JPH10135196A - 真空薄膜堆積装置 - Google Patents
真空薄膜堆積装置Info
- Publication number
- JPH10135196A JPH10135196A JP8305673A JP30567396A JPH10135196A JP H10135196 A JPH10135196 A JP H10135196A JP 8305673 A JP8305673 A JP 8305673A JP 30567396 A JP30567396 A JP 30567396A JP H10135196 A JPH10135196 A JP H10135196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- gas
- thin film
- pump
- exhaust pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空薄膜堆積装置において、メンテナンス時
に有害なガスが残留していないかどうか、真空リークが
ないかどうかを簡単な構成で把握することができるよう
にすることを課題とする。 【解決手段】 薄膜を堆積する真空容器１と、真空容器
１を大気圧から真空に可逆的に変化させる真空ポンプ３
と、真空ポンプ３からの排気ガスを排気するための排気
配管４を有する真空薄膜堆積装置において、真空ポンプ
１と排気配管４との間に真空ポンプ３から排気される気
体の成分を分析するためのガス分析計７を設ける。
に有害なガスが残留していないかどうか、真空リークが
ないかどうかを簡単な構成で把握することができるよう
にすることを課題とする。 【解決手段】 薄膜を堆積する真空容器１と、真空容器
１を大気圧から真空に可逆的に変化させる真空ポンプ３
と、真空ポンプ３からの排気ガスを排気するための排気
配管４を有する真空薄膜堆積装置において、真空ポンプ
１と排気配管４との間に真空ポンプ３から排気される気
体の成分を分析するためのガス分析計７を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空容器中で原料ガ
スを反応させて、半導体膜または絶縁体膜または金属薄
膜等の薄膜を堆積する真空薄膜堆積装置に関する。
スを反応させて、半導体膜または絶縁体膜または金属薄
膜等の薄膜を堆積する真空薄膜堆積装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来のプラズマ化学気相堆積装置
の真空系配管構成図を示す。
の真空系配管構成図を示す。
【０００３】真空容器９に真空ポンプ入口側に連通する
入口側配管１０を通して真空ポンプ１１が接続され、真
空ポンプ１１から排気配管１２を通して排ガス除害装置
１３に接続される構成をとっている。
入口側配管１０を通して真空ポンプ１１が接続され、真
空ポンプ１１から排気配管１２を通して排ガス除害装置
１３に接続される構成をとっている。
【０００４】そして、真空容器９には通常、アモルファ
スシリコンＴＦＴ等に用いる場合、原料ガスとしてＳｉ
Ｈ4，Ｎ2，Ｈ2，ＮＨ3 等が供給される。
スシリコンＴＦＴ等に用いる場合、原料ガスとしてＳｉ
Ｈ4，Ｎ2，Ｈ2，ＮＨ3 等が供給される。
【０００５】真空容器９，入口側配管１０，真空ポンプ
１１，排気配管１２の内部は薄膜堆積中および待機中は
真空状態であるが、真空ポンプ１１および入口側配管１
０は磨耗したパーツの交換、劣化したポンプオイルの交
換、未反応物の堆積を除去するためのポンプ内部のオー
バーホールやフィルタの交換等のために定期的に大気中
に開放して分解、組立を行う必要がある。
１１，排気配管１２の内部は薄膜堆積中および待機中は
真空状態であるが、真空ポンプ１１および入口側配管１
０は磨耗したパーツの交換、劣化したポンプオイルの交
換、未反応物の堆積を除去するためのポンプ内部のオー
バーホールやフィルタの交換等のために定期的に大気中
に開放して分解、組立を行う必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の手段ではメンテナンスのために真空ポンプ１１，排
気配管１２を分解し大気中に開放する際には真空ポンプ
１１および排気配管１２の内部に有害なガスが残ってい
るかどうかを確認する手段を備えていないため、通常は
長時間（安全を見越し約６時間程度）にわたり安全な、
例えばＮ2 ガス等を用い、危険なＳｉＨ4，ＮＨ3，Ｈ2
ガス等の残留ガスを排出する必要があった。またメンテ
ナンス終了後、再び真空ポンプ１１および排気配管１２
を組立てた後の接続部分等の真空リークの有無を検知す
る時には、真空ポンプ１１および排気配管１２の内部
に、真空ポンプ１１の排出側の圧力を高くすると真空ポ
ンプ１１が破損するおそれがあるため、例えば０．２Ｋ
ｇ／ｃｍ2 程度の低圧力の安全なＮ2 ガス等を封入し、
約４〜６時間の放置後の圧力変動による真空リークチェ
ック方法しかないため、評価精度が低い上、作業性が非
常に悪かった。
来の手段ではメンテナンスのために真空ポンプ１１，排
気配管１２を分解し大気中に開放する際には真空ポンプ
１１および排気配管１２の内部に有害なガスが残ってい
るかどうかを確認する手段を備えていないため、通常は
長時間（安全を見越し約６時間程度）にわたり安全な、
例えばＮ2 ガス等を用い、危険なＳｉＨ4，ＮＨ3，Ｈ2
ガス等の残留ガスを排出する必要があった。またメンテ
ナンス終了後、再び真空ポンプ１１および排気配管１２
を組立てた後の接続部分等の真空リークの有無を検知す
る時には、真空ポンプ１１および排気配管１２の内部
に、真空ポンプ１１の排出側の圧力を高くすると真空ポ
ンプ１１が破損するおそれがあるため、例えば０．２Ｋ
ｇ／ｃｍ2 程度の低圧力の安全なＮ2 ガス等を封入し、
約４〜６時間の放置後の圧力変動による真空リークチェ
ック方法しかないため、評価精度が低い上、作業性が非
常に悪かった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は前記従
来例の問題点を解消するため真空ポンプからの排気ガス
の成分を分析することによって、薄膜を堆積するために
活用するガスまたは堆積中に発生するガスの確認、およ
び真空リークの有無の確認を行うもので、真空ポンプの
出口側と排気配管との間にガス分析計を設置するもので
ある。
来例の問題点を解消するため真空ポンプからの排気ガス
の成分を分析することによって、薄膜を堆積するために
活用するガスまたは堆積中に発生するガスの確認、およ
び真空リークの有無の確認を行うもので、真空ポンプの
出口側と排気配管との間にガス分析計を設置するもので
ある。
【０００８】したがって、本発明によれば真空容器や真
空ポンプならびに排気配管に有害ガスが残留していれ
ば、真空ポンプの出口側の排気配管に設置された有害ガ
ス濃度を計測するガス分析計にて瞬時に検出される。ま
た、真空リークがある場合も、酸素濃度を計測するガス
分析計にて、それを瞬時に検出することができる。
空ポンプならびに排気配管に有害ガスが残留していれ
ば、真空ポンプの出口側の排気配管に設置された有害ガ
ス濃度を計測するガス分析計にて瞬時に検出される。ま
た、真空リークがある場合も、酸素濃度を計測するガス
分析計にて、それを瞬時に検出することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は請求項１記載に係る発明
のように、薄膜を堆積する真空容器と、前記真空容器を
大気圧から真空に可逆的に変化させるポンプと、前記ポ
ンプからの排気ガスを排気するための排気配管を有する
真空薄膜堆積装置において、前記ポンプと前記排気配管
との間にポンプから排気される気体の成分を分析するた
めのガス分析計を設けることにより簡単に実施すること
ができる。そして、このガス分析計により分析結果を知
ることにより、真空薄膜堆積装置にあるガスが何である
かを単純に知ることができ、もし危険なガス、例えばＳ
ｉＨ4 とかＨ2 とかＮＨ3 等が残留しておれば危険であ
るから適切に対処する必要がある。
のように、薄膜を堆積する真空容器と、前記真空容器を
大気圧から真空に可逆的に変化させるポンプと、前記ポ
ンプからの排気ガスを排気するための排気配管を有する
真空薄膜堆積装置において、前記ポンプと前記排気配管
との間にポンプから排気される気体の成分を分析するた
めのガス分析計を設けることにより簡単に実施すること
ができる。そして、このガス分析計により分析結果を知
ることにより、真空薄膜堆積装置にあるガスが何である
かを単純に知ることができ、もし危険なガス、例えばＳ
ｉＨ4 とかＨ2 とかＮＨ3 等が残留しておれば危険であ
るから適切に対処する必要がある。
【００１０】また、このガス分析計は真空度合を知るこ
とができる酸素濃度を計測するものにしたり、また原料
ガスまたは堆積中に発生するガスの濃度を計測するもの
として、堆積の進行度合を知ることができる。
とができる酸素濃度を計測するものにしたり、また原料
ガスまたは堆積中に発生するガスの濃度を計測するもの
として、堆積の進行度合を知ることができる。
【００１１】
【実施例】図１は本実施例（プラズマ化学気相堆積装
置）の構成を示すものである。
置）の構成を示すものである。
【００１２】真空容器１に真空ポンプ入口側に連通する
入口側配管２を通して真空ポンプ３が接続され、真空ポ
ンプ３から排気配管４を通して排ガス除害装置５に接続
される。排気配管４にはガス分析用入口側バイパスライ
ン６を通してガス分析計７が接続され、ガス分析用出口
側バイパスライン８を通して再び排気配管４に接続され
る。
入口側配管２を通して真空ポンプ３が接続され、真空ポ
ンプ３から排気配管４を通して排ガス除害装置５に接続
される。排気配管４にはガス分析用入口側バイパスライ
ン６を通してガス分析計７が接続され、ガス分析用出口
側バイパスライン８を通して再び排気配管４に接続され
る。
【００１３】真空容器１には、通常アモルファスシリコ
ンＴＦＴ等に用いる場合、原料ガスとしてＳｉＨ4，
Ｎ2，Ｈ2，ＮＨ3 等が供給される。
ンＴＦＴ等に用いる場合、原料ガスとしてＳｉＨ4，
Ｎ2，Ｈ2，ＮＨ3 等が供給される。
【００１４】メンテナンス等のために入口側配管２や排
気配管４を大気中に開放する場合、真空容器１，入口側
配管２，真空ポンプ３，排気配管４内に残留している原
料ガスおよび薄膜堆積時に発生する危険なガスは、真空
ポンプの排気ガスの一部をガス分析用入口側バイパスラ
イン６を通してガス分析計７に入り、ガス分析計７で分
析することで、瞬時に危険なガスの残留量を精度良く検
出できる。なお、ガス分析計７に入ったガスは、ガス分
析用出口側バイパスライン８を通して排気配管４に戻さ
れ排ガス除害装置５に入る。
気配管４を大気中に開放する場合、真空容器１，入口側
配管２，真空ポンプ３，排気配管４内に残留している原
料ガスおよび薄膜堆積時に発生する危険なガスは、真空
ポンプの排気ガスの一部をガス分析用入口側バイパスラ
イン６を通してガス分析計７に入り、ガス分析計７で分
析することで、瞬時に危険なガスの残留量を精度良く検
出できる。なお、ガス分析計７に入ったガスは、ガス分
析用出口側バイパスライン８を通して排気配管４に戻さ
れ排ガス除害装置５に入る。
【００１５】さらに、真空ポンプ３，排気配管４をメン
テナンス等の理由で大気中で開放した後、再び組立てた
時、再組立部分にリークがあった場合はリークした空気
がガス分析用入口側バイパスライン６を通してガス分析
計７に入り、酸素濃度の増加として瞬時に精度よく検出
される。ガス分析計７に入った空気はガス分析用出口側
バイパスライン８を通して排気配管４に戻され、排ガス
除害装置５に入る。
テナンス等の理由で大気中で開放した後、再び組立てた
時、再組立部分にリークがあった場合はリークした空気
がガス分析用入口側バイパスライン６を通してガス分析
計７に入り、酸素濃度の増加として瞬時に精度よく検出
される。ガス分析計７に入った空気はガス分析用出口側
バイパスライン８を通して排気配管４に戻され、排ガス
除害装置５に入る。
【００１６】図２は、大気からリークがない場合の酸素
濃度と、真空排気時間の相関であり、１４０秒後には酸
素濃度が１ｐｐｍ以下になることがわかり、これにより
長時間のガス封入の圧力変動の計測による真空リークチ
ェックから解放される。
濃度と、真空排気時間の相関であり、１４０秒後には酸
素濃度が１ｐｐｍ以下になることがわかり、これにより
長時間のガス封入の圧力変動の計測による真空リークチ
ェックから解放される。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では真空薄膜堆積装置の排気配管に残留するガスの検出
によってメンテナンス時の安全性の向上、短時間で信頼
性の高い真空リーク検出を行うことができる等の優れた
効果がある。
では真空薄膜堆積装置の排気配管に残留するガスの検出
によってメンテナンス時の安全性の向上、短時間で信頼
性の高い真空リーク検出を行うことができる等の優れた
効果がある。
【００１８】また、本発明の従来の技術および実施例は
プラズマ化学気相堆積装置について述べているが、同様
の効果は他方式の真空薄膜堆積装置においても期待でき
るものである。
プラズマ化学気相堆積装置について述べているが、同様
の効果は他方式の真空薄膜堆積装置においても期待でき
るものである。
【図１】本発明の一実施例における真空薄膜堆積装置の
構成を示す断面図
構成を示す断面図
【図２】大気からリークがない場合の酸素濃度と真空排
気時間の相関グラフ
気時間の相関グラフ
【図３】従来例の真空薄膜堆積装置の構成を示す断面図
１ 真空容器 ２ 入口側配管 ３ 真空ポンプ ４ 排気配管 ５ 排ガス除害装置 ６ ガス分析用入口側バイパスライン ７ ガス分析計 ８ ガス分析用出口側バイパスライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 伸二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜を堆積する真空容器と、前記真空容
器を大気圧から真空に可逆的に変化させるポンプと、前
記ポンプからの排気ガスを排気するための排気配管を有
する真空薄膜堆積装置において、前記ポンプと前記排気
配管との間にポンプから排気される気体の成分を分析す
るためのガス分析計を備えたことを特徴とする真空薄膜
堆積装置。 - 【請求項２】 ガス分析計がポンプから排気される気体
中に含まれる酸素濃度を計測するものであることを特徴
とする請求項１記載の真空薄膜堆積装置。 - 【請求項３】 ガス分析計が真空容器中で薄膜を堆積す
るために活用するガス、または堆積中に発生するガスの
濃度を計測するものであることを特徴とする請求項１記
載の真空薄膜堆積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8305673A JPH10135196A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 真空薄膜堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8305673A JPH10135196A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 真空薄膜堆積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135196A true JPH10135196A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17947984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8305673A Pending JPH10135196A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 真空薄膜堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135196A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217118A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Japan Pionics Co Ltd | 窒化ガリウム膜半導体の製造装置、排ガス浄化装置、及び製造設備 |
| KR100434546B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 진공 용기 |
| KR100459900B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2004-12-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 분석기 |
| JP2007014909A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 排ガス処理装置 |
| JP2023006547A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 | レーザ照射装置、情報処理方法、及びプログラム |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP8305673A patent/JPH10135196A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217118A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Japan Pionics Co Ltd | 窒化ガリウム膜半導体の製造装置、排ガス浄化装置、及び製造設備 |
| KR100434546B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 진공 용기 |
| KR100459900B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2004-12-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 분석기 |
| JP2007014909A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 排ガス処理装置 |
| JP2023006547A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 | レーザ照射装置、情報処理方法、及びプログラム |
| US12479050B2 (en) | 2021-06-30 | 2025-11-25 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, information processing method, and recording medium recording program to be readable |
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