JPH10135528A - 電子部品用誘電体膜シート、その製造方法および誘電体素子 - Google Patents
電子部品用誘電体膜シート、その製造方法および誘電体素子Info
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- JPH10135528A JPH10135528A JP29031596A JP29031596A JPH10135528A JP H10135528 A JPH10135528 A JP H10135528A JP 29031596 A JP29031596 A JP 29031596A JP 29031596 A JP29031596 A JP 29031596A JP H10135528 A JPH10135528 A JP H10135528A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製法が簡便で、基板材料にかかわらず、微細
な誘電体素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 粘着剤シート上に、第2電極パターン、
誘電体膜、誘電体膜の周囲を囲む樹脂膜、および第1電
極パターンが順次設けられ、第2電極パターンと誘電体
膜とが樹脂膜に形成したコンタクトホールをとおして接
触している電子部品用誘電体膜シート。この誘電体膜シ
ートを用いて誘電体素子を製造する。
な誘電体素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 粘着剤シート上に、第2電極パターン、
誘電体膜、誘電体膜の周囲を囲む樹脂膜、および第1電
極パターンが順次設けられ、第2電極パターンと誘電体
膜とが樹脂膜に形成したコンタクトホールをとおして接
触している電子部品用誘電体膜シート。この誘電体膜シ
ートを用いて誘電体素子を製造する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、焦電体素子や圧電体素
子を含む誘電体素子、その製造に用いる電子部品用誘電
体膜シート、および同シートの製造方法に関するもので
ある。
子を含む誘電体素子、その製造に用いる電子部品用誘電
体膜シート、および同シートの製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】現在、誘電体、そのなかでも強誘電体
は、焦電性を利用した焦電型赤外線検出器、圧電性を利
用した加速度センサやアクチュエータ等の圧電体素子、
分極反転を利用した不揮発性メモリ、高誘電率特性を利
用した容量性素子等の各種素子のキーマテリアルとして
研究開発が行われている。焦電型赤外線検出器は、入射
した赤外線による温度変化に起因する焦電体の表面電荷
を検出する。したがって、検出器の高感度化のために
は、焦電体部分の熱容量を低減することが重要である。
現状の焦電型赤外線検出器は、焦電材料の焼結体を研磨
することにより、焦電体の熱容量を小さくしている(例
えば、喜多、岸原、小林、「電子情報通信学会論文誌
C-II 1996, Vol.J79-C-II No.1 pp24-32」)。ま
た、焦電体エレメントを複数個配置したリニアアレイ型
や2次元型の赤外線検出器においては、熱のクロストー
クを低減するために、焦電体の焼結板に溝を加工するこ
とが行われている(例えば、R.W.Whatmore 「Ferroele
ctrics, 1991, Vol.118 pp241-259」)。
は、焦電性を利用した焦電型赤外線検出器、圧電性を利
用した加速度センサやアクチュエータ等の圧電体素子、
分極反転を利用した不揮発性メモリ、高誘電率特性を利
用した容量性素子等の各種素子のキーマテリアルとして
研究開発が行われている。焦電型赤外線検出器は、入射
した赤外線による温度変化に起因する焦電体の表面電荷
を検出する。したがって、検出器の高感度化のために
は、焦電体部分の熱容量を低減することが重要である。
現状の焦電型赤外線検出器は、焦電材料の焼結体を研磨
することにより、焦電体の熱容量を小さくしている(例
えば、喜多、岸原、小林、「電子情報通信学会論文誌
C-II 1996, Vol.J79-C-II No.1 pp24-32」)。ま
た、焦電体エレメントを複数個配置したリニアアレイ型
や2次元型の赤外線検出器においては、熱のクロストー
クを低減するために、焦電体の焼結板に溝を加工するこ
とが行われている(例えば、R.W.Whatmore 「Ferroele
ctrics, 1991, Vol.118 pp241-259」)。
【0003】圧電効果を用いたセンサの代表例には、圧
力センサや加速度センサがあげられる。これらのセンサ
は、小型、高性能化の要求に従いマイクロマシン技術を
適用した開発が進められている。例えば、代表的な圧電
材料であるPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)薄膜をSi
ウエハー上に作製した後、Siウエハーをケミカルエッ
チングすることによりダイヤフラムやカンチレバーを作
製している。容量性素子としては、セラミックチップコ
ンデンサの開発が盛んである。このチップコンデンサ
は、誘電体原料の粉体を微粉砕し、これを溶剤中に分散
させたものをグリーンシートに成形し、焼成することに
より製造されている。容量性素子に対する要求のなか
で、小型化、高容量化が重要視され、その解決の一手段
として、誘電体の薄層化があげられる。
力センサや加速度センサがあげられる。これらのセンサ
は、小型、高性能化の要求に従いマイクロマシン技術を
適用した開発が進められている。例えば、代表的な圧電
材料であるPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)薄膜をSi
ウエハー上に作製した後、Siウエハーをケミカルエッ
チングすることによりダイヤフラムやカンチレバーを作
製している。容量性素子としては、セラミックチップコ
ンデンサの開発が盛んである。このチップコンデンサ
は、誘電体原料の粉体を微粉砕し、これを溶剤中に分散
させたものをグリーンシートに成形し、焼成することに
より製造されている。容量性素子に対する要求のなか
で、小型化、高容量化が重要視され、その解決の一手段
として、誘電体の薄層化があげられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ように焦電体を研磨する場合には、厚さ10μm程度が
限度である。また、エッチングによる微細加工も容易で
はない。従って、検出器の焦電体エレメントの大きさは
1×1mm程度が限界である。また、エレメントを複数
個配置した検出器の場合には、焼結体を微小なエレメン
トに完全に分離して配置することが困難であるという問
題があった。圧電材料であるPZT薄膜をSi単結晶基
板上に形成する場合には、基板と薄膜間での相互拡散の
問題がある。また、Si単結晶基板上に形成したPZT
薄膜は、多結晶膜であり、分極軸を基板面に対して垂直
に配向させることは容易ではない。これらの問題のた
め、圧電特性が焼結体を越えるような高性能な薄膜材料
が得られなかった。
ように焦電体を研磨する場合には、厚さ10μm程度が
限度である。また、エッチングによる微細加工も容易で
はない。従って、検出器の焦電体エレメントの大きさは
1×1mm程度が限界である。また、エレメントを複数
個配置した検出器の場合には、焼結体を微小なエレメン
トに完全に分離して配置することが困難であるという問
題があった。圧電材料であるPZT薄膜をSi単結晶基
板上に形成する場合には、基板と薄膜間での相互拡散の
問題がある。また、Si単結晶基板上に形成したPZT
薄膜は、多結晶膜であり、分極軸を基板面に対して垂直
に配向させることは容易ではない。これらの問題のた
め、圧電特性が焼結体を越えるような高性能な薄膜材料
が得られなかった。
【0005】セラミックチップコンデンサの前記製造方
法によると、厚さ1μm以下の誘電体膜を形成すること
は容易ではない。粉末の粒径を考えると、誘電体膜の厚
さが0.2〜0.5μmであると、絶縁性にも問題があ
り、リーク電流の発生も考えられる。また、グリーンシ
ートを切断するのは、打ち抜き加工プロセスが主であ
る。焼結後の誘電体膜は、その膜厚が大きく、エッチン
グプロセスによる微細加工の適用は困難である。従っ
て、素子形状は限られてしまい、回路基板の形状に合わ
せた自由な形状の容量性素子を作製することができない
という問題があった。
法によると、厚さ1μm以下の誘電体膜を形成すること
は容易ではない。粉末の粒径を考えると、誘電体膜の厚
さが0.2〜0.5μmであると、絶縁性にも問題があ
り、リーク電流の発生も考えられる。また、グリーンシ
ートを切断するのは、打ち抜き加工プロセスが主であ
る。焼結後の誘電体膜は、その膜厚が大きく、エッチン
グプロセスによる微細加工の適用は困難である。従っ
て、素子形状は限られてしまい、回路基板の形状に合わ
せた自由な形状の容量性素子を作製することができない
という問題があった。
【0006】本発明の目的は、製法が簡便で、基板材料
にかかわらず、微細加工された誘電体膜を有する誘電体
素子を提供することである。本発明の他の目的は、微細
な誘電体素子を形成するための電子部品用誘電体膜シー
トを提供することである。
にかかわらず、微細加工された誘電体膜を有する誘電体
素子を提供することである。本発明の他の目的は、微細
な誘電体素子を形成するための電子部品用誘電体膜シー
トを提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用誘電
体膜シートは、粘着剤シート上に第2電極パターンを設
け、その上に誘電体膜を設け、さらにその上に第1電極
パターンを備えたものである。また、本発明の電子部品
用誘電体膜シートは、さらに、前記誘電体膜の周囲を囲
むように配置された樹脂膜を具備し、前記第2電極パタ
ーンと前記誘電体膜とが、前記樹脂膜に形成したコンタ
クトホールをとおして接触している。
体膜シートは、粘着剤シート上に第2電極パターンを設
け、その上に誘電体膜を設け、さらにその上に第1電極
パターンを備えたものである。また、本発明の電子部品
用誘電体膜シートは、さらに、前記誘電体膜の周囲を囲
むように配置された樹脂膜を具備し、前記第2電極パタ
ーンと前記誘電体膜とが、前記樹脂膜に形成したコンタ
クトホールをとおして接触している。
【0008】本発明の電子部品用誘電体膜シートの第1
の製造方法は、基板上に第1電極パターンを形成する工
程、前記第1電極パターン上に誘電体膜を形成する工
程、前記誘電体膜上に第2電極パターンを形成する工
程、粘着剤シートを、前記誘電体膜、第1電極パター
ン、第2電極パターンおよび基板を覆うように貼り付け
る工程、並びに前記基板をエッチングにより除去する工
程を有する。本発明の電子部品用誘電体膜シートの第2
の製造方法は、基板上に第1電極パターンを形成する工
程、前記第1電極パターン上に誘電体膜を形成する工
程、前記基板上に前記誘電体膜を囲む形で樹脂膜を形成
し前記誘電体膜上にコンタクトホールを形成する工程、
前記樹脂膜上にコンタクトホールを覆うように第2電極
パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前記誘電体
膜、樹脂膜、第2電極パターンおよび基板を覆うように
貼り付ける工程、並びに前記基板をエッチングにより除
去する工程を有する。
の製造方法は、基板上に第1電極パターンを形成する工
程、前記第1電極パターン上に誘電体膜を形成する工
程、前記誘電体膜上に第2電極パターンを形成する工
程、粘着剤シートを、前記誘電体膜、第1電極パター
ン、第2電極パターンおよび基板を覆うように貼り付け
る工程、並びに前記基板をエッチングにより除去する工
程を有する。本発明の電子部品用誘電体膜シートの第2
の製造方法は、基板上に第1電極パターンを形成する工
程、前記第1電極パターン上に誘電体膜を形成する工
程、前記基板上に前記誘電体膜を囲む形で樹脂膜を形成
し前記誘電体膜上にコンタクトホールを形成する工程、
前記樹脂膜上にコンタクトホールを覆うように第2電極
パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前記誘電体
膜、樹脂膜、第2電極パターンおよび基板を覆うように
貼り付ける工程、並びに前記基板をエッチングにより除
去する工程を有する。
【0009】本発明の誘電体素子は、第1の電極膜と接
続するための金属バンプを有する電極およびその対極を
上面に設けた基板、誘電体膜をその一方の面を露出させ
て周囲を覆うように保持している樹脂保持膜、前記誘電
体膜の一方の面に設けられ前記金属バンプに接続された
第1の電極膜、前記樹脂保持膜に形成されたコンタクト
ホールをとおして前記誘電体膜に接続され、かつ前記対
極に接続された第2の電極膜を具備する。
続するための金属バンプを有する電極およびその対極を
上面に設けた基板、誘電体膜をその一方の面を露出させ
て周囲を覆うように保持している樹脂保持膜、前記誘電
体膜の一方の面に設けられ前記金属バンプに接続された
第1の電極膜、前記樹脂保持膜に形成されたコンタクト
ホールをとおして前記誘電体膜に接続され、かつ前記対
極に接続された第2の電極膜を具備する。
【0010】本発明の誘電体素子の製造方法は、基板上
に第1の電極パターンを形成する工程、前記第1の電極
パターン上に誘電体膜を形成する工程、前記基板上に前
記誘電体膜を囲む形で樹脂保持膜を形成するとともに樹
脂保持膜の前記誘電体膜上にコンタクトホールを形成す
る工程、前記樹脂保持膜上にコンタクトホールを覆うよ
うに第2の電極パターンを形成する工程、粘着剤シート
を、前記誘電体膜、樹脂保持膜、第2の電極パターンお
よび基板を覆うように貼り付ける工程、前記基板をエッ
チングにより除去する工程、前記第1の電極膜と接続す
るための金属バンプを有する電極および前記第2の電極
膜と接続するための対極を設けた素子基板を準備する工
程、前記素子基板の金属バンプと第1の電極膜を接続す
る工程、粘着剤シートを剥離する工程、並びに前記第2
の電極膜と素子基板の対極を接続する工程を有する。
に第1の電極パターンを形成する工程、前記第1の電極
パターン上に誘電体膜を形成する工程、前記基板上に前
記誘電体膜を囲む形で樹脂保持膜を形成するとともに樹
脂保持膜の前記誘電体膜上にコンタクトホールを形成す
る工程、前記樹脂保持膜上にコンタクトホールを覆うよ
うに第2の電極パターンを形成する工程、粘着剤シート
を、前記誘電体膜、樹脂保持膜、第2の電極パターンお
よび基板を覆うように貼り付ける工程、前記基板をエッ
チングにより除去する工程、前記第1の電極膜と接続す
るための金属バンプを有する電極および前記第2の電極
膜と接続するための対極を設けた素子基板を準備する工
程、前記素子基板の金属バンプと第1の電極膜を接続す
る工程、粘着剤シートを剥離する工程、並びに前記第2
の電極膜と素子基板の対極を接続する工程を有する。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明は、第1の電極膜と接続す
るための金属バンプを有する電極およびその対極を上面
に設けた基板、誘電体膜をその一方の面を露出させて周
囲を覆うように保持している樹脂保持膜、前記誘電体膜
の一方の面に設けられ前記金属バンプに接続された第1
の電極膜、前記樹脂保持膜に形成されたコンタクトホー
ルをとおして前記誘電体膜に接続され、かつ前記対極に
接続された第2の電極膜を具備する誘電体素子およびそ
の製造方法に向けられている。
るための金属バンプを有する電極およびその対極を上面
に設けた基板、誘電体膜をその一方の面を露出させて周
囲を覆うように保持している樹脂保持膜、前記誘電体膜
の一方の面に設けられ前記金属バンプに接続された第1
の電極膜、前記樹脂保持膜に形成されたコンタクトホー
ルをとおして前記誘電体膜に接続され、かつ前記対極に
接続された第2の電極膜を具備する誘電体素子およびそ
の製造方法に向けられている。
【0012】ここで、誘電体素子の具体例の1つは容量
性素子である。前記誘電体が圧電体であるとき、誘電体
素子は圧電体素子である。また、前記誘電体が焦電体で
あり、第2の電極膜が赤外線吸収電極であるとき、誘電
体素子は焦電型赤外線検出器である。上記の誘電体素子
およびその製造方法において、対極上にも金属バンプを
形成し、誘電体膜にこの金属バンプと対応させてこれと
接続するための電極膜を形成するのが好ましい。また、
樹脂膜は必要に応じて第1電極の露出部をも被覆する。
性素子である。前記誘電体が圧電体であるとき、誘電体
素子は圧電体素子である。また、前記誘電体が焦電体で
あり、第2の電極膜が赤外線吸収電極であるとき、誘電
体素子は焦電型赤外線検出器である。上記の誘電体素子
およびその製造方法において、対極上にも金属バンプを
形成し、誘電体膜にこの金属バンプと対応させてこれと
接続するための電極膜を形成するのが好ましい。また、
樹脂膜は必要に応じて第1電極の露出部をも被覆する。
【0013】これらの具体的な誘電体素子、およびその
製造方法を示せば次のとおりである。本発明の焦電型赤
外線検出器は、頂部に金属バンプを形成した複数の電極
および1個または複数の対極を上面に設けた外部信号処
理素子、前記電極にそれぞれ対応する複数の焦電体膜エ
レメントを一方の面を露出させて保持する樹脂保持膜、
前記焦電体膜エレメントの一方の面に形成されて前記金
属バンプにそれぞれ接続された焦電体膜接続電極、前記
樹脂保持膜の他方の面に形成され、樹脂保持膜に形成さ
れたコンタクトホールをとおして前記対極に接続されて
いる赤外線吸収電極膜を具備する。ここで、前記焦電体
膜の分極軸が、前記焦電体接続電極面および赤外線吸収
電極膜面に対して垂直方向に優先的に配向していること
が好ましい。
製造方法を示せば次のとおりである。本発明の焦電型赤
外線検出器は、頂部に金属バンプを形成した複数の電極
および1個または複数の対極を上面に設けた外部信号処
理素子、前記電極にそれぞれ対応する複数の焦電体膜エ
レメントを一方の面を露出させて保持する樹脂保持膜、
前記焦電体膜エレメントの一方の面に形成されて前記金
属バンプにそれぞれ接続された焦電体膜接続電極、前記
樹脂保持膜の他方の面に形成され、樹脂保持膜に形成さ
れたコンタクトホールをとおして前記対極に接続されて
いる赤外線吸収電極膜を具備する。ここで、前記焦電体
膜の分極軸が、前記焦電体接続電極面および赤外線吸収
電極膜面に対して垂直方向に優先的に配向していること
が好ましい。
【0014】本発明の焦電型赤外線検出器の製造方法
は、基板上に焦電体膜接続電極パターンを形成する工
程、前記焦電体膜接続電極パターン上に誘電体である焦
電体膜エレメントを形成する工程、前記基板上に前記誘
電体膜を囲む形で樹脂保持膜を形成し前記焦電体膜エレ
メント上にコンタクトホールを形成する工程、前記樹脂
保持膜上にコンタクトホールを覆うように赤外線吸収電
極パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前記焦電
体膜エレメント、樹脂保持膜、赤外線吸収電極パターン
および基板を覆うように貼り付ける工程、前記基板をエ
ッチングにより除去する工程、外部信号処理素子の電極
上に金属バンプを形成する工程、前記金属バンプと焦電
体膜接続電極を接続する工程、粘着剤シートを剥離する
工程、並びに前記赤外線吸収電極パターンと外部信号処
理素子の対極を接合する工程を有する。なお、以下の工
程を付加するのが好ましい。すなわち、上記の焦電体膜
接続電極パターン上に焦電体膜エレメントを形成する工
程において、焦電体膜エレメントとともにその周囲に焦
電体膜ダミーエレメントを形成する。一方、外部信号処
理素子の対極上にも金属バンプを形成する。そして、上
記の金属バンプと焦電体膜接続電極を接続する工程にお
いて、焦電体膜ダミーエレメントの焦電体膜接続電極を
対極のバンプに接続するのである。
は、基板上に焦電体膜接続電極パターンを形成する工
程、前記焦電体膜接続電極パターン上に誘電体である焦
電体膜エレメントを形成する工程、前記基板上に前記誘
電体膜を囲む形で樹脂保持膜を形成し前記焦電体膜エレ
メント上にコンタクトホールを形成する工程、前記樹脂
保持膜上にコンタクトホールを覆うように赤外線吸収電
極パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前記焦電
体膜エレメント、樹脂保持膜、赤外線吸収電極パターン
および基板を覆うように貼り付ける工程、前記基板をエ
ッチングにより除去する工程、外部信号処理素子の電極
上に金属バンプを形成する工程、前記金属バンプと焦電
体膜接続電極を接続する工程、粘着剤シートを剥離する
工程、並びに前記赤外線吸収電極パターンと外部信号処
理素子の対極を接合する工程を有する。なお、以下の工
程を付加するのが好ましい。すなわち、上記の焦電体膜
接続電極パターン上に焦電体膜エレメントを形成する工
程において、焦電体膜エレメントとともにその周囲に焦
電体膜ダミーエレメントを形成する。一方、外部信号処
理素子の対極上にも金属バンプを形成する。そして、上
記の金属バンプと焦電体膜接続電極を接続する工程にお
いて、焦電体膜ダミーエレメントの焦電体膜接続電極を
対極のバンプに接続するのである。
【0015】本発明の圧電体素子は、頂部に金属バンプ
を形成した電極およびその対極を上面に設けた基板、圧
電体膜をその一方の面を露出させて周囲を覆うように保
持している樹脂保持膜、前記圧電体膜の一方の面に設け
られ前記電極の金属バンプに接続された圧電体膜接続電
極、前記樹脂保持膜に形成されたコンタクトホールをと
おして前記圧電体膜に接続され、かつ前記対極に接続さ
れた上部電極膜を具備する。ここで、前記圧電体膜の分
極軸が、前記圧電体接続電極面および上部電極面に対し
て垂直方向に優先的に配向していることが好ましい。本
発明の圧電体素子の製造方法は、基板上に圧電体膜接続
電極パターンを形成する工程、前記圧電体膜接続電極パ
ターン上に誘電体である圧電体膜を形成する工程、前記
基板上に前記圧電体膜を囲む形で樹脂保持膜を形成し前
記圧電体膜上にコンタクトホールを形成する工程、前記
樹脂保持膜上にコンタクトホールを覆うように上部電極
パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前記圧電体
膜、樹脂保持膜、上部電極パターンおよび基板を覆うよ
うに貼り付ける工程、前記基板をエッチングにより除去
する工程、素子基板の電極上に金属バンプを形成する工
程、前記金属バンプと圧電体膜接続電極を接続する工
程、粘着剤シートを剥離する工程、並びに前記上部電極
パターンと素子基板の対極を接続する工程を有する。
を形成した電極およびその対極を上面に設けた基板、圧
電体膜をその一方の面を露出させて周囲を覆うように保
持している樹脂保持膜、前記圧電体膜の一方の面に設け
られ前記電極の金属バンプに接続された圧電体膜接続電
極、前記樹脂保持膜に形成されたコンタクトホールをと
おして前記圧電体膜に接続され、かつ前記対極に接続さ
れた上部電極膜を具備する。ここで、前記圧電体膜の分
極軸が、前記圧電体接続電極面および上部電極面に対し
て垂直方向に優先的に配向していることが好ましい。本
発明の圧電体素子の製造方法は、基板上に圧電体膜接続
電極パターンを形成する工程、前記圧電体膜接続電極パ
ターン上に誘電体である圧電体膜を形成する工程、前記
基板上に前記圧電体膜を囲む形で樹脂保持膜を形成し前
記圧電体膜上にコンタクトホールを形成する工程、前記
樹脂保持膜上にコンタクトホールを覆うように上部電極
パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前記圧電体
膜、樹脂保持膜、上部電極パターンおよび基板を覆うよ
うに貼り付ける工程、前記基板をエッチングにより除去
する工程、素子基板の電極上に金属バンプを形成する工
程、前記金属バンプと圧電体膜接続電極を接続する工
程、粘着剤シートを剥離する工程、並びに前記上部電極
パターンと素子基板の対極を接続する工程を有する。
【0016】上記のように本発明は、製膜用基板上に作
製した誘電体膜を粘着剤シートに一度転写し、これを回
路基板や信号処理素子等に接続する方法をとっている。
従って、誘電体膜を設置する基板や信号処理素子を、誘
電体膜形成に必要な高温に加熱する工程が不要となる。
このため、回路基板材料として特別な耐熱性が要求され
なくなるから、プリント回路基板をはじめとした樹脂材
料上に、高誘電率材料からなる容量性素子を作製するこ
とができる。また、Siやステンレス鋼基板をはじめと
する種々の安価な基板上に、分極軸が電極面に対して垂
直方向に優先配向した、高感度な焦電体膜や圧電体膜を
備えた素子を作製することができる。さらに、誘電体が
薄膜材料であるために微細加工が可能であり、微小かつ
多様な形状の容量性素子を容易に形成できる点や、素子
全体の小型化を図れる点で有効である。さらにまた、複
数個配置された焦電体エレメントが完全に分割された焦
電型赤外線検出器を作製可能であり、熱容量が小さく高
感度化が可能な点で有効である。
製した誘電体膜を粘着剤シートに一度転写し、これを回
路基板や信号処理素子等に接続する方法をとっている。
従って、誘電体膜を設置する基板や信号処理素子を、誘
電体膜形成に必要な高温に加熱する工程が不要となる。
このため、回路基板材料として特別な耐熱性が要求され
なくなるから、プリント回路基板をはじめとした樹脂材
料上に、高誘電率材料からなる容量性素子を作製するこ
とができる。また、Siやステンレス鋼基板をはじめと
する種々の安価な基板上に、分極軸が電極面に対して垂
直方向に優先配向した、高感度な焦電体膜や圧電体膜を
備えた素子を作製することができる。さらに、誘電体が
薄膜材料であるために微細加工が可能であり、微小かつ
多様な形状の容量性素子を容易に形成できる点や、素子
全体の小型化を図れる点で有効である。さらにまた、複
数個配置された焦電体エレメントが完全に分割された焦
電型赤外線検出器を作製可能であり、熱容量が小さく高
感度化が可能な点で有効である。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。なお、以下の図面は、説明の便宜のた
めのものであり、各要素の相対的なサイズおよび配置は
必ずしも実際のそれを正確に表すものではない。
詳細に説明する。なお、以下の図面は、説明の便宜のた
めのものであり、各要素の相対的なサイズおよび配置は
必ずしも実際のそれを正確に表すものではない。
【0018】《実施例1》図1は本実施例の電子部品用
誘電体膜シートの断面図を示し、図2はその作製プロセ
スの断面図を示す。本実施例は、電子部品用誘電体膜シ
ートの一例として、合成樹脂膜、誘電体膜、および前記
誘電体膜の両面に設けた電極を備えた構成を示す。基板
101として、(100)面に配向させたMgO単結晶
からなる厚さ500μmの基板を用いた。この基板10
1上に、第1電極パターン102としてPt薄膜を、高
周波マグネトロンスパッタリング法により作製した(図
2(a))。その成膜条件は、基板温度が600℃、ス
パッタガスはアルゴン(95%)と酸素(5%)の混合
ガスで、ガス圧は0.5Pa、高周波投入パワー密度は
2.5W/cm2(13.56MHz)であり、成膜時間
は1時間であった。得られた膜の厚さは0.15μmで
あった。次に、第1電極パターン102上に、誘電体膜
103を高周波マグネトロンスパッタリング方法で形成
し(図2(b))、所定の形状にパターニングした。誘
電体膜103の種類及び成膜条件を表1に、パターニン
グ方法を表2にそれぞれ示す。表1の条件で成膜するこ
とにより、すべての誘電体は、分極軸が基板面に対して
垂直方向に優先的に配向したc軸配向単結晶膜を(10
0)面配向MgO単結晶基板上に得られた。
誘電体膜シートの断面図を示し、図2はその作製プロセ
スの断面図を示す。本実施例は、電子部品用誘電体膜シ
ートの一例として、合成樹脂膜、誘電体膜、および前記
誘電体膜の両面に設けた電極を備えた構成を示す。基板
101として、(100)面に配向させたMgO単結晶
からなる厚さ500μmの基板を用いた。この基板10
1上に、第1電極パターン102としてPt薄膜を、高
周波マグネトロンスパッタリング法により作製した(図
2(a))。その成膜条件は、基板温度が600℃、ス
パッタガスはアルゴン(95%)と酸素(5%)の混合
ガスで、ガス圧は0.5Pa、高周波投入パワー密度は
2.5W/cm2(13.56MHz)であり、成膜時間
は1時間であった。得られた膜の厚さは0.15μmで
あった。次に、第1電極パターン102上に、誘電体膜
103を高周波マグネトロンスパッタリング方法で形成
し(図2(b))、所定の形状にパターニングした。誘
電体膜103の種類及び成膜条件を表1に、パターニン
グ方法を表2にそれぞれ示す。表1の条件で成膜するこ
とにより、すべての誘電体は、分極軸が基板面に対して
垂直方向に優先的に配向したc軸配向単結晶膜を(10
0)面配向MgO単結晶基板上に得られた。
【0019】
【表1】
【0020】
【表2】
【0021】続いて、第1電極パターン102を、スパ
ッタエッチングによりパターニングした(図2
(c))。エッチングは、真空度0.06Torr、A
rガス流量10sccm、プラズマパワー170Wの条
件で、15分間を要した。なお、電極パターン102の
パターニングを誘電体膜103の形成前に実施しても問
題はない。感光性ポリイミド樹脂からなる樹脂膜104
を、前記基板101、第1電極102および誘電体膜1
03上に形成した後、この樹脂膜を誘電体膜103上に
コンタクトホールを形成するようにパターニングした
(図2(d))。
ッタエッチングによりパターニングした(図2
(c))。エッチングは、真空度0.06Torr、A
rガス流量10sccm、プラズマパワー170Wの条
件で、15分間を要した。なお、電極パターン102の
パターニングを誘電体膜103の形成前に実施しても問
題はない。感光性ポリイミド樹脂からなる樹脂膜104
を、前記基板101、第1電極102および誘電体膜1
03上に形成した後、この樹脂膜を誘電体膜103上に
コンタクトホールを形成するようにパターニングした
(図2(d))。
【0022】そして、誘電体膜103、基板101およ
び樹脂膜104上に、第2電極パターン105としてN
iーCr合金膜(重量比Ni/Cr=60/40)を形
成し、パターニングを実施した。NiーCr合金膜は、
DC−スパッタ装置により作成した。成膜条件は、真空
度0.24Pa、Arガス流量30sccm、印加電力
300Wであり、得られた膜厚は0.3μmであった。
第2電極膜のパターニングは、ケミカルエッチングによ
り行った。エッチャントは、硝酸セリウムのアンモニウ
ム水溶液を用いた。続いて、粘着剤シート107の粘着
剤部106を前記第2電極パターン105、誘電体膜1
03および基板101を覆うように貼り付けた(図2
(f))。最後に、80℃に加熱した10体積%のリン
酸水溶液によりMgO基板101をエッチングして除去
した(図2(g))。エッチングプロセスには3時間を
要した。粘着剤シートは、素子化プロセスにおける剥離
工程の容易さから、熱剥離タイプあるいは紫外線硬化タ
イプが適当である。
び樹脂膜104上に、第2電極パターン105としてN
iーCr合金膜(重量比Ni/Cr=60/40)を形
成し、パターニングを実施した。NiーCr合金膜は、
DC−スパッタ装置により作成した。成膜条件は、真空
度0.24Pa、Arガス流量30sccm、印加電力
300Wであり、得られた膜厚は0.3μmであった。
第2電極膜のパターニングは、ケミカルエッチングによ
り行った。エッチャントは、硝酸セリウムのアンモニウ
ム水溶液を用いた。続いて、粘着剤シート107の粘着
剤部106を前記第2電極パターン105、誘電体膜1
03および基板101を覆うように貼り付けた(図2
(f))。最後に、80℃に加熱した10体積%のリン
酸水溶液によりMgO基板101をエッチングして除去
した(図2(g))。エッチングプロセスには3時間を
要した。粘着剤シートは、素子化プロセスにおける剥離
工程の容易さから、熱剥離タイプあるいは紫外線硬化タ
イプが適当である。
【0023】上記構成の電子部品用誘電体膜シートの製
造方法において、最初に基板101上に第1電極パター
ン102を形成する代わりに、誘電体膜102、樹脂膜
104および第2電極パターン105を形成し、粘着剤
シート107を貼り付け、基板101をエッチングによ
り除去した後に、誘電体膜103上に、第1電極パター
ン102を形成することもできる。この場合、電極パタ
ーンは、誘電体膜を形成するための高温度を経ないか
ら、電極材料に制限がないという点で有利である。従っ
て、真空蒸着法をはじめ、プロセスの簡易化を図れる。
また、樹脂膜104を形成することにより、基板101
をエッチング除去した後の誘電体膜の腐蝕や割れ、およ
び電極パターン102、105の剥離や断線を低減する
ことができる。なお、本実施例の変形例として、樹脂膜
104の無い形態、第1および第2の電極膜が存在しな
い形態、あるいは電極膜が誘電体膜のいずれか一方にの
み存在する形態も可能である。さらに、基板101とし
てMgO基板を例示したが、ステンレス鋼などの金属基
板やSi単結晶基板をはじめ、エッチング可能な基板で
あれば他の基板も利用できることは明らかである。
造方法において、最初に基板101上に第1電極パター
ン102を形成する代わりに、誘電体膜102、樹脂膜
104および第2電極パターン105を形成し、粘着剤
シート107を貼り付け、基板101をエッチングによ
り除去した後に、誘電体膜103上に、第1電極パター
ン102を形成することもできる。この場合、電極パタ
ーンは、誘電体膜を形成するための高温度を経ないか
ら、電極材料に制限がないという点で有利である。従っ
て、真空蒸着法をはじめ、プロセスの簡易化を図れる。
また、樹脂膜104を形成することにより、基板101
をエッチング除去した後の誘電体膜の腐蝕や割れ、およ
び電極パターン102、105の剥離や断線を低減する
ことができる。なお、本実施例の変形例として、樹脂膜
104の無い形態、第1および第2の電極膜が存在しな
い形態、あるいは電極膜が誘電体膜のいずれか一方にの
み存在する形態も可能である。さらに、基板101とし
てMgO基板を例示したが、ステンレス鋼などの金属基
板やSi単結晶基板をはじめ、エッチング可能な基板で
あれば他の基板も利用できることは明らかである。
【0024】《実施例2》図3は本実施例の焦電型赤外
線検出器の平面図であり、図4は図3のIVーIV'線断面
図である。図5にその作製プロセスの断面図を示す。本
実施例では、焦電体膜エレメントを4行4列(計16エ
レメント)の2次元に配した構成の焦電型赤外線検出器
を示す。まず、実施例1と同様にして、誘電体膜シート
を作製した(図5(a))。本実施例では、第1電極パ
ターンに相当する焦電体膜接続電極301としてPt薄
膜(厚さ0.15μm)を、誘電体である焦電体膜エレ
メント302としてc軸配向PLT薄膜(厚さ2.0μ
m)を、樹脂膜に相当する樹脂保持膜303として感光
性ポリイミド樹脂(厚さ3.5μm)を、第2電極パタ
ーンに相当する赤外線吸収電極304としてNiーCr
合金電極膜(厚さ0.02μm)をそれぞれ用いた。粘
着剤部305を有する粘着剤シート306は、熱剥離タ
イプのシート(例えば、日東電工株式会社製リバアルフ
ァ)を使用した。各要素は、実施例1と同様にして作製
した。焦電体エレメントであるPLT薄膜は、表1の成
膜条件ではc軸配向しており、分極処理無しでも高感度
の焦電特性を有している。焦電体膜エレメント302の
大きさは100μm角である。焦電体膜エレメントの周
囲に焦電体膜ダミーエレメント300を配置した。この
焦電体膜ダミーエレメント300は、焦電体膜エレメン
ト302と同様に焦電体膜接続電極を有しており、外部
信号処理素子上の金属バンプと赤外線吸収電極を導電性
ペーストで接続可能とするものである。
線検出器の平面図であり、図4は図3のIVーIV'線断面
図である。図5にその作製プロセスの断面図を示す。本
実施例では、焦電体膜エレメントを4行4列(計16エ
レメント)の2次元に配した構成の焦電型赤外線検出器
を示す。まず、実施例1と同様にして、誘電体膜シート
を作製した(図5(a))。本実施例では、第1電極パ
ターンに相当する焦電体膜接続電極301としてPt薄
膜(厚さ0.15μm)を、誘電体である焦電体膜エレ
メント302としてc軸配向PLT薄膜(厚さ2.0μ
m)を、樹脂膜に相当する樹脂保持膜303として感光
性ポリイミド樹脂(厚さ3.5μm)を、第2電極パタ
ーンに相当する赤外線吸収電極304としてNiーCr
合金電極膜(厚さ0.02μm)をそれぞれ用いた。粘
着剤部305を有する粘着剤シート306は、熱剥離タ
イプのシート(例えば、日東電工株式会社製リバアルフ
ァ)を使用した。各要素は、実施例1と同様にして作製
した。焦電体エレメントであるPLT薄膜は、表1の成
膜条件ではc軸配向しており、分極処理無しでも高感度
の焦電特性を有している。焦電体膜エレメント302の
大きさは100μm角である。焦電体膜エレメントの周
囲に焦電体膜ダミーエレメント300を配置した。この
焦電体膜ダミーエレメント300は、焦電体膜エレメン
ト302と同様に焦電体膜接続電極を有しており、外部
信号処理素子上の金属バンプと赤外線吸収電極を導電性
ペーストで接続可能とするものである。
【0025】一方、外部信号処理素子307上には、焦
電体膜エレメント302および焦電体膜ダミーエレメン
ト300に対応させて電極パッド308および318が
それぞれ設けられている。そして、一方の電極パッド3
08上に、焦電体膜エレメント302との接続のために
直径20μmの金属バンプ309および310を、また
対極となる電極パッド318上に、赤外線吸収電極30
4との接続のために200μm角の金属バンプ311お
よび312を、それぞれ電解メッキ法により作製した。
本実施例では、焦電体膜接続電極がPtであることを考
慮して、Auバンプ309および311(高さ10μ
m)とInバンプ310および312(高さ5μm)の
積層構造の金属バンプを作製した(図5(b))。次
に、焦電体膜接続電極301とInバンプ310が、ま
た焦電体膜ダミーエレメント300の焦電体膜接続電極
とバンプ312がそれぞれ接触するように配置した状態
で両者を熱圧着した(図5(c))。加熱温度は200
℃であった。次に、粘着剤シートを150℃で1時間加
熱して粘着剤部305から剥離した。ここで、粘着剤シ
ートに熱剥離型シートを使用することにより、容易に赤
外線吸収電極との界面から、ダメージを与えずに粘着剤
シートを剥離することができる。なお、紫外線硬化タイ
プの粘着剤シートを用いた場合も、紫外線照射により容
易に粘着剤を剥離することが可能であった。最後に、赤
外線吸収電極304とダミーエレメント300の電極パ
ッド318上に形成した200μm角のInバンプ31
2を、導電性ペースト313であるAgペーストで接続
させた(図5(d))。
電体膜エレメント302および焦電体膜ダミーエレメン
ト300に対応させて電極パッド308および318が
それぞれ設けられている。そして、一方の電極パッド3
08上に、焦電体膜エレメント302との接続のために
直径20μmの金属バンプ309および310を、また
対極となる電極パッド318上に、赤外線吸収電極30
4との接続のために200μm角の金属バンプ311お
よび312を、それぞれ電解メッキ法により作製した。
本実施例では、焦電体膜接続電極がPtであることを考
慮して、Auバンプ309および311(高さ10μ
m)とInバンプ310および312(高さ5μm)の
積層構造の金属バンプを作製した(図5(b))。次
に、焦電体膜接続電極301とInバンプ310が、ま
た焦電体膜ダミーエレメント300の焦電体膜接続電極
とバンプ312がそれぞれ接触するように配置した状態
で両者を熱圧着した(図5(c))。加熱温度は200
℃であった。次に、粘着剤シートを150℃で1時間加
熱して粘着剤部305から剥離した。ここで、粘着剤シ
ートに熱剥離型シートを使用することにより、容易に赤
外線吸収電極との界面から、ダメージを与えずに粘着剤
シートを剥離することができる。なお、紫外線硬化タイ
プの粘着剤シートを用いた場合も、紫外線照射により容
易に粘着剤を剥離することが可能であった。最後に、赤
外線吸収電極304とダミーエレメント300の電極パ
ッド318上に形成した200μm角のInバンプ31
2を、導電性ペースト313であるAgペーストで接続
させた(図5(d))。
【0026】本実施例の焦電型赤外線検出器では、焦電
体エレメントが完全に分割されており、かつ樹脂で保持
されているために、熱容量が小さく、高感度化が可能で
ある。また、焦電体膜エレメントとして、赤外線の入射
方向に平行に分極軸が配向した焦電体膜を用いることに
より、検出器の高感度化が図れる。さらに、各焦電体エ
レメントが樹脂膜により保持されているために、柔軟性
がある。従って、金属バンプと焦電体エレメントの接合
時に、バンプ高さのバラツキを吸収できるので、製造歩
留まりを向上できる利点がある。
体エレメントが完全に分割されており、かつ樹脂で保持
されているために、熱容量が小さく、高感度化が可能で
ある。また、焦電体膜エレメントとして、赤外線の入射
方向に平行に分極軸が配向した焦電体膜を用いることに
より、検出器の高感度化が図れる。さらに、各焦電体エ
レメントが樹脂膜により保持されているために、柔軟性
がある。従って、金属バンプと焦電体エレメントの接合
時に、バンプ高さのバラツキを吸収できるので、製造歩
留まりを向上できる利点がある。
【0027】《実施例3》図6は本実施例の圧電体素子
の平面図であり、図7は図6のVII-VII'線断面図であ
る。また、図8はその作製プロセスの断面図を示す。本
実施例は、圧電体素子の一例として、圧電体膜からなる
検出部をダイヤフラム上に配した構成の力学量センサを
示す。まず、実施例1と同様にして誘電体膜シートを作
製した(図8(a))。圧電体膜502は、表1の条件
により作製した、PbZr0.53Ti0.47O3の組成から
なるc軸配向PZT薄膜を用いた。このPZTの結晶構
造は正方晶であり、分極軸はc軸である。また、圧電体
膜502は、分極処理なしでも高感度の圧電特性を有し
ていた。圧電体膜接続電極501にPt薄膜を、樹脂保
持膜503には感光性ポリイミド樹脂を、上部電極50
4には真空蒸着法により形成したAu薄膜をそれぞれ用
いた。粘着剤部505を有する粘着剤シート506に
は、熱剥離タイプの粘着剤シート(例えば、日東電工株
式会社製リバアルファ)を使用した。なお、圧電体膜5
02上には、基板固定電極500として、圧電体膜接続
電極501とは分離して同じくPt薄膜を設けた。
の平面図であり、図7は図6のVII-VII'線断面図であ
る。また、図8はその作製プロセスの断面図を示す。本
実施例は、圧電体素子の一例として、圧電体膜からなる
検出部をダイヤフラム上に配した構成の力学量センサを
示す。まず、実施例1と同様にして誘電体膜シートを作
製した(図8(a))。圧電体膜502は、表1の条件
により作製した、PbZr0.53Ti0.47O3の組成から
なるc軸配向PZT薄膜を用いた。このPZTの結晶構
造は正方晶であり、分極軸はc軸である。また、圧電体
膜502は、分極処理なしでも高感度の圧電特性を有し
ていた。圧電体膜接続電極501にPt薄膜を、樹脂保
持膜503には感光性ポリイミド樹脂を、上部電極50
4には真空蒸着法により形成したAu薄膜をそれぞれ用
いた。粘着剤部505を有する粘着剤シート506に
は、熱剥離タイプの粘着剤シート(例えば、日東電工株
式会社製リバアルファ)を使用した。なお、圧電体膜5
02上には、基板固定電極500として、圧電体膜接続
電極501とは分離して同じくPt薄膜を設けた。
【0028】次に、素子基板507として、両面に厚さ
1.5μmの熱酸化膜508を形成した、(100)面
に配向したSi単結晶基板(図8(b))をエッチング
プロセスによりダイヤフラム構造に加工するとともに、
接続用の金属バンプの形成を行った。すなわち、基板5
07の両面のマスク材である熱酸化膜SiO2を反応性
イオンエッチングによりパターニングしてマスクとし
(図8(c))、40%のKOH水溶液で液温75℃の
エッチャントを用いた異方性エッチングにより、Si単
結晶基板507をエッチングした。必要に応じて、図示
したように、Si基板表面に開孔が形成されるまでエッ
チングを実施し、センサの高感度化を図った(図8
(d))。次に、基板507表面に一対の電極パッド5
09としてAu電極膜パターンを形成した後、その上に
金属バンプ510と511を電解メッキ法により順次作
製した。金属バンプ510および511は、Auバンプ
上にInを配した積層構造とし、それぞれ10μmおよ
び5μmの厚みとした(図8(e))。
1.5μmの熱酸化膜508を形成した、(100)面
に配向したSi単結晶基板(図8(b))をエッチング
プロセスによりダイヤフラム構造に加工するとともに、
接続用の金属バンプの形成を行った。すなわち、基板5
07の両面のマスク材である熱酸化膜SiO2を反応性
イオンエッチングによりパターニングしてマスクとし
(図8(c))、40%のKOH水溶液で液温75℃の
エッチャントを用いた異方性エッチングにより、Si単
結晶基板507をエッチングした。必要に応じて、図示
したように、Si基板表面に開孔が形成されるまでエッ
チングを実施し、センサの高感度化を図った(図8
(d))。次に、基板507表面に一対の電極パッド5
09としてAu電極膜パターンを形成した後、その上に
金属バンプ510と511を電解メッキ法により順次作
製した。金属バンプ510および511は、Auバンプ
上にInを配した積層構造とし、それぞれ10μmおよ
び5μmの厚みとした(図8(e))。
【0029】その後、電極501および500と一対の
金属バンプ511を対向させた状態で、熱圧着し、圧電
体膜502を素子基板507上に固定した。加熱温度
は、200℃である。粘着剤シートは150℃程度に加
熱することにより、粘着剤部505より剥離させた。な
お、紫外線硬化タイプの粘着剤シートを用いた場合も、
紫外線照射により容易に粘着剤を剥離することが可能で
あった。最後に、上部電極504は、Agペーストから
なる導電性ペースト512により、基板固定電極500
側の電極パッド509と接続した(図8(g))。ここ
で、圧電体膜502は、基板固定電極500を設けた側
が導電性ペースト512により素子基板507に固定さ
れる。従って、基板固定電極500を省略することも可
能である。
金属バンプ511を対向させた状態で、熱圧着し、圧電
体膜502を素子基板507上に固定した。加熱温度
は、200℃である。粘着剤シートは150℃程度に加
熱することにより、粘着剤部505より剥離させた。な
お、紫外線硬化タイプの粘着剤シートを用いた場合も、
紫外線照射により容易に粘着剤を剥離することが可能で
あった。最後に、上部電極504は、Agペーストから
なる導電性ペースト512により、基板固定電極500
側の電極パッド509と接続した(図8(g))。ここ
で、圧電体膜502は、基板固定電極500を設けた側
が導電性ペースト512により素子基板507に固定さ
れる。従って、基板固定電極500を省略することも可
能である。
【0030】本実施例では、高感度の圧電体材料を粘着
剤シート上に形成した後に、素子基板に接続する方法を
とっている。従って、Si単結晶基板上に、相互拡散等
の問題もなく、高感度な圧電体膜を備えた素子を簡便に
作製することができる。また、素子基板にステンレス鋼
をはじめとする安価な基板材料を利用できる点で本実施
例の構成は有効である。さらに、圧電体膜を保持した樹
脂保持膜を、素子基板の開孔部上に配置した素子を作製
することが可能であり、圧電体膜部分の印加圧力による
変位量が大きくなる。従って、素子の高感度化、高精度
化を図ることができる。なお、本実施例ではダイヤフラ
ム構造の素子について示したが、カンチレバー構造の素
子を本実施例の製造方法によって作製可能である。
剤シート上に形成した後に、素子基板に接続する方法を
とっている。従って、Si単結晶基板上に、相互拡散等
の問題もなく、高感度な圧電体膜を備えた素子を簡便に
作製することができる。また、素子基板にステンレス鋼
をはじめとする安価な基板材料を利用できる点で本実施
例の構成は有効である。さらに、圧電体膜を保持した樹
脂保持膜を、素子基板の開孔部上に配置した素子を作製
することが可能であり、圧電体膜部分の印加圧力による
変位量が大きくなる。従って、素子の高感度化、高精度
化を図ることができる。なお、本実施例ではダイヤフラ
ム構造の素子について示したが、カンチレバー構造の素
子を本実施例の製造方法によって作製可能である。
【0031】《実施例4》図9は本実施例の容量性素子
の断面図であり、図10はその作製プロセスの断面図を
示す。まず、実施例1と同様にして、電子部品用誘電体
膜シートを作製した。誘電体膜702として100μm
角のSrTiO3を用いた(図10(a))。なお、誘
電体膜702上には、基板固定電極700として、誘電
体膜接続電極701とは分離して同じくPt薄膜を設け
た。次に、回路基板707であるポリイミドフィルム上
の一対の銅配線部708上に、電解メッキ法により、A
u−Inの積層構造のバンプを形成した。Auバンプ7
09、Inバンプ710の厚さは、それぞれ10μmお
よび3μmであった(図10(b))。ここで、回路基
板としては、集積回路を形成したSi基板およびアルミ
ナセラミック基板を用いることも可能である。
の断面図であり、図10はその作製プロセスの断面図を
示す。まず、実施例1と同様にして、電子部品用誘電体
膜シートを作製した。誘電体膜702として100μm
角のSrTiO3を用いた(図10(a))。なお、誘
電体膜702上には、基板固定電極700として、誘電
体膜接続電極701とは分離して同じくPt薄膜を設け
た。次に、回路基板707であるポリイミドフィルム上
の一対の銅配線部708上に、電解メッキ法により、A
u−Inの積層構造のバンプを形成した。Auバンプ7
09、Inバンプ710の厚さは、それぞれ10μmお
よび3μmであった(図10(b))。ここで、回路基
板としては、集積回路を形成したSi基板およびアルミ
ナセラミック基板を用いることも可能である。
【0032】そして、電子部品用誘電体膜シートの第1
電極701および基板固定電極700と、回路基板上に
形成した一対のバンプ710を熱圧着して、電気的に接
合した。インジウムの融点は157℃程度であり、加熱
温度180℃で接合は十分であった(図10(c))。
加熱温度が180℃であるため、ポリイミド樹脂材料基
板上に接合できる点で有利である。最後に、粘着剤部7
05を有する粘着剤シート706を剥離した(図10
(d))。粘着剤シートとして、熱剥離タイプのシート
(例えば、日東電工株式会社製リバアルファ)を使用す
れば、100〜150℃に加熱することにより、容易に
粘着剤シートを第2電極704から剥離できる。また、
紫外線硬化型の粘着剤シートを適用しても、紫外線を照
射することにより、容易に粘着剤シートを第2電極から
剥離可能であった。最後に、第2電極パターン704と
基板固定電極700側の銅配線部708をAgペースト
からなる導電性ペースト711により接続した。ここ
で、誘電体膜702は、電極膜700を設けた側が導電
性ペースト711により素子基板707に固定される。
従って、電極膜700を省略することも可能である。
電極701および基板固定電極700と、回路基板上に
形成した一対のバンプ710を熱圧着して、電気的に接
合した。インジウムの融点は157℃程度であり、加熱
温度180℃で接合は十分であった(図10(c))。
加熱温度が180℃であるため、ポリイミド樹脂材料基
板上に接合できる点で有利である。最後に、粘着剤部7
05を有する粘着剤シート706を剥離した(図10
(d))。粘着剤シートとして、熱剥離タイプのシート
(例えば、日東電工株式会社製リバアルファ)を使用す
れば、100〜150℃に加熱することにより、容易に
粘着剤シートを第2電極704から剥離できる。また、
紫外線硬化型の粘着剤シートを適用しても、紫外線を照
射することにより、容易に粘着剤シートを第2電極から
剥離可能であった。最後に、第2電極パターン704と
基板固定電極700側の銅配線部708をAgペースト
からなる導電性ペースト711により接続した。ここ
で、誘電体膜702は、電極膜700を設けた側が導電
性ペースト711により素子基板707に固定される。
従って、電極膜700を省略することも可能である。
【0033】なお、上記実施例において、第1電極パタ
ーン膜として、Ptを用いたが、他のIr、Ruをはじ
めとする金属材料、金属酸化物材料や合金材料を用いる
ことも可能であり、本発明が実施例に挙げたもののみに
限定されるものでないことは明らかである。また、実施
例において、樹脂膜、樹脂保持膜として感光性ポリイミ
ド樹脂を用いたが、他の組成の樹脂や、非感光性の樹脂
を用いることも可能であり、本発明が実施例に挙げたも
ののみに限定されるものでないことは明らかである。実
施例において、誘電体膜を形成するための基板として、
MgO単結晶基板を例示したが、多結晶のMgO焼結体
基板をはじめ、エッチングによる除去が可能な他の基板
を用いることも可能であり、本発明が実施例に挙げたも
ののみに限定されるものでないことは明らかである。さ
らに、実施例4において、回路基板としてポリイミドフ
ィルム基板、集積回路が形成されたSi基板、およびア
ルミナセラミック基板を例示したが、プリント回路基板
をはじめ他の材料から構成される回路基板でも有効であ
ることは明らかである。実施例2、3および4におい
て、誘電体膜と回路基板との接合方法として、マイクロ
バンプ方式を例示したが、導電性樹脂をはじめ、他の接
合方式でも本発明が有効であることは明らかである。
ーン膜として、Ptを用いたが、他のIr、Ruをはじ
めとする金属材料、金属酸化物材料や合金材料を用いる
ことも可能であり、本発明が実施例に挙げたもののみに
限定されるものでないことは明らかである。また、実施
例において、樹脂膜、樹脂保持膜として感光性ポリイミ
ド樹脂を用いたが、他の組成の樹脂や、非感光性の樹脂
を用いることも可能であり、本発明が実施例に挙げたも
ののみに限定されるものでないことは明らかである。実
施例において、誘電体膜を形成するための基板として、
MgO単結晶基板を例示したが、多結晶のMgO焼結体
基板をはじめ、エッチングによる除去が可能な他の基板
を用いることも可能であり、本発明が実施例に挙げたも
ののみに限定されるものでないことは明らかである。さ
らに、実施例4において、回路基板としてポリイミドフ
ィルム基板、集積回路が形成されたSi基板、およびア
ルミナセラミック基板を例示したが、プリント回路基板
をはじめ他の材料から構成される回路基板でも有効であ
ることは明らかである。実施例2、3および4におい
て、誘電体膜と回路基板との接合方法として、マイクロ
バンプ方式を例示したが、導電性樹脂をはじめ、他の接
合方式でも本発明が有効であることは明らかである。
【0034】
【発明の効果】以上のように本発明の電子部品用誘電体
膜シートは、誘電体膜を粘着剤シート上に設けたもので
あるから、この誘電体膜を、回路基板や信号処理素子等
に接続し、粘着剤シートを剥離することにより、容易に
回路基板や信号処理素子等に設置することができる。従
って、誘電体膜を設置する基板や信号処理素子を、誘電
体膜形成に必要な高温に加熱する工程が不要となる。こ
のため、回路基板材料として特別な耐熱性が要求されな
くなるから、プリント回路基板をはじめとした樹脂材料
上に、高誘電率材料からなる容量量性素子を作製するこ
とができる。
膜シートは、誘電体膜を粘着剤シート上に設けたもので
あるから、この誘電体膜を、回路基板や信号処理素子等
に接続し、粘着剤シートを剥離することにより、容易に
回路基板や信号処理素子等に設置することができる。従
って、誘電体膜を設置する基板や信号処理素子を、誘電
体膜形成に必要な高温に加熱する工程が不要となる。こ
のため、回路基板材料として特別な耐熱性が要求されな
くなるから、プリント回路基板をはじめとした樹脂材料
上に、高誘電率材料からなる容量量性素子を作製するこ
とができる。
【0035】また、Siやステンレス鋼基板をはじめと
する種々の安価な基板上に、分極軸が電極面に対して垂
直方向に優先配向した、高感度な焦電体膜や圧電体膜を
備えた素子を作製することができる。さらに、誘電体が
薄膜材料であるために微細加工が可能であり、微小かつ
多様な形状の容量性素子を容易に形成できる点や、素子
全体の小型化を図れる点で有効である。さらにまた、複
数個配置された焦電体エレメントが完全に分割された焦
電型赤外線検出器を作製可能であり、熱容量が小さく高
感度化が可能な点で有効である。
する種々の安価な基板上に、分極軸が電極面に対して垂
直方向に優先配向した、高感度な焦電体膜や圧電体膜を
備えた素子を作製することができる。さらに、誘電体が
薄膜材料であるために微細加工が可能であり、微小かつ
多様な形状の容量性素子を容易に形成できる点や、素子
全体の小型化を図れる点で有効である。さらにまた、複
数個配置された焦電体エレメントが完全に分割された焦
電型赤外線検出器を作製可能であり、熱容量が小さく高
感度化が可能な点で有効である。
【図1】本発明の実施例1の電子部品用誘電体膜シート
の断面図である。
の断面図である。
【図2】実施例1の電子部品用誘電体膜シートの製造プ
ロセスの断面図である。
ロセスの断面図である。
【図3】実施例2の焦電型赤外線検出器の一部を欠截し
た平面図である。
た平面図である。
【図4】図3のIVーIV'線断面図である。
【図5】同焦電型赤外線検出器の製造プロセスを示す断
面図である。
面図である。
【図6】実施例3の圧電体素子の平面図である。
【図7】図6のVIIーVII'線断面図である。
【図8】同圧電体素子の製造プロセスの断面図である。
【図9】実施例4の容量性素子の断面図である。
【図10】同容量性素子の製造プロセスの断面図であ
る。
る。
101 基板 102 第1電極パターン 103 誘電体膜 104 樹脂膜 105 第2電極パターン 106 粘着剤部 107 粘着剤シート 300 焦電体膜ダミーエレメント 301 焦電体膜接続電極 302 焦電体膜エレメント 303 樹脂保持膜 304 赤外線吸収電極 305 粘着剤部 306 粘着剤シート 307 外部信号処理素子 308 電極パッド 309 Auバンプ(焦電体膜接続電極用) 310 Inバンプ(焦電体膜接続電極用) 311 Auバンプ(吸収電極膜用) 312 Inバンプ(吸収電極膜用) 313 導電性ペースト 318 電極パッド(対極) 500 基板固定電極 501 圧電体膜接続電極 502 圧電体膜 503 樹脂保持膜 504 上部電極 505 粘着剤部 506 粘着剤シート 507 素子基板 508 マスク材 509 電極パッド 510 Auバンプ 511 Inバンプ 512 導電性ペースト 700 基板固定電極 701 第1電極パターン 702 誘電体膜 703 有機樹脂膜 704 第2電極パターン 705 粘着剤部 706 粘着剤シート 707 回路基板 708 配線部 709 Auバンプ 710 Inバンプ 711 導電性ペースト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 29/84 H01L 27/10 651 37/02 41/22 Z 41/22 (72)発明者 神野 伊策 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (14)
- 【請求項1】 粘着剤シート上に第2電極パターンを設
け、その上に誘電体膜および第1電極パターンを順次設
けたことを特徴とする電子部品用誘電体膜シート。 - 【請求項2】 さらに、前記誘電体膜の周囲を囲むよう
に配置された樹脂膜を具備し、前記第2電極パターンと
前記誘電体膜とが、前記樹脂膜に形成したコンタクトホ
ールをとおして接触している請求項1記載の電子部品用
誘電体膜シート。 - 【請求項3】 基板上に第1電極パターンを形成する工
程、前記第1電極パターン上に誘電体膜を形成する工
程、前記誘電体膜上に第2電極パターンを形成する工
程、粘着剤シートを、前記誘電体膜、第1電極パター
ン、第2電極パターンおよび基板を覆うように貼り付け
る工程、並びに前記基板をエッチングにより除去する工
程を有することを特徴とする電子部品用誘電体膜シート
の製造方法。 - 【請求項4】 基板上に第1電極パターンを形成する工
程、前記第1電極パターン上に誘電体膜を形成する工
程、前記基板上に前記誘電体膜を囲む形で樹脂膜を形成
し前記誘電体膜上にコンタクトホールを形成する工程、
前記樹脂膜上にコンタクトホールを覆うように第2電極
パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前記誘電体
膜、樹脂膜、第2電極パターンおよび基板を覆うように
貼り付ける工程、並びに前記基板をエッチングにより除
去する工程を有することを特徴とする電子部品用誘電体
膜シートの製造方法。 - 【請求項5】 頂部に金属バンプを形成した複数の電極
および1個または複数の対極を上面に設けた外部信号処
理素子、前記電極にそれぞれ対応する複数の焦電体膜エ
レメントを一方の面を露出させて保持する樹脂保持膜、
前記焦電体膜エレメントの一方の面に形成されて前記金
属バンプにそれぞれ接続された焦電体膜接続電極、前記
樹脂保持膜の他方の面に形成され、樹脂保持膜に形成さ
れたコンタクトホールをとおして前記対極に接続されて
いる赤外線吸収電極膜を具備することを特徴とする焦電
型赤外線検出器。 - 【請求項6】 前記焦電体膜の分極軸が、前記焦電体接
続電極面および赤外線吸収電極膜面に対して垂直方向に
優先的に配向している請求項5に記載の焦電型赤外線検
出器。 - 【請求項7】 基板上に焦電体膜接続電極パターンを形
成する工程、前記焦電体膜接続電極パターン上に焦電体
膜エレメントを形成する工程、前記基板上に前記焦電体
膜エレメントを囲む形で樹脂保持膜を形成し前記焦電体
膜エレメント上にコンタクトホールを形成する工程、前
記樹脂保持膜上にコンタクトホールを覆うように赤外線
吸収電極パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前
記焦電体膜エレメント、樹脂保持膜、赤外線吸収電極パ
ターンおよび基板を覆うように貼り付ける工程、前記基
板をエッチングにより除去する工程、外部信号処理素子
の電極上に金属バンプを形成する工程、前記金属バンプ
と焦電体膜接続電極を接続する工程、粘着剤シートを剥
離する工程、並びに前記赤外線吸収電極パターンと外部
信号処理素子の対極を接合する工程を有することを特徴
とする焦電型赤外線検出器の製造方法。 - 【請求項8】 頂部に金属バンプを形成した電極および
その対極を上面に設けた基板、圧電体膜をその一方の面
を露出させて周囲を覆うように保持している樹脂保持
膜、前記圧電体膜の一方の面に設けられ前記電極の金属
バンプに接続された圧電体膜接続電極、前記樹脂保持膜
に形成されたコンタクトホールをとおして前記圧電体膜
に接続され、かつ前記対極に接続された上部電極膜を具
備することを特徴とする圧電体素子。 - 【請求項9】 前記圧電体膜の分極軸が、前記圧電体接
続電極面および上部電極面に対して垂直方向に優先的に
配向している請求項8に記載の圧電体素子。 - 【請求項10】 基板上に圧電体膜接続電極パターンを
形成する工程、前記圧電体膜接続電極パターン上に圧電
体膜を形成する工程、前記基板上に前記圧電体膜を囲む
形で樹脂保持膜を形成し前記圧電体膜上にコンタクトホ
ールを形成する工程、前記樹脂保持膜上にコンタクトホ
ールを覆うように上部電極パターンを形成する工程、粘
着剤シートを、前記圧電体膜、樹脂保持膜、上部電極パ
ターンおよび基板を覆うように貼り付ける工程、前記基
板をエッチングにより除去する工程、素子基板の電極上
に金属バンプを形成する工程、前記金属バンプと圧電体
膜接続電極を接続する工程、粘着剤シートを剥離する工
程、並びに前記上部電極パターンと素子基板の対極を接
続する工程を有することを特徴とする圧電体素子の製造
方法。 - 【請求項11】 頂部に金属バンプを形成した電極およ
びその対極を上面に設けた回路基板、誘電体膜をその周
囲を覆うように保持している樹脂保持膜、前記誘電体膜
の一方の面に設けられ前記電極の金属バンプに接続され
た第1電極膜、前記樹脂保持膜に形成されたコンタクト
ホールをとおして前記誘電体膜に接続され、かつ前記対
極に接続された第2電極膜を具備することを特徴とする
容量性素子。 - 【請求項12】 基板上に第1電極パターンを形成する
工程、前記第1電極パターン上に誘電体膜を形成する工
程、前記基板上に前記誘電体膜を囲む形で樹脂膜を形成
し前記誘電体膜上にコンタクトホールを形成する工程、
前記樹脂膜上にコンタクトホールを覆うように第2電極
パターンを形成する工程、粘着剤シートを、前記誘電体
膜、樹脂膜、第2電極パターンおよび基板を覆うように
貼り付ける工程、前記基板をエッチングにより除去する
工程、回路基板上に形成された電極上に金属バンプを形
成する工程、前記金属バンプと前記粘着剤シート上の第
1電極パターンとを接続する工程、前記粘着剤シートを
剥離する工程、並びに第2電極パターンと回路基板上の
対極を接続する工程を有することを特徴とする容量性素
子の製造方法。 - 【請求項13】 第1の電極膜と接続するための金属バ
ンプを有する電極およびその対極を上面に設けた基板、
誘電体膜をその一方の面を露出させて周囲を覆うように
保持している樹脂保持膜、前記誘電体膜の一方の面に設
けられ前記金属バンプに接続された第1の電極膜、前記
樹脂保持膜に形成されたコンタクトホールをとおして前
記誘電体膜に接続され、かつ前記対極に接続された第2
の電極膜を具備することを特徴とする誘電体素子。 - 【請求項14】 基板上に第1の電極パターンを形成す
る工程、前記第1の電極パターン上に誘電体膜を形成す
る工程、前記基板上に前記誘電体膜を囲む形で樹脂保持
膜を形成するとともに樹脂保持膜の前記誘電体膜上にコ
ンタクトホールを形成する工程、前記樹脂保持膜上にコ
ンタクトホールを覆うように第2の電極パターンを形成
する工程、粘着剤シートを、前記誘電体膜、樹脂保持
膜、第2の電極パターンおよび基板を覆うように貼り付
ける工程、前記基板をエッチングにより除去する工程、
前記第1の電極膜と接続するための金属バンプを有する
電極および前記第2の電極膜と接続するための対極を設
けた素子基板を準備する工程、前記素子基板の金属バン
プと第1の電極膜を接続する工程、粘着剤シートを剥離
する工程、並びに前記第2の電極膜と素子基板の対極を
接続する工程を有することを特徴とする誘電体素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29031596A JPH10135528A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 電子部品用誘電体膜シート、その製造方法および誘電体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29031596A JPH10135528A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 電子部品用誘電体膜シート、その製造方法および誘電体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135528A true JPH10135528A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17754512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29031596A Withdrawn JPH10135528A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | 電子部品用誘電体膜シート、その製造方法および誘電体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135528A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060676A1 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric thin film device, inkjet recording head using the device and manufacturing methods of the device and the head |
| WO2001035469A1 (en) * | 1999-11-11 | 2001-05-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin-film piezoelectric device |
| JP2001298220A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電駆動体及びその製造方法 |
| US6586861B2 (en) | 1998-11-12 | 2003-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film bulk acoustic wave device |
| JP2005039178A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | 圧電アクチュエータおよびその製造方法、並びに液体吐出装置 |
| JP2005537141A (ja) * | 2002-08-28 | 2005-12-08 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 転写微細加工 |
| JP2010192721A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Fujifilm Corp | 圧電素子とその製造方法、及び液体吐出装置 |
| JP2012119352A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 赤外線素子実装構造体および赤外線素子実装用基板 |
| US8803405B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-08-12 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer, biological sensor, and method for manufacturing an ultrasonic transducer |
-
1996
- 1996-10-31 JP JP29031596A patent/JPH10135528A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586861B2 (en) | 1998-11-12 | 2003-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film bulk acoustic wave device |
| WO2000060676A1 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric thin film device, inkjet recording head using the device and manufacturing methods of the device and the head |
| US6688731B1 (en) | 1999-04-06 | 2004-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric thin film element, ink jet recording head using such a piezoelectric thin film element, and their manufacture methods |
| WO2001035469A1 (en) * | 1999-11-11 | 2001-05-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin-film piezoelectric device |
| JP2001298220A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電駆動体及びその製造方法 |
| JP2005537141A (ja) * | 2002-08-28 | 2005-12-08 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ | 転写微細加工 |
| JP2005039178A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | 圧電アクチュエータおよびその製造方法、並びに液体吐出装置 |
| JP2010192721A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Fujifilm Corp | 圧電素子とその製造方法、及び液体吐出装置 |
| JP2012119352A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 赤外線素子実装構造体および赤外線素子実装用基板 |
| US8803405B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-08-12 | Seiko Epson Corporation | Ultrasonic transducer, biological sensor, and method for manufacturing an ultrasonic transducer |
| US9231190B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-01-05 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing an ultrasonic transducer, biological sensor |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040825 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060623 |