JPH10132957A - マイクロセンサ - Google Patents
マイクロセンサInfo
- Publication number
- JPH10132957A JPH10132957A JP30370696A JP30370696A JPH10132957A JP H10132957 A JPH10132957 A JP H10132957A JP 30370696 A JP30370696 A JP 30370696A JP 30370696 A JP30370696 A JP 30370696A JP H10132957 A JPH10132957 A JP H10132957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensitive
- temperature
- microsensor
- heater
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 架橋部（センサ部）の熱容量を小さくし、周
囲温度の変化に伴う感応部の温度追従性の早いマイクロ
センサの提供。 【解決手段】 ヒーター８周辺の感応部６及び絶縁膜９
に通気孔４を設け、架橋部５全体の熱容量を小さくした
マイクロセンサ。
囲温度の変化に伴う感応部の温度追従性の早いマイクロ
センサの提供。 【解決手段】 ヒーター８周辺の感応部６及び絶縁膜９
に通気孔４を設け、架橋部５全体の熱容量を小さくした
マイクロセンサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン加工技
術、薄膜技術等を応用して作製されるマイクロセンサに
関するもので、感応物質としてはガス感応物質、温度感
応物質、磁気感応物質等があり、ガスセンサ、湿度セン
サ、温度センサ、磁気センサ等に利用されるマイクロセ
ンサに関する。
術、薄膜技術等を応用して作製されるマイクロセンサに
関するもので、感応物質としてはガス感応物質、温度感
応物質、磁気感応物質等があり、ガスセンサ、湿度セン
サ、温度センサ、磁気センサ等に利用されるマイクロセ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術によるマイクロセンサについ
て、図２を参照して説明する。
て、図２を参照して説明する。
【０００３】従来技術によるマイクロセンサの作製手順
は、以下の通りである。 シリコン基板１上に、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法
等でＳｉ3Ｏ4膜等の薄膜層３を約３μｍ厚に形成する。 薄膜層３上にガス感応物質、温度感応物質、磁気感応
物質等の感応物質から成る感応部６と感応物質の電気特
性（インピーダンス、キャパシタンス、インダクタン
ス）を測定するための導電性材料からなる電極部７をス
パッタ法、ＣＶＤ法等で形成する。また、感応部６を周
囲温度より高い温度に加熱して用いる場合には、感応部
６の周辺にヒーター８を設けてヒーター８と感応部６、
及びヒーター８と電極部７の間に絶縁膜９を設けて絶縁
する。 薄膜層３に架橋部５として残す箇所を有機系のマスク
で覆い、フッ素等で薄膜層３をエッチングする。 ＫＯＨ等でシリコン基板１をエッチングし、架橋部５
となる薄膜層３の下部に空洞部２に形成して架橋構造体
を形成する。
は、以下の通りである。 シリコン基板１上に、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法
等でＳｉ3Ｏ4膜等の薄膜層３を約３μｍ厚に形成する。 薄膜層３上にガス感応物質、温度感応物質、磁気感応
物質等の感応物質から成る感応部６と感応物質の電気特
性（インピーダンス、キャパシタンス、インダクタン
ス）を測定するための導電性材料からなる電極部７をス
パッタ法、ＣＶＤ法等で形成する。また、感応部６を周
囲温度より高い温度に加熱して用いる場合には、感応部
６の周辺にヒーター８を設けてヒーター８と感応部６、
及びヒーター８と電極部７の間に絶縁膜９を設けて絶縁
する。 薄膜層３に架橋部５として残す箇所を有機系のマスク
で覆い、フッ素等で薄膜層３をエッチングする。 ＫＯＨ等でシリコン基板１をエッチングし、架橋部５
となる薄膜層３の下部に空洞部２に形成して架橋構造体
を形成する。
【０００４】このようにして形成した架橋部５及び感応
部６は、非常に小さく加工できるため、熱容量が小さく
できる。このため、温度センサ等の場合、周囲温度の変
化に伴う感応部６の温度追従性が早いという特徴があ
る。
部６は、非常に小さく加工できるため、熱容量が小さく
できる。このため、温度センサ等の場合、周囲温度の変
化に伴う感応部６の温度追従性が早いという特徴があ
る。
【０００５】また、感応部６周囲にヒーター８を設けて
感応部６を周囲温度以上に加熱して用いる場合にも加熱
開始時から温度が安定するまでの時間が短いという特徴
がある。
感応部６を周囲温度以上に加熱して用いる場合にも加熱
開始時から温度が安定するまでの時間が短いという特徴
がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、さらに
熱容量を小さくして特性改善をするためには、ヒーター
８周辺の感応部６、絶縁膜９の熱容量が大きいという欠
点があった。
熱容量を小さくして特性改善をするためには、ヒーター
８周辺の感応部６、絶縁膜９の熱容量が大きいという欠
点があった。
【０００７】従って、本発明の技術的課題は、上記欠点
を解決し、架橋部の熱容量を小さくし、周囲温度の変化
に伴う感応部の温度追従性の早いマイクロセンサを提供
することである。
を解決し、架橋部の熱容量を小さくし、周囲温度の変化
に伴う感応部の温度追従性の早いマイクロセンサを提供
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン基板
上に空洞部を設け、該空洞部上に架橋構造状の空中に浮
いた構造をしている単層以上の絶縁膜層からなる架橋部
が位置しており、該架橋部表面、あるいは架橋部内に抵
抗体からなるヒータと前記架橋部表面に感応膜を設けて
いるマイクロセンサにおいて、前記抵抗体からなるヒー
タ周辺の前記絶縁膜層と感応膜に通気孔を設けることを
特徴とするマイクロセンサである。
上に空洞部を設け、該空洞部上に架橋構造状の空中に浮
いた構造をしている単層以上の絶縁膜層からなる架橋部
が位置しており、該架橋部表面、あるいは架橋部内に抵
抗体からなるヒータと前記架橋部表面に感応膜を設けて
いるマイクロセンサにおいて、前記抵抗体からなるヒー
タ周辺の前記絶縁膜層と感応膜に通気孔を設けることを
特徴とするマイクロセンサである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態のマイクロセ
ンサを図面を用いて詳細に説明する。
ンサを図面を用いて詳細に説明する。
【００１０】図１は、本発明の実施の形態のマイクロセ
ンサの説明図を示す。図１（ａ）は正面図を示す。図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図を示す。図１（ｃ）
は図１（ａ）のヒーター部の正面図を示す。図１（ｄ）
は図１（ａ）の架橋部５の拡大図を示す。
ンサの説明図を示す。図１（ａ）は正面図を示す。図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図を示す。図１（ｃ）
は図１（ａ）のヒーター部の正面図を示す。図１（ｄ）
は図１（ａ）の架橋部５の拡大図を示す。
【００１１】本発明によるマイクロセンサの作製手順
は、従来の作製手順と同様であるが、本発明において
は、ヒーター８周辺の感応部６及び絶縁膜９に通気孔４
を設け、架橋部５全体の熱容量を小さくしたものであ
る。
は、従来の作製手順と同様であるが、本発明において
は、ヒーター８周辺の感応部６及び絶縁膜９に通気孔４
を設け、架橋部５全体の熱容量を小さくしたものであ
る。
【００１２】抵抗式ガスセンサは、感応部６として酸化
すず等のガス感応物質の薄膜を用い、非加熱あるいはヒ
ーター８で加熱されたガス感応物質のガス濃度に伴う電
気抵抗変化を利用してガスを検出する。
すず等のガス感応物質の薄膜を用い、非加熱あるいはヒ
ーター８で加熱されたガス感応物質のガス濃度に伴う電
気抵抗変化を利用してガスを検出する。
【００１３】熱電動式ガスセンサは、感応部６として白
金等の温度感応物質の薄膜を用い、ヒーター８で温度感
応物質を加熱し、ガス濃度に伴う温度感応物質の温度の
変化を利用してガスを検出する。
金等の温度感応物質の薄膜を用い、ヒーター８で温度感
応物質を加熱し、ガス濃度に伴う温度感応物質の温度の
変化を利用してガスを検出する。
【００１４】抵抗式温度センサは、感応部６として白金
等の温度感応物質の薄膜を用い、周囲温度変化に伴う温
度感応物質の抵抗変化を利用して温度を検出する。
等の温度感応物質の薄膜を用い、周囲温度変化に伴う温
度感応物質の抵抗変化を利用して温度を検出する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱容量を小さくしたので温度追従性の早いマイクロセン
サが得られた。
熱容量を小さくしたので温度追従性の早いマイクロセン
サが得られた。
【図１】本発明の実施の形態のマイクロセンサの説明
図。図１（ａ）は正面図。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ
−Ａ断面図。図１（ｃ）は図１（ａ）のヒーター部の正
面図。図１（ｄ）は図１（ａ）の架橋部５の拡大図。
図。図１（ａ）は正面図。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ
−Ａ断面図。図１（ｃ）は図１（ａ）のヒーター部の正
面図。図１（ｄ）は図１（ａ）の架橋部５の拡大図。
【図２】従来のマイクロセンサの説明図。図２（ａ）は
正面図。図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図。図２
（ｃ）は図２（ａ）のヒーター部の正面図。
正面図。図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図。図２
（ｃ）は図２（ａ）のヒーター部の正面図。
１ シリコン基板 ２ 空洞部 ３ 薄膜層 ４ 通気孔 ５ 架橋部 ６ 感応部 ７ 電極部 ８ ヒーター ９ 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０１Ｎ 27/12 Ｇ０１Ｎ 27/12 Ｂ Ｇ Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｇ０１Ｒ 33/06
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板上に空洞部を設け、該空洞
部上に架橋構造状の単層以上の絶縁膜層からなる架橋部
が位置しており、該架橋部表面、あるいは架橋部内に抵
抗体からなるヒーターと前記架橋部表面に感応膜を設け
ているマイクロセンサにおいて、前記抵抗体からなるヒ
ーター周辺の前記絶縁膜層と感応膜に通気孔を設けるこ
とを特徴とするマイクロセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30370696A JPH10132957A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | マイクロセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30370696A JPH10132957A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | マイクロセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10132957A true JPH10132957A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17924279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30370696A Pending JPH10132957A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | マイクロセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10132957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009079910A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜型ガスセンサ |
| US8501101B2 (en) | 2010-12-03 | 2013-08-06 | Industrial Technology Research Institute | Gas sensor |
-
1996
- 1996-10-28 JP JP30370696A patent/JPH10132957A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009079910A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜型ガスセンサ |
| US8501101B2 (en) | 2010-12-03 | 2013-08-06 | Industrial Technology Research Institute | Gas sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101093612B1 (ko) | 정전용량형 습도센서 및 그 제조방법 | |
| WO2002050528A1 (en) | Microsensor and single chip integrated microsensor system | |
| JPH01109250A (ja) | ガスセンサ | |
| JPH10213470A (ja) | 薄膜式抵抗体及びその製造方法、流量センサ、湿度センサ、ガスセンサ、温度センサ | |
| JP4041063B2 (ja) | ナノワイヤフィラメント | |
| JPH07218465A (ja) | 液体の存在または同内の相の変化あるいはその両方の観察のための検出器および方法 | |
| US5652443A (en) | Sensor having a micro-bridge heater | |
| US4841769A (en) | Apparatus for measuring velocity of flow | |
| JPH10132957A (ja) | マイクロセンサ | |
| KR101992022B1 (ko) | 반도체식 가스센서 | |
| JPS61181104A (ja) | 白金測温抵抗体 | |
| JP3124609B2 (ja) | 雰囲気センサの構造 | |
| JPH11354302A (ja) | 薄膜抵抗素子 | |
| US4419652A (en) | Temperature sensor | |
| JPH10160698A (ja) | マイクロセンサ | |
| JP3499072B2 (ja) | 半導体ガスセンサ | |
| JP2601409Y2 (ja) | 温湿度センサ | |
| JPH06105235B2 (ja) | 湿度検知素子 | |
| JPS58102144A (ja) | ガスセンサ | |
| JP3348256B2 (ja) | 奪熱雰囲気検出装置 | |
| JPS58100472A (ja) | 温度センサおよびその製造方法 | |
| JPH11241935A (ja) | マイクロセンサ | |
| JP3348255B2 (ja) | 奪熱雰囲気検出装置 | |
| JP3282048B2 (ja) | 奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサ | |
| KR20180136369A (ko) | 센서 어셈블리 작동 방법 및 이에 적합한 센서 어셈블리 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050201 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050712 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |