JPH10135268A - 半導体装置及びその製造方法並びに該半導体装置を用いた液晶表示装置 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法並びに該半導体装置を用いた液晶表示装置Info
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- JPH10135268A JPH10135268A JP8285384A JP28538496A JPH10135268A JP H10135268 A JPH10135268 A JP H10135268A JP 8285384 A JP8285384 A JP 8285384A JP 28538496 A JP28538496 A JP 28538496A JP H10135268 A JPH10135268 A JP H10135268A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 テープキャリア・パッケージ型半導体装置の
アウターリード・ボンディング時にアウターリードに加
わるストレスを軽減し、断線を防止すること。 【解決手段】 半導体素子１をテープキャリアのインナ
ーリード2a, 3aにボンディングし、半導体素子１の表面
とインナーリード2a, 3aとを含む領域を樹脂部5Aにより
封止してなる半導体装置において、樹脂部5Aの半導体素
子１表面上の厚さを、半導体素子１の第一の辺に沿って
ボンディングしたインナーリード3a側で薄く、第一の辺
の対辺となる第二の辺に沿ってボンディングしたインナ
ーリード2a側で厚くした。この半導体装置を回路基板に
樹脂部5Aが接するように載置してアウターリード3bをボ
ンディングすると、アウターリード3bに加わるストレス
は少なく、断線しにくい。
アウターリード・ボンディング時にアウターリードに加
わるストレスを軽減し、断線を防止すること。 【解決手段】 半導体素子１をテープキャリアのインナ
ーリード2a, 3aにボンディングし、半導体素子１の表面
とインナーリード2a, 3aとを含む領域を樹脂部5Aにより
封止してなる半導体装置において、樹脂部5Aの半導体素
子１表面上の厚さを、半導体素子１の第一の辺に沿って
ボンディングしたインナーリード3a側で薄く、第一の辺
の対辺となる第二の辺に沿ってボンディングしたインナ
ーリード2a側で厚くした。この半導体装置を回路基板に
樹脂部5Aが接するように載置してアウターリード3bをボ
ンディングすると、アウターリード3bに加わるストレス
は少なく、断線しにくい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置とその
製造方法に係り、特に液晶表示装置に使用されるテープ
キャリア・パッケージ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐ
ａｃｋａｇｅ）型の液晶パネル駆動用ＬＳＩとその製造
方法並びにこのＬＳＩを用いた液晶表示装置に関する。
製造方法に係り、特に液晶表示装置に使用されるテープ
キャリア・パッケージ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐ
ａｃｋａｇｅ）型の液晶パネル駆動用ＬＳＩとその製造
方法並びにこのＬＳＩを用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】液晶表示装置において、液晶パネル駆動用
ＬＳＩは入力回路基板とともに液晶パネルの周囲に配設
され、液晶パネルと入力回路基板の双方に電気的に接続
される。液晶表示装置は額縁部分の狭いことが望まれて
いるため、液晶パネル駆動用ＬＳＩは、液晶パネルの形
に合わせてスリムにするとともに、リードを極力短くし
て液晶パネルへの装着寸法を抑えている。
ＬＳＩは入力回路基板とともに液晶パネルの周囲に配設
され、液晶パネルと入力回路基板の双方に電気的に接続
される。液晶表示装置は額縁部分の狭いことが望まれて
いるため、液晶パネル駆動用ＬＳＩは、液晶パネルの形
に合わせてスリムにするとともに、リードを極力短くし
て液晶パネルへの装着寸法を抑えている。
【０００３】
【従来の技術】従来技術を図６及び図７を参照して説明
する。図６は従来の半導体装置の一例を示す模式断面図
である。同図において、図１と同じものには同一の符号
を付与した。５Ｃは樹脂部である。この半導体装置は液
晶パネル駆動用ＬＳＩであり、そのパッケージは二方向
リードのテープキャリア・パッケージである。出力リー
ド２と入力リード３の各インナーリード２ａ，３ａ及び
各アウターリード２ｂ，３ｂはいずれもフォーミングさ
れておらず、又、半導体素子１の表面とその上に形成さ
れた樹脂部５Ｃの表面とは略平行である。通常、樹脂部
５の表面は平坦ではなく、インナーリード２ａの上とイ
ンナーリード３ａの上に凸部を生じているが、両凸部の
半導体素子１表面上の高さには殆ど差がない。
する。図６は従来の半導体装置の一例を示す模式断面図
である。同図において、図１と同じものには同一の符号
を付与した。５Ｃは樹脂部である。この半導体装置は液
晶パネル駆動用ＬＳＩであり、そのパッケージは二方向
リードのテープキャリア・パッケージである。出力リー
ド２と入力リード３の各インナーリード２ａ，３ａ及び
各アウターリード２ｂ，３ｂはいずれもフォーミングさ
れておらず、又、半導体素子１の表面とその上に形成さ
れた樹脂部５Ｃの表面とは略平行である。通常、樹脂部
５の表面は平坦ではなく、インナーリード２ａの上とイ
ンナーリード３ａの上に凸部を生じているが、両凸部の
半導体素子１表面上の高さには殆ど差がない。
【０００４】この半導体装置は、次のようにして製造す
る。先ずＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）技術により半導体素子１をサポートテープ
４上に出力リード２と入力リード３を形成してなるテー
プキャリアのインナーリード２ａ，３ａにボンディング
する。このボンディングは、半導体素子１、テープキャ
リアともに水平に保った状態で行う。次に半導体素子１
をテープキャリアとともに水平に保った状態で、半導体
素子１の表面とインナーリード２ａ，３ａとを含む領域
に液状の樹脂をポッティング法、スクリーン印刷法等で
供給した後、これをキュアして、樹脂部５Ｃを形成す
る。その後、電気的検査を行い、テープキャリアを所定
寸法にパンチングする。これで図６のテープキャリア・
パッケージ型ＬＳＩが完成する。
る。先ずＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）技術により半導体素子１をサポートテープ
４上に出力リード２と入力リード３を形成してなるテー
プキャリアのインナーリード２ａ，３ａにボンディング
する。このボンディングは、半導体素子１、テープキャ
リアともに水平に保った状態で行う。次に半導体素子１
をテープキャリアとともに水平に保った状態で、半導体
素子１の表面とインナーリード２ａ，３ａとを含む領域
に液状の樹脂をポッティング法、スクリーン印刷法等で
供給した後、これをキュアして、樹脂部５Ｃを形成す
る。その後、電気的検査を行い、テープキャリアを所定
寸法にパンチングする。これで図６のテープキャリア・
パッケージ型ＬＳＩが完成する。
【０００５】図７は従来の液晶表示装置の一例を示す模
式断面図である。同図において、図２及び図６と同じも
のには同一の符号を付与した。１１Ｃは半導体装置であ
り、図６で説明したものに相当する。半導体装置１１Ｃ
は入力回路基板１３上にその樹脂部５Ｃを接して載置さ
れており、その入力リード３のアウターリード３ｂが入
力回路基板１３に、又、出力リード２のアウターリード
２ｂが液晶パネル１２のガラス基板１２ａに、それぞれ
ボンディングされている。半導体装置１１Ｃの半導体素
子１と入力回路基板１３とは略平行であり、入力リード
３のアウターリード３ｂはボンディング時に入力回路基
板１３とのギャップを埋める形に屈曲されている。
式断面図である。同図において、図２及び図６と同じも
のには同一の符号を付与した。１１Ｃは半導体装置であ
り、図６で説明したものに相当する。半導体装置１１Ｃ
は入力回路基板１３上にその樹脂部５Ｃを接して載置さ
れており、その入力リード３のアウターリード３ｂが入
力回路基板１３に、又、出力リード２のアウターリード
２ｂが液晶パネル１２のガラス基板１２ａに、それぞれ
ボンディングされている。半導体装置１１Ｃの半導体素
子１と入力回路基板１３とは略平行であり、入力リード
３のアウターリード３ｂはボンディング時に入力回路基
板１３とのギャップを埋める形に屈曲されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来技術では、半導体装置の入力リードをアウターリー
ド・ボンディングする際、ボンディング装置のボンディ
ング・ツールがリード上の樹脂部の厚さの分だけアウタ
ーリードを押し下げてボンディングするためにアウター
リードに大きなストレスが加わり、これが原因でアウタ
ーリードが断線することがある、という問題があった。
又、この問題の対策として、ボンディング後のアウター
リードを樹脂で固めるために工程を追加することがあっ
た。
従来技術では、半導体装置の入力リードをアウターリー
ド・ボンディングする際、ボンディング装置のボンディ
ング・ツールがリード上の樹脂部の厚さの分だけアウタ
ーリードを押し下げてボンディングするためにアウター
リードに大きなストレスが加わり、これが原因でアウタ
ーリードが断線することがある、という問題があった。
又、この問題の対策として、ボンディング後のアウター
リードを樹脂で固めるために工程を追加することがあっ
た。
【０００７】本発明は、このような問題を解決して、ア
ウターリード・ボンディング時にアウターリードに加わ
るストレスを軽減し、アウターリードを樹脂で固める工
程を追加することなく断線を防止することが可能な半導
体装置とその製造方法、並びにその半導体装置を用いた
液晶表示装置を提供することを目的とする。
ウターリード・ボンディング時にアウターリードに加わ
るストレスを軽減し、アウターリードを樹脂で固める工
程を追加することなく断線を防止することが可能な半導
体装置とその製造方法、並びにその半導体装置を用いた
液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明請求項１は、半導体素子がテープキャリアの
インナーリードにボンディングされ、該半導体素子の表
面と該インナーリードとを含む領域が樹脂部により封止
されてなる半導体装置において、該半導体素子の第一の
辺側には第一のアウターリードが並列し、該第一の辺の
対辺となる第二の辺側には第二のアウターリードが並列
し、該樹脂部の該半導体素子表面上の厚さが該半導体素
子の該第一の辺寄りの部位に比して該第二の辺寄りの部
位で大である半導体装置としている。
め、本発明請求項１は、半導体素子がテープキャリアの
インナーリードにボンディングされ、該半導体素子の表
面と該インナーリードとを含む領域が樹脂部により封止
されてなる半導体装置において、該半導体素子の第一の
辺側には第一のアウターリードが並列し、該第一の辺の
対辺となる第二の辺側には第二のアウターリードが並列
し、該樹脂部の該半導体素子表面上の厚さが該半導体素
子の該第一の辺寄りの部位に比して該第二の辺寄りの部
位で大である半導体装置としている。
【０００９】又、本発明請求項５は、液晶パネルの周囲
に前記の半導体装置と回路基板とを有し、該半導体装置
は前記半導体素子が該回路基板に対して傾斜するように
該回路基板に前記樹脂部を接して載置されており、該半
導体装置の第一のアウターリードが該回路基板にボンデ
ィングされ、第二のアウターリードが該液晶パネルにボ
ンディングされている液晶表示装置としている。
に前記の半導体装置と回路基板とを有し、該半導体装置
は前記半導体素子が該回路基板に対して傾斜するように
該回路基板に前記樹脂部を接して載置されており、該半
導体装置の第一のアウターリードが該回路基板にボンデ
ィングされ、第二のアウターリードが該液晶パネルにボ
ンディングされている液晶表示装置としている。
【００１０】即ち、請求項１の半導体装置は樹脂部の厚
さが第一のアウターリード側が薄くなっており、回路基
板にこの半導体装置をその樹脂部を接して載置するとそ
の第一のアウターリードのボンディング部分は回路基板
に接触又は極めて接近するから、ボンディング時には第
一のアウターリードは殆ど変形せず、第一のアウターリ
ードに大きなストレスが加わることはない。従って、断
線を防止するためにボンディング後に第一のアウターリ
ードを樹脂で固める工程を追加する必要がない。
さが第一のアウターリード側が薄くなっており、回路基
板にこの半導体装置をその樹脂部を接して載置するとそ
の第一のアウターリードのボンディング部分は回路基板
に接触又は極めて接近するから、ボンディング時には第
一のアウターリードは殆ど変形せず、第一のアウターリ
ードに大きなストレスが加わることはない。従って、断
線を防止するためにボンディング後に第一のアウターリ
ードを樹脂で固める工程を追加する必要がない。
【００１１】更に、本発明請求項２は、請求項１の半導
体装置において、前記インナーリードが前記キャリアテ
ープ上面から下方に屈曲して前記半導体素子の第一の辺
及び第二の辺に沿ってボンディングされており、且つ該
半導体素子の該キャリアテープ上面からの位置が該第一
の辺側に比して該第二の辺側で低くなっている。
体装置において、前記インナーリードが前記キャリアテ
ープ上面から下方に屈曲して前記半導体素子の第一の辺
及び第二の辺に沿ってボンディングされており、且つ該
半導体素子の該キャリアテープ上面からの位置が該第一
の辺側に比して該第二の辺側で低くなっている。
【００１２】即ち、請求項１の半導体装置において、イ
ンナーリードがストレートである場合に比して第一の辺
側のボンディング部における樹脂部の厚さを増すことが
できる。
ンナーリードがストレートである場合に比して第一の辺
側のボンディング部における樹脂部の厚さを増すことが
できる。
【００１３】又、本発明請求項３は、半導体素子をテー
プキャリアのインナーリードにボンディングする工程
と、その後該半導体素子の表面と該インナーリードとを
含む領域に液状の樹脂を充填する工程と、その後該半導
体素子を水平面に対して傾斜させた状態で該樹脂を硬化
させる工程とを有する半導体装置の製造方法としてい
る。
プキャリアのインナーリードにボンディングする工程
と、その後該半導体素子の表面と該インナーリードとを
含む領域に液状の樹脂を充填する工程と、その後該半導
体素子を水平面に対して傾斜させた状態で該樹脂を硬化
させる工程とを有する半導体装置の製造方法としてい
る。
【００１４】即ち、半導体素子を水平面に対して傾斜さ
せても液状の樹脂の表面は殆ど水平を維持するから、こ
のまま硬化させることにより、請求項１の半導体装置を
容易に製造することができる。
せても液状の樹脂の表面は殆ど水平を維持するから、こ
のまま硬化させることにより、請求項１の半導体装置を
容易に製造することができる。
【００１５】更に、本発明請求項４は、請求項３の半導
体装置の製造方法において、前記テープキャリアを前記
半導体素子の上方で、前記インナーリードが該半導体素
子との間に間隙を生じ、且つ該間隙が該半導体素子の第
一の辺側に比して該第一の辺の対辺となる第二の辺側で
大となるように保持し、この状態でボンディング装置の
ボンディングツールを降下させ、該ボンディングツール
が該インナーリードを押し下げてフォーミングするとと
もに該半導体素子を押圧することで該インナーリードを
該半導体素子にボンディングするようにしている。
体装置の製造方法において、前記テープキャリアを前記
半導体素子の上方で、前記インナーリードが該半導体素
子との間に間隙を生じ、且つ該間隙が該半導体素子の第
一の辺側に比して該第一の辺の対辺となる第二の辺側で
大となるように保持し、この状態でボンディング装置の
ボンディングツールを降下させ、該ボンディングツール
が該インナーリードを押し下げてフォーミングするとと
もに該半導体素子を押圧することで該インナーリードを
該半導体素子にボンディングするようにしている。
【００１６】即ち、ボンディングツールがインナーリー
ドを変形させるから、フォーミングのために工程を追加
することなく、請求項２の半導体装置を製造することが
できる。
ドを変形させるから、フォーミングのために工程を追加
することなく、請求項２の半導体装置を製造することが
できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１乃至図
５を参照しながら説明する。以下の説明では、半導体装
置は液晶パネル駆動用ＬＳＩであり、そのパッケージは
二方向リードのテープキャリア・パッケージである。
５を参照しながら説明する。以下の説明では、半導体装
置は液晶パネル駆動用ＬＳＩであり、そのパッケージは
二方向リードのテープキャリア・パッケージである。
【００１８】図１は本発明の半導体装置の第一実施例を
示す模式断面図である。同図において、１は半導体素子
（ＬＳＩチップ）、２は出力リード、３は入力リード、
４はサポートテープ、５Ａは樹脂部である。サポートテ
ープ４とその表面に形成された出力リード２、入力リー
ド３でテープキャリアが形成されている。出力リード２
及び入力リード３の各インナーリード２ａ、３ａは半導
体素子１とバンプを介してボンディングされており、出
力リード２のアウターリード２ｂと入力リード３のアウ
ターリード３ｂとは半導体素子１を挟んで反対側に位置
している。樹脂部５Ａは半導体素子１の表面とインナー
リード２ａ及び３ａを含む領域を封止している。
示す模式断面図である。同図において、１は半導体素子
（ＬＳＩチップ）、２は出力リード、３は入力リード、
４はサポートテープ、５Ａは樹脂部である。サポートテ
ープ４とその表面に形成された出力リード２、入力リー
ド３でテープキャリアが形成されている。出力リード２
及び入力リード３の各インナーリード２ａ、３ａは半導
体素子１とバンプを介してボンディングされており、出
力リード２のアウターリード２ｂと入力リード３のアウ
ターリード３ｂとは半導体素子１を挟んで反対側に位置
している。樹脂部５Ａは半導体素子１の表面とインナー
リード２ａ及び３ａを含む領域を封止している。
【００１９】出力リード２と入力リード３の各インナー
リード２ａ，３ａはそれらのボンディング部分がサポー
トテープ４表面より低くなるようにフォーミングされて
いる。但し、インナーリード２ａのボンディング部分の
サポートテープ４表面との段差はインナーリード３ａの
ボンディング部分のそれより大であり、従って、半導体
素子１はサポートテープ４に対して傾斜している。又、
樹脂部５Ａの表面は半導体素子１の表面に対して傾斜し
ている。即ち、樹脂部５Ａの半導体素子１の表面からの
厚さは入力リード３側（インナーリード３ａ側）で薄
く、出力リード２側（インナーリード２ａ側）で厚くな
っている。
リード２ａ，３ａはそれらのボンディング部分がサポー
トテープ４表面より低くなるようにフォーミングされて
いる。但し、インナーリード２ａのボンディング部分の
サポートテープ４表面との段差はインナーリード３ａの
ボンディング部分のそれより大であり、従って、半導体
素子１はサポートテープ４に対して傾斜している。又、
樹脂部５Ａの表面は半導体素子１の表面に対して傾斜し
ている。即ち、樹脂部５Ａの半導体素子１の表面からの
厚さは入力リード３側（インナーリード３ａ側）で薄
く、出力リード２側（インナーリード２ａ側）で厚くな
っている。
【００２０】図２は本発明の半導体装置の製造方法の第
一実施例を示す模式断面図である。同図において、図１
と同じものには同一の符号を付与した。２１はインナー
リードボンディング装置のテープガイド、２２はインナ
ーリードボンディング装置のボンディングツールであ
る。
一実施例を示す模式断面図である。同図において、図１
と同じものには同一の符号を付与した。２１はインナー
リードボンディング装置のテープガイド、２２はインナ
ーリードボンディング装置のボンディングツールであ
る。
【００２１】この半導体装置は、次のようにして製造す
る。先ずＴＡＢ技術により半導体素子１をサポートテー
プ４上に出力リード２と入力リード３を形成してなるテ
ープキャリアのインナーリード２ａ，３ａにボンディン
グする。この際、インナーリード２ａと３ａがともに半
導体素子１から上方に離れ、且つその間隙がインナーリ
ード２ａ側ではインナーリード３ａ側より大となるよう
にテープキャリアを半導体素子１に対して斜めにセット
し、この状態でボンディングツールを下降させる。ボン
ディングツールはインナーリード２ａ，３ａを所望の形
状にフォーミングしてボンディングする。
る。先ずＴＡＢ技術により半導体素子１をサポートテー
プ４上に出力リード２と入力リード３を形成してなるテ
ープキャリアのインナーリード２ａ，３ａにボンディン
グする。この際、インナーリード２ａと３ａがともに半
導体素子１から上方に離れ、且つその間隙がインナーリ
ード２ａ側ではインナーリード３ａ側より大となるよう
にテープキャリアを半導体素子１に対して斜めにセット
し、この状態でボンディングツールを下降させる。ボン
ディングツールはインナーリード２ａ，３ａを所望の形
状にフォーミングしてボンディングする。
【００２２】次に半導体素子１を水平に保った状態若し
くは傾斜させた状態で、半導体素子１の表面とインナー
リード２ａ，３ａとを含む領域に液状の樹脂をポッティ
ング法、スクリーン印刷法等で供給し、その後、半導体
素子１を入力リード３側が出力リード２側より低くなる
ように傾斜させた状態でこの樹脂をキュアして、樹脂部
５Ａを形成する。その後、電気的検査を行い、テープキ
ャリアを所定寸法にパンチングする。これで図１のテー
プキャリア・パッケージ型ＬＳＩが完成する。
くは傾斜させた状態で、半導体素子１の表面とインナー
リード２ａ，３ａとを含む領域に液状の樹脂をポッティ
ング法、スクリーン印刷法等で供給し、その後、半導体
素子１を入力リード３側が出力リード２側より低くなる
ように傾斜させた状態でこの樹脂をキュアして、樹脂部
５Ａを形成する。その後、電気的検査を行い、テープキ
ャリアを所定寸法にパンチングする。これで図１のテー
プキャリア・パッケージ型ＬＳＩが完成する。
【００２３】図３は本発明の液晶表示装置の第一実施例
を示す模式断面図である。同図において、図１と同じも
のには同一の符号を付与した。１１Ａは半導体装置であ
り、図１で説明したものに相当する。
を示す模式断面図である。同図において、図１と同じも
のには同一の符号を付与した。１１Ａは半導体装置であ
り、図１で説明したものに相当する。
【００２４】半導体装置１１Ａは入力回路基板１３上に
その樹脂部５Ａを接して載置されており、その入力リー
ド３のアウターリード３ｂが入力回路基板１３の配線電
極にはんだ付け法でボンディングされており、又、出力
リード２のアウターリード２ｂが液晶パネル１２のガラ
ス基板１２ａのＩＴＯ電極に異方性導電シート等を用い
てボンディングされている。半導体装置１１Ａの半導体
素子１は入力回路基板１３に対してその入力リード３側
で接近し出力リード２側で離隔するように傾斜してお
り、入力リード３のアウターリード３ｂのボンディング
による変形は僅少である。
その樹脂部５Ａを接して載置されており、その入力リー
ド３のアウターリード３ｂが入力回路基板１３の配線電
極にはんだ付け法でボンディングされており、又、出力
リード２のアウターリード２ｂが液晶パネル１２のガラ
ス基板１２ａのＩＴＯ電極に異方性導電シート等を用い
てボンディングされている。半導体装置１１Ａの半導体
素子１は入力回路基板１３に対してその入力リード３側
で接近し出力リード２側で離隔するように傾斜してお
り、入力リード３のアウターリード３ｂのボンディング
による変形は僅少である。
【００２５】図４は本発明の半導体装置の第二実施例を
示す模式断面図である。同図において、図１と同じもの
には同一の符号を付与した。５Ｂは樹脂部である。半導
体素子１はバンプを介して出力リード２及び入力リード
３の各インナーリード２ａ、３ａとボンディングされて
おり、出力リード２のアウターリード２ｂと入力リード
３のアウターリード３ｂとは半導体素子１を挟んで反対
側に位置している。樹脂部５Ｂは半導体素子１の表面と
インナーリード２ａ及び３ａを含む領域を封止してい
る。
示す模式断面図である。同図において、図１と同じもの
には同一の符号を付与した。５Ｂは樹脂部である。半導
体素子１はバンプを介して出力リード２及び入力リード
３の各インナーリード２ａ、３ａとボンディングされて
おり、出力リード２のアウターリード２ｂと入力リード
３のアウターリード３ｂとは半導体素子１を挟んで反対
側に位置している。樹脂部５Ｂは半導体素子１の表面と
インナーリード２ａ及び３ａを含む領域を封止してい
る。
【００２６】出力リード２と入力リード３の各インナー
リード２ａ，３ａ及び各アウターリード２ｂ，３ｂはい
ずれもフォーミングされていない。樹脂部５Ｂの表面は
半導体素子１の表面に対して傾斜している。即ち、樹脂
部５Ｂの半導体素子１の表面からの厚さは入力リード３
側（インナーリード３ａ側）で薄く、出力リード２側
（インナーリード２ａ側）で厚くなっている。
リード２ａ，３ａ及び各アウターリード２ｂ，３ｂはい
ずれもフォーミングされていない。樹脂部５Ｂの表面は
半導体素子１の表面に対して傾斜している。即ち、樹脂
部５Ｂの半導体素子１の表面からの厚さは入力リード３
側（インナーリード３ａ側）で薄く、出力リード２側
（インナーリード２ａ側）で厚くなっている。
【００２７】この半導体装置は、次のようにして製造す
る。先ずＴＡＢ技術により半導体素子１をサポートテー
プ４上に出力リード２と入力リード３を形成してなるテ
ープキャリアのインナーリード２ａ，３ａにボンディン
グする。このボンディングは、半導体素子１、テープキ
ャリアともに水平に保った状態で行う。次に半導体素子
１をテープキャリアとともに水平に保った状態若しくは
傾斜させた状態で、半導体素子１の表面とインナーリー
ド２ａ，３ａとを含む領域に液状の樹脂をポッティング
法、スクリーン印刷法等で供給し、その後、半導体素子
１をテープキャリアとともに入力リード３側が出力リー
ド２側より低くなるように傾斜させた状態でこの樹脂を
キュアして、樹脂部５Ｂを形成する。その後、電気的検
査を行い、テープキャリアを所定寸法にパンチングす
る。これで図４のテープキャリア・パッケージ型ＬＳＩ
が完成する。
る。先ずＴＡＢ技術により半導体素子１をサポートテー
プ４上に出力リード２と入力リード３を形成してなるテ
ープキャリアのインナーリード２ａ，３ａにボンディン
グする。このボンディングは、半導体素子１、テープキ
ャリアともに水平に保った状態で行う。次に半導体素子
１をテープキャリアとともに水平に保った状態若しくは
傾斜させた状態で、半導体素子１の表面とインナーリー
ド２ａ，３ａとを含む領域に液状の樹脂をポッティング
法、スクリーン印刷法等で供給し、その後、半導体素子
１をテープキャリアとともに入力リード３側が出力リー
ド２側より低くなるように傾斜させた状態でこの樹脂を
キュアして、樹脂部５Ｂを形成する。その後、電気的検
査を行い、テープキャリアを所定寸法にパンチングす
る。これで図４のテープキャリア・パッケージ型ＬＳＩ
が完成する。
【００２８】尚、このようにして製造した図４のテープ
キャリア・パッケージ型ＬＳＩは、図１のテープキャリ
ア・パッケージ型ＬＳＩに比して、入力リード３のイン
ナーリード３ａのボンディング部を覆う樹脂の厚さが若
干薄いが、インナーリード・ボンディング装置は従来と
全く同じものを使用することができる。
キャリア・パッケージ型ＬＳＩは、図１のテープキャリ
ア・パッケージ型ＬＳＩに比して、入力リード３のイン
ナーリード３ａのボンディング部を覆う樹脂の厚さが若
干薄いが、インナーリード・ボンディング装置は従来と
全く同じものを使用することができる。
【００２９】図５は本発明の液晶表示装置の第二実施例
を示す模式断面図である。同図において、図１と同じも
のには同一の符号を付与した。１１Ｂは半導体装置であ
り、図４で説明したものに相当する。
を示す模式断面図である。同図において、図１と同じも
のには同一の符号を付与した。１１Ｂは半導体装置であ
り、図４で説明したものに相当する。
【００３０】半導体装置１１Ｂは入力回路基板１３上に
その樹脂部５Ｂを接して載置されており、その入力リー
ド３のアウターリード３ｂが入力回路基板１３の配線電
極にはんだ付け法でボンディングされており、又、出力
リード２のアウターリード２ｂが液晶パネル１２のガラ
ス基板１２ａのＩＴＯ電極に異方性導電シート等を用い
てボンディングされている。半導体装置１１Ｂの半導体
素子１は入力回路基板１３に対してその入力リード３側
で接近し出力リード２側で離隔するように傾斜してお
り、入力リード３のアウターリード３ｂのボンディング
による変形は僅少である。
その樹脂部５Ｂを接して載置されており、その入力リー
ド３のアウターリード３ｂが入力回路基板１３の配線電
極にはんだ付け法でボンディングされており、又、出力
リード２のアウターリード２ｂが液晶パネル１２のガラ
ス基板１２ａのＩＴＯ電極に異方性導電シート等を用い
てボンディングされている。半導体装置１１Ｂの半導体
素子１は入力回路基板１３に対してその入力リード３側
で接近し出力リード２側で離隔するように傾斜してお
り、入力リード３のアウターリード３ｂのボンディング
による変形は僅少である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アウターリード・ボンディング時にアウターリードに加
わるストレスを軽減することが可能な半導体装置とその
製造方法、並びに半導体装置のアウターリードを樹脂で
固めることなく断線を防止することが可能な液晶表示装
置を提供することができる。
アウターリード・ボンディング時にアウターリードに加
わるストレスを軽減することが可能な半導体装置とその
製造方法、並びに半導体装置のアウターリードを樹脂で
固めることなく断線を防止することが可能な液晶表示装
置を提供することができる。
【図１】 本発明の半導体装置の第一実施例を示す模式
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の半導体装置の製造方法の第一実施例
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【図３】 本発明の液晶表示装置の第一実施例を示す模
式断面図である。
式断面図である。
【図４】 本発明の半導体装置の第二実施例を示す模式
断面図である。
断面図である。
【図５】 本発明の液晶表示装置の第二実施例を示す模
式断面図である。
式断面図である。
【図６】 従来の半導体装置の一例を示す模式断面図で
ある。
ある。
【図７】 従来の液晶表示装置の一例を示す模式断面図
である。
である。
１ 半導体素子 ２ 出力リード ２ａ，３ａ インナーリード ２ｂ，３ｂ アウターリード ３ 入力リード ４ サポートテープ ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ 樹脂部 １１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ 半導体装置 １２ 液晶パネル １２ａ ガラス基板 １３ 入力回路基板 ２１ リードガイド ２２ ボンディングツール
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子がテープキャリアのインナー
リードにボンディングされ、該半導体素子の表面と該イ
ンナーリードとを含む領域が樹脂部により封止されてな
る半導体装置において、 該半導体素子の第一の辺側には第一のアウターリードが
並列し、該第一の辺の対辺となる第二の辺側には第二の
アウターリードが並列し、該樹脂部の該半導体素子表面
上の厚さが該半導体素子の該第一の辺寄りの部位に比し
て該第二の辺寄りの部位で大であることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 前記インナーリードが前記キャリアテー
プ上面から下方に屈曲して前記半導体素子の第一の辺及
び第二の辺に沿ってボンディングされており、且つ該半
導体素子の該キャリアテープ上面からの位置が該第一の
辺側に比して該第二の辺側で低いことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体素子をテープキャリアのインナー
リードにボンディングする工程と、その後該半導体素子
の表面と該インナーリードとを含む領域に液状の樹脂を
充填する工程と、その後該半導体素子を水平面に対して
傾斜させた状態で該樹脂を硬化させる工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記テープキャリアを前記半導体素子の
上方で、前記インナーリードが該半導体素子との間に間
隙を生じ、且つ該間隙が該半導体素子の第一の辺側に比
して該第一の辺の対辺となる第二の辺側で大となるよう
に保持し、この状態でボンディング装置のボンディング
ツールを降下させ、該ボンディングツールが該インナー
リードを押し下げてフォーミングするとともに該半導体
素子を押圧することで該インナーリードを該半導体素子
にボンディングすることを特徴とする請求項３記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 液晶パネルの周囲に請求項１記載の半導
体装置と回路基板とを有し、該半導体装置は前記半導体
素子が該回路基板に対して傾斜するように該回路基板に
前記樹脂部を接して載置されており、該半導体装置の第
一のアウターリードが該回路基板にボンディングされ、
第二のアウターリードが該液晶パネルにボンディングさ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8285384A JPH10135268A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 半導体装置及びその製造方法並びに該半導体装置を用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8285384A JPH10135268A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 半導体装置及びその製造方法並びに該半導体装置を用いた液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135268A true JPH10135268A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17690849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8285384A Withdrawn JPH10135268A (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 半導体装置及びその製造方法並びに該半導体装置を用いた液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135268A (ja) |
-
1996
- 1996-10-28 JP JP8285384A patent/JPH10135268A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040106 |