JPH10144641A - 洗浄方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理物に付着した付着物の除去効率を向上
させる。 【解決手段】 半導体ウェハ１を支持するステージ４を
備えかつ半導体ウェハ１の洗浄処理が行われる洗浄チャ
ンバ５と、半導体ウェハ１を冷却して異物２を収縮させ
る冷却手段６と、半導体ウェハ１を加熱して異物２を膨
張させる加熱手段７とからなり、前記冷却および前記加
熱の際に半導体ウェハ１と異物２との間で発生する変形
量の差により、半導体ウェハ１から異物２を剥離させて
異物２の除去を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
おける被処理物（半導体ウェハ）の洗浄技術に関し、特
に、被処理物と付着物との間で発生する熱膨張差を用い
て付着物を除去する洗浄方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】半導体製造工程においては、フォトエッチ
ングを行った後、酸化、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depos
ition)膜の形成前に半導体ウェハ（被処理物）の洗浄お
よび乾燥を行っている。

【０００４】その際、洗浄は薬品を用いて行い、さら
に、乾燥は洗浄後、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
蒸気もしくはスピンナなどによって行う。

【０００５】なお、これらの洗浄技術については、例え
ば、株式会社工業資料センター、１９９１年１１月８日
発行、「精密洗浄装置と応用技術」、４０７〜４１２頁
に記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における洗浄、特に、液体を用いたウェット洗浄、超
音波洗浄もしくはエッチング液を用いた洗浄では、エッ
チング時に生成された反応生成物（サイドフィルムとも
いう）の除去が効率良く行われないことが問題とされ
る。

【０００７】本発明の目的は、被処理物に付着した付着
物の除去効率を向上させる洗浄方法および装置を提供す
ることにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１０】すなわち、本発明の洗浄方法は、被処理物
に付着した付着物を除去するものであり、前記被処理物
を冷却して前記付着物を収縮させる工程と、前記被処理
物を加熱して前記付着物を膨張させる工程とを含み、前
記冷却および前記加熱の際に前記被処理物と前記付着物
との間で発生する変形量の差により、前記被処理物から
前記付着物を剥離させて除去するものである。

【００１１】したがって、被処理物を冷却および加熱す
ることにより、被処理物および付着物が収縮と膨張とを
行い、その際に、被処理物と付着物との間で熱収縮差ま
たは熱膨張差を生じるため、両者の変形量の差によっ
て、被処理物に付着した付着物を動き易くすることがで
きる。

【００１２】これにより、被処理物から付着物を剥離し
易くすることができ、その結果、被処理物に付着した付
着物の除去効率を向上させることができる。

【００１３】また、本発明の洗浄方法は、前記被処理物
を冷却する際には前記被処理物に対して直接冷却媒体を
供給し、前記被処理物を加熱する際には前記被処理物に
対して直接加熱媒体を供給するものである。

【００１４】さらに、本発明の洗浄方法は、前記被処理
物を冷却する際には前記被処理物の洗浄処理が行われる
処理容器内の雰囲気を冷却し、前記被処理物を加熱する
際には前記処理容器内の雰囲気を加熱するものである。

【００１５】また、本発明の洗浄装置は、被処理物に付
着した付着物の除去を行うものであり、前記被処理物を
支持する支持台を備えかつ被処理物の洗浄処理が行われ
る処理容器と、前記被処理物を冷却して前記付着物を収
縮させる冷却手段と、前記被処理物を加熱して前記付着
物を膨張させる加熱手段とを有し、前記冷却および前記
加熱の際に前記被処理物と前記付着物との間で発生する
変形量の差により、前記被処理物から前記付着物を剥離
させて前記付着物の除去を行うものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１７】図１は本発明による洗浄装置の構造の実施
の形態の一例を示す構成概念図、図２は本発明の洗浄方
法における被処理物の洗浄状態の実施の形態の一例を示
す断面図、図３は本発明の洗浄方法における被処理物の
洗浄状態の実施の形態の一例を示す断面図、図４は本発
明による洗浄方法の手順の実施の形態の一例を示すフロ
ーチャート、図５は本発明の洗浄装置によって行うシー
ケンスの実施の形態の一例を示す処理サイクル図であ
る。

【００１８】本実施の形態による洗浄装置は、半導体製
造工程において、被処理物の一例である半導体ウェハ１
に付着した付着物を半導体ウェハ１から除去するもので
ある。

【００１９】ここで、前記付着物は、例えば、図２に示
すような半導体ウェハ１に付着した異物２、あるいは、
図３に示すような半導体ウェハ１に生成された反応生成
物３であり、この反応生成物３はサイドフィルムと呼ば
れることもある。

【００２０】なお、反応生成物３は、例えば、半導体ウ
ェハ１上に形成された酸化膜１ａやタングステン膜１ｂ
などの被エッチング膜をエッチングした際に、反応ガス
との反応によって、前記被エッチング膜の両側に生成さ
れる薄膜である。

【００２１】前記付着物を異物２とし、図１および図２
を用いて、本実施の形態による洗浄装置の構成について
説明すると、半導体ウェハ１を支持するステージ（支持
台）４を備えかつ半導体ウェハ１の洗浄処理が行われる
洗浄チャンバ（処理容器）５と、半導体ウェハ１を冷却
して異物２を収縮させる冷却手段６と、半導体ウェハ１
を加熱して異物２を膨張させる加熱手段７とからなり、
前記冷却および前記加熱の際に半導体ウェハ１と異物２
との間で発生する変形量の差により、半導体ウェハ１か
ら異物２を剥離させて異物２の除去を行うものである。

【００２２】また、本実施の形態においては、冷却手段
６が半導体ウェハ１とこれに付着した異物２とに対して
直接冷却媒体を供給する冷却媒体供給手段である冷却ノ
ズル６ａを有し、かつ加熱手段７が半導体ウェハ１とこ
れに付着した異物２とに対して直接加熱媒体を供給する
加熱媒体供給手段である加熱ノズル７ａを有している。

【００２３】ここで、冷却手段６は、冷却ノズル６ａ
と、前記冷却媒体を冷却する冷却用熱交換器６ｂと、冷
却用熱交換器６ｂと冷却ノズル６ａとを接続する冷却媒
体供給系６ｃとからなる。

【００２４】さらに、加熱手段７は、加熱ノズル７ａ
と、前記加熱媒体を加熱する加熱用熱交換器７ｂと、加
熱用熱交換器７ｂと加熱ノズル７ａとを接続する加熱媒
体供給系７ｃとからなる。

【００２５】また、ステージ４は、真空吸着もしくはメ
カチャックによって半導体ウェハ１を保持するものであ
るが、本実施の形態では、真空吸着によって半導体ウェ
ハ１を保持する場合について説明する。

【００２６】さらに、ステージ４は、高速に回転可能な
スピン回転軸８に取り付けられている。

【００２７】すなわち、スピン回転軸８の回転によって
ステージ４は回転する。

【００２８】また、前記洗浄装置の近傍には、洗浄チャ
ンバ５とアンローダ１０との間で半導体ウェハ１の搬送
を行う搬送アーム９が設置されている。

【００２９】なお、洗浄チャンバ５内に半導体ウェハ１
を搬入、あるいは、洗浄チャンバ５内から半導体ウェハ
１を搬出する際には、洗浄チャンバ５がその中央付近で
上下に分割し、搬入出口５ａが形成され、これを介して
半導体ウェハ１の搬入出が行われる。

【００３０】ここで、付着物が異物２でなく、図３に示
す反応生成物３であっても、もしくは、異物２や反応生
成物３以外の他の付着物であっても、本実施の形態の洗
浄装置の構成は同じであることは言うまでもない。

【００３１】次に、本実施の形態による洗浄方法につい
て説明する。

【００３２】なお、前記洗浄方法においても、付着物が
図２に示すレジスト膜などの異物２の場合について説明
するが、前記付着物は、図３に示す反応生成物３、もし
くは、異物２や反応生成物３以外のものであってもよ
い。

【００３３】まず、搬送アーム９によって半導体ウェハ
１のウェハ搬入１１（図４参照）を行い、ステージ４に
半導体ウェハ１を載置する。すなわち、ステージ４によ
ってウェハ吸着１２を行う。

【００３４】この際、洗浄チャンバ５の搬入出口５ａを
介して洗浄チャンバ５内に半導体ウェハ１を搬入する。

【００３５】その後、スピン回転軸８を回転駆動させる
ことにより、ステージ４を回転させる。

【００３６】すなわち、ウェハ回転１３を実行すること
により、半導体ウェハ１を所定の回転数で回転させる。

【００３７】続いて、半導体ウェハ１の冷却であるウェ
ハ冷却１４を行う。

【００３８】ここで、本実施の形態では、半導体ウェハ
１を冷却する際には半導体ウェハ１に対して直接冷却媒
体を供給し、半導体ウェハ１を加熱する際には半導体ウ
ェハ１に対して直接加熱媒体を供給する。

【００３９】また、本実施の形態では、半導体ウェハ１
を冷却して前記付着物である異物２を凍結させる場合に
ついて説明する。

【００４０】さらに、図５に示すように、最初に半導体
ウェハ１を冷却し、その後、半導体ウェハ１を加熱す
る。

【００４１】つまり、冷却、加熱の順序で半導体ウェハ
１を処理する。

【００４２】また、本実施の形態では、前記冷却媒体お
よび前記加熱媒体として液体を用いる場合を説明する
が、前記冷却媒体および前記加熱媒体は気体であっても
よく、さらに、気体と液体との両者を用いてもよい。

【００４３】ここで、前記冷却媒体は、液体窒素、氷、
冷却した純水または冷却した種々の洗浄用の薬品などで
あるが、半導体ウェハ１を容易に冷却することができか
つ半導体ウェハ１に悪影響を及ぼさないものであれば前
記以外の媒体であってもよい。

【００４４】ただし、前記薬品を用いる際には、その設
備の設置が大がかりなものとなる場合があるため、前記
薬品以外の媒体を用いることが好ましく、本実施の形態
では、前記冷却媒体として液体窒素（液体）を用いる場
合を説明する。

【００４５】また、前記加熱媒体は、加熱エアー、加熱
窒素ガス、加熱した純水（高温純水）または加熱した種
々の洗浄用の薬品などであるが、半導体ウェハ１を容易
に加熱することができかつ半導体ウェハ１に悪影響を及
ぼさないものであれば前記以外の媒体であってもよい。

【００４６】この際にも、前記冷却媒体の場合と同様
に、前記薬品以外の媒体を用いることが好ましく、本実
施の形態では、前記加熱媒体として加熱した高温純水
（液体）を用いる場合を説明する。

【００４７】なお、半導体ウェハ１の冷却と加熱とにつ
いては、少なくとも１回ずつ冷却と加熱とを実施する必
要がある。

【００４８】ただし、異物２の付着量やその付着の度合
いによって、冷却または加熱もしくはその両者を繰り返
して行ってもよいが、この際、冷却と加熱とを交互に行
うことは言うまでもない。なお、本実施の形態において
は、冷却と加熱とを１回ずつ行う場合について説明す
る。

【００４９】これらの条件に基づいて、半導体ウェハ１
の冷却であるウェハ冷却１４と、その加熱であるウェハ
加熱１５とを行う。

【００５０】ここで、本実施の形態の洗浄方法において
は、その一例として８インチの大きさの半導体ウェハ１
を洗浄する場合について説明する。

【００５１】まず、半導体ウェハ１を保持したステージ
４を１００ｒｐｍ程度（図５参照）の回転数で回転させ
る。

【００５２】続いて、冷却用熱交換器６ｂに通して所定
の温度に冷却した液体窒素を冷却媒体供給系６ｃに通
し、その後、図２に示すように、冷却ノズル６ａから直
接半導体ウェハ１とこれに付着した異物２とに対して液
体窒素を噴流する（供給する）。

【００５３】なお、付着物である異物２がレジスト膜
で、かつ冷却媒体が液体窒素の場合、液体窒素を１分程
度噴流（供給）することにより、異物２を凍結させるこ
とができる。この際の、洗浄チャンバ５内の雰囲気温度
は、図５に示すように、およそ０℃である。

【００５４】約１分経過後、液体窒素の供給を停止す
る。

【００５５】これにより、半導体ウェハ１の表面付近と
ともに異物２は収縮する。

【００５６】その後、加熱用熱交換器７ｂに通して所定
の温度に加熱した高温純水を加熱媒体供給系７ｃに通
し、その後、図２に示すように、加熱ノズル７ａから直
接半導体ウェハ１とこれに付着した異物２とに対して高
温純水を１分程度噴流する（供給する）。

【００５７】なお、この際の、洗浄チャンバ５内の雰囲
気温度は、図５に示すように、８０〜１００℃（好まし
くは９０℃）である。

【００５８】約１分経過後、高温純水の供給を停止す
る。

【００５９】これにより、半導体ウェハ１の表面付近と
ともに異物２は膨張する。

【００６０】その結果、半導体ウェハ１と異物２とに冷
却および加熱を行うことにより、半導体ウェハ１と異物
２との間で変形量の差（熱収縮差と熱膨張差）が生じ、
これにより、半導体ウェハ１上で異物２は剥離し易い状
態に至る。

【００６１】その後、ステージ４の回転数を５００ｒｐ
ｍに上げ、純水などの洗浄液を１分程度半導体ウェハ１
に供給する。

【００６２】つまり、半導体ウェハ１を回転させながら
洗浄するウェハリンス水洗１６を行う。

【００６３】このウェハリンス水洗１６によって、剥離
し易い状態に至っていた異物２は、半導体ウェハ１上か
ら洗い落とされ、半導体ウェハ１から剥離する。

【００６４】なお、この際の洗浄チャンバ５内の雰囲気
温度は、図５に示すように、およそ２３℃前後である。

【００６５】続いて、純水の供給を停止させた後、ステ
ージ４の回転数を３０００ｒｐｍに上げて半導体ウェハ
１を高速回転させる。

【００６６】これにより、半導体ウェハ１を乾燥させる
ウェハスピン乾燥１７をおよそ１〜２分程度行う。

【００６７】この際の洗浄チャンバ５内の雰囲気温度
も、ウェハリンス水洗１６の時と同様、図５に示すよう
に、およそ２３℃前後である。

【００６８】これにより、半導体ウェハ１の洗浄と乾燥
とを行うことができる。

【００６９】なお、ウェハリンス水洗１６には、純水以
外の他の洗浄液などを用いてもよく、さらに、半導体ウ
ェハ１の乾燥は、スピン乾燥以外のＩＰＡ蒸気乾燥など
によって行ってもよい。

【００７０】その後、半導体ウェハ１を洗浄チャンバ５
から搬出するウェハ搬出１８を行う。

【００７１】この際、搬送アーム９を用い、かつ搬入出
口５ａを介して半導体ウェハ１を取り出し、アンローダ
１０に洗浄・乾燥済みの半導体ウェハ１を収容する。

【００７２】本実施の形態の洗浄方法および装置によれ
ば、以下のような作用効果が得られる。

【００７３】すなわち、半導体ウェハ１とこれに付着し
た異物２とを冷却および加熱することにより、半導体ウ
ェハ１の表面付近および異物２が収縮と膨張とを行う。
その際に、半導体ウェハ１と異物２との間で熱収縮差ま
たは熱膨張差を生じるため、両者の変形量の差によっ
て、半導体ウェハ１に付着した異物２を動き易くするこ
とができる。

【００７４】これにより、異物２は剥離し易い状態に至
るため、半導体ウェハ１から異物２を剥離し易くするこ
とができ、その結果、半導体ウェハ１に付着した異物２
を洗い落とす際の除去効率を向上させることができる。

【００７５】したがって、半導体ウェハ１の洗浄効率を
向上させることができる。

【００７６】さらに、半導体ウェハ１に付着した異物２
を洗い落とす際の除去効率を向上させることができるた
め、半導体ウェハ１における欠陥密度を低減させること
ができる。

【００７７】また、半導体ウェハ１を冷却する際には半
導体ウェハ１と異物２とに直接液体窒素を供給し、半導
体ウェハ１を加熱する際には直接高温純水を供給するこ
とにより、半導体ウェハ１と異物２とにおける温度変化
を素早く生じさせることができる。

【００７８】これにより、半導体ウェハ１から付着物を
除去する際の除去効率を向上できる。

【００７９】さらに、半導体ウェハ１に直接液体窒素を
供給し、かつ半導体ウェハ１に直接高温純水を供給する
ことにより、エッチング時などに生成された反応生成物
３であっても温度変化を素早く生じさせることができ
る。

【００８０】これにより、半導体ウェハ１に生成された
反応生成物３を除去する際の除去効率を向上できる。

【００８１】なお、半導体ウェハ１を冷却して異物２を
凍結させることにより、加熱時との温度変化を大きくす
ることができる。

【００８２】これにより、半導体ウェハ１と異物２との
間で発生する熱膨張差または熱収縮差を大きくすること
ができるため、さらに、半導体ウェハ１に付着した異物
２を動き易くすることができる。

【００８３】さらに、最初、半導体ウェハ１を冷却し、
その後、半導体ウェハ１を加熱することにより、初めに
異物２を収縮させることができ、その後加熱によって異
物２を膨張させることができる。

【００８４】これにより、半導体ウェハ１から異物２を
剥離し易くすることができ、その結果、前記同様、半導
体ウェハ１に付着した異物２の除去効果を向上させるこ
とができる。

【００８５】なお、冷却媒体および加熱媒体として、所
定の気体または液体（本実施の形態では、液体窒素と高
温純水）を用いることにより、エッチング液などの薬品
を用いなくても半導体ウェハ１の洗浄が可能になる。

【００８６】これにより、前記薬品を供給する薬品供給
部が不必要になるため、洗浄装置の構成を簡略化するこ
とができる。

【００８７】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００８８】例えば、前記実施の形態による洗浄方法お
よび装置においては、被処理物を冷却または加熱する際
に被処理物に直接冷却媒体あるいは加熱媒体を供給する
方法について説明したが、被処理物を冷却または加熱す
る際に、被処理物に直接冷却媒体または加熱媒体を供給
するのではなく、処理容器内の雰囲気を冷却または加熱
して被処理物を冷却あるいは加熱してもよい。

【００８９】すなわち、処理容器内の雰囲気温度を制御
し、前記雰囲気温度の昇温と降温とを周期的に繰り返す
ことによって被処理物と付着物とを冷却および加熱する
ものである。

【００９０】この場合、前記洗浄装置に、処理容器内の
雰囲気を冷却する冷却部と前記雰囲気を加熱する加熱部
とが設けられていてもよい（内蔵形）し、また、前記洗
浄装置に前記冷却部と加熱部とが外部から接続されてい
てもよい（後付け形）。

【００９１】なお、この際の洗浄方法としては、被処理
物を冷却する際には前記被処理物の洗浄処理が行われる
前記処理容器内の雰囲気を冷却し、前記被処理物を加熱
する際には前記処理容器内の雰囲気を加熱する。

【００９２】これによっても、前記実施の形態で説明し
た洗浄方法および装置と同様の作用効果が得られる。

【００９３】また、前記実施の形態においては、被処理
物を冷却して付着物を凍結させる場合について説明した
が、前記付着物を凍結させずに、収縮する程度に冷却す
るだけでもよい。

【００９４】これによっても、前記実施の形態の場合に
比べてその効果の度合いは劣るものの、付着物の除去効
率を向上させることは可能である。

【００９５】また、前記実施の形態においては、被処理
物を冷却した後、被処理物を加熱する場合について説明
したが、冷却と加熱の順序は、反対にしてもよい。

【００９６】すなわち、最初に加熱から行い被処理物と
付着物とを膨張させた後、冷却を行って被処理物と付着
物とを収縮させるものである。

【００９７】これによっても、前記同様、前記実施の形
態の場合に比べてその効果の度合いは劣るものの、付着
物の除去効率を向上させることは可能である。

【００９８】また、前記実施の形態においては、冷却と
加熱とを１回ずつ行う場合について説明したが、冷却と
加熱を行う際に、両者を複数回繰り返して行うことによ
り、被処理物から付着物をさらに剥離し易くすることが
できる。

【００９９】これにより、被処理物に付着した付着物の
除去効果をさらに向上させることができる。

【０１００】また、被処理物から付着物を除去する他の
実施の形態の洗浄方法として、付着物に多数の氷片を噴
流し、付着物に衝撃を与える方法を用いてもよい。

【０１０１】これにより、付着物を凍結させるととも
に、前記衝撃によって付着物を除去することができる。

【０１０２】なお、前記実施の形態における被処理物
は、半導体ウェハであったが、前記被処理物は、前記半
導体ウェハから切断された半導体素子であってもよい。

【０１０３】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【０１０４】（１）．被処理物とこれに付着した付着物
とを冷却および加熱することにより、被処理物と付着物
との間で熱収縮差または熱膨張差を生じるため、両者の
変形量の差によって、被処理物に付着した付着物を動き
易くすることができる。これにより、被処理物から付着
物を剥離し易くすることができ、その結果、被処理物に
付着した付着物の除去効率を向上させることができる。

【０１０５】（２）．前記（１）により、被処理物の洗
浄効率を向上させることができる。

【０１０６】（３）．被処理物を冷却する際には被処理
物に直接冷却媒体を供給し、被処理物を加熱する際には
直接加熱媒体を供給することにより、被処理物と付着物
とにおける温度変化を素早く生じさせることができる。
これにより、被処理物から付着物を除去する際の除去効
率を向上できる。

【０１０７】（４）．被処理物に直接冷却媒体または加
熱媒体を供給することにより、エッチング時などに生成
された反応生成物に対しても温度変化を素早く生じさせ
ることができる。これにより、被処理物に生成された反
応生成物を除去する際の除去効率を向上できる。

【０１０８】（５）．被処理物を冷却して付着物を凍結
させることにより、加熱時との温度変化を大きくするこ
とができる。これにより、被処理物と付着物との間で発
生する熱膨張差または熱収縮差を大きくすることができ
るため、さらに、被処理物に付着した付着物を動き易く
することができる。

【０１０９】（６）．冷却媒体および加熱媒体として、
所定の気体や液体を用いることにより、エッチング液な
どの薬品を用いなくても被処理物の洗浄が可能になる。
これにより、前記薬品を供給する薬品供給部が不必要に
なるため、洗浄装置の構成を簡略化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による洗浄装置の構造の実施の形態の一
例を示す構成概念図である。

【図２】本発明の洗浄方法における被処理物の洗浄状態
の実施の形態の一例を示す断面図である。

【図３】本発明の洗浄方法における被処理物の洗浄状態
の実施の形態の一例を示す断面図である。

【図４】本発明による洗浄方法の手順の実施の形態の一
例を示すフローチャートである。

【図５】本発明の洗浄装置によって行うシーケンスの実
施の形態の一例を示す処理サイクル図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ（被処理物） １ａ 酸化膜 １ｂ タングステン膜 ２ 異物（付着物） ３ 反応生成物（付着物） ４ ステージ（支持台） ５ 洗浄チャンバ（処理容器） ５ａ 搬入出口 ６ 冷却手段 ６ａ 冷却ノズル（冷却媒体供給手段） ６ｂ 冷却用熱交換器 ６ｃ 冷却媒体供給系 ７ 加熱手段 ７ａ 加熱ノズル（加熱媒体供給手段） ７ｂ 加熱用熱交換器 ７ｃ 加熱媒体供給系 ８ スピン回転軸 ９ 搬送アーム １０ アンローダ １１ ウェハ搬入 １２ ウェハ吸着 １３ ウェハ回転 １４ ウェハ冷却 １５ ウェハ加熱 １６ ウェハリンス水洗 １７ ウェハスピン乾燥 １８ ウェハ搬出

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理物に付着した付着物を除去する洗
   浄方法であって、 前記被処理物を冷却して前記付着物を収縮させる工程
   と、 前記被処理物を加熱して前記付着物を膨張させる工程と
   を含み、 前記冷却および前記加熱の際に前記被処理物と前記付着
   物との間で発生する変形量の差により、前記被処理物か
   ら前記付着物を剥離させて除去することを特徴とする洗
   浄方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の洗浄方法であって、前記
   被処理物を冷却する際には前記被処理物に対して直接冷
   却媒体を供給し、前記被処理物を加熱する際には前記被
   処理物に対して直接加熱媒体を供給することを特徴とす
   る洗浄方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の洗浄方法であっ
   て、前記被処理物を冷却する際には前記被処理物の洗浄
   処理が行われる処理容器内の雰囲気を冷却し、前記被処
   理物を加熱する際には前記処理容器内の雰囲気を加熱す
   ることを特徴とする洗浄方法。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の洗浄方法で
   あって、前記被処理物を冷却して前記付着物を凍結させ
   ることを特徴とする洗浄方法。
5. 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載の洗浄方
   法であって、前記被処理物を冷却した後、前記被処理物
   を加熱することを特徴とする洗浄方法。
6. 【請求項６】 請求項１，２，３，４または５記載の洗
   浄方法であって、前記冷却または前記加熱もしくはその
   両者を繰り返して行うことを特徴とする洗浄方法。
7. 【請求項７】 請求項２，３，４，５または６記載の洗
   浄方法であって、前記冷却媒体および前記加熱媒体とし
   て、気体または液体もしくはその両者を用いることを特
   徴とする洗浄方法。
8. 【請求項８】 被処理物に付着した付着物の除去を行う
   洗浄装置であって、前記被処理物を支持する支持台を備
   え、かつ被処理物の洗浄処理が行われる処理容器と、 前記被処理物を冷却して前記付着物を収縮させる冷却手
   段と、 前記被処理物を加熱して前記付着物を膨張させる加熱手
   段とを有し、 前記冷却および前記加熱の際に前記被処理物と前記付着
   物との間で発生する変形量の差により、前記被処理物か
   ら前記付着物を剥離させて前記付着物の除去を行うこと
   を特徴とする洗浄装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の洗浄装置であって、前記
   冷却手段が前記被処理物に対して直接冷却媒体を供給す
   る冷却媒体供給手段を有し、かつ前記加熱手段が前記被
   処理物に対して直接加熱媒体を供給する加熱媒体供給手
   段を有していることを特徴とする洗浄装置。