JPH10135363A

JPH10135363A - セラミックリッドの製造方法

Info

Publication number: JPH10135363A
Application number: JP30737296A
Authority: JP
Inventors: Eiji Takahashi; 英二高橋; Yukitsugu Sumida; 幸嗣隅田
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 1996-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 1998-05-22

Abstract

(57)【要約】【課題】従来、セラミック基板の外周部の封着面、外
周側壁面及び露出面の外周縁部に下地金属層が形成され
たセラミックリッドに半田ペースト層を形成すると、半
田ペーストをリフローさせる際に半田ボールが発生し易
く、歩留り低下の原因となっていた。【解決手段】セラミック基板１１の外周部１４の封着
面１５、外周側壁面１６、及び露出面１７の外周縁部に
半田濡れ性のある下地金属層１２を形成する際、露出面
１７の下地金属層１２ｃ形成領域における下地金属層１
２ｃの被覆割合を８０％以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はセラミックリッドの
製造方法に関し、より詳細にはセラミックパッケージの
封止に用いられるセラミックリッドの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を構成する集積回路などの半
導体素子は、通常、パッケージ基体に設けられたキャビ
ティ部に収納され、該キャビティ部がリッドで気密に封
止され、実用に供されている。アルミナ等のセラミック
は耐熱性、耐久性、信頼性などに優れるため、このパッ
ケージ基体及びリッドの材料として好適であり、アルミ
ナ等からなるセラミック製のＩＣパッケージは現在盛ん
に使用されている。

【０００３】セラミックパッケージ基体（以下、パッケ
ージ基体とも記す）の前記キャビティ部をセラミックリ
ッド（以下、リッドとも記す）で封止する際には、封止
材として低コストで、かつ低温封止が可能な半田が使用
される場合が多い。しかし、前記半田によりセラミック
同士を直接接合させるのは難しいため、通常、パッケー
ジ基体及びリッドの封止部には下地金属層が形成され、
該下地金属層及び半田層を介して前記パッケージ基体と
前記リッドとは接合される。

【０００４】従来の半導体素子を搭載したセラミックパ
ッケージ（半導体装置）の構成及び前記半導体装置の作
製方法を具体的に説明する。以下においては、半導体装
置のうち、半導体素子及びワイヤ等の配線部分を除いた
部分をパッケージということにする。

【０００５】図５（ａ）はセラミックパッケージを構成
するリッドを模式的に示した底面図であり、（ｂ）は
（ａ）に示したリッドのＩ−Ｉ線断面図であり、（ｃ）
はこのリッドが用いられた半導体装置を模式的に示した
断面図である。

【０００６】図５（ａ）及び（ｂ）に示したように、リ
ッド２０は、セラミック基板１１、外周部１４の封着面
１５と外周側壁面１６とに形成された下地金属層２２、
及びこの下地金属層２２を覆う半田層２３から構成され
ている。また、半田層２３が形成されていない面（以
下、露出面とも記す）１７の外周部１４には、外周部１
４の厚さを薄くして、外周側壁面１６に形成された下地
金属層２２の幅を小さくするために、切り取り部（エッ
ジレリーフ）１８が形成されている。下地金属層２２
は、Ａｇ−Ｐｄ合金等よりなり、半田層２３は、例えば
Ｐｂを主成分とし、この主成分にＢｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａ
ｇ等が添加された組成となっている。

【０００７】一方、図５（ｃ）に示したように、上記構
成のリッド２０が用いられた半導体装置におけるパッケ
ージ基体３１の中央部にはキャビティ部３２が形成さ
れ、その周囲にはリッド２０で封止する際に用いられる
下地金属層３３が形成され、さらに下地金属層３３の周
囲には図示しないマザーボードに接続するための外部接
続ピン３４が固着されている。キャビティ部３２内の階
段部にはパッド部３５が形成され、底面の半導体素子搭
載部３６には半導体素子３７が固着され、半導体素子３
７に形成されたパッド部（図示せず）とキャビティ部３
２に形成されたパッド部３５とが、ワイヤ３８を用いた
ワイヤボンディングにより接続されている。そして、パ
ッケージ基体３１に形成された下地金属層３３とリッド
２０に形成された下地金属層２２とを介して半田層２３
によりパッケージ基体３１とリッド２０とが接合され、
半導体素子３７が封止されている。

【０００８】次に、キャビティ部３２の封止方法を説明
する。まず、リッド２０の半田層２３を半導体素子３７
を搭載したパッケージ基体３１の上面に形成されている
下地金属層３３に重ね合わせ、固定治具によってパッケ
ージ基体３１上にリッド２０を仮固定する。次に、加熱
炉内にリッド２０が仮固定されたパッケージ基体３１を
搬入し、半田層２３を溶融させてリッド２０とパッケー
ジ基体３１とを接合させ、その後冷却することによって
キャビティ部３２の封止を終了する。

【０００９】上記方法により封止された半導体装置は、
電子部品に実装されるが、使用される用途によっては温
度差の激しい環境におかれる場合もある。この場合、リ
ッド２０を構成するセラミック基板２１と半田層２３
（下地金属層２２）とは熱膨張係数が異なるため、前記
セラミックパッケージが用いられ電子部品の温度変化等
により両者の間に熱応力が作用し、特に外周側壁面１６
に引っ張り応力が作用する。しかし、図５（ａ）及び
（ｂ）に示したように、従来、半田層２３を形成するた
めの下地金属層２２は、リッド２０の外周部１４の封着
面１５、及び外周側壁面１６にのみ形成されていたの
で、長期間の使用により下地金属層２２がセラミック基
板２１より剥離する場合があり、半導体装置の信頼性を
損なうという問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そこで、先に本発明者
らは、セラミック基板の封着面に対向する面（以下、露
出面とも記す）の外周縁部にも下地金属層が形成された
リッドを提案している。

【００１１】図６は、セラミック基板の外周部封着面、
外周側壁面、及び露出面の外周縁部に下地金属層が形成
され、該下地金属層の表面を含む部分に半田層が形成さ
れたリッドを模式的に示した部分拡大断面図である。

【００１２】このリッド４０においては、セラミック基
板１１の露出面１７の外周縁部にも下地金属層４２ｃが
形成されることにより、この下地金属層４２ｃが引っ掛
かりとなって、下地金属層４２のセラミック基板１１に
対する接着強度が大きくなるので、長期間の使用により
発生し易い下地金属層４２の剥離を防止することができ
る。この下地金属層４２を形成するには、以下のような
方法をとる。

【００１３】図７は、リッド４０の外周側壁部１６及び
露出面１７の外周縁部に下地金属層４２を形成するため
のメタライズ装置を模式的に示した斜視図である。

【００１４】このメタライズ装置５０は、メタライズ用
ペースト版５１、リッド保持部５２及び回転移動駆動部
５３を含んで構成されている。リッド保持部５２は吸着
板５４を備えており、この吸着板５４によりリッド４０
を保持する。また、このリッド保持部５２は回転移動駆
動部５３を構成する多軸マシン５６の先端部に配設され
た昇降棒５７に取り付けられている。従って、下地金属
層形成用ペーストが塗布された版本体５８に、吸着板５
４に保持されたリッド４０の外周側壁面１６を圧接さ
せ、多軸マシン５６を駆動させてリッド４０を回転させ
ながら移動させることにより、リッド４０の外周側壁面
１６にメタライズ用ペーストを塗布することができる。
露出面１７の外周縁部にメタライズ用ペーストを塗布す
るには、版本体５８に塗布するメタライズ用ペーストの
量を多くし、メタライズ用ペーストの厚さを通常よりも
厚くしておけばよい。

【００１５】外周部１４の封着面１５へのメタライズ用
ペースト層の形成は、スクリーン印刷等の通常の印刷方
法により行うことができる。また、半田ペーストの塗布
も同様にして行うことができる。

【００１６】図８（ａ）は、上記方法によりリッドの下
地金属層を含む部分に半田ペースト層を形成した際の半
田ペースト層の近傍を模式的に示した部分拡大断面図で
あり、（ｂ）は半田ペースト層をリフローさせた後の半
田層の近傍を模式的に示した部分拡大断面図である。

【００１７】図８（ａ）に示したように、半田ペースト
を下地金属層４２表面を含む部分に印刷し、半田ペース
ト層４４を形成した後、リフローさせると、（ｂ）に示
したように露出面１７の下地金属層４２ｃの近傍で半田
微粒子（以下、半田ボールと記す）４５が形成され易い
という課題があった。発生した半田ボール４５が後工程
で落下し、外部接続ピン３４、パッド部３５あるいはワ
イヤ３８（図５）等に付着するとショート等が発生し、
電子機器の故障の原因となる虞れがあるため、この半田
ボール４５の発生を防止しなければならない。

【００１８】

【課題を解決するための手段及びその効果】本発明者ら
は上記半田ボール４５の発生原因について種々検討を行
った結果、上記印刷方法によりリッド４０の外周側壁面
１６及び露出面１７に下地金属層４２ｂ、４２ｃを形成
する際、外周側壁面１６には下地金属層形成用ペースト
が塗布された版本体５８を圧接させるため、外周側壁面
１６の全面に均一に緻密な下地金属層４２ｂを形成する
ことができるが、露出面１７には版本体５８を圧接させ
ることができないため、下地金属層形成用ペーストが緻
密に塗布されないことがわかった。このため、露出面１
７の下地金属層４２ｃ形成領域では下地金属層４２ｃの
被覆割合が低く、セラミック表面がかなりの割合で露出
し、半田ペースト層４４をリフローさせた際、半田がセ
ラミック表面に濡れにくいために弾かれ、半田ボール４
５発生の原因となる。そこで、上記考察に基づき、半田
ボール４５の発生数を減少させるためさらに検討を行
い、導体ペーストの粘度を調整して露出面１７の外周縁
部にセラミック表面がなるべく露出しないように下地金
属層４２ｃを形成することにより、半田ボール４５の発
生率が減少することを見い出し、本発明を完成するに至
った。

【００１９】また、上記方法によりリッド４０の外周側
壁面１６及び露出面１７に半田ペースト層４４を形成す
る際、下地金属層４２ｃの端部よりもかなり内側まで半
田ペースト層４４が形成されると、半田ペーストと濡れ
にくいセラミック表面との接触面積が増加するため、半
田ボール４５の発生確率が高くなることもわかった。そ
こで、上記考察に基づきさらに検討を行い、露出面１７
の外周縁部に塗布する半田ペーストの量をなるべく少な
くすることにより、半田ボール４５の発生率が減少する
ことを見い出し、本発明を完成するに至った。

【００２０】すなわち、本発明に係るセラミックリッド
の製造方法（１）は、セラミック基板の外周部封着面、
外周側壁面、及び前記封着面に対向する面（露出面）の
外周縁部に半田濡れ性のある下地金属層を形成する際、
前記露出面の下地金属層形成領域における下地金属層の
被覆割合を８０％以上とする下地金属層形成工程を含ん
でいることを特徴としている。

【００２１】上記セラミックリッドの製造方法（１）に
よれば、露出面の外周縁部に、半田ペーストとの濡れ性
に劣るセラミック表面の露出割合が小さくなるように下
地金属層を形成しておくので、半田ペーストのリフロー
時に半田がセラミック表面により弾かれる割合が少な
く、半田ボールの発生確率を低減することができる。

【００２２】また本発明に係るセラミックリッドの製造
方法（２）は、上記セラミックリッドの製造方法（１）
において、露出面の外周縁部に、幅が１０〜１１０μｍ
の下地金属層を形成する下地金属層形成工程を含んでい
ることを特徴としている。

【００２３】上記セラミックリッドの製造方法（２）に
よれば、前記露出面の外周縁部に適切な幅の下地金属層
を形成しておくので、半田ペーストのリフロー時に半田
が前記下地金属層に濡れ易くなり、半田ボールの発生確
率を低減することができる。

【００２４】また本発明に係るセラミックリッドの製造
方法（３）は、上記セラミックリッドの製造方法（１）
又は（２）において、粘度が１０００〜１７００ｃＰの
導体ペーストを用い、セラミック基板の外周側壁面に前
記導体ペーストが付着した平板を圧接させることにより
導体ペーストを塗布する下地金属層形成工程を含んでい
ることを特徴としている。

【００２５】上記セラミックリッドの製造方法（３）に
よれば、適切な粘度の導体ペーストを使用することによ
り該導体ペーストのセラミック表面における濡れ性が改
善され、前記外周側壁面に導体ペーストが付着した平板
を圧接させた際、前記露出面の外周縁部にその被覆割合
が８０％以上となるように下地金属層を形成することが
でき、半田ペーストのリフロー時に半田がセラミック表
面により弾かれる割合を少なくして半田ボールの発生確
率を低減することができる。

【００２６】また本発明に係るセラミックリッドの製造
方法（４）は、セラミック基板の外周部封着面、外周側
壁面、及び露出面の外周縁部に半田濡れ性のある下地金
属層を形成する下地金属層形成工程、及び前記下地金属
層形成工程により形成された前記下地金属層表面、及び
前記露出面の外周縁部に形成された下地金属層端部より
も２０μｍ以内の領域に半田ペーストを塗布する半田ペ
ースト層形成工程を含んでいることを特徴としている。

【００２７】上記セラミックリッドの製造方法（４）に
よれば、半田ペーストとの濡れ性に劣るセラミック表面
との接触面積が大きくならないように半田ペースト層を
形成するので、半田ペーストのリフロー時に半田がセラ
ミック表面により弾かれにくくなり、半田ボールの発生
確率を低減することができる。

【００２８】また本発明に係るセラミックリッドの製造
方法（５）は、上記セラミックリッドの製造方法（１）
〜（３）に記載の下地金属層形成工程、及び上記セラミ
ックリッドの製造方法（４）に記載の半田ペースト層形
成工程を含んでいることを特徴としている。

【００２９】上記セラミックリッドの製造方法（５）に
よれば、半田ペーストとの濡れ性に劣るセラミック表面
の露出割合が小さくなるように下地金属層を形成し、か
つ下地金属層が形成されていない裸のセラミック表面と
の接触面積が大きくならないように半田ペースト層を形
成するので、半田ペーストのリフロー時に、半田がさら
にセラミック表面により弾かれにくくなり、より効果的
に半田ボールの発生確率を低減することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミックリ
ッドの製造方法の実施の形態を図面に基づいて説明す
る。図１は、実施の形態に係るセラミックリッドの製造
方法により半田ペースト層を形成した際の半田ペースト
層の近傍を模式的に示した部分拡大断面図である。

【００３１】リッドを構成するセラミック基板１１の形
成材料は特に限定されるものではないが、その具体例と
しては、例えばアルミナ、窒化アルミニウム、ムライト
等が挙げられ、それらの中でもアルミナが好ましい。

【００３２】上記材料よりなるセラミック基板１１に
は、外周部１４の封着面１５、外周側壁面１６、及び露
出面１７の外周縁部に半田濡れ性のある下地金属層１２
ａ、１２ｂ、１２ｃが形成されており、この下地金属層
１２ａ、１２ｂ、１２ｃを含む部分に半田ペースト層１
９が形成されている。なお、露出面１７に形成された半
田ペースト層１９の下地金属層１２ｃ端部よりさらに内
側の部分の幅ｄをオーバーハング幅という。

【００３３】露出面１７に形成された下地金属層１２ｃ
の形成領域においては、下地金属層１２ｃの被覆割合が
８０％以上となるように下地金属層１２ｃを形成してい
る。この下地金属層１２ｃは、従来の場合と同様に図７
に示したメタライズ装置５０を使用して導体ペーストを
塗布した後、焼成することにより形成するが、導体ペー
ストの粘度を適切な値に設定することにより、セラミッ
ク表面に対する濡れ性を改善し、下地金属層１２ｃのセ
ラミック表面に対する被覆割合が８０％以上となるよう
に下地金属層１２ｃを形成する。この場合、導体ペース
ト中に導体金属として、平均粒径が２〜３μｍのＡｇ−
Ｐｔ合金（Ａｇ含有量：約７７ｗｔ％）を約７８％含有
させ、導体ペーストの粘度を１０００〜１７００ｃＰの
範囲内とすることにより、焼成後の下地金属層１２ｃの
被覆割合を上記した範囲に設定することができる。導体
ペースト中の樹脂や溶剤は、従来と同様のものを使用す
るが、この導体ペーストにさらに溶剤として、例えばタ
ーピネオールを添加することにより粘度を調整する。導
体ペーストの粘度が１０００ｃＰ未満であると、溶剤が
多いため焼成時に溶剤蒸発後、下地金属層１２ｃがポー
ラスになり、他方粘度が１７００ｃＰを超えると、セラ
ミック表面と濡れにくくなり、導体ペーストが付着しな
い部分が増加する。上記範囲の粘度を有する導体ペース
トを使用することにより、露出面１７の外周部１４に緻
密な下地金属層１２ｃを形成することができる。下地金
属層１２ｃのセラミック表面に対する被覆割合を上げる
には、導体ペーストの粘度を１２００〜１４００ｃＰの
範囲内とするのがより好ましい。なお、封着面１５の下
地金属層１２ａは、従来と同様の方法により形成する。

【００３４】露出面１７に形成する下地金属層１２ｃの
幅Ｄは、スキージを用いて版本体５８（図７）へ導体ペ
ーストを塗布する際の塗布回数（塗布膜の厚さ）により
調節するが、その幅Ｄを１０〜１１０μｍの範囲とする
のが好ましい。下地金属層１２ｃの幅が１０μｍ未満で
あると、上記方法により作製されたリッドを用いてパッ
ケージを作製した場合、温度の大きな変動により下地金
属層１２ｃが剥離し易くなり、一方下地金属層１２ｃの
幅Ｄが１１０μｍを超えると、外周側壁面１６の下地金
属層１２ｂが厚くなり、半田濡れ不良が発生する。

【００３５】次に、半田ペースト層の形成方法について
説明する。下地金属層１２の表面を含む部分に半田ペー
スト層１９を形成し、リフローし後における半田ボール
の発生数（個／リッド１個当たり）は上記したように下
地金属層１２ｃ形成領域の下地金属層１２ｃのセラミッ
ク表面に対する被覆割合を大きくすることにより、減少
させることができる。また、半田ペースト層１９のオー
バーハング幅ｄを小さくすることによりさらに減少させ
ることができる。そのため、このオーバーハング幅ｄを
２０μｍ以下に抑えるのが好ましい。半田ペースト層１
９のオーバーハング幅が２０μｍを超えると、表面との
濡れ性に劣る半田ペーストの量が多くなりすぎるため、
半田ボールが発生し易くなる。

【００３６】半田ペースト層の形成も同様にメタライズ
装置を用いて行い、オーバーハング幅ｄは、スキージを
用いて版本体５８へ半田ペーストを塗布する際の塗布回
数（塗布膜の厚さ）により調節する。

【００３７】

【実施例】以下、本発明に係るセラミックリッドの製造
方法の実施例を説明する。以下の実施例においては、導
体ペーストの粘度を変化させて露出面１７における下地
金属層１２ｃの被覆割合を観察するとともに、半田ボー
ルの発生数を調べた。また、同時に半田ペースト層１９
のオーバーハング幅ｄも変化させ、同様に半田ボールの
発生数を調べた。以下に条件を記載する。

【００３８】＜実施条件＞（１）セラミック基板１１の寸法等材質：アルミナ辺部の寸法：約５４ｍｍ×約３４ｍｍ厚さ：１．０ｍｍ、外周側壁面１６の高さ：０．６６ｍ
ｍ切り取り部１８（図１）の寸法（Ｗ₁ ：０．２５ｍｍ、
Ｗ₂ ：４１ｍｍ）（２）下地金属層１２の形成形成方法Ａｇ−Ｐｔ合金ペーストＡｇ−Ｐｔ合金（Ａｇ：約７７ｗｔ％、Ｐｔ：０．５〜
１．０ｗｔ％）塗布方法：メタライズ装置５０（図７）を使用版本体：２００Ｍ焼成条件温度：９００℃ 雰囲気：大気雰囲気下地金属層１２ｃの寸法下地金属層１２ｃの幅Ｄ：約１００μｍ下地金属層１２ｃの厚さ：約２０μｍ（３）半田ペースト層１９の形成形成方法半田ペーストの組成フラックス：１０ｗｔ％、半田合金：９０ｗｔ％半田合金の組成Ｓｎ：４．１ｗｔ％、Ａｇ：１．０ｗｔ％、Ｉｎ：１．
１ｗｔ％、Ｂｉ：８．２ｗｔ％、Ｐｂ：残部塗布方法：メタライズ装置５０（図７）を使用版本体：８０Ｍオーバーハング幅ｄ：スキージによる版本体５８への半
田ペーストの塗布回数により調整リフローの条件温度：３００℃ 雰囲気：酸素１００ｐｐｍ未満の窒素雰囲気＜結果及び評価＞（１）導体ペーストの粘度と、下地金属層１２ｃにおけ
る被覆率と、半田ボールの発生数との関係図２は、Ａｇ−Ｐｔ合金ペーストの粘度と、下地金属層
１２ｃ形成領域における下地金属層１２ｃの被覆割合と
の関係を示したグラフであり、サンプル数は１５であ
る。

【００３９】図３は、Ａｇ−Ｐｔ合金ペーストの粘度
と、平均半田ボールの発生数（個／リッド１個当たり）
との関係を示したグラフであり、サンプル数は６であ
る。

【００４０】また、このときのオーバーハング幅はいず
れも６０μｍとした。

【００４１】図２に示したグラフより明らかなように、
Ａｇ−Ｐｔ合金ペーストの粘度を変化させることによ
り、下地金属層１２ｃ形成領域における下地金属層１２
ｃの被覆割合（面積割合）を変化させることができる。
また、図３に示したグラフより明らかなように、Ａｇ−
Ｐｔ合金ペーストの粘度を変化させることにより半田ボ
ールの発生数を制御することができる。

【００４２】以上の結果より、Ａｇ−Ｐｔ合金ペースト
の粘度を制御することにより、下地金属層１２ｃ形成領
域における下地金属層１２ｃの被覆割合（面積割合）を
制御することができ、半田ボールの発生数を制御するこ
とができることは明らかである。Ａｇ−Ｐｔ合金ペース
トの粘度を１０００〜１７００ｃＰの範囲内とすること
により、下地金属層１２ｃの被覆割合を８０％以上とす
ることができ、従来リッド１個当たり最大で約１４０個
発生していた半田ボールの発生数を、リッド１個当たり
最大で約４０個と大きく減少させることができた。

【００４３】（２）導体ペーストの粘度と、オーバーハ
ング幅ｄと、半田ボールの発生数との関係図４は、Ａｇ−Ｐｔ合金ペーストの粘度をパラメータに
とったときの、オーバーハング幅ｄと半田ボールの発生
数との関係を示したグラフである。

【００４４】図４に示したグラフより明らかなように、
オーバーハング幅ｄを減少させることにより半田ボール
の発生数を減少させることができ、特に導体ペーストの
粘度を１３００ｃＰとし、下地金属層１２ｃの被覆割合
を８０％以上としたとき、半田ボールの発生数を０とす
ることができ、半田ボールの発生を完全に防止すること
ができた。

【００４５】なお、半田ボールの発生数が０となったリ
ッドを用いてパッケージを作製し、気密性に関する評価
や熱サイクル試験による半田層の剥離についての評価を
行ったが、いずれも全く問題なかった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るセラミックリッドの
製造方法においてリッドの下地金属層を含む部分に半田
ペースト層を形成した際の、半田ペースト層の近傍を模
式的に示した部分拡大断面図である。

【図２】実施例におけるＡｇ−Ｐｔ合金ペーストの粘度
と、下地金属層形成領域における下地金属層の被覆割合
との関係を示したグラフである。

【図３】実施例におけるＡｇ−Ｐｔ合金ペーストの粘度
と、平均半田ボール発生数との関係を示したグラフであ
る。

【図４】実施例におけるオーバーハング幅と半田ボール
発生数との関係を示したグラフである。

【図５】（ａ）はセラミックパッケージを構成するリッ
ドを模式的に示した底面図であり、（ｂ）は（ａ）にお
けるＩ−Ｉ線断面図であり、（ｃ）はこのリッドが用い
られた半導体装置を模式的に示した断面図である。

【図６】セラミック基板の外周部封着面、外周側壁面、
及び露出面の外周縁部に下地金属層が形成され、該下地
金属層の表面を含む部分に半田層が形成されたリッドを
模式的に示した部分拡大断面図である。

【図７】メタライズ装置を模式的に示した斜視図であ
る。

【図８】（ａ）は、従来法によりリッドの下地金属層を
含む部分に半田ペースト層を形成した際の半田ペースト
層の近傍を模式的に示した部分拡大断面図であり、
（ｂ）は前記半田ペーストをリフローさせた後の半田層
の近傍を模式的に示した部分拡大断面図である。

【符号の説明】

１１セラミック基板１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）下地金属層１４外周部１５封着面１６外周側壁面１７露出面１９半田ペースト層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板の外周部封着面、外周側
壁面、及び前記封着面に対向する面の外周縁部に半田濡
れ性のある下地金属層を形成する際、前記封着面に対向
する面の下地金属層形成領域における下地金属層の被覆
割合を８０％以上とする下地金属層形成工程を含んでい
ることを特徴とするセラミックリッドの製造方法。
【請求項２】封着面に対向する面の外周縁部に、幅が
１０〜１１０μｍの下地金属層を形成する下地金属層形
成工程を含んでいることを特徴とする請求項１記載のセ
ラミックリッドの製造方法。
【請求項３】粘度が１０００〜１７００ｃＰの導体ペ
ーストを用い、セラミック基板の外周側壁面に前記導体
ペーストが付着した平板を圧接させることにより導体ペ
ーストを塗布する下地金属層形成工程を含んでいること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載のセラミックリ
ッドの製造方法。
【請求項４】セラミック基板の外周部封着面、外周側
壁面、及び前記封着面に対向する面の外周縁部に半田濡
れ性のある下地金属層を形成する下地金属層形成工程、
及び前記下地金属層形成工程により形成された前記下地
金属層表面、及び前記封着面に対向する面の外周縁部に
形成された下地金属層端部より２０μｍ以内の領域に半
田ペーストを塗布する半田ペースト層形成工程を含んで
いることを特徴とするセラミックリッドの製造方法。
【請求項５】請求項１〜３のいずれかの項に記載の下
地金属層形成工程、及び請求項４に記載の半田ペースト
層形成工程を含んでいることを特徴とするセラミックリ
ッドの製造方法。