JPH10144946A - 薄膜太陽電池の透明導電膜及び該透明導電膜の製造 方法 - Google Patents

薄膜太陽電池の透明導電膜及び該透明導電膜の製造 方法

Info

Publication number
JPH10144946A
JPH10144946A JP8311182A JP31118296A JPH10144946A JP H10144946 A JPH10144946 A JP H10144946A JP 8311182 A JP8311182 A JP 8311182A JP 31118296 A JP31118296 A JP 31118296A JP H10144946 A JPH10144946 A JP H10144946A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
transparent conductive
film
zno
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8311182A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3527815B2 (ja
Inventor
Katsumi Kushiya
勝巳 櫛屋
Daisuke Okumura
大輔 奥村
Ichiro Sugiyama
一郎 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Shell Sekiyu KK
Original Assignee
Showa Shell Sekiyu KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Shell Sekiyu KK filed Critical Showa Shell Sekiyu KK
Priority to JP31118296A priority Critical patent/JP3527815B2/ja
Priority to EP97107633A priority patent/EP0841706B1/en
Priority to DE69739643T priority patent/DE69739643D1/de
Priority to US08/854,092 priority patent/US6040521A/en
Publication of JPH10144946A publication Critical patent/JPH10144946A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3527815B2 publication Critical patent/JP3527815B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/167—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising Group I-III-VI materials, e.g. CdS/CuInSe2 [CIS] heterojunction photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H10F77/251—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising zinc oxide [ZnO]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＭＯＣＶＤ法で作製したＺｎＯ透明導電膜と
同等の性能のものを、スパッタ衝撃の影響を低減し、高
速に、且つ大面積で製膜する。 【解決手段】 太陽電池１の窓層６として供されるＺｎ
Ｏ透明導電膜の製造方法である。先ず、ＺｎＯターゲッ
トを用いて低出力（１００Ｗ以下）のＲＦスパッタリン
グにより、スパッタ衝撃が少なく、界面保護膜として作
用する第１の導電膜を高抵抗バッファー（界面）層５
上に形成する。その後、複数の処理工程に分けて夫々Ｚ
ｎＯ：Ａｌターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより、窓層６として供される第２の導電膜
及び第３の導電膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽
電池の窓層として供される透明導電膜及び該透明導電膜
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＩＳ（二セレン化銅インジウム）系薄
膜太陽電池の窓層として供される透明導電膜として、ｎ
形の導電性を有する透明導電膜が必要であり、この透明
導電膜に要求される性能としては、 (1) 上部電極として使用するので抵抗値が低いこと。
（シート抵抗で１０Ω／□以下が望ましい。） (2) 光が入射する窓層として働くので、透過率が高いこ
と。（透過率としては、９０％以上（８００ｎｍ）が望
ましい。） (3) ＣＩＳ系薄膜太陽電池は積層構造であるので、接合
界面特性に損傷を与えないこと。等がある。
【０００３】この透明導電膜としての酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の製造方法としては、有機金属化学的気相成長法
（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposit
ion Method）とスパッタリング法があり、それぞれの製
造方法の特徴を以下に示す。
【０００４】ＭＯＣＶＤ法においては、その利点とし
て、 ドーパント量を調整することで透明導電膜の抵抗率を
任意に変化することができる。 化学反応を利用した透明導電膜の成長法であるために
柔らかいＣＩＳ系太陽電池の光吸収層に損傷を与えるこ
となく、穏やかな状態で硬質の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を成
長させることができる。 透明導電膜表面の凹凸を制御したテクスチャー構造に
よる光閉じ込め効果により、部分的ではあるが反射防止
膜としての作用が期待できる。
【０００５】また、その欠点としては、 透明導電膜の透過率と抵抗率を独立して調整すること
ができない。（この両者の交点が最適値となる。） 化学反応促進のために基板加熱が必要であり、この加
熱の熱応力による基板の弾性変形及びその変形による膜
の剥離等が発生し易い。 酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる透明導電膜の成長初期は
高抵抗の層が成長し、膜全体を低抵抗化できない。 化学反応を利用した透明導電膜の成長であるために製
造時間が長い。（厚さ２μｍのＺｎＯ膜の成長時間とし
て１時間程度かかる。） 製造装置としてバッチ式の反応炉を使用するので、工
業化時には生産性が劣る。 大面積の薄膜太陽電池を製造する場合には、基板の加
熱の均一性及び原料ガスの流れの均一性を実現すること
が困難である。
【０００６】スパッタ法においては、従来ＲＦスパッタ
法又はＤＣスパッタ法のいずれかの方法により、Ａｒガ
ス又はＯ2 ／Ａｒ混合ガスをスパッタガスとして、加熱
した基板上に一枚のＺｎＯ：Ａｌ等のターゲットを使用
して１ステップでＺｎＯ透明導電膜を作製していた。Ｄ
Ｃスパッタ法によるＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法に
関する実施例は少なく、スパッタ法で得られる高性能の
窓層はいずれもＺｎＯ：Ａｌ等のターゲットを使用した
ＲＦスパッタ法によるものである。しかし、ＲＦスパッ
タ法は製膜速度が遅く、ＭＯＣＶＤ法と大差ない。
【０００７】ＤＣマグネトロンスパッタ法の特徴を以下
に示す。その利点として、 大面積薄膜作製技術として確立しているので大面積の
薄膜太陽電池の製造には有利である。 透明導電膜の高速製膜が可能で、工業化時には高生産
性が可能である。 ＺｎＯターゲット中のＡｌ等の合金元素量により抵抗
率の調整が可能なので、ＭＯＣＶＤ法で作製したＺｎＯ
透明導電膜の膜厚に対して１／２〜２／３に薄膜化でき
る。 透明導電膜の製膜時間が短いので、熱応力による基板
の変形及び該基板の変形による膜の剥離が発生し難い。
また、特に、基板の加熱を必要としない。 ＺｎＯ透明導電膜の成長初期から均一な膜が成長でき
る。 反応性スパッタ法を利用することにより金属亜鉛ター
ゲットあるいは、Ａｌやそれ以外の種々のドーパント
（Ｂ、Ｉｎ等）を合金化した亜鉛ターゲットと酸素混合
ガスを使用して抵抗値を制御したＺｎＯ透明導電膜の成
長が可能となる。
【０００８】また、その欠点としては、 ＭＯＣＶＤ法と同程度の性能を有するＺｎＯ透明導電
膜の製造が既存の作製方法では困難である。 ＤＣマグネトロンスパッタ法はＲＦスパッタ法と比べ
てエネルギー密度が高いので、接合界面又は光吸収層表
面の損傷が起こり易い。 抵抗調整用の合金元素量はターゲット中の濃度として
一定であるので、抵抗率を任意に調整できない。（但
し、狭い範囲ならば、スパッタガス中に酸素を混入する
ことで微調整は可能である。） 高性能のＣＩＳ系薄膜太陽電池を製造できる基板加熱
温度範囲では表面の凹凸を制御したテクスチャー構造が
作製できない。
【０００９】次に、ＤＣマグネトロンスパッタ法で作製
したＺｎＯ透明導電膜を用いた太陽電池（□印）とＭＯ
ＣＶＤ法で作製したＺｎＯ透明導電膜を用いた太陽電池
（●印）の太陽電池特性の比較結果を図３（ａ）、
（ｂ）に示す。
【００１０】ＺｎＯ透明導電膜の良否は、太陽電池特性
のうち、短絡電流密度（ＪSC）により膜自体の直列抵抗
値を、曲線因子（ＦＦ）により光吸収層表面又は接合界
面の界面接合特性に及ぼす影響を、夫々評価することが
できる。前記図３（ａ）、（ｂ）の比較結果より、短絡
電流密度（ＪSC）、曲線因子（ＦＦ）ともに、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で作製したＺｎＯ透明導電膜を用い
たものの方がその値が小さいことが判明した。なお、前
記ＤＣマグネトロンスパッタ法で作製したＺｎＯ透明導
電膜は一枚のＺｎＯ：Ａｌターゲットを使用した一層の
窓層として供せられるＺｎＯ透明導電膜である。
【００１１】この結果より、ＤＣマグネトロンスパッタ
法で作製した一層のＺｎＯ透明導電膜では膜の直列抵抗
成分が大きいために、短絡電流密度（ＪSC）が低い。ま
た、界面接合特性を劣化させることが明らかである。即
ち、ＤＣマグネトロンスパッタ法はエネルギー密度が高
いので、高速製膜が可能であるという長所があるもの
の、直列抵抗成分が高く、また、接合界面又は光吸収層
表面に損傷を起こす恐れがあるという欠点を有する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点を解消するためになされたもので、本発明の目的
は、ＭＯＣＶＤ法で作製したＺｎＯ透明導電膜と同等の
性能のものを、スパッタ衝撃の影響を低減し、高速、且
つ大面積で製膜することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、裏面電極層上
に、光吸収層（ｐ形）、界面層（バッファー層）、窓層
（ｎ形）及び上部電極の順に積層される薄膜太陽電池の
透明導電膜において、前記窓層が、界面層上に形成され
界面保護膜として作用する第１の透明導電膜と、前記第
１の透明導電膜上に形成される第２の透明導電膜と、前
記第２の透明導電膜上に形成される第３の透明導電膜と
からなる積層体である。
【００１４】本発明は、前記第１の透明導電膜が、膜厚
が５０ｎｍ以下のＺｎＯからなる薄膜太陽電池の透明導
電膜である。
【００１５】本発明は、前記第２の透明導電膜及び第３
の透明導電膜が、ＺｎＯ：Ａｌからなる薄膜太陽電池の
透明導電膜である。
【００１６】本発明は、裏面電極層上に、光吸収層（ｐ
形）、界面層（バッファー層）、窓層（ｎ形）及び上部
電極の順に積層される薄膜太陽電池の透明導電膜の製造
方法であって、界面層上にＲＦマグネトロンスパッタ法
により第１の導電膜（界面保護膜として作用する）を作
製する工程と、前記第１の透明導電膜上にＤＣマグネト
ロンスパッタ法により第２の透明導電膜を作製する工程
と、前記第２の透明導電膜上にＤＣマグネトロンスパッ
タ法により第３の透明導電膜を作製する工程とからなる
薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法である。
【００１７】本発明は、前記ＲＦマグネトロンスパッタ
法においては、ＺｎＯターゲットを用い、出力が低出力
で、ＺｎＯ透明導電膜を作製する薄膜太陽電池の透明導
電膜の製造方法である。
【００１８】本発明は、前記ＤＣマグネトロンスパッタ
法においては、ＺｎＯ：Ａｌターゲットを用い、Ｚｎ
Ｏ：Ａｌ透明導電膜を作製する薄膜太陽電池の透明導電
膜の製造方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
【００２０】本発明は、前記薄膜太陽電池の窓層として
供される透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法に関す
る。
【００２１】図１は本発明の透明導電膜を用いたＣＩＳ
系薄膜太陽電池の概略構成図である。薄膜太陽電池１は
基板２、裏面電極層３、光吸収層（ｐ形半導体）４、バ
ッファー層（界面層）５、窓層６及び上部電極７の順に
積層された積層構造体であり、特に、窓層６として供さ
れる透明導電膜に特徴を有し、前記窓層６は、界面層５
上に形成され界面保護膜として作用する第１の透明導電
膜と、前記第１の導電膜上に形成される第２の透明
導電膜と、前記第２の透明導電膜上に形成される第
３の透明導電膜とからなる積層体である。
【００２２】本発明の製造方法に使用される製造装置の
概略構成を図２に示す。製造装置は少なくとも、ＲＦス
パッタ処理部I 、ＤＣスパッタ処理部II、ＤＣスパッタ
処理部III 及びこれら各スパッタ処理部にスパッタリン
グ処理対象物である下記基板部材Ｘを搬送する搬送手段
（図示せず）から構成される。
【００２３】以下に本発明の製造方法を図１及び図２を
参照して説明する。先ず、図２に図示の前記製造装置で
ＺｎＯ透明導電膜を作製する前に、基板２上に裏面電極
層３、光吸収層（ｐ形半導体）４及びバッファー層（界
面層）５が形成されたもの（図１の斜線部分：以下、基
板部材Ｘという。）が準備される。
【００２４】先ず、最初の処理工程では、前記基板部材
Ｘが前記製造装置のＲＦスパッタ処理部I に搬送され、
ＲＦスパッタ処理部I において、ＺｎＯターゲット２１
を用いて１００Ｗ以下の低出力でＲＦスパッタリングを
行うことにより、界面保護膜として作用する膜厚５０ｎ
ｍ以下の第１の導電膜が前記基板部材Ｘの高抵抗のバ
ッファー（界面）層５上に形成される。このＲＦスパッ
タリング処理工程では、スパッタ出力が低出力であるた
め、スパッタ衝撃の影響が少ない。
【００２５】次に、前記基板部材Ｘは前記製造装置の第
１ＤＣスパッタ処理部IIに搬送され、該第１ＤＣスパッ
タ処理部IIにおいて、ＺｎＯ：Ａｌターゲット２２を用
いてＤＣスパッタリングを行うことにより、第２の導電
膜が前記基板部材Ｘの第１の導電膜上に形成され
る。
【００２６】更に、前記基板部材Ｘは前記製造装置の第
２ＤＣスパッタ処理部III に搬送され、該第２ＤＣスパ
ッタ処理部III において、ＺｎＯ：Ａｌターゲット２３
を用いてＤＣスパッタリングを行うことにより、第３の
導電膜が前記基板部材Ｘの第２の導電膜上に形成さ
れる。
【００２７】以上のように、本発明の製造方法において
は、前記ＺｎＯ透明導電膜を作製するにあたり、ＲＦス
パッタ法とＤＣスパッタ法とを併用するとともに、ＤＣ
スパッタ法においては、第１ＤＣスパッタ処理部IIと第
２ＤＣスパッタ処理部III で、複数の処理工程に分けて
夫々ＺｎＯ：Ａｌターゲットを用いてＤＣマグネトロン
スパッタリング処理することにより、第２の導電膜及
び第３の導電膜を形成するので、各スパッタリング処
理工程でのターゲット一枚当たりの出力を低減（１／タ
ーゲットの枚数）することができ、スパッタ衝撃の影響
が低減される。
【００２８】また、ＲＦスパッタ処理部I 、第１ＤＣス
パッタ処理部II及び第２ＤＣスパッタ処理部III におい
ては、夫々の処理部において作製される導電膜、及
びの膜厚に応じて基板部材Ｘの搬送速度が調節され
る。
【００２９】なお、前記実施例においては、ＤＣスパッ
タ処理を２工程に分けて行ったが、必要に応じてその工
程数を増加または減少してもよい。
【００３０】ＤＣマグネトロンスパッタ法で作製したＺ
ｎＯ透明導電膜を用いた太陽電池とＭＯＣＶＤ法で作製
したＺｎＯ透明導電膜を用いた太陽電池の特性の比較結
果をのうち開放電圧ＶOC〔ｍＶ〕及び変換効率Ｅ
FF〔％〕を下記表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】前記表１は、ＺｎＯ窓層６の作製方法以外
は同一の方法で作製した太陽電池の出力特性を比較した
ものである。ＺｎＯ窓層６をスパッタ法で作製したもの
は、第１の導電膜をＲＦスパッタ法、第２の導電膜
をＤＣマグネトロンスパッタ法の２段階で作製したもの
であり、その条件は、下記表２に示す通りである。
【００３３】
【表２】
【００３４】前記表１に示すように、Ｇａ−１０重量％
（Ｃｕ９０％、Ｇａ１０％）、及びＧａ−３０重量％
（Ｃｕ７０％、Ｇａ３０％）のスパッターターゲットを
用いて、光吸収層４の作製工程が同一の条件で作製した
太陽電池であっても、その特性に差異があることがわか
る。即ち、スパッタ法で作製したＺｎＯ透明導電膜を用
いた太陽電池は、Ｇａ含有量が増加すると、開放電圧Ｖ
OC〔ｍＶ〕が増加する傾向がみられ、変換効率Ｅ
FF〔％〕は略一定で、ＭＯＣＶＤ法で作製したＺｎＯ透
明導電膜を用いた太陽電池と比べて若干低く、１０％程
度の変換効率ＥFFが達成されている。
【００３５】次に、光吸収層４の作製段階においては、
Ｇａ−２０重量％（Ｃｕ８０％、Ｇａ２０％）のスパッ
ターターゲットを用いて光吸収層４を作製し、窓層６の
作製段階においては、第１の導電膜をＲＦスパッタ
法、第２の導電膜及び第３の導電膜をＤＣマグネト
ロンスパッタ法の３段階で作製したＺｎＯ透明導電膜を
用いた太陽電池の電圧〔Ｖ〕−電流密度Ｊ〔ｍＡ／ｃｍ
2 〕特性を図４に示す。なお、作製条件は下記表３に示
すとおりである。
【００３６】
【表３】
【００３７】前記図４に示したＺｎＯ透明導電膜を用い
た太陽電池の特性から、変換効率ＥFF：１４．１
〔％〕、短絡電流密度ＪSC：３５．２〔ｍＡ／ｃ
ｍ2〕、開放電圧ＶOC：０．５７〔Ｖ〕、曲線因子Ｆ
Ｆ：０．７０という結果が得られる。
【００３８】以上のようにＺｎＯ透明導電膜の作製にス
パッタ法を用いた太陽電池は、前記表１に示すＭＯＣＶ
Ｄ法で作製したＺｎＯ透明導電膜を用いた太陽電池と略
同等の変換効率ＥFF１４．１〔％〕を達成することがで
きた。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、低出力のＲＦ
マグネトロンスパッタ法によりＺｎＯ透明導電膜の一部
を製膜した後、残りのＺｎＯ透明導電膜部分をＤＣマグ
ネトロンスパッタ法を複数工程にわけてスパッタリング
処理することにより、スパッタ衝撃の影響を低減しつ
つ、ＭＯＣＶＤ法で作製したＺｎＯ透明導電膜と同等の
性能のものを、高速、且つ大面積で製膜することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法で作製されるＺｎＯ透明導電
膜を用いたＣＩＳ系薄膜太陽電池の概略構成図である。
【図２】本発明の製造方法に使用される製造装置の概略
構成図である。
【図３】ＤＣマグネトロンスパッタ法で作製したＺｎＯ
透明導電膜を用いた太陽電池とＭＯＣＶＤ法で作製した
ＺｎＯ透明導電膜を用いた太陽電池の太陽電池特性比較
図で、（ａ）は短絡電流密度ＪSCの、（ｂ）は曲線因子
ＦＦの比較図ある。
【図４】本発明の実施例である表３に示した条件で作製
したＺｎＯ透明導電膜を使用したＣＩＧＳ薄膜太陽電池
の出力特性（Ｖ−Ｊ特性）を示す図である。
【符号の説明】
１ 薄膜太陽電池 ２ 基板 ３ 裏面電極 ４ 光吸収層（ｐ形） ５ 界面層（バッファー層） ６ 窓層（ｎ形） 第１の導電膜（界面保護膜） 第２の導電膜 第３の導電膜 ７ 上部電極 I ＲＦスパッタ処理部 II 第１ＤＣスパッタ処理部 III 第２ＤＣスパッタ処理部 Ｘ 基板部材

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 裏面電極層上に、光吸収層（ｐ形）、界
    面層（バッファー層）、窓層（ｎ形）及び上部電極の順
    に積層される薄膜太陽電池の透明導電膜において、前記
    窓層が、界面層上に形成され界面保護膜として作用する
    第１の透明導電膜と、前記第１の透明導電膜上に形成さ
    れる第２の透明導電膜と、前記第２の透明導電膜上に形
    成される第３の透明導電膜とからなる積層体であること
    を特徴とする薄膜太陽電池の透明導電膜。
  2. 【請求項２】 前記第１の透明導電膜は、膜厚が５０ｎ
    ｍ以下のＺｎＯからなることをを特徴とする請求項１記
    載の薄膜太陽電池の透明導電膜。
  3. 【請求項３】 前記第２の透明導電膜及び第３の透明導
    電膜は、ＺｎＯ：Ａｌからなることをを特徴とする請求
    項１記載の薄膜太陽電池の透明導電膜。
  4. 【請求項４】 裏面電極層上に、光吸収層（ｐ形）、界
    面層（バッファー層）、窓層（ｎ形）及び上部電極の順
    に積層される薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法であ
    って、界面層上にＲＦマグネトロンスパッタ法により第
    １の導電膜（界面保護膜として作用する）を作製する工
    程と、前記第１の透明導電膜上にＤＣマグネトロンスパ
    ッタ法により第２の透明導電膜を作製する工程と、前記
    第２の透明導電膜上にＤＣマグネトロンスパッタ法によ
    り第３の透明導電膜を作製する工程とからなることを特
    徴とする薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記ＲＦマグネトロンスパッタ法におい
    ては、ＺｎＯターゲットを用い、出力が１００Ｗ以下
    で、ＺｎＯ透明導電膜を作製することを特徴とする請求
    項４記載の薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記ＤＣマグネトロンスパッタ法におい
    ては、ＺｎＯ：Ａｌターゲットを用い、ＺｎＯ：Ａｌ透
    明導電膜を作製することを特徴とする請求項４記載の薄
    膜太陽電池の透明導電膜の製造方法。
JP31118296A 1996-11-08 1996-11-08 薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法 Expired - Fee Related JP3527815B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31118296A JP3527815B2 (ja) 1996-11-08 1996-11-08 薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法
EP97107633A EP0841706B1 (en) 1996-11-08 1997-05-09 Transparent conductive film of thin-film solar cell and method for producing the transparent conductive film
DE69739643T DE69739643D1 (de) 1996-11-08 1997-05-09 Lichtdurchlässige elektrisch-leitende Schicht für Dünnschicht-Solarzellen und Herstellungsverfahren der lichtdurchlässigen elektrisch-leitenden Schicht
US08/854,092 US6040521A (en) 1996-11-08 1997-05-09 N-type window layer for a thin film solar cell and method of making

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31118296A JP3527815B2 (ja) 1996-11-08 1996-11-08 薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10144946A true JPH10144946A (ja) 1998-05-29
JP3527815B2 JP3527815B2 (ja) 2004-05-17

Family

ID=18014084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31118296A Expired - Fee Related JP3527815B2 (ja) 1996-11-08 1996-11-08 薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6040521A (ja)
EP (1) EP0841706B1 (ja)
JP (1) JP3527815B2 (ja)
DE (1) DE69739643D1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021607A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Applied Materials Inc 透明導電性酸化物コーティングの製造方法
WO2009110092A1 (ja) * 2008-03-07 2009-09-11 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系太陽電池の積層構造、及び集積構造
CN102108491A (zh) * 2010-12-30 2011-06-29 东莞市康达机电工程有限公司 一种高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
JP2011524463A (ja) * 2008-05-06 2011-09-01 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ 光透過性デバイス用導電性構造
JP2012146804A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Honda Motor Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
WO2012102453A1 (en) * 2011-01-25 2012-08-02 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method for manufacturing the same
JP5156090B2 (ja) * 2008-03-07 2013-03-06 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系太陽電池の集積構造
WO2013058523A1 (en) * 2011-10-17 2013-04-25 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
JP2013119664A (ja) * 2011-12-09 2013-06-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 透明導電膜およびその形成方法
JP2017059656A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社東芝 光電変換素子および太陽電池

Families Citing this family (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3056200B1 (ja) * 1999-02-26 2000-06-26 鐘淵化学工業株式会社 薄膜光電変換装置の製造方法
US6150603A (en) * 1999-04-23 2000-11-21 Hughes Electronics Corporation Bilayer passivation structure for photovoltaic cells
US6500690B1 (en) * 1999-10-27 2002-12-31 Kaneka Corporation Method of producing a thin-film photovoltaic device
US20020189665A1 (en) * 2000-04-10 2002-12-19 Davis, Joseph & Negley Preparation of CIGS-based solar cells using a buffered electrodeposition bath
WO2002017359A2 (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Midwest Research Institute High carrier concentration p-type transparent conducting oxide films
US20050095809A1 (en) * 2001-07-18 2005-05-05 Yuji Nakayama Method of film-forming transparent electrode layer and device therefor
US7517784B2 (en) * 2001-08-17 2009-04-14 Alliance For Sustainable Energy, Llc Method for producing high carrier concentration p-Type transparent conducting oxides
US7141863B1 (en) 2002-11-27 2006-11-28 University Of Toledo Method of making diode structures
SE525704C2 (sv) * 2003-08-12 2005-04-05 Sandvik Ab Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller
AU2003300775A1 (en) * 2003-09-03 2005-04-21 Midwest Research Institute Zno/cu(inga)se2 solar cells prepared by vapor phase zn doping
WO2005069386A1 (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 太陽電池とその製造方法
JP4841173B2 (ja) * 2005-05-27 2011-12-21 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層連続製膜方法及び製膜装置
US9105776B2 (en) * 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
US8017860B2 (en) * 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US20080053516A1 (en) 2006-08-30 2008-03-06 Richard Allen Hayes Solar cell modules comprising poly(allyl amine) and poly (vinyl amine)-primed polyester films
US7982127B2 (en) 2006-12-29 2011-07-19 Industrial Technology Research Institute Thin film solar cell module of see-through type
US8197928B2 (en) 2006-12-29 2012-06-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Intrusion resistant safety glazings and solar cell modules
EP2061041A4 (en) * 2007-02-26 2011-06-29 Murata Manufacturing Co LADDERING FILM AND METHOD FOR PRODUCING A CONDUCTIVE FILM
JP5180188B2 (ja) * 2007-03-28 2013-04-10 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池デバイスの製造方法
US20080300918A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Commercenet Consortium, Inc. System and method for facilitating hospital scheduling and support
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US7919400B2 (en) * 2007-07-10 2011-04-05 Stion Corporation Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films
US20090014065A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Applied Materials, Inc. Method for the production of a transparent conductive oxide coating
EP3327170B1 (en) * 2007-09-12 2020-11-04 Flisom AG Apparatus for manufacturing a compound film
US8525021B2 (en) * 2007-09-25 2013-09-03 First Solar, Inc. Photovoltaic devices including heterojunctions
US8058092B2 (en) 2007-09-28 2011-11-15 Stion Corporation Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices
US8759671B2 (en) * 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8614396B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-24 Stion Corporation Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application
KR101614554B1 (ko) * 2007-11-02 2016-04-21 퍼스트 솔라, 인코포레이티드 도핑된 반도체 막을 포함하는 광기전 장치
US20110017298A1 (en) 2007-11-14 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar cell devices
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
FR2924863B1 (fr) * 2007-12-07 2017-06-16 Saint Gobain Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere.
US20090229663A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Nanopv Technologies Inc. Nanocrystalline photovoltaic device
US20090229664A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Nanopv Technologies Inc. Method of manufacturing nanocrystalline photovoltaic devices
US7993752B2 (en) * 2008-03-17 2011-08-09 Nano PV Technologies, Inc. Transparent conductive layer and method
EP2257431A1 (en) * 2008-03-26 2010-12-08 E. I. du Pont de Nemours and Company High performance anti-spall laminate article
US20090250100A1 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell modules comprising high melt flow poly(vinyl butyral) encapsulants
EP2999009B1 (en) 2008-05-05 2020-11-11 Dow Global Technologies LLC Photovoltaic device assembly and method
DE102008024230A1 (de) * 2008-05-19 2009-11-26 Avancis Gmbh & Co. Kg Schichtsystem für Solarzellen
US20090288701A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 E.I.Du Pont De Nemours And Company Solar cell laminates having colored multi-layer encapsulant sheets
WO2009149000A2 (en) 2008-06-02 2009-12-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell module having a low haze encapsulant layer
US20090301562A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
FR2934611B1 (fr) * 2008-08-01 2011-03-11 Electricite De France Elaboration de couche d'oxyde transparente et conductrice pour utilisation dans une structure photovoltaique.
US20100180927A1 (en) * 2008-08-27 2010-07-22 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic and interconnect structures
US20100051090A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Stion Corporation Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8569613B1 (en) 2008-09-29 2013-10-29 Stion Corporation Multi-terminal photovoltaic module including independent cells and related system
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7863074B2 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US20100078059A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Stion Corporation Method and structure for thin film tandem photovoltaic cell
US8232134B2 (en) * 2008-09-30 2012-07-31 Stion Corporation Rapid thermal method and device for thin film tandem cell
US8383450B2 (en) * 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US7947524B2 (en) * 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US8741689B2 (en) * 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
USD625695S1 (en) 2008-10-14 2010-10-19 Stion Corporation Patterned thin film photovoltaic module
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US20100101647A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-autoclave lamination process for manufacturing solar cell modules
CN102333786B (zh) 2008-10-31 2014-12-17 纳幕尔杜邦公司 包含低雾度包封材料的太阳能电池模块
US8344243B2 (en) * 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US8084129B2 (en) * 2008-11-24 2011-12-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Laminated articles comprising a sheet of a blend of ethylene copolymers
US8080727B2 (en) 2008-11-24 2011-12-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell modules comprising an encapsulant sheet of a blend of ethylene copolymers
US20100132783A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Transparent conductive film with high surface roughness formed by a reactive sputter deposition
US20100154867A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Mechanically reliable solar cell modules
EP2374156B1 (en) * 2008-12-31 2016-09-07 E. I. du Pont de Nemours and Company Solar cell modules comprising encapsulant sheets with low haze and high moisture resistance
WO2010085644A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Poly(vinyl butyral) encapsulant comprising chelating agents for solar cell modules
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
US20100236628A1 (en) * 2009-03-17 2010-09-23 Chris Schmidt Composition and method of forming an insulating layer in a photovoltaic device
US20100258171A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 Yung-Szu Su Solar photovoltaic device
WO2010141461A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 First Solar, Inc. Doped metal contact
US8519435B2 (en) 2009-06-08 2013-08-27 The University Of Toledo Flexible photovoltaic cells having a polyimide material layer and method of producing same
USD628332S1 (en) 2009-06-12 2010-11-30 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for street lamp
USD662040S1 (en) 2009-06-12 2012-06-19 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for garden lamp
USD632415S1 (en) 2009-06-13 2011-02-08 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for cluster lamp
CN102804399A (zh) * 2009-06-16 2012-11-28 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
USD652262S1 (en) 2009-06-23 2012-01-17 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for cooler
USD662041S1 (en) 2009-06-23 2012-06-19 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for laptop personal computer
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
USD627696S1 (en) 2009-07-01 2010-11-23 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for recreational vehicle
KR20120052360A (ko) * 2009-07-31 2012-05-23 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광전지용 가교결합성 봉지제
KR101369824B1 (ko) 2009-08-13 2014-03-07 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 다층 라미네이트 구조체 및 제조 방법
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
TW201108427A (en) * 2009-08-31 2011-03-01 Univ Nat Taiwan Structure of a solar cell
DE102009040621A1 (de) * 2009-09-08 2011-03-24 Schott Solar Ag Dünnschichtsolarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI492405B (zh) * 2009-09-25 2015-07-11 Univ Chang Gung A light emitting type transparent solar cell device
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
TW201115764A (en) * 2009-10-29 2011-05-01 Univ Nat Taiwan Structure of a solar cell
EP2496641A1 (en) * 2009-11-04 2012-09-12 Dow Global Technologies LLC Building integrated photovoltaic having injection molded component
US20110108099A1 (en) * 2009-11-11 2011-05-12 Solopower, Inc. Method of forming transparent zinc oxide layers for high efficiency photovoltaic cells
CN102656707B (zh) * 2009-12-22 2015-04-01 东电电子太阳能股份公司 薄膜硅叠层太阳能电池及其制造方法
US8859880B2 (en) 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US8912426B2 (en) 2010-03-12 2014-12-16 Dow Global Technologies Llc Photovoltaic device
US20110226320A1 (en) * 2010-03-18 2011-09-22 Patrick Little Solar cell having a transparent conductive oxide contact layer with an oxygen gradient
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
BR112012029813A2 (pt) 2010-05-26 2017-03-07 Univ Toledo estrutura de célula fotovoltaica, método para fazer uma camada de interface de dispersão de luz para uma célula fotovoltaica e estrutura de célula fotovoltaica (pv) tendo uma camada de interface de dispersão
EP2579325A4 (en) * 2010-05-31 2017-11-01 Kyocera Corporation Photoelectric conversion device
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US8609980B2 (en) 2010-07-30 2013-12-17 E I Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable ionomeric encapsulants for photovoltaic cells
US20120031477A1 (en) 2010-08-04 2012-02-09 Egypt Nanotechnology Center Photovoltaic devices with an interfacial band-gap modifying structure and methods for forming the same
CN102372302A (zh) * 2010-08-20 2012-03-14 华东师范大学 铜锌锡硫或铜锌锡硒薄膜太阳能电池吸收层靶材及其制备方法和应用
JP2013537000A (ja) 2010-09-07 2013-09-26 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 改良された光起電力セルアセンブリ
EP2617065A2 (en) 2010-09-17 2013-07-24 Dow Global Technologies LLC Improved photovoltaic cell assembly and method
WO2012044762A1 (en) 2010-09-30 2012-04-05 Dow Global Technologies Llc An improved connector and electronic circuit assembly for improved wet insulation resistance
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
WO2012082604A1 (en) 2010-12-17 2012-06-21 Dow Global Technologies Llc Improved photovoltaic device
EP2652798A2 (en) 2010-12-17 2013-10-23 Dow Global Technologies LLC Photovoltaic device
JP5902711B2 (ja) 2010-12-17 2016-04-13 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 改良された光起電力装置
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
WO2012129356A2 (en) 2011-03-22 2012-09-27 Dow Global Technologies Llc Improved photovoltaic sheathing element with one or more tabs
WO2012154307A2 (en) 2011-03-22 2012-11-15 Dow Global Technologies Llc Improved photovoltaic sheathing element with a flexible connector assembly
CN103650158B (zh) 2011-03-22 2016-08-31 陶氏环球技术有限责任公司 具有抗滑动特征的改良光伏建筑物覆盖元件
KR101262573B1 (ko) * 2011-07-29 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
BR112014002176A2 (pt) 2011-07-29 2017-03-01 Dow Global Technologies Llc kit de dispositivo fotovoltaico e método para construir um conjunto de dispositivo fotovoltaico
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
KR101210046B1 (ko) * 2011-10-17 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101846337B1 (ko) * 2011-11-09 2018-04-09 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
DE102012103578A1 (de) * 2012-04-24 2013-10-24 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle
US20140004648A1 (en) 2012-06-28 2014-01-02 International Business Machines Corporation Transparent conductive electrode for three dimensional photovoltaic device
US9379259B2 (en) 2012-11-05 2016-06-28 International Business Machines Corporation Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices
US20150315320A1 (en) 2012-12-19 2015-11-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linked polymers and their use in packaging films and injection molded articles
US20150325729A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Encapsulant composition comprising a copolymer of ethylene, vinyl acetate and a third comonomer
CN105185843B (zh) * 2014-06-18 2017-07-25 华东师范大学 一种可揭式任意图形化的透明导电薄膜及其应用
WO2015199857A1 (en) 2014-06-26 2015-12-30 Dow Global Technologies Llc Photovoltaic devices with sealant layer and laminate assembly for improved wet insulation resistance
CN107742652A (zh) * 2017-08-31 2018-02-27 成都中建材光电材料有限公司 一种复合窗口层的碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
WO2019173262A1 (en) 2018-03-08 2019-09-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photovoltaic module and encapsulant composition having improved resistance to potential induced degradation
CN111416015A (zh) * 2018-12-18 2020-07-14 领凡新能源科技(北京)有限公司 太阳能电池及其制备方法
CN111430483A (zh) * 2020-03-23 2020-07-17 深圳先进技术研究院 光电探测器及其制作方法、光电探测系统
DE102022116340B4 (de) * 2022-06-30 2024-12-19 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verfahren und Solarzelle

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4611091A (en) * 1984-12-06 1986-09-09 Atlantic Richfield Company CuInSe2 thin film solar cell with thin CdS and transparent window layer
US4612411A (en) * 1985-06-04 1986-09-16 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell with ZnO window layer
US4798660A (en) * 1985-07-16 1989-01-17 Atlantic Richfield Company Method for forming Cu In Se2 films
US4915745A (en) * 1988-09-22 1990-04-10 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell and method of making
US5078804A (en) * 1989-06-27 1992-01-07 The Boeing Company I-III-VI2 based solar cell utilizing the structure CuInGaSe2 CdZnS/ZnO
US5474939A (en) * 1992-12-30 1995-12-12 Siemens Solar Industries International Method of making thin film heterojunction solar cell
US5436204A (en) * 1993-04-12 1995-07-25 Midwest Research Institute Recrystallization method to selenization of thin-film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021607A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Applied Materials Inc 透明導電性酸化物コーティングの製造方法
JP5156090B2 (ja) * 2008-03-07 2013-03-06 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系太陽電池の集積構造
WO2009110092A1 (ja) * 2008-03-07 2009-09-11 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系太陽電池の積層構造、及び集積構造
JPWO2009110092A1 (ja) * 2008-03-07 2011-07-14 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系太陽電池の積層構造、及び集積構造
JP2011524463A (ja) * 2008-05-06 2011-09-01 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ 光透過性デバイス用導電性構造
CN102108491A (zh) * 2010-12-30 2011-06-29 东莞市康达机电工程有限公司 一种高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
JP2012146804A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Honda Motor Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
WO2012102453A1 (en) * 2011-01-25 2012-08-02 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method for manufacturing the same
CN103339740A (zh) * 2011-01-25 2013-10-02 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法
CN103339740B (zh) * 2011-01-25 2016-01-06 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法
WO2013058523A1 (en) * 2011-10-17 2013-04-25 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
CN103975445A (zh) * 2011-10-17 2014-08-06 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
US9780237B2 (en) 2011-10-17 2017-10-03 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
JP2013119664A (ja) * 2011-12-09 2013-06-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 透明導電膜およびその形成方法
JP2017059656A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社東芝 光電変換素子および太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
EP0841706A2 (en) 1998-05-13
EP0841706A3 (en) 1999-03-31
DE69739643D1 (de) 2009-12-17
JP3527815B2 (ja) 2004-05-17
US6040521A (en) 2000-03-21
EP0841706B1 (en) 2009-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3527815B2 (ja) 薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法
JP3040373B2 (ja) 薄膜太陽電池のＺｎＯ系透明導電膜の製造方法
JP3249408B2 (ja) 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置
US6137048A (en) Process for fabricating polycrystalline semiconductor thin-film solar cells, and cells produced thereby
US6169246B1 (en) Photovoltaic devices comprising zinc stannate buffer layer and method for making
Contreras et al. Progress toward 20% efficiency in Cu (In, Ga) Se2 polycrystalline thin‐film solar cells
CN218788382U (zh) 一种高效异质结太阳能电池
JP2002057359A (ja) 積層型太陽電池
JP2004014958A (ja) 薄膜多結晶太陽電池とその製造方法
Li et al. Enhanced electrical and optical properties of boron-doped ZnO films grown by low pressure chemical vapor deposition for amorphous silicon solar cells
CN112786737A (zh) Cigs薄膜太阳能电池组件及其刻划方法
CN217182188U (zh) 一种钙钛矿/钙钛矿/硅-锗基三结叠层太阳能电池
JP2001044464A (ja) Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ２族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法
Ishikawa et al. Flexible protocrystalline silicon solar cells with amorphous buffer layer
US6534334B2 (en) Method of manufacturing a non-single-crystal thin film solar cell
Zweibel et al. Progress and issues in polycrystalline thin-film PV technologies
JP2003282902A (ja) 薄膜太陽電池
JP4864077B2 (ja) 光電変換装置およびその製造方法
JPH10190030A (ja) 光起電力素子
JPH10150212A (ja) 半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法
KR20100085769A (ko) ＣｄＳ／ＣｄＴｅ 박막 태양전지 및 그 제조 방법
JP4215697B2 (ja) 光電変換装置およびその製造方法
JP2000012883A (ja) 太陽電池の製造方法
JP2005260149A (ja) 光起電力装置の製造方法
JP2975693B2 (ja) カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20031222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040223

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees