JPH10135522A

JPH10135522A - 発光ダイオードデバイス

Info

Publication number: JPH10135522A
Application number: JP8286528A
Authority: JP
Inventors: Teruhiro Inagaki; 彰宏稲垣
Original assignee: Nippon Pelnox Corp
Current assignee: Nippon Pelnox Corp
Priority date: 1996-10-29
Filing date: 1996-10-29
Publication date: 1998-05-22

Abstract

(57)【要約】【課題】作業性に優れたエポキシ樹脂−硬化剤系を用
いて、発光ダイオード素子を効率的に封止し、光の透過
性がよく、耐湿性に優れた封止層を有する発光ダイオー
ドデバイスを提供する。【解決手段】発光ダイオード素子が、硫黄原子に結合
したベンジル構造を有するスルホニウム塩を硬化触媒と
して含有するエポキシ樹脂によって封止されていること
を特徴とする発光ダイオードデバイス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードデ
バイスに関し、さらに詳しくは、特定の分子構造を有す
るスルホニウム塩で硬化させたエポキシ樹脂で発光ダイ
オード素子が封止されていることを特徴とする発光ダイ
オードデバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】エポキシ樹脂成形材料は、その機械的性
質、密着性、湿密性、電気絶縁性などの諸性質を生かし
て、発光ダイオード用封止剤として広く用いられてい
る。

【０００３】エポキシ樹脂の硬化剤のうち、フェノール
ノボラックのようなフェノール樹脂系硬化剤、およびポ
リアミンのようなアミノ系化合物は、硬化物の着色が著
しいうえ、前者は反応が遅く、後者は安全性に問題があ
り、また耐湿性が悪いので、発光ダイオードの封止剤に
は適さない。酸無水物系の硬化剤は、透明性のよい硬化
物を与えるが、やはり耐湿性が劣る。

【０００４】エポキシ樹脂による封止作業の作業性を改
善するために、特殊な触媒を用いて、全成分を単一包装
で保存しうるエポキシ樹脂組成物として、各種のものが
提案されている。たとえば、室温では固体でエポキシ樹
脂に溶解しないが、融点近くまで加熱すると、エポキシ
樹脂に溶解して急激に硬化反応を起こす潜在性触媒とし
て、三フッ化ホウ素・アミン錯体、ジシアンジアミドお
よびその誘導体、ならびにアジピン酸ジヒドラジドのよ
うな有機酸ヒドラジド類などが知られている。これらの
系は、室温におけるエポキシ樹脂組成物の貯蔵性に優れ
てはいるが、触媒がエポキシ樹脂に溶解しないのでペー
スト化して分散させる必要があり、使用条件が制約され
るほか、熱硬化させる際に系の見掛粘度が減少して触媒
の分散が不安定となり、不均一化するなどの問題があ
る。また、反応も遅い。一方、このような系を用いて、
加熱により反応速度を上げると、急速に発熱して、劣化
や発泡を起こす。

【０００５】さらに、エポキシ樹脂の硬化に、潜在性触
媒として、各種のオニウム塩を用いることが知られてい
る。オニウム塩を他の触媒系と併用すると、比較的低温
で高い反応速度が得られるが、この方法では、併用され
る触媒系に応じて、耐湿性の低下や、分散性が悪いため
の濁り、析出物など、発光ダイオードの封止用としては
不適当な触媒系しか得られていない。また、オニウム塩
系触媒においても、一般には、透明性が十分でなかった
り、そのイオン性からくる電気特性への影響などの課題
がある。

【０００６】特開平３−１１５４２７号公報には、ヘキ
サフルオロアンチモン酸ジアリールヨードニウム塩を、
ベンゾピナコールのようなラジカル発生性芳香族化合物
とともに、固形エポキシ樹脂の潜在性硬化触媒として用
い、半導体デバイスの封止剤として、デバイスに優れた
耐湿性を与えることが開示されている。しかし、このジ
アリールヨードニウム塩は安定性が悪く、取り扱いにく
い。

【０００７】特開昭６３−１５２６１９号公報にはナフ
チルメチル基、特開昭６３−２２１１１１号公報にはα
−メチルベンジル基、特開昭６３−２２３００２号公報
には４−アルコキシベンジル基を有するスルホニウム塩
を、エポキシ樹脂の潜在性硬化触媒として用いることが
開示され、このようなエポキシ樹脂の硬化機構を、封止
材に適用しうることが記載されている。しかし、これら
を発光ダイオードの封止に用いることは、開示されてい
ない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、流動
性を有し、作業性に優れたエポキシ樹脂−硬化剤系を用
いて、発光ダイオード素子を効率的に封止し、光の透過
性がよく、耐湿性に優れた封止層を有する発光ダイオー
ドデバイスを提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために研究を重ねた結果、発光ダイオード素
子の封止剤として、特定のオニウム構造を有するヘキサ
フルオロアンチモン酸のスルホニウム塩を潜在性触媒と
して用いたエポキシ樹脂を使用することにより、封止作
業においてきわめて高い硬化速度と成形サイクルが得ら
れ、結果として得られた封止層が、高い耐湿性と透光性
を有し、しかも、このようなスルホニウム塩が、分子中
にハロゲン原子を有しているにもかかわらず、高湿で腐
食性を生ぜず、封止されたデバイスの特性に悪影響を及
ぼさないことを見出して、本発明を完成させるに至っ
た。

【００１０】すなわち、本発明の発光ダイオードデバイ
スは、発光ダイオード素子が、一般式：

【化２】（式中、Ａｒは芳香環を表し；Ｒ¹ は置換もしくは非置
換の１価の炭化水素基、水酸基、アルコキシル基、ニト
ロ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し、ａは０、１
または２を表し、ａが２のとき、Ｒ¹ は互いに同一また
は異なっていてよく；Ｒ² およびＲ³ はそれぞれ水素原
子またはメチル基を表し；Ｒ⁴ は互いに同一または異な
って、置換または非置換の１価の炭化水素基を表す）で
示されるスルホニウム塩を硬化触媒として含有するエポ
キシ樹脂によって封止されていることを特徴とする。

【００１１】本発明に用いられる発光ダイオード素子
は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ、Ｇ
ａＮ、ＳｉＣなどや、それらの固溶体のｐｎ接合が例示
され、付活剤を含んでいてもよく、どのような発色のも
のでもよい。その基板としては、上記と同様の化合物お
よびサファイアが例示され、特に限定されるものではな
い。これらの素子は、パッシベーション層を設けていて
もよく、設けていなくてもよい。また、その形状、寸法
も限定されない。電極、リード線など、発光ダイオード
として必要な部分は、通常の方法によって設けることが
できる。

【００１２】本発明において、封止剤の主成分として用
いられるエポキシ樹脂は、発光ダイオードの封止剤とし
て必要な透明性が得られる系であれば、常温で液状のも
のでも固体のものでもよいが、封止作業における作業性
から、（１）常温で液状であるか；（２）常温で液状ま
たは固体のものが、希釈剤によって希釈されて常温で液
状を示す硬化性液状混合物のいずれかであることが好ま
しい。ここにエポキシ樹脂とは、１分子中に２個以上の
オキシラン環を有し、触媒ないし硬化剤の存在下に硬化
して樹脂状ポリマーを形成するものであれば、どのよう
な分子構造のものでも差支えない。エポキシ樹脂は、１
種を単独に用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００１３】なお、ここで常温で液状とは、２５〜４０
℃で流動性を有することをいい、いわゆる半固状のもの
を包含する。また、常温で液体のエポキシ樹脂と固体エ
ポキシ樹脂との実質的に均一な混合物で、混合後に常温
で液状のものは、ここでいう液状エポキシ樹脂に包含さ
れる。

【００１４】（１）常温で液状であるエポキシ樹脂とし
ては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の平均分子量が
約５００以下のもの；ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量
が約５７０以下のもの；１，２−エポキシエチル−３，
４−エポキシシクロヘキサン、３，４−エポキシシクロ
ヘキシルカルボン酸−３，４−エポキシシクロヘキシル
メチル、アジピン酸ビス（３，４−エポキシ−６−メチ
ルシクロヘキシルメチル）のような脂環式エポキシ樹
脂；ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、３−メチルヘ
キサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフ
タル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポ
キシ樹脂；ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイ
ジン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラ
グリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、テトラグリシジ
ルビス（アミノメチル）シクロヘキサンのようなグリシ
ジルアミン型エポキシ樹脂；ならびに１，３−ジグリシ
ジル−５−メチル−５−エチルヒダントインのようなヒ
ダントイン型エポキシ樹脂が例示される。

【００１５】（２）希釈剤によって希釈された硬化性液
状組成物の主成分としては、上述の液状エポキシ樹脂の
ほかに、固体エポキシ樹脂を用いることもできる。すな
わち、用いられるエポキシ樹脂としては、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂およびヒダン
トイン型エポキシ樹脂が例示される。

【００１６】希釈剤としては、エポキシ樹脂を溶解ない
しは分散させて、系が流動性を保ち得るものであれば何
でもよく、スルホニウム化合物による硬化反応にあずか
る反応性希釈剤でも、非反応性希釈剤でもよいが、硬化
の際の収縮、発泡、ボイドの発生などを防ぐことから、
反応性希釈剤が好ましい。

【００１７】反応性希釈剤は、１分子中に１個または２
個以上のオキシラン環を有する常温で比較的低粘度のエ
ポキシ化合物であり、目的に応じて、オキシラン環以外
に、他の重合性官能基、たとえばビニル、アリルなどの
アルケニル基；またはアクリロイル、メタクリロイルな
どの不飽和カルボン酸残基を有していてもよい。このよ
うな反応性希釈剤としては、ｎ−ブチルグリシジルエー
テル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニ
ルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、
ｐ−sec −ブチルフェニルグリシジルエーテル、スチレ
ンオキシド、α−ピネンオキシドのようなモノエポキシ
ド化合物；アリルグリシジルエーテル、メタクリル酸グ
リシジル、１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサ
ンのような他の官能基を有するモノエポキシド化合物；
（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、
（ポリ）プロピレングリコールジグリシジルエーテル、
ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグ
リコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化
合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテ
ル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエ
ポキシド化合物が例示される。

【００１８】非反応性希釈剤としては、ｐ−シメン、テ
トラリンのような高沸点芳香族炭化水素；グリセリン；
２−メチルシクロヘキサノールのような高沸点アルコー
ル；フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、リン酸ジ
ブチルベンジルのような可塑剤が例示される。希釈剤は
（２）硬化性液状組成物全体の４０重量％以下の量を用
いて差支えない。また、該（２）全体の１０重量％以
下、好ましくは２重量％以下の範囲であれば、キシレ
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのよ
うな、より低沸点の有機溶媒を用いてもよいが、このよ
うな有機溶媒の使用は、硬化の際の発泡や肉やせを生じ
やすいので、作業上の注意が必要である。

【００１９】本発明に用いられるスルホニウム塩は、常
温ではエポキシ樹脂と安定に共存でき、加熱によってエ
ポキシ樹脂を硬化させ、またエポキシ樹脂中に反応性希
釈剤を配合する場合は、エポキシ樹脂と反応性希釈剤と
を硬化させる触媒として機能する潜在性触媒である。

【００２０】該スルホニウム塩は、一般式：

【化３】（式中、Ｅ、Ａｒ、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ およびａは
前述のとおり）で示され、硫黄原子に−Ｃ（Ｒ² Ｒ³)−
を介して結合した芳香環Ａｒを有するスルホニウムヘキ
サフルオロアンチモン酸塩である。このようなＡｒとし
ては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環およ
びピレン環が例示され、合成が容易なことからベンゼン
環が好ましい。

【００２１】該スルホニウム塩としては、たとえばベン
ジル、α−メチルベンジル、１−ナフチルメチル、２−
ナフチルメチルのようなアリールメチル基を有するヘキ
サフルオロアンチモン酸塩が挙げられ、上記の芳香環に
置換基があってもよく、特にそれぞれに応じて特定の極
性基の導入は、大きな触媒活性が得られることから好ま
しい。

【００２２】芳香環Ａｒは非置換でもよく、１個または
２個のＲ¹ で置換していてもよい。Ｒ¹ としては、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル、
デシル、ドデシル、テトラデシルのような直鎖状または
分岐状のアルキル基；シクロヘキシルのようなシクロア
ルキル基；フェニル、ナフチルのようなアリール基；ト
リル、キシリルのようなアルカリール基；ベンジル、２
−フェニルエチルのようなアラルキル基；ビニル、アリ
ル、ブテニルのようなアルケニル基；クロロメチルのよ
うな１価の置換炭化水素基；水酸基；メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、tert−ブトキシのようなアルコキシル
基；ニトロ基；シアノ基；ならびにフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素のようなハロゲン原子が例示される。Ｒ¹ が
導入される位置は任意であるが、Ａｒがベンゼン環の場
合を例にとると、合成が容易なことから２−位および／
または４−位が好ましく、とくにＲ¹ がかさ高な基であ
る場合には、その立体障害による活性の低下がないこと
から、４−位が特に好ましい。

【００２３】Ｒ² およびＲ³ は、それぞれ独立して水素
原子またはメチル基であり、合成が容易なことからは水
素原子が好ましいが、触媒活性を上げる必要がある場合
には、Ｒ² 、Ｒ³ のうち少なくとも１個はメチル基であ
ることが好ましい。

【００２４】Ｒ⁴ としては、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ペンチル、オクチル、デシル、ドデシル、
テトラデシルのような直鎖状または分岐状のアルキル
基；シクロヘキシルのようなシクロアルキル基；フェニ
ル、ナフチルのようなアリール基；トリル、キシリルの
ようなアルカリール基；ベンジル、２−フェニルエチル
のようなアラルキル基；ビニル、アリル、ブテニルのよ
うなアルケニル基；ならびにヒドロキシフェニル、メト
キシフェニル、エトキシフェニル、シアノフェニル、ク
ロロフェニル、アセトキシフェニル、プロパノイルフェ
ニル、メトキシカルボニルフェニル、エトキシカルボニ
ルフェニルのような１価の置換炭化水素基が例示され
る。

【００２５】このようなスルホニウム塩の代表例として
は、ヘキサフルオロアンチモン酸ジメチルベンジルスル
ホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸ジメチル（４−
メチルベンジル）スルホニウム、ヘキサフルオロアンチ
モン酸ジメチル（４−メトキシベンジル）スルホニウ
ム、ヘキサフルオロアンチモン酸ジメチル（４−エトキ
シベンジル）スルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン
酸ジメチル（４−tert−ブトキシベンジル）スルホニウ
ム、ヘキサフルオロアンチモン酸ジメチル（４−ニトロ
ベンジル）スルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸
ジメチル（４−シアノベンジル）スルホニウム、ヘキサ
フルオロアンチモン酸（４−クロロベンジル）スルホニ
ウム、ヘキサフルオロアンチモン酸メチルフェニルベン
ジルスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸メチル
（４−ヒドロキシフェニル）ベンジルスルホニウム、ヘ
キサフルオロアンチモン酸メチル（４−メトキシフェニ
ル）ベンジルスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン
酸ジメチル（１−ナフチルメチル）スルホニウム、ヘキ
サフルオロアンチモン酸メチルフェニル（１−ナフチル
メチル）スルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸メ
チル（４−ヒドロキシフェニル）（１−ナフチルメチ
ル）スルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸メチル
（４−メトキシフェニル）（１−ナフチルメチル）スル
ホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸ジメチル（α−
メチルベンジル）スルホニウムなどが挙げられる。

【００２６】スルホニウム塩の使用量は、満足すべき硬
化速度が得られ、未硬化状態における系の安定性、およ
び硬化後の封止層の物性が優れることから、エポキシ樹
脂（以下、反応性希釈剤を含有するときは、それとの合
計量をいう）１００重量部に対して、通常は０．１〜１
０重量部、好ましくは０．５〜５重量部である。

【００２７】本発明に用いられる封止剤は、エポキシ樹
脂、好ましくは前述の液状エポキシ樹脂、またはエポキ
シ樹脂と希釈剤とからなる硬化性混合物、ならびに前述
のスルホニウム塩を含む。これらは均一に混合されて、
常温では長期間の保存が可能である。該封止剤は、それ
に加えて、封止を盛り上げて行う場合にチキソトロピッ
ク性を与えて、未硬化状態における形状を保持するた
め、またはダイオードから発生した光を散乱させるため
に、エポキシ樹脂１００重量部に対して１０重量部まで
の煙霧質シリカ、溶触シリカのような粉末シリカ；およ
び必要な透光性を妨げない範囲の炭酸カルシウム、酸化
チタンのような無機粉末を含有させてもよい。さらに、
必要に応じて、その透光性に悪影響を与えない範囲で、
内部離型剤、難燃化剤、難燃助剤、シランもしくはチタ
ンカップリング剤、顔料、染料などの添加剤を配合する
ことができる。

【００２８】本発明の発光ダイオードデバイスは、たと
えば、発光ダイオード素子を挿入した型に、該素子を封
入するように、好ましくは射出成形またはトランスファ
ー成形により、たとえば通常のＲＩＭ射出成形機または
トランスファー成形機を用いて、通常１００〜２００
℃、好ましくは１２０〜１８０℃で封止層を成形、硬化
させることができる。硬化時間は特に限定されず、樹脂
組成、封止体の寸法・形状、成形温度に応じて任意に設
定できるが、上記の成形温度におけるエポキシ樹脂の硬
化速度は極めて速く、ゲル化時間が温度１５０℃で６０
秒以内、好ましくは３０秒以内である。

【００２９】発光ダイオードデバイスの形状は、ランプ
型、ディスプレイ型、盛り上げ型など、任意のものが可
能である。

【００３０】

【発明の効果】本発明の発光ダイオードデバイスは、封
止層の形状が、比較的低温、短時間の加熱で行われるの
で、射出成形またはトランスファー成形の成形サイクル
を短くすることができ、しかもバリなどのロスが少な
く、発光ダイオード素子に対して熱や応力の影響を与え
ることがない。さらに、本発明で用いられる封止剤は、
あらかじめ硬化触媒を混合しても室温で長期間安定に保
存でき、使用直前に硬化触媒を混合する必要がないの
で、発光ダイオードデバイスの製造工程の合理化に大き
く寄与する。特に液状エポキシ樹脂、またはエポキシ樹
脂と希釈剤からなる硬化性液状混合物を用いる場合は、
封止作業の際に流動性なので、その作業性が優れてい
る。

【００３１】本発明に用いられるスルホニウム塩は、相
当する他のオニウム塩に比べて、透明性の高い封止層を
与える。また、高温で腐食や電気的劣化をもたらさな
い。それゆえ、本発明の発光ダイオードデバイスは、耐
湿性、透光性および耐久性に優れ、各種の環境に安定し
て使用できる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を、実施例および比較例によっ
てさらに詳細に説明する。本発明は、これらの実施例に
よって限定されるものではない。また、これらの実施例
および比較例において、部は重量部、組成の％は重量％
を表す。

【００３３】実施例および比較例において、下記のエポ
キシ樹脂を用いた。Ｅ−１：ビスフェノールＡ−エピクロロヒドリン系液状
エポキシ樹脂、分子量３８０、精製品；Ｅ−２：３，４−エポキシシクロヘキサンカルボン酸−
３，４−エポキシシクロヘキシル；およびＥ−３：分子量９００のビスフェノールＡ−エピクロロ
ヒドリン系固体エポキシ樹脂８５％とフェニルグリシジ
ルエーテル１５％からなる硬化性混合物

【００３４】実施例および比較例において、スルホニウ
ム塩、または比較のための硬化剤および硬化触媒とし
て、下記のものを用いた。Ｓ−１：ヘキサフルオロアンチモン酸メチル（４−ヒド
ロキシフェニル）ベンジルスルホニウム、Ｓ−２：ヘキサフルオロアンチモン酸メチル（４−メト
キシフェニル）−１−ナフチルメチルスルホニウム、ＭＨＨＰＡ：メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、およびＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−
ウンデセン

【００３５】実施例１〜４、比較例表１に示す配合比により、エポキシ樹脂と、スルホニウ
ム塩または比較のための硬化剤および硬化触媒とを、常
温で混合して、均一な混合物を得た。ただし、実施例４
では、６０℃まで加温することにより、Ｓ−２をＥ−１
に完全に溶解させた後、室温まで冷却した。同様に、比
較例では、９０℃まで加熱して系を均一に溶解させた
後、室温まで冷却した。このようにして得られた封止剤
について、１５０℃に設定したホットプレート上でゲル
化時間を測定した。その結果は、表１に示すとおりであ
った。

【００３６】

【表１】

【００３７】ついで、ＧａＰ基板にＧａＡｓ_0.25Ｐ_0.75
の液相エピタキシャル成長層のｐｎ結合を形成させ、電
極およびリード線を設けた同一形状の発光ダイオード素
子を、上記の封止剤のそれぞれによって封止して、１２
５℃で８時間加熱して硬化させることにより、直径５mm
の同一形状の封止外形を有する盛り上げ型の発光ダイオ
ードデバイスを作製した。このようにして得られたデバ
イス各５個を、表２に示す温度および湿度において、２
０mAの直流を通電して発光させながら、１，０００時間
の動作耐久試験を行った。その結果、表２に示すよう
に、実施例１〜４のデバイスは、いずれも異常がなかっ
た。それに対して比較例の試料は、高温高湿条件では６
４時間後に、５個の試料中４個は不点灯であった。な
お、実施例１〜４のデバイスは、いずれも、上記の動作
耐久試験のほか、１，０００時間までの、温度６５℃、
湿度９５％RHにおける高温高湿保存、温度８０℃におけ
る高温保存および温度−３０℃における低温保存試験に
おいて特性の変化は認められず、また−４０℃、３０分
〜＋８０℃、３０分のヒートショック試験２００サイク
ルにおいても、クラック、断線および輝度低下は認めら
れなかった。

【００３８】

【表２】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光ダイオード素子が、一般式：【化１】（式中、Ａｒは芳香環を表し；Ｒ¹ は置換もしくは非置
換の１価の炭化水素基、水酸基、アルコキシル基、ニト
ロ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し、ａは０、１
または２を表し、ａが２のとき、Ｒ¹ は互いに同一また
は異なっていてよく；Ｒ² およびＲ³ はそれぞれ水素原
子またはメチル基を表し；Ｒ⁴ は互いに同一または異な
って、置換または非置換の１価の炭化水素基を表す）で
示されるスルホニウム塩を硬化触媒として含有するエポ
キシ樹脂によって封止されていることを特徴とする発光
ダイオードデバイス。
【請求項２】エポキシ樹脂が、液状エポキシ樹脂、ま
たはエポキシ樹脂と希釈剤とからなる硬化性液状混合物
である、請求項１記載の発光ダイオードデバイス。