JPH10139471A - 誘電体材料及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 共振周波数の温度係数の絶対値が小さく、無
負荷品質係数が大きく、且つ抗折強度の高い誘電体材料
を提供する。 【解決手段】 ガラスフリット９５〜７０体積％と、共
振周波数の温度係数（τ_f ）が正の大きな値であり、平
均粒径０．５〜５μｍの粒子の少なくとも３個が連なっ
た粒子の連接体からなる無機フィラー５〜３０体積％と
を混合し、成形した後、９３０℃程度の比較的低温で焼
成し、吸水率が０．１％未満の緻密度の高い誘電体材料
を得る。無機フィラーとしては、特に、組成式；（Ｓｒ
_1-X Ｂａ_X）（Ｔｉ_1-y Ｚｒ_y ）Ｏ₃ で表される固溶体
からなるものなどが好適である。また、この誘電体材料
は、そのτ_f の絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下であり、無
負荷品質係数と共振周波数との積が１８００ＧＨｚ以上
であって、優れた誘電特性を有し、且つ抗折強度が１６
０ＭＰａ以上と高い強度をも併せ有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波領域で
の共振周波数（以下、ｆ₀ と表す。）の温度係数（以
下、τ_f と表す。）の絶対値が小さく、無負荷品質係数
（以下、Ｑ_u と表す。）が大きく、且つ抗折強度（以
下、σ_f と表す。）の高い、優れた品質の誘電体材料に
関する。本発明の誘電体材料は、ガラス成分等の絶縁材
料と金、銀及び銅等の導電率の高い導体材料とを低温に
おいて同時焼成して得ることができる。また、本発明の
誘電体材料は、多層回路基板、特にマイクロ波領域にお
いて使用される共振器、フィルタなどとして使用するこ
とができる。

【０００２】

【従来の技術】Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 等の無機フィラー
とガラス成分により構成される絶縁材料を、９００℃前
後の低温において焼成することにより得られる誘電体材
料からなる基板を用いた多層回路基板が既に使用されて
いる。この多層回路基板は、絶縁材料からなる未焼成の
基板に金、銀及び銅等の導電率の高い導体材料を印刷
し、積層した後、低温において同時焼成することにより
得られ、導体を内部電極とした積層型の誘電体共振器或
いはフィルタ等として使用されている。

【０００３】このような多層回路基板等を構成する誘電
体材料には、 τ_f の絶対値が小さいこと、及び マイクロ波領域でのＱ_u が大きいこと、 を同時に満たすことが要求される。また、十分に高いσ
_f を有することも必要とされている。

【０００４】上記の基板を形成することになるガラス成
分としては、硼珪酸塩系やアルミノ珪酸塩系のガラス等
が用いられる。しかし、これらのガラス成分及びこれら
のガラス成分に無機フィラーとしてＡｌ₂ Ｏ₃ を添加し
てなる絶縁材料からなる誘電体材料は、τ_f が負であっ
て温度変化によって共振周波数が大きく変動してしま
う。そのため、共振器或いはフィルタを作製するための
誘電体材料としては好ましくない。そこで、このような
誘電体材料のτ_f を正の側に補正するために、ガラス成
分に、例えばＳｒＴｉＯ₃ 、ＣａＴｉＯ₃ 及びＴｉＯ₂
等の、大きな正のτ_f を有する無機フィラーを添加する
手法が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の無機フィラーは、焼成時、ガラス成分或いはこれにＡ
ｌ₂ Ｏ₃ を添加した絶縁材料及び配線パターン、厚膜抵
抗体皮膜等を形成するための材料と反応し易く、誘電体
材料からなる基板表面の厚膜抵抗体皮膜等の特性を変化
させてしまうことがある。また、反応によりガラス成分
と固溶し、無機フィラーの結晶構造が乱れ、期待される
τ_f の補正効果が得られないという問題もある。一方、
低温において焼成して得られる誘電体材料のＱ_u の向上
については、有効な手段が提案されていないのが実状で
あり、現用品のＱ_u とｆ₀ との積は高々１０００ＧＨｚ
程度である。

【０００６】また、無機フィラーとしてＡｌ₂ Ｏ₃ を添
加することにより誘電体材料のσ_fを向上させることが
知られている。しかし、このことは誘電特性の向上のた
めに使用されるＳｒＴｉＯ₃ 等の無機フィラーをガラス
フリットに添加するのみでは、誘電体材料のσ_f が十分
ではないことを示唆しており、誘電特性に優れ、且つＡ
ｌ₂ Ｏ₃ を使用しなくても十分に高いσ_f を有する誘電
体材料の開発が望まれている。

【０００７】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、特にτ_f の絶対値が２０以下と小さく、Ｑ_u とｆ₀
との積Ｑ_u ×ｆ₀ が１８００ＧＨｚ以上、特に２０００
ＧＨｚ以上と大きく、且つσ_f が１６０ＭＰａ以上、特
に１７０ＭＰａ以上と高い誘電体材料を提供することを
目的とする。また、上記の優れた誘電特性を有し、また
特に低温で焼成した場合であっても、均質で緻密な焼結
体を得ることができる誘電体材料の製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】第１発明の誘電体材料
は、結晶化ガラス９５〜７０体積％と、共振周波数の温
度係数が正である無機フィラー５〜３０体積％とからな
り、該無機フィラーは、平均粒径０．５〜５μｍの粒子
が少なくとも３個連なって形成される粒子の連接体から
なることを特徴とする。また、この誘電体材料は、第３
発明のように、τ_f が−２０〜＋２０ｐｐｍ／℃であっ
て、且つＱ_u とｆ₀ との積が１８００ＧＨｚ以上である
ことを特徴とする。更に、この誘電体材料は、第４発明
のように、ＪＩＳ Ｒ１６０１の３点曲げ法によって測
定したσ_f が１６０ＭＰａ以上であることを特徴とす
る。

【０００９】上記「結晶化ガラス」はガラスフリットを
焼成し、結晶化させることにより生成する。結晶化ガラ
スの組成は特に限定されないが、その原料であるガラス
フリットを、比較的低い温度で、焼成し、結晶化させて
得られるものが好ましい。また、低温での焼成であって
も、得られる誘電体材料の吸水率が０．１％未満となる
まで緻密化させることができ、誘電体材料のＱ_u が十分
に大きく、更に、そのσ_f が十分に高く、実用的な強度
を有する優れた品質の製品を得ることができる組成のも
のが好ましい。

【００１０】ガラスを主成分とする絶縁材料からなる誘
電体材料の負のτ_f を正の側へ補正するために使用され
る無機フィラーとしては、ＳｒＴｉＯ₃ 、ＣａＴｉＯ₃
及びＳｒＳｎＯ₃ などの大きな正のτ_f を有するものが
好適である。しかし、これらの無機フィラーを球形等の
個々の粒子のまま添加した場合、焼成過程においてガラ
ス成分と反応してしまって、焼成後の誘電体材料には残
留しない或いは少量しか残留しないことになる。その結
果、τ_f が、特に第３発明の下限である「−２０ｐｐｍ
／℃」以上にまで正の側に補正されず、好ましくない。

【００１１】本発明においては、上記「無機フィラー」
は、「平均粒径０．５〜５μｍの粒子が少なくとも３個
連なって形成される粒子の連接体」からなる。この無機
フィラーとしては、特に第２発明の、「（Ｓｒ，Ｂａ）
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃ で表される固溶体からなるもの」が
好適である。上記の粒子の連接体からなる無機フィラー
は、通常の球形等の粒子からなる無機フィラーの原料粉
末を、特定の条件で熱処理するなどして３個以上の粒子
が連接された連接体とし、これを焼成することにより生
成させることができる。

【００１２】上記の特定の形状の連接体を使用すれば、
焼成時、ガラスフリットと反応せず或いは反応が抑えら
れる。その結果、焼成後もその特定の形状が維持され、
粒子の連接体からなる無機フィラーとして誘電体材料中
に残留する。これによって無機フィラーが本来有するτ
_f を正の側へ補正する効果が十分に奏される。また、こ
の無機フィラーが誘電体材料中に三次元的に分散するこ
とで補強材としても機能し、実用上、十分なσ_f を有す
る誘電体材料を得ることができる。

【００１３】上記の粒子の連接体を構成する原料粉末の
平均粒径が０．５μｍ未満では、これら粒子を熱処理す
るなどして連接させる場合に、個々の粒子の多くが複数
の隣接する粒子と連なってしまい、凝集した大径の粒子
となってしまう。このような大径の粒子となった場合
は、焼成後もそれらが大径のまま残留し、均質な誘電体
材料を得ることが難しく、且つ低温において焼成した場
合に、焼結体の緻密化が困難となる。一方、原料粉末の
平均粒径が５μｍを越える場合は、連接される個数が３
個と下限であっても、その大きさは相当なものとなり、
上記と同様の問題を生ずることになる。この原料粉末の
平均粒径は０．８〜４μｍ、特に１〜３μｍ、更には１
〜２μｍであることが好ましく、このような原料粉末を
使用すれば、低温における焼成であっても緻密化が容易
であって、均質な誘電体材料を得ることができる。

【００１４】また、連接体を構成する粒子の数が２個以
下では、ガラスフリットとの反応が十分に抑えられず、
得られる誘電体材料中に無機フィラーが残留せず或いは
少量しか残留せず、誘電体材料のτ_f が十分に正の側へ
補正されない。粒子の連接体を構成する粒子は３〜１０
個であり、特に３〜５個が好ましい。更に、この粒子の
連接体は、原料粉末の粒子が概ね直線状に連なって形成
されることが好ましく、連接体が線状であれば、均質な
誘電体材料を得ること及び緻密化などが妨げられること
がない。同じ個数の粒子が連なった場合であっても、こ
れら粒子が相互に複数箇所で連接されたりして凝集状態
となった場合は、上記の均質な誘電体材料が得られない
等の問題を生ずることになる。

【００１５】尚、本発明における無機フィラーは、その
全量が３個以上の粒子の連接体からなるものである必要
はない。個々の粒子のままのもの或いは２個の粒子が連
接されたものが混在していてもよい。無機フィラー全量
中の３個以上の粒子からなる連接体の量比は、少なくと
も５０重量％以上、特に６０重量％、更には７０重量％
であることが好ましい。また、この量比は誘電体材料中
の無機フィラーの含有量によっても調整する必要があ
る。無機フィラーの含有量が少ない場合は、連接体の量
比が７０重量％以上、特に８０重量％であることが好ま
しい。また、無機フィラーの含有量が多い場合は、連接
体の量比は５０重量％程度でも十分であり、特に無機フ
ィラーの含有量が上限値に近ければ、この連接体の量比
は３０重量％以上、特に４０重量％以上程度であっても
よい。

【００１６】この特定の形状の粒子の連接体からなる無
機フィラーの含有量が５体積％未満では、誘電体材料の
τ_f を十分に正の側へ補正することができない。一方、
無機フィラーの含有量が３０体積％を越える場合は、τ
_f が正の側に大きくなりすぎてしまうため好ましくな
い。この無機フィラーの含有量は、特に１０〜２５体積
％、更には１０〜２０体積％とすることが好ましい。無
機フィラーの含有量がこの範囲であれば、そのτ_f 及び
Ｑ_u ×ｆ₀ が第３発明の範囲内である誘電体材料を安定
して得ることができる。また、緻密化も十分に進んで、
誘電体材料の吸水率は０．１％未満となり、σ_f も第４
発明の範囲内のものとなる。尚、本発明の誘電体材料で
は、Ｑ_u ×ｆ₀ は１８００〜３０００ＧＨｚ、σ_f は１
６０〜２００ＭＰａとすることができる。

【００１７】第５発明の誘電体材料の製造方法は、平均
粒径０．５〜５μｍの無機フィラー原料粉末を、その合
成温度より１５０℃以上高い温度で熱処理して、上記無
機フィラー原料粉末を構成する粒子の少なくとも３個が
連なって形成される粒子の連接体からなる無機フィラー
粉末とし、その後、ガラスフリット９５〜７０体積％と
該無機フィラー粉末５〜３０体積％とを混合し、成形し
た後、８５０〜１０００℃の温度で焼成することを特徴
とする。

【００１８】上記「無機フィラー原料粉末」は、その平
均粒径が０．５〜５μｍであって、高温で熱処理するこ
とにより個々の粒子を３個以上連接させることができる
ものであればよく、特に限定はされない。この無機フィ
ラー原料粉末としては、特に第６発明のように、「Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｔｉ及びＺｒの酸化物又は加熱によって酸化
物となるＳｒ、Ｂａ、Ｔｉ及びＺｒの化合物を混合し、
反応させて得られる固溶体からなるもの」が好ましい。
この固溶体は、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ及びＺｒの酸化物或い
は炭酸塩などの粉末を所定の量比で混合し、アルミナ坩
堝等の耐熱容器中で、例えば１１００〜１４００℃の温
度で反応させて合成することができる。この固溶体を使
用して得られる誘電体材料では、τ_f は十分に正の側へ
補正され、且つ補強効果によりσ_f も大きく向上する。

【００１９】上記「熱処理」の温度は固溶体の合成温度
より「１５０℃以上」高い温度とし、特に１５０〜２５
０℃高い温度とすることが好ましい。熱処理の温度が低
い場合は、無機フィラー原料粉末の粒子が３個以上連接
しなかったり、３個以上連接した粒子の割合が低かった
りして、上記「無機フィラー粉末」とガラスフリットと
の反応を十分に抑えられない。そのため、得られる誘電
体材料のτ_f は十分に正の側へ補正されない。

【００２０】上記「ガラスフリット」としては、誘電体
材料において一般に用いられるものを特に制限されるこ
となく使用することができる。このガラスフリットとし
ては、第７発明のように、「ＳｉＯ₂ を４０〜５２重量
％、Ａｌ₂ Ｏ₃ を２７〜３７重量％、ＭｇＯを１１〜１
３重量％、Ｂ₂ Ｏ₃ を２〜８重量％、ＣａＯを２〜８重
量％及びＺｒＯ₂ を０．１〜３重量％」含有するものが
好ましい。このような組成のガラスフリットを使用すれ
ば、金、銀、銅等の導体材料と低温において同時焼成す
ることができる。また、低温における焼成ではあって
も、緻密化が容易であって、吸水率が０．１％未満であ
り、且つそのσ_f が１６０ＭＰａ以上の優れた品質の誘
電体材料を得ることができる。

【００２１】第５発明において、その焼成温度が８５０
℃未満では、誘電体材料の吸水率が０．１％以下となる
まで緻密化することができず、Ｑ_u が十分に向上しない
ため好ましくない。一方、焼成温度が１０００℃を越え
ると、導体材料と同時焼成する場合に、絶縁材料と導体
材料との反応、絶縁材料への導体材料の固溶、或いは導
体材料の融解、拡散及び揮発等を生ずることがある。そ
のため、配線パターンを作製する上で問題となる場合が
ある。

【００２２】上記の焼成温度は８８０℃以上、特に９０
０℃以上、更には９３０℃以上とすることが好ましい。
焼成温度が９００℃未満、特に８８０℃未満では、緻密
化が十分に進まず、Ｑ_u もそれほどに向上しないことが
ある。また、９３０℃以上の焼成温度では、τ_f 及びＱ
_u にはそれほど大きな変化はみられず、焼成温度は９３
０〜９５０℃とするのが最も効果的であると考えられ
る。本発明の誘電体材料は、上記のように、絶縁材料を
比較的低温において焼成して生成させることができる。
そのため、絶縁材料と金、銀、銅等の導体材料からなる
配線パターン等とを同時焼成することにより、誘電体材
料を基板とする多層回路基板を作製することができる。

【００２３】本発明の誘電体材料は、この誘電体材料か
らなる基板の表面に導体材料からなる配線パターンを形
成して回路基板とすることができる。また、この誘電体
材料からなる絶縁層を複数積層し、少なくともこの積層
された絶縁層の間に導体材料からなる内部配線パターン
を形成して多層回路基板とすることもできる。これら回
路基板はマイクロ波領域における共振器或いはフィルタ
などとして使用することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を具体
的に説明する。 実験例１〜１１ (1) ガラス粉末の調製 表１に示す量比のガラス成分の各粉末を混合した後、１
５００℃の温度で２時間溶融し、その後、水中に投入し
てガラスを得た。次いで、このガラスを湿式粉砕した
後、乾燥し、平均粒径約１μｍの粉末状のガラスフリッ
トを得た。

【００２５】(2) 粒子の連接体からなる無機フィラーの
調製（実験例１〜７） 表１に示す組成の固溶体となるような量比のＳｒＣ
Ｏ₃ 、ＢａＣＯ₃ 、ＴｉＯ₂ 及びＺｒＯ₂ を乾式で混合
し、混合粉末をアルミナ坩堝中に投入して、表１に示す
温度で反応させ固溶体を合成した後、冷却して固溶体の
粉末を得た。この固溶体の粉末の粒径をレーザー回折法
によって測定し、また、走査型電子顕微鏡によって直接
観察して、その平均粒径が１〜２μｍの範囲内であるこ
とを確認した。その後、この固溶体の粉末をアルミナ坩
堝中に投入し、合成時の温度よりそれぞれ２００℃高い
温度で熱処理した後、冷却して無機フィラーの粉末を得
た。この無機フィラーの粉末を走査型電子顕微鏡によっ
て直接観察したところ、３個以上の固溶体の粒子が連な
った形状の粒子の連接体が観察された。

【００２６】尚、図１は、熱処理後の無機フィラーの粉
末の走査型電子顕微鏡写真をトレースした説明図であ
る。この説明図によれば、この無機フィラーの粉末は、
１μｍ前後の径を有する粒子が３個以上ほぼ線状に連な
った連接体となったものであることがよく分かる。

【００２７】(3) 誘電体材料の製造 エタノール中において上記のガラスフリットに、表１に
示す組み合わせ及び量比で、それぞれ表１に示す無機フ
ィラーを加えた。その後、攪拌、混合し、乾燥した後、
成形助剤として樹脂成分を加えて造粒し、この造粒粉を
８ＧＰａの圧力下、直径２３ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円柱
状に成形した。次いで、上記の円柱状の成形体を１５Ｇ
Ｐａの圧力下、等方静水圧プレス（ＣＩＰ）処理を行
い、その後、このＣＩＰ処理後の成形体を大気雰囲気
下、９３０℃と比較的低温において０．５時間焼成し
た。尚、実験例５〜７は、同一の組成のガラスフリット
及び無機フィラーを用い、無機フィラーの量比を第１発
明の範囲内で変化させた例である。また、実験例８〜１
１の比較品では、市販の無機フィラーを、特に粒子を連
接させる処理をすることなくそのまま用いた。

【００２８】

【表１】

【００２９】(4) 誘電特性及び強度の評価 上記のようにして得られた誘電体材料を研磨した後、平
行導体板型誘電体共振器法により、測定周波数５〜８Ｇ
Ｈｚにおいてε_r 、Ｑ_u 及びτ_f （温度範囲：２５〜８
０℃）を測定した。その結果を表２に示す。尚、表２に
おいて誘電損失に関する特性の結果はＱ_u ×ｆ₀ で表し
た。ｆ₀ はＱ_u を測定する際の共振周波数であるが、Ｑ
_u の測定毎に多少の変動がある。そのため、このＱ_u と
ｆ₀ との積による表現がより正確に誘電損失を表すもの
である。また、σ_f はＪＩＳ Ｒ１６０１に従って３点
曲げ法によって求めた。結果を表２に併記する。尚、Ｊ
ＩＳ Ｃ２１４１に準じて得られた誘電体材料の吸水率
を測定したところ、実験例１〜９いずれも０．１％未満
であった。

【００３０】

【表２】

【００３１】表２の結果によれば、３個以上の粒子の連
接体からなる無機フィラーを１０体積％以上添加した実
験例１〜４及び６〜７では、Ｑ_u ×ｆ₀ はいずれも２０
００ＧＨｚ以上である。また、実験例１〜４及び６では
τ_f も第３発明の範囲内であり、優れた性能の誘電体材
料が得られていることが分かる。尚、実験例１〜７にお
いて、Ｑ_u ×ｆ₀ にも差があるが、τ_f にはより大きな
差がある。このＱ_u ×ｆ₀ 及びτ_f と無機フィラーの添
加量には必ずしも相関はなく、Ｑ_u ×ｆ₀ 、τ_f ともに
無機フィラーの種類によっても影響を受けていることが
分かる。

【００３２】また、無機フィラーの添加量が５．０体積
％と第１発明の下限である実験例５では、Ｑ_u ×ｆ₀ は
第３発明の範囲内であるが、τ_f は十分に正の側へ補正
されておらず、−２０．７ｐｐｍ／℃となっていること
が分かる。更に、無機フィラーの添加量が３０．０体積
％と第１発明の上限である実験例７では、Ｑ_u ×ｆ₀は
第３発明の範囲内であるが、τ_f は第３発明の上限を越
えて＋２２．４ｐｐｍ／℃となっており、また、吸水率
は０．１％未満であるが、緻密化がやや不十分であり、
σ_f も第４発明の範囲外となっていることが分かる。し
かし、それでも比較品に比べれば総体的な性能は優れて
いる。

【００３３】一方、市販の無機フィラーをそのまま使用
した実験例８〜１１では、添加量が多ければＱ_u ×ｆ₀
は十分に高くなる。しかし、τ_f はＳｒＴｉＯ₃ を２
０．０体積％添加した実験例８でも、正の側へ十分に補
正されず、−３１．６ｐｐｍ／℃と負の側に大きな値と
なっていることが分かる。また、そのσ_f も実験例１１
を除いていずれも不十分で第４発明の範囲外となってい
る。更に、Ａｌ₂ Ｏ₃ を使用した実験例１１では、添加
量が２３．０体積％と多量であり、σ_f は非常に高くな
っている。しかし、Ｑ_u ×ｆ₀ は小さく、τ_f は負の側
に非常に大きな値となっていることが分かる。

【００３４】これらの実験例の結果から明らかなよう
に、比較品においてもＱ_u ×ｆ₀ は２０００ＧＨｚを越
える場合もある。しかし、τ_f は負の側に非常に大きな
ものしか得られず、その絶対値が小さいものでも３０ｐ
ｐｍ／℃以上、特に性能の劣るものでは６０ｐｐｍ／℃
を越えている。このように本発明の誘電体材料は、従来
のこの種の誘電体材料では実現し得なかった、大きなＱ
_u と小さなτ_f の絶対値とを同時に兼ね備えるものであ
る。

【００３５】

【発明の効果】第１発明の特定の組成を有する誘電体材
料は、τ_f の絶対値が小さく、Ｑ_u ×ｆ_O が大きく、且
つ高いσ_f を有する。また、特に低温において焼成して
得ることができるため、金、銀、銅等の導体材料からな
る配線パターンを形成した後、同時焼成することができ
る。特に第２発明の無機フィラーを使用すれば、τ_f の
絶対値がより小さく、Ｑ_u ×ｆ₀ がより大きく、且つσ
_f の高い誘電体材料を得ることができる。また、第５〜
７発明の誘電体材料の製造方法によれば、第３発明の優
れた誘電特性及び第４発明の高いσ_f を有する誘電体材
料を容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】３個以上の粒子が連なって連接体となっている
無機フィラーの粉末の走査型電子顕微鏡写真をトレース
した説明図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ (72)発明者 大林 和重 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶化ガラス９５〜７０体積％と、共振
   周波数の温度係数が正である無機フィラー５〜３０体積
   ％とからなり、該無機フィラーは、平均粒径０．５〜５
   μｍの粒子が少なくとも３個連なって形成される粒子の
   連接体からなることを特徴とする誘電体材料。
2. 【請求項２】 上記無機フィラーは、組成式；（Ｓｒ
   _1-x Ｂａ_x ）（Ｔｉ_1-y Ｚｒ_y ）Ｏ₃ （但し、０＜ｘ＜
   １、０＜ｙ＜１である。）で表される固溶体からなるも
   のである請求項１記載の誘電体材料。
3. 【請求項３】 共振周波数の温度係数が−２０〜＋２０
   ｐｐｍ／℃であって、且つ無負荷品質係数と共振周波数
   との積が１８００ＧＨｚ以上である請求項１又は２記載
   の誘電体材料。
4. 【請求項４】 ＪＩＳ Ｒ１６０１の３点曲げ法によっ
   て測定した抗折強度が１６０ＭＰａ以上である請求項１
   乃至３のいずれか１項に記載の誘電体材料。
5. 【請求項５】 平均粒径０．５〜５μｍの無機フィラー
   原料粉末を、その合成温度より少なくとも１５０℃高い
   温度で熱処理して、上記無機フィラー原料粉末を構成す
   る粒子の少なくとも３個が連なって形成される粒子の連
   接体からなる無機フィラー粉末とし、その後、ガラスフ
   リット９５〜７０体積％と上記無機フィラー粉末５〜３
   ０体積％とを混合し、成形した後、８５０〜１０００℃
   の温度で焼成することを特徴とする誘電体材料の製造方
   法。
6. 【請求項６】 上記無機フィラー原料粉末は、Ｓｒ、Ｂ
   ａ、Ｔｉ又はＺｒの酸化物若しくは加熱によって酸化物
   となるＳｒ、Ｂａ、Ｔｉ又はＺｒの化合物を混合し、反
   応させて得られる固溶体からなるものである請求項５記
   載の誘電体材料の製造方法。
7. 【請求項７】 上記ガラスフリットを１００重量％とし
   た場合に、該ガラスフリットはＳｉＯ₂ を４０〜５２重
   量％、Ａｌ₂ Ｏ₃ を２７〜３７重量％、ＭｇＯを１１〜
   １３重量％、Ｂ₂ Ｏ₃ を２〜８重量％、ＣａＯを２〜８
   重量％及びＺｒＯ₂ を０．１〜３重量％含有する請求項
   ５又は６記載の誘電体材料の製造方法。