JPH10135562A - 半導体素子の劈開方法 - Google Patents
半導体素子の劈開方法Info
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- JPH10135562A JPH10135562A JP8287894A JP28789496A JPH10135562A JP H10135562 A JPH10135562 A JP H10135562A JP 8287894 A JP8287894 A JP 8287894A JP 28789496 A JP28789496 A JP 28789496A JP H10135562 A JPH10135562 A JP H10135562A
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- semiconductor layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の劈開方法に関し、ＭｇＯ基板の
劈開を利用して短波長半導体レーザの共振器面を形成す
る。 【解決手段】 ＭｇＯ基板１上に成長させた半導体層
を、ＭｇＯ基板１の｛１１０｝面３の劈開を利用して劈
開し、レーザ共振器を形成する。
劈開を利用して短波長半導体レーザの共振器面を形成す
る。 【解決手段】 ＭｇＯ基板１上に成長させた半導体層
を、ＭｇＯ基板１の｛１１０｝面３の劈開を利用して劈
開し、レーザ共振器を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の劈開方
法に関するものであり、特に、III 族窒化物半導体を用
いた短波長半導体レーザの共振器を作成するための劈開
方法に関するものである。
法に関するものであり、特に、III 族窒化物半導体を用
いた短波長半導体レーザの共振器を作成するための劈開
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、緑色から紫外領域にかけた短波長
半導体レーザの研究が盛んに行われており、光磁気ディ
スク等の光磁気記録装置の記録密度を向上させるため
の、書込・読出用の新たな光源として期待されている。
半導体レーザの研究が盛んに行われており、光磁気ディ
スク等の光磁気記録装置の記録密度を向上させるため
の、書込・読出用の新たな光源として期待されている。
【０００３】従来、青色発光素子として用いられている
ＧａＮ等のIII 族窒化物半導体は、ウルツ鉱型化合物半
導体であるため、六方晶系のサファイア基板或いは類似
の結晶構造を有する６Ｈ−ＳｉＣ基板上にＭＯＶＰＥ法
（有機金属気相成長法）を用いてエピタキシャル成長さ
せていた。
ＧａＮ等のIII 族窒化物半導体は、ウルツ鉱型化合物半
導体であるため、六方晶系のサファイア基板或いは類似
の結晶構造を有する６Ｈ−ＳｉＣ基板上にＭＯＶＰＥ法
（有機金属気相成長法）を用いてエピタキシャル成長さ
せていた。
【０００４】図５（ａ）参照 例えば、サファイア基板を用いた場合には、ｃ面、即
ち、（０００１）面を主面とするサファイア（０００
１）基板４１上に、ＧａＮバッファ層４２を介して、ｎ
型ＧａＮバッファ層４３、ｎ型Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層４
４、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４５、ｎ型Ｇａ
Ｎ光ガイド層４６、ＩｎＧａＮＭＱＷ活性層４７、ｐ型
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層４８、ｐ型ＧａＮ光ガイド層４
９、ｐ型Ａｌ0. 15Ｇａ0.85Ｎクラッド層５０、及び、ｐ
型ＧａＮコンタクト層５１をＭＯＶＰＥ法によってエピ
タキシャル成長させる。
ち、（０００１）面を主面とするサファイア（０００
１）基板４１上に、ＧａＮバッファ層４２を介して、ｎ
型ＧａＮバッファ層４３、ｎ型Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層４
４、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４５、ｎ型Ｇａ
Ｎ光ガイド層４６、ＩｎＧａＮＭＱＷ活性層４７、ｐ型
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層４８、ｐ型ＧａＮ光ガイド層４
９、ｐ型Ａｌ0. 15Ｇａ0.85Ｎクラッド層５０、及び、ｐ
型ＧａＮコンタクト層５１をＭＯＶＰＥ法によってエピ
タキシャル成長させる。
【０００５】次いで、ドライ・エッチングによりｎ型Ｇ
ａＮバッファ層４３の一部を露出させて、ｎ側電極５２
を設けると共に、ｐ型ＧａＮコンタクト層５１上にはｐ
側電極５３を設けたのち、さらに、ドライ・エッチング
を施して一対の平行な端面を形成し、この端面を共振器
面にすることによってレーザ発振に成功している（必要
ならば、Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ ｅｔ ａｌ．，Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．３５，ｐ．Ｌ７４，１９９６
参照）。
ａＮバッファ層４３の一部を露出させて、ｎ側電極５２
を設けると共に、ｐ型ＧａＮコンタクト層５１上にはｐ
側電極５３を設けたのち、さらに、ドライ・エッチング
を施して一対の平行な端面を形成し、この端面を共振器
面にすることによってレーザ発振に成功している（必要
ならば、Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ ｅｔ ａｌ．，Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．３５，ｐ．Ｌ７４，１９９６
参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の短波長
半導体レーザにおいては、共振器面をエッチングによっ
て形成しているので平坦性、平行性、及び、垂直性に優
れた端面が得られないため、光の損失が大きく、しきい
値電流密度が大きくなるという問題がある。
半導体レーザにおいては、共振器面をエッチングによっ
て形成しているので平坦性、平行性、及び、垂直性に優
れた端面が得られないため、光の損失が大きく、しきい
値電流密度が大きくなるという問題がある。
【０００７】図５（ｂ）参照 また、エッチングによって共振器面を形成した場合、Ｉ
ｎＧａＮＭＱＷ活性層４７から出射されたレーザ光は、
図に示すように、残存するサファイア基板４１によって
進路が妨げられ、所期のファーフィールドパターン５４
が得られないという問題もある。
ｎＧａＮＭＱＷ活性層４７から出射されたレーザ光は、
図に示すように、残存するサファイア基板４１によって
進路が妨げられ、所期のファーフィールドパターン５４
が得られないという問題もある。
【０００８】この様な、問題は、エッチングにより共振
器面を作製することに起因するものであるが、劈開によ
り共振器面を形成しようとしても、III 族窒化物半導体
層の容易劈開面である（１−１００）面の方向と、サフ
ァイア基板４１の容易劈開面である（１−１０２）面の
方向が３０°ずれて成長し、且つ、基板面に対してサフ
ァイア基板４１の劈開面が４７．３４°と垂直から遠い
（３０°以上）ため、サファイア基板４１を劈開するこ
とによってきれいな共振器端面が得られない。なお、本
明細書においては、通常“１バー”或いは“２バー”で
表される指数を便宜的に、“−１”或いは“−２”等で
表記する。
器面を作製することに起因するものであるが、劈開によ
り共振器面を形成しようとしても、III 族窒化物半導体
層の容易劈開面である（１−１００）面の方向と、サフ
ァイア基板４１の容易劈開面である（１−１０２）面の
方向が３０°ずれて成長し、且つ、基板面に対してサフ
ァイア基板４１の劈開面が４７．３４°と垂直から遠い
（３０°以上）ため、サファイア基板４１を劈開するこ
とによってきれいな共振器端面が得られない。なお、本
明細書においては、通常“１バー”或いは“２バー”で
表される指数を便宜的に、“−１”或いは“−２”等で
表記する。
【０００９】即ち、（０００１）面、即ち、ｃ面を主面
とするサファイア基板４１上にIII族窒化物半導体層を
エピタキシャル成長させた場合、III 族窒化物半導体層
の主面もｃ面となり、且つ、サファイア基板４１の｛１
１−２０｝面とIII 族窒化物半導体層の｛１−１００｝
面とが平行になるように成長し、このため、サファイア
基板４１の劈開によってはIII 族窒化物半導体層に共振
器面を形成できないことになる。
とするサファイア基板４１上にIII族窒化物半導体層を
エピタキシャル成長させた場合、III 族窒化物半導体層
の主面もｃ面となり、且つ、サファイア基板４１の｛１
１−２０｝面とIII 族窒化物半導体層の｛１−１００｝
面とが平行になるように成長し、このため、サファイア
基板４１の劈開によってはIII 族窒化物半導体層に共振
器面を形成できないことになる。
【００１０】この様な問題を解決するために、ａ面、即
ち、（１１−２０）面を主面とするサファイア基板上に
III 族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させて、ｒ
面、即ち、｛１−１０２｝面で劈開することも試みられ
ているが、劈開方向が若干ずれているため、平坦な共振
器面が得られていない。
ち、（１１−２０）面を主面とするサファイア基板上に
III 族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させて、ｒ
面、即ち、｛１−１０２｝面で劈開することも試みられ
ているが、劈開方向が若干ずれているため、平坦な共振
器面が得られていない。
【００１１】また、６Ｈ−ＳｉＣ基板を用いた場合に
は、劈開法により平坦性及び平行度の優れた共振器面を
形成することが可能であるが、大口径で高品質の６Ｈ−
ＳｉＣ基板がなく、且つ、価格も高いために量産には向
かないといった問題がある。
は、劈開法により平坦性及び平行度の優れた共振器面を
形成することが可能であるが、大口径で高品質の６Ｈ−
ＳｉＣ基板がなく、且つ、価格も高いために量産には向
かないといった問題がある。
【００１２】したがって、本発明は、ＭｇＯ基板の劈開
を利用してウルツ鉱型のIII 族窒化物半導体層を素子分
割すること、特に、短波長半導体レーザの共振器面を形
成することを目的とする。
を利用してウルツ鉱型のIII 族窒化物半導体層を素子分
割すること、特に、短波長半導体レーザの共振器面を形
成することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、半導体素子の劈開方法において、Ｍｇ
Ｏ基板１上に成長させた半導体層を、ＭｇＯ基板１の
｛１１０｝面３の劈開を利用して素子分割を行うことを
特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、半導体素子の劈開方法において、Ｍｇ
Ｏ基板１上に成長させた半導体層を、ＭｇＯ基板１の
｛１１０｝面３の劈開を利用して素子分割を行うことを
特徴とする。
【００１４】岩塩型の結晶構造を有するＭｇＯは、一般
には、｛１００｝面で劈開することは知られているが、
このＭｇＯを（１１１）面を主面とし、且つ、その厚さ
を５０〜５００μｍとする基板とした場合、表面の端に
〈１１−２〉方向に軽く傷をつけて柔らかい板の上に載
置し、ピンセットの先等で押さえつけることで（１−１
０）面、即ち、｛１１０｝面で劈開し、平坦な端面を得
ることができる。
には、｛１００｝面で劈開することは知られているが、
このＭｇＯを（１１１）面を主面とし、且つ、その厚さ
を５０〜５００μｍとする基板とした場合、表面の端に
〈１１−２〉方向に軽く傷をつけて柔らかい板の上に載
置し、ピンセットの先等で押さえつけることで（１−１
０）面、即ち、｛１１０｝面で劈開し、平坦な端面を得
ることができる。
【００１５】従って、ＭｇＯ基板１上に素子を形成する
ための半導体層を成長させたのち、半導体層の表面の端
に〈１１−２〉方向に軽く傷６をつけて柔らかいゴム板
４の上に載置し、ピンセット５の先で押さえつけること
で（１−１０）面で劈開し、素子分割を行うことができ
る。
ための半導体層を成長させたのち、半導体層の表面の端
に〈１１−２〉方向に軽く傷６をつけて柔らかいゴム板
４の上に載置し、ピンセット５の先で押さえつけること
で（１−１０）面で劈開し、素子分割を行うことができ
る。
【００１６】（２）また、本発明は半導体素子の劈開方
法において、ＭｇＯ基板１上に成長させた半導体層を、
ＭｇＯ基板１の｛１１０｝面３の劈開を利用して劈開
し、レーザ共振器を形成することを特徴とする。
法において、ＭｇＯ基板１上に成長させた半導体層を、
ＭｇＯ基板１の｛１１０｝面３の劈開を利用して劈開
し、レーザ共振器を形成することを特徴とする。
【００１７】ＭｇＯの｛１１０｝面３に垂直な面をＭｇ
Ｏ基板１の主面とすることにより、その上に成長させた
半導体層を平坦で垂直な｛１１０｝面３で再現性良く劈
開することができ、この一対の平行な｛１１０｝面３と
半導体層の劈開方向を一致させることによって、レーザ
共振器面を劈開で形成することができ、低損失のレーザ
が得られる。
Ｏ基板１の主面とすることにより、その上に成長させた
半導体層を平坦で垂直な｛１１０｝面３で再現性良く劈
開することができ、この一対の平行な｛１１０｝面３と
半導体層の劈開方向を一致させることによって、レーザ
共振器面を劈開で形成することができ、低損失のレーザ
が得られる。
【００１８】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、半導体層がウルツ鉱型のIII 族窒化物
半導体層２であり、且つ、ＭｇＯ基板１の主面が、オフ
角θ 1 を０°≦θ1 ≦１０°とした場合、｛１１１｝面
からθ1 だけオフした面であることを特徴とする。
（２）において、半導体層がウルツ鉱型のIII 族窒化物
半導体層２であり、且つ、ＭｇＯ基板１の主面が、オフ
角θ 1 を０°≦θ1 ≦１０°とした場合、｛１１１｝面
からθ1 だけオフした面であることを特徴とする。
【００１９】この様に、ＭｇＯ基板１の主面を｛１１
１｝面とした場合、その上に成長するウルツ鉱型のIII
族窒化物半導体層２の主面は｛０００１｝面、即ち、ｃ
面となり、ＭｇＯ基板１の｛１１０｝面３、例えば、
（１−１０）面と、III 族窒化物半導体層２の劈開面で
ある｛１１−２０｝面７とが平行になり、ＭｇＯ基板１
の劈開によってIII 族窒化物半導体層２を再現性良く劈
開することができる。なお、この場合の主面は、｛１１
１｝面から０°乃至１０°オフした面であっても良く、
０°の場合は｛１１１｝面そのものである。
１｝面とした場合、その上に成長するウルツ鉱型のIII
族窒化物半導体層２の主面は｛０００１｝面、即ち、ｃ
面となり、ＭｇＯ基板１の｛１１０｝面３、例えば、
（１−１０）面と、III 族窒化物半導体層２の劈開面で
ある｛１１−２０｝面７とが平行になり、ＭｇＯ基板１
の劈開によってIII 族窒化物半導体層２を再現性良く劈
開することができる。なお、この場合の主面は、｛１１
１｝面から０°乃至１０°オフした面であっても良く、
０°の場合は｛１１１｝面そのものである。
【００２０】（４）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、半導体層がウルツ鉱型のIII 族窒化物
半導体層２であり、且つ、ＭｇＯ基板１の主面が、オフ
角θ 2 を２°≦θ2 ≦１０°とした場合、｛１００｝面
から〔０１１〕方向にθ2 だけオフした面であることを
特徴とする。
（２）において、半導体層がウルツ鉱型のIII 族窒化物
半導体層２であり、且つ、ＭｇＯ基板１の主面が、オフ
角θ 2 を２°≦θ2 ≦１０°とした場合、｛１００｝面
から〔０１１〕方向にθ2 だけオフした面であることを
特徴とする。
【００２１】この様に、ＭｇＯ基板１の主面を｛１０
０｝面から〔０１１〕方向に約５°オフした面とした場
合、その上に成長するウルツ鉱型のIII 族窒化物半導体
層２の主面は｛０００１｝面となり、ＭｇＯ基板１の
｛１１０｝面３、例えば、（１−１０）面と、III 族窒
化物半導体層２の劈開面である｛１−１００｝面とが平
行になり、ＭｇＯ基板１の劈開によってIII 族窒化物半
導体層２を再現性良く劈開することができる。なお、こ
の場合の主面は、｛１００｝面から〔０１１〕方向に２
°乃至１０°オフした面であっても良い。
０｝面から〔０１１〕方向に約５°オフした面とした場
合、その上に成長するウルツ鉱型のIII 族窒化物半導体
層２の主面は｛０００１｝面となり、ＭｇＯ基板１の
｛１１０｝面３、例えば、（１−１０）面と、III 族窒
化物半導体層２の劈開面である｛１−１００｝面とが平
行になり、ＭｇＯ基板１の劈開によってIII 族窒化物半
導体層２を再現性良く劈開することができる。なお、こ
の場合の主面は、｛１００｝面から〔０１１〕方向に２
°乃至１０°オフした面であっても良い。
【００２２】
【発明の実施の形態】ここで、図２及び図３を参照し
て、本発明の第１の実施の形態を説明する。 図２（ａ）及び（ｂ）参照 まず、（１１１）面を主面とするＭｇＯ基板基板１１上
に、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）を１０〜１０
０μｍｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、アンモニ
アを０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏ
ｌ／分、及び、キャリアガスとしての水素を３００〜３
０００ｓｃｃｍ、例えば、１０００ｓｃｃｍを流し、成
長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏｒ
ｒとし、成長温度を９００〜１１５０℃、例えば、１０
００℃とした状態で、厚さ１０〜１００ｎｍ、好適には
３０ｎｍのＡｌＮバッファ層１２を成長させる。
て、本発明の第１の実施の形態を説明する。 図２（ａ）及び（ｂ）参照 まず、（１１１）面を主面とするＭｇＯ基板基板１１上
に、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）を１０〜１０
０μｍｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、アンモニ
アを０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏ
ｌ／分、及び、キャリアガスとしての水素を３００〜３
０００ｓｃｃｍ、例えば、１０００ｓｃｃｍを流し、成
長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏｒ
ｒとし、成長温度を９００〜１１５０℃、例えば、１０
００℃とした状態で、厚さ１０〜１００ｎｍ、好適には
３０ｎｍのＡｌＮバッファ層１２を成長させる。
【００２３】次いで、ＴＭＧａ（トリメチルガリウム）
を１０〜１００μｍｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／
分、ＴＭＡｌを１０〜１００μｍｏｌ／分、例えば、４
５μｍｏｌ／分、アンモニア（ＮＨ3 ）を０．０２〜
０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏｌ／分、Ｓｉ2
Ｈ6 を０．０００１〜０．００２μｍｏｌ／分、例え
ば、０．０００７μｍｏｌ／分、及び、キャリアガスと
しての水素を３００〜３０００ｓｃｃｍ、例えば、１０
００ｓｃｃｍ流し、成長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ、
例えば、１００Ｔｏｒｒとし、成長温度を８５０〜１１
００℃、例えば、９５０℃とした状態で、１００〜５０
００ｎｍ、好適には２０００ｎｍのｎ型Ａｌ 0.1 Ｇａ
0.9 Ｎクラッド層１３を成長させる。
を１０〜１００μｍｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／
分、ＴＭＡｌを１０〜１００μｍｏｌ／分、例えば、４
５μｍｏｌ／分、アンモニア（ＮＨ3 ）を０．０２〜
０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏｌ／分、Ｓｉ2
Ｈ6 を０．０００１〜０．００２μｍｏｌ／分、例え
ば、０．０００７μｍｏｌ／分、及び、キャリアガスと
しての水素を３００〜３０００ｓｃｃｍ、例えば、１０
００ｓｃｃｍ流し、成長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ、
例えば、１００Ｔｏｒｒとし、成長温度を８５０〜１１
００℃、例えば、９５０℃とした状態で、１００〜５０
００ｎｍ、好適には２０００ｎｍのｎ型Ａｌ 0.1 Ｇａ
0.9 Ｎクラッド層１３を成長させる。
【００２４】引き続いて、ＴＭＧａを１０〜１００μｍ
ｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、アンモニアを
０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏｌ／
分、Ｓｉ2 Ｈ6 を０．０００１〜０．００２μｍｏｌ／
分、例えば、０．０００７μｍｏｌ／分、及び、キャリ
アガスとしての水素を３００〜３０００ｓｃｃｍ、例え
ば、１０００ｓｃｃｍを流し、成長圧力を７０〜７６０
Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏｒｒとし、成長温度を８
００〜１０５０℃、例えば、９３０℃とした状態で、厚
さ５０〜５００ｎｍ、好適には１００ｎｍのｎ型ＧａＮ
光ガイド層１４を成長させる。
ｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、アンモニアを
０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏｌ／
分、Ｓｉ2 Ｈ6 を０．０００１〜０．００２μｍｏｌ／
分、例えば、０．０００７μｍｏｌ／分、及び、キャリ
アガスとしての水素を３００〜３０００ｓｃｃｍ、例え
ば、１０００ｓｃｃｍを流し、成長圧力を７０〜７６０
Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏｒｒとし、成長温度を８
００〜１０５０℃、例えば、９３０℃とした状態で、厚
さ５０〜５００ｎｍ、好適には１００ｎｍのｎ型ＧａＮ
光ガイド層１４を成長させる。
【００２５】引き続いて、ＴＭＧａを２．５〜２５μｍ
ｏｌ／分、例えば、１０μｍｏｌ／分、ＴＭＩｎ（トリ
メチルインジウム）を２５〜２５０μｍｏｌ／分、例え
ば、１００μｍｏｌ／分、アンモニアを０．０２〜０．
２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏｌ／分、及び、キャ
リアガスとしての窒素を３００〜３０００ｓｃｃｍ、例
えば、１０００ｓｃｃｍを流し、成長圧力を７０〜７６
０Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏｒｒとし、成長温度を
５５０〜８００℃、例えば、６５０℃とした状態で、厚
さ１〜２０ｎｍ、好適には３ｎｍのＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ
活性層１５を成長させる。
ｏｌ／分、例えば、１０μｍｏｌ／分、ＴＭＩｎ（トリ
メチルインジウム）を２５〜２５０μｍｏｌ／分、例え
ば、１００μｍｏｌ／分、アンモニアを０．０２〜０．
２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏｌ／分、及び、キャ
リアガスとしての窒素を３００〜３０００ｓｃｃｍ、例
えば、１０００ｓｃｃｍを流し、成長圧力を７０〜７６
０Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏｒｒとし、成長温度を
５５０〜８００℃、例えば、６５０℃とした状態で、厚
さ１〜２０ｎｍ、好適には３ｎｍのＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ
活性層１５を成長させる。
【００２６】引き続いて、ＴＭＧａを１０〜１００μｍ
ｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、アンモニアを
０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏｌ／
分、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムを０．０１
〜０．５μｍｏｌ／分、例えば、０．０５μｍｏｌ／
分、及び、キャリアガスとしての水素を３００〜３００
０ｓｃｃｍ、例えば、１０００ｓｃｃｍを流し、成長圧
力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏｒｒと
し、成長温度を８００〜１０５０℃、例えば、９３０℃
とした状態で、厚さ５０〜５００ｎｍ、好適には１００
ｎｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層１６を成長させる。
ｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、アンモニアを
０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．１ｍｏｌ／
分、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムを０．０１
〜０．５μｍｏｌ／分、例えば、０．０５μｍｏｌ／
分、及び、キャリアガスとしての水素を３００〜３００
０ｓｃｃｍ、例えば、１０００ｓｃｃｍを流し、成長圧
力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏｒｒと
し、成長温度を８００〜１０５０℃、例えば、９３０℃
とした状態で、厚さ５０〜５００ｎｍ、好適には１００
ｎｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層１６を成長させる。
【００２７】引き続いて、ＴＭＧａを１０〜１００μｍ
ｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、ＴＭＡｌを１０
〜１００μｍｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、ア
ンモニアを０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．
１ｍｏｌ／分、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム
を０．０１〜０．５μｍｏｌ／分、例えば、０．０５μ
ｍｏｌ／分、及び、キャリアガスとしての水素を３００
〜３０００ｓｃｃｍ、例えば、１０００ｓｃｃｍ流し、
成長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏ
ｒｒとし、成長温度を８５０〜１１００℃、例えば、９
５０℃とした状態で、１００〜２０００ｎｍ、好適には
５００ｎｍのｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層１７を
成長させる。
ｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、ＴＭＡｌを１０
〜１００μｍｏｌ／分、例えば、４５μｍｏｌ／分、ア
ンモニアを０．０２〜０．２ｍｏｌ／分、例えば、０．
１ｍｏｌ／分、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム
を０．０１〜０．５μｍｏｌ／分、例えば、０．０５μ
ｍｏｌ／分、及び、キャリアガスとしての水素を３００
〜３０００ｓｃｃｍ、例えば、１０００ｓｃｃｍ流し、
成長圧力を７０〜７６０Ｔｏｒｒ、例えば、１００Ｔｏ
ｒｒとし、成長温度を８５０〜１１００℃、例えば、９
５０℃とした状態で、１００〜２０００ｎｍ、好適には
５００ｎｍのｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層１７を
成長させる。
【００２８】なお、この場合のＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラ
ッド層１３，１７の成長速度は０．６〜５．５μｍ／
時、典型的には２．６μｍ／時であり、また、ＧａＮ光
ガイド層１４，１６の成長速度は０．５〜５．２μｍ／
時、典型的には２．４μｍ／時であり、さらに、Ｉｎ
0.1 Ｇａ0.9 Ｎ活性層１５の成長速度は０．１〜１．５
μｍ／時、典型的には０．６μｍ／時である。
ッド層１３，１７の成長速度は０．６〜５．５μｍ／
時、典型的には２．６μｍ／時であり、また、ＧａＮ光
ガイド層１４，１６の成長速度は０．５〜５．２μｍ／
時、典型的には２．４μｍ／時であり、さらに、Ｉｎ
0.1 Ｇａ0.9 Ｎ活性層１５の成長速度は０．１〜１．５
μｍ／時、典型的には０．６μｍ／時である。
【００２９】次いで、ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド
層１７乃至ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層１３を
〈１１−２０〉方向にストライプ状にエッチングしたの
ち、露出したｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層１３に
ｎ側電極としてのＴｉ／Ａｕ電極１８を設け、一方、ｐ
型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層１７上にはｐ側電極と
してＮｉ／Ａｕ電極１９を設ける。
層１７乃至ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層１３を
〈１１−２０〉方向にストライプ状にエッチングしたの
ち、露出したｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層１３に
ｎ側電極としてのＴｉ／Ａｕ電極１８を設け、一方、ｐ
型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層１７上にはｐ側電極と
してＮｉ／Ａｕ電極１９を設ける。
【００３０】次いで、成長層であるIII 族窒化物半導体
層２０側に〈１１−２〉方向２３に傷２１をつけたの
ち、III 族窒化物半導体層２０側が下になるようにして
ゴム板２２上に載置し、ＭｇＯ基板１１を裏面からピン
セット２４の先で押圧することによって、ＭｇＯ基板１
１を（１−１０）面２５で劈開すると、ｐ型Ａｌ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ｎクラッド層１７乃至ＡｌＮバッファ層１２から
なるIII 族窒化物半導体層２０も（１１−２０）面２６
で劈開し、この（１１−２０）面２６を共振器面とする
ことによって短波長半導体レーザが完成する。
層２０側に〈１１−２〉方向２３に傷２１をつけたの
ち、III 族窒化物半導体層２０側が下になるようにして
ゴム板２２上に載置し、ＭｇＯ基板１１を裏面からピン
セット２４の先で押圧することによって、ＭｇＯ基板１
１を（１−１０）面２５で劈開すると、ｐ型Ａｌ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ｎクラッド層１７乃至ＡｌＮバッファ層１２から
なるIII 族窒化物半導体層２０も（１１−２０）面２６
で劈開し、この（１１−２０）面２６を共振器面とする
ことによって短波長半導体レーザが完成する。
【００３１】図３（ａ）参照 図３（ａ）はＭｇＯ基板１１の（１１１）面における原
子配列を示す図であり、Ｏ原子２７が正六角形の格子を
形成するように配置され、（１−１０）面２５が上述の
ように劈開面となる。
子配列を示す図であり、Ｏ原子２７が正六角形の格子を
形成するように配置され、（１−１０）面２５が上述の
ように劈開面となる。
【００３２】図３（ｂ）参照 図３（ｂ）は（１１１）面を主面とするＭｇＯ基板１１
上に成長させたIII 族窒化物半導体層２０の原子配列を
示す図であり、Ｎ原子２８が正六角形の格子を形成する
ように〈０００１〉方向、即ち、ｃ軸方向に沿って成長
するため、その劈開面である（１１−２０）面２６とＭ
ｇＯ基板１１の劈開面である（１−１０）面２５とが平
行になる。
上に成長させたIII 族窒化物半導体層２０の原子配列を
示す図であり、Ｎ原子２８が正六角形の格子を形成する
ように〈０００１〉方向、即ち、ｃ軸方向に沿って成長
するため、その劈開面である（１１−２０）面２６とＭ
ｇＯ基板１１の劈開面である（１−１０）面２５とが平
行になる。
【００３３】したがって、ＭｇＯ基板１１を（１−１
０）面２５で劈開することによって、その上に成長して
いる薄いIII 族窒化物半導体層２０は（１−１０）面２
５と平行な（１１−２０）面２６で劈開し、ＭｇＯ基板
１１の主面に垂直で、且つ、平行な一対の平坦な共振器
面を形成することができ、レーザ損失が少なくなる。
０）面２５で劈開することによって、その上に成長して
いる薄いIII 族窒化物半導体層２０は（１−１０）面２
５と平行な（１１−２０）面２６で劈開し、ＭｇＯ基板
１１の主面に垂直で、且つ、平行な一対の平坦な共振器
面を形成することができ、レーザ損失が少なくなる。
【００３４】なお、上記の第１の実施の形態におけるＭ
ｇＯ基板１１の主面は（１１１）面であるが、（１１
１）面と等価な｛１１１｝面であれば良く、また、純粋
な｛１１１｝面である必要はなく、｛１１１｝面からθ
1 （但し、０°＜θ1 ≦１０°）オフした面を用いても
良く、この程度のオフ角の範囲であれば、III 族窒化物
半導体層の劈開に問題はない。
ｇＯ基板１１の主面は（１１１）面であるが、（１１
１）面と等価な｛１１１｝面であれば良く、また、純粋
な｛１１１｝面である必要はなく、｛１１１｝面からθ
1 （但し、０°＜θ1 ≦１０°）オフした面を用いても
良く、この程度のオフ角の範囲であれば、III 族窒化物
半導体層の劈開に問題はない。
【００３５】次に、図４を参照して本発明の第２の実施
の形態を説明する。なお、この第２の実施の形態におい
ては、成長基板として（００１）面から〈１１０〉方向
に５°オフしたＭｇＯ基板を用いる以外は、第１の実施
の形態と同じ製造条件で積層構造を作製し、電極を形成
する。
の形態を説明する。なお、この第２の実施の形態におい
ては、成長基板として（００１）面から〈１１０〉方向
に５°オフしたＭｇＯ基板を用いる以外は、第１の実施
の形態と同じ製造条件で積層構造を作製し、電極を形成
する。
【００３６】但し、ＭｇＯ基板の主面の違いにより、そ
の上に成長するIII 族窒化物半導体層の成長軸の方向も
異なり、したがって、劈開面も異なることになる。
の上に成長するIII 族窒化物半導体層の成長軸の方向も
異なり、したがって、劈開面も異なることになる。
【００３７】図４（ａ）参照 図４（ａ）はＭｇＯ基板３１の（００１）面から〈１１
０〉方向に５°オフした面における原子配列を投影的に
示す図であり、Ｏ原子３３とＭｇ原子３４とが面心立法
的に配置され、この場合も、（１−１０）面３５が劈開
面となる。
０〉方向に５°オフした面における原子配列を投影的に
示す図であり、Ｏ原子３３とＭｇ原子３４とが面心立法
的に配置され、この場合も、（１−１０）面３５が劈開
面となる。
【００３８】図４（ｂ）参照 図４（ｂ）は上記のＭｇＯ基板３１上に成長させたIII
族窒化物半導体層３２の原子配列を示す図であり、Ｎ原
子３２が正六角形の格子を形成するように〈０００１〉
方向に沿って成長するため、その劈開面である（１−１
００）面３７とＭｇＯ基板３１の劈開面である（１−１
０）面３５とが平行になる。
族窒化物半導体層３２の原子配列を示す図であり、Ｎ原
子３２が正六角形の格子を形成するように〈０００１〉
方向に沿って成長するため、その劈開面である（１−１
００）面３７とＭｇＯ基板３１の劈開面である（１−１
０）面３５とが平行になる。
【００３９】したがって、ＭｇＯ基板３１を（１−１
０）面３５で劈開することによって、その上に成長して
いる薄いIII 族窒化物半導体層３１は（１−１０）面３
５と平行な（１−１００）面３７で劈開し、この場合
も、ＭｇＯ基板３１の主面に垂直で、且つ、平行な一対
の平坦な共振器面を形成することができ、レーザ損失が
少なくなる。
０）面３５で劈開することによって、その上に成長して
いる薄いIII 族窒化物半導体層３１は（１−１０）面３
５と平行な（１−１００）面３７で劈開し、この場合
も、ＭｇＯ基板３１の主面に垂直で、且つ、平行な一対
の平坦な共振器面を形成することができ、レーザ損失が
少なくなる。
【００４０】なお、上記の第２の実施の形態におけるＭ
ｇＯ基板３１の主面は（００１）面〈１１０〉方向に５
°オフした面であるが、これと等価な｛１００｝面から
〔０１１〕方向に５°オフした面であれば良く、また、
オフ角θ2 も５°である必要はなく、２°≦θ2 ≦１０
°オフした面であれば良く、この程度のオフ角の範囲で
あれば、III 族窒化物半導体層の劈開に問題はない。
ｇＯ基板３１の主面は（００１）面〈１１０〉方向に５
°オフした面であるが、これと等価な｛１００｝面から
〔０１１〕方向に５°オフした面であれば良く、また、
オフ角θ2 も５°である必要はなく、２°≦θ2 ≦１０
°オフした面であれば良く、この程度のオフ角の範囲で
あれば、III 族窒化物半導体層の劈開に問題はない。
【００４１】以上、第１及び第２の実施の形態を説明し
てきたが、第１の実施の形態の場合には、III 族窒化物
半導体層の結晶性は良好であるものの、劈開性が弱く、
多少再現性が劣るのに対して、第２の実施の形態の場合
には多少結晶性は劣るものの、劈開性に優れているとい
う特徴がある。
てきたが、第１の実施の形態の場合には、III 族窒化物
半導体層の結晶性は良好であるものの、劈開性が弱く、
多少再現性が劣るのに対して、第２の実施の形態の場合
には多少結晶性は劣るものの、劈開性に優れているとい
う特徴がある。
【００４２】なお、上記の各実施の形態において、成長
基板として用いるＭｇＯ基板１１，３１の厚さは５０〜
５００μｍであることが望ましく、５０μｍ以下の場合
には製造工程における基板のハンドリングが困難にな
り、５００μｍ以上の場合には｛１１０｝面での劈開が
困難になる。
基板として用いるＭｇＯ基板１１，３１の厚さは５０〜
５００μｍであることが望ましく、５０μｍ以下の場合
には製造工程における基板のハンドリングが困難にな
り、５００μｍ以上の場合には｛１１０｝面での劈開が
困難になる。
【００４３】また、上記の各実施の形態においては、短
波長半導体レーザの共振器の形成方法として説明してい
るが、共振器の形成方法に限られるものではなく、素子
分割方法、例えば、短波長発光ダイオードのペレット化
方法としても用いることができるものである。
波長半導体レーザの共振器の形成方法として説明してい
るが、共振器の形成方法に限られるものではなく、素子
分割方法、例えば、短波長発光ダイオードのペレット化
方法としても用いることができるものである。
【００４４】また、上記の各実施の形態においては、バ
ッファ層としてＡｌＮバッファ層を用いているが、Ｇａ
Ｎ低温バッファ層を用いても良いものである。
ッファ層としてＡｌＮバッファ層を用いているが、Ｇａ
Ｎ低温バッファ層を用いても良いものである。
【００４５】また、上記の各実施の形態においては、活
性層としてＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎを用いているが、必要と
する波長に応じて混晶比をＡｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の範囲内で変えても良いも
のであり、且つ、それに伴って、光ガイド層及びクラッ
ド層の混晶比をＡｌa Ｇａ1-a-b Ｉｎb Ｎ（０≦ａ≦
１、０≦ｂ≦１）の範囲内で変えても良い。
性層としてＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎを用いているが、必要と
する波長に応じて混晶比をＡｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の範囲内で変えても良いも
のであり、且つ、それに伴って、光ガイド層及びクラッ
ド層の混晶比をＡｌa Ｇａ1-a-b Ｉｎb Ｎ（０≦ａ≦
１、０≦ｂ≦１）の範囲内で変えても良い。
【００４６】また、上記の実施の形態においては光ガイ
ド層を用いているが、必ずしも必要なものでなく、クラ
ッド層と活性層とによって直接ヘテロ接合を形成しても
良く、さらに、光ガイド層及びクラッド層は必ずしも上
下対称的にする必要はなく、互いに混晶比の異なるＡｌ
a Ｇａ1-a-b Ｉｎb Ｎを用いても良いものである。
ド層を用いているが、必ずしも必要なものでなく、クラ
ッド層と活性層とによって直接ヘテロ接合を形成しても
良く、さらに、光ガイド層及びクラッド層は必ずしも上
下対称的にする必要はなく、互いに混晶比の異なるＡｌ
a Ｇａ1-a-b Ｉｎb Ｎを用いても良いものである。
【００４７】また、実施の形態に用いた原料も上記の原
料に限られるものではなく、有機金属原料はメチル系に
代えてエチル系、即ち、ＴＥＧａ（トリエチルガリウ
ム）、ＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウム）、及び、Ｔ
ＥＩｎ（トリエチルインジウム）を用いても良く、さら
に、Ｎ源としてもアンモニアの代わりに、Ｎ2 Ｈ4 、
（ＣＨ3 ）3 ＣＮＨ2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｎ3 、或いは、ＣＨ3
ＮＨ・ＮＨ2 を用いても良い。
料に限られるものではなく、有機金属原料はメチル系に
代えてエチル系、即ち、ＴＥＧａ（トリエチルガリウ
ム）、ＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウム）、及び、Ｔ
ＥＩｎ（トリエチルインジウム）を用いても良く、さら
に、Ｎ源としてもアンモニアの代わりに、Ｎ2 Ｈ4 、
（ＣＨ3 ）3 ＣＮＨ2 、Ｃ2 Ｈ5 Ｎ3 、或いは、ＣＨ3
ＮＨ・ＮＨ2 を用いても良い。
【００４８】さらに、不純物原料も、ｎ型用としてはＳ
ｉ2 Ｈ6 の代わりに、ＳｉＨ4 或いはＣＨ3 ＳｉＨ3 を
用いても良く、また、ｐ型用としてはビスシクロペンタ
ジエニルマグネシウム〔（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ〕の代わり
に、（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、（Ｃ2 Ｈ5 Ｃ5 Ｈ4 ）
2 Ｍｇ、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、或いは、
（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｃ5 Ｈ4 ）2 を用いても良い。
ｉ2 Ｈ6 の代わりに、ＳｉＨ4 或いはＣＨ3 ＳｉＨ3 を
用いても良く、また、ｐ型用としてはビスシクロペンタ
ジエニルマグネシウム〔（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ〕の代わり
に、（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、（Ｃ2 Ｈ5 Ｃ5 Ｈ4 ）
2 Ｍｇ、（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、或いは、
（ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｃ5 Ｈ4 ）2 を用いても良い。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、ＭｇＯ基板を用いると
ともに、ＭｇＯ基板の主面に略垂直な｛１１０｝面の劈
開を利用することによって、ＭｇＯ基板上に成長させた
III 族窒化物半導体層を劈開し、劈開面によってレーザ
共振器面を構成しているので、低損失でレーザ発振する
緑〜紫外領域の短波長半導体レーザの作製が可能とな
り、高速、大容量の補助記憶装置の実現に寄与するとこ
ろが大きい。
ともに、ＭｇＯ基板の主面に略垂直な｛１１０｝面の劈
開を利用することによって、ＭｇＯ基板上に成長させた
III 族窒化物半導体層を劈開し、劈開面によってレーザ
共振器面を構成しているので、低損失でレーザ発振する
緑〜紫外領域の短波長半導体レーザの作製が可能とな
り、高速、大容量の補助記憶装置の実現に寄与するとこ
ろが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における原子配列の
説明図である。
説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における原子配列の
説明図である。
説明図である。
【図５】従来の短波長半導体レーザの説明図である。
１ ＭｇＯ基板 ２ III 族窒化物半導体層 ３ ｛１１０｝面 ４ ゴム板 ５ ピンセット ６ 傷 ７ ｛１１−２０｝面 １１ ＭｇＯ基板 １２ ＡｌＮバッファ層 １３ ｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層 １４ ｎ型ＧａＮ光ガイド層 １５ Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ活性層 １６ ｐ型ＧａＮ光ガイド層 １７ ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎクラッド層 １８ Ｔｉ／Ａｕ電極 １９ Ｎｉ／Ａｕ電極 ２０ III 族窒化物半導体層 ２１ 傷 ２２ ゴム板 ２３ 〈１１−２〉方向 ２４ ピンセット ２５ （１−１０）面 ２６ （１１−２０）面 ２７ Ｏ原子 ２８ Ｎ原子 ３１ ＭｇＯ基板 ３２ III 族窒化物半導体層 ３３ Ｏ原子 ３４ Ｍｇ原子 ３５ （１−１０）面 ３６ Ｎ原子 ３７ （１−１００）面 ４１ サファイア基板 ４２ ＧａＮバッファ層 ４３ ｎ型ＧａＮバッファ層 ４４ ｎ型Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層 ４５ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ４６ ｎ型ＧａＮ光ガイド層 ４７ ＩｎＧａＮＭＱＷ活性層 ４８ ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層 ４９ ｐ型ＧａＮ光ガイド層 ５０ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ５１ ｐ型ＧａＮコンタクト層 ５２ ｎ側電極 ５３ ｐ側電極 ５４ ファーフィールドパターン
Claims (4)
- 【請求項１】 ＭｇＯ基板上に成長させた半導体層を、
前記ＭｇＯ基板の｛１１０｝面の劈開を利用して素子分
割を行うことを特徴とする半導体素子の劈開方法。 - 【請求項２】 ＭｇＯ基板上に成長させた半導体層を、
前記ＭｇＯ基板の｛１１０｝面の劈開を利用して劈開
し、レーザ共振器を形成することを特徴とする半導体素
子の劈開方法。 - 【請求項３】 上記半導体層がウルツ鉱型のIII 族窒化
物半導体層であり、且つ、上記ＭｇＯ基板の主面が、オ
フ角θ1 を０°≦θ1 ≦１０°とした場合、｛１１１｝
面からθ1 だけオフした面であることを特徴とする請求
項１または２に記載の半導体素子の劈開方法。 - 【請求項４】 上記半導体層がウルツ鉱型のIII 族窒化
物半導体層であり、且つ、上記ＭｇＯ基板の主面が、オ
フ角θ2 を２°≦θ2 ≦１０°とした場合、｛１００｝
面から〔０１１〕方向にθ2 だけオフした面であること
を特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子の劈
開方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8287894A JPH10135562A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 半導体素子の劈開方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8287894A JPH10135562A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 半導体素子の劈開方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135562A true JPH10135562A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17723101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8287894A Withdrawn JPH10135562A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 半導体素子の劈開方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135562A (ja) |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP8287894A patent/JPH10135562A/ja not_active Withdrawn
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