JPH10143933A - 記録媒体及び情報記録再生装置 - Google Patents
記録媒体及び情報記録再生装置Info
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- JPH10143933A JPH10143933A JP8301996A JP30199696A JPH10143933A JP H10143933 A JPH10143933 A JP H10143933A JP 8301996 A JP8301996 A JP 8301996A JP 30199696 A JP30199696 A JP 30199696A JP H10143933 A JPH10143933 A JP H10143933A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度記録の光磁気記録媒体の再生において
は、再生レーザ光のビーム径を小さくしなければ再生で
きない。また、ランドに記録した信号、グルーブに記録
した信号、およびグルーブの両側の壁にウォブルとして
記録した信号を独立に再生することができない。 【解決手段】 ランドとグルーブとから成るトラックを
通する光磁気記録媒体のグルーブの両側の壁に、再生専
用データ用のウォブルを設ける。また、レーザ光を受
け、受けたレーザ光から少なくとも第１の回折光、およ
び第２の回折光を生成する手段であって、レーザ光の偏
光面に対して所定の角度を成すように格子が形成され、
第１の回折光、および第２の回折光を対物レンズに導く
回折手段を含む光学系を用いて信号を再生する。
は、再生レーザ光のビーム径を小さくしなければ再生で
きない。また、ランドに記録した信号、グルーブに記録
した信号、およびグルーブの両側の壁にウォブルとして
記録した信号を独立に再生することができない。 【解決手段】 ランドとグルーブとから成るトラックを
通する光磁気記録媒体のグルーブの両側の壁に、再生専
用データ用のウォブルを設ける。また、レーザ光を受
け、受けたレーザ光から少なくとも第１の回折光、およ
び第２の回折光を生成する手段であって、レーザ光の偏
光面に対して所定の角度を成すように格子が形成され、
第１の回折光、および第２の回折光を対物レンズに導く
回折手段を含む光学系を用いて信号を再生する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、媒体の高品質化及
び記録技術等の高度化により高密度記録化を達成した記
録媒体及び情報記録再生装置、特に、磁界を用いて信号
の記録を行う光磁気記録媒体とその記録再生装置に関す
る。
び記録技術等の高度化により高密度記録化を達成した記
録媒体及び情報記録再生装置、特に、磁界を用いて信号
の記録を行う光磁気記録媒体とその記録再生装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。しかし、情報量の増大と装置のコンパクト
化に伴い、より一層の高密度記録再生技術が要請されて
いる。
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。しかし、情報量の増大と装置のコンパクト
化に伴い、より一層の高密度記録再生技術が要請されて
いる。
【０００３】高密度記録再生技術は、媒体側の技術と装
置側の技術とから成る。前者の技術としては、媒体の狭
ピッチ化や、磁気多層膜による再生分解能の向上化など
の技術がある。ここで、磁気多層膜による再生分解能の
向上化技術は、レーザスポットの温度分布が中心付近に
て最高となるガウス分布を成すことを利用して、記録層
の状態を再生層に選択的に転写して、該再生層の状態を
読み出すようにした技術であり、現在、主に、ＦＡＤ，
ＲＡＤ，ＣＡＤの３種類がある。これらの技術において
は、レーザスポットの前方若しくは後方をマスクとし、
これにより再生密度をレーザスポット径より小さくする
ことができる。この結果、再生の高密度化を図ることが
できる。後者の技術としては、レーザー光の回折限界を
超える集光スポットを得る光学的超解像手法や、レーザ
光の短波長化などがある。また、記録時の印加磁界の変
調化、レーザビームのパルス化により高密度な記録を実
現でき、現在、最短ドメイン長０.１５μｍまでの記録
が確認されている。
置側の技術とから成る。前者の技術としては、媒体の狭
ピッチ化や、磁気多層膜による再生分解能の向上化など
の技術がある。ここで、磁気多層膜による再生分解能の
向上化技術は、レーザスポットの温度分布が中心付近に
て最高となるガウス分布を成すことを利用して、記録層
の状態を再生層に選択的に転写して、該再生層の状態を
読み出すようにした技術であり、現在、主に、ＦＡＤ，
ＲＡＤ，ＣＡＤの３種類がある。これらの技術において
は、レーザスポットの前方若しくは後方をマスクとし、
これにより再生密度をレーザスポット径より小さくする
ことができる。この結果、再生の高密度化を図ることが
できる。後者の技術としては、レーザー光の回折限界を
超える集光スポットを得る光学的超解像手法や、レーザ
光の短波長化などがある。また、記録時の印加磁界の変
調化、レーザビームのパルス化により高密度な記録を実
現でき、現在、最短ドメイン長０.１５μｍまでの記録
が確認されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、最短ドメイン
長を小さくすることにより高密度記録を行った光磁気記
録媒体の再生においては、通常、再生に用いるレーザ光
のビーム径を小さくすることが必要であり、このビーム
径を小さくすることには限界がある。また、超解像光磁
気記録媒体を用いるとレーザ光のビーム径を小さくしな
くても、小さいドメインだけを抽出して再生することは
できるが、この場合、再生信号が小さくという問題があ
る。
長を小さくすることにより高密度記録を行った光磁気記
録媒体の再生においては、通常、再生に用いるレーザ光
のビーム径を小さくすることが必要であり、このビーム
径を小さくすることには限界がある。また、超解像光磁
気記録媒体を用いるとレーザ光のビーム径を小さくしな
くても、小さいドメインだけを抽出して再生することは
できるが、この場合、再生信号が小さくという問題があ
る。
【０００５】従って、最短ドメイン長を小さくすること
により高密度に記録する方法では、記録密度は高くでき
ても、再生技術が追従することができない。本発明は、
かかる問題を解決し、特に再生時に用いるレーザ光のビ
ーム径を小さくすることなく、高密度記録を行った光磁
気記録媒体からの再生を行うことができる記録媒体、お
よびその記録再生装置を提供するものである。
により高密度に記録する方法では、記録密度は高くでき
ても、再生技術が追従することができない。本発明は、
かかる問題を解決し、特に再生時に用いるレーザ光のビ
ーム径を小さくすることなく、高密度記録を行った光磁
気記録媒体からの再生を行うことができる記録媒体、お
よびその記録再生装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ランドとグル
ーブとから成るトラックを有する記録媒体において、グ
ルーブの両側の壁に信号を記録したウォブルを設け、ト
ラックの表面に記録可能な材料を形成したことを特徴と
する。また、本発明は、記録可能な材料が磁性膜である
ことを特徴とする。
ーブとから成るトラックを有する記録媒体において、グ
ルーブの両側の壁に信号を記録したウォブルを設け、ト
ラックの表面に記録可能な材料を形成したことを特徴と
する。また、本発明は、記録可能な材料が磁性膜である
ことを特徴とする。
【０００７】また、本発明は、磁性膜が信号を記録する
第１の磁性層と、第１の磁性層から信号が転写される第
２の磁性層とを含むことを特徴とする。また、本発明
は、第２の磁性層が第１の磁性層に接して形成されてい
ることを特徴とする。また、本発明は、第１の磁性層と
第２の磁性膜との間に非磁性膜が形成されていることを
特徴とする。
第１の磁性層と、第１の磁性層から信号が転写される第
２の磁性層とを含むことを特徴とする。また、本発明
は、第２の磁性層が第１の磁性層に接して形成されてい
ることを特徴とする。また、本発明は、第１の磁性層と
第２の磁性膜との間に非磁性膜が形成されていることを
特徴とする。
【０００８】また、本発明は、第１の磁性層が垂直磁化
膜から成っており、第２の磁性層が面内磁化膜から成っ
ていることを特徴とする。また、本発明は、垂直磁化膜
がＴｂＦｅＣｏ、もしくはＴｂ，Ｄｙ，Ｎｄの中から選
択した少なくとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉとから成る
単層の磁性膜又は多層の磁性膜、Ｐｔ，Ｐｄの内の少な
くとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択した少な
くとも１元素とから成る単層の磁性膜又は多層の磁性膜
であり、面内磁化膜がＧｄＦｅＣｏ、もしくはＧｄＦ
ｅ、もしくはＧｄＣｏ、もしくはＴｂＣｏ、もしくはＨ
ｏ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの中から選択された少なくとも１
元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択された少なくとも
１元素とから成る磁性膜であることを特徴とする。
膜から成っており、第２の磁性層が面内磁化膜から成っ
ていることを特徴とする。また、本発明は、垂直磁化膜
がＴｂＦｅＣｏ、もしくはＴｂ，Ｄｙ，Ｎｄの中から選
択した少なくとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉとから成る
単層の磁性膜又は多層の磁性膜、Ｐｔ，Ｐｄの内の少な
くとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択した少な
くとも１元素とから成る単層の磁性膜又は多層の磁性膜
であり、面内磁化膜がＧｄＦｅＣｏ、もしくはＧｄＦ
ｅ、もしくはＧｄＣｏ、もしくはＴｂＣｏ、もしくはＨ
ｏ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの中から選択された少なくとも１
元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択された少なくとも
１元素とから成る磁性膜であることを特徴とする。
【０００９】また、本発明は、非磁性膜はＳｉＮ、もし
くはＡｌＮ、もしくはＴｉＮ、もしくはＳｉＯ2、もしく
はＡｌ2Ｏ3、もしくはＳｉＣ、もしくはＴｉＣ、もしく
はＺｎＯ、もしくはＳｉＡｌＯＮ、もしくはＩＴＯ、も
しくはＳｎＯ2であることを特徴とする。また、本発明
は、垂直磁化膜、および面内磁化膜の構造がアモルファ
ス構造であることを特徴とする。
くはＡｌＮ、もしくはＴｉＮ、もしくはＳｉＯ2、もしく
はＡｌ2Ｏ3、もしくはＳｉＣ、もしくはＴｉＣ、もしく
はＺｎＯ、もしくはＳｉＡｌＯＮ、もしくはＩＴＯ、も
しくはＳｎＯ2であることを特徴とする。また、本発明
は、垂直磁化膜、および面内磁化膜の構造がアモルファ
ス構造であることを特徴とする。
【００１０】また、本発明は、垂直磁化膜、および面内
磁化膜の構造が多結晶もしくは単結晶構造であることを
特徴とする。また、本発明は、ウォブルの形状がサイン
カーブであることを特徴とする。また、本発明は、ウォ
ブルの形状が三角波形であることを特徴とする。また、
本発明は、ウォブルの形状が矩形波形であることを特徴
とする。
磁化膜の構造が多結晶もしくは単結晶構造であることを
特徴とする。また、本発明は、ウォブルの形状がサイン
カーブであることを特徴とする。また、本発明は、ウォ
ブルの形状が三角波形であることを特徴とする。また、
本発明は、ウォブルの形状が矩形波形であることを特徴
とする。
【００１１】また、本発明は、ウォブルの振幅が５〜４
０ｎｍの範囲であることを特徴とする。また、本発明
は、ウォブルに記録される信号は再生専用信号であるこ
とを特徴とする。また、本発明は、ランドと、両側の壁
に信号を記録したウォブルを設けたグルーブとからなる
トラックを有し、トラックの表面に記録可能な材料を形
成した記録媒体の記録面に対向して設けられた対物レン
ズと、レーザ光を生成するレーザ光生成手段と、レーザ
光を受け、受けたレーザ光から少なくとも第１の回折
光、および第２の回折光を生成する手段であって、トラ
ックに対して所定の角度を成すように格子が形成され、
第１の回折光、および第２の回折光を対物レンズに導く
回折手段と、第１の回折光、および第２の回折光の記録
面からの反射光をプッシュプル信号もしくは光磁気信号
として検出する光検出手段とを含むことを特徴とする。
０ｎｍの範囲であることを特徴とする。また、本発明
は、ウォブルに記録される信号は再生専用信号であるこ
とを特徴とする。また、本発明は、ランドと、両側の壁
に信号を記録したウォブルを設けたグルーブとからなる
トラックを有し、トラックの表面に記録可能な材料を形
成した記録媒体の記録面に対向して設けられた対物レン
ズと、レーザ光を生成するレーザ光生成手段と、レーザ
光を受け、受けたレーザ光から少なくとも第１の回折
光、および第２の回折光を生成する手段であって、トラ
ックに対して所定の角度を成すように格子が形成され、
第１の回折光、および第２の回折光を対物レンズに導く
回折手段と、第１の回折光、および第２の回折光の記録
面からの反射光をプッシュプル信号もしくは光磁気信号
として検出する光検出手段とを含むことを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、ランドと、両側の壁に信
号を記録したウォブルを設けたグルーブとからなるトラ
ックを有し、トラックの表面に記録可能な材料を形成し
た記録媒体の記録面に対向して設けられた対物レンズ
と、レーザ光を生成するレーザ光生成手段と、レーザ光
を受け、受けたレーザ光から第１の回折光、第２の回折
光、および第３の回折光を生成する手段であって、トラ
ックに対して所定の角度を成すように格子が形成され、
第１の回折光、第２の回折光、および第３の回折光を対
物レンズに導く回折手段と、第１の回折光、第２の回折
光、および第３の回折光の記録面からの反射光をプッシ
ュプル信号もしくは光磁気信号として検出する光検出手
段とを含むことを特徴とする。
号を記録したウォブルを設けたグルーブとからなるトラ
ックを有し、トラックの表面に記録可能な材料を形成し
た記録媒体の記録面に対向して設けられた対物レンズ
と、レーザ光を生成するレーザ光生成手段と、レーザ光
を受け、受けたレーザ光から第１の回折光、第２の回折
光、および第３の回折光を生成する手段であって、トラ
ックに対して所定の角度を成すように格子が形成され、
第１の回折光、第２の回折光、および第３の回折光を対
物レンズに導く回折手段と、第１の回折光、第２の回折
光、および第３の回折光の記録面からの反射光をプッシ
ュプル信号もしくは光磁気信号として検出する光検出手
段とを含むことを特徴とする。
【００１３】また、本発明は、ランドと、両側の壁に信
号を記録したウォブルを設けたグルーブとからなるトラ
ックを有し、トラックの表面に記録可能な材料を形成し
た記録媒体の記録面に対向して設けられた対物レンズ
と、第１のレーザ光を生成する第１の半導体レーザチッ
プ、および第２のレーザ光を生成する第２の半導体レー
ザチップを含み、第１の半導体レーザチップと第２の半
導体レーザチップとが配置される方向と、トラックの方
向とが所定の角度を成すように配置されているレーザ光
生成手段と、第１のレーザ光、および第２のレーザ光を
受け、受けたレーザ光を平行光にして対物レンズに導く
コリメータレンズと、第１のレーザ光、および第２のレ
ーザ光の記録面からの反射光をプッシュプル信号もしく
は光磁気信号として検出する光検出手段とを含むことを
特徴とする。
号を記録したウォブルを設けたグルーブとからなるトラ
ックを有し、トラックの表面に記録可能な材料を形成し
た記録媒体の記録面に対向して設けられた対物レンズ
と、第１のレーザ光を生成する第１の半導体レーザチッ
プ、および第２のレーザ光を生成する第２の半導体レー
ザチップを含み、第１の半導体レーザチップと第２の半
導体レーザチップとが配置される方向と、トラックの方
向とが所定の角度を成すように配置されているレーザ光
生成手段と、第１のレーザ光、および第２のレーザ光を
受け、受けたレーザ光を平行光にして対物レンズに導く
コリメータレンズと、第１のレーザ光、および第２のレ
ーザ光の記録面からの反射光をプッシュプル信号もしく
は光磁気信号として検出する光検出手段とを含むことを
特徴とする。
【００１４】また、本発明は、ランドと、両側の壁に信
号を記録したウォブルを設けたグルーブとからなるトラ
ックを有し、トラックの表面に記録可能な材料を形成し
た記録媒体の記録面に対向して設けられた対物レンズ
と、第１のレーザ光を生成する第１の半導体レーザチッ
プ、第２のレーザ光を生成する第２の半導体レーザチッ
プ、および第３のレーザ光を生成する第３の半導体レー
ザチップを含み、第１の半導体レーザチップと第２の半
導体レーザと第３の半導体レーザチップとが配置される
方向と、トラックの方向とが所定の角度を成すように配
置されているレーザ光生成手段と、第１のレーザ光、第
２のレーザ光、および第３のレーザ光の記録面からの反
射光をプッシュプル信号もしくは光磁気信号として検出
する光検出手段とを含むことを特徴とする。
号を記録したウォブルを設けたグルーブとからなるトラ
ックを有し、トラックの表面に記録可能な材料を形成し
た記録媒体の記録面に対向して設けられた対物レンズ
と、第１のレーザ光を生成する第１の半導体レーザチッ
プ、第２のレーザ光を生成する第２の半導体レーザチッ
プ、および第３のレーザ光を生成する第３の半導体レー
ザチップを含み、第１の半導体レーザチップと第２の半
導体レーザと第３の半導体レーザチップとが配置される
方向と、トラックの方向とが所定の角度を成すように配
置されているレーザ光生成手段と、第１のレーザ光、第
２のレーザ光、および第３のレーザ光の記録面からの反
射光をプッシュプル信号もしくは光磁気信号として検出
する光検出手段とを含むことを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、ウォブルから再生された
信号の信号強度をホールドするサンプルホールド回路
と、サンプルホールド回路にホールドされた信号強度を
ＡＧＣ信号として受け、ＡＧＣ信号を基準にして光磁気
信号を増幅するＡＧＣ回路とを含むことを特徴とする。
信号の信号強度をホールドするサンプルホールド回路
と、サンプルホールド回路にホールドされた信号強度を
ＡＧＣ信号として受け、ＡＧＣ信号を基準にして光磁気
信号を増幅するＡＧＣ回路とを含むことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図を参照しつつ、本発明の実施の
形態を説明する。図１を参照して、本発明の光磁気記録
媒体１０はスパイラル状にトラックＴが形成された光磁
気記録媒体である。また、トラックＴの形状は、スパイ
ラル状に限るものではなく、同心円状であってもよい。
図２を参照して、前記トラックＴはランドＬとグルーブ
Ｇとからなっており、前記グルーブの両側の壁にはウォ
ブル３が形成されている。前記ランドＬ、前記グルーブ
Ｇ、および前記ウォブル３はポリカーボネート等の透光
性基板１の成形時に形成される。基板の成形後、前記ラ
ンドＬ、および前記グルーブＧの表面を覆うように記録
可能な材料２が形成される。本実施の形態においては、
前記記録可能な材料２として磁性膜を用いた場合につい
て説明する。本発明においては、アドレスに限らず、再
生専用のデータを前記グルーブＧの両側の壁にウォブル
の形で記録し、前記ランドＬまたは前記グルーブＧには
書き換え可能なデータを記録することを１つの特徴とし
ている。即ち、前記光磁気記録媒体１０は、再生専用領
域と書き換え可能領域を有した記録媒体である。
形態を説明する。図１を参照して、本発明の光磁気記録
媒体１０はスパイラル状にトラックＴが形成された光磁
気記録媒体である。また、トラックＴの形状は、スパイ
ラル状に限るものではなく、同心円状であってもよい。
図２を参照して、前記トラックＴはランドＬとグルーブ
Ｇとからなっており、前記グルーブの両側の壁にはウォ
ブル３が形成されている。前記ランドＬ、前記グルーブ
Ｇ、および前記ウォブル３はポリカーボネート等の透光
性基板１の成形時に形成される。基板の成形後、前記ラ
ンドＬ、および前記グルーブＧの表面を覆うように記録
可能な材料２が形成される。本実施の形態においては、
前記記録可能な材料２として磁性膜を用いた場合につい
て説明する。本発明においては、アドレスに限らず、再
生専用のデータを前記グルーブＧの両側の壁にウォブル
の形で記録し、前記ランドＬまたは前記グルーブＧには
書き換え可能なデータを記録することを１つの特徴とし
ている。即ち、前記光磁気記録媒体１０は、再生専用領
域と書き換え可能領域を有した記録媒体である。
【００１７】図３を参照して、前記磁性膜２の詳細につ
いて説明する。前記磁性膜２は、下地層２１、再生層２
２、記録層２４、保護層２５、および紫外線硬化樹脂２
６を順次、前記透光性基板１上に堆積することにより形
成する。前記下地層２１としてはＳｉＮ、前記再生層２
２は面内磁化膜であり、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、Ｇｄ
Ｃｏ、ＴｂＣｏ、Ｈｏ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの中から選択
された少なくとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選
択された少なくとも１元素とから成る磁性膜が前記再生
層２２に適している。また、前記記録層２４は垂直磁化
膜であり、ＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄの中から選
択した少なくとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選
択した少なくとも１元素とから成る単層の磁性膜又は多
層の磁性膜、Ｐｔ，Ｐｄの内の少なくとも１元素とＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択した少なくとも１元素とか
ら成る単層の磁性膜又は多層の磁性膜が前記記録層２４
に適している。前記保護層２５としてはＳｉＮが適して
いる。前記再生層２２は、面内磁化膜に限らず、垂直磁
化膜であってもよい。
いて説明する。前記磁性膜２は、下地層２１、再生層２
２、記録層２４、保護層２５、および紫外線硬化樹脂２
６を順次、前記透光性基板１上に堆積することにより形
成する。前記下地層２１としてはＳｉＮ、前記再生層２
２は面内磁化膜であり、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、Ｇｄ
Ｃｏ、ＴｂＣｏ、Ｈｏ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの中から選択
された少なくとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選
択された少なくとも１元素とから成る磁性膜が前記再生
層２２に適している。また、前記記録層２４は垂直磁化
膜であり、ＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄの中から選
択した少なくとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選
択した少なくとも１元素とから成る単層の磁性膜又は多
層の磁性膜、Ｐｔ，Ｐｄの内の少なくとも１元素とＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択した少なくとも１元素とか
ら成る単層の磁性膜又は多層の磁性膜が前記記録層２４
に適している。前記保護層２５としてはＳｉＮが適して
いる。前記再生層２２は、面内磁化膜に限らず、垂直磁
化膜であってもよい。
【００１８】また、前記下地層２１、前記再生層２２、
前記記録層２４、前記保護層２５はマグネトロンスパッ
タ法により形成され、各層の膜厚は、前記下地層２１が
６００〜８００Å、前記再生層２２が５０〜１０００
Å、前記記録層２４が５００〜３０００Å、前記保護層
２５が５００〜１０００Åである。また、前記紫外線硬
化樹脂の膜厚は１０μｍ程度である。
前記記録層２４、前記保護層２５はマグネトロンスパッ
タ法により形成され、各層の膜厚は、前記下地層２１が
６００〜８００Å、前記再生層２２が５０〜１０００
Å、前記記録層２４が５００〜３０００Å、前記保護層
２５が５００〜１０００Åである。また、前記紫外線硬
化樹脂の膜厚は１０μｍ程度である。
【００１９】また、更に、前記再生層２２、前記記録層
２４に用いられる磁性膜の膜構造は、アモルファス、多
結晶、単結晶であってもよいが、好ましくは、アモルフ
ァスである。前記磁性膜２は、図３に示すものに限ら
ず、前記再生層２２と前記記録層２４との間に非磁性層
２３を挿入した構造のものでもよい。前記非磁性層２３
に用いられる材料としては、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｎＯ、ＳｉＡｌ
ＯＮ、ＩＴＯ、およびＳｎＯ2が適しており、これらの
材料はマグネトロンスパッタ法により形成される。ま
た、前記非磁性層２３の膜厚は、５０〜３００Åの範囲
が適している。
２４に用いられる磁性膜の膜構造は、アモルファス、多
結晶、単結晶であってもよいが、好ましくは、アモルフ
ァスである。前記磁性膜２は、図３に示すものに限ら
ず、前記再生層２２と前記記録層２４との間に非磁性層
２３を挿入した構造のものでもよい。前記非磁性層２３
に用いられる材料としては、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＮ、
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｎＯ、ＳｉＡｌ
ＯＮ、ＩＴＯ、およびＳｎＯ2が適しており、これらの
材料はマグネトロンスパッタ法により形成される。ま
た、前記非磁性層２３の膜厚は、５０〜３００Åの範囲
が適している。
【００２０】図５を参照して、前記グルーブＧの両側に
設けられるウォブル３の形状について説明する。本発明
においては、前記グルーブＧの両側に設けられるウォブ
ル３の形状は、必ずしも同じ形状にする必要はない。グ
ルーブＧの両側の壁に形成されるウォブルの形状により
再生専用の信号を記録するためである。また、図６を参
照して、前記グルーブＧの両側に形成されるウォブルの
形状はサインカーブであってもよい。図６においては、
サインカーブの位相は一致しているが、位相が違ってい
ても良い。
設けられるウォブル３の形状について説明する。本発明
においては、前記グルーブＧの両側に設けられるウォブ
ル３の形状は、必ずしも同じ形状にする必要はない。グ
ルーブＧの両側の壁に形成されるウォブルの形状により
再生専用の信号を記録するためである。また、図６を参
照して、前記グルーブＧの両側に形成されるウォブルの
形状はサインカーブであってもよい。図６においては、
サインカーブの位相は一致しているが、位相が違ってい
ても良い。
【００２１】また、更に、図７を参照して、前記グルー
ブＧの両側に形成されるウォブルの形状は矩形波形であ
ってもよい。図７においても、グルーブＧの両側のウォ
ブルの位相は一致していないが、一致していてもよい。
ウォブルの形成は上記図５、６、７に示したものに限ら
ず、三角波形、三角波形と矩形波形の混在したもの等の
他の波形であってもよい。
ブＧの両側に形成されるウォブルの形状は矩形波形であ
ってもよい。図７においても、グルーブＧの両側のウォ
ブルの位相は一致していないが、一致していてもよい。
ウォブルの形成は上記図５、６、７に示したものに限ら
ず、三角波形、三角波形と矩形波形の混在したもの等の
他の波形であってもよい。
【００２２】図８を参照して、前記グルーブの両側にウ
ォブルを形成した場合の偏光顕微鏡写真を示す。図８に
おいて、白い部分がグルーブであり、黒い部分がランド
である。図８はサインカーブのウォブルを形成した場合
の写真であるが、周期的にウォブルが形成され、偏光信
号が記録されていることがわかる。図９を参照して、上
記説明した光磁気記録媒体の記録再生を行う光学系につ
いて説明する。光学系は波長６８０（許容誤差±１５）
ｎｍのレーザ光を生成する半導体レーザ９１と、前記レ
ーザ光を平行光にするコリメータレンズ９２と、前記レ
ーザ光から０次と±１次の回折光を生成するとともに、
生成した０次と±１次の回折光のうち、０次の回折光
（以下、第１の回折光という。）を前記光磁気記録媒体
の前記ランドＬまたは前記グルーブＧの中心に、＋１次
の回折光（以下、第２の回折光という。）を前記グルー
ブＧの一方の壁に、−１次の回折光（以下、第３の回折
光という。）を前記グルーブＧの他方の壁に照射するよ
うに回折格子の方向と前記トラックの方向とが所定の角
度を成すように形成されている回折手段９３と、偏光ビ
ームスプリッタ９４と、対物レンズ９５と、前記レーザ
光が前記光磁気記録媒体の前記記録面で反射された光の
うち、前記偏光ビームスプリッタ９４で入射方向と９０
度を成す方向に反射された反射光を収束する収束レンズ
９６と、シリンドリカルレンズ９７と、光検出器９８と
から成る。従って、前記半導体レーザ９１で生成された
レーザ光は、前記コリメータレンズ９２で平行光にさ
れ、前記回折手段９３で前記第１の回折光、前記第２の
回折光、および前記第３の回折光が生成され、前記偏光
ビームスプリッタ９４を介して前記対物レンズ９５に入
射し、該対物レンズ９５で集光され、透光性基板１を通
って記録膜２に照射される。前記記録膜２で反射された
前記第１の回折光、前記第２の回折光、および前記第３
の回折光の反射光は、前記透光性基板１、前記対物レン
ズ９５を介して前記偏光ビームスプリッタ９４まで戻
り、該偏光ビームスプリッタ９４で方向を入射方向と９
０度を成す方向に変えられて反射され、前記集束レンズ
９６、前記シリンドリカルレンズ９７を介して前記光検
出器９８に集光照射され、前記第２の回折光、および前
記第３の回折光はプッシュプル信号として、また、前記
第１の回折光は光磁気信号として検出される。また、前
記回折手段９３の回折格子の方向が前記トラックの方向
となす角度は、１〜１０度の範囲である。
ォブルを形成した場合の偏光顕微鏡写真を示す。図８に
おいて、白い部分がグルーブであり、黒い部分がランド
である。図８はサインカーブのウォブルを形成した場合
の写真であるが、周期的にウォブルが形成され、偏光信
号が記録されていることがわかる。図９を参照して、上
記説明した光磁気記録媒体の記録再生を行う光学系につ
いて説明する。光学系は波長６８０（許容誤差±１５）
ｎｍのレーザ光を生成する半導体レーザ９１と、前記レ
ーザ光を平行光にするコリメータレンズ９２と、前記レ
ーザ光から０次と±１次の回折光を生成するとともに、
生成した０次と±１次の回折光のうち、０次の回折光
（以下、第１の回折光という。）を前記光磁気記録媒体
の前記ランドＬまたは前記グルーブＧの中心に、＋１次
の回折光（以下、第２の回折光という。）を前記グルー
ブＧの一方の壁に、−１次の回折光（以下、第３の回折
光という。）を前記グルーブＧの他方の壁に照射するよ
うに回折格子の方向と前記トラックの方向とが所定の角
度を成すように形成されている回折手段９３と、偏光ビ
ームスプリッタ９４と、対物レンズ９５と、前記レーザ
光が前記光磁気記録媒体の前記記録面で反射された光の
うち、前記偏光ビームスプリッタ９４で入射方向と９０
度を成す方向に反射された反射光を収束する収束レンズ
９６と、シリンドリカルレンズ９７と、光検出器９８と
から成る。従って、前記半導体レーザ９１で生成された
レーザ光は、前記コリメータレンズ９２で平行光にさ
れ、前記回折手段９３で前記第１の回折光、前記第２の
回折光、および前記第３の回折光が生成され、前記偏光
ビームスプリッタ９４を介して前記対物レンズ９５に入
射し、該対物レンズ９５で集光され、透光性基板１を通
って記録膜２に照射される。前記記録膜２で反射された
前記第１の回折光、前記第２の回折光、および前記第３
の回折光の反射光は、前記透光性基板１、前記対物レン
ズ９５を介して前記偏光ビームスプリッタ９４まで戻
り、該偏光ビームスプリッタ９４で方向を入射方向と９
０度を成す方向に変えられて反射され、前記集束レンズ
９６、前記シリンドリカルレンズ９７を介して前記光検
出器９８に集光照射され、前記第２の回折光、および前
記第３の回折光はプッシュプル信号として、また、前記
第１の回折光は光磁気信号として検出される。また、前
記回折手段９３の回折格子の方向が前記トラックの方向
となす角度は、１〜１０度の範囲である。
【００２３】また、前記光磁気記録媒体１０に照射する
回折光は必ずしも３つである必要はなく、ランド若しく
はグルーブの中心に照射される第１の回折光と、グルー
ブの一方の壁に照射される第２の回折光との２つ回折光
があればよい。この場合、グルーブに記録された信号
は、前記第１の回折光により再生され、グルーブの左側
の壁にウォブルとして記録された信号は第２の回折光に
より再生される。次に、ランド部を再生する場合には、
前記第１の回折光によりランドに記録された信号を再生
し、前記第２の回折光によりランドの左側の壁にウォブ
ルとして記録した信号を再生する。
回折光は必ずしも３つである必要はなく、ランド若しく
はグルーブの中心に照射される第１の回折光と、グルー
ブの一方の壁に照射される第２の回折光との２つ回折光
があればよい。この場合、グルーブに記録された信号
は、前記第１の回折光により再生され、グルーブの左側
の壁にウォブルとして記録された信号は第２の回折光に
より再生される。次に、ランド部を再生する場合には、
前記第１の回折光によりランドに記録された信号を再生
し、前記第２の回折光によりランドの左側の壁にウォブ
ルとして記録した信号を再生する。
【００２４】図１０を参照して、前記光磁気記録媒体の
再生方法について説明する。前記回折手段９３によって
生成された第１の回折光１０４はグルーブ１０１の中心
に、前記第２の回折光１０６は前記グルーブ１０１の右
側の壁１０３に、前記第３の回折光１０５は前記グルー
ブ１０１の左側の壁に照射される。本発明により生成さ
れる前記第１の回折光１０４、前記第２の回折光１０
６、および前記第３の回折光１０５は、通常、生成され
る３ビームとは異なり、それぞれ、＋１次の回折光、−
１次の回折光に相当する前記第２の回折光１０６と、前
記第３の回折光１０５との中心が、前記グルーブ１０１
の両側の壁１０３、１０２の位置になるように照射され
る。従って、前記グルーブ１０１に記録された信号、お
よび左右側の壁にウォブルの形で記録された信号を再生
できる。両側の壁に記録された信号の再生は、２分割セ
ンサー１０７の領域１０７ａと領域１０７ｂとで検出さ
れた光強度の差として検出される。一方、前記グルーブ
１０１に記録された信号は前記領域１０７ａと前記領域
１０７ｂとで検出される光強度の和として偏光信号が検
出される。ランド１０９が再生される場合には、前記第
１の回折光がランド１０９の中心に照射される。この場
合、前記第２の回折光１０６がランド１０９の右側の壁
１１０に、前記第３の回折光１０５が左側の壁１０３に
照射されるが、第２の回折光と第３の回折光による信号
の再生は行わない。即ち、グルーブの両側の壁にウォブ
ルの形で記録された信号の再生は前記第１の回折光がグ
ルーブに照射されている場合に両側の壁にウォブルの形
で記録された信号の再生が行われる。
再生方法について説明する。前記回折手段９３によって
生成された第１の回折光１０４はグルーブ１０１の中心
に、前記第２の回折光１０６は前記グルーブ１０１の右
側の壁１０３に、前記第３の回折光１０５は前記グルー
ブ１０１の左側の壁に照射される。本発明により生成さ
れる前記第１の回折光１０４、前記第２の回折光１０
６、および前記第３の回折光１０５は、通常、生成され
る３ビームとは異なり、それぞれ、＋１次の回折光、−
１次の回折光に相当する前記第２の回折光１０６と、前
記第３の回折光１０５との中心が、前記グルーブ１０１
の両側の壁１０３、１０２の位置になるように照射され
る。従って、前記グルーブ１０１に記録された信号、お
よび左右側の壁にウォブルの形で記録された信号を再生
できる。両側の壁に記録された信号の再生は、２分割セ
ンサー１０７の領域１０７ａと領域１０７ｂとで検出さ
れた光強度の差として検出される。一方、前記グルーブ
１０１に記録された信号は前記領域１０７ａと前記領域
１０７ｂとで検出される光強度の和として偏光信号が検
出される。ランド１０９が再生される場合には、前記第
１の回折光がランド１０９の中心に照射される。この場
合、前記第２の回折光１０６がランド１０９の右側の壁
１１０に、前記第３の回折光１０５が左側の壁１０３に
照射されるが、第２の回折光と第３の回折光による信号
の再生は行わない。即ち、グルーブの両側の壁にウォブ
ルの形で記録された信号の再生は前記第１の回折光がグ
ルーブに照射されている場合に両側の壁にウォブルの形
で記録された信号の再生が行われる。
【００２５】尚、ビームは回折格子による回折光に限ら
ず、複数のレーザや分割プリズムを用いても上記と同様
の効果が得られる。複数のレーザが用いられる場合に
は、上記図９の前記半導体レーザ９１の中に複数の半導
体レーザチップが含まれており、複数の半導体レーザチ
ップは１つの平面内で１直線上に設置されている。従っ
て、この１直線の方向と前記トラックの方向との成す角
度が上記と同様に１〜１０度の範囲となる。また、この
場合の光学系は、図９に示した光学系から前記回折格子
を除去した光学系となる。また、本発明においては、好
ましくは、前記半導体レーザ９１には２個もしくは３個
の半導体レーザチップが含まれている。
ず、複数のレーザや分割プリズムを用いても上記と同様
の効果が得られる。複数のレーザが用いられる場合に
は、上記図９の前記半導体レーザ９１の中に複数の半導
体レーザチップが含まれており、複数の半導体レーザチ
ップは１つの平面内で１直線上に設置されている。従っ
て、この１直線の方向と前記トラックの方向との成す角
度が上記と同様に１〜１０度の範囲となる。また、この
場合の光学系は、図９に示した光学系から前記回折格子
を除去した光学系となる。また、本発明においては、好
ましくは、前記半導体レーザ９１には２個もしくは３個
の半導体レーザチップが含まれている。
【００２６】図１１を参照して、信号フォーマットにつ
いて説明する。図１１はアドレスをウォブルで記録する
場合の信号フォーマットを示しており、グルーブの右側
の壁にはアドレスがＧｎＬとして２回記録され、左側の
壁にはアドレスがＧｎＲとして記録される。また、所定
の間隔でファインクロックマーク（Ｆｉｎｅ Ｃｌｏｃ
ｋ Ｍａｒｋ）が設けられている。このファインクロッ
クマークは信号の再生における同期を取るために使用す
る。
いて説明する。図１１はアドレスをウォブルで記録する
場合の信号フォーマットを示しており、グルーブの右側
の壁にはアドレスがＧｎＬとして２回記録され、左側の
壁にはアドレスがＧｎＲとして記録される。また、所定
の間隔でファインクロックマーク（Ｆｉｎｅ Ｃｌｏｃ
ｋ Ｍａｒｋ）が設けられている。このファインクロッ
クマークは信号の再生における同期を取るために使用す
る。
【００２７】図１２は、前記記録したアドレスＧｎＬ、
ＧｎＲの再生信号を示す。ウォブルとしてグルーブの両
側に記録したアドレスは再生信号として取り出せること
がわかる。図１３はウォブルをサインカーブ波形で形成
した場合の偏光再生波形を、図１４は１つのサインカー
ブと１つのサインカーブより周期が半分のサインカーブ
とを重ね合わせたバイフェーズ波形としてウォブルを設
けた場合の偏光再生波形である。この場合においても再
生信号として取り出せることがわかる。
ＧｎＲの再生信号を示す。ウォブルとしてグルーブの両
側に記録したアドレスは再生信号として取り出せること
がわかる。図１３はウォブルをサインカーブ波形で形成
した場合の偏光再生波形を、図１４は１つのサインカー
ブと１つのサインカーブより周期が半分のサインカーブ
とを重ね合わせたバイフェーズ波形としてウォブルを設
けた場合の偏光再生波形である。この場合においても再
生信号として取り出せることがわかる。
【００２８】図１５を参照して、ウォブルの振幅と再生
信号レベルとの関係を説明する。ウォブルの振幅が大き
くなるに伴い、偏光再生信号レベルが向上する。本発明
においては、５〜４０ｎｍの範囲の振幅が適している。
また、本発明においては、上記図１２に示したウォブル
の偏光再生信号の信号強度を基本にしてランド若しくは
グルーブに磁気記録された信号の再生信号を増幅する。
即ち、図１６に示すように前記光検出器９８により検出
されたウォブルからの信号強度をサンプルホールド回路
１６０によりホールドしておき、これをＡＧＣ（Ａｕｔ
ｏ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）信号としてＡＧＣ（Ａ
ｕｔｏＧａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路１６１に入力す
る。ＡＧＣ回路１６１では、前記光検出器９８により得
られた光磁気信号を送られてきたＡＧＣ信号を基準にし
て増幅し、再生信号として取り出す。従って、ウォブル
偏光信号が記録されているため、この信号を基準として
用いれば信号処理が簡単となる。
信号レベルとの関係を説明する。ウォブルの振幅が大き
くなるに伴い、偏光再生信号レベルが向上する。本発明
においては、５〜４０ｎｍの範囲の振幅が適している。
また、本発明においては、上記図１２に示したウォブル
の偏光再生信号の信号強度を基本にしてランド若しくは
グルーブに磁気記録された信号の再生信号を増幅する。
即ち、図１６に示すように前記光検出器９８により検出
されたウォブルからの信号強度をサンプルホールド回路
１６０によりホールドしておき、これをＡＧＣ（Ａｕｔ
ｏ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）信号としてＡＧＣ（Ａ
ｕｔｏＧａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路１６１に入力す
る。ＡＧＣ回路１６１では、前記光検出器９８により得
られた光磁気信号を送られてきたＡＧＣ信号を基準にし
て増幅し、再生信号として取り出す。従って、ウォブル
偏光信号が記録されているため、この信号を基準として
用いれば信号処理が簡単となる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、再生専用のデータをウ
ォブルによりプッシュプル信号もしくは偏光信号とし
て、書き換え可能なデータを磁気として記録できるの
で、光磁気記録媒体を用いて再生専用領域と記録可能領
域とが混在した光磁気記録媒体を実現できる。
ォブルによりプッシュプル信号もしくは偏光信号とし
て、書き換え可能なデータを磁気として記録できるの
で、光磁気記録媒体を用いて再生専用領域と記録可能領
域とが混在した光磁気記録媒体を実現できる。
【００３０】また、本発明によれば、再生専用領域と書
き換え可能領域とが混在した光磁気記録媒体が実現でき
るので、光磁気記録媒体の記録容量を大きくできる。ま
た、本発明によれば、ランド、グルーブ、およびグルー
ブの両側の壁に記録した信号を独立に再生できる光学系
を実現できる。また、本発明によれば、ランド、グルー
ブ、およびグルーブの両側の壁に記録した信号を独立に
再生できるので、大容量な記録再生可能な光磁気記録媒
体を実現できる。
き換え可能領域とが混在した光磁気記録媒体が実現でき
るので、光磁気記録媒体の記録容量を大きくできる。ま
た、本発明によれば、ランド、グルーブ、およびグルー
ブの両側の壁に記録した信号を独立に再生できる光学系
を実現できる。また、本発明によれば、ランド、グルー
ブ、およびグルーブの両側の壁に記録した信号を独立に
再生できるので、大容量な記録再生可能な光磁気記録媒
体を実現できる。
【図１】光磁気記録媒体の平面構造図である。
【図２】光磁気記録媒体の構造を示す斜視図である。
【図３】光磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図４】光磁気記録媒体の他の断面構造を示す図であ
る。
る。
【図５】ウォブル形状を示す図である。
【図６】ウォブル形状の他の例を示す図である。
【図７】ウォブル形状の他の例を示す図である。
【図８】グルーブの両側にウォブルを形成した光磁気記
録媒体の偏光顕微鏡写真である。
録媒体の偏光顕微鏡写真である。
【図９】光学系の構成を示す図である。
【図１０】グルーブ、ランド、およびグルーブの両側の
壁に記録した偏光、プッシュプル信号を再生する方法を
説明する図である。
壁に記録した偏光、プッシュプル信号を再生する方法を
説明する図である。
【図１１】信号フォーマットを示す図である。
【図１２】グルーブの両側の壁にウォブルとして記録し
た信号のプッシュプル再生信号を示す図である。
た信号のプッシュプル再生信号を示す図である。
【図１３】サインカーブ波形のウォブルとして記録した
信号の偏光再生信号を示す図である。
信号の偏光再生信号を示す図である。
【図１４】１つのサインカーブと１つのサインカーブの
周期が半分のサインカーブとの重ね合わせの波形のウォ
ブルとして記録した信号の偏光再生信号を示す図であ
る。
周期が半分のサインカーブとの重ね合わせの波形のウォ
ブルとして記録した信号の偏光再生信号を示す図であ
る。
【図１５】ウォブルの振幅と偏光再生信号レベルとの関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図１６】光磁気信号の増幅機構を説明する図である。
１・・・基板 ２・・・記録膜 ３・・・ウォブル １０・・・光磁気記録媒体 ２１・・・下地層 ２２・・・再生層 ２３・・・非磁性層 ２４・・・記録層 ２５・・・保護層 ２６・・・紫外線硬化樹脂 ９１・・・半導体レーザ ９２・・・コリメータレンズ ９３・・・回折手段 ９４・・・偏光ビームスプリッタ ９５・・・対物レンズ ９６・・・集束レンズ ９７・・・シリンドリカルレンズ ９８・・・光検出器 １０１・・・グリーブ １０２、１０３・・・ウォブル １０４、１０５、１０６・・・回折光 １０９・・・ランド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 淳 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (23)
- 【請求項１】 ランドとグルーブとから成るトラックを
有する記録媒体において、 前記グルーブの両側の壁に信号を記録したウォブルを設
け、前記トラックの表面に記録可能な材料を形成した記
録媒体。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記記録可能な材料は、磁性膜である記録媒体。
- 【請求項３】 請求項２において、 前記磁性膜は、信号を記録する第１の磁性層と、前記第
１の磁性層から信号が転写される第２の磁性層とを含む
記録媒体。 - 【請求項４】 請求項３において、 前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層に接して形成さ
れている記録媒体。 - 【請求項５】 請求項３において、 前記第１の磁性層と前記第２の磁性膜との間に非磁性膜
が形成されている記録媒体。 - 【請求項６】 請求項３または４において、 前記第１の磁性層は、垂直磁化膜から成っており、 前記第２の磁性層は、面内磁化膜から成っている記録媒
体。 - 【請求項７】 請求項６において、 前記垂直磁化膜は、ＴｂＦｅＣｏ、もしくはＴｂ，Ｄ
ｙ，Ｎｄの中から選択した少なくとも１元素とＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉとから成る単層の磁性膜又は多層の磁性膜、Ｐ
ｔ，Ｐｄの内の少なくとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの
中から選択した少なくとも１元素とから成る単層の磁性
膜又は多層の磁性膜であり、 前記面内磁化膜は、ＧｄＦｅＣｏ、もしくはＧｄＦｅ、
もしくはＧｄＣｏ、もしくはＴｂＣｏ、もしくはＨｏ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの中から選択された少なくとも１元素
とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択された少なくとも１元
素とから成る磁性膜である記録媒体。 - 【請求項８】 請求項５において、 前記第１の磁性層は、垂直磁化膜から成っており、 前記第２の磁性層は、面内磁化膜から成っている記録媒
体。 - 【請求項９】 請求項８において、 前記垂直磁化膜は、ＴｂＦｅＣｏ、もしくはＴｂ，Ｄ
ｙ，Ｎｄの中から選択した少なくとも１元素とＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉの中から選択した少なくとも１元素とから成る
単層の磁性膜又は多層の磁性膜、Ｐｔ，Ｐｄの内の少な
くとも１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択した少な
くとも１元素とから成る単層の磁性膜又は多層の磁性膜
であり、 前記面内磁化膜は、ＧｄＦｅＣｏ、もしくはＧｄＦｅ、
もしくはＧｄＣｏ、もしくはＴｂＣｏ、もしくはＨｏ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの中から選択された少なくとも１元素
とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択された少なくとも１元
素とから成る磁性膜である記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項９において、 前記非磁性膜は、ＳｉＮ、もしくはＡｌＮ、もしくはＴ
ｉＮ、もしくはＳｉＯ 2、もしくはＡｌ2Ｏ3、もしくはＳ
ｉＣ、もしくはＴｉＣ、もしくはＺｎＯ、もしくはＳｉ
ＡｌＯＮ、もしくはＩＴＯ、もしくはＳｎＯ2である記
録媒体。 - 【請求項１１】 請求項６から９において、 前記垂直磁化膜、および前記面内磁化膜の構造は、アモ
ルファス構造である記録媒体。 - 【請求項１２】 請求項６から９において、 前記垂直磁化膜、および前記面内磁化膜の構造は、多結
晶もしくは単結晶構造である記録媒体。 - 【請求項１３】 請求項１から１２において、 前記ウォブルの形状は、サインカーブである記録媒体。
- 【請求項１４】 請求項１から１２において、 前記ウォブルの形状は、三角波形である記録媒体。
- 【請求項１５】 請求項１から１２において、 前記ウォブルの形状は、矩形波形である記録媒体。
- 【請求項１６】 請求項１３から１５において、 前記ウォブルの振幅は、５〜４０ｎｍの範囲である記録
媒体。 - 【請求項１７】 請求項１から１６において、 前記ウォブルに記録した信号は、再生専用信号である記
録媒体。 - 【請求項１８】 ランドと、両側の壁に信号を記録した
ウォブルを設けたグルーブとからなるトラックを有し、
前記トラックの表面に記録可能な材料を形成した記録媒
体の記録面に対向して設けられた対物レンズと、 レーザ光を生成するレーザ光生成手段と、 前記レーザ光を受け、受けたレーザ光から少なくとも第
１の回折光、および第２の回折光を生成する手段であっ
て、前記トラックに対して所定の角度を成すように格子
が形成され、前記第１の回折光、および前記第２の回折
光を前記対物レンズに導く回折手段と、 前記第１の回折光、および前記第２の回折光の前記記録
面からの反射光をプッシュプル信号もしくは光磁気信号
として検出する光検出手段とを含む情報記録再生装置。 - 【請求項１９】 ランドと、両側の壁に信号を記録した
ウォブルを設けたグルーブとからなるトラックを有し、
前記トラックの表面に記録可能な材料を形成した記録媒
体の記録面に対向して設けられた対物レンズと、 レーザ光を生成するレーザ光生成手段と、 前記レーザ光を受け、受けたレーザ光から第１の回折
光、第２の回折光、および第３の回折光を生成する手段
であって、前記トラックに対して所定の角度を成すよう
に格子が形成され、前記第１の回折光、前記第２の回折
光、および前記第３の回折光を前記対物レンズに導く回
折手段と、 前記第１の回折光、前記第２の回折光、および前記第３
の回折光の前記記録面からの反射光をプッシュプル信号
もしくは光磁気信号として検出する光検出手段とを含む
情報記録再生装置。 - 【請求項２０】 ランドと、両側の壁に信号を記録した
ウォブルを設けたグルーブとからなるトラックを有し、
前記トラックの表面に記録可能な材料を形成した記録媒
体の記録面に対向して設けられた対物レンズと、 第１のレーザ光を生成する第１の半導体レーザチップ、
および第２のレーザ光を生成する第２の半導体レーザチ
ップを含み、前記第１の半導体レーザチップと前記第２
の半導体レーザチップとが配置される方向と、前記トラ
ックの方向とが所定の角度を成すように配置されている
レーザ光生成手段と、 前記第１のレーザ光、および前記第２のレーザ光を受
け、受けたレーザ光を平行光にして前記対物レンズに導
くコリメータレンズと、 前記第１のレーザ光、および前記第２のレーザ光の前記
記録面からの反射光をプッシュプル信号もしくは光磁気
信号として検出する光検出手段とを含む情報記録再生装
置。 - 【請求項２１】 ランドと、両側の壁に信号を記録した
ウォブルを設けたグルーブとからなるトラックを有し、
前記トラックの表面に記録可能な材料を形成した記録媒
体の記録面に対向して設けられた対物レンズと、 第１のレーザ光を生成する第１の半導体レーザチップ、
第２のレーザ光を生成する第２の半導体レーザチップ、
および第３のレーザ光を生成する第３の半導体レーザチ
ップを含み、前記第１の半導体レーザチップと前記第２
の半導体レーザと前記第３の半導体レーザチップとが配
置される方向と、前記トラックの方向とが所定の角度を
成すように配置されているレーザ光生成手段と、 前記第１のレーザ光、前記第２のレーザ光、および前記
第３のレーザ光の前記記録面からの反射光をプッシュプ
ル信号もしくは光磁気信号として検出する光検出手段と
を含む情報記録再生装置。 - 【請求項２２】 請求項１７から２０において、 前記ウォブルから再生された信号の信号強度をホールド
するサンプルホールド回路と、 前記サンプルホールド回路にホールドされた信号強度を
ＡＧＣ信号として受け、前記ＡＧＣ信号を基準にして光
磁気信号を増幅するＡＧＣ回路とを含む情報記録再生装
置。 - 【請求項２３】 請求項１８から２２において、 前記所定の角度は、１〜１０度の範囲である情報記録再
生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8301996A JPH10143933A (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 記録媒体及び情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8301996A JPH10143933A (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 記録媒体及び情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10143933A true JPH10143933A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17903636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8301996A Pending JPH10143933A (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 記録媒体及び情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10143933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6813230B1 (en) | 1999-11-03 | 2004-11-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Physical identification data addressing method using wobble signal, wobble address encoding circuit, method and circuit for detecting wobble address, and recording medium therefor |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151843A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | Nec Home Electronics Ltd | 光メモリデイスク |
| JPH03132925A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Nec Corp | 光ヘッド装置 |
| JPH03237631A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Sony Corp | 記録媒体 |
| JPH06150414A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-31 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0896428A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-04-12 | Tosoh Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH08221823A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体およびこれを用いた光磁気記録再生装置 |
| JPH08241544A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Fujitsu Ltd | 光磁気媒体 |
| JPH08321076A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-12-03 | Nec Corp | 光記録媒体およびその記録再生方法 |
| JPH1064135A (ja) * | 1996-08-19 | 1998-03-06 | So Fukada | 光情報記録検出装置 |
-
1996
- 1996-11-13 JP JP8301996A patent/JPH10143933A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6813230B1 (en) | 1999-11-03 | 2004-11-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Physical identification data addressing method using wobble signal, wobble address encoding circuit, method and circuit for detecting wobble address, and recording medium therefor |
| US7224651B2 (en) | 1999-11-03 | 2007-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Physical identification data addressing method using wobble signal, wobble address encoding circuit, method and circuit for detecting wobble address, and recording medium thereof |
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