JPH10134745A - 電子ビームの電流密度制御方法および装置 - Google Patents
電子ビームの電流密度制御方法および装置Info
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- JPH10134745A JPH10134745A JP8286453A JP28645396A JPH10134745A JP H10134745 A JPH10134745 A JP H10134745A JP 8286453 A JP8286453 A JP 8286453A JP 28645396 A JP28645396 A JP 28645396A JP H10134745 A JPH10134745 A JP H10134745A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再現性良く，また、試料上の電子ビームの照
射範囲を変えることなく電子ビームの電流密度を制御す
ることができる電子ビームの電流密度制御方法および装
置を実現する。 【解決手段】 電子銃５から発生する電子ビームの電流
密度分布は、図４（ｂ）に示すようにほぼガウス分布を
している。従って、図４（ａ）の実線の状態のときに最
大の電流密度の電子ビームが固定絞り６の開口７を通過
するとすれば、電子ビームの偏向により開口７を通過す
る電子ビームの電流密度は、徐々に減少し、電子ビーム
を大きく偏向すると、最終的には開口７を通過する電子
ビームの電流量を０とすることができる。このように、
２段の偏向コイル１３，１４に供給する偏向信号の大き
さを連続的に変え、Ａ点における電子ビームの偏向角を
変えることにより、絞り６の開口を通過する電子ビーム
の電流密度を連続的に変えることができる。
射範囲を変えることなく電子ビームの電流密度を制御す
ることができる電子ビームの電流密度制御方法および装
置を実現する。 【解決手段】 電子銃５から発生する電子ビームの電流
密度分布は、図４（ｂ）に示すようにほぼガウス分布を
している。従って、図４（ａ）の実線の状態のときに最
大の電流密度の電子ビームが固定絞り６の開口７を通過
するとすれば、電子ビームの偏向により開口７を通過す
る電子ビームの電流密度は、徐々に減少し、電子ビーム
を大きく偏向すると、最終的には開口７を通過する電子
ビームの電流量を０とすることができる。このように、
２段の偏向コイル１３，１４に供給する偏向信号の大き
さを連続的に変え、Ａ点における電子ビームの偏向角を
変えることにより、絞り６の開口を通過する電子ビーム
の電流密度を連続的に変えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子顕微鏡等にお
いて、試料に照射される電子ビームの電流密度を制御す
る電子ビームの電流密度制御方法および装置に関する。
いて、試料に照射される電子ビームの電流密度を制御す
る電子ビームの電流密度制御方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、電子ビームを試料上に照射し、
試料を透過した電子を拡大して投影像を観察する透過電
子顕微鏡では、試料に照射する電子ビームの電流密度を
変える機能が必要となる。この場合、試料の前段に配置
された集束レンズ系の励磁を変え、可変絞り上における
電子ビームの集束度を変化させることによって電子ビー
ムの電流密度を変えている。
試料を透過した電子を拡大して投影像を観察する透過電
子顕微鏡では、試料に照射する電子ビームの電流密度を
変える機能が必要となる。この場合、試料の前段に配置
された集束レンズ系の励磁を変え、可変絞り上における
電子ビームの集束度を変化させることによって電子ビー
ムの電流密度を変えている。
【０００３】図１はこのような集束レンズによる電子ビ
ームの電流密度を制御する方式の原理を説明するための
図であり、１は集束レンズである。集束レンズ１の下方
には、可変絞り２が配置されている。ここで、集束レン
ズ１により実線で示すような電子ビームを集束させた状
態から、集束レンズ１の励磁を強め、点線で示すように
電子ビームを集束すると、可変絞り２上に照射される電
子ビームは広がって、開口３を通過する電子ビームの電
流密度は小さくされる。
ームの電流密度を制御する方式の原理を説明するための
図であり、１は集束レンズである。集束レンズ１の下方
には、可変絞り２が配置されている。ここで、集束レン
ズ１により実線で示すような電子ビームを集束させた状
態から、集束レンズ１の励磁を強め、点線で示すように
電子ビームを集束すると、可変絞り２上に照射される電
子ビームは広がって、開口３を通過する電子ビームの電
流密度は小さくされる。
【０００４】逆に、集束レンズ１の励磁を弱め、電子ビ
ームを実線の状態から一点鎖線の状態にすることによ
り、開口３を通過する電子ビームの電流密度は大きくな
る。なお、この方式では、集束レンズ１の励磁可変のみ
ならず、絞り２を移動させて異なった大きさの開口４を
電子ビーム光路上に配置することによっても電流密度を
変えることができる。
ームを実線の状態から一点鎖線の状態にすることによ
り、開口３を通過する電子ビームの電流密度は大きくな
る。なお、この方式では、集束レンズ１の励磁可変のみ
ならず、絞り２を移動させて異なった大きさの開口４を
電子ビーム光路上に配置することによっても電流密度を
変えることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の電子ビーム電流
密度制御方式では、集束レンズ１の非対称性ヒステリシ
スの影響により、集束レンズの励磁を変えた後、再び元
の励磁に戻しても、集束レンズ１による磁場強度は最初
の状態と同じとはならない。従って、この非対称性ヒス
テリシスによる水平方向偏向磁界の影響を受けて、試料
上に照射される電子ビームの位置の再現性が悪くなる。
密度制御方式では、集束レンズ１の非対称性ヒステリシ
スの影響により、集束レンズの励磁を変えた後、再び元
の励磁に戻しても、集束レンズ１による磁場強度は最初
の状態と同じとはならない。従って、この非対称性ヒス
テリシスによる水平方向偏向磁界の影響を受けて、試料
上に照射される電子ビームの位置の再現性が悪くなる。
【０００６】また、電子ビームの電流密度を０（ｐＡ／
ｃｍ2 ）にできず、電流密度の可変範囲が狭いという問
題点も有している。更に、集束レンズ１の励磁を変える
ので、絞り２の開口３を通過した電子ビームの開き角が
変化し、電流密度によって試料上の電子ビームの照射範
囲が異なるという問題も生じる。
ｃｍ2 ）にできず、電流密度の可変範囲が狭いという問
題点も有している。更に、集束レンズ１の励磁を変える
ので、絞り２の開口３を通過した電子ビームの開き角が
変化し、電流密度によって試料上の電子ビームの照射範
囲が異なるという問題も生じる。
【０００７】更にまた、絞り２を機械的に移動させて異
なった大きさの開口を電子ビームの光路上に配置する場
合にも、試料上の電子ビームの照射範囲が変化する。そ
のため、可変絞り２の近くに更に集束レンズを設け、照
射範囲が一定となるようにその集束レンズの励磁を制御
しなければならない。
なった大きさの開口を電子ビームの光路上に配置する場
合にも、試料上の電子ビームの照射範囲が変化する。そ
のため、可変絞り２の近くに更に集束レンズを設け、照
射範囲が一定となるようにその集束レンズの励磁を制御
しなければならない。
【０００８】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、再現性良く，また、試料上の電子
ビームの照射範囲を変えることなく電子ビームの電流密
度を制御することができる電子ビームの電流密度制御方
法および装置を実現するにある。
もので、その目的は、再現性良く，また、試料上の電子
ビームの照射範囲を変えることなく電子ビームの電流密
度を制御することができる電子ビームの電流密度制御方
法および装置を実現するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
電子ビームの電流密度制御方法は、電子銃からの電子ビ
ームの光路上に微小な開口を有した絞り手段を配置し、
この絞り手段上に電子ビームを照射すると共に、電子ビ
ームの照射位置と開口の位置とを相対的に移動させ、開
口を通過する電子ビームの電流密度を制御するようにし
たことを特徴としている。
電子ビームの電流密度制御方法は、電子銃からの電子ビ
ームの光路上に微小な開口を有した絞り手段を配置し、
この絞り手段上に電子ビームを照射すると共に、電子ビ
ームの照射位置と開口の位置とを相対的に移動させ、開
口を通過する電子ビームの電流密度を制御するようにし
たことを特徴としている。
【００１０】請求項１の発明では、微小な開口を有した
絞り手段上の電子ビームの照射位置と、微小な開口の位
置とを相対的に移動させ、開口を通過する電子ビームの
電流密度を制御する。
絞り手段上の電子ビームの照射位置と、微小な開口の位
置とを相対的に移動させ、開口を通過する電子ビームの
電流密度を制御する。
【００１１】請求項２の発明に基づく電子ビームの電流
密度制御方法は、請求項１の発明において、絞り手段の
上段に電子ビーム偏向手段を設け、電子ビーム偏向手段
により電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対的に
移動させるようにしたことを特徴としている。
密度制御方法は、請求項１の発明において、絞り手段の
上段に電子ビーム偏向手段を設け、電子ビーム偏向手段
により電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対的に
移動させるようにしたことを特徴としている。
【００１２】請求項２の発明では、電子ビーム偏向手段
により電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対的に
移動させ、電子ビームの電流密度を制御する。請求項３
の発明に基づく電子ビームの電流密度制御方法は、請求
項２の発明において、偏向手段は２段偏向手段であるこ
とを特徴としている。
により電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対的に
移動させ、電子ビームの電流密度を制御する。請求項３
の発明に基づく電子ビームの電流密度制御方法は、請求
項２の発明において、偏向手段は２段偏向手段であるこ
とを特徴としている。
【００１３】請求項３の発明では、２段の電子ビーム偏
向手段により電子ビームの照射位置と開口の位置とを相
対的に移動させ、電子ビームの電流密度を制御する。請
求項４の発明に基づく電子ビームの電流密度制御方法
は、請求項１の発明において、絞り手段を機械的に移動
させ、電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対的に
移動させるようにしたことを特徴としている。
向手段により電子ビームの照射位置と開口の位置とを相
対的に移動させ、電子ビームの電流密度を制御する。請
求項４の発明に基づく電子ビームの電流密度制御方法
は、請求項１の発明において、絞り手段を機械的に移動
させ、電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対的に
移動させるようにしたことを特徴としている。
【００１４】請求項４の発明では、絞り手段を機械的に
移動させ、電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対
的に移動させて電子ビームの電流密度を制御する。請求
項５の発明に基づく電子ビームの電流密度制御方法は、
請求項１の発明において、電子銃を傾斜させ、電子ビー
ムの照射位置と開口の位置とを相対的に移動させるよう
にしたことを特徴としている。
移動させ、電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対
的に移動させて電子ビームの電流密度を制御する。請求
項５の発明に基づく電子ビームの電流密度制御方法は、
請求項１の発明において、電子銃を傾斜させ、電子ビー
ムの照射位置と開口の位置とを相対的に移動させるよう
にしたことを特徴としている。
【００１５】請求項５の発明では、電子ビームの照射位
置と開口の位置とを相対的に移動させて電子ビームの電
流密度を制御する。請求項６の発明に基づく電子ビーム
の電流密度制御装置は、電子銃からの電子ビームを偏向
する２段の偏向手段と、偏向手段の後方に設けられた電
子ビーム通過開口を有した絞り手段と、２段の偏向手段
に偏向信号を供給する偏向制御器とを備えており、偏向
制御器は電子ビームが２段の偏向手段により常に疑似発
生点で偏向されるように調整する第１の調整器と、電子
ビームの偏向角を制御する第２の調整器を有しているこ
とを特徴としている。
置と開口の位置とを相対的に移動させて電子ビームの電
流密度を制御する。請求項６の発明に基づく電子ビーム
の電流密度制御装置は、電子銃からの電子ビームを偏向
する２段の偏向手段と、偏向手段の後方に設けられた電
子ビーム通過開口を有した絞り手段と、２段の偏向手段
に偏向信号を供給する偏向制御器とを備えており、偏向
制御器は電子ビームが２段の偏向手段により常に疑似発
生点で偏向されるように調整する第１の調整器と、電子
ビームの偏向角を制御する第２の調整器を有しているこ
とを特徴としている。
【００１６】請求項６の発明では、２段の偏向手段によ
り常に疑似発生点で偏向されるように調整する第１の調
整器と、電子ビームの偏向角を制御する第２の調整器を
有しており、電子ビームの偏向角によって電子ビームの
電流密度を制御する。
り常に疑似発生点で偏向されるように調整する第１の調
整器と、電子ビームの偏向角を制御する第２の調整器を
有しており、電子ビームの偏向角によって電子ビームの
電流密度を制御する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図２は本発明に基づく電子
ビームの電流密度制御方法を実施する構成の一例を示し
ており、５は電子銃である。電子銃５から発生した電子
ビームＥＢは、固定絞り６上に投射される。固定絞り６
に設けられた微小開口７を通過した電子ビームは、集束
レンズ８，９によって集束され、可変絞り１０の開口１
１を通過した電子ビームが試料１２上に照射される。
施の形態を詳細に説明する。図２は本発明に基づく電子
ビームの電流密度制御方法を実施する構成の一例を示し
ており、５は電子銃である。電子銃５から発生した電子
ビームＥＢは、固定絞り６上に投射される。固定絞り６
に設けられた微小開口７を通過した電子ビームは、集束
レンズ８，９によって集束され、可変絞り１０の開口１
１を通過した電子ビームが試料１２上に照射される。
【００１８】電子銃５と固定絞り６との間には、２段の
偏向コイル１３，１４が配置されている。図３は２段の
偏向コイル１３，１４に偏向信号を供給する偏向制御器
１５の一例を示している。
偏向コイル１３，１４が配置されている。図３は２段の
偏向コイル１３，１４に偏向信号を供給する偏向制御器
１５の一例を示している。
【００１９】偏向制御器１５において、信号源１６から
の信号は、加算器１７、増幅器１８を介して偏向バラン
ス調整器１９に供給されている。偏向バランス調整器１
９の一方の信号は、増幅器２０を介して偏向コイル１３
に供給される。また、他方の信号は、増幅器２１を介し
て偏向コイル１４に供給される。
の信号は、加算器１７、増幅器１８を介して偏向バラン
ス調整器１９に供給されている。偏向バランス調整器１
９の一方の信号は、増幅器２０を介して偏向コイル１３
に供給される。また、他方の信号は、増幅器２１を介し
て偏向コイル１４に供給される。
【００２０】加算器１７には、電流密度調整器２２から
の信号が、切換スイッチ２３を介して供給される。この
ような構成の動作を次に説明する。電子銃５から発生し
た電子ビームは、偏向コイル１３，１４によって偏向さ
れ、固定絞り６上に投射される。固定絞り６に設けられ
た微小開口７を通過した電子ビームは、集束レンズ８，
９によって集束され、可変絞り１０の開口１１を通過し
た電子ビームが試料１２上に照射される。
の信号が、切換スイッチ２３を介して供給される。この
ような構成の動作を次に説明する。電子銃５から発生し
た電子ビームは、偏向コイル１３，１４によって偏向さ
れ、固定絞り６上に投射される。固定絞り６に設けられ
た微小開口７を通過した電子ビームは、集束レンズ８，
９によって集束され、可変絞り１０の開口１１を通過し
た電子ビームが試料１２上に照射される。
【００２１】試料１２を透過した電子は、図示していな
い対物レンズ、中間レンズ、投影レンズによって拡大さ
れ、蛍光板上に投影されることから、蛍光板上には試料
の透過像が得られる。
い対物レンズ、中間レンズ、投影レンズによって拡大さ
れ、蛍光板上に投影されることから、蛍光板上には試料
の透過像が得られる。
【００２２】ここで、電子銃５から発生した電子ビーム
は、偏向コイル１３，１４により偏向されるが、この偏
向は、電子銃５からの電子ビームの疑似発生源であるＡ
点で偏向されるように調整されている。この調整は、偏
向制御器１５の切換スイッチ２３をＯＦＦとした状態で
偏向バランス調整器１９を調整し、両偏向コイル１３，
１４に供給される信号強度のバランスを調整することに
よって行うことができる。
は、偏向コイル１３，１４により偏向されるが、この偏
向は、電子銃５からの電子ビームの疑似発生源であるＡ
点で偏向されるように調整されている。この調整は、偏
向制御器１５の切換スイッチ２３をＯＦＦとした状態で
偏向バランス調整器１９を調整し、両偏向コイル１３，
１４に供給される信号強度のバランスを調整することに
よって行うことができる。
【００２３】上記した調整後、切換スイッチ２３をＯＮ
の状態、すなわち、電流密度調整器２２に接続し、この
電流密度調整器２２からの信号を加算器１７に供給する
と、この信号に応じて偏向コイル１３，１４により、電
子ビームはＡ点を起点として偏向される。
の状態、すなわち、電流密度調整器２２に接続し、この
電流密度調整器２２からの信号を加算器１７に供給する
と、この信号に応じて偏向コイル１３，１４により、電
子ビームはＡ点を起点として偏向される。
【００２４】図４はこのような電子ビームのＡ点を起点
とした偏向の様子（図４（ａ））と、電子銃５から発生
する電子ビームの電流密度分布（図４（ｂ））を示して
いる。電流密度調整器２２からの信号が加算器１７に加
えられると、電子ビームは図４（ａ）の実線の状態から
点線の状態へと偏向される。
とした偏向の様子（図４（ａ））と、電子銃５から発生
する電子ビームの電流密度分布（図４（ｂ））を示して
いる。電流密度調整器２２からの信号が加算器１７に加
えられると、電子ビームは図４（ａ）の実線の状態から
点線の状態へと偏向される。
【００２５】ところで、電子銃５から発生する電子ビー
ムの電流密度分布は、図４（ｂ）に示すようにほぼガウ
ス分布をしている。なお、図４（ａ）の縦軸は電流密度
を示している。従って、図４（ａ）の実線の状態のとき
に最大の電流密度の電子ビームが固定絞り６の開口７を
通過するとすれば、電子ビームの偏向により開口７を通
過する電子ビームの電流密度は、徐々に減少し、電子ビ
ームを大きく偏向すると、最終的には開口７を通過する
電子ビームの電流量を０とすることができる。
ムの電流密度分布は、図４（ｂ）に示すようにほぼガウ
ス分布をしている。なお、図４（ａ）の縦軸は電流密度
を示している。従って、図４（ａ）の実線の状態のとき
に最大の電流密度の電子ビームが固定絞り６の開口７を
通過するとすれば、電子ビームの偏向により開口７を通
過する電子ビームの電流密度は、徐々に減少し、電子ビ
ームを大きく偏向すると、最終的には開口７を通過する
電子ビームの電流量を０とすることができる。
【００２６】このように、２段の偏向コイル１３，１４
に供給する偏向信号の大きさを連続的に変え、Ａ点にお
ける電子ビームの偏向角を変えることにより、絞り６の
開口を通過する電子ビームの電流密度を連続的に変える
ことができる。
に供給する偏向信号の大きさを連続的に変え、Ａ点にお
ける電子ビームの偏向角を変えることにより、絞り６の
開口を通過する電子ビームの電流密度を連続的に変える
ことができる。
【００２７】この場合、単に電流密度調整器２２からの
信号強度を変えるだけであるので、集束レンズのヒステ
リシスの影響はなく、再現性良く電子ビームの電流密度
を制御することができると共に、試料１２上の電子ビー
ムの照射範囲は、固定絞り６の開口７の大きさに変化が
ないので、電流密度を変えても常に等しくなる。
信号強度を変えるだけであるので、集束レンズのヒステ
リシスの影響はなく、再現性良く電子ビームの電流密度
を制御することができると共に、試料１２上の電子ビー
ムの照射範囲は、固定絞り６の開口７の大きさに変化が
ないので、電流密度を変えても常に等しくなる。
【００２８】また、電子ビームの偏向量を大きくすれ
ば、開口７を通過する電子ビームの電流量は０となり、
電流密度の制御のダイナミックレンジが広いものとな
る。なお、試料１２上の電子ビームの照射範囲を変える
場合には、可変絞り１０を機械的に移動させ、異なった
大きさの開口を電子ビームの光路上に配置すれば良い。
その場合、試料１２に照射される電子ビームの電流密度
には変化がない。
ば、開口７を通過する電子ビームの電流量は０となり、
電流密度の制御のダイナミックレンジが広いものとな
る。なお、試料１２上の電子ビームの照射範囲を変える
場合には、可変絞り１０を機械的に移動させ、異なった
大きさの開口を電子ビームの光路上に配置すれば良い。
その場合、試料１２に照射される電子ビームの電流密度
には変化がない。
【００２９】図２に示した例では、固定絞り６の開口７
を通過する電子ビームの電流密度を変えるために、電子
ビームを偏向したが、開口７の位置と絞り６上の電子ビ
ームの照射位置とを相対的に移動させれば、同様に電子
ビームの電流密度を変えることができる。したがって、
電子ビームを偏向せず、固定絞り６を機械的に移動させ
ても良い。もちろん、電子銃５を傾斜させれば電子ビー
ムの出射方向が変えられ、電子ビームを偏向すると同様
な結果が得られる。
を通過する電子ビームの電流密度を変えるために、電子
ビームを偏向したが、開口７の位置と絞り６上の電子ビ
ームの照射位置とを相対的に移動させれば、同様に電子
ビームの電流密度を変えることができる。したがって、
電子ビームを偏向せず、固定絞り６を機械的に移動させ
ても良い。もちろん、電子銃５を傾斜させれば電子ビー
ムの出射方向が変えられ、電子ビームを偏向すると同様
な結果が得られる。
【００３０】以上本発明の実施の形態を詳述したが、本
発明はこの形態に限定されない。例えば、透過電子顕微
鏡の例で本発明を説明したが、走査電子顕微鏡等の他の
電子ビーム装置にも本発明を適用することができる。
発明はこの形態に限定されない。例えば、透過電子顕微
鏡の例で本発明を説明したが、走査電子顕微鏡等の他の
電子ビーム装置にも本発明を適用することができる。
【００３１】
【発明の効果】 請求項１の発明では、微小な開口を有
した絞り手段上の電子ビームの照射位置と、微小な開口
の位置とを相対的に移動させ、開口を通過する電子ビー
ムの電流密度を制御するようにしたので、集束レンズの
ヒステリシスの影響はなく、再現性良く電子ビームの電
流密度を制御することができると共に、試料上の電子ビ
ームの照射範囲は、絞りの開口の大きさに変化がないの
で、電流密度を変えても常に等しくなる。また、電子ビ
ームの偏向量を大きくすれば、開口７を通過する電子ビ
ームの電流量は０となり、電流密度の制御のダイナミッ
クレンジが広いものとなる。
した絞り手段上の電子ビームの照射位置と、微小な開口
の位置とを相対的に移動させ、開口を通過する電子ビー
ムの電流密度を制御するようにしたので、集束レンズの
ヒステリシスの影響はなく、再現性良く電子ビームの電
流密度を制御することができると共に、試料上の電子ビ
ームの照射範囲は、絞りの開口の大きさに変化がないの
で、電流密度を変えても常に等しくなる。また、電子ビ
ームの偏向量を大きくすれば、開口７を通過する電子ビ
ームの電流量は０となり、電流密度の制御のダイナミッ
クレンジが広いものとなる。
【００３２】請求項２および３の発明では、電子ビーム
偏向手段により電子ビームの照射位置と開口の位置とを
相対的に移動させ、電子ビームの電流密度を制御するよ
うにしたので、請求項１と同様な効果が得られると共
に、機械的な制御ではないので、簡単に正確に電子ビー
ムの電流密度の制御が可能となる。
偏向手段により電子ビームの照射位置と開口の位置とを
相対的に移動させ、電子ビームの電流密度を制御するよ
うにしたので、請求項１と同様な効果が得られると共
に、機械的な制御ではないので、簡単に正確に電子ビー
ムの電流密度の制御が可能となる。
【００３３】請求項４の発明では、絞り手段を機械的に
移動させ、電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対
的に移動させて電子ビームの電流密度を制御するように
したので、請求項１と同様な効果が得られる。
移動させ、電子ビームの照射位置と開口の位置とを相対
的に移動させて電子ビームの電流密度を制御するように
したので、請求項１と同様な効果が得られる。
【００３４】請求項５の発明では、電子ビームの照射位
置と開口の位置とを相対的に移動させて電子ビームの電
流密度を制御するようにしたので、請求項１と同様な効
果が得られる。
置と開口の位置とを相対的に移動させて電子ビームの電
流密度を制御するようにしたので、請求項１と同様な効
果が得られる。
【００３５】請求項６の発明では、２段の偏向手段によ
り常に疑似発生点で偏向されるように調整する第１の調
整器と、電子ビームの偏向角を制御する第２の調整器を
有しており、電子ビームの偏向角によって電子ビームの
電流密度を制御するように構成したので、請求項２，３
と同様な効果が得られる。
り常に疑似発生点で偏向されるように調整する第１の調
整器と、電子ビームの偏向角を制御する第２の調整器を
有しており、電子ビームの偏向角によって電子ビームの
電流密度を制御するように構成したので、請求項２，３
と同様な効果が得られる。
【図１】従来の電子ビームの電流密度制御方式の原理を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】本発明に基づく電流密度制御方法を実施する構
成の一例を示す図である。
成の一例を示す図である。
【図３】偏向制御器の具体的な構成を示す図である。
【図４】電子ビームの偏向と電流密度分布を示す図であ
る。
る。
５ 電子銃 ６ 固定絞り ７ 微小開口 ８，９ 集束レンズ １０ 可変絞り １１ 開口 １２ 試料 １３，１４ 偏向コイル １５ 偏向制御器 １６ 信号源 １７ 加算器 １８，２０，２１ 増幅器 １９ 偏向バランス調整器 ２２ 電流密度調整器 ２３ 切換スイッチ
Claims (6)
- 【請求項１】 電子銃からの電子ビームの光路上に微小
な開口を有した絞り手段を配置し、この絞り手段上に電
子ビームを照射すると共に、電子ビームの照射位置と開
口の位置とを相対的に移動させ、開口を通過する電子ビ
ームの電流密度を制御するようにした電子ビームの電流
密度制御方法。 - 【請求項２】 絞り手段の上段に電子ビーム偏向手段を
設け、電子ビーム偏向手段により電子ビームの照射位置
と開口の位置とを相対的に移動させるようにした請求項
１記載の電子ビームの電流密度制御方法。 - 【請求項３】 偏向手段は２段偏向手段である請求項２
記載の電子ビームの電流密度制御方法。 - 【請求項４】 絞り手段を機械的に移動させ、電子ビー
ムの照射位置と開口の位置とを相対的に移動させるよう
にした請求項１記載の電子ビームの電流密度制御方法。 - 【請求項５】 電子銃を傾斜させ、電子ビームの照射位
置と開口の位置とを相対的に移動させるようにした請求
項１記載の電子ビームの電流密度制御方法。 - 【請求項６】 電子銃からの電子ビームを偏向する２段
の偏向手段と、偏向手段の後方に設けられた電子ビーム
通過開口を有した絞り手段と、２段の偏向手段に偏向信
号を供給する偏向制御器とを備えており、偏向制御器は
電子ビームが２段の偏向手段により常に疑似発生点で偏
向されるように調整する第１の調整器と、電子ビームの
偏向角を制御する第２の調整器を有していることを特徴
とする電子ビームの電流密度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8286453A JPH10134745A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 電子ビームの電流密度制御方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8286453A JPH10134745A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 電子ビームの電流密度制御方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10134745A true JPH10134745A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17704594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8286453A Withdrawn JPH10134745A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 電子ビームの電流密度制御方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10134745A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502823A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | フィリップス エレクトロン オプティクス ビー ヴィ | 高い輝度と大きいビーム電流の間で切換可能な粒子源を含む粒子光学装置 |
| WO2003021630A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for tuning ion implanters |
| JP2003532258A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | ツェーエーオーエス コレクテッド エレクトロン オプチカル システムズ ゲーエムベーハー | 電子または高単色性あるいは高電流密度のビーム発生システム |
| JP2011100722A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-05-19 | Fei Co | ユーザが選択可能な複数の動作モードを有する荷電粒子ビーム・システム |
| CN112719557A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-04-30 | 合肥能源研究院 | 一种利用电子束扫描实现非均匀热流密度分布的方法及装置 |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP8286453A patent/JPH10134745A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN100456416C (zh) * | 2001-08-30 | 2009-01-28 | 瓦里安半导体设备联合公司 | 用来统调离子注入机的方法和装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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