JPH10143934A - 光磁気ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光利用効率が高く、十分なＳＮ比の情報信号
が得られ、信頼性および耐久性の高い小型で低コストな
光磁気ピックアップ装置の実現。 【解決手段】 筐体１の内部にレーザーダイオード３と
誤差信号検出用フォトダイオード４、５および情報信号
検出用フォトダイオード６を設け、ホログラム素子８が
設けられたカバーガラス７で筐体１内を密封し、カバー
ガラス７上に一体に、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率および
透過率の異なる偏光分離膜９ａを含む偏光プリズム９
と、ウォラストンプリズム１０を一体化した複合プリズ
ム１１とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、音声および画像用
ファイル、文書ファイル、およびコンピューター用外部
メモリー装置などに用いられ、光ビームを用いて磁気光
学効果により情報の記録、再生などを繰り返して行うこ
とができる光磁気記録再生装置の光磁気ピックアップ装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光学式記録再生装置の中で、繰り
返し情報の記録、再生を行うことができる方式の一つで
ある光磁気記録再生装置が注目されている。光磁気ピッ
クアップ装置は、この光磁気記録再生装置の基本的な構
成要素として、特に、その小型化技術が最重要視されて
いる。

【０００３】小型化を図った従来の光磁気ピックアップ
装置として、例えば特開平５−２０５３３９号公報に開
示のものがある。以下、図５を用いて従来の光磁気ピッ
クアップ装置について説明する。

【０００４】図５（ａ）は従来の光磁気ピックアップ装
置の構成を示す側面概念図、図５（ｂ）は受光素子部分
の拡大平面図である。

【０００５】図５（ａ）（ｂ）において、１５、１６は
シリコン基板１７上に形成されたフォトダイオードであ
り、これらの配列方向とは直角な方向に分割されている
３個づつの部分Ａ〜ＣおよびＤ〜Ｆから成っている。１
８はシリコン基板１７の上面全体に設けられた偏光膜で
あり、Ｐ偏光の光のみを透過しＳ偏光の光は反射する。
１９は偏光膜１８上でフォトダイオード１５、１６の上
方に設けられた断面台形のプリズム（マイクロプリズ
ム）であり、その斜面には、反射率および透過率がそれ
ぞれ５０％である無偏光膜２０が形成されている。２１
はプリズム１９の上面に設けられた四分の一波長板であ
り、その上面には全反射膜２２が形成されている。２３
は偏光膜１８上に設けられた別のシリコン基板であり、
プリズム１９の斜面に対向する位置に配置されている。
２４はシリコン基板２３上に設けられたレーザーダイオ
ードであり、偏光面が無偏光膜２０の入射面に対して４
５°だけ傾いた光を放射する。２５はシリコン基板２３
上に設けられた別のフォトダイオードであり、レーザー
ダイオード２４の無偏光膜２０へ向かう側とは反対側の
位置に配置されている。２６はプリズム１９の斜面の上
方に配置された対物レンズである。

【０００６】上記のように構成された従来の光磁気ピッ
クアップ装置の基本的な動作を説明すると、レーザーダ
イオード２４から放射された光２７は、無偏光膜２０へ
入射し、そのうち５０％だけが上方へ反射される。無偏
光膜２０で反射された光２７は、対物レンズ２６によっ
て光磁気記録媒体（光磁気ディスク）２８上に集光さ
れ、光磁気記録媒体２８上に記録されている磁気信号に
よって偏光面が回転される。光磁気記録媒体２８で反射
された光２７は、再び対物レンズ２６を透過し無偏光膜
２０へ入射し、そのうち５０％だけが無偏光膜２０を透
過する。無偏光膜２０を透過した光２７は、プリズム１
９中を進行し、偏光膜１８へ入射する。偏光膜１８へ入
射した光２７のうち、Ｐ偏光成分のみがこの偏光膜１８
を透過してフォトダイオード１５へ入射し、Ｓ偏光成分
は反射される。偏光膜１８で反射された光２７のＳ偏光
成分は、プリズム１９中を進行し、四分の一波長板２１
を透過して全反射膜２２へ入射し、この全反射膜２２で
反射されて再び四分の一波長板２１を透過する。すなわ
ち、光２７のＳ偏光成分は、四分の一波長板２１中を往
復するのでＰ偏光に変わる。全反射膜２２で反射された
光２７は、プリズム１９中を進行し偏光膜１８へ入射す
るが、この光２７は上述のようにＰ偏光に変わっている
ので、偏光膜１８を透過してフォトダイオード１６へ入
射する。従って、光磁気信号ＲＦは、ＲＦ＝（Ａ＋Ｂ＋
Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）という差動検出によって得られ
る。

【０００７】また、光磁気ピックアップ装置と光磁気記
録媒体２８とが合焦状態にあるときに、図４（ｂ）に示
すように光２７は全反射膜２２上で焦点を結び、フォト
ダイオード１５、１６上での光スポットの直径が同じに
なることから、フォーカス誤差信号ＦＥは、ＦＥ＝（Ａ
＋Ｃ＋Ｅ）−（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ）という差動検出によって得
られる。

【０００８】一方、レーザーダイオード２４から無偏光
膜２０へ向かう方向とは反対方向に放射された光２７
は、フォトダイオード２５へ入射し、フォトダイオード
２５で受光する光２７の受光量の変化を検出すること
で、レーザーダイオード２４からの光２７の放射光量の
変化を知ることができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、レーザーダイオード２４から放射された
光２７を反射する作用、および光磁気記録媒体２８から
の反射光を透過する作用が、反射率および透過率が光の
偏光方向に関与しない無偏光膜２０で行われるので、反
射率および透過率がいずれも５０％と低く、光利用効率
が悪く放射出力の高い高価なレーザーダイオード２４が
必要となるばかりでなく、光磁気記録媒体２８上に記録
されている磁気信号によって微小な角度だけ回転される
偏光成分、すなわち光磁気信号成分の透過率も同様に悪
いので、光磁気信号の十分なＳＮ比が得られず、光磁気
ピックアップ装置としての良好な性能を確保することが
できない。

【００１０】さらに、高価な四分の一波長板２１と、レ
ーザーダイオード２４やフォトダイオード２５を配置す
るための別のシリコン基板２３が必要となり、光磁気ピ
ックアップ装置としての部品点数が多く、低コスト化が
困難である。

【００１１】本発明は、上記従来の光磁気ピックアップ
装置の課題を解決し、光利用効率が良く、良好なＳＮ比
が得られ、かつ安価で小型の光磁気記録再生装置の光磁
気ピックアップ装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光磁気ピックアップ装置は、発光素子と、
情報信号検出用受光素子および誤差信号検出用受光素子
と、発光素子から放射された光を情報記録媒体上に照射
する集光素子と、発光素子と集光素子の間の光路中に設
けられ、発光素子から放射された光を集光素子へ導くと
ともに、情報記録媒体で反射され再び集光素子を透過し
た光の一部を透過し一部を反射する透過反射面を有する
プリズムと、プリズムの透過反射面で反射（透過）した
光を少なくとも互いに直交する二つの偏光成分を有する
複数の光に分岐して情報信号検出用受光素子に導く検光
子とが一体に設けられた複合プリズムと、発光素子から
放射された光を複合プリズムへ導くとともに、情報記録
媒体で反射され再び集光素子を透過して複合プリズムの
透過反射面を透過（反射）した光を発光素子へ戻る方向
とは異なる方向へ分岐して誤差信号検出用受光素子へ導
く光分岐素子とを備え、筐体の内部に発光素子と情報信
号検出用受光素子および誤差信号検出用受光素子を一体
に設け、この筐体の上面に筐体の内部を密封するように
光分岐素子を冠着させるとともに、さらに光分岐素子の
上面に複合プリズムを一体に構成したものである。

【００１３】このようにして、安価で小型の光磁気記録
再生装置の光磁気ピックアップ装置が得られる。またＰ
偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の異なる偏光分離
膜を用いることで、光利用効率が高く情報信号の十分な
ＳＮ比を確保することができる。また、高価な波長板が
不要で、一枚のシリコン基板で、低コスト化を図ること
ができる。また、モニター用フォトダイオードでレーザ
ーダイオードから放射される光の放射強度の変化を検出
することで、レーザーダイオードの放射光量制御により
光量変化が少なく、それに起因する良好な光磁気ピック
アップ装置の記録再生性能を得ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を用いて説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態における光磁気ピックアップ装置の構成を示す側面概
念図、図２は、同実施の形態における発光素子、情報信
号検出用受光素子および誤差信号検出用受光素子部分の
平面図である。

【００１５】図１および図２において、１は例えばエポ
キシ系樹脂または鉄や銅などの金属で構成された筐体で
あり、その内部にはシリコン基板２が設けられている。
シリコン基板２上には、発光素子として例えばＰ偏光の
光を放射するレーザーダイオード３と、受光素子として
の誤差信号検出用フォトダイオード４、５および情報信
号検出用フォとダイオード６が設けられている。レーザ
ーダイオード３は、例えばシリコン基板２の一部にエッ
チングなどにより実質上４５度の斜面を有する凹部を設
け、その中に発光チップを搭載して、発光チップからの
放射光が４５度の斜面にあたり、反射して上方に放射さ
せるように面発光型としたもので、例えばＰ偏光の光を
放射する。誤差信号検出用フォトダイオード４、５は、
図２に示すように、それぞれ６個ずつの分割された部分
４ａ〜４ｆおよび５ａ〜５ｆから成っており、情報信号
検出用フォトダイオード６は、誤差信号検出用フォトダ
イオード４、５の配列方向と実質上同方向に分割された
部分６ａ、６ｂから成っている。７はカバーガラスであ
り、例えばポリカーボネートなどの樹脂または光学ガラ
スで構成され、レーザーダイオード３に対向する面とは
反対側の面の一部の、レーザーダイオード３からの放射
光が通過する領域に、光分岐素子としてのホログラム素
子８がエッチングや成型などで設けられている。そのホ
ログラム素子８は、実質上５度〜２０度の角度で回折さ
れる±１次回折光の焦点位置が異なるようなレンズ効果
を有する。またカバーガラス７は、ホログラム素子８で
回折された±１次回折光が、それぞれ誤差信号検出用フ
ォトダイオード４、５に導かれるように、位置決めさ
れ、筐体１の内部を密封するように接着などにより、筐
体１の上面に固定されている。９は例えば断面が実質上
三角形の光学ガラスと断面が実質上平行四辺形の光学ガ
ラスを光学接着で接合することにより構成された偏光プ
リズムである。その接合面には、例えばＰ偏光の光の透
過率が実質上７０％で反射率が実質上３０％、Ｓ偏光の
光の反射率が実質上１００％となる偏光分離膜９ａが設
けられている。偏光分離膜９ａが設けられた接合面と実
質上平行な斜面９ｂは、筐体１の内部に向かって傾斜し
て、偏光分離膜９ａが設けられた接合面で反射された光
を実質上９０度だけ曲げるように構成されている。１０
は、例えば断面が実質上三角形の水晶あるいはニオブ酸
リチウムの２つの部材が、互いの光学軸が直交し、かつ
それら光学軸が偏光プリズム９の斜面９ｂで反射された
光の偏光方向と実質上４５度の角度を成すように、光学
接着で接合された、検光子としてのウォラストンプリズ
ムである。このウォラストンプリズム１０は、偏光プリ
ズム９の斜面９ｂで反射された光を互いに直交する偏光
成分を持つ二つの光に分離して出射し、情報信号検出用
フォトダイオード６の部分６ａ、６ｂに導くよう構成さ
れている。これら偏光プリズム９とウォラストンプリズ
ム１０は、光学接着により一体化されて複合プリズム１
１を構成している。この複合プリズム１１はカバーガラ
ス７上に接着などにより、レーザーダイオード３から放
射されカバーガラス７上のホログラム素子８を透過した
光が偏光プリズム９の偏光分離膜２９が設けられた接合
面に入射する位置に、固定されている。１２は偏光プリ
ズム９の上方に設けられ、例えばアクリルやポリカーボ
ネートなどの樹脂または光学ガラスで構成された集光素
子としての対物レンズであり、レーザーダイオード３か
ら放射され、カバーガラス７および偏光プリズム９を透
過した光を光磁気ディスク１３へ集光させるとともに、
光磁気ディスク１３で反射された光を再び透過させて偏
光プリズム９へ戻す作用を持つ。

【００１６】上記のように構成された第１の実施の形態
における光磁気ピックアップ装置の基本的な動作を説明
する。レーザーダイオード３から放射されたＰ偏光の光
は、カバーガラス７上のホログラム素子８を透過して偏
光プリズム９に入射する。偏光プリズム９の接合面に設
けられた偏光分離膜９ａでは実質上７０％のＰ偏光の光
が透過して偏光プリズム９から出射し、対物レンズ１２
によって光磁気ディスク１３へ集光される。光磁気ディ
スク１３上では、記録されている磁気信号によって光の
偏光方向が実質上０．５度程度回転され、光磁気信号と
しての若干のＳ偏光成分を得て光は反射する。反射した
光は、再び対物レンズ１３を透過して偏光プリズム９に
入射して偏光分離膜９ａに戻る。偏光分離膜９ａでは実
質上７０％のＰ偏光の光は透過し、実質上３０％のＰ偏
光の光とＳ偏光成分（光磁気信号）の実質上１００％が
反射する。このうち偏光分離膜９ａで反射された実質上
３０％のＰ偏光の光とＳ偏光成分（光磁気信号）は、斜
面９ｂで反射され光路を実質上９０度だけ曲げて偏光プ
リズム９を出射してウォラストンプリズム１０へ入射
し、互いに直交する偏光成分を持つ二つの光に分離され
てウォラストンプリズム１０を出射し、情報信号検出用
フォトダイオード６の部分６ａ、６ｂに導かれる。従っ
て、情報信号検出用フォトダイオード６の部分６ａ、６
ｂで得られる信号を同一符号で示すと、

【００１７】

【数１】ＲＦ＝６ａ−６ｂ という差動検出によって情報信号ＲＦが得られる。

【００１８】一方、偏光分離膜９ａを透過した実質上７
０％のＰ偏光の光は、偏光プリズム９を出射してカバー
ガラス７のホログラム素子８に入射する。ここで光は実
質上５度〜２０度の回折角で回折され、例えば＋１次回
折光は誤差信号検出用フォトダイオード４に入射し、−
１次回折光は誤差信号検出用フォトダイオード５に入射
する。このとき、ホログラム素子８のレンズ効果によ
り、例えば＋１次回折光は誤差信号検出用フォトダイオ
ード４よりカバーガラス７に近いところで焦点を結び、
−１次回折光は誤差信号検出用フォトダイオード５より
遠いところで焦点を結ぶ。従って、光磁気ピックアップ
装置と光磁気ディスク１３が合焦状態にあるときに、誤
差信号検出用フォトダイオード４、５上での光スポット
の直径が同じになるように、カバーガラス７のホログラ
ム素子８と誤差信号検出用フォトダイオード４、５の距
離を設定しておけば、光磁気ピックアップ装置と光磁気
ディスク１３の距離が変化したときに、誤差信号検出用
フォトダイオード４、５上での光スポットの直径がそれ
ぞれ異なる大きさに変化する。従って、

【００１９】

【数２】ＦＥ＝｛（４ａ＋４ｃ＋４ｄ＋４ｆ）＋（５ｂ
＋５ｅ）｝−｛（４ｂ＋４ｅ）＋（５ａ＋５ｃ＋５ｄ＋
５ｆ）｝ という差動検出によってフォーカス誤差信号ＦＥが得ら
れる。

【００２０】また、誤差信号検出用フォトダイオード４
の部分４ａ〜４ｃと４ｄ〜４ｆを分ける分割線４ｇおよ
び誤差信号検出用フォトダイオード５の部分５ａ〜５ｃ
と５ｄ〜５ｆを分ける分割線５ｇと、光磁気ディスク１
３の情報トラックの方向が平行となるように光磁気ピッ
クアップ装置を配置し、さらに光磁気ピックアップ装置
に対して光磁気ディスク１３の情報トラックの位置ずれ
がないときに、誤差信号検出用フォトダイオード４、５
上の光スポットがそれぞれの分割線４ｇ、５ｇ上に来る
ように、カバーガラス７のホログラム素子８と誤差信号
検出用フォトダイオード４、５の位置関係を設定してお
くことによって、光磁気ピックアップ装置に対して光磁
気ディスク１３の情報トラックの位置ずれが発生したと
きに、誤差信号検出用フォトダイオード４、５上のスポ
ットが光磁気ディスク１３の情報トラックと直交する方
向すなわち分割線４ｇ、５ｇと直交する方向にそれぞれ
逆方向に動く。従って、

【００２１】

【数３】ＴＥ＝｛（４ａ＋４ｂ＋４ｃ）＋（５ａ＋５ｂ
＋５ｃ）｝−｛（４ｄ＋４ｅ＋４ｆ）＋（５ｄ＋５ｅ＋
５ｆ）｝ という差動検出によってトラッキング誤差信号ＴＥが得
られる。

【００２２】以上のように、第１の実施の形態の光磁気
ピックアップ装置によれば、筐体１の内部にレーザーダ
イオード３と誤差信号検出用フォトダイオード４、５お
よび情報信号検出用フォとダイオード６が設けられたシ
リコン基板２を配置し、カバーガラス７を筐体１上に直
接構成し、カバーガラス７上に複合プリズム１１を一体
に構成したことで、光磁気ピックアップ装置の小型化を
図ることができる。またＰ偏光とＳ偏光とで反射率およ
び透過率の異なる偏光分離膜９ａを用いたことで、光利
用効率が高く情報信号の十分なＳＮ比を確保することが
できる。

【００２３】また、高価な波長板が不要で、シリコン基
板２も１枚だけの構成なので、低コスト化を図ることが
できる。

【００２４】さらに、カバーガラス７で筐体１の内部を
密封する構造とすることで、温度や湿度に対する信頼性
性能および耐久性の向上を図ることができる。 （第２の実施の形態）次に、本発明の光磁気ピックアッ
プ装置における第２の実施の形態を、その側面概念図を
示す図３を用いて説明する。図３における図１と異なる
点は、レーザーダイオード３からの放射光をＳ偏光の光
とし、偏光プリズム９の偏光分離膜９ａの透過反射特性
を例えばＳ偏光の光の反射率が実質上７０％で透過率が
実質上３０％、Ｐ偏光の光の透過率が実質上１００％と
し、レーザーダイオード３からの放射され偏光プリズム
９の偏光分離膜９ａで反射された光を対物レンズ１２へ
導くように構成したことである。光磁気ディスク１３に
照射する光をＳ偏光としたことで光磁気信号はＰ偏光成
分になるので、光磁気ディスク１３で反射され再び対物
レンズ１２を透過した光のうち偏光プリズム９の偏光分
離膜９ａを透過した実質上３０％のＳ偏光の光とＰ偏光
成分（光磁気信号）の実質上１００％は斜面９ｂで反射
されウォラストンプリズム１０へ導かれる。一方、偏光
分離膜９ａで反射した実質上７０％のＳ偏光の光はカバ
ーガラス７のホログラム素子８へ導かれることとなり，
以下上記第１の実施の形態と同様の動作により、情報信
号ＲＦ、フォーカス誤差信号ＦＥ、トラッキング誤差信
号ＴＥの各信号が得られ、また光磁気ピックアップ装置
の小型化と低コスト化を図りながら、光利用効率を高め
えられ情報信号の十分なＳＮ比を確保することができ
る。 （第３の実施の形態）次に、本発明の光磁気ピックアッ
プ装置における第３の実施の形態を、その側面概念図を
示す図４を用いて説明する。なお、上記第１の実施の形
態と同じ符号を付したものは実質的に同じであるのでそ
の説明を省略する。また、光磁気ピックアップ装置とし
ての基本的な動作も、上記第１の実施の形態と同様であ
るのでその説明を省略する。

【００２５】図４から明らかなように、第３の実施の形
態で第１の実施の形態と異なる点は、カバーガラス７の
厚みを大きくして、そのレーザーダイオード３に対向す
る面をレーザーダイオード３に近づけ、シリコン基板２
上のレーザーダイオード３の近傍に、新たにレーザーダ
イオード３から放射されカバーガラス７のレーザーダイ
オード３に対向する面で反射された光を受光するモニタ
ー用フォトダイオード１４を設けたことである。レーザ
ーダイオード３から放射されカバーガラス７のレーザー
ダイオード３に対向する面で反射された光は、モニター
用フォトダイオード１４上にのみ到達し、誤差信号検出
用フォトダイオード４、５および情報信号検出用フォト
ダイオード６には到達しないように構成されている。

【００２６】一般に、温度や湿度などの環境変化の影響
によりレーザーダイオード３から放射される光の放射強
度が変化する。一方、カバーガラス７のレーザーダイオ
ード３に対向する面での反射率はほぼ一定であるため、
レーザーダイオード３から放射される光の放射強度が変
化すれば、カバーガラス７のレーザーダイオード３に対
向する面で反射される光もそれに応じた強度変化を示
す。従って、モニター用フォトダイオード１４によりレ
ーザーダイオード３から放射されカバーガラス７のレー
ザーダイオード３に対向する面で反射された光の強度変
化をモニターすることにより、レーザーダイオード３か
ら放射される光の放射強度の変化を検出することができ
る。また、モニター用フォトダイオード１４の出力を一
定に保つようにレーザーダイオード３の放射光量制御を
行うことにより、レーザーダイオード３から放射される
光の放射強度の変化に起因する光磁気ピックアップ装置
の記録再生性能の劣化を防止することができる。

【００２７】以上のように、第３の実施の形態の光磁気
ピックアップによれば、上記第１の実施の形態と同様
に、光磁気ピックアップ装置の小型化と低コスト化を図
りながら、光利用効率を高め情報信号の十分なＳＮ比を
確保することができるばかりでなく、モニター用フォト
ダイオード１４でレーザーダイオード３から放射される
光の放射強度の変化を検出することができるので、レー
ザーダイオード３の放射光量制御により光量変化が少な
く、それに起因する良好な光磁気ピックアップ装置の記
録再生性能を得ることができる。

【００２８】なお、ホログラム素子８はカバーガラス７
の、レーザーダイオード３に対向する面の、レーザーダ
イオード３からの放射光が通過する領域に設けてもよ
い。

【００２９】また、偏光プリズム９は、断面が実質上三
角形の光学ガラスと断面が実質上平行四辺形の光学ガラ
スを光学接着で接合することで構成したが、断面が実質
上三角形の光学ガラスを３個接合して構成しても良い。

【００３０】この３個の光学ガラスを接合する場合、図
１のような偏光プリズム９の下面にウォラストンプリズ
ム１０を張り付けるのではなく、図１における平行四辺
形に相当する部分を形成する２個の３角形の光学ガラス
の間に、ウォラストンプリズム１０をはさみ込むことに
よって、複合プリズム１１を構成しても良い。

【００３１】あるいは、図１のような偏光プリズム９の
下面にウォラストンプリズム１０を張り付けるのではな
く、図１の平行四辺形の光学ガラスの斜面９ｂを透過面
とし、その面に、ウォラストンプリズム１０を張り付け
てもよい。その場合は、ウォラストンプリズム１０には
反射型の物を用いる。この場合は、透過反射面である偏
光分離膜９ａで反射した光は斜面９ｂを透過し、ウォラ
ストンプリズム１０で反射し、９０度方向を変更して、
情報信号検出用フォトダイオード６に向かう。その反射
の際、光が分岐する。

【００３２】なお、検光子はとして、例えばニオブ酸リ
チウムで構成された平板状の偏光回折素子（偏光性ホロ
グラム）としてもよい。

【００３３】また、検光子を反射型偏光回折素子とし
て、偏光プリズム９の斜面９ｂに接合しても良い。

【００３４】

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明の光磁気ピックアップ装置によれば、光磁気ピッ
クアップ装置の小型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における光磁気ピッ
クアップ装置の構成を示す側面概念図

【図２】同実施の形態における発光素子、受光素子部分
の平面図

【図３】本発明の第２の実施の形態における光磁気ピッ
クアップ装置の構成を示す側面概念図

【図４】本発明の第３の実施の形態における光磁気ピッ
クアップ装置の構成を示す側面概念図

【図５】（ａ）は従来の光磁気ピックアップ装置の構成
を示す側面概念図 （ｂ）は受光素子部分の拡大平面図

【符号の説明】

１ 筐体 ２ シリコン基板 ３ レーザーダイオード ４、５ 誤差信号検出用フォトダイオード ６ 情報信号検出用フォトダイオード ７ カバーガラス ８ ホログラム素子 ９ 偏光プリズム ９ａ 偏光分離膜 ９ｂ 斜面 １０ ウォラストンプリズム １１ 複合プリズム １２ 対物レンズ １３ 光磁気ディスク １４ モニター用フォトダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永田 貴之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子と、 情報信号検出用受光素子と、 誤差信号検出用受光素子と、 前記発光素子から放射された光を情報記録媒体上に照射
   する集光素子と、 前記発光素子と前記集光素子の間の光路中に設けられ、
   前記発光素子から放射された光を前記集光素子へ導くと
   ともに、前記情報記録媒体で反射され再び前記集光素子
   を透過した光の一部を透過し一部を反射する透過反射面
   を有するプリズムと、前記プリズムの透過反射面で反射
   した光を少なくとも互いに直交する二つの偏光成分を有
   する複数の光に分岐して前記情報信号検出用受光素子に
   導く検光子と、が一体に設けられた複合プリズムと、 前記発光素子から放射された光を前記複合プリズムへ導
   くとともに、前記情報記録媒体で反射され再び前記集光
   素子を透過して前記複合プリズムの透過反射面を透過し
   た光を前記発光素子へ戻る方向とは異なる方向へ分岐し
   て前記誤差信号検出用受光素子へ導く光分岐素子と、を
   備え、 筐体の内部に前記発光素子、前記情報信号検出用受光素
   子および誤差信号検出用受光素子を一体に設け、この筐
   体の上面にその筐体の内部を密封するように前記光分岐
   素子を封着させるとともに、さらに前記光分岐素子の上
   面に前記複合プリズムを一体に構成した光磁気ピックア
   ップ装置。
2. 【請求項２】 発光素子と、 情報信号検出用受光素子と、 誤差信号検出用受光素子と、 前記発光素子から放射された光を情報記録媒体上に照射
   する集光素子と、 前記発光素子と前記集光素子の間の光路中に設けられ、
   前記発光素子から放射された光を前記集光素子へ導くと
   ともに、前記情報記録媒体で反射され再び前記集光素子
   を透過した光の一部を透過し一部を反射する透過反射面
   を有するプリズムと、前記プリズムの透過反射面で透過
   した光を少なくとも互いに直交する二つの偏光成分を有
   する複数の光に分岐して前記情報信号検出用受光素子に
   導く検光子と、が一体に設けられた複合プリズムと、 前記発光素子から放射された光を前記複合プリズムへ導
   くとともに、前記情報記録媒体で反射され再び前記集光
   素子を透過して前記複合プリズムの透過反射面を反射し
   た光を前記発光素子へ戻る方向とは異なる方向へ分岐し
   て前記誤差信号検出用受光素子へ導く光分岐素子と、を
   備え、 筐体の内部に前記発光素子、前記情報信号検出用受光素
   子および誤差信号検出用受光素子を一体に設け、この筐
   体の上面にその筐体の内部を密封するように前記光分岐
   素子を封着させるとともに、さらに前記光分岐素子の上
   面に前記複合プリズムを一体に構成した光磁気ピックア
   ップ装置。
3. 【請求項３】 発光素子は面発光レーザーであり、前記
   情報信号検出用受光素子および誤差信号検出用受光素子
   と一体に同一基板上に構成されている請求項１又は２記
   載の光磁気ピックアップ装置。
4. 【請求項４】 プリズムの透過反射面は、Ｐ偏光とＳ偏
   光とで反射率および透過率の異なる偏光分離面である請
   求項１又は２記載の光磁気ピックアップ装置。
5. 【請求項５】 光分岐素子はレンズ効果を有するホログ
   ラム素子である請求項１又は２記載の光磁気ピックアッ
   プ装置。
6. 【請求項６】 検光子はウォラストンプリズムであり、
   前記プリズムの発光素子および信号検出用受光素子に対
   向する面に設けられている請求項１又は２記載の光磁気
   ピックアップ装置。
7. 【請求項７】 検光子は前記プリズムの発光素子および
   信号検出用受光素子に対向する面と実質上垂直な面内に
   設けた請求項１記載の光磁気ピックアップ装置。
8. 【請求項８】 検光子は前記プリズムの透過反射面と実
   質上平行に設けられている請求項１又は２記載の光磁気
   ピックアップ装置。
9. 【請求項９】 発光素子から放射され、前記光分岐素子
   の発光素子に対向する面で反射された光を受光するモニ
   ター用受光素子が、前記情報信号検出用受光素子および
   誤差信号検出用受光素子と実質上同一面上に設けられて
   いる請求項１又は２記載の光磁気ピックアップ装置。