JPH10144707A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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Abstract
の形状の電子部品を形成するための電子部品の製造方法
を提供すること。 【解決手段】 孔版20はダム30を形成するための孔
24,24が設けられ、その下面20aには半導体チッ
プ8及びリード線10,10と接触しないよう凹部22
が形成されている。上記孔版20の下面20aを基板2
又は基板回路4に接触させて液状樹脂26を印刷によっ
て孔24,24内に充填し、孔版20と基板2とを離す
ことによって孔24,24内に充填された液状樹脂を基
板2上に転写してダム30を形成する。
Description
方法に係り、特に半導体チップ等を封止することによっ
て電子部品を製造する電子部品の製造方法に関する。
IC(集積回路)、及びLSI(高集積回路)等の半導
体チップはエポキシ樹脂等の封止材を用いて封止され、
電子部品として製造される。上記半導体チップは回路が
形成された基板上に直接搭載されたり、リードフレーム
上に搭載されたり、LCC(リードレスチップキャリ
ア)等のチップキャリア上に搭載されたり、又はボール
・グリッド・アレイ等に搭載された後にエポキシ樹脂等
によって封止が行われる。
樹脂が用いられ、半導体チップを封止する方法にはディ
スペンサにより液状樹脂を半導体チップ上に滴下するデ
ィスペンサ方式と、複数の孔が形成された孔版を用いて
半導体チップに液状樹脂を印刷する方法とがある。
法に用いられる液状樹脂は熱硬化性の樹脂であり、硬化
時の熱によって樹脂の粘度が低下し、樹脂が流動してし
まい硬化後の形状が封止直後(硬化前)の形状よりも外
周部が拡がってしまうという特性を有する。液状樹脂を
用いた場合、外周部形状の拡がりを防止するためには、
チクソトロピー性が高い樹脂を用いて樹脂の流れ防止を
行えば良いと考えられるが、その特性や制御性には自ず
と限界がある。
リアがさらに厳しく制限されており、電子部品の外形寸
法に規格が定められている。所定のエリア内に電子部品
を形成したり、定められた寸法に電子部品を形成するた
めには、封止エリアの外周部に液状樹脂の流れを防止す
るダムを形成する必要がある。このダムは、通常、半導
体チップを搭載する前に基板上に形成される。
サで描画した後、熱を加えて硬化させたり、感光性のフ
ィルムを基板上に貼付してダムの形状が描かれたマスク
を使用して露光を行って未露光部分を除去したり、紫外
線硬化性樹脂をディスペンサで描画して紫外線を用いて
硬化させたりして形成していた。上記方法によってダム
を形成した場合には、ダム形成による基板コストの上
昇、半導体素子搭載時にダム材のにじみによる接続端子
部分の汚れによるワイヤボンドの接続不良、基板運送中
のダムの欠落等の基板自体の問題があり、半導体チップ
を封止した後においては、半導体チップの封止樹脂とダ
ムの材質との違いによる信頼性の低下(剥離やクラッ
ク)が生じる等の問題があった。
であり、低コストであり且つ高い信頼性を有する所定の
形状の電子部品を形成するための電子部品の製造方法を
提供することを目的とする。
に、請求項1記載の発明は、半導体素子が搭載された基
板上であって該半導体チップ周囲にダム形成用孔版を用
いて液状樹脂を印刷してダムを形成する工程と、前記ダ
ム内部に封止用孔版を用いて液状樹脂を印刷して前記半
導体素子を封止する工程とを具備することを特徴とす
る。請求項2記載の発明は、請求項1記載の電子部品の
製造方法において、前記半導体素子封止用の液状樹脂
は、前記ダム形成用の液状樹脂と同一の液状樹脂を用い
て印刷されることを特徴とする。請求項3記載の発明
は、請求項1記載の電子部品の製造方法において、前記
ダムは、前記半導体チップに対応する位置に凹部が形成
されたダム形成用孔版を前記基板に接触させて形成され
ることを特徴とする。請求項4記載の発明は、請求項1
記載の電子部品の製造方法において、前記半導体チップ
は、前記ダムに対応した位置に凹部が形成された封止用
孔版を前記基板に接触させて封止されることを特徴とす
る。請求項5記載の発明は、請求項1記載の電子部品の
製造方法において、前記ダム及び前記半導体素子を封止
した液状樹脂を印刷後に硬化させる工程を有することを
特徴とする。請求項6記載の発明は、請求項1記載の電
子部品の製造方法において、前記基板には基板回路が形
成されており、前記ダムは、前記半導体素子と該基板回
路とを電気的に接続した後に形成されることを特徴とす
る。
実施形態について説明する。図2は封止対象である半導
体チップ(半導体素子)が搭載された基板の断面図であ
る。図2において、2は基板であり、その材質はガラス
・エポキシ等の有機材、セラミック、ガラス等である。
この基板2の上面には基板回路4が形成されている。上
記電子部品がリード線を有する場合には、基板2の代わ
りに金属やリードフレーム等が用いられる。
導体チップ8が接着されており、リード線10,10に
よって半導体チップ8と基板回路4とが電気的に接続さ
れている。上記リード線10,10は、通常、金線やア
ルミ線が用いられるが、フリップチップのように能動面
が下面に配された場合には、リード線10,10の代わ
りにバンプ接合によって半導体チップ8と基板回路4と
が電気的に接続される。尚、図2中では半導体チップ8
が1つのみ図示されているが、基板2上には複数の半導
体チップ8が接着されている。
方法は半導体チップ8の周囲にダムを形成する工程と、
半導体チップ8を封止する工程とに大別される。まず、
本発明の一実施形態による電子部品の製造方法の第1工
程である半導体チップ8の周囲にダムを形成する方法に
ついて説明する。図1は本発明の一実施形態による電子
部品の製造方法の第1工程を示す断面図である。尚、図
1において、図2と共通する部分には同一の符号を付
し、その説明を省略する。
ための孔版(ダム形成用孔版)であり、その底面20a
には、半導体チップ8が配される位置に応じて凹部22
が形成されている。この凹部22は、ダムを形成すると
きに孔版20と半導体チップ8やリード線10,10と
が接触して破損が生じたり、リード線10,10と半導
体チップ8との電気的接続又は基板回路4とリード線1
0,10との電気的接続が断たれたりするのを防止する
ためのものである。この凹部22は、孔版20が金属で
ある場合にはエッチングにより形成されたり、又は金属
板を張り合わせて形成される。金属以外の材質の場合に
は切削や金属成型によって形成される。
成される位置には孔24,24が形成されている。尚、
上記凹部22及び孔24,24は図1中には1つのみが
記載されているが、孔版20に所定間隔をもって複数設
けられている。26はダムを形成するための液状樹脂で
あり、孔版20の上面20bに滴下される。この液状樹
脂26は後述する半導体チップ8を封止する際に用いら
れる液状樹脂と同一の材質が用いられる。例えば、半導
体チップ8を封止する際に用いられる液状樹脂が熱硬化
性樹脂であれば、液状樹脂26も熱硬化性樹脂が用いら
れ、紫外線硬化性樹脂であれば、液状樹脂26も紫外線
硬化性樹脂が用いられる。
の封止に用いられる樹脂は、好ましくは同一の樹脂及び
硬化性系の組成が良い。但し、ダムの形状はその断面積
が小さく、且つ高さが高い方が好ましいので、液状樹脂
26はチクソトロピー性が高く(2.0以上、好ましく
は3.0以上)、制御性が良いものを用いる必要があ
る。28は平板状に形成されたスクイージであり、孔版
20の上面20b近傍に設けられ、孔版20の上面20
bに沿って移動可能である。このスクイージ28の移動
方向はスクイージ28の面と垂直な方向に設定される。
凹部22の位置と半導体チップ8との位置を一致させた
後、つまり、半導体チップ8が孔版20の真下に位置す
るよう調整した後、基板2を孔版20へ接近させ又は孔
版20を基板2へ接近させて基板2と孔版20とを接触
させる。その後、液状樹脂26を孔版20の上面20b
に滴下する(図1(a)参照)。
移動させ、孔版20の上面20bに滴下された液状樹脂
26を孔版20に形成された孔24,24へ流し込んで
充填する(図1(b)参照)。上記充填が終了した後、
孔版20と基板2とを離して孔版20の孔24,24内
に充填された液状樹脂を基板2や基板回路4上に転写し
てダム30を形成する(図1(c)参照)。
ると、半導体チップ8を封止する工程に移行する。図3
は本発明の一実施形態による電子部品の製造方法の第2
工程を示す断面図であり、図1又は図2と共通する部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。図3にお
いて50は半導体チップ8を印刷封止するための孔版
(封止用孔版)であり、半導体チップ8に対応する位置
には孔52が設けられる。また、孔版50の底面50a
であって、孔52の周囲にはダム30に対応した位置に
凹部54,54が形成されている。この凹部54,54
の幅はダム30の幅よりも大に形成されるとともに、そ
の深さはダム30の高さよりも大となるよう形成され
る。この凹部54,54は孔版50とダム30とが接触
して、ダム30が損傷するのを防止するために設けられ
る。
(図1参照)と同様に、孔版50が金属である場合には
エッチングにより形成されたり、又は金属板を張り合わ
せて形成される。金属以外の材質の場合には切削や金属
成型によって形成される。56は液状樹脂であり、ダム
30と同一の硬化性樹脂である。58は平板状に形成さ
れたスクイージであり、孔版50の上面50b近傍に設
けられ、孔版50の上面50bに沿って移動可能であ
る。このスクイージ58の移動方向はスクイージ58の
面と垂直な方向に設定される。
孔52の位置と半導体チップ8との位置、及びダム30
の位置と凹部54,54との位置を一致させた後、つま
り、図3に示されたように半導体チップ8が孔版50の
孔52の真下に位置し、且つ、ダム30が凹部54,5
4の真下に位置するよう調整した後、基板2を孔版50
へ接近させ又は孔版50を基板2へ接近させて基板2と
孔版50とを接触させる。その後、液状樹脂56を孔版
50の上面50bに滴下する(図3(a)参照)。
移動させ、孔版50の上面50bに滴下された液状樹脂
56を孔版50に形成された孔52へ流し込んで充填す
る(図3(b)参照)。上記充填が終了した後、孔版5
0と基板2とを離すことにより孔52内に充填された液
状樹脂を基板2や基板回路4上に転写する(図3(c)
参照)。
する工程に移行する。この工程では使用した液状樹脂に
あわせて、熱を加えて硬化させたり紫外線を照射して硬
化させる。ダム30内に転写された液状樹脂は硬化時に
流動するが、ダム30によって堰止められるため、ダム
30外に流出することなくレベリングし、ダム30とと
もに硬化する。ダム30の樹脂と半導体チップ8を封止
するための液状樹脂は同一硬化系の樹脂、又は類似した
組成の樹脂が用いられているため、相互に密着して欠陥
部位のない一体封止物が形成される。図4は本発明の一
実施形態による電子部品の製造方法によって製造された
電子部品を示す断面図である。図4に示されたように、
半導体チップ8を封止するための樹脂がダム30外に流
出することなくレベリングがなされてダム30と一体に
なっている。
る電子部品の製造方法によって作成した電子部品(以
下、試作品と称する)の耐久性と、従来の電子部品の製
造方法によって作成された電子部品の耐久性との比較を
行った。
体チップ8等について具体的数値を挙げて説明する。図
2に示された基板2としては厚み0.6mmを有する市
販のFR−4基板を用い表面メッキをエッチングして基
板回路4を形成し、形成した基板回路4上に金メッキを
施した。半導体チップ8は厚みが0.6mmであり、1
0mm×10mmの四角形の外形寸法を有し、電子回路
が形成されたICチップを用いた。この半導体チップ8
を接着剤DP−500(日本レック株式会社製)を用い
て上記基板回路4上に接着し、上記基板回路4と半導体
チップ8とを電気的に接続するリード線10,10は直
径が23μmである金線を用いた。
孔版20は1.2mmの厚みを有するステンレス板を用
い、エッチングにより0.8mmの深さを有し、内周の
形状が四角形であって1辺の長さが15mmである凹部
22を形成するとともに、この凹部22の周囲に0.5
mmの幅を有し、形状が四角形の孔24,24を形成し
た。また、図3に示された半導体チップ8の封止用の孔
版50は1.2mmの厚さを有するステンレス板を用
い、エッチングによって内周の形状が四角形であって1
辺の長さが15mmである孔52を形成するとともに、
孔52の周囲に深さが0.8mmであり0.8mmの幅
を有する四角形状の凹部54,54を形成した。
方法によって作成された電子部品は、図1に示されたダ
ム30用の液状樹脂26としては熱硬化性を有する樹脂
NPR−18(エポキシ樹脂配合物:日本レック株式会
社製)を用い、半導体チップ8を封止するための液状樹
脂56には、熱硬化性を有する樹脂NPR−785N
(エポキシ樹脂配合物:日本レック株式会社製)を用い
た。
比較例1は、紫外線硬化性の樹脂NUV−20(エポキ
シクリアレート樹脂:日本レック株式会社製)を上記デ
ィスペンサによって描画した後、紫外線を照射して硬化
させ、上述した熱硬化性樹脂NPR−785Nをディス
ペンサによってダムの内部に滴下して作成した電子部品
である。比較例2では、厚さが1.2mmであるステン
レス板にエッチングによって内周の形状が四角形であっ
て1辺の長さが15mmである孔を形成した孔版を用い
た。比較例2は、上述した孔版を用いて熱硬化性樹脂N
PR−785Nを印刷することによって作成した電子部
品であり、上記試作品や比較例1の電子部品のようにダ
ムを形成していない。
較例2との外形形状の比較結果を表した図表である。図
5に示されたように、試作品は外形寸法が18.2×1
8.2mmと所定の形状に形成されているとともに、高
さが前述した孔版の厚みとほぼ同一であり、外形寸法及
び高さが共に所定の形状に形成された電子部品が得られ
る。
形はディスペンサによって描画されているためほぼ所定
の寸法に形成されるが、高さの制御が困難であるという
欠点を有する。つまり、比較例1の電子部品は、高さに
制限がある用途(例えば、ノート型コンピュータ)には
使用することができない。また、比較例2の電子部品は
外形が20.5×21.2mmと所望の形状とはかけ離
れているとともに、所望の高さには形成されないため高
さ及び外形寸法が制限された用途には不適切である。
結果を表した図表である。温度や湿度の変化に対する試
験は、ヒートサイクル性の試験、恒温恒湿度試験、及び
PCT(Pressure Cooker Test)について行った。ヒー
トサイクル性の試験は、温度を−65℃に設定して30
分間放置する状態と温度を120℃に設定して30分間
放置する状態とを繰り返す試験であり、恒温恒湿度試験
は温度及び湿度がそれぞれ80℃,85%に設定された
状態で放置する試験であり、PCTは試作品、比較例1
の電子部品、及び比較例2の電子部品を圧力釜の中に配
置して加湿を行い、温度が121℃であり圧力が2気圧
の条件下における試験である。
2の電子部品はヒートサイクル性の試験において500
サイクルの試験に耐え、恒温恒湿度試験では500時間
の耐久性があり、PCTに関しては300時間の耐久性
を有し、極めて優れた特性を有する。しかし、比較例2
の電子部品は、ヒートサイクル性の試験では200サイ
クルの試験に耐えられず、恒温恒湿度試験では300時
間の耐久性を得られず、PCTに関しては100時間の
耐久性すら得られなかった。比較例1の電子部品の耐久
性が悪いのは、ダムを形成する樹脂と半導体チップを封
止する樹脂との特性に大きな差があるためであり、比較
例1の電子部品はダムを封止用の樹脂とが分離してしま
うという問題点を有する。
表である。ポップコーンテストは試作品、比較例1の電
子部品、及び比較例2の電子部品を多湿な環境下に放置
して半導体チップを封止している樹脂中に水蒸気を含ま
せた状態にして、急激な温度変化を与える試験である。
このポップコーンテストにおいてはレベル2〜レベル4
の3段階のレベルについての試験を行った。この3段階
の試験においてはレベル2が最も過酷な試験である。
60%の環境下に168時間放置した後、10秒の間に
温度を220℃まで変化させる処理を3サイクル繰り返
す試験 レベル3…温度、湿度がそれぞれ60℃,30%の環境
下に192時間放置した後、10秒の間に温度を220
℃まで変化させる処理を3サイクル繰り返す試験 レベル4…温度、湿度がそれぞれ60℃,30%の環境
下に84時間放置した後、10秒の間に温度を220℃
まで変化させる処理を3サイクル繰り返す試験
の試験に耐えうる特性を有するが、比較例2の電子部品
はレベル3までの耐久性を有し、比較例1の電子部品に
あってはレベル4の耐久性すら有しないことが分かっ
た。以上、説明したように、本発明の一実施形態による
電子部品の製造方法によって作成された電子部品は、外
形形状を所望の形状に形成することができるとともに、
極めて優れた耐久性を有することが明らかになった。
部品の製造方法においては、所望の形状を有する電子部
品が極めて容易に、且つ一度に大量に作成することがで
きるという効果がある。また、作成された電子部品は上
述した効果を奏するとともに、極めて優れた耐久性を有
するので種々の用途に使用することができるという効果
がある。
法の第1工程を示す断面図である。
板の断面図である。
工程を示す断面図である。
て製造された電子部品を示す断面図である。
状の比較結果を表した図表である。
した図表である。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 半導体素子が搭載された基板上であって
該半導体チップ周囲にダム形成用孔版を用いて液状樹脂
を印刷してダムを形成する工程と、 前記ダム内部に封止用孔版を用いて液状樹脂を印刷して
前記半導体素子を封止する工程とを具備することを特徴
とする電子部品の製造方法。 - 【請求項2】 前記半導体素子封止用の液状樹脂は、前
記ダム形成用の液状樹脂と同一の液状樹脂を用いて印刷
されることを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造
方法。 - 【請求項3】 前記ダムは、前記半導体チップに対応す
る位置に凹部が形成されたダム形成用孔版を前記基板に
接触させて形成されることを特徴とする請求項1記載の
電子部品の製造方法。 - 【請求項4】 前記半導体チップは、前記ダムに対応し
た位置に凹部が形成された封止用孔版を前記基板に接触
させて封止されることを特徴とする請求項1記載の電子
部品の製造方法。 - 【請求項5】 前記ダム及び前記半導体素子を封止した
液状樹脂を印刷後に硬化させる工程を有することを特徴
とする請求項1記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項6】 前記基板には基板回路が形成されてお
り、前記ダムは、前記半導体素子と該基板回路とを電気
的に接続した後に形成されることを特徴とする請求項1
記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292986A JP2928755B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292986A JP2928755B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144707A true JPH10144707A (ja) | 1998-05-29 |
| JP2928755B2 JP2928755B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=17788999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8292986A Expired - Lifetime JP2928755B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2928755B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008529273A (ja) * | 2005-01-20 | 2008-07-31 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 検知エレメントに関するウェハレベルチップスケールパッケージを備えた装置および方法 |
| JP2010263128A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Sanyu Rec Co Ltd | 照明装置の製造方法 |
| US20190228988A1 (en) * | 2016-04-01 | 2019-07-25 | Intel Corporation | Electronic device package |
| WO2025141732A1 (ja) * | 2023-12-26 | 2025-07-03 | 株式会社レゾナック | 電子部品装置の製造方法及び孔版一体型マスクフレーム |
-
1996
- 1996-11-05 JP JP8292986A patent/JP2928755B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008529273A (ja) * | 2005-01-20 | 2008-07-31 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 検知エレメントに関するウェハレベルチップスケールパッケージを備えた装置および方法 |
| JP2010263128A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Sanyu Rec Co Ltd | 照明装置の製造方法 |
| US20190228988A1 (en) * | 2016-04-01 | 2019-07-25 | Intel Corporation | Electronic device package |
| WO2025141732A1 (ja) * | 2023-12-26 | 2025-07-03 | 株式会社レゾナック | 電子部品装置の製造方法及び孔版一体型マスクフレーム |
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|---|---|
| JP2928755B2 (ja) | 1999-08-03 |
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