JPH10133210A - 透明導電膜のパターニング法 - Google Patents
透明導電膜のパターニング法Info
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- JPH10133210A JPH10133210A JP28796896A JP28796896A JPH10133210A JP H10133210 A JPH10133210 A JP H10133210A JP 28796896 A JP28796896 A JP 28796896A JP 28796896 A JP28796896 A JP 28796896A JP H10133210 A JPH10133210 A JP H10133210A
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- conductive film
- film
- etching
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明導電膜のエッチング残りを視覚的又は光
学的に認識できないという問題があった。 【解決手段】 基板上に透明導電膜を形成して、この透
明導電膜が所定形状に残るように他の部分をエッチング
除去する透明導電膜のパターニング法であって、上記透
明導電膜が除去される部位の下部に金属膜を設けて、上
記透明導電膜をエッチング除去すると共に、この透明導
電膜下部の金属膜もエッチング除去する。
学的に認識できないという問題があった。 【解決手段】 基板上に透明導電膜を形成して、この透
明導電膜が所定形状に残るように他の部分をエッチング
除去する透明導電膜のパターニング法であって、上記透
明導電膜が除去される部位の下部に金属膜を設けて、上
記透明導電膜をエッチング除去すると共に、この透明導
電膜下部の金属膜もエッチング除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電膜のパター
ニング法に関し、特に液晶表示装置の画素電極等に用い
られる透明導電膜のパターニング法に関する。
ニング法に関し、特に液晶表示装置の画素電極等に用い
られる透明導電膜のパターニング法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の画素電極は、ＩＴＯ（酸
化インジウムすず）などの透明導電膜で構成される。こ
のような液晶表示装置の画素電極は、図２に示すよう
に、ガラスなどから成る透光性基板１１上の全面若しく
は略全面にスパッタリング法などで透明導電膜１２を一
旦形成し（図２（ａ））、この透明導電膜１２上にエッ
チングのレジスト膜１３を所定形状に形成し（図２
（ｂ））、この基板１１を塩酸系のエッチング液中に所
定時間浸漬して、レジスト膜１３が形成された部位以外
の透明導電膜１２をエッチング除去することにより、所
定形状にパターニングしていた（図２（ｃ））。この場
合、透明導電膜１２のエッチングの終点判定は、透明導
電膜１２の膜厚とエッチング液の液組成と液温等を考慮
した時間測定で行われる。
化インジウムすず）などの透明導電膜で構成される。こ
のような液晶表示装置の画素電極は、図２に示すよう
に、ガラスなどから成る透光性基板１１上の全面若しく
は略全面にスパッタリング法などで透明導電膜１２を一
旦形成し（図２（ａ））、この透明導電膜１２上にエッ
チングのレジスト膜１３を所定形状に形成し（図２
（ｂ））、この基板１１を塩酸系のエッチング液中に所
定時間浸漬して、レジスト膜１３が形成された部位以外
の透明導電膜１２をエッチング除去することにより、所
定形状にパターニングしていた（図２（ｃ））。この場
合、透明導電膜１２のエッチングの終点判定は、透明導
電膜１２の膜厚とエッチング液の液組成と液温等を考慮
した時間測定で行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のよう
に透明導電膜１２のパターニングを透明導電膜１２の膜
厚とエッチング液の液組成と液温等を考慮した時間測定
で行うと、透明導電膜１２の膜質やエッチング液の状態
によって透明導電膜１２のエッチングの精度が大きく異
なり、透明導電膜１２のエッチング残りやオーバーエッ
チングが発生し易くなるという問題があった。透明導電
膜１２のエッチング残りが発生すると、隣接する島状の
透明導電膜１２間で短絡などが発生し、液晶表示装置に
用いた場合には表示不良となる。一方、オーバーエッチ
ングが発生すると、サイドシフトによって島状の透明導
電膜１２の形状が小さくなる。
に透明導電膜１２のパターニングを透明導電膜１２の膜
厚とエッチング液の液組成と液温等を考慮した時間測定
で行うと、透明導電膜１２の膜質やエッチング液の状態
によって透明導電膜１２のエッチングの精度が大きく異
なり、透明導電膜１２のエッチング残りやオーバーエッ
チングが発生し易くなるという問題があった。透明導電
膜１２のエッチング残りが発生すると、隣接する島状の
透明導電膜１２間で短絡などが発生し、液晶表示装置に
用いた場合には表示不良となる。一方、オーバーエッチ
ングが発生すると、サイドシフトによって島状の透明導
電膜１２の形状が小さくなる。
【０００４】また、透明導電膜１２のエッチング残りが
発生しても、透明導電膜１２自体は透明であることか
ら、そのエッチング残りは視覚的又は光学的には認識で
きず、電気特性を検査するまで、このエッチング残りを
発見することは困難であるという問題があった。
発生しても、透明導電膜１２自体は透明であることか
ら、そのエッチング残りは視覚的又は光学的には認識で
きず、電気特性を検査するまで、このエッチング残りを
発見することは困難であるという問題があった。
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みて為されたものであり、透明導電膜のエッチング残
りを視覚的又は光学的に認識できなという問題を解消し
た透明導電膜のパターニング法を提供することを目的と
する。
鑑みて為されたものであり、透明導電膜のエッチング残
りを視覚的又は光学的に認識できなという問題を解消し
た透明導電膜のパターニング法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る透明導電膜のパターニング法では、基
板上に透明導電膜を形成して、この透明導電膜が所定形
状に残るように他の部分をエッチング除去する透明導電
膜のパターニング法において、前記透明導電膜が除去さ
れる部位の下部に金属膜を設け、前記透明導電膜をエッ
チング除去すると共に、この透明導電膜下部の金属膜も
エッチング除去する。
に、本発明に係る透明導電膜のパターニング法では、基
板上に透明導電膜を形成して、この透明導電膜が所定形
状に残るように他の部分をエッチング除去する透明導電
膜のパターニング法において、前記透明導電膜が除去さ
れる部位の下部に金属膜を設け、前記透明導電膜をエッ
チング除去すると共に、この透明導電膜下部の金属膜も
エッチング除去する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明に係る透明導電膜のパ
ターニング法の一実施形態を示す図であり、１はガラス
などから成る基板、２は金属膜、３は透明導電膜であ
る。
詳細に説明する。図１は、本発明に係る透明導電膜のパ
ターニング法の一実施形態を示す図であり、１はガラス
などから成る基板、２は金属膜、３は透明導電膜であ
る。
【０００８】基板１としては、ソーダ系ガラス基板や無
アルカリガラス基板が用いられる。ソーダ系ガラスはケ
イ酸、ソーダ灰、石灰が主成分で、比較的低価格である
が、アルカリ成分によってガラス基板表面に形成する透
明導電膜３の電気特性が劣化したり、透明導電膜３が白
濁する可能性がある。また、アルカリ成分が液晶材料中
に溶けだすと、コントラストの低下、画像の劣化等を招
く。したがって、ソーダ系ガラスを用いる場合は、基板
１の表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などから成る保
護膜を形成する。アルカリ成分を含まない無アルカリガ
ラスの場合、このような保護膜（不図示）は必ずしも必
要ではない。
アルカリガラス基板が用いられる。ソーダ系ガラスはケ
イ酸、ソーダ灰、石灰が主成分で、比較的低価格である
が、アルカリ成分によってガラス基板表面に形成する透
明導電膜３の電気特性が劣化したり、透明導電膜３が白
濁する可能性がある。また、アルカリ成分が液晶材料中
に溶けだすと、コントラストの低下、画像の劣化等を招
く。したがって、ソーダ系ガラスを用いる場合は、基板
１の表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などから成る保
護膜を形成する。アルカリ成分を含まない無アルカリガ
ラスの場合、このような保護膜（不図示）は必ずしも必
要ではない。
【０００９】次に、図１（ｂ）に示すように、基板１上
に金属膜２を所定領域に形成する。この金属膜２は、例
えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃ
ｒ）などから成る。金属膜２をこのような金属で形成す
ると、液晶表示装置を形成する場合、この金属膜２の形
成と同時に信号用配線やトランジスタの電極などを形成
できる。この金属膜２は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着
法、或いはスパッタリング法などで、０．１〜０．５μ
ｍ程度の厚みに形成される。この金属膜２は、基板１上
の所定部分に所定形状に形成され、最終的には透明導電
膜３と共にパターニングされる。この金属膜２は、上記
のような金属から成る一層の膜でもよいし、複数層の膜
でもよい。
に金属膜２を所定領域に形成する。この金属膜２は、例
えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃ
ｒ）などから成る。金属膜２をこのような金属で形成す
ると、液晶表示装置を形成する場合、この金属膜２の形
成と同時に信号用配線やトランジスタの電極などを形成
できる。この金属膜２は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着
法、或いはスパッタリング法などで、０．１〜０．５μ
ｍ程度の厚みに形成される。この金属膜２は、基板１上
の所定部分に所定形状に形成され、最終的には透明導電
膜３と共にパターニングされる。この金属膜２は、上記
のような金属から成る一層の膜でもよいし、複数層の膜
でもよい。
【００１０】次に、図１（ｃ）に示すように、金属膜２
上に透明導電膜３を形成する。この透明導電膜３として
は、酸化すず（ＳｎＯ2 ）、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ
3 ）、酸化インジウムすず（ＩＴＯ）などが用いられ
る。このような透明導電膜３は、真空蒸着法やスパッタ
リング法などで、０．０５μｍ程度の厚みに形成され
る。この透明導電膜３は、液晶表示装置の画素電極など
に用いられるものである。
上に透明導電膜３を形成する。この透明導電膜３として
は、酸化すず（ＳｎＯ2 ）、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ
3 ）、酸化インジウムすず（ＩＴＯ）などが用いられ
る。このような透明導電膜３は、真空蒸着法やスパッタ
リング法などで、０．０５μｍ程度の厚みに形成され
る。この透明導電膜３は、液晶表示装置の画素電極など
に用いられるものである。
【００１１】次に、図１（ｄ）に示すように、透明導電
膜３上にレジスト膜４を形成して、透明導電膜３の下部
に形成された金属膜２の一部が被覆されるようにパター
ニングする。このレジスト膜４は、ポジ型、ネガ型のい
ずれでもよい。
膜３上にレジスト膜４を形成して、透明導電膜３の下部
に形成された金属膜２の一部が被覆されるようにパター
ニングする。このレジスト膜４は、ポジ型、ネガ型のい
ずれでもよい。
【００１２】次に、基板１を塩酸系のエッチング液に浸
漬して、レジスト膜４を形成した部分以外の透明導電膜
３をエッチング除去する。この場合、透明導電膜３をエ
ッチングすると共に、エッチングされた透明導電膜３下
部の金属膜２もエッチング除去する。透明導電膜３にエ
ッチング残りが発生すると金属膜２も残ることから、透
明導電膜３のエッチング残りは極めて容易に発見でき
る。したがって、設計時において算出されるエッチング
時間をより厳密に設定することができ、エッチング時間
を長くすることによって発生するサイドシフトの発生を
抑えることができる。
漬して、レジスト膜４を形成した部分以外の透明導電膜
３をエッチング除去する。この場合、透明導電膜３をエ
ッチングすると共に、エッチングされた透明導電膜３下
部の金属膜２もエッチング除去する。透明導電膜３にエ
ッチング残りが発生すると金属膜２も残ることから、透
明導電膜３のエッチング残りは極めて容易に発見でき
る。したがって、設計時において算出されるエッチング
時間をより厳密に設定することができ、エッチング時間
を長くすることによって発生するサイドシフトの発生を
抑えることができる。
【００１３】この場合、透明導電膜３が残る部分の端部
に金属膜２が残るように透明導電膜３をエッチングする
と、エッチングされる部分とエッチングされない部分と
の色彩のコントラストがより強くなり、エッチング残渣
をより発見しやすくなる。
に金属膜２が残るように透明導電膜３をエッチングする
と、エッチングされる部分とエッチングされない部分と
の色彩のコントラストがより強くなり、エッチング残渣
をより発見しやすくなる。
【００１４】なお、透明導電膜３と金属膜２のエッチン
グ液やエッチング工程が同一であれば簡略化の点から望
ましいが、必ずしも同一でなくてもよい。
グ液やエッチング工程が同一であれば簡略化の点から望
ましいが、必ずしも同一でなくてもよい。
【００１５】最後に、図１（ｅ）に示すように、レジス
ト膜４を除去して透明導電膜３のパターニングが完成す
る。透明導電膜３の周縁部には、金属膜２をそのまま残
しておけばよい。
ト膜４を除去して透明導電膜３のパターニングが完成す
る。透明導電膜３の周縁部には、金属膜２をそのまま残
しておけばよい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る透明導電膜
のパターニング法によれば、透明導電膜が除去される部
位の下部に金属膜を設けて、透明導電膜をエッチング除
去すると共に、この透明導電膜下部の金属膜もエッチン
グ除去することから、透明導電膜のパターニング時にお
けるエッチングの終点判定を金属膜で行うことができ、
終点判定を確実に行うことができる。また、エッチング
除去される部位の透明導電膜が薄く残っても、続く下層
の金属膜のエッチング時に一緒に除去することができ、
画素電極の短絡不良も低減できる。さらに、透明導電膜
が厚く残っている場合は、下層の金属膜も残っているこ
とから、目視でエッチング不良の位置を確認でき、レー
ザ等による修正作業も行いやすくなる。
のパターニング法によれば、透明導電膜が除去される部
位の下部に金属膜を設けて、透明導電膜をエッチング除
去すると共に、この透明導電膜下部の金属膜もエッチン
グ除去することから、透明導電膜のパターニング時にお
けるエッチングの終点判定を金属膜で行うことができ、
終点判定を確実に行うことができる。また、エッチング
除去される部位の透明導電膜が薄く残っても、続く下層
の金属膜のエッチング時に一緒に除去することができ、
画素電極の短絡不良も低減できる。さらに、透明導電膜
が厚く残っている場合は、下層の金属膜も残っているこ
とから、目視でエッチング不良の位置を確認でき、レー
ザ等による修正作業も行いやすくなる。
【図１】本発明に係る透明導電膜のパターニング法を示
す図である。
す図である。
【図２】従来の透明導電膜のパターニング法を示す図で
ある。
ある。
１・・・基板、２・・・金属膜、３・・・透明導電膜
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に透明導電膜を形成して、この透
明導電膜が所定形状に残るように他の部分をエッチング
除去する透明導電膜のパターニング法において、前記透
明導電膜が除去される部位の下部に金属膜を設けて、前
記透明導電膜をエッチング除去すると共に、この透明導
電膜下部の金属膜もエッチング除去することを特徴とす
る透明導電膜のパターニング法。 - 【請求項２】 前記透明導電膜が残る部分の端部に前記
金属膜が残るように前記透明導電膜と前記金属膜をエッ
チング除去することを特徴とする請求項１に記載の透明
導電膜のパターニング法。 - 【請求項３】 前記金属膜がチタン、タンタル、クロム
のいずれか一種若しくは複数種の層から成ることを特徴
とする請求項２に記載の透明導電膜のパターニング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28796896A JPH10133210A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 透明導電膜のパターニング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28796896A JPH10133210A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 透明導電膜のパターニング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10133210A true JPH10133210A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17724091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28796896A Pending JPH10133210A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 透明導電膜のパターニング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10133210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107123745A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-09-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 像素阵列及其制作方法、显示面板和显示装置 |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP28796896A patent/JPH10133210A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107123745A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-09-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 像素阵列及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN107123745B (zh) * | 2017-04-27 | 2018-12-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 像素阵列及其制作方法、显示面板和显示装置 |
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