JPH10143822A - 薄膜磁気構造及び薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気構造及び薄膜磁気ヘッドInfo
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910016345 CuSb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910016347 CuSn Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002535 CuZn Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract description 23
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、積層構造の反強磁性
層２４及び強磁性層２１を用いて、磁気交換結合を与え
る。この構造は、強磁性層又は反強磁性層のいずれかと
接するバッファ層を備える。 【効果】 バッファ層の作用により、反強磁性層と強磁
性層間の交換結合磁界が増大し、耐食性が改善される。
層２４及び強磁性層２１を用いて、磁気交換結合を与え
る。この構造は、強磁性層又は反強磁性層のいずれかと
接するバッファ層を備える。 【効果】 バッファ層の作用により、反強磁性層と強磁
性層間の交換結合磁界が増大し、耐食性が改善される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気記録ヘッ
ドに関し、特に強磁性材料の層と交換結合の関係に配置
された反強磁性材料の層を用いた薄膜磁気記録ヘッドに
関する。
ドに関し、特に強磁性材料の層と交換結合の関係に配置
された反強磁性材料の層を用いた薄膜磁気記録ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】特に磁気抵抗（ＭＲ）型及びスピンバル
ブ巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）型の読取り構造を有する薄膜
磁気ヘッドは、強磁性（ＦＭ）材料の層と交互に配置さ
れた反強磁性（ＡＦＭ）材料の層との多層構造を用いて
隣接層間に磁気交換結合を生じさせる。このようなＡＦ
Ｍ／ＦＭ構造は、ＭＲ及びＧＭＲセンサにおいて縦バイ
アスを与える際に、かつスピンバルブデバイスにおいて
ＦＭ層を磁気的にピン止めするために使用される。
ブ巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）型の読取り構造を有する薄膜
磁気ヘッドは、強磁性（ＦＭ）材料の層と交互に配置さ
れた反強磁性（ＡＦＭ）材料の層との多層構造を用いて
隣接層間に磁気交換結合を生じさせる。このようなＡＦ
Ｍ／ＦＭ構造は、ＭＲ及びＧＭＲセンサにおいて縦バイ
アスを与える際に、かつスピンバルブデバイスにおいて
ＦＭ層を磁気的にピン止めするために使用される。
【０００３】このようなＡＦＭ／ＦＭ交換結合構造の一
例が、ヘンプステッド（Hempstead）他による米国特許
第４，１０３，３１５号明細書に示されている。同米国
特許明細書には、最適動作のために、ＡＦＭ層とＦＭ層
間の接触を原子レベルで起こさせるのが望ましいことが
記載されている。同米国特許明細書には、ＭｎとＦｅ、
Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＲｈからなる群から
選択した元素を混ぜたＭｎガンマ相の二元合金、三元合
金及びより高次の合金を含むＡＦＭ材料が記載されてい
る。
例が、ヘンプステッド（Hempstead）他による米国特許
第４，１０３，３１５号明細書に示されている。同米国
特許明細書には、最適動作のために、ＡＦＭ層とＦＭ層
間の接触を原子レベルで起こさせるのが望ましいことが
記載されている。同米国特許明細書には、ＭｎとＦｅ、
Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＲｈからなる群から
選択した元素を混ぜたＭｎガンマ相の二元合金、三元合
金及びより高次の合金を含むＡＦＭ材料が記載されてい
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＡＦＭ
／ＦＭ積層構造は、ＡＦＭ／ＦＭ構造の交換結合磁界Ｈ
ｅを大きくしかつ耐食性を向上させるバッファ層を備え
る。本発明の構造により、保磁力Ｈｃに関して高い交換
結合磁界が得られる。
／ＦＭ積層構造は、ＡＦＭ／ＦＭ構造の交換結合磁界Ｈ
ｅを大きくしかつ耐食性を向上させるバッファ層を備え
る。本発明の構造により、保磁力Ｈｃに関して高い交換
結合磁界が得られる。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は、スピンバルブ構造に使用
するための本発明による構造の分解斜視図を示してい
る。参照符号１０は、バッファ層１２を付着した基板１
１からなるスピンバルブ構造を示している。バッファ層
１２は、例えばＴａであり、かつ、約３０Åの厚さを有
すると好都合であるが、必ずしもこれに限られるもので
はない。
するための本発明による構造の分解斜視図を示してい
る。参照符号１０は、バッファ層１２を付着した基板１
１からなるスピンバルブ構造を示している。バッファ層
１２は、例えばＴａであり、かつ、約３０Åの厚さを有
すると好都合であるが、必ずしもこれに限られるもので
はない。
【０００６】バッファ層１２の上には、その磁化の方向
及び大きさが、感知される磁界の関数として変化するＮ
ｉＦｅのような磁気的に「自由」な層１３が付着され
る。自由層１３の上には、Ｃｕのような導電性・非磁性
層１４が付着される。ＮｉＦｅのようなピン止めされた
磁性層１６が非磁性層１４の上に付着され、かつ、ピン
止めするＡＦＭ層１７がピン止め層１６上に配置され
る。
及び大きさが、感知される磁界の関数として変化するＮ
ｉＦｅのような磁気的に「自由」な層１３が付着され
る。自由層１３の上には、Ｃｕのような導電性・非磁性
層１４が付着される。ＮｉＦｅのようなピン止めされた
磁性層１６が非磁性層１４の上に付着され、かつ、ピン
止めするＡＦＭ層１７がピン止め層１６上に配置され
る。
【０００７】スピンバルブ技術ではよく知られているよ
うに、各層１３、１６及び１７が交換磁気結合を通じて
動作して、ピン止め層１６の磁化の方向を固定即ちピン
止めする一方、自由層１３の磁化の方向及び大きさが、
感知される磁界の大きさの関数として変化する。これら
の変化は、感知手段（図示せず）により検出されて、感
知磁界の大きさが表示される。スピンバルブ構造の動作
は、以下に示すように本発明によるバッファ層１２によ
って強化される。
うに、各層１３、１６及び１７が交換磁気結合を通じて
動作して、ピン止め層１６の磁化の方向を固定即ちピン
止めする一方、自由層１３の磁化の方向及び大きさが、
感知される磁界の大きさの関数として変化する。これら
の変化は、感知手段（図示せず）により検出されて、感
知磁界の大きさが表示される。スピンバルブ構造の動作
は、以下に示すように本発明によるバッファ層１２によ
って強化される。
【０００８】図２は、薄膜ＭＲ及びＧＭＲセンサにおい
て縦バイアスを生じさせるために用いる本発明の実施例
を示している。図２において、参照符号２０はバッファ
層２２上に付着させたＭＲセンサ素子２１を有する変換
器を示している。例えば、バッファ層２２はＴａからな
り、かつＮｉＦｅＲｈからなる軟隣接層（ＳＡＬ）上に
付着される。ＳＡＬ層２３は、当業者によく理解されて
いるように、ＭＲセンサに縦バイアスを与えて、そのバ
ルクハウゼンノイズを低減させ又は除去するために用い
る。
て縦バイアスを生じさせるために用いる本発明の実施例
を示している。図２において、参照符号２０はバッファ
層２２上に付着させたＭＲセンサ素子２１を有する変換
器を示している。例えば、バッファ層２２はＴａからな
り、かつＮｉＦｅＲｈからなる軟隣接層（ＳＡＬ）上に
付着される。ＳＡＬ層２３は、当業者によく理解されて
いるように、ＭＲセンサに縦バイアスを与えて、そのバ
ルクハウゼンノイズを低減させ又は除去するために用い
る。
【０００９】ＡＦＭ層２４がＭＲセンサ素子２１の両端
の上に付着され、そのアクティブな中央領域を自由な状
態にしておく。導電リード２６をＡＦＭ層２４に付着さ
せて、センス電流をＭＲ素子２１にＡＦＭ層２４を介し
て供給し、かつ必要な場合には、ＭＲ素子２１に横バイ
アスを与える。図２の実施例では、Ｔａ層２２がバッフ
ァ層として、ＦＭ磁気抵抗層２１と共働して、ＡＦＭ層
２４の交換結合磁界Ｈｅを増大させる。
の上に付着され、そのアクティブな中央領域を自由な状
態にしておく。導電リード２６をＡＦＭ層２４に付着さ
せて、センス電流をＭＲ素子２１にＡＦＭ層２４を介し
て供給し、かつ必要な場合には、ＭＲ素子２１に横バイ
アスを与える。図２の実施例では、Ｔａ層２２がバッフ
ァ層として、ＦＭ磁気抵抗層２１と共働して、ＡＦＭ層
２４の交換結合磁界Ｈｅを増大させる。
【００１０】両実施例における前記ＡＦＭ層の好適な組
成はＦｅＭｎＲｈＹであり、ここで、ＹはＰｔ、Ｐｄ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＩｒか
ら選択され、かつＭｎに対するＦｅの比率を０．８〜
１．８：１として、Ｒｈは３〜８原子％、Ｙは０〜１０
原子％である。
成はＦｅＭｎＲｈＹであり、ここで、ＹはＰｔ、Ｐｄ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＩｒか
ら選択され、かつＭｎに対するＦｅの比率を０．８〜
１．８：１として、Ｒｈは３〜８原子％、Ｙは０〜１０
原子％である。
【００１１】図３の線図は、バッファ層を有する又は有
しない様々なＡＦＭ／ＦＭ構造について温度の関数とし
て交換結合磁界Ｈｅ及び磁界Ｈｃの変化を示している。
前記ＡＦＭ層は、原子％で特定するとＦｅ49Ｍｎ46Ｒｈ
5であり、膜厚４００Åであった。全ての膜はＮｉＦｅ
のＦＭ層の上に付着させた。本発明では、サンプルを１
７５〜２５０℃の範囲の温度で焼なましするのが好まし
く、図３に示す全てのサンプルは２５０℃で焼なましし
た。図３の曲線３１は、ＮｉＦｅのＦＭ層及び膜厚４０
０ÅのＦｅＭｎＲｈのＡＦＭ層を有し、バッファ層の無
い構造のＨｃの値を示し、かつ、曲線３２は、これと同
じＡＦＭ／ＦＭ構造の交換結合磁界Ｈｅの値を示してい
る。
しない様々なＡＦＭ／ＦＭ構造について温度の関数とし
て交換結合磁界Ｈｅ及び磁界Ｈｃの変化を示している。
前記ＡＦＭ層は、原子％で特定するとＦｅ49Ｍｎ46Ｒｈ
5であり、膜厚４００Åであった。全ての膜はＮｉＦｅ
のＦＭ層の上に付着させた。本発明では、サンプルを１
７５〜２５０℃の範囲の温度で焼なましするのが好まし
く、図３に示す全てのサンプルは２５０℃で焼なましし
た。図３の曲線３１は、ＮｉＦｅのＦＭ層及び膜厚４０
０ÅのＦｅＭｎＲｈのＡＦＭ層を有し、バッファ層の無
い構造のＨｃの値を示し、かつ、曲線３２は、これと同
じＡＦＭ／ＦＭ構造の交換結合磁界Ｈｅの値を示してい
る。
【００１２】図３の曲線３３は、本発明によるＴａバッ
ファ層を有するＦｅＭｎＲｈ／ＮｉＦｅからなるＡＦＭ
／ＦＭ積層構造についてＨｃ値の変化を示し、曲線３４
は、これと同じ構造についてＨｅ磁界を示している。図
３の曲線３６は、Ｃｕ下地層を有するＦｅＭｎＲｈ／Ｎ
ｉＦｅからなるＡＦＭ／ＦＭ積層構造についてＨｃの値
の変化を示している。曲線３７は、これと同じ構造につ
いてＨｅの値の変化を示している。
ファ層を有するＦｅＭｎＲｈ／ＮｉＦｅからなるＡＦＭ
／ＦＭ積層構造についてＨｃ値の変化を示し、曲線３４
は、これと同じ構造についてＨｅ磁界を示している。図
３の曲線３６は、Ｃｕ下地層を有するＦｅＭｎＲｈ／Ｎ
ｉＦｅからなるＡＦＭ／ＦＭ積層構造についてＨｃの値
の変化を示している。曲線３７は、これと同じ構造につ
いてＨｅの値の変化を示している。
【００１３】図３の線図から、バッファ層を有しない同
じＡＦＭ／ＦＭ組成についての値と比較して、本発明の
組成により、Ｔａバッファ層及びＣｕバッファ層の両方
について動作温度の全範囲に亘ってＨｅの値が大幅に改
善されたことが分かる。図３は、本発明のバッファ層を
有する場合、１３０〜１４０℃までの温度についてＨｅ
の値がＨｃより大きいことを示している。
じＡＦＭ／ＦＭ組成についての値と比較して、本発明の
組成により、Ｔａバッファ層及びＣｕバッファ層の両方
について動作温度の全範囲に亘ってＨｅの値が大幅に改
善されたことが分かる。図３は、本発明のバッファ層を
有する場合、１３０〜１４０℃までの温度についてＨｅ
の値がＨｃより大きいことを示している。
【００１４】この動作特性の改善は、本発明のバッファ
層が格子整合（lattice matching）を通じてＦｅＭｎＲ
ｈのガンマ相の成長を促進するという事実による結果で
あると思われる。Ｃｕ二元合金、ＣｕＺｎ、ＣｕＳｂ、
ＣｕＳｎ、ＣｕＧｅ及びＣｕＭｎは、ＦｅＭｎＲｈ又は
ＦｅＭｎとの格子整合が可能なＣｕ合金の例である。こ
れにより、所望のガンマ相ＡＦＭ合金の形成が促進さ
れ、従ってこのような整合なしに得られるよりも大きな
交換磁界が得られ、かつ、それにより発生する交換磁界
が最適化される。これらＣｕを主成分とする二元合金の
場合には、ＡＦＭ層をバッファ層の上に直接付着させる
ことができる。
層が格子整合（lattice matching）を通じてＦｅＭｎＲ
ｈのガンマ相の成長を促進するという事実による結果で
あると思われる。Ｃｕ二元合金、ＣｕＺｎ、ＣｕＳｂ、
ＣｕＳｎ、ＣｕＧｅ及びＣｕＭｎは、ＦｅＭｎＲｈ又は
ＦｅＭｎとの格子整合が可能なＣｕ合金の例である。こ
れにより、所望のガンマ相ＡＦＭ合金の形成が促進さ
れ、従ってこのような整合なしに得られるよりも大きな
交換磁界が得られ、かつ、それにより発生する交換磁界
が最適化される。これらＣｕを主成分とする二元合金の
場合には、ＡＦＭ層をバッファ層の上に直接付着させる
ことができる。
【００１５】また、タンタルは、それがその上にＡＦＭ
材料を付着させるＮｉＦｅの強い fcc 111 テクスチャ
を付与するという事実により、所望のガンマ相ＡＦＭ合
金の形成を促進する。この fcc 111 テクスチャは、Ａ
ＦＭ材料の所望のガンマ相の成長を促進する。
材料を付着させるＮｉＦｅの強い fcc 111 テクスチャ
を付与するという事実により、所望のガンマ相ＡＦＭ合
金の形成を促進する。この fcc 111 テクスチャは、Ａ
ＦＭ材料の所望のガンマ相の成長を促進する。
【００１６】図４の線図は、本発明による構造の耐食性
の向上を示している。曲線３８は、バッファ層を有する
ＮｉＦｅからなるＦＭ層上のＦｅＭｎからなるＡＦＭ層
の腐食を示しており、曲線３９は、バッファ層を有する
ＮｉＦｅからなるＦＭ層上のＦｅＭｎＲｈからなるＡＦ
Ｍ層の腐食を示している。
の向上を示している。曲線３８は、バッファ層を有する
ＮｉＦｅからなるＦＭ層上のＦｅＭｎからなるＡＦＭ層
の腐食を示しており、曲線３９は、バッファ層を有する
ＮｉＦｅからなるＦＭ層上のＦｅＭｎＲｈからなるＡＦ
Ｍ層の腐食を示している。
【００１７】本発明の結果得られる耐食性の向上によ
り、ＦｅＭｎの二元合金の場合に要求されるのと比較し
て、処理工程の複雑さ又は敏感さが少なくなる。例え
ば、ＦｅＭｎはｐＨ〜３−０の１％酸性溶液で１０秒で
エッチングされるのに対し、ＦｅＭｎＲｈのエッチング
には３００秒以上を要する。
り、ＦｅＭｎの二元合金の場合に要求されるのと比較し
て、処理工程の複雑さ又は敏感さが少なくなる。例え
ば、ＦｅＭｎはｐＨ〜３−０の１％酸性溶液で１０秒で
エッチングされるのに対し、ＦｅＭｎＲｈのエッチング
には３００秒以上を要する。
【００１８】図５の線図は、ｘをＲｈの原子％とするＦ
ｅＭｎＲｈｘ層におけるＲｈ濃度の関数として、ＮｉＦ
ｅのＦＭ層上のＦｅＭｎＲｈｘからなる膜厚２００Åの
ＡＦＭ層の磁界Ｈｅ及びＨｃの変化（それぞれ、曲線４
１及び４２）を示す。同図から、前記ＡＦＭ層における
５原子％以下のＲｈ濃度について、交換結合磁界Ｈｅの
値が高くかつ一定であることが分かるが、これは所望の
結果である。
ｅＭｎＲｈｘ層におけるＲｈ濃度の関数として、ＮｉＦ
ｅのＦＭ層上のＦｅＭｎＲｈｘからなる膜厚２００Åの
ＡＦＭ層の磁界Ｈｅ及びＨｃの変化（それぞれ、曲線４
１及び４２）を示す。同図から、前記ＡＦＭ層における
５原子％以下のＲｈ濃度について、交換結合磁界Ｈｅの
値が高くかつ一定であることが分かるが、これは所望の
結果である。
【図１】スピンバルブ構造において本発明を具体化した
薄膜磁気ヘッドの部分を示す斜視図である。
薄膜磁気ヘッドの部分を示す斜視図である。
【図２】本発明を用いてＭＲセンサに縦バイアスを与え
る薄膜磁気ヘッドの横断面図である。
る薄膜磁気ヘッドの横断面図である。
【図３】様々なＡＦＭ／ＦＭの組成における交換結合磁
界への本発明の効果を示す線図である。
界への本発明の効果を示す線図である。
【図４】本発明の薄膜要素におけるＡＦＭ膜のエッチン
グレートに対して測定した耐食性の向上を示す線図であ
る。
グレートに対して測定した耐食性の向上を示す線図であ
る。
【図５】本発明の薄膜構造の交換結合磁界の強さの変化
をＡＦＭ膜のＲｈ含有量の関数として示す線図である。
をＡＦＭ膜のＲｈ含有量の関数として示す線図である。
１０ スピンバルブ構造 １１ 基板 １２ バッファ層 １３ 自由層 １４ 導電性・非磁性層 １６ ピン止め層 １７ ＡＦＭ層 ２０ 参照符号 ２１ ＭＲセンサ素子 ２２ バッファ層 ２３ ＳＡＬ層 ２４ ＡＦＭ層 ２６ 導電リード ３１、３２、３３、３４、３６、３７、３８、３９、４
１、４２ 曲線
１、４２ 曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルコス・エム・レダーマン アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94107，サン・フランシスコ，アパートメ ント・321，サード・ストリート・300
Claims (9)
- 【請求項１】 強磁性材料層と、前記強磁性材料層に
接触する反強磁性材料層と、前記強磁性材料層又は前記
反強磁性材料層のいずれかに接触するバッファ層とを備
えることを特徴とする薄膜磁気構造。 - 【請求項２】 前記反強磁性材料層がＦｅＭｎＲｈで
あることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気構造。 - 【請求項３】 前記Ｒｈが３〜８原子％の濃度で前記
反強磁性材料層中に存在することを特徴とする請求項２
記載の薄膜磁気構造。 - 【請求項４】 前記反強磁性材料層が、ＹをＰｔ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＩ
ｒからなる群から選択した場合に、ＦｅＭｎＲｈＹから
なることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気構造。 - 【請求項５】 前記バッファ層が、Ｔａ、Ｃｕ、又
は、ＣｕＺｎ、ＣｕＳｂ、ＣｕＳｎ、ＣｕＧｅ及びＣｕ
Ｍｎからなる群から選択した格子整合させた合金からな
ることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気構造。 - 【請求項６】 前記反強磁性材料層がＣｕ及びＣｕ合
金からなる前記バッファ層の上に付着されていることを
特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記バッファ層がＴａであり、前記強
磁性材料層が前記バッファ層の上に付着され、かつ、前
記反強磁性材料層が前記強磁性材料層の上に付着されて
いることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記構造が１７５℃から２５０℃の範
囲の温度で焼なましされていることを特徴とする請求項
１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記バッファ層が約３０Åの膜厚を有
することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/742,473 | 1996-11-01 | ||
| US08/742,473 US5717550A (en) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | Antiferromagnetic exchange biasing using buffer layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10143822A true JPH10143822A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=24984985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9284250A Pending JPH10143822A (ja) | 1996-11-01 | 1997-10-02 | 薄膜磁気構造及び薄膜磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5717550A (ja) |
| EP (1) | EP0840334A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10143822A (ja) |
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| KR100358452B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2002-10-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 자기 장치용 고정층 |
| KR20030077807A (ko) * | 2002-03-27 | 2003-10-04 | 조윤기 | 셀레늄 또는 이의 유도체를 함유하는 외용제 조성물 |
| US6775110B1 (en) | 1997-05-14 | 2004-08-10 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect device with a Ta, Hf, or Zr sublayer contacting an NiFe layer in a magneto resistive structure |
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| US6738236B1 (en) | 1998-05-07 | 2004-05-18 | Seagate Technology Llc | Spin valve/GMR sensor using synthetic antiferromagnetic layer pinned by Mn-alloy having a high blocking temperature |
| US6191926B1 (en) | 1998-05-07 | 2001-02-20 | Seagate Technology Llc | Spin valve magnetoresistive sensor using permanent magnet biased artificial antiferromagnet layer |
| US6356420B1 (en) | 1998-05-07 | 2002-03-12 | Seagate Technology Llc | Storage system having read head utilizing GMR and AMr effects |
| US6169647B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-01-02 | Seagate Technology Llc | Giant magnetoresistive sensor having weakly pinned ferromagnetic layer |
| JP2000030224A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 |
| US6195240B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Spin valve head with diffusion barrier |
| US6452765B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-09-17 | Read-Rite Corporation | CoNbTi as high resistivity SAL material for high-density MR |
| US6185077B1 (en) | 1999-01-06 | 2001-02-06 | Read-Rite Corporation | Spin valve sensor with antiferromagnetic and magnetostatically coupled pinning structure |
| US6469878B1 (en) | 1999-02-11 | 2002-10-22 | Seagate Technology Llc | Data head and method using a single antiferromagnetic material to pin multiple magnetic layers with differing orientation |
| DE10196646T1 (de) * | 2000-09-19 | 2003-08-21 | Seagate Technology Llc | Riesenmagnetowiderstand- bzw. GMR-Sensor mit selbstkonsistenten Entmagnetisierungsfeldern |
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| US6614630B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-09-02 | Headway Technologies, Inc. | Top spin valve heads for ultra-high recording density |
| US8675318B1 (en) | 2011-11-22 | 2014-03-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having a reduced shield-to-shield spacing |
| US8711528B1 (en) | 2012-06-29 | 2014-04-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Tunnel magnetoresistance read head with narrow shield-to-shield spacing |
| US9269382B1 (en) | 2012-06-29 | 2016-02-23 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having improved pinning of the pinned layer at higher recording densities |
| US8760822B1 (en) | 2012-11-28 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having an extended pinned layer and soft magnetic bias structures with improved stability |
| US9318130B1 (en) | 2013-07-02 | 2016-04-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Method to fabricate tunneling magnetic recording heads with extended pinned layer |
| US9214172B2 (en) | 2013-10-23 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method of manufacturing a magnetic read head |
| US9147404B1 (en) | 2015-03-31 | 2015-09-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having a dual free layer |
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1996
- 1996-11-01 US US08/742,473 patent/US5717550A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-02 JP JP9284250A patent/JPH10143822A/ja active Pending
- 1997-10-27 EP EP97118644A patent/EP0840334A1/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5717550A (en) | 1998-02-10 |
| EP0840334A1 (en) | 1998-05-06 |
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