた。
性評価系にて評価した結果、図５に示す如く、１５３２
〜１５６０ｎｍのＷＤＭ信号を平均利得２７ｄＢ、利得
偏差１ｄＢ以内で光増幅でき、更に雑音指数は５．１ｄ
Ｂ以下となった。こうして、光増幅波長特性及び雑音特
性を改善でき、従来技術に比べ利得偏差０．５ｄＢ、雑
音指数１ｄＢ程度の改善ができた。
【００１６】なお、この変形例についても励起光源２−
２として８００ｎｍ帯量子井戸半導体レーザを用いたと
き、初段増幅部及び中段増幅部を図４に示す後方励起系
とし、後段増幅部を前方励起系としても同様の光増幅特
性や雑音特性が得られた。
２として８００ｎｍ帯量子井戸半導体レーザを用いたと
き、初段増幅部及び中段増幅部を図４に示す後方励起系
とし、後段増幅部を前方励起系としても同様の光増幅特
性や雑音特性が得られた。
【００１７】上述の説明ではＥｒ3+添加フツリン酸ファ
イバの組成をＰ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3−ＡｌＦ3 −ＬｉＦ
−ＭｇＦ2 −ＣａＦ2 −ＳｒＦ2 −ＢａＦ2 −ＬａＦ3
としたものであるが、ここでフツリン酸ファイバのガラ
ス組成等を更に細かく変え、例えば次の３種類につき検
討する。 （１）コアガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （８．０），ＡｌＦ
3 （３２．８），ＮａＦ（６．０），ＭｇＦ2 （１０．
０），ＣａＦ2 （１８．０），ＳｒＦ2 （１５．０），
ＢａＦ2 （８．０），ＬａＦ3 （２．０），ＦｒＦ
3 （０．２ｍｏｌ％，添加濃度に換算すると３４００ｐ
ｐｍ）であり、クラッドガラス組成は、Ｐ2Ｏ5 （８．
０），ＡｌＦ3 （３５．０），ＮａＦ（７．０），Ｍｇ
Ｆ2 （１０．０），ＣａＦ2 （１８．０），ＳｒＦ
2 （１５．０），ＢａＦ2 （８．０）である。ファイバ
長は８０ｃｍ、比屈折率差は０．２８％、カットオフ波
長は０．８μｍとした。 （２）コアガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （１６．５），Ａｌ
2 Ｏ3 （２．５），ＡｌＦ3 （２１．３），ＬｉＦ（１
３．０），ＭｇＦ2 （７．５），ＣａＦ2 （１３．
５），ＳｒＦ2 （１１．０），ＢａＦ2 （１０．５），
Ｌｉ2 ＣＯ2 （２．０），ＬａＦ3 （２．０），ＦｒＦ
3 （０．２ｍｏｌ％，添加濃度に換算すると３３００ｐ
ｐｍ）であり、クラッドガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （１
６．５），ＡｌＦ3 （２．５），ＡｌＦ3 （２２．
５），ＬｉＦ（１４．０），ＭｇＦ2 （７．５），Ｃａ
Ｆ2 （１３．５），ＳｒＦ2 （１１．０），ＢａＦ
2 （１０．５），Ｌｉ2 ＣＯ2 （２．０）である。ファ
イバ長は８０ｃｍ、比屈折率差は０．２９％、カットオ
フ波長は０．８μｍとした。 （３）コアガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （２１．０），Ａｌ
2 Ｏ3 （７．０），ＡｌＦ3 （２．８），ＬｉＦ（３
２．０），ＢａＦ2 （２７．０），Ｌｉ2 ＣＯ2（８．
０），ＬａＦ3 （２．０），ＦｒＦ3 （０．２ｍｏｌ
％，添加濃度に換算すると３２００ｐｐｍ）であり、ク
ラッドガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （２１．０），Ａｌ2 Ｏ
3 （７．０），ＡｌＦ3 （５．０），ＬｉＦ（３２．
０），ＢａＦ2（２７．０），Ｌｉ2 ＣＯ2 （８．０）
である。ファイバ長は８０ｃｍ、比屈折率差は０．２７
％、カットオフ波長は０．８μｍとした。かかる種類の
ファイバにつき光増幅波長特性を得るため波長等価器を
除いた図７に示す構成とした。つまり励起光源２−１お
よび２−２として、９８０ｎｍ帯歪量子井戸半導体レー
ザ（励起光量は励起光源２−１，２−２共に１２０ｍ
Ｗ）を用い、合波器３−１および３−２として共にＷＤ
Ｍファイバカップラを用いた。光アイソレータ４−１，
４−２としては、偏波無依存型の１５５０ｎｍ帯用光ア
イソレータを用いた。
イバの組成をＰ2 Ｏ5 −Ａｌ2 Ｏ3−ＡｌＦ3 −ＬｉＦ
−ＭｇＦ2 −ＣａＦ2 −ＳｒＦ2 −ＢａＦ2 −ＬａＦ3
としたものであるが、ここでフツリン酸ファイバのガラ
ス組成等を更に細かく変え、例えば次の３種類につき検
討する。 （１）コアガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （８．０），ＡｌＦ
3 （３２．８），ＮａＦ（６．０），ＭｇＦ2 （１０．
０），ＣａＦ2 （１８．０），ＳｒＦ2 （１５．０），
ＢａＦ2 （８．０），ＬａＦ3 （２．０），ＦｒＦ
3 （０．２ｍｏｌ％，添加濃度に換算すると３４００ｐ
ｐｍ）であり、クラッドガラス組成は、Ｐ2Ｏ5 （８．
０），ＡｌＦ3 （３５．０），ＮａＦ（７．０），Ｍｇ
Ｆ2 （１０．０），ＣａＦ2 （１８．０），ＳｒＦ
2 （１５．０），ＢａＦ2 （８．０）である。ファイバ
長は８０ｃｍ、比屈折率差は０．２８％、カットオフ波
長は０．８μｍとした。 （２）コアガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （１６．５），Ａｌ
2 Ｏ3 （２．５），ＡｌＦ3 （２１．３），ＬｉＦ（１
３．０），ＭｇＦ2 （７．５），ＣａＦ2 （１３．
５），ＳｒＦ2 （１１．０），ＢａＦ2 （１０．５），
Ｌｉ2 ＣＯ2 （２．０），ＬａＦ3 （２．０），ＦｒＦ
3 （０．２ｍｏｌ％，添加濃度に換算すると３３００ｐ
ｐｍ）であり、クラッドガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （１
６．５），ＡｌＦ3 （２．５），ＡｌＦ3 （２２．
５），ＬｉＦ（１４．０），ＭｇＦ2 （７．５），Ｃａ
Ｆ2 （１３．５），ＳｒＦ2 （１１．０），ＢａＦ
2 （１０．５），Ｌｉ2 ＣＯ2 （２．０）である。ファ
イバ長は８０ｃｍ、比屈折率差は０．２９％、カットオ
フ波長は０．８μｍとした。 （３）コアガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （２１．０），Ａｌ
2 Ｏ3 （７．０），ＡｌＦ3 （２．８），ＬｉＦ（３
２．０），ＢａＦ2 （２７．０），Ｌｉ2 ＣＯ2（８．
０），ＬａＦ3 （２．０），ＦｒＦ3 （０．２ｍｏｌ
％，添加濃度に換算すると３２００ｐｐｍ）であり、ク
ラッドガラス組成は、Ｐ2 Ｏ5 （２１．０），Ａｌ2 Ｏ
3 （７．０），ＡｌＦ3 （５．０），ＬｉＦ（３２．
０），ＢａＦ2（２７．０），Ｌｉ2 ＣＯ2 （８．０）
である。ファイバ長は８０ｃｍ、比屈折率差は０．２７
％、カットオフ波長は０．８μｍとした。かかる種類の
ファイバにつき光増幅波長特性を得るため波長等価器を
除いた図７に示す構成とした。つまり励起光源２−１お
よび２−２として、９８０ｎｍ帯歪量子井戸半導体レー
ザ（励起光量は励起光源２−１，２−２共に１２０ｍ
Ｗ）を用い、合波器３−１および３−２として共にＷＤ
Ｍファイバカップラを用いた。光アイソレータ４−１，
４−２としては、偏波無依存型の１５５０ｎｍ帯用光ア
イソレータを用いた。
【００１８】この結果、光増幅波長特性は図１１にて示
すように光ファイバ増幅器は（１）のフツリン酸ガラス
ファイバを用いた光ファイバ増幅器は、１５４８ｎｍに
利得の落ち込みを有する光増幅波長特性となり、（３）
のフツリン酸ガラスファイバを用いた光ファイバ増幅器
は、１５４８ｎｍの利得が（１）の組成とは逆に他の信
号波長の利得に比べて大きくなるという光増幅波長特性
となる。（２）のフツリン酸ファイバを用いた光ファイ
バ増幅器は、（１）と（３）の中間的な光増幅波長特性
となる。これらの結果から、従来の技術では不可能であ
った光増幅波長特性が異なる光ファイバ増幅器を容易に
構成することができる。以上のフツリン酸ファイバの波
長特性変化はこのファイバの酸素とフッ素の濃度割合を
変えることにより得られることが判明する。つまり、Ｅ
ｒ3+イオンのまわりを取り囲むイオンが酸素のみ又はフ
ッ素のみの場合はシュタルク分裂に伴う凖位間の遷移に
よるスペクトルの重なり方が一定で光増幅波長特性は固
定した一定のものとなるが、フツリン酸の場合には、Ｅ
ｒ3+イオンのまわりを取り囲んでいるイオンが酸素とフ
ッ素の両方であってその濃度割合を変えることにより分
裂した各凖位間の遷移によるスペクトルの重なり方を変
えることに基づくものである。
すように光ファイバ増幅器は（１）のフツリン酸ガラス
ファイバを用いた光ファイバ増幅器は、１５４８ｎｍに
利得の落ち込みを有する光増幅波長特性となり、（３）
のフツリン酸ガラスファイバを用いた光ファイバ増幅器
は、１５４８ｎｍの利得が（１）の組成とは逆に他の信
号波長の利得に比べて大きくなるという光増幅波長特性
となる。（２）のフツリン酸ファイバを用いた光ファイ
バ増幅器は、（１）と（３）の中間的な光増幅波長特性
となる。これらの結果から、従来の技術では不可能であ
った光増幅波長特性が異なる光ファイバ増幅器を容易に
構成することができる。以上のフツリン酸ファイバの波
長特性変化はこのファイバの酸素とフッ素の濃度割合を
変えることにより得られることが判明する。つまり、Ｅ
ｒ3+イオンのまわりを取り囲むイオンが酸素のみ又はフ
ッ素のみの場合はシュタルク分裂に伴う凖位間の遷移に
よるスペクトルの重なり方が一定で光増幅波長特性は固
定した一定のものとなるが、フツリン酸の場合には、Ｅ
ｒ3+イオンのまわりを取り囲んでいるイオンが酸素とフ
ッ素の両方であってその濃度割合を変えることにより分
裂した各凖位間の遷移によるスペクトルの重なり方を変
えることに基づくものである。
【００１９】この結果、酸素とフッ素の濃度割合を変え
たＥｒ3+添加フツリン酸ガラスファイバを用いることで
光増幅波長特性を変えることができるため、図１に示す
石英系、又はフッ化物の各ファイバの特性に応じてフツ
リン酸ファイバを配置することにより利得偏差を極めて
小さくすることが可能となる。また、例えば図１１に示
す例（１）と（３）とについて、これらの特性は逆の波
形を示しているので、これらを組合わせることにより平
坦な特性を得ることができ、利得偏差の低減につなが
る。したがって、図１に示す３種類の光ファイバ１−
１，１−２，１−３のうち２種類を濃度割合を変えたフ
ツリン酸ファイバとすることにより利得偏差を無くす効
果も生ずる。
たＥｒ3+添加フツリン酸ガラスファイバを用いることで
光増幅波長特性を変えることができるため、図１に示す
石英系、又はフッ化物の各ファイバの特性に応じてフツ
リン酸ファイバを配置することにより利得偏差を極めて
小さくすることが可能となる。また、例えば図１１に示
す例（１）と（３）とについて、これらの特性は逆の波
形を示しているので、これらを組合わせることにより平
坦な特性を得ることができ、利得偏差の低減につなが
る。したがって、図１に示す３種類の光ファイバ１−
１，１−２，１−３のうち２種類を濃度割合を変えたフ
ツリン酸ファイバとすることにより利得偏差を無くす効
果も生ずる。
【００２０】図１に戻り、図１の増幅用光ファイバ１−
１，１−２，１−３として前述した例では、前段増幅部
に石英系又はフツリン酸、中段増幅部にフツリン酸又は
石英系をそれぞれ用い、後段増幅部にフッ化物とした。
この組合せは、雑音指数を低減するために配置したもの
である。光ファイバ増幅器の雑音指数ＮＦを表わすと次
のようになる。 ＮＦ＝入射部損失＋ＮＦ1 ＋ＮＦ2 ／Ｇ1 ＋ＮＦ3 ／Ｇ
1 ・Ｇ2 ここで、ＮＦ1 ，ＮＦ2 ，ＮＦ3 は、前段増幅部、中段
増幅部、後段増幅部の雑音指数であり、Ｇ1 Ｇ2 は前段
増幅部、中段増幅部の利得を示す。利得としては通常１
００以上あるので、前掲式の第３項、第４項は無視する
ことができ、このため光ファイバ増幅器の雑音指数は、
前段増幅部の雑音指数が重要となる。このため、前段増
幅部としは低雑音化が達成できる4 Ｉ11/2凖位励起が可
能な石英系やフツリン酸ファイバが必要となる。4 Ｉ
11/2凖位励起が低雑音化に有効であり、反面4 Ｉ11/2凖
位励起が不可能なフッ化物ファイバは後段増幅部に配置
されることになる。
１，１−２，１−３として前述した例では、前段増幅部
に石英系又はフツリン酸、中段増幅部にフツリン酸又は
石英系をそれぞれ用い、後段増幅部にフッ化物とした。
この組合せは、雑音指数を低減するために配置したもの
である。光ファイバ増幅器の雑音指数ＮＦを表わすと次
のようになる。 ＮＦ＝入射部損失＋ＮＦ1 ＋ＮＦ2 ／Ｇ1 ＋ＮＦ3 ／Ｇ
1 ・Ｇ2 ここで、ＮＦ1 ，ＮＦ2 ，ＮＦ3 は、前段増幅部、中段
増幅部、後段増幅部の雑音指数であり、Ｇ1 Ｇ2 は前段
増幅部、中段増幅部の利得を示す。利得としては通常１
００以上あるので、前掲式の第３項、第４項は無視する
ことができ、このため光ファイバ増幅器の雑音指数は、
前段増幅部の雑音指数が重要となる。このため、前段増
幅部としは低雑音化が達成できる4 Ｉ11/2凖位励起が可
能な石英系やフツリン酸ファイバが必要となる。4 Ｉ
11/2凖位励起が低雑音化に有効であり、反面4 Ｉ11/2凖
位励起が不可能なフッ化物ファイバは後段増幅部に配置
されることになる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光ファイバ
増幅器にてＥｒ3+添加フツリン酸ファイバを備えること
により、広帯域・利得平坦化と低雑音化が可能となっ
た。
増幅器にてＥｒ3+添加フツリン酸ファイバを備えること
により、広帯域・利得平坦化と低雑音化が可能となっ
た。
【図１】光ファイバ増幅器の一例の構成図。
【図２】ＷＤＭ信号光増幅特性評価系の構成図。
【図３】本発明の一例の光ファイバ増幅器の増幅特性線
図。
図。
【図４】変形例を示す部分構成図。
【図５】本発明の他の例の光ファイバ増幅器の増幅特性
線図。
線図。
【図６】従来技術（１）を説明する特性線図。
【図７】従来技術（２）の構成図。
【図８】従来技術（１）と（３）を比較した利得特性線
図。
図。
【図９】従来技術（３）の雑音指数を示す線図。
【図１０】Ｅｒ3+イオンのエネルギ凖位図。
【図１１】酸素フッ素濃度割合の差に基づく特性線図。
１−１，１−２，１−３ Ｅｒ3+添加光ファイバ ２−１，２−２，２−３ 励起光源 ３−１，３−２，３−３ 合波器 ４−１，４−２，４−３，４−４ 光アイソレータ ５−１，５−２，５−３，５−４，５−６，５−７，５
−８ 波長可変の信号光源 ６ 合波器 ７ 光アッテネータ ８ 被測走光ファイバ増幅器 ９ 光スペクトラムアナライザ
−８ 波長可変の信号光源 ６ 合波器 ７ 光アッテネータ ８ 被測走光ファイバ増幅器 ９ 光スペクトラムアナライザ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/18 (72)発明者 中川 幸一 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 コア部及びクラッド部にＥｒ3+を添加し
た光ファイバからなる光増幅媒体と、この光増幅媒体へ
の励起光を発光する励起光源と、この励起光源からの励
起光及び被増幅光を結合して前記光増幅媒体に導く光学
手段と、を有する増幅部を備えた光ファイバ増幅器にお
いて、 前記増幅部を初段増幅部、中段増幅部、後段増幅部から
なる３段とし、 この３段の増幅部の少なくとも１段の光増幅媒体をＥｒ
3+添加フツリン酸ファイバとし、 たことを特徴とする光ファイバ増幅器。 - 【請求項２】 初段増幅部及び中段増幅部の光増幅媒体
としてはＥｒ3+添加石英系ファイバとＥｒ3+添加フツリ
ン酸ファイバとの組合せとし、後段増幅部をＥｒ3+添加
フッ化物ファイバとしたことを特徴とする請求項１記載
の光ファイバ増幅器。 - 【請求項３】 Ｅｒ3+添加フツリン酸ファイバは酸素と
フッ素との濃度割合を変えて光増幅波長特性を変化させ
たことを特徴とする請求項１又は２記載の光ファイバ増
幅器。 - 【請求項４】 Ｅｒ3+添加フツリン酸ファイバを少なく
とも２段の増幅部につきそれぞれ配置し、それぞれの段
の前記Ｅｒ3+添加フツリン酸ファイバの酸素とフッ素の
濃度割合を変えて相互に補い合う光増幅波長特性とした
ことを特徴とする請求項１記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項５】 ３段の増幅部は光アイソレータを介して
直列に接続されていることを特徴とする請求項１，２，
３又は４記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項６】 ３段の増幅部のうち初段増幅部の励起光
源は、Ｅｒ3+イオンのエネルギ凖位のうち、4 Ｉ11/2凖
位を励起する光源としたことを特徴とする請求項１，
２，３，又は４記載の光ファイバ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8159348A JPH1012952A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 光ファイバ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8159348A JPH1012952A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 光ファイバ増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012952A true JPH1012952A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15691888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8159348A Withdrawn JPH1012952A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 光ファイバ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012952A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277370A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅性導波路、光増幅モジュールおよび光通信システム |
| JP2006245244A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅性導波路 |
| US7760423B2 (en) | 2005-07-20 | 2010-07-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplifier |
| JP2018006474A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日本電信電話株式会社 | 光ファイバ通信システム |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP8159348A patent/JPH1012952A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277370A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅性導波路、光増幅モジュールおよび光通信システム |
| JP2006245244A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅性導波路 |
| US7760423B2 (en) | 2005-07-20 | 2010-07-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical amplifier |
| JP2018006474A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 日本電信電話株式会社 | 光ファイバ通信システム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |