JPH10135090A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH10135090A JPH10135090A JP28368096A JP28368096A JPH10135090A JP H10135090 A JPH10135090 A JP H10135090A JP 28368096 A JP28368096 A JP 28368096A JP 28368096 A JP28368096 A JP 28368096A JP H10135090 A JPH10135090 A JP H10135090A
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- cooling
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温下で処理されたウエハを短時間で所定温
度に経済的な手段で冷却できる半導体装置の製造装置を
提供する。 【解決手段】 ウエハに高温処理を伴うプロセスを施す
プロセスチャンバ１２と、ロードロック室１４と、カセ
ット室１８と、ロードロック室１４内に設けられ、ウエ
ハの受け渡しを行う搬送ロボット１６とを備えた半導体
装置の製造装置において、ロードロック室１４内にウエ
ハ冷却装置２２を備える。ウエハ冷却装置２２は、冷却
ガスをウエハに吹き付ける冷却手段を備えている。ウエ
ハを高温にしてプロセスを施した後、搬送ロボット１６
によりウエハをプロセスチャンバ１２から取り出してウ
エハ冷却装置２２に保持させ、次いで、冷却手段により
不活性ガスをウエハに向けて吹き付ける。これにより、
冷却専用のチャンバを備えていなくても短時間で所定温
度にウエハを冷却できる半導体装置の製造装置が実現さ
れる。
度に経済的な手段で冷却できる半導体装置の製造装置を
提供する。 【解決手段】 ウエハに高温処理を伴うプロセスを施す
プロセスチャンバ１２と、ロードロック室１４と、カセ
ット室１８と、ロードロック室１４内に設けられ、ウエ
ハの受け渡しを行う搬送ロボット１６とを備えた半導体
装置の製造装置において、ロードロック室１４内にウエ
ハ冷却装置２２を備える。ウエハ冷却装置２２は、冷却
ガスをウエハに吹き付ける冷却手段を備えている。ウエ
ハを高温にしてプロセスを施した後、搬送ロボット１６
によりウエハをプロセスチャンバ１２から取り出してウ
エハ冷却装置２２に保持させ、次いで、冷却手段により
不活性ガスをウエハに向けて吹き付ける。これにより、
冷却専用のチャンバを備えていなくても短時間で所定温
度にウエハを冷却できる半導体装置の製造装置が実現さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温下でウエハを
処理するプロセスチャンバを備えた半導体装置の製造装
置に関し、更に詳しくは、高温下で処理されたウエハを
短時間で所定温度に冷却できる半導体装置の製造装置に
関するものである。
処理するプロセスチャンバを備えた半導体装置の製造装
置に関し、更に詳しくは、高温下で処理されたウエハを
短時間で所定温度に冷却できる半導体装置の製造装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造では、ウエハを高温下
で処理した場合、通常、ウエハを冷却してから搬送して
いる。図４は、従来の半導体装置の製造装置の概念を示
す平面図である。従来の半導体装置の製造装置１０は、
高温下でウエハを処理するプロセスチャンバ１２と、ロ
ードロック室１４と、ロードロック室１４及び外部に対
しそれぞれ開閉自在な開閉扉を有するカセット室１８
と、ロードロック室１４内に設けられ、クランク機構を
有し、ロードロック室１４とカセット室１８との相互間
でウエハを搬送する真空チャック式の搬送ロボット１６
とを備えている。また、ロードロック室には、室内を排
気する排気管１９が接続されている。半導体装置の製造
装置１０を用いて半導体装置を製造するには、先ず、外
部からカセット室１８に搬入されたカセットから、ウエ
ハを搬送ロボット１６によりプロセスチャンバ１２に移
載し、ＣＶＤ膜の成膜等の高温処理を伴うプロセスを施
す。次いで、プロセスチャンバ１２内にウエハを放置、
冷却した後、搬送ロボット１６によりプロセスチャンバ
１２からウエハを取り出してカセット室１８のカセット
に収納している。
で処理した場合、通常、ウエハを冷却してから搬送して
いる。図４は、従来の半導体装置の製造装置の概念を示
す平面図である。従来の半導体装置の製造装置１０は、
高温下でウエハを処理するプロセスチャンバ１２と、ロ
ードロック室１４と、ロードロック室１４及び外部に対
しそれぞれ開閉自在な開閉扉を有するカセット室１８
と、ロードロック室１４内に設けられ、クランク機構を
有し、ロードロック室１４とカセット室１８との相互間
でウエハを搬送する真空チャック式の搬送ロボット１６
とを備えている。また、ロードロック室には、室内を排
気する排気管１９が接続されている。半導体装置の製造
装置１０を用いて半導体装置を製造するには、先ず、外
部からカセット室１８に搬入されたカセットから、ウエ
ハを搬送ロボット１６によりプロセスチャンバ１２に移
載し、ＣＶＤ膜の成膜等の高温処理を伴うプロセスを施
す。次いで、プロセスチャンバ１２内にウエハを放置、
冷却した後、搬送ロボット１６によりプロセスチャンバ
１２からウエハを取り出してカセット室１８のカセット
に収納している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
の製造では、生産性の向上のために、ウエハ口径は、６
インチから８インチへ、更には１２インチへと、益々大
口径化されつつある。口径の大きいウエハを用いた場
合、ウエハの冷却が不十分であると、ウエハに熱収縮が
発生して反りが生じる。その結果、真空チャック式搬送
ロボット等の搬送機器を用いて搬送する際、ウエハの吸
着が充分でなく、ウエハが真空チャックから外れて落下
し、損傷することがある。そのため、処理後のウエハを
充分に冷却する必要があるが、高温処理した口径の大き
いウエハをプロセスチャンバ内で放置するのみでは冷却
に時間がかかり過ぎる。従って、半導体装置の製造装置
に冷却専用のチャンバを設ける等の対策が必要になり、
装置コストが嵩むという問題があった。
の製造では、生産性の向上のために、ウエハ口径は、６
インチから８インチへ、更には１２インチへと、益々大
口径化されつつある。口径の大きいウエハを用いた場
合、ウエハの冷却が不十分であると、ウエハに熱収縮が
発生して反りが生じる。その結果、真空チャック式搬送
ロボット等の搬送機器を用いて搬送する際、ウエハの吸
着が充分でなく、ウエハが真空チャックから外れて落下
し、損傷することがある。そのため、処理後のウエハを
充分に冷却する必要があるが、高温処理した口径の大き
いウエハをプロセスチャンバ内で放置するのみでは冷却
に時間がかかり過ぎる。従って、半導体装置の製造装置
に冷却専用のチャンバを設ける等の対策が必要になり、
装置コストが嵩むという問題があった。
【０００４】以上のような事情に照らして、本発明の目
的は、高温下で処理されたウエハを短時間で所定温度に
経済的な手段で冷却できる半導体装置の製造装置を提供
することである。
的は、高温下で処理されたウエハを短時間で所定温度に
経済的な手段で冷却できる半導体装置の製造装置を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、簡易なウエハ冷却装置をプロセスチャンバに隣接
して設けることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装
置の製造装置は、高温下でウエハを処理するプロセスチ
ャンバを備えた半導体装置の製造装置において、ウエハ
を冷却するウエハ冷却装置が、プロセスチャンバに隣接
して設けられていることを特徴としている。
結果、簡易なウエハ冷却装置をプロセスチャンバに隣接
して設けることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装
置の製造装置は、高温下でウエハを処理するプロセスチ
ャンバを備えた半導体装置の製造装置において、ウエハ
を冷却するウエハ冷却装置が、プロセスチャンバに隣接
して設けられていることを特徴としている。
【０００６】本発明に係る半導体装置の製造装置は、高
温処理を伴うプロセスをウエハに施した後に冷却する必
要がある全ての製造プロセスに適用でき、減圧、常圧は
特に限定しない。ウエハの処理温度は、主に２００℃〜
９００℃の範囲である。製造装置は、バッチ式でも連続
式でもよい。本発明に係る半導体装置の製造装置の好適
な実施態様は、ウエハ冷却装置及びウエハを移載する搬
送ロボットが、プロセスチャンバに連通・遮断自在なロ
ードロック室内に設けられている。ウエハ冷却装置は、
一例として、ウエハを載せる棚段と、棚段上のウエハに
向けて冷却ガスを吹き付けてウエハを冷却する冷却ガス
吹き付け手段とを備えている。ウエハ冷却装置は、通
常、周囲壁のない棚状であるが、コンタミネーションの
ウエハへの付着を防止するために周囲壁及び開閉扉が形
成されていても支障はない。棚段を構成する支柱は、冷
却ガスを導入するパイプ状で、棚段状のウエハに向けて
冷却ガスを吹き出す吹出し口が形成されていると、簡易
な構造の棚段にすることができる。支柱の材質は、例え
ば石英やＡｌであるが、高温のウエハを載せても支障が
なければよく、特に限定しない。
温処理を伴うプロセスをウエハに施した後に冷却する必
要がある全ての製造プロセスに適用でき、減圧、常圧は
特に限定しない。ウエハの処理温度は、主に２００℃〜
９００℃の範囲である。製造装置は、バッチ式でも連続
式でもよい。本発明に係る半導体装置の製造装置の好適
な実施態様は、ウエハ冷却装置及びウエハを移載する搬
送ロボットが、プロセスチャンバに連通・遮断自在なロ
ードロック室内に設けられている。ウエハ冷却装置は、
一例として、ウエハを載せる棚段と、棚段上のウエハに
向けて冷却ガスを吹き付けてウエハを冷却する冷却ガス
吹き付け手段とを備えている。ウエハ冷却装置は、通
常、周囲壁のない棚状であるが、コンタミネーションの
ウエハへの付着を防止するために周囲壁及び開閉扉が形
成されていても支障はない。棚段を構成する支柱は、冷
却ガスを導入するパイプ状で、棚段状のウエハに向けて
冷却ガスを吹き出す吹出し口が形成されていると、簡易
な構造の棚段にすることができる。支柱の材質は、例え
ば石英やＡｌであるが、高温のウエハを載せても支障が
なければよく、特に限定しない。
【０００７】本発明に係る半導体装置の製造装置を使用
するには、ウエハを高温にするＣＶＤ膜の成膜等の高温
処理を伴うプロセスを施した後、先ず、搬送ロボットに
よりプロセスチャンバからウエハを取り出し、ウエハ冷
却装置に搬送して保持させる。次いで、各支柱の端部か
らウエハ冷却に適した流量の冷却ガスを送入し、吹出し
口からウエハに向けて吹き付ける。冷却ガスは、Ｈｅガ
スやＡｒガス等の不活性ガス又は窒素ガスである。流量
は、例えば、１l/minであるが、ロードロック室の排気
能力が高い半導体装置の製造装置を使用する場合は、流
量を更に増加してもよい。冷却ガスの温度は、ウエハ温
度、ウエハ冷却速度を考慮して設定するが、通常、２０
℃から２５℃の範囲である。本発明により、高温下で処
理したウエハを短時間で所定温度に冷却できる。
するには、ウエハを高温にするＣＶＤ膜の成膜等の高温
処理を伴うプロセスを施した後、先ず、搬送ロボットに
よりプロセスチャンバからウエハを取り出し、ウエハ冷
却装置に搬送して保持させる。次いで、各支柱の端部か
らウエハ冷却に適した流量の冷却ガスを送入し、吹出し
口からウエハに向けて吹き付ける。冷却ガスは、Ｈｅガ
スやＡｒガス等の不活性ガス又は窒素ガスである。流量
は、例えば、１l/minであるが、ロードロック室の排気
能力が高い半導体装置の製造装置を使用する場合は、流
量を更に増加してもよい。冷却ガスの温度は、ウエハ温
度、ウエハ冷却速度を考慮して設定するが、通常、２０
℃から２５℃の範囲である。本発明により、高温下で処
理したウエハを短時間で所定温度に冷却できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例１ 本実施例は、４本のパイプ状の支柱を有し、ウエハを保
持、冷却する棚段を数段にわたって有するウエハ冷却装
置を備えた半導体装置の製造装置の例である。図１は本
実施例の半導体装置の製造装置の概念を示す平面図であ
り、図２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、矢視Ｉ−Ｉ及
び矢視ＩＩ−ＩＩの側面断面図である。本実施例の半導
体装置の製造装置２０は、従来の半導体装置の製造装置
１０に比べ、ロードロック室１４とカセット室１８との
間にウエハ冷却装置２２を備えていることが異なり、他
は同じである。よって、図１では、図４と同じものには
同じ符号を付してその説明を省略する。ウエハ冷却装置
２２は、パイプ状の４本の垂直な支柱２４Ａ〜Ｄと、各
支柱を上端で固定する平板２６とを備えている。
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例１ 本実施例は、４本のパイプ状の支柱を有し、ウエハを保
持、冷却する棚段を数段にわたって有するウエハ冷却装
置を備えた半導体装置の製造装置の例である。図１は本
実施例の半導体装置の製造装置の概念を示す平面図であ
り、図２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、矢視Ｉ−Ｉ及
び矢視ＩＩ−ＩＩの側面断面図である。本実施例の半導
体装置の製造装置２０は、従来の半導体装置の製造装置
１０に比べ、ロードロック室１４とカセット室１８との
間にウエハ冷却装置２２を備えていることが異なり、他
は同じである。よって、図１では、図４と同じものには
同じ符号を付してその説明を省略する。ウエハ冷却装置
２２は、パイプ状の４本の垂直な支柱２４Ａ〜Ｄと、各
支柱を上端で固定する平板２６とを備えている。
【０００９】各支柱２４Ａ〜Ｄには、それぞれ所定の同
一高さ位置から対角線上に対向する支柱に向けて水平に
突き出たウエハ保持ピン２８Ａ〜Ｄと、各ウエハ保持ピ
ンよりも高い位置で、ウエハ保持ピン２８Ａ〜Ｄにより
保持されているウエハに向けて冷却ガスを吹き出す吹出
し口３０Ａ〜Ｄとが設けられている。更に、ウエハを１
枚毎に数段にわたり保持して冷却ガスを吹き付けること
が可能であるように、同様の構造でウエハ保持ピン及び
吹出し口が各支柱２４Ａ〜Ｄに多段状に形成されてい
る。又、各支柱２４Ａ〜Ｄの下端は、ガス供給源（図示
せず）に接続され、ガス流量はマスフロコントローラ
（図示せず）で制御されている。
一高さ位置から対角線上に対向する支柱に向けて水平に
突き出たウエハ保持ピン２８Ａ〜Ｄと、各ウエハ保持ピ
ンよりも高い位置で、ウエハ保持ピン２８Ａ〜Ｄにより
保持されているウエハに向けて冷却ガスを吹き出す吹出
し口３０Ａ〜Ｄとが設けられている。更に、ウエハを１
枚毎に数段にわたり保持して冷却ガスを吹き付けること
が可能であるように、同様の構造でウエハ保持ピン及び
吹出し口が各支柱２４Ａ〜Ｄに多段状に形成されてい
る。又、各支柱２４Ａ〜Ｄの下端は、ガス供給源（図示
せず）に接続され、ガス流量はマスフロコントローラ
（図示せず）で制御されている。
【００１０】半導体装置の製造装置２０を半導体装置を
製造する際、先ず、外部からカセット室１８に搬入され
たカセットのウエハを、搬送ロボット１６によりウエハ
冷却装置２２の各段のウエハ保持ピン上に１枚ずつ保持
するように移載する。次いで、排気管１９によりロード
ロック室１４を真空引きした後、搬送ロボット１６によ
りウエハをプロセスチャンバ１２に移載し、ＣＶＤ膜の
成膜等の高温処理を伴うプロセスを施す。次いで、搬送
ロボット１６によりウエハをチャンバ１２から１枚毎に
取り出し、ウエハ冷却装置２２の各段のウエハ保持ピン
上に１枚ずつ保持するように移載する。次いで、パイプ
状の支柱２４Ａ〜Ｄに不活性ガスを、流量１l/minで送
入し、排気管１９から排出する。この結果、各吹出し口
からそれぞれのウエハに向けて不活性ガスが吹き付けら
れ、ウエハが冷却される。尚、ウエハ上にタングステン
膜などの薄膜が形成され、しかもウエハの熱歪みが大き
いときは、冷却する過程で薄膜にクラックが発生しない
ように冷却速度を考慮し、冷却ガスの流量を調整する。
次いで、搬送ロボット１６により冷却された各ウエハを
カセット室１８のカセットに収納し、従来と同様、カセ
ットを外部の所定位置に搬送する。
製造する際、先ず、外部からカセット室１８に搬入され
たカセットのウエハを、搬送ロボット１６によりウエハ
冷却装置２２の各段のウエハ保持ピン上に１枚ずつ保持
するように移載する。次いで、排気管１９によりロード
ロック室１４を真空引きした後、搬送ロボット１６によ
りウエハをプロセスチャンバ１２に移載し、ＣＶＤ膜の
成膜等の高温処理を伴うプロセスを施す。次いで、搬送
ロボット１６によりウエハをチャンバ１２から１枚毎に
取り出し、ウエハ冷却装置２２の各段のウエハ保持ピン
上に１枚ずつ保持するように移載する。次いで、パイプ
状の支柱２４Ａ〜Ｄに不活性ガスを、流量１l/minで送
入し、排気管１９から排出する。この結果、各吹出し口
からそれぞれのウエハに向けて不活性ガスが吹き付けら
れ、ウエハが冷却される。尚、ウエハ上にタングステン
膜などの薄膜が形成され、しかもウエハの熱歪みが大き
いときは、冷却する過程で薄膜にクラックが発生しない
ように冷却速度を考慮し、冷却ガスの流量を調整する。
次いで、搬送ロボット１６により冷却された各ウエハを
カセット室１８のカセットに収納し、従来と同様、カセ
ットを外部の所定位置に搬送する。
【００１１】これにより、高温下で処理するプロセスを
ウエハに施した後、数枚のウエハを短時間で所定温度に
冷却できる。よって、ウエハに反りが生じることなく、
真空チャック式の搬送ロボットによる搬送時にウエハが
確実に保持できるので、ウエハの損傷がなく、製品歩留
まりが向上する。
ウエハに施した後、数枚のウエハを短時間で所定温度に
冷却できる。よって、ウエハに反りが生じることなく、
真空チャック式の搬送ロボットによる搬送時にウエハが
確実に保持できるので、ウエハの損傷がなく、製品歩留
まりが向上する。
【００１２】実施例２ 本実施例は、マルチチャンバシステムを備えた半導体装
置の製造装置の例である。図３は、本実施例の半導体装
置の製造装置の平面図である。本実施例の半導体装置の
製造装置３２は、ロードロック室３４と、ウエハを高温
にしてプロセスを施すプロセスチャンバ３６Ａ〜Ｄと、
カセット室３８と、ロードロック室３４内に備えられた
搬送ロボット４０及び実施例１と同じウエハ冷却装置２
２とを備えている。搬送ロボット４０は、各プロセスチ
ャンバ、ウエハ冷却装置２２及びカセット室３８の相互
間でウエハを移載できるクランク機構を有する。
置の製造装置の例である。図３は、本実施例の半導体装
置の製造装置の平面図である。本実施例の半導体装置の
製造装置３２は、ロードロック室３４と、ウエハを高温
にしてプロセスを施すプロセスチャンバ３６Ａ〜Ｄと、
カセット室３８と、ロードロック室３４内に備えられた
搬送ロボット４０及び実施例１と同じウエハ冷却装置２
２とを備えている。搬送ロボット４０は、各プロセスチ
ャンバ、ウエハ冷却装置２２及びカセット室３８の相互
間でウエハを移載できるクランク機構を有する。
【００１３】半導体装置の製造装置３２を使用する際、
実施例１と同様、カセット室３８に搬入されたカセット
のウエハを搬送ロボット４０によりチャンバ３６Ａに移
載し、ＣＶＤ膜の成膜等の高温処理を伴うプロセスを施
し、次いで、搬送ロボット４０によりウエハをチャンバ
３６Ａから取り出し、ウエハ冷却装置２２の各段のウエ
ハ保持ピン上に順次移載し、更に、ウエハを冷却する。
次いで、冷却された各ウエハをチャンバ３６Ｂに移載
し、ＣＶＤ膜等の高温処理を伴うプロセスを施す。更
に、チャンバ３６Ｂからウエハをウエハ冷却装置２２に
移載し、冷却する。以下、チャンバ３６Ｃ、Ｄを用いて
同様のことを行う。次いで、冷却された各ウエハをカセ
ット室３８のカセットに収納し、カセットを外部の所定
位置に搬送する。
実施例１と同様、カセット室３８に搬入されたカセット
のウエハを搬送ロボット４０によりチャンバ３６Ａに移
載し、ＣＶＤ膜の成膜等の高温処理を伴うプロセスを施
し、次いで、搬送ロボット４０によりウエハをチャンバ
３６Ａから取り出し、ウエハ冷却装置２２の各段のウエ
ハ保持ピン上に順次移載し、更に、ウエハを冷却する。
次いで、冷却された各ウエハをチャンバ３６Ｂに移載
し、ＣＶＤ膜等の高温処理を伴うプロセスを施す。更
に、チャンバ３６Ｂからウエハをウエハ冷却装置２２に
移載し、冷却する。以下、チャンバ３６Ｃ、Ｄを用いて
同様のことを行う。次いで、冷却された各ウエハをカセ
ット室３８のカセットに収納し、カセットを外部の所定
位置に搬送する。
【００１４】これにより、マルチチャンバシステムを備
えた半導体装置の製造装置で、ＣＶＤ膜の成膜等の高温
処理を伴うプロセスをウエハに施した後、短時間で充分
にウエハを冷却できる。よって、ウエハに反りが生じる
ことなく、真空チャック式の搬送ロボットによる搬送時
にウエハが落下しないので、実施例１と同様、ウエハの
損傷がなく、製品歩留まりが向上する。
えた半導体装置の製造装置で、ＣＶＤ膜の成膜等の高温
処理を伴うプロセスをウエハに施した後、短時間で充分
にウエハを冷却できる。よって、ウエハに反りが生じる
ことなく、真空チャック式の搬送ロボットによる搬送時
にウエハが落下しないので、実施例１と同様、ウエハの
損傷がなく、製品歩留まりが向上する。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置の製造装置
に冷却専用のチャンバを設けることなく、高温下で処理
されたウエハを短時間で所定温度に冷却できる。よっ
て、冷却後の搬送時にウエハを真空チャック式搬送ロボ
ット等の搬送機器により確実に保持できるので、落下に
よるウエハの損傷がなく、製品歩留まりが向上する。
に冷却専用のチャンバを設けることなく、高温下で処理
されたウエハを短時間で所定温度に冷却できる。よっ
て、冷却後の搬送時にウエハを真空チャック式搬送ロボ
ット等の搬送機器により確実に保持できるので、落下に
よるウエハの損傷がなく、製品歩留まりが向上する。
【図１】実施例１の半導体装置の製造装置の概念を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、矢視Ｉ−
Ｉ及び矢視ＩＩ−ＩＩの側面断面図である。
Ｉ及び矢視ＩＩ−ＩＩの側面断面図である。
【図３】実施例２の半導体装置の製造装置の平面図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体装置の製造装置の概念を示す平面
図である。
図である。
１０……半導体装置の製造装置、１２……プロセスチャ
ンバ、１４……ロードロック室、１６……搬送ロボッ
ト、１８……カセット室、１９……排気管、２０……半
導体装置の製造装置、２２……ウエハ冷却装置、２４Ａ
〜Ｄ……支柱、２６……平板、２８Ａ〜Ｄ……ウエハ保
持ピン、３０Ａ〜Ｄ……吹出し口、３２……半導体装置
の製造装置、３４……ロードロック室、３６Ａ〜Ｄ……
プロセスチャンバ、３８……カセット室、４０……搬送
ロボット。
ンバ、１４……ロードロック室、１６……搬送ロボッ
ト、１８……カセット室、１９……排気管、２０……半
導体装置の製造装置、２２……ウエハ冷却装置、２４Ａ
〜Ｄ……支柱、２６……平板、２８Ａ〜Ｄ……ウエハ保
持ピン、３０Ａ〜Ｄ……吹出し口、３２……半導体装置
の製造装置、３４……ロードロック室、３６Ａ〜Ｄ……
プロセスチャンバ、３８……カセット室、４０……搬送
ロボット。
Claims (4)
- 【請求項１】 高温下でウエハを処理するプロセスチャ
ンバを備えた半導体装置の製造装置において、 ウエハを冷却するウエハ冷却装置が、プロセスチャンバ
に隣接して設けられていることを特徴とする半導体装置
の製造装置。 - 【請求項２】 ウエハ冷却装置が、プロセスチャンバに
連通・遮断自在なロードロック室内に設けられているこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項３】 ウエハ冷却装置が、ウエハを載せる棚段
と、棚段上のウエハに向けて冷却ガスを吹き付けてウエ
ハを冷却する冷却ガス吹き付け手段とを備えていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造
装置。 - 【請求項４】 冷却ガス吹き付け手段が冷却された不活
性ガスを吹き付けることを特徴とする請求項３に記載の
半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28368096A JPH10135090A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28368096A JPH10135090A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135090A true JPH10135090A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17668687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28368096A Pending JPH10135090A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135090A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000003422A3 (en) * | 1998-07-13 | 2000-08-03 | Applied Komatsu Technology Inc | Gas flow control in a substrate processing system |
| JP2007237266A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 陽極接合装置 |
-
1996
- 1996-10-25 JP JP28368096A patent/JPH10135090A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000003422A3 (en) * | 1998-07-13 | 2000-08-03 | Applied Komatsu Technology Inc | Gas flow control in a substrate processing system |
| US6286230B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-09-11 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method of controlling gas flow in a substrate processing system |
| JP2007237266A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 陽極接合装置 |
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