JPH10135174A - 半導体基板の単槽式洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄効果の高い単槽式洗浄装置及び洗浄方法
を提供する。 【解決手段】 本洗浄装置１０は、１個の洗浄槽１２を
備えた単槽式洗浄装置であって、洗浄槽を経由して薬液
を循環させるように設けた薬液の循環配管２２と、薬液
を循環させるように循環配管に設けた循環ポンプ１４
と、循環ポンプの近傍の循環配管に設けた薬液濃度検出
計２４とを備えている。本洗浄装置を使用して、半導体
基板を配置した洗浄槽、循環配管及び循環ポンプに洗浄
液を導入する洗浄液導入工程と、洗浄槽、循環配管及び
循環ポンプの循環経路で洗浄液を循環する循環工程と、
洗浄槽に純水を導入しつつ洗浄槽、循環配管及び循環ポ
ンプの循環経路内の洗浄液を排出する純水導入／洗浄液
排出工程及び更に、薬液濃度検出計の薬液濃度検出値が
設定値になった時点で、再び別の洗浄液を導入する洗浄
液導入工程を実施して、半導体基板を効率良く洗浄す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の単槽
式洗浄装置及び洗浄方法に関し、更に詳細には、半導体
装置製造過程の半導体基板洗浄工程で半導体基板を高い
洗浄効果で洗浄できる単槽式洗浄装置及び単槽式洗浄装
置を使用した洗浄方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】シリコン半導体デバイスの微細化と高集
積化に伴い、半導体装置の製造プロセスで半導体基板に
付着したパーティクル（微小粒子）、汚染金属などが、
半導体装置の製品歩留まりを低下させたり、デバイス特
性にとって好ましくない影響を与えたりする傾向が益々
強くなっている。例えば、パーティクルは酸化膜耐圧不
良、配線短絡、接続不良等を引き起こし、金属汚染は酸
化膜耐圧不良やリーク電流の増大等を引き起こす。とこ
ろで、パーティクルや金属不純物はＬＳＩ等の半導体装
置の製造プロセスの殆どの工程で発生することから、デ
バイスの歩留まりやその特性を向上させるためには、各
製造プロセスが終了するたびに半導体基板を洗浄し、基
板表面を清浄に保つようにしなければならない。そこ
で、従来、洗浄槽を備えた洗浄装置を使用し、その洗浄
槽内の洗浄液に半導体基板を浸漬して洗浄して来た。従
来の半導体基板の洗浄装置は、大別して、（１）洗浄槽
の上部が気体雰囲気に開放された１個の洗浄槽で半導体
基板を洗浄するようにした開放型単槽式洗浄装置、
（２）洗浄槽の上部が気体雰囲気に開放された複数個の
洗浄槽で半導体基板を洗浄するようにした開放型多槽式
洗浄装置、（３）密閉式で内部が液体で満たされた１個
の洗浄槽で半導体基板を洗浄するようにした密閉型単槽
式洗浄装置に分類できる。

【０００３】（１）及び（３）の単槽式洗浄装置を使っ
て半導体基板を洗浄する場合、 １）先ず、半導体基板を配置した洗浄槽に純水を導入
し、洗浄槽を純水で満たす。 ２）続いて、洗浄液Ａを洗浄槽に供給し、洗浄液Ａの濃
度が所定濃度に達した時点で、洗浄液Ａの供給を停止
し、洗浄槽内で洗浄液Ａによる洗浄処理を半導体基板に
施す。 ３）洗浄液Ａの洗浄処理が終了後、純水を導入し、洗浄
液Ａを純水で置換しつつ、純水により半導体基板にリン
ス処理を施す。 ４）次いで、洗浄液Ｂを洗浄槽に供給し、洗浄液Ｂの濃
度が所定濃度に達した時点で、洗浄液Ｂの供給を停止
し、洗浄槽内で洗浄液Ｂによる洗浄処理を半導体基板に
施す。 ５）以下、洗浄液の種類数に応じて、３）及び４）を繰
り返す。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】（１）や（３）のよう
な単槽式洗浄装置は、多槽式洗浄装置に比べて装置自体
が比較的小型で済むためにクリーンルーム内の専有面積
は小さいものの、上述の２）工程のように、洗浄液を満
たした洗浄槽内に半導体基板を浸漬させただけの状態で
洗浄しているので、洗浄効果が低いという問題があっ
た。洗浄液処理中、洗浄液を循環させることができれ
ば、洗浄槽内に槽流（半導体基板に対する槽内の洗浄液
の流れを言う）が発生し、高い洗浄効果を得ることがで
きるが、複数種の洗浄液を順次使用して洗浄する場合、
従来の洗浄装置で洗浄液を循環させると、どうしても洗
浄液の混触が生じるために、洗浄液を循環して洗浄槽内
に槽流を発生させることができなかった。また、洗浄槽
に洗浄液を連続的に流入出させて、洗浄槽内に槽流を発
生させることもできるが、洗浄液が使い捨てになり、洗
浄液の消費量が増加して不経済になる。そこで、従来の
単槽式洗浄装置では、洗浄槽内の洗浄液が所定濃度にな
ると、上述のように、洗浄液の供給を停止し、静止状態
の洗浄液に半導体基板をただ浸漬させた程度の洗浄を行
わざるを得なかった。そのために、洗浄効果が低くなる
のである。

【０００５】一方、（２）のような多槽式洗浄装置は、
１種類の洗浄液に対して１個の洗浄槽を割り当てている
ので、洗浄処理中の洗浄液の循環は容易であり、洗浄槽
内に槽流が発生していて、洗浄効果は高いものの、複数
個の洗浄槽を必要とするために装置規模が大きくなり、
専有面積が大きくなって、クリーンルームの設備費が嵩
むという問題があった。また、従来の洗浄槽でも、槽内
に整流板を設置することにより、槽内の流れを一方向流
かつ一様流に近付け、基板面内の洗浄効果を一様にする
工夫がなされているが、整流板が槽流に対し半導体基板
の上流側又は下流側のいずれかにのみ設置されているた
めに、槽内に乱流が少なからず生じ、基板面内の洗浄効
果を均一にすることが難しいという問題もあった。

【０００６】以上のような従来の洗浄装置の問題に照ら
して、本発明の目的は、洗浄効果が高く、洗浄効果が半
導体基板面内で一様になる、半導体基板の単槽式洗浄装
置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の単槽
式洗浄装置で洗浄液を循環させると、洗浄液の混触が生
じる理由を研究した結果、洗浄液濃度の検出位置が悪い
ことを見い出した。即ち、従来の単槽式洗浄装置では、
洗浄液濃度検出計を洗浄槽に設け、洗浄槽の洗浄液濃度
を検出していたので、洗浄槽が純水で置換された時点
で、洗浄液濃度検出計は洗浄液濃度がゼロである旨の信
号を出力していた。そのため、未だ純水で置換されてい
ない洗浄液が循環配管、循環ポンプ等のなかに残存し、
その残存洗浄液が、次の洗浄液処理工程で洗浄槽に流入
し、混触を引き起こしていたことが判った。そこで、本
発明者は、洗浄液濃度の検出位置を洗浄槽ではなく循環
ポンプ近傍の循環配管に設定して混触の問題を解決する
ことにより、洗浄液の循環を可能とし、かつ整流板を洗
浄槽の上部と下部の２か所に設置して、槽流の速度を速
く、しかも一様にすることにより、洗浄効果と洗浄効果
の基板面内均一性を向上させ、本発明を完成するに到っ
た。

【０００８】上記目的を達成するために、半導体基板の
本発明に係る洗浄装置は、１個の洗浄槽を備え、複数種
類の洗浄処理を行うようにした単槽式洗浄装置におい
て、洗浄槽を経由して洗浄液を循環するように設けた洗
浄液の循環配管と、洗浄液を循環させるように循環配管
に設けた循環ポンプと、循環ポンプの近傍に設けた洗浄
液濃度検出計とを備えていることを特徴としている。

【０００９】本発明において、洗浄液の循環量は任意で
あって、実験等により設定される。循環ポンプの容量及
び循環配管の寸法は、洗浄液の循環量に基づいて定めら
れる。好適には、洗浄液濃度検出計は循環ポンプの吐出
側配管で洗浄槽に近い位置に設ける。洗浄液濃度検出計
をこの位置に設け、洗浄液濃度がゼロに等しいことを検
出することにより、洗浄槽、循環配管及び循環ポンプ内
の洗浄液を純水で完全に置換できたことを確認すること
ができるので、洗浄液の混触が生じない。

【００１０】本発明の好適な実施態様は、洗浄槽が、複
数個の貫通孔を有し、洗浄槽の下部に水平に配置された
第１の水平整流板と、複数個の貫通孔を有し、第１の水
平整流板から上方に少なくとも半導体基板の直径だけ離
隔して洗浄槽の上部に水平に配置された第２の水平整流
板とを備え、流体の流入口を第１の水平整流板の下方
に、流体の流出口を第２の水平整流板の上方にそれぞれ
有し、第１の水平整流板と第２の水平整流板との間に半
導体基板をほぼ垂直に配置する。第１の水平整流板及び
第２の水平整流板を設けて、洗浄液の流れを垂直方向の
流れに整流し、その流れに平行に半導体基板を配置する
ことにより洗浄効果及び洗浄効果の半導体基板の面内均
一性を向上させることができる。

【００１１】上述の半導体基板の単槽式洗浄装置を使用
して、半導体基板を配置した洗浄槽、循環配管及び循環
ポンプに洗浄液を導入する洗浄液導入工程と、洗浄槽、
循環配管及び循環ポンプの循環経路で洗浄液を循環する
循環工程と、洗浄槽に純水を導入して洗浄槽、循環配管
及び循環ポンプの循環経路内の洗浄液を純水で置換しつ
つ排出する純水導入／洗浄液排出工程とを備え、更に、
洗浄液濃度検出計で測定した洗浄液濃度測定値が設定値
になった時点で、再び別の洗浄液を導入する洗浄液導入
工程に入ることにより、半導体基板を効率良く洗浄する
ことができる。また、洗浄液濃度検出計の洗浄液濃度測
定値が設定値になった時点で、所定時間純水を導入しつ
つ排出し続けて、洗浄槽内の半導体基板をリンスするリ
ンス工程を実施することもできる。洗浄液濃度の設定値
は、任意であって、通常、ゼロに近い値に設定する。ま
た、既知の自動制御装置を設けて、上述の工程を自動的
に切り換えて自動洗浄処理を実施することもできる。

【００１２】本発明では、循環ポンプによる洗浄液の循
環作用により、洗浄液処理中にも槽内に液流（槽流）を
生じさせ、効果的な洗浄、すなわちパーティクルの除
去、汚染金属不純物の除去を達成することができる。ま
た、洗浄槽の上部及び下部（槽流に対し半導体基板の上
流及び下流）に設置された水平整流板の作用によって、
循環作用により生じさせた槽流を一方向かつ一様にする
ことにより、洗浄効果及び洗浄効果の面内均一性を向上
させることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。実施例１ 本実施例は、本発明を密閉型単槽式洗浄装置に適用した
実施例であって、図１は本実施例の洗浄装置の構成を示
す模式図である。本実施例の単槽式洗浄装置１０は、図
１に示すように、１個の密閉型洗浄槽１２と、循環ポン
プ１４と、異物を捕捉するフィルタ１６と、三方弁１
８、２０とを備え、洗浄槽１２から、循環ポンプ１４、
フィルタ１６、三方弁１８及び三方弁２０を経て洗浄槽
１２に戻る循環配管２２を備えている。更に、洗浄液濃
度検出計２４が、フィルタ１６と三方弁１８との間の循
環配管２２に設けてある。

【００１４】洗浄槽１２は、洗浄液又は純水を容器内に
充満するようにした密閉式の容器で形成され、図２に示
すように、洗浄槽１２の上部及び下部には、多数の貫通
孔２５を有する第１の水平整流板２６及び多数の貫通孔
２７を有する第２の水平整流板２８が水平に配置され、
その間に半導体基板Ｗを垂直に配置するように構成され
ている。また、洗浄液及び純水の流出口３０は第１の水
平整流板２６の上方の洗浄槽１２の頂部に、及び流入口
３２は第２の水平整流板２８の下方の洗浄槽１２の底部
に設けられている。

【００１５】以下に、図１を参照しつつ本洗浄装置１０
の動作及び作用を説明する。なお、三方弁１８のフィル
タ側ポートＡ（黒色）及び三方弁２０の洗浄槽側ポート
Ａ（黒色）は、原則として、常時、開であり、その他の
ポートＢ、Ｃは、Ｎｏで開を、Ｎｃで閉を意味する。図
１に図示の三方弁は、洗浄液の循環時の三方弁１８、２
０の開閉状態を示している。 （１）洗浄液の導入操作 三方弁１８及び２０のポートＢを閉、ポートＣを開にす
る。洗浄液を外部の洗浄液供給源３４から三方弁２０を
経て洗浄槽１２に流入させ、更に循環配管２２を含めて
循環ポンプ１４、フィルタ１６を経て三方弁１８にまで
導入し、必要に応じて外部の流出先３８に洗浄液を一部
排出して、確実に洗浄液が洗浄装置１０内に導入された
ことを確認する。必要に応じて更に、三方弁１８、２０
のポートＡを閉にし、ポートＢ、Ｃを開にして、三方弁
１８、２０の間の循環配管にも洗浄液を導入する。尚、
洗浄液の導入する前の洗浄装置１０は、純水で満たされ
ていても、空でも、どちらでも良い。

【００１６】（２）洗浄液の循環操作 三方弁１８、２０のポートＣを閉にし、ポートＢを開に
して循環経路を確立する。次いで、循環ポンプ１４を起
動して、洗浄槽１２、循環ポンプ１４、三方弁１８、三
方弁２０及び洗浄槽１２の循環経路で洗浄液を循環す
る。 （３）循環の停止及び洗浄液の排出操作 三方弁１８、２０のポートＣを開に、ポートＢを閉にし
て、外部の純水供給源３６から三方弁２０、洗浄槽１
２、循環ポンプ１４、フィルタ１６及び三方弁１８の経
路で純水を導入しつつ、洗浄液濃度検出計２４の洗浄液
濃度測定値がゼロに等しくなるまで、洗浄槽１２、循環
配管２２を含めて循環ポンプ１４、フィルタ１６及び三
方弁１８、２０から洗浄液を外部の排出先３８に排出し
続ける。必要に応じて、三方弁１８、２０のポートＡを
閉にし、ポートＢを開にして三方弁２０と三方弁１８と
の間の配管内の洗浄液を純水で置換する。 （４）第２の洗浄液の導入操作 洗浄液濃度検出計２４の洗浄液濃度測定値がゼロに等し
くなった時点で、再び（１）の操作により、先の洗浄液
とは別の第２の洗浄液を供給する。尚、洗浄液濃度検出
計２４の洗浄液濃度測定値がゼロに等しくなった時点
で、（４）に入る前に（３）の純水導入を継続して、半
導体基板にリンス処理を施すこともできる。

【００１７】本洗浄装置１０では、三方弁１８及び２０
のポートの開閉を切り替え、循環ポンプ１４の運転及び
停止を行うことにより、洗浄液の導入操作、洗浄液の循
環操作及び洗浄液の排出操作を行う。また、洗浄槽１２
内の上部及び下部に第１の水平整流板２６及び第２の水
平整流板２８を設けているので、図２に示すように、洗
浄槽１２内での洗浄液の流れは一方向かつ一様となり、
その流れに平行に半導体基板を配置することにより、洗
浄効果と洗浄効果の面内均一性が向上する。

【００１８】実施例２ 本実施例は、本発明を開放型単槽式洗浄装置に適用した
実施例であって、図３は本実施例の洗浄装置の構成を示
す模式図である。本実施例の単槽式洗浄装置４０は、図
３に示すように、１個の開放型洗浄槽４２と、循環ポン
プ４４と、フィルタ４６と、三方弁４８、５０とを備
え、洗浄槽４２かから、循環ポンプ４４、フィルタ４
６、三方弁４８及び三方弁５０を経て洗浄槽４２に戻る
循環配管５２を備えている。更に、洗浄液濃度検出計５
４が、フィルタ４６と三方弁４８との間の循環配管５２
に設けてある。

【００１９】洗浄槽４２は、上部が気体雰囲気に開放さ
れた開放式の容器で形成され、洗浄槽４２の上部及び下
部には、実施例１の洗浄槽１２と同様に、多数の貫通孔
を有する第１の水平整流板５６及び第２の水平整流板５
８が水平に配置され、その間に半導体基板Ｗを垂直に配
置するように構成されている。また、洗浄槽４２の上部
には、第１の水平整流板５６の上に堰板６０が設けてあ
って、洗浄液及び純水は堰板６０をオバーフローして液
溜６２に入る。洗浄液及び純水の流出口６４は、液溜６
２に設けてあり、流入口６６は第２の水平整流板５８の
下方の洗浄槽４２の底部に設けられている。

【００２０】以下に、図３を参照しつつ本洗浄装置４０
の動作及び作用を説明する。なお、三方弁４８のフィル
タ側ポートＡ（黒色）及び三方弁５０の洗浄槽側ポート
Ａ（黒色）は、原則として、常時、開であり、その他の
ポートＢ、Ｃは、Ｎｏで開を、Ｎｃで閉を意味する。図
３に図示の三方弁は、洗浄液の循環時の三方弁４８、５
０の開閉状態を示している。 （１）洗浄液の導入操作 三方弁４８及び５０のポートＢを閉、ポートＣを開にす
る。洗浄液を外部の洗浄液供給源６８から三方弁５０を
経て洗浄槽４２に流入させ、更に循環配管５２を含めて
循環ポンプ４４、フィルタ５６を経て三方弁４８にまで
導入し、必要に応じて外部の流出先３８に洗浄液を一部
排出して、確実に洗浄液が洗浄装置１０内に導入された
ことを確認する。必要に応じて更に、三方弁４８、５０
のポートＡを閉にし、ポートＢ、Ｃを開にして、三方弁
４８、５０の間の循環配管にも洗浄液を導入する。尚、
洗浄液の導入する前の洗浄装置４０は、純水で満たされ
ていても、空でも、どちらでも良い。

【００２１】（２）洗浄液の循環操作 三方弁４８、５０のポートＣを閉にし、ポートＢを開に
して循環経路を確立する。次いで、循環ポンプ４４を起
動して、洗浄槽４２、循環ポンプ４４、三方弁４８、三
方弁５０及び洗浄槽４２の循環経路で洗浄液を循環す
る。 （３）循環の停止及び洗浄液の排出操作 三方弁４８、５０のポートＣを開に、ポートＢを閉にし
て、外部の純水供給源７０から三方弁５０、洗浄槽４
２、循環ポンプ４４、フィルタ５６及び三方弁４８の経
路で純水を導入しつつ、洗浄液濃度検出計５４の洗浄液
濃度測定値がゼロに等しくなるまで、洗浄槽４２、循環
配管５２を含めて循環ポンプ４４、フィルタ５６及び三
方弁４８、５０から洗浄液を外部の排出先７２に排出し
続ける。必要に応じて、ポートＡを閉にし、ポートＢを
開にして三方弁５０と三方弁４８との間の配管内の洗浄
液を純水で置換する。 （４）第２の洗浄液の導入操作 洗浄液濃度検出計５４の洗浄液濃度測定値がゼロに等し
くなった時点で、再び（１）の操作により、先の洗浄液
とは別の第２の洗浄液を供給する。尚、洗浄液濃度検出
計５４の洗浄液濃度測定値がゼロに等しくなった時点
で、（４）に入る前に（３）の純水導入を継続して、半
導体基板にリンス処理を施すこともできる。

【００２２】本洗浄装置４０では、三方弁４８及び５０
のポートの開閉を切り替え、循環ポンプ４４の運転、停
止により、洗浄液の供給操作、洗浄液の循環操作及び洗
浄液の排出操作を行う。また、洗浄槽４２内の上部及び
下部に第１の水平整流板５６及び第２の水平整流板５８
を設けているので、実施例１と同様、図２に示すよう
に、洗浄槽４２内での洗浄液の流れは一方向かつ一様と
なり、その流れに平行に半導体基板を配置することによ
り、洗浄効果と洗浄効果の面内均一性が向上する。

【００２３】

【発明の効果】本発明の構成によれば、洗浄液濃度検出
計を循環配管に設置して残存洗浄液の有無を確実に認識
して、洗浄液の混触を引き起こさない循環機構を単槽式
洗浄装置に設けることにより、洗浄液処理時に洗浄液の
循環を可能にしている。これにより、槽内に液流（槽
流）が生じるため、半導体基板に付着したパーティクル
や汚染金属を効率良く除去でき、また洗浄液を循環使用
することにより経済的に洗浄できる。また、洗浄槽の上
部及び下部に設けた水平整流板により、槽流が一方向か
つ一様になり、半導体基板の洗浄効果と洗浄効果の面内
均一性を一層向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体基板の単槽式洗浄装置の実
施例１の構成を示す模式図である。

【図２】洗浄槽の構成と槽流の状態を示す洗浄槽の模式
的断面図である。

【図３】本発明に係る半導体基板の単槽式洗浄装置の実
施例２の構成を示す模式図である。

【符号の説明】

１０……実施例１の単槽式洗浄装置、１２……密閉型洗
浄槽、１４……循環ポンプ、１６……フィルタ、１８…
…三方弁、２０……三方弁、２２……循環配管、２４…
…洗浄液濃度検出計、２５……貫通孔、２６……第１の
水平整流板、２７……貫通孔、２８……第２の水平整流
板、３０……流出口、３２……流入口、３４……外部の
洗浄液供給源、３６……外部の純水供給源、３８……排
出先、４０……実施例２の単槽式洗浄装置、４２……開
放型洗浄槽、４４……循環ポンプ、４６……フィルタ、
４８……三方弁、５０……三方弁、５２……循環配管、
５４……洗浄液濃度検出計、５６……第１の水平整流
板、５８……第２の水平整流板、６０……堰板、６２…
…液溜、６４……流出口、６６……流入口、６８……外
部の洗浄液供給源、７０……外部の純水供給源、７２…
…外部の排出先。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １個の洗浄槽を備え、複数種類の洗浄処
   理を行うようにした単槽式洗浄装置において、 洗浄槽を経由して洗浄液を循環するように設けた洗浄液
   の循環配管と、 洗浄液を循環させるように循環配管に設けた循環ポンプ
   と、 循環ポンプの近傍に設けた洗浄液濃度検出計とを備えて
   いることを特徴とする半導体基板の単槽式洗浄装置。
2. 【請求項２】 洗浄槽が、 複数個の貫通孔を有し、洗浄槽の下部に水平に配置され
   た第１の水平整流板と、 複数個の貫通孔を有し、第１の水平整流板から上方に少
   なくとも半導体基板の直径だけ離隔して洗浄槽の上部に
   水平に配置された第２の水平整流板とを備え、流体の流
   入口を第１の水平整流板の下方に、流体の流出口を第２
   の水平整流板の上方にそれぞれ有し、第１の水平整流板
   と第２の水平整流板との間に半導体基板をほぼ垂直に配
   置するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半
   導体基板の単槽式洗浄装置。
3. 【請求項３】 開閉弁をそれぞれ備えた純水導入管、洗
   浄液導入管及び排出管を循環配管に設けたことを特徴と
   する請求項１又は２に記載の半導体装置の単槽式洗浄装
   置。
4. 【請求項４】 洗浄槽が密閉式であることを特徴とする
   請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の半導体基
   板の洗浄装置。
5. 【請求項５】 洗浄槽が開放式であることを特徴とする
   請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の半導体基
   板の洗浄装置。
6. 【請求項６】 請求項１から５のうちのいずれか１項に
   記載の半導体基板の単槽式洗浄装置を使用して、半導体
   基板を洗浄する方法であって、 半導体基板を配置した洗浄槽、循環配管及び循環ポンプ
   に洗浄液を導入する洗浄液導入工程と、 洗浄槽、循環配管及び循環ポンプの循環経路で洗浄液を
   循環する循環工程と、 洗浄槽に純水を導入して洗浄槽、循環配管及び循環ポン
   プの循環経路内の洗浄液を純水で置換しつつ排出する純
   水導入／洗浄液排出工程とを備え、 更に、洗浄液濃度検出計で測定した洗浄液濃度測定値が
   設定値になった時点で、再び別の洗浄液を導入する洗浄
   液導入工程に入ることを特徴とする半導体基板の洗浄方
   法。
7. 【請求項７】 洗浄液濃度検出計で測定した洗浄液濃度
   測定値が設定値になった時点で、所定時間純水を導入し
   つつ排出し続けて、洗浄槽内の半導体基板を純水でリン
   スするリンス工程を備えることを特徴とする請求項６に
   記載の半導体基板の洗浄方法。