JPH10140149A - 短残光性蛍光体 - Google Patents
短残光性蛍光体Info
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- JPH10140149A JPH10140149A JP30259296A JP30259296A JPH10140149A JP H10140149 A JPH10140149 A JP H10140149A JP 30259296 A JP30259296 A JP 30259296A JP 30259296 A JP30259296 A JP 30259296A JP H10140149 A JPH10140149 A JP H10140149A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 輝度−電流特性（γ特性）、温度特性、寿命
特性が更に良好であるＹ2ＳｉＯ5：Ｃｅ短残光性蛍光体
を提供する。 【構成】 次の一般式で表されることを特徴とする短残
光性蛍光体とする。 （Ｙ1-p-qＧｄpＣｅq）2Ｏ3・ｒＢａＯ・sＳｉＯ2 ０＜ｐ≦０．５ ０．００１≦ｑ≦０．０４ ０．０００１≦ｒ≦０．０１ ０．５≦ｓ≦３
特性が更に良好であるＹ2ＳｉＯ5：Ｃｅ短残光性蛍光体
を提供する。 【構成】 次の一般式で表されることを特徴とする短残
光性蛍光体とする。 （Ｙ1-p-qＧｄpＣｅq）2Ｏ3・ｒＢａＯ・sＳｉＯ2 ０＜ｐ≦０．５ ０．００１≦ｑ≦０．０４ ０．０００１≦ｒ≦０．０１ ０．５≦ｓ≦３
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、残光時間の短い陰極
線励起用セリウム付活珪酸イットリウム蛍光体の発光特
性の改良に関する。
線励起用セリウム付活珪酸イットリウム蛍光体の発光特
性の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】フライングスポット管、インデックスカ
ラー管用の蛍光体には、残光時間が極めて短く発光効率
の高いものであって、用途に応じた発光を有するととも
に発光輝度の高いものが要求される。従来、このような
用途に適した青色発光蛍光体として、下記の蛍光体が使
用されていた。 ＺｎＯ：Ｚｎ （Ｃａ、Ｍｇ）Ｓｉ2Ｏ7：Ｃｅ Ｙ3（Ａｌ、Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ これらの蛍光体において、発光スペクトルの最大波長が
４０５〜４１０ｎｍ前後と、視感度が良くないにも関わ
らず、発光効率が高いなどの利点のために従来よりＹ2
ＳｉＯ5：Ｃｅが使用されていた。
ラー管用の蛍光体には、残光時間が極めて短く発光効率
の高いものであって、用途に応じた発光を有するととも
に発光輝度の高いものが要求される。従来、このような
用途に適した青色発光蛍光体として、下記の蛍光体が使
用されていた。 ＺｎＯ：Ｚｎ （Ｃａ、Ｍｇ）Ｓｉ2Ｏ7：Ｃｅ Ｙ3（Ａｌ、Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ これらの蛍光体において、発光スペクトルの最大波長が
４０５〜４１０ｎｍ前後と、視感度が良くないにも関わ
らず、発光効率が高いなどの利点のために従来よりＹ2
ＳｉＯ5：Ｃｅが使用されていた。
【０００３】フライングスポット管、インデックスカラ
ー管に限らず、一般にＣＲＴ用の蛍光体には主として次
のような蛍光体そのものの発光特性に対する要望があ
る。
ー管に限らず、一般にＣＲＴ用の蛍光体には主として次
のような蛍光体そのものの発光特性に対する要望があ
る。
【０００４】（１）高輝度である。同じ電力を蛍光面に
投入した場合、発光効率が高いことが極めて重要であ
る。これは同じ輝度を得るために消費電力を低減できる
ことにもつながる。 （２）高電流を流しても輝度が飽和しない輝度−電流特
性（γ特性）の良好な蛍光体が望まれる。 （３）高温でも安定に高輝度な発光を呈する蛍光体であ
る。（温度特性）発光に使用されなかったエネルギーは
全て熱を発生する。蛍光体に大きな電力が投入される場
合、ＣＲＴ内部の蛍光体は高温で加熱されることとな
り、高温でも輝度低下の起こりにくい蛍光体であること
が要求される。 （４）高付加の条件で励起発光されても長寿命である。
蛍光体に大電流が流されて使用される場合でも、結晶の
破壊の起こり難くい安定した結晶構造の蛍光体であるこ
とが要求される。
投入した場合、発光効率が高いことが極めて重要であ
る。これは同じ輝度を得るために消費電力を低減できる
ことにもつながる。 （２）高電流を流しても輝度が飽和しない輝度−電流特
性（γ特性）の良好な蛍光体が望まれる。 （３）高温でも安定に高輝度な発光を呈する蛍光体であ
る。（温度特性）発光に使用されなかったエネルギーは
全て熱を発生する。蛍光体に大きな電力が投入される場
合、ＣＲＴ内部の蛍光体は高温で加熱されることとな
り、高温でも輝度低下の起こりにくい蛍光体であること
が要求される。 （４）高付加の条件で励起発光されても長寿命である。
蛍光体に大電流が流されて使用される場合でも、結晶の
破壊の起こり難くい安定した結晶構造の蛍光体であるこ
とが要求される。
【０００５】Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ蛍光体の輝度を向上させ
ると共に、発光スペクトルを青色の４５０ｎｍに近づけ
るために、特公昭５７−５０８３３号公報には、酸化イ
ットリウム及び酸化珪素の原料混合物にバリウム化合物
として２〜１０モル％のフッ化バリウムを添加して焼成
することが開示される。しかしながら、この蛍光体は高
電流、高電圧の電子線励起によって発光輝度が悪くなる
という劣化の問題があった。
ると共に、発光スペクトルを青色の４５０ｎｍに近づけ
るために、特公昭５７−５０８３３号公報には、酸化イ
ットリウム及び酸化珪素の原料混合物にバリウム化合物
として２〜１０モル％のフッ化バリウムを添加して焼成
することが開示される。しかしながら、この蛍光体は高
電流、高電圧の電子線励起によって発光輝度が悪くなる
という劣化の問題があった。
【０００６】これに対し、炭酸バリウムを添加して焼成
することで、この蛍光体の発光輝度の劣化及び発光効率
が改善されることが特公平８−０２６３１４号公報に開
示されている。
することで、この蛍光体の発光輝度の劣化及び発光効率
が改善されることが特公平８−０２６３１４号公報に開
示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これらの技術により、
Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅの発光特性はある程度改善されたが、
まだ不十分であり、本発明は蛍光体の基本性能である発
光輝度、電流特性、輝度劣化等をさらに改善することを
目的とした。
Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅの発光特性はある程度改善されたが、
まだ不十分であり、本発明は蛍光体の基本性能である発
光輝度、電流特性、輝度劣化等をさらに改善することを
目的とした。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は課題を解決す
るために、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ蛍光体組成を基本に、母体
組成の改良について鋭意検討し結果、Ｙ（イットリウ
ム）の一部を特定量のＧｄ（ガドリニウム）で置換し、
またアルカリ土類金属の酸化物を母体組成に導入するこ
とにより、発光輝度が向上することを見いだし本発明を
完成させるに至った。
るために、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ蛍光体組成を基本に、母体
組成の改良について鋭意検討し結果、Ｙ（イットリウ
ム）の一部を特定量のＧｄ（ガドリニウム）で置換し、
またアルカリ土類金属の酸化物を母体組成に導入するこ
とにより、発光輝度が向上することを見いだし本発明を
完成させるに至った。
【０００９】すなわち、本発明の短残光性蛍光体は次の
一般式で表されることを特徴とする。 （Ｙ1-p-qＧｄpＣｅq）2Ｏ3・ｒＢａＯ・sＳｉＯ2 ０＜ｐ≦０．５ ０．００１≦ｑ≦０．０４ ０．０００１≦ｒ≦０．０１ ０．５≦ｓ≦３
一般式で表されることを特徴とする。 （Ｙ1-p-qＧｄpＣｅq）2Ｏ3・ｒＢａＯ・sＳｉＯ2 ０＜ｐ≦０．５ ０．００１≦ｑ≦０．０４ ０．０００１≦ｒ≦０．０１ ０．５≦ｓ≦３
【００１０】本発明の蛍光体は次のような方法で調製す
ることができる。先ず、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ（セリウム）、
及びアルカリ土類金属の原料は、酸化物もしくは焼成時
の高温で容易に酸化物になる化合物、例えば炭酸塩、あ
るいは蓚酸塩等が使用可能である。これらと２酸化珪素
（ＳｉＯ2）とを目的の組成になるように化学量論比で
混合し、これにフラックスとして、塩化物、あるいは弗
化物、（例えば、塩化アンモニウム、弗化アンモニウム
等）を蛍光体原料全体に対し、０．０１〜１．０重量部
添加し、ボールミル等で十分に混合して、蛍光体原料混
合物を得る。各原料の純度は９９．９９％以上のものを
用いることが好ましい。得られた蛍光体原料混合物を１
４００〜１６００℃の温度範囲、還元雰囲気で４時間程
度焼成することで本発明の蛍光体の焼成品を得ることが
できる。次に、得られた焼成品を粉砕し、水中でボール
ミル分散し、水洗し、分離乾燥し、篩を通すことで本発
明の短残光蛍光体を得る。
ることができる。先ず、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ（セリウム）、
及びアルカリ土類金属の原料は、酸化物もしくは焼成時
の高温で容易に酸化物になる化合物、例えば炭酸塩、あ
るいは蓚酸塩等が使用可能である。これらと２酸化珪素
（ＳｉＯ2）とを目的の組成になるように化学量論比で
混合し、これにフラックスとして、塩化物、あるいは弗
化物、（例えば、塩化アンモニウム、弗化アンモニウム
等）を蛍光体原料全体に対し、０．０１〜１．０重量部
添加し、ボールミル等で十分に混合して、蛍光体原料混
合物を得る。各原料の純度は９９．９９％以上のものを
用いることが好ましい。得られた蛍光体原料混合物を１
４００〜１６００℃の温度範囲、還元雰囲気で４時間程
度焼成することで本発明の蛍光体の焼成品を得ることが
できる。次に、得られた焼成品を粉砕し、水中でボール
ミル分散し、水洗し、分離乾燥し、篩を通すことで本発
明の短残光蛍光体を得る。
【００１１】前記した化学量論比の混合とは（Ｙ1-p-q
ＧｄpＣｅq）2Ｏ3・ｒＢａＯ・sＳｉＯ2 蛍光体１モル
を得るには、例えば次のような原料を次のような量で混
合することを意味する。この場合、フラックスの塩化
物、弗化物は必要とされる粒径に応じて添加量が決定さ
れる。
ＧｄpＣｅq）2Ｏ3・ｒＢａＯ・sＳｉＯ2 蛍光体１モル
を得るには、例えば次のような原料を次のような量で混
合することを意味する。この場合、フラックスの塩化
物、弗化物は必要とされる粒径に応じて添加量が決定さ
れる。
【００１２】
【発明の実施の形態】上述した方法により、本発明の実
施例１〜８、及び本発明に属さない比較例の蛍光体１〜
１２について調製して表１にまとめた。以下この組成の
蛍光体について特性比較を行った。
施例１〜８、及び本発明に属さない比較例の蛍光体１〜
１２について調製して表１にまとめた。以下この組成の
蛍光体について特性比較を行った。
【００１３】
【表１】
【００１４】図１に本発明の(Ｙ0.99-pＧｄpＣｅ0.01)2
Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体と、組成にＢａを含
まない比較例の(Ｙ0.99-pＧｄpＣｅ0.01)2Ｏ3・SｉＯ2
蛍光体のｐの値（Ｇｄ）に対する相対発光輝度の関係を
示した。この図は、各の蛍光体粉末を測定セルに充填し
てそれをデマンタブル装置に装着し、２ｋｖの電圧を印
加し０．５μＡの電流密度の電子線で蛍光面を走査した
ときの基準蛍光体に対する相対発光輝度をプロットした
のである。図１より、本発明の蛍光体はｐの値と共に発
光輝度が大きく変化し、０＜ｐ≦０．５の範囲でＧｄを
含まない蛍光体に比べて発光輝度が高くなる。特に、ｐ
＝０．１付近で発光輝度は最高の約１４０％を示す。
Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体と、組成にＢａを含
まない比較例の(Ｙ0.99-pＧｄpＣｅ0.01)2Ｏ3・SｉＯ2
蛍光体のｐの値（Ｇｄ）に対する相対発光輝度の関係を
示した。この図は、各の蛍光体粉末を測定セルに充填し
てそれをデマンタブル装置に装着し、２ｋｖの電圧を印
加し０．５μＡの電流密度の電子線で蛍光面を走査した
ときの基準蛍光体に対する相対発光輝度をプロットした
のである。図１より、本発明の蛍光体はｐの値と共に発
光輝度が大きく変化し、０＜ｐ≦０．５の範囲でＧｄを
含まない蛍光体に比べて発光輝度が高くなる。特に、ｐ
＝０．１付近で発光輝度は最高の約１４０％を示す。
【００１５】図１に示すように、本発明の蛍光体はＧｄ
の含有と共に発光輝度が大幅に変化するが、Ｂａを含有
しない比較例の蛍光体は、０＜ｐ≦０．５の範囲でＧｄ
を含有しても発光輝度はほとんど変化しない。これはＧ
ｄとＢａの相乗効果として解釈できる。
の含有と共に発光輝度が大幅に変化するが、Ｂａを含有
しない比較例の蛍光体は、０＜ｐ≦０．５の範囲でＧｄ
を含有しても発光輝度はほとんど変化しない。これはＧ
ｄとＢａの相乗効果として解釈できる。
【００１６】ｐ＝０．１である(Ｙ0.89Ｇｄ0.10Ｃｅ0.0
1)2Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体について、さらに
他の励起電圧における(Ｙ0.99Ｃｅ0.01)2Ｏ3・SｉＯ2 蛍
光体に対する相対発光輝度を測定し図２にプロットし
た。この場合、電流密度は全て０．５μＡ／ｃｍとし
た。図２より、Ｇｄの母体結晶への導入による発光輝度
向上の効果は、通常のカラーＣＲＴ等に使用する数十ｋ
ｖ程度においても十分に発光輝度向上はみられるが、特
に、数ｋｖ以下の低速電子線域での発光輝度向上に大き
く寄与することが分かる。
1)2Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体について、さらに
他の励起電圧における(Ｙ0.99Ｃｅ0.01)2Ｏ3・SｉＯ2 蛍
光体に対する相対発光輝度を測定し図２にプロットし
た。この場合、電流密度は全て０．５μＡ／ｃｍとし
た。図２より、Ｇｄの母体結晶への導入による発光輝度
向上の効果は、通常のカラーＣＲＴ等に使用する数十ｋ
ｖ程度においても十分に発光輝度向上はみられるが、特
に、数ｋｖ以下の低速電子線域での発光輝度向上に大き
く寄与することが分かる。
【００１７】図３に本発明の(Ｙ0.89Ｇｄ0.10Ｃｅ0.01)
2Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体と、比較例１の(Ｙ
0.99Ｃｅ0.01)2Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体と、
比較例６の(Ｙ0.99Ｃｅ0.01)2Ｏ3・SｉＯ2 蛍光体につい
て、蛍光体の発光輝度と電子線照射時間の関係を示し
た。ここで発光輝度は次のようにして測定した。
2Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体と、比較例１の(Ｙ
0.99Ｃｅ0.01)2Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体と、
比較例６の(Ｙ0.99Ｃｅ0.01)2Ｏ3・SｉＯ2 蛍光体につい
て、蛍光体の発光輝度と電子線照射時間の関係を示し
た。ここで発光輝度は次のようにして測定した。
【００１８】蛍光体をＰＶＡ（ポリビニルアルコール）
のバインダー液に懸濁させて塗布スラリーを調製し、得
られた塗布スラリーをガラス板に一様に塗布して蛍光体
膜を形成し、メタルバック、ベーキングを行い、ガラス
板に均一な蛍光面を形成した試料を作製する。得られた
試料をデマンタブル装置に装着して電圧２７ｋｖ、電流
密度４２μＡ／ｃｍ2の、通常の１００倍程度強い電流
密度条件で試料蛍光面を走査する。電子線照射時間と発
光輝度の関係は、この条件で所定時間試料の蛍光面を強
制劣化させ、７ｋｖ、０．５μＡ／ｃｍ2の条件で発光
輝度を測定し、各試料の電子線照射前の発光輝度を１０
０％として図にプロットした。
のバインダー液に懸濁させて塗布スラリーを調製し、得
られた塗布スラリーをガラス板に一様に塗布して蛍光体
膜を形成し、メタルバック、ベーキングを行い、ガラス
板に均一な蛍光面を形成した試料を作製する。得られた
試料をデマンタブル装置に装着して電圧２７ｋｖ、電流
密度４２μＡ／ｃｍ2の、通常の１００倍程度強い電流
密度条件で試料蛍光面を走査する。電子線照射時間と発
光輝度の関係は、この条件で所定時間試料の蛍光面を強
制劣化させ、７ｋｖ、０．５μＡ／ｃｍ2の条件で発光
輝度を測定し、各試料の電子線照射前の発光輝度を１０
０％として図にプロットした。
【００１９】図３に示すように、蛍光体母体と特定量の
ＧｄとＢａを同時に含有する本発明の蛍光体は、強制劣
化による発光輝度の低下は少ないが、Ｂａを含有するが
Ｇｄを含有しない比較例１、Ｂａ及びＧｄ共に含有しな
い比較例４の順に輝度劣化は大きくなっている。電子線
による劣化についてもイットリウムシリケート蛍光体に
Ｇｄ、Ｂａの相乗効果が確認できる。
ＧｄとＢａを同時に含有する本発明の蛍光体は、強制劣
化による発光輝度の低下は少ないが、Ｂａを含有するが
Ｇｄを含有しない比較例１、Ｂａ及びＧｄ共に含有しな
い比較例４の順に輝度劣化は大きくなっている。電子線
による劣化についてもイットリウムシリケート蛍光体に
Ｇｄ、Ｂａの相乗効果が確認できる。
【００２０】図４に本発明の実施例１〜５と、比較例１
の蛍光体についてｐの値がそれぞれ異なる(Ｙ0.99-pＧ
ｄpＣｅ0.01)2Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体につい
て、電流特性（γ特性）を比較した。ここで電流特性は
次のようにして測定した。
の蛍光体についてｐの値がそれぞれ異なる(Ｙ0.99-pＧ
ｄpＣｅ0.01)2Ｏ3・0.001(ＢａＯ)・SｉＯ2 蛍光体につい
て、電流特性（γ特性）を比較した。ここで電流特性は
次のようにして測定した。
【００２１】蛍光体をＰＶＡ（ポリビニルアルコール）
のバインダー液に懸濁させて塗布スラリーを調製し、塗
布スラリーをガラス板に一様に塗布して蛍光体膜を形成
し、メタルバック、ベーキングを行い、ガラス板に均一
な蛍光面を形成した試料を作製する。得られた試料をデ
マンタブル装置に装着し、０．０５μＡ／ｃｍ2、０．
５μＡ／ｃｍ2、５．０μＡ／ｃｍ2、及び５０．０μＡ
／ｃｍ2、の電流密度の電子線で蛍光面を走査したとき
の輝度を、基準蛍光体（比較例６）に対する相対輝度と
して求め、それぞれの相対輝度について、０．０５μＡ
／ｃｍ2 の電流密度における相対輝度を１００％とした
相対値を換算し、図４に各電流密度に対してプロットし
た。
のバインダー液に懸濁させて塗布スラリーを調製し、塗
布スラリーをガラス板に一様に塗布して蛍光体膜を形成
し、メタルバック、ベーキングを行い、ガラス板に均一
な蛍光面を形成した試料を作製する。得られた試料をデ
マンタブル装置に装着し、０．０５μＡ／ｃｍ2、０．
５μＡ／ｃｍ2、５．０μＡ／ｃｍ2、及び５０．０μＡ
／ｃｍ2、の電流密度の電子線で蛍光面を走査したとき
の輝度を、基準蛍光体（比較例６）に対する相対輝度と
して求め、それぞれの相対輝度について、０．０５μＡ
／ｃｍ2 の電流密度における相対輝度を１００％とした
相対値を換算し、図４に各電流密度に対してプロットし
た。
【００２２】図４に示すように、Ｇｄの含有により蛍光
体の電流特性は改善される。電流特性についてはＧｄの
量は多い程良いが、発光輝度、劣化特性を考慮すると、
ｐ＜０．５の範囲に限定されるべきである。
体の電流特性は改善される。電流特性についてはＧｄの
量は多い程良いが、発光輝度、劣化特性を考慮すると、
ｐ＜０．５の範囲に限定されるべきである。
【００２３】付活剤のＣｅの濃度は０．００１≦ｑ≦
０．０４の範囲が実用的である。ｑが０．００１より小
さいと、付活剤不足により発光輝度が低下し、逆に、ｑ
が０．０４以上では付活剤濃度が高すぎ濃度消光を起こ
して発光輝度は低下する。
０．０４の範囲が実用的である。ｑが０．００１より小
さいと、付活剤不足により発光輝度が低下し、逆に、ｑ
が０．０４以上では付活剤濃度が高すぎ濃度消光を起こ
して発光輝度は低下する。
【００２４】本発明において、フラックスは塩化物、弗
化物のいずれも使用することができるが、蛍光体が高電
流密度、高電圧の電子線励起を受ける状態で使用される
場合、蛍光体の輝度劣化は大きくなる傾向にあり、この
場合、弗化物を使用するよりも、塩化アンモニウム等の
塩化物を使用する方が好ましい。
化物のいずれも使用することができるが、蛍光体が高電
流密度、高電圧の電子線励起を受ける状態で使用される
場合、蛍光体の輝度劣化は大きくなる傾向にあり、この
場合、弗化物を使用するよりも、塩化アンモニウム等の
塩化物を使用する方が好ましい。
［実施例１］蛍光体原料として、次の原料を秤量する。 ・Ｙ2Ｏ3 ・・・・・・・・・・ ０．９８０モル （２２１．２８ｇ） ・Ｇｄ2Ｏ3 ・・・・・・・・・ ０．０１０モル （ ３．６２ｇ） ・ＣｅＯ2 ・・・・・・・・・ ０．０２０モル （ ３．４４ｇ） ・ＳｉＯ2 ・・・・・・・・・ １．０００モル （ ６０．０９ｇ） ・ＢａＣＯ3 ・・・・・・・・ ０．００１モル （ ０．２０ｇ） ・ＮＨ4Ｃｌ・・・・・・・・・ ０．０５０モル （ ２．６７ｇ）
【００２５】これら原料をエタノール中で十分混合して
乾燥し、アルミナ坩堝に充填して炭素還元雰囲気中で１
４２５℃で４時間加熱焼成する。得られた焼成品を水中
でボールミルし、水洗し、分離乾燥、篩をすることで本
発明の蛍光体を得た。このようにして得られた蛍光体の
平均粒径は３．０μ、中央粒径は３．５μであり、４１
０ｎｍの発光ピークを有し、比較例６の蛍光体に対する
相対発光輝度は１２０であった。
乾燥し、アルミナ坩堝に充填して炭素還元雰囲気中で１
４２５℃で４時間加熱焼成する。得られた焼成品を水中
でボールミルし、水洗し、分離乾燥、篩をすることで本
発明の蛍光体を得た。このようにして得られた蛍光体の
平均粒径は３．０μ、中央粒径は３．５μであり、４１
０ｎｍの発光ピークを有し、比較例６の蛍光体に対する
相対発光輝度は１２０であった。
【００２６】ここで平均粒径は空気透過法であるＦｉｓ
ｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒを用いて測定さ
れる平均径であり、蛍光体の比表面積から測定される。
ｈｅｒ Ｓｕｂ−Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒを用いて測定さ
れる平均径であり、蛍光体の比表面積から測定される。
【００２７】また、中央粒径は電気抵抗法の粒度分布測
定装置であるＥＬＺＯＮＥ８０ｘｙを用いて測定される
中央粒径である。
定装置であるＥＬＺＯＮＥ８０ｘｙを用いて測定される
中央粒径である。
【００２８】［実施例２〜８、比較例１〜１２］実施例
１と同様に蛍光体原料を目的の組成の化学量論比で混合
し、同様にして焼成し、表１に示す組成の蛍光体に仕上
げた。
１と同様に蛍光体原料を目的の組成の化学量論比で混合
し、同様にして焼成し、表１に示す組成の蛍光体に仕上
げた。
【００２９】これらの蛍光体の７ｋｖ、０．５μＡ／ｃ
ｍ2 の電流密度で蛍光体を発光させた時の発光色、発光
輝度を表２にまとめる。
ｍ2 の電流密度で蛍光体を発光させた時の発光色、発光
輝度を表２にまとめる。
【００３０】
【表２】
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の蛍光体の
製造方法に従えば、イットリウムシリケート蛍光体に特
定量のＧｄ、Ｂａを同時に含有させることにより、高輝
度で、劣化の少ない、高電流を流しても輝度飽和の少な
いγ特性の良好な蛍光体を得ることができた。特に、低
速電子線における発光輝度が大きく改善される。
製造方法に従えば、イットリウムシリケート蛍光体に特
定量のＧｄ、Ｂａを同時に含有させることにより、高輝
度で、劣化の少ない、高電流を流しても輝度飽和の少な
いγ特性の良好な蛍光体を得ることができた。特に、低
速電子線における発光輝度が大きく改善される。
【図１】本発明と比較例の蛍光体のＧｄ置換量と相対発
光輝度の関係を示す特性図
光輝度の関係を示す特性図
【図２】本発明の蛍光体の励起電圧と相対発光輝度の特
性図
性図
【図３】本発明と比較例の蛍光体の電子線照射時間と相
対発光輝度の関係を示す特性図
対発光輝度の関係を示す特性図
【図４】本発明と比較例の蛍光体の電流密度と相対発光
輝度の関係を示す特性図
輝度の関係を示す特性図
Claims (1)
- 【請求項１】 次の一般式で表されることを特徴とする
短残光性蛍光体。 （Ｙ1-p-qＧｄpＣｅq）2Ｏ3・ｒＢａＯ・sＳｉＯ2 ０＜ｐ≦０．５ ０．００１≦ｑ≦０．０４ ０．０００１≦ｒ≦０．０１ ０．５≦ｓ≦３
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30259296A JPH10140149A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 短残光性蛍光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30259296A JPH10140149A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 短残光性蛍光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10140149A true JPH10140149A (ja) | 1998-05-26 |
Family
ID=17910839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30259296A Pending JPH10140149A (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 短残光性蛍光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10140149A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004020550A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 蛍光体および真空紫外線励起発光素子 |
| JP2006257133A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Tohoku Univ | 蛍光体 |
-
1996
- 1996-11-14 JP JP30259296A patent/JPH10140149A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004020550A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 蛍光体および真空紫外線励起発光素子 |
| EP1541659A4 (en) * | 2002-08-29 | 2007-09-05 | Sumitomo Chemical Co | FLUORESCENT AND LUMINESCENE ELEMENT CREATED BY VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION |
| US7736535B2 (en) | 2002-08-29 | 2010-06-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Phosphor and vacuum ultraviolet excited luminescent element |
| JP2006257133A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Tohoku Univ | 蛍光体 |
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Legal Events
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Effective date: 20050920 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051101 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051213 |