JPH1012956A - 半導体レーザ励起固体レーザ発振方法 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ発振方法Info
- Publication number
- JPH1012956A JPH1012956A JP8167231A JP16723196A JPH1012956A JP H1012956 A JPH1012956 A JP H1012956A JP 8167231 A JP8167231 A JP 8167231A JP 16723196 A JP16723196 A JP 16723196A JP H1012956 A JPH1012956 A JP H1012956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor laser
- modulator
- rod
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005086 pumping Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 17
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 abstract description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 5
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Neodymium ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザロッドのエネルギ蓄積効率の高い固体
レーザの発振方法を実現する。 【解決手段】 電源9より電流を入力した変調器8が関
数f(x)=xで表わされる鋸歯状波形の駆動電流を出力
して半導体レーザ装置1に入力し、同半導体レーザ装置
1がレーザ共振器5,6の中にQスイッチ素子4ととも
に設けられたレーザロッド2に励起光3を入射すること
によって、また、変調器8が出力する駆動電流を関数f
(x)=x・ex-1 で表わされるものとしたことによっ
て、従来のものに比べてレーザロッド2のエネルギ蓄積
効率の向上が可能となり、レーザ発振効率の向上が可能
となって、装置の小型化、電力使用量の低減が可能とな
る。
レーザの発振方法を実現する。 【解決手段】 電源9より電流を入力した変調器8が関
数f(x)=xで表わされる鋸歯状波形の駆動電流を出力
して半導体レーザ装置1に入力し、同半導体レーザ装置
1がレーザ共振器5,6の中にQスイッチ素子4ととも
に設けられたレーザロッド2に励起光3を入射すること
によって、また、変調器8が出力する駆動電流を関数f
(x)=x・ex-1 で表わされるものとしたことによっ
て、従来のものに比べてレーザロッド2のエネルギ蓄積
効率の向上が可能となり、レーザ発振効率の向上が可能
となって、装置の小型化、電力使用量の低減が可能とな
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ励起
固体レーザ発振方法に関する。
固体レーザ発振方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のQスイッチを用いてジャイアント
パルスを発振する半導体レーザ励起固体レーザについ
て、図3により説明する。図3において、励起用の半導
体レーザ装置01は、変調器08を介して電源9に接続
され、レーザロッド2に励起光03を入射する。
パルスを発振する半導体レーザ励起固体レーザについ
て、図3により説明する。図3において、励起用の半導
体レーザ装置01は、変調器08を介して電源9に接続
され、レーザロッド2に励起光03を入射する。
【0003】一方、その間にレーザロッド2とQスイッ
チ素子4が設けられたリアミラー5とフロントミラー6
は、その中心軸が一致するように調整されており、レー
ザ共振器を構成している。上記リアミラー5はレーザ光
を全反射し、フロントミラー6はレーザ光をわずかに
(1〜10%)透過するようにコーティングが施されて
いる。
チ素子4が設けられたリアミラー5とフロントミラー6
は、その中心軸が一致するように調整されており、レー
ザ共振器を構成している。上記リアミラー5はレーザ光
を全反射し、フロントミラー6はレーザ光をわずかに
(1〜10%)透過するようにコーティングが施されて
いる。
【0004】レーザロッド2においては、内部にドープ
されているレーザ媒質のイオン(通常ネオジウムあるい
はクロム)が半導体レーザ装置01の発する励起光03
により基底状態より上準位レベルに励起される。
されているレーザ媒質のイオン(通常ネオジウムあるい
はクロム)が半導体レーザ装置01の発する励起光03
により基底状態より上準位レベルに励起される。
【0005】Qスイッチ素子4は、固体レーザで光共振
器のQ値を急速に変化させて尖頭出力の大きいパルスを
取り出すための光シャッタの役目を果たすものであり、
レーザロッド2中のイオンが上準位レベルに十分励起さ
れた後、これを開くとリアミラー5とフロントミラー6
間で急激に誘導放出によるレーザ増幅作用が起き、レー
ザ光が発振されてパルス状の大出力光7が出射される。
器のQ値を急速に変化させて尖頭出力の大きいパルスを
取り出すための光シャッタの役目を果たすものであり、
レーザロッド2中のイオンが上準位レベルに十分励起さ
れた後、これを開くとリアミラー5とフロントミラー6
間で急激に誘導放出によるレーザ増幅作用が起き、レー
ザ光が発振されてパルス状の大出力光7が出射される。
【0006】このQスイッチ素子4を利用したパルスレ
ーザは、Qスイッチ素子4のない連続波レーザに較べて
103 〜105 倍の単位時間当たりの出力が得られるた
め、加工用、計測用等に広く用いられている。
ーザは、Qスイッチ素子4のない連続波レーザに較べて
103 〜105 倍の単位時間当たりの出力が得られるた
め、加工用、計測用等に広く用いられている。
【0007】上記レーザロッド2中のイオンの状態につ
いて、図4により説明する。図4(a)は、励起用半導
体レーザ装置01を駆動する変調器08の電流の時間波
形を示しており、これは一般的に矩形波である。通常、
レーザ媒質イオンの寿命τF(上準位レベルから自然に
基底状態に戻るまでの時間を表わし、全体の個数のうち
1/e≒37%が基底状態に戻る時間と定義されてい
る。ネオジウムイオンの場合約250μs)の間だけ一
定に励起する。
いて、図4により説明する。図4(a)は、励起用半導
体レーザ装置01を駆動する変調器08の電流の時間波
形を示しており、これは一般的に矩形波である。通常、
レーザ媒質イオンの寿命τF(上準位レベルから自然に
基底状態に戻るまでの時間を表わし、全体の個数のうち
1/e≒37%が基底状態に戻る時間と定義されてい
る。ネオジウムイオンの場合約250μs)の間だけ一
定に励起する。
【0008】図4(b)は、レーザロッド2中の上準位
レベルのイオン数の時間的変化を示すが、図4(a)で
示す波形のように一定の励起パワーで励起した場合、上
準位レベルのイオン数は時間とともに最初は直線的に増
加するが、次第にその増え方は鈍化する。
レベルのイオン数の時間的変化を示すが、図4(a)で
示す波形のように一定の励起パワーで励起した場合、上
準位レベルのイオン数は時間とともに最初は直線的に増
加するが、次第にその増え方は鈍化する。
【0009】これは、イオンの自然放出により、先に励
起されたイオンが自然に基底状態に戻るからである。こ
のイオンの自然放出は、レーザ発振には何ら寄与しな
い。そして、通常、励起を開始してからτF 時間経過後
に図4(c)に示すようにQスイッチ素子4をONと
し、図4(d)に示すようなパルスレーザ光を発振す
る。
起されたイオンが自然に基底状態に戻るからである。こ
のイオンの自然放出は、レーザ発振には何ら寄与しな
い。そして、通常、励起を開始してからτF 時間経過後
に図4(c)に示すようにQスイッチ素子4をONと
し、図4(d)に示すようなパルスレーザ光を発振す
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来のQスイッチ素子
を利用した半導体レーザ励起固体レーザにおいては、前
記のようにその尖頭出力(単位時間当たりの出力)が数
KW〜数MWと非常に大きいため、加工用、計測用に広く用
いられているが、エネルギ蓄積効率(レーザ発振に寄与
したエネルギ/レーザロッドに注入された励起エネル
ギ)の点から見ると無駄な部分があった。
を利用した半導体レーザ励起固体レーザにおいては、前
記のようにその尖頭出力(単位時間当たりの出力)が数
KW〜数MWと非常に大きいため、加工用、計測用に広く用
いられているが、エネルギ蓄積効率(レーザ発振に寄与
したエネルギ/レーザロッドに注入された励起エネル
ギ)の点から見ると無駄な部分があった。
【0011】この無駄な部分が生じるのは、図4(b)
に示すように、励起中に以前に励起されたイオンの自然
放出が発生するためであり、これが無駄なエネルギの放
出につながるからである。レーザロッド2のエネルギ蓄
積効率は、レーザの発振効率(レーザ出力/レーザ駆動
電力)に直接影響するため、できるだけ1に近付ける必
要がある。
に示すように、励起中に以前に励起されたイオンの自然
放出が発生するためであり、これが無駄なエネルギの放
出につながるからである。レーザロッド2のエネルギ蓄
積効率は、レーザの発振効率(レーザ出力/レーザ駆動
電力)に直接影響するため、できるだけ1に近付ける必
要がある。
【0012】ここで、励起用の半導体レーザ装置に供給
される駆動電流の時間的変化を関数f(x)で表わし、x
を寿命τF で規格化された時間とすると、x=1すなわ
ちt=τF 時までのエネルギ蓄積効率ηSTは次式で表わ
される。
される駆動電流の時間的変化を関数f(x)で表わし、x
を寿命τF で規格化された時間とすると、x=1すなわ
ちt=τF 時までのエネルギ蓄積効率ηSTは次式で表わ
される。
【0013】
【数1】
【0014】これを図示したものが図5であり、ηSTは
図5における正方形の面積と斜線部の面積の比で表わさ
れる。すなわち、レーザ発振に寄与するのは斜線部のみ
であり、蓄積エネルギ効率は63%であり、37%は無
駄になっており、その改善が望まれていた。本発明は上
記の課題を解決しようとするものである。
図5における正方形の面積と斜線部の面積の比で表わさ
れる。すなわち、レーザ発振に寄与するのは斜線部のみ
であり、蓄積エネルギ効率は63%であり、37%は無
駄になっており、その改善が望まれていた。本発明は上
記の課題を解決しようとするものである。
【0015】
(1)請求項1に記載の発明に係る半導体レーザ励起固
体レーザ発振方法は、レーザ共振器の中にQスイッチ素
子とレーザロッドが設けられ、変調器を介して電源より
電流を入力した半導体レーザ装置が上記レーザロッドに
励起光を入射する半導体レーザ励起固体レーザにおい
て、電源より電流を入力した変調器が関数f(x)=xで
表わされる鋸歯状波形の駆動電流を出力し、この駆動電
流を入力した半導体レーザ装置が励起光を発生してレー
ザロッドに入射して、レーザ共振器がジャイアントパル
スレーザ光を出力することを特徴としている。
体レーザ発振方法は、レーザ共振器の中にQスイッチ素
子とレーザロッドが設けられ、変調器を介して電源より
電流を入力した半導体レーザ装置が上記レーザロッドに
励起光を入射する半導体レーザ励起固体レーザにおい
て、電源より電流を入力した変調器が関数f(x)=xで
表わされる鋸歯状波形の駆動電流を出力し、この駆動電
流を入力した半導体レーザ装置が励起光を発生してレー
ザロッドに入射して、レーザ共振器がジャイアントパル
スレーザ光を出力することを特徴としている。
【0016】上記において、関数f(x)の変数xは、レ
ーザロッド中のレーザ媒質イオンの寿命で規格化された
時間であり、レーザロッドに注入された励起エネルギに
対するレーザ発振に寄与したエネルギの比で表わされる
レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは、次式(1)に
より表わすことができる。
ーザロッド中のレーザ媒質イオンの寿命で規格化された
時間であり、レーザロッドに注入された励起エネルギに
対するレーザ発振に寄与したエネルギの比で表わされる
レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは、次式(1)に
より表わすことができる。
【0017】
【数2】
【0018】本発明の場合、変調器が出力する駆動電流
が関数f(x)=xで表わされるため、上記式(1)は、
次式(2)のように変換され、この式(2)よりレーザ
ロッドのエネルギ蓄積効率を求めることができる。
が関数f(x)=xで表わされるため、上記式(1)は、
次式(2)のように変換され、この式(2)よりレーザ
ロッドのエネルギ蓄積効率を求めることができる。
【0019】
【数3】
【0020】本発明においては、上記のようにレーザロ
ッドのエネルギ蓄積効率が0.72となり、従来の場合
の0.63より14%向上して、イオンの自然放出によ
るエネルギの損失を減少させたため、レーザ発振効率の
向上が可能となる。
ッドのエネルギ蓄積効率が0.72となり、従来の場合
の0.63より14%向上して、イオンの自然放出によ
るエネルギの損失を減少させたため、レーザ発振効率の
向上が可能となる。
【0021】(2)請求項2に記載の発明は、上記発明
(1)に記載の半導体レーザ励起固体レーザ発振方法に
おいて、変調器が出力する駆動電流が関数f(x)=x・
ex- 1 で表わされる鋸歯状波形の駆動電流であることを
特徴としている。
(1)に記載の半導体レーザ励起固体レーザ発振方法に
おいて、変調器が出力する駆動電流が関数f(x)=x・
ex- 1 で表わされる鋸歯状波形の駆動電流であることを
特徴としている。
【0022】本発明においては、変調器が出力する駆動
電流を関数f(x)=x・ex-1 で表わされるものとして
いるため、レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは次式
(3)により表わされ、この式(3)より求めることが
できる。
電流を関数f(x)=x・ex-1 で表わされるものとして
いるため、レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは次式
(3)により表わされ、この式(3)より求めることが
できる。
【0023】
【数4】
【0024】本発明の場合、上記のようにレーザロッド
のエネルギ蓄積効率が0.77となり、上記発明(1)
の場合より更に向上するため、発明(1)に比べてレー
ザ発振効率を一層向上させることが可能となる。
のエネルギ蓄積効率が0.77となり、上記発明(1)
の場合より更に向上するため、発明(1)に比べてレー
ザ発振効率を一層向上させることが可能となる。
【0025】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態に係る半導
体レーザ励起固体レーザについて、図1により説明す
る。
体レーザ励起固体レーザについて、図1により説明す
る。
【0026】図1に示す本実施形態は、レーザ共振器を
形成するリアミラー5とフロントミラー6の間にQスイ
ッチ素子4とレーザロッド2が設けられた半導体レーザ
励起固体レーザにおいて、電源9に接続されて鋸歯状波
形の駆動電流を出力する変調器8、およびこの変調器8
より鋸歯状波形の駆動電流を入力し励起光3を発生して
上記レーザロッド2に入射する半導体レーザ装置1を備
えている。なお、半導体レーザ装置1と変調器8以外の
装置の作用は、従来の装置と同様であるため、その詳細
な説明は省略する。
形成するリアミラー5とフロントミラー6の間にQスイ
ッチ素子4とレーザロッド2が設けられた半導体レーザ
励起固体レーザにおいて、電源9に接続されて鋸歯状波
形の駆動電流を出力する変調器8、およびこの変調器8
より鋸歯状波形の駆動電流を入力し励起光3を発生して
上記レーザロッド2に入射する半導体レーザ装置1を備
えている。なお、半導体レーザ装置1と変調器8以外の
装置の作用は、従来の装置と同様であるため、その詳細
な説明は省略する。
【0027】本実施形態においては、変調器8が出力す
る駆動電流が鋸歯状波形の電流のため、この駆動電流は
関数f(x)=xで表わすことができ、レーザ発振に寄与
したエネルギとレーザロッド2に注入された励起エネル
ギの比で示されるレーザロッド2のエネルギ蓄積効率η
STは、次式(2)により求めることができる。
る駆動電流が鋸歯状波形の電流のため、この駆動電流は
関数f(x)=xで表わすことができ、レーザ発振に寄与
したエネルギとレーザロッド2に注入された励起エネル
ギの比で示されるレーザロッド2のエネルギ蓄積効率η
STは、次式(2)により求めることができる。
【0028】
【数5】
【0029】また、上記について図示したものが図2で
あり、レーザロッド2に注入された励起エネルギとレー
ザ発振に寄与したエネルギは、それぞれ三角形の面積
と、斜線が記載された部分の面積と対応しており、前者
に対する後者の面積比がエネルギ蓄積効率ηSTを表わし
ている。
あり、レーザロッド2に注入された励起エネルギとレー
ザ発振に寄与したエネルギは、それぞれ三角形の面積
と、斜線が記載された部分の面積と対応しており、前者
に対する後者の面積比がエネルギ蓄積効率ηSTを表わし
ている。
【0030】本実施形態の場合、レーザロッド2のエネ
ルギ蓄積効率ηSTは0.72であり、従来の装置おける
0.63に比較して1.14倍であり、エネルギ蓄積効
率η STを14%向上させることができた。
ルギ蓄積効率ηSTは0.72であり、従来の装置おける
0.63に比較して1.14倍であり、エネルギ蓄積効
率η STを14%向上させることができた。
【0031】本発明の実施の他の形態に係る半導体レー
ザ励起固体レーザについて、説明する。本実施形態にお
いては、変調器が半導体レーザ装置に入力する駆動電流
を関数f(x)=x・ex-1 で表わせるものとしており、
レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは次式(3)によ
り求めることができる。
ザ励起固体レーザについて、説明する。本実施形態にお
いては、変調器が半導体レーザ装置に入力する駆動電流
を関数f(x)=x・ex-1 で表わせるものとしており、
レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは次式(3)によ
り求めることができる。
【0032】
【数6】
【0033】本実施形態の場合、上記エネルギ蓄積効率
ηSTは0.77であり、上記一実施形態の場合よりもレ
ーザロッドのエネルギ蓄積効率を更に向上させることが
できた。
ηSTは0.77であり、上記一実施形態の場合よりもレ
ーザロッドのエネルギ蓄積効率を更に向上させることが
できた。
【0034】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ発
振方法においては、電源より電流を入力した変調器が関
数f(x)=xで表わされる鋸歯状波形の駆動電流を出力
して半導体レーザ装置に入力し、同半導体レーザ装置が
レーザ共振器の中にQスイッチ素子とともに設けられた
レーザロッドに励起光を入射することによって、また、
変調器が出力する駆動電流を関数f(x)=x・ex-1 で
表わされるものとしたことによって、従来のものに比べ
てレーザロッドのエネルギ蓄積効率の向上が可能とな
り、レーザ発振効率の向上が可能となって、装置の小型
化、電力使用量の低減が可能となる。
振方法においては、電源より電流を入力した変調器が関
数f(x)=xで表わされる鋸歯状波形の駆動電流を出力
して半導体レーザ装置に入力し、同半導体レーザ装置が
レーザ共振器の中にQスイッチ素子とともに設けられた
レーザロッドに励起光を入射することによって、また、
変調器が出力する駆動電流を関数f(x)=x・ex-1 で
表わされるものとしたことによって、従来のものに比べ
てレーザロッドのエネルギ蓄積効率の向上が可能とな
り、レーザ発振効率の向上が可能となって、装置の小型
化、電力使用量の低減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態に係る半導体レーザ励起
固体レーザの説明図である。
固体レーザの説明図である。
【図2】上記一実施形態に係るレーザロッドのエネルギ
蓄積効率の説明図である。
蓄積効率の説明図である。
【図3】従来の装置の説明図である。
【図4】従来の装置の作用説明図である。
【図5】従来の装置のレーザロッドのエネルギ蓄積効率
の説明図である。
の説明図である。
1 半導体レーザ装置 2 レーザロッド 3 励起光 4 Qスイッチ素子 5 リアミラー 6 フロントミラー 8 変調器 9 電源
【手続補正書】
【提出日】平成9年7月16日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】
Claims (2)
- 【請求項1】 レーザ共振器の中にQスイッチ素子とレ
ーザロッドが設けられ、変調器を介して電源より電流を
入力した半導体レーザ装置が上記レーザロッドに励起光
を入射する半導体レーザ励起固体レーザにおいて、電源
より電流を入力した変調器が関数f(x)=xで表わされ
る鋸歯状波形の駆動電流を出力し、この駆動電流を入力
した半導体レーザ装置が励起光を発生してレーザロッド
に入射して、レーザ共振器がジャイアントパルスレーザ
光を出力することを特徴とする半導体レーザ励起固体レ
ーザ発振方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体レーザ励起固体
レーザ発振方法において、変調器が出力する駆動電流が
関数f(x)=x・ex-1 で表わされる鋸歯状波形の駆動
電流であることを特徴とする半導体レーザ励起固体レー
ザ発振方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167231A JPH1012956A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 半導体レーザ励起固体レーザ発振方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167231A JPH1012956A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 半導体レーザ励起固体レーザ発振方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012956A true JPH1012956A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15845890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8167231A Withdrawn JPH1012956A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 半導体レーザ励起固体レーザ発振方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012956A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006156834A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Keyence Corp | レーザー装置 |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP8167231A patent/JPH1012956A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006156834A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Keyence Corp | レーザー装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1696522B1 (en) | Passively Q-switched laser with adjustable pulse repetition rate | |
| US5381431A (en) | Picosecond Q-switched microlasers | |
| US6418154B1 (en) | Pulsed diode-pumped solid-state laser | |
| US5621745A (en) | Intracavity modulated pulsed laser and methods of using the same | |
| US20090180500A1 (en) | Method and device for controlling optical output of laser diode | |
| US4675872A (en) | Driver unit for a laser Q-switch | |
| JPH11224968A (ja) | 第1パルス制御を有するパルスレーザ | |
| US6654391B2 (en) | Method for operating Q-switched lasers with intracavity frequency conversion | |
| JP2003198019A (ja) | レーザ光源 | |
| US6038240A (en) | Method and solid-state laser system for generating laser pulses with a variable pulse repetition frequency and constant beam characteristics | |
| US6188704B1 (en) | Diode-pumped laser drive | |
| CN110932075B (zh) | 一种双波长脉冲对激光输出方法及激光器 | |
| JP2009526388A (ja) | パルスレーザ光を生成するレーザ及び方法 | |
| US7787506B1 (en) | Gain-switched fiber laser system | |
| EP0848863B1 (en) | Long pulse vanadate laser | |
| WO2007064298A1 (en) | Q-switched laser arrangement | |
| JPH1012956A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ発振方法 | |
| JPH10321933A (ja) | 半導体励起固体レーザ | |
| JPH02260479A (ja) | レーザ発振装置 | |
| JP2000223765A (ja) | 半導体励起固体レーザ発振装置 | |
| JP2003347636A (ja) | Qスイッチレーザ装置及びqスイッチ制御方法 | |
| CN119182042B (zh) | 一种复合脉冲激光器及其应用方法 | |
| JP2001185795A (ja) | 紫外レーザー装置 | |
| JP2001036175A (ja) | レーザーダイオード励起固体レーザー | |
| JP2002076479A (ja) | 固体レーザ発振器および固体レーザの発振方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |