JPH10147560A - Ｎ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の製造方法 - Google Patents
Ｎ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の製造方法Info
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- JPH10147560A JPH10147560A JP30777796A JP30777796A JPH10147560A JP H10147560 A JPH10147560 A JP H10147560A JP 30777796 A JP30777796 A JP 30777796A JP 30777796 A JP30777796 A JP 30777796A JP H10147560 A JPH10147560 A JP H10147560A
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- bromoethyl
- oxazolidone
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、Ｎ−ブロモエチル−アミノ安息香酸
誘導体の新規な製法を提供することを課題とする。 【解決手段】Ｎ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘導体
と無機塩基とを溶媒中で反応させて、Ｎ−ブロモエチル
−アミノ安息香酸誘導体を製造することにより課題を解
決する。
誘導体の新規な製法を提供することを課題とする。 【解決手段】Ｎ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘導体
と無機塩基とを溶媒中で反応させて、Ｎ−ブロモエチル
−アミノ安息香酸誘導体を製造することにより課題を解
決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明の製法は、例えばメチ
ル ４−Ｎ−（２−ブロモエチル）アミノベンゾエ−ト
などのＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の
製造方法に関する。前記のＮ−２−ブロモエチル−アミ
ノ安息香酸誘導体は、血清脂質類低下剤の中間体として
有用である。
ル ４−Ｎ−（２−ブロモエチル）アミノベンゾエ−ト
などのＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の
製造方法に関する。前記のＮ−２−ブロモエチル−アミ
ノ安息香酸誘導体は、血清脂質類低下剤の中間体として
有用である。
【０００２】本発明の製法の目的化合物において、例え
ばエチル ４−Ｎ−（２−ブロモエチル）アミノベンゾ
エ−トは、例えば特開昭５２−７３８３４号公報に記載
された方法に準じて、炭酸カリウムのような塩基の存在
下、ナトリウム ４−フルオロフェノキシドと反応させ
ることによりｐ−２−（４−フルオロフェノキシ）エチ
ルアミノ安息香酸エチルに誘導することができる。
ばエチル ４−Ｎ−（２−ブロモエチル）アミノベンゾ
エ−トは、例えば特開昭５２−７３８３４号公報に記載
された方法に準じて、炭酸カリウムのような塩基の存在
下、ナトリウム ４−フルオロフェノキシドと反応させ
ることによりｐ−２−（４−フルオロフェノキシ）エチ
ルアミノ安息香酸エチルに誘導することができる。
【０００３】
【従来の技術】従来のＮ−２−ブロモエチル−アミノ安
息香酸誘導体の製法に関しては、記載がない。
息香酸誘導体の製法に関しては、記載がない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】本発明者らは、Ｎ−２−ブロモエチル−ア
ミノ安息香酸誘導体の製法を鋭意検討した結果、Ｎ−ア
リ−ル−２−オキサゾリドン誘導体を経由してＮ−２−
ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体を製造すれば、簡
単な反応操作で、高收率にＮ−２−ブロモエチル−アミ
ノ安息香酸誘導体を製造できることを見出して本発明を
完成するに至った。
ミノ安息香酸誘導体の製法を鋭意検討した結果、Ｎ−ア
リ−ル−２−オキサゾリドン誘導体を経由してＮ−２−
ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体を製造すれば、簡
単な反応操作で、高收率にＮ−２−ブロモエチル−アミ
ノ安息香酸誘導体を製造できることを見出して本発明を
完成するに至った。
【０００６】本発明は、Ｎ−アリ−ル−２−オキサゾリ
ドン誘導体と臭化水素とを、溶媒中で反応させるＮ−２
−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の製造方法を提
供することを課題とする。
ドン誘導体と臭化水素とを、溶媒中で反応させるＮ−２
−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の製造方法を提
供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の製法は、一般式
（１）
（１）
【０００８】
【化３】
【０００９】（式中、Ｒは、水素原子、置換されていて
もよいアルキル基、置換されていてもよいアリ−ル基を
示す）で表されるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘
導体と、臭化水素とを、溶媒中で、反応させる一般式
（２）
もよいアルキル基、置換されていてもよいアリ−ル基を
示す）で表されるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘
導体と、臭化水素とを、溶媒中で、反応させる一般式
（２）
【００１０】
【化４】
【００１１】（式中、Ｒは前記と同じ意味を示す）で表
されるＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の
製造方法に関する。
されるＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の
製造方法に関する。
【００１２】本発明の製法における反応は、例えば次に
示すような反応式（１）
示すような反応式（１）
【００１３】
【化５】
【００１４】（式中、Ｒは前記と同じ意味を示す）で示
すことができる。本発明において使用されるＮ−アリ−
ル−２−オキサゾリドン誘導体〔以下化合物（１）とも
いう〕におけるＲは、水素原子、置換されていてもよい
アルキル基、置換されていてもよいアリ−ル基を示す。
すことができる。本発明において使用されるＮ−アリ−
ル−２−オキサゾリドン誘導体〔以下化合物（１）とも
いう〕におけるＲは、水素原子、置換されていてもよい
アルキル基、置換されていてもよいアリ−ル基を示す。
【００１５】前記の置換されていてもよいアルキル基
は、置換基を有していないアルキル基、置換基を有して
いるアルキル基であればよい。置換基を有していないア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基（異性体を含む）、ブチル基（各異性体を含む）、
ペンチル基（各異性体を含む）、ヘキシル基（各異性体
を含む）、ヘプチル基（各異性体を含む）、オクチル基
（各異性体を含む）、ノニル基（各異性体を含む）、デ
シル基（各異性体を含む）のような、直鎖状または分枝
状の炭素原子数１〜１０のアルキル基を挙げることがで
き、好ましくは炭素原子数１〜５のアルキル基であり、
特に好ましくはメチル基、エチル基である。
は、置換基を有していないアルキル基、置換基を有して
いるアルキル基であればよい。置換基を有していないア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基（異性体を含む）、ブチル基（各異性体を含む）、
ペンチル基（各異性体を含む）、ヘキシル基（各異性体
を含む）、ヘプチル基（各異性体を含む）、オクチル基
（各異性体を含む）、ノニル基（各異性体を含む）、デ
シル基（各異性体を含む）のような、直鎖状または分枝
状の炭素原子数１〜１０のアルキル基を挙げることがで
き、好ましくは炭素原子数１〜５のアルキル基であり、
特に好ましくはメチル基、エチル基である。
【００１６】置換基を有しているアルキル基の置換基と
しては、水酸基、アミノ基、フェノキシ基、ニトロ基、
カルボキシル基、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基（各異性体を含む）、ブトキシ基（各異性体を
含む）、ペンチルオキシ基（各異性体を含む）、ヘキシ
ルオキシ基（各異性体を含む）、ヘプチルオキシ基（各
異性体を含む）、オクチルオキシ基（各異性体を含
む）、ノニルオキシ基（各異性体を含む）、デシルオキ
シ基（各異性体を含む）のような炭素原子数１〜１０個
のアルコキシ基、
しては、水酸基、アミノ基、フェノキシ基、ニトロ基、
カルボキシル基、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基（各異性体を含む）、ブトキシ基（各異性体を
含む）、ペンチルオキシ基（各異性体を含む）、ヘキシ
ルオキシ基（各異性体を含む）、ヘプチルオキシ基（各
異性体を含む）、オクチルオキシ基（各異性体を含
む）、ノニルオキシ基（各異性体を含む）、デシルオキ
シ基（各異性体を含む）のような炭素原子数１〜１０個
のアルコキシ基、
【００１７】メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、プロポキシカルボニル基（各異性体を含む）、ブ
トキシカルボニル基（各異性体を含む）、ペンチルオキ
シカルボニル基（各異性体を含む）のような炭素原子数
２〜６個のアルキルオキシカルボニル基、アセチル基、
プロピオニル基、ブタノイル基（各異性体を含む）、ペ
ンタノイル基（各異性体を含む）のような炭素原子数１
〜５の直鎖状または分枝状のアルキル基部分を持つ炭素
原子数２〜６のアルキルカルボニル基、
ル基、プロポキシカルボニル基（各異性体を含む）、ブ
トキシカルボニル基（各異性体を含む）、ペンチルオキ
シカルボニル基（各異性体を含む）のような炭素原子数
２〜６個のアルキルオキシカルボニル基、アセチル基、
プロピオニル基、ブタノイル基（各異性体を含む）、ペ
ンタノイル基（各異性体を含む）のような炭素原子数１
〜５の直鎖状または分枝状のアルキル基部分を持つ炭素
原子数２〜６のアルキルカルボニル基、
【００１８】置換されていてもよいフェニルカルボニル
基、置換されていてもよいフェノキシカルボニル基、置
換されていてもよいフェニル基を挙げることができる。
基、置換されていてもよいフェノキシカルボニル基、置
換されていてもよいフェニル基を挙げることができる。
【００１９】置換されていてもよいフェニルカルボニル
基としては、置換基（２）を有していないフェニルカル
ボニル基、置換基（２）を有するフェニルカルボニル基
を挙げることができる。置換されていてもよいフェノキ
シカルボニル基としては、置換基（２）を有していない
フェノキシカルボニル基、置換基（２）を有するフェノ
キシカルボニル基を挙げることができる。置換されてい
てもよいフェニル基としては、置換基（２）を有してい
ないフェニル基、置換基（２）を有するフェニル基を挙
げることができる。
基としては、置換基（２）を有していないフェニルカル
ボニル基、置換基（２）を有するフェニルカルボニル基
を挙げることができる。置換されていてもよいフェノキ
シカルボニル基としては、置換基（２）を有していない
フェノキシカルボニル基、置換基（２）を有するフェノ
キシカルボニル基を挙げることができる。置換されてい
てもよいフェニル基としては、置換基（２）を有してい
ないフェニル基、置換基（２）を有するフェニル基を挙
げることができる。
【００２０】置換基（２）を有するフェニルカルボニル
基、置換基（２）を有するフェノキシカルボニル基、置
換基（２）を有するフェニル基の各置換基（２）として
は、水酸基、アミノ基、フェニル基、フェノキシ基、ニ
トロ基、カルボキシル基、フェニルカルボニル基、フェ
ノキシカルボニル基、前記のようなアルキル基、前記の
ようなアルコキシ基、前記のようなハロゲン基、前記の
ようなアルキルカルボニル基、前記のようなアルキルオ
キシカルボニル基を挙げることができる。
基、置換基（２）を有するフェノキシカルボニル基、置
換基（２）を有するフェニル基の各置換基（２）として
は、水酸基、アミノ基、フェニル基、フェノキシ基、ニ
トロ基、カルボキシル基、フェニルカルボニル基、フェ
ノキシカルボニル基、前記のようなアルキル基、前記の
ようなアルコキシ基、前記のようなハロゲン基、前記の
ようなアルキルカルボニル基、前記のようなアルキルオ
キシカルボニル基を挙げることができる。
【００２１】本発明において使用される化合物（１）に
おけるＲの示す置換されていてもよいアリ−ル基は、置
換基を有していないアリ−ル基、置換基を有しているア
リ−ル基を示す。
おけるＲの示す置換されていてもよいアリ−ル基は、置
換基を有していないアリ−ル基、置換基を有しているア
リ−ル基を示す。
【００２２】置換基を有していないアリ−ル基として
は、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基など
を挙げることができ、好ましくはフェニル基である。
は、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基など
を挙げることができ、好ましくはフェニル基である。
【００２３】置換基を有しているアリ−ル基の置換基と
しては、前記のアルキル基の置換基を挙げることができ
る。
しては、前記のアルキル基の置換基を挙げることができ
る。
【００２４】このような、Ｒは、好ましくは、水素原
子、置換基を有していない炭素原子数１〜５の直鎖状ま
たは分枝状のアルキル基、フェニル基が好ましく、特に
水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基が好まし
い。
子、置換基を有していない炭素原子数１〜５の直鎖状ま
たは分枝状のアルキル基、フェニル基が好ましく、特に
水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基が好まし
い。
【００２５】本発明において使用される化合物（１）の
具体的な化合物としては、例えば３−（ｐ−メトキシカ
ルボニルフェニル）−２−オキサゾリドン、３−（ｐ−
エトキシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドン、
３−（ｐ−ｎ−プロポキシカルボニルフェニル）−２−
オキサゾリドン、３−（ｐ−イソプロポキシカルボニル
フェニル）−２−オキサゾリドン、３−（ｐ−ｎ−ブト
キシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドン、３−
（ｐ−フェノキシカルボニルフェニル）−２−オキサゾ
リドン、３−（ｐ−カルボキシフェニル）−２−オキサ
ゾリドン、を挙げることができ、
具体的な化合物としては、例えば３−（ｐ−メトキシカ
ルボニルフェニル）−２−オキサゾリドン、３−（ｐ−
エトキシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドン、
３−（ｐ−ｎ−プロポキシカルボニルフェニル）−２−
オキサゾリドン、３−（ｐ−イソプロポキシカルボニル
フェニル）−２−オキサゾリドン、３−（ｐ−ｎ−ブト
キシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドン、３−
（ｐ−フェノキシカルボニルフェニル）−２−オキサゾ
リドン、３−（ｐ−カルボキシフェニル）−２−オキサ
ゾリドン、を挙げることができ、
【００２６】好ましくは、３−（ｐ−メトキシカルボニ
ルフェニル）−２−オキサゾリドン、３−（ｐ−エトキ
シカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドン、３−
（ｐ−フェノキシカルボニルフェニル）−２−オキサゾ
リドン、３−（ｐ−カルボキシフェニル）−２−オキサ
ゾリドン、である。
ルフェニル）−２−オキサゾリドン、３−（ｐ−エトキ
シカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドン、３−
（ｐ−フェノキシカルボニルフェニル）−２−オキサゾ
リドン、３−（ｐ−カルボキシフェニル）−２−オキサ
ゾリドン、である。
【００２７】本発明の反応において用いられる臭化水素
は、その使用量において、通常化合物（１）１モルに対
して１〜２００モルの割合になる量が好ましく、１〜１
００モルの割合になる量が特に好ましい。本発明の反応
において用いられる臭化水素は、その使用方法におい
て、予め用いる反応溶媒に飽和させた状態で用いて
も、化合物（１）を溶解した反応溶媒に通気させて反
応に供してもよい。
は、その使用量において、通常化合物（１）１モルに対
して１〜２００モルの割合になる量が好ましく、１〜１
００モルの割合になる量が特に好ましい。本発明の反応
において用いられる臭化水素は、その使用方法におい
て、予め用いる反応溶媒に飽和させた状態で用いて
も、化合物（１）を溶解した反応溶媒に通気させて反
応に供してもよい。
【００２８】本発明の反応において用いられる反応溶媒
としては、反応に不活性な溶媒であればよく、水、例え
ば酢酸のような有機酸、アセトン、メチルエチルケトン
のようなケトン類系有機溶媒、メタノ−ル、エタノ−
ル、ｎ−プロパノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル
のような脂肪族アルコ−ル系有機溶媒、トルエン、ｏ−
ニトロトルエン、ｍ−ニトロトルエン、ｐ−ニトロトル
エンのような芳香族系有機溶媒、β−ジクロロエタノ−
ル、β−トリクロロエタノ−ルのようなハロゲン化脂肪
族アルコ−ル系有機溶媒を挙げることができ、好ましく
は水、有機酸、脂肪族アルコ−ル系有機溶媒であり、特
に好ましくは水、酢酸である。本発明の反応において用
いられる反応溶媒は、その使用量において、通常化合物
（１）対して３〜９０％〔化合物（１）の重量／反応溶
媒の容量・Ｘ１００〕の割合になる量が好ましく、４〜
４０％の割合になる量が特に好ましい。
としては、反応に不活性な溶媒であればよく、水、例え
ば酢酸のような有機酸、アセトン、メチルエチルケトン
のようなケトン類系有機溶媒、メタノ−ル、エタノ−
ル、ｎ−プロパノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル
のような脂肪族アルコ−ル系有機溶媒、トルエン、ｏ−
ニトロトルエン、ｍ−ニトロトルエン、ｐ−ニトロトル
エンのような芳香族系有機溶媒、β−ジクロロエタノ−
ル、β−トリクロロエタノ−ルのようなハロゲン化脂肪
族アルコ−ル系有機溶媒を挙げることができ、好ましく
は水、有機酸、脂肪族アルコ−ル系有機溶媒であり、特
に好ましくは水、酢酸である。本発明の反応において用
いられる反応溶媒は、その使用量において、通常化合物
（１）対して３〜９０％〔化合物（１）の重量／反応溶
媒の容量・Ｘ１００〕の割合になる量が好ましく、４〜
４０％の割合になる量が特に好ましい。
【００２９】本発明の反応における反応温度としては、
前記反応溶媒の沸点以下の温度であれば特に限定するこ
とはないが、例えば３０〜２００℃を挙げることがで
き、好ましくは４０〜１２０℃である。
前記反応溶媒の沸点以下の温度であれば特に限定するこ
とはないが、例えば３０〜２００℃を挙げることがで
き、好ましくは４０〜１２０℃である。
【００３０】本発明において得られる一般式（２）で表
されるＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体
は、前記一般式（１）で表されるＮ−アリ−ル−２−オ
キサゾリドン誘導体と、臭化水素とで規定されるが、具
体的なＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体と
しては、例えば、Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−アミ
ノ安息香酸メチル、Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−ア
ミノ安息香酸エチル、Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−
アミノ安息香酸ｎ−プロピル、Ｎ−（２−ブロモエチ
ル）−ｐ−アミノ安息香酸イソプロピル、Ｎ−（２−ブ
ロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸ｎ−ブチル、Ｎ−
（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸フェニル、
Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸を挙げ
ることができ、
されるＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体
は、前記一般式（１）で表されるＮ−アリ−ル−２−オ
キサゾリドン誘導体と、臭化水素とで規定されるが、具
体的なＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体と
しては、例えば、Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−アミ
ノ安息香酸メチル、Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−ア
ミノ安息香酸エチル、Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−
アミノ安息香酸ｎ−プロピル、Ｎ−（２−ブロモエチ
ル）−ｐ−アミノ安息香酸イソプロピル、Ｎ−（２−ブ
ロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸ｎ−ブチル、Ｎ−
（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸フェニル、
Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸を挙げ
ることができ、
【００３１】好ましくは、Ｎ−（２−ブロモエチル）−
ｐ−アミノ安息香酸メチル、Ｎ−（２−ブロモエチル）
−ｐ−アミノ安息香酸エチル、Ｎ−（２−ブロモエチ
ル）−ｐ−アミノ安息香酸フェニル、Ｎ−（２−ブロモ
エチル）−ｐ−アミノ安息香酸である。
ｐ−アミノ安息香酸メチル、Ｎ−（２−ブロモエチル）
−ｐ−アミノ安息香酸エチル、Ｎ−（２−ブロモエチ
ル）−ｐ−アミノ安息香酸フェニル、Ｎ−（２−ブロモ
エチル）−ｐ−アミノ安息香酸である。
【００３２】本発明において得られる一般式（２）で表
されるＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体を
含む反応混合物を得る方法は、通常の洗浄操作、分離操
作を組合わせて行えばよく、例えば反応液に有機溶媒を
添加し、水洗などにより無機塩基を除いた後に、溶媒抽
出、減圧濃縮により粗生成物が得られる。さらに精製す
る場合には、例えばカラムクロマトグラフィ−などで精
製すればよいが、精製方法は各化合物について適宣選択
すればよい。
されるＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体を
含む反応混合物を得る方法は、通常の洗浄操作、分離操
作を組合わせて行えばよく、例えば反応液に有機溶媒を
添加し、水洗などにより無機塩基を除いた後に、溶媒抽
出、減圧濃縮により粗生成物が得られる。さらに精製す
る場合には、例えばカラムクロマトグラフィ−などで精
製すればよいが、精製方法は各化合物について適宣選択
すればよい。
【００３３】本発明において用いられる一般式（１）で
表されるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘導体の製
造方法は、特に制限はないが、詳しくは参考例で説明す
る。
表されるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘導体の製
造方法は、特に制限はないが、詳しくは参考例で説明す
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、前記一般式（１）で表
されるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘導体と臭化
水素とを、溶媒の存在下で反応させることにより簡単な
反応操作で、高収率でＮ−２−ブロモエチル−アミノ安
息香酸誘導体を製造することができる。
されるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘導体と臭化
水素とを、溶媒の存在下で反応させることにより簡単な
反応操作で、高収率でＮ−２−ブロモエチル−アミノ安
息香酸誘導体を製造することができる。
【００３５】
【実施例】以下に実施例および参考例を示す。本実施例
における、高速液体クロマトグラフィ−を用いる定量分
析（以下ＬＣ定量という）の条件は以下のとうりであ
る。 定量分析法１ カラム；ＯＤＳ−８０ＴＭ（４．６φ Ｘ ２５ｃｍ） 溶離液；アセトニトリル：水＝３：２ 測定波長；２５４ｎｍ 流速；１．０ｍｌ／ｍｉｎ 定量分析法２ カラム；ＯＤＳ−８０ＴＭ（４．６φ Ｘ ２５ｃｍ） 溶離液；アセトニトリル：水＝１：２ 測定波長；２５４ｎｍ 流速；１．０ｍｌ／ｍｉｎ
における、高速液体クロマトグラフィ−を用いる定量分
析（以下ＬＣ定量という）の条件は以下のとうりであ
る。 定量分析法１ カラム；ＯＤＳ−８０ＴＭ（４．６φ Ｘ ２５ｃｍ） 溶離液；アセトニトリル：水＝３：２ 測定波長；２５４ｎｍ 流速；１．０ｍｌ／ｍｉｎ 定量分析法２ カラム；ＯＤＳ−８０ＴＭ（４．６φ Ｘ ２５ｃｍ） 溶離液；アセトニトリル：水＝１：２ 測定波長；２５４ｎｍ 流速；１．０ｍｌ／ｍｉｎ
【００３６】実施例１ ３−（ｐ−メトキシカルボニルフェニル）−２−オキサ
ゾリドン６．６４ｇ（３０．０ミリモル）を臭化水素の
酢酸溶液（臭化水素２５ｗｔ％）２００ｇ（６１８．０
ミリモル）に溶解し、得られた酢酸溶液を８０℃で３時
間攪拌して反応させた。得られた反応溶液をＬＣ定量
（定量分析法１）すると、Ｎ−（２−ブロモエチル）−
ｐ−アミノ安息香酸メチル６．５１ｇ（２５．２ミリモ
ル）が生成していることが分かった。〔３−（ｐ−メト
キシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに対す
る反応収率＝８４％〕
ゾリドン６．６４ｇ（３０．０ミリモル）を臭化水素の
酢酸溶液（臭化水素２５ｗｔ％）２００ｇ（６１８．０
ミリモル）に溶解し、得られた酢酸溶液を８０℃で３時
間攪拌して反応させた。得られた反応溶液をＬＣ定量
（定量分析法１）すると、Ｎ−（２−ブロモエチル）−
ｐ−アミノ安息香酸メチル６．５１ｇ（２５．２ミリモ
ル）が生成していることが分かった。〔３−（ｐ−メト
キシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに対す
る反応収率＝８４％〕
【００３７】該反応溶液を、氷水２０ミリリットルと塩
化メチレン３０ミリリットルとの混合溶液に加えた後、
分液操作をした。得られた有機層を、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液１２０ミリリットルで洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧濃縮して無色粉末のＮ−
（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸メチル６．
３７ｇ（２４．７ミリモル）を得た。〔３−（ｐ−メト
キシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに対す
る収率＝８２．３％〕 融点；１０２〜１０３℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝３．４６〜３．７０（ｍ，４）、３．８７（ｓ，
３）、６．６２（ｄ，２）、７．９０（ｄ，２）
化メチレン３０ミリリットルとの混合溶液に加えた後、
分液操作をした。得られた有機層を、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液１２０ミリリットルで洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧濃縮して無色粉末のＮ−
（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸メチル６．
３７ｇ（２４．７ミリモル）を得た。〔３−（ｐ−メト
キシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに対す
る収率＝８２．３％〕 融点；１０２〜１０３℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝３．４６〜３．７０（ｍ，４）、３．８７（ｓ，
３）、６．６２（ｄ，２）、７．９０（ｄ，２）
【００３８】実施例２ ３−（ｐ−メトキシカルボニルフェニル）−２−オキサ
ゾリドン６．６４ｇ（３０．０ミリモル）を臭化水素の
酢酸溶液（臭化水素２５ｗｔ％）１００ｇ（３０９．０
ミリモル）に溶解し、得られた酢酸溶液を８０℃で３時
間攪拌して反応させた。得られた反応溶液をＬＣ定量
（定量分析法１）すると、Ｎ−（２−ブロモエチル）−
ｐ−アミノ安息香酸メチル６．４５ｇ（２５．０ミリモ
ル）が生成していることが分かった。〔３−（ｐ−メト
キシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに対す
る反応収率＝８３．３％〕
ゾリドン６．６４ｇ（３０．０ミリモル）を臭化水素の
酢酸溶液（臭化水素２５ｗｔ％）１００ｇ（３０９．０
ミリモル）に溶解し、得られた酢酸溶液を８０℃で３時
間攪拌して反応させた。得られた反応溶液をＬＣ定量
（定量分析法１）すると、Ｎ−（２−ブロモエチル）−
ｐ−アミノ安息香酸メチル６．４５ｇ（２５．０ミリモ
ル）が生成していることが分かった。〔３−（ｐ−メト
キシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに対す
る反応収率＝８３．３％〕
【００３９】実施例３ 臭化水素の酢酸溶液の使用量を５０ｇ（１５４．５ミリ
モル）とした他は、実施例２と同様にした結果、Ｎ−
（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸メチル６．
５５ｇ（２５．４ミリモル）が生成していることがわか
った。〔３−（ｐ−メトキシカルボニルフェニル）−２
−オキサゾリドンに対する反応収率＝８４．６％〕
モル）とした他は、実施例２と同様にした結果、Ｎ−
（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸メチル６．
５５ｇ（２５．４ミリモル）が生成していることがわか
った。〔３−（ｐ−メトキシカルボニルフェニル）−２
−オキサゾリドンに対する反応収率＝８４．６％〕
【００４０】実施例４ 臭化水素の酢酸溶液の使用量を２５ｇ（７７．２ミリモ
ル）とした他は、実施例２と同様にした結果、Ｎ−（２
−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸メチル６．２１
ｇ（２４．１ミリモル）が生成していることがわかっ
た。〔３−（ｐ−メトキシカルボニルフェニル）−２−
オキサゾリドンに対する反応収率＝８０．３％〕
ル）とした他は、実施例２と同様にした結果、Ｎ−（２
−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸メチル６．２１
ｇ（２４．１ミリモル）が生成していることがわかっ
た。〔３−（ｐ−メトキシカルボニルフェニル）−２−
オキサゾリドンに対する反応収率＝８０．３％〕
【００４１】実施例５ ３−（ｐ−エトキシカルボニルフェニル）−２−オキサ
ゾリドン７．０６ｇ（３０．０ミリモル）を臭化水素の
酢酸溶液（臭化水素２５ｗｔ％）５０ｇ（１５４．５ミ
リモル）に溶解し、得られた酢酸溶液を８０℃で３時間
攪拌して反応させた。得られた反応溶液をＬＣ定量（定
量分析法１）すると、Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−
アミノ安息香酸エチル７．０２ｇ（２５．８ミリモル）
が生成していることが分かった。〔３−（ｐ−エトキシ
カルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに対する反
応収率＝８６％〕
ゾリドン７．０６ｇ（３０．０ミリモル）を臭化水素の
酢酸溶液（臭化水素２５ｗｔ％）５０ｇ（１５４．５ミ
リモル）に溶解し、得られた酢酸溶液を８０℃で３時間
攪拌して反応させた。得られた反応溶液をＬＣ定量（定
量分析法１）すると、Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−
アミノ安息香酸エチル７．０２ｇ（２５．８ミリモル）
が生成していることが分かった。〔３−（ｐ−エトキシ
カルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに対する反
応収率＝８６％〕
【００４２】該反応溶液を、氷水２０ミリリットルと塩
化メチレン３０ミリリットルとの混合溶液に加えた後、
分液操作をした。得られた有機層を、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液１２０ミリリットルで洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧濃縮して無色粉末状のＮ
−（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸エチル
６．９０ｇ（２５．３ミリモル）を得た。〔３−（ｐ−
エトキシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに
対する収率＝８４．３％〕1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝１．４０（t ，３）、３．５１〜３．５８（ｍ，
２）、３．５９〜３．６８（ｍ，２）、４．３２（ｑ，
２）、６．６１（ｄ，２）、７．９０（ｄ，２）
化メチレン３０ミリリットルとの混合溶液に加えた後、
分液操作をした。得られた有機層を、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液１２０ミリリットルで洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧濃縮して無色粉末状のＮ
−（２−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香酸エチル
６．９０ｇ（２５．３ミリモル）を得た。〔３−（ｐ−
エトキシカルボニルフェニル）−２−オキサゾリドンに
対する収率＝８４．３％〕1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝１．４０（t ，３）、３．５１〜３．５８（ｍ，
２）、３．５９〜３．６８（ｍ，２）、４．３２（ｑ，
２）、６．６１（ｄ，２）、７．９０（ｄ，２）
【００４３】実施例６ ３−（ｐ−カルボキシフェニル）−２−オキサゾリドン
６．２１ｇ（３０．０ミリモル）を臭化水素の水溶液
（臭化水素４７ｗｔ％）２０７ｇ（１２０２ミリモル）
に溶解し、得られた水溶液を１００℃で１０時間攪拌し
て反応させた。得られた反応溶液をＬＣ定量（定量分析
法２）すると、４−Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−ア
ミノ安息香酸６．３０ｇ（２５．８ミリモル）が生成し
ていることが分かった。〔３−（ｐ−カルボキシフェニ
ル）−２−オキサゾリドンに対する反応収率＝８６％〕
６．２１ｇ（３０．０ミリモル）を臭化水素の水溶液
（臭化水素４７ｗｔ％）２０７ｇ（１２０２ミリモル）
に溶解し、得られた水溶液を１００℃で１０時間攪拌し
て反応させた。得られた反応溶液をＬＣ定量（定量分析
法２）すると、４−Ｎ−（２−ブロモエチル）−ｐ−ア
ミノ安息香酸６．３０ｇ（２５．８ミリモル）が生成し
ていることが分かった。〔３−（ｐ−カルボキシフェニ
ル）−２−オキサゾリドンに対する反応収率＝８６％〕
【００４４】該反応溶液に氷水２００ミリリットルを加
え、析出してきた沈殿物を濾取した。得られた沈殿物を
減圧乾燥して、無色粉体状のＮ−（２−ブロモエチル）
−ｐ−アミノ安息香酸５．２１ｇ（２１．３ミリモル）
を得た。〔３−（ｐ−カルボキシフェニル）−２−オキ
サゾリドンに対する収率＝７１．０％〕1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝３．４７〜３．６８（ｍ，４）、６．６８（ｄ，
２）、７．６９（ｄ，２）、１１．９〜１２．２４（ｂ
ｒ，１）
え、析出してきた沈殿物を濾取した。得られた沈殿物を
減圧乾燥して、無色粉体状のＮ−（２−ブロモエチル）
−ｐ−アミノ安息香酸５．２１ｇ（２１．３ミリモル）
を得た。〔３−（ｐ−カルボキシフェニル）−２−オキ
サゾリドンに対する収率＝７１．０％〕1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝３．４７〜３．６８（ｍ，４）、６．６８（ｄ，
２）、７．６９（ｄ，２）、１１．９〜１２．２４（ｂ
ｒ，１）
【００４５】参考例１ ｐ−アミノ安息香酸メチル９０．７ｇ（０．６０モル）
とβ−クロロエチルクロロフォ−メ−ト９４．４ｇ
（０．６６モル）とをトルエン６００ミリリットルに溶
解し、得られたトルエン溶液を、１．５時間還流して反
応させた。得られた反応溶液（１）を、室温（２０℃）
まで冷却した後、濾過して濾取物を得た。得られた濾取
物を減圧乾燥して。無色針状のＮ−（ｐ−メトキシカル
ボニルフェニル）−β−クロロエチルカ−バメイト１５
２ｇ（０．５９モル）を得た。（ｐ−アミノ安息香酸メ
チルに対する収率＝９８．３％）
とβ−クロロエチルクロロフォ−メ−ト９４．４ｇ
（０．６６モル）とをトルエン６００ミリリットルに溶
解し、得られたトルエン溶液を、１．５時間還流して反
応させた。得られた反応溶液（１）を、室温（２０℃）
まで冷却した後、濾過して濾取物を得た。得られた濾取
物を減圧乾燥して。無色針状のＮ−（ｐ−メトキシカル
ボニルフェニル）−β−クロロエチルカ−バメイト１５
２ｇ（０．５９モル）を得た。（ｐ−アミノ安息香酸メ
チルに対する収率＝９８．３％）
【００４６】前記Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフェニ
ル）−β−クロロエチルカ−バメイト１５０ｇ（０．５
８モル）と炭酸カリウム８８．２ｇ（０．６４モル）と
をアセトニトリル５７７ミリリットルに溶解し、得られ
たアセトニトリル溶液を７０℃で６時間攪拌して反応さ
せた。得られた反応溶液（２）を熱時濾過し、得られた
濾液を減圧濃縮して、無色針状の３−（ｐ−メトキシカ
ルボニルフェニル）−２−オキサリドン１２８ｇ（０．
５８モル）を得た。〔Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフ
ェニル）−β−クロロエチルクロロフォ−メイトに対す
る收率：定量的〕 融点；１４０〜１４１℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝３．８９（ｓ，３）、４．０８（ｄｄ，２）、４．
５２（ｄｄ，２）、７．６２（ｄ，２）、８．０５
（ｄ，２）
ル）−β−クロロエチルカ−バメイト１５０ｇ（０．５
８モル）と炭酸カリウム８８．２ｇ（０．６４モル）と
をアセトニトリル５７７ミリリットルに溶解し、得られ
たアセトニトリル溶液を７０℃で６時間攪拌して反応さ
せた。得られた反応溶液（２）を熱時濾過し、得られた
濾液を減圧濃縮して、無色針状の３−（ｐ−メトキシカ
ルボニルフェニル）−２−オキサリドン１２８ｇ（０．
５８モル）を得た。〔Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフ
ェニル）−β−クロロエチルクロロフォ−メイトに対す
る收率：定量的〕 融点；１４０〜１４１℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝３．８９（ｓ，３）、４．０８（ｄｄ，２）、４．
５２（ｄｄ，２）、７．６２（ｄ，２）、８．０５
（ｄ，２）
【００４７】実施例７ ３−（ｐ−フェノキシカルボニルフェニル）−２−オキ
サゾリドン８．５０ｇ（３０ミリモル）を臭化水素の酢
酸溶液（臭化水素２５ｗｔ％）５０ｇ（１５４．５ミリ
モル）に溶解し、得られた酢酸溶液を８０℃で３時間攪
拌して反応させた。得られた反応溶液を、氷水２０ミリ
リットルと塩化メチレン３０ミリリットルとの混合溶液
に加えた後、分液操作をした。得られた有機層を、飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液１２０ミリリットルで洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して無色
粉末状のＮ−（ｐ−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香
酸フェニル７．２１ｇ（２２．５ミリモル）を得た。
〔３−（ｐ−フェノキシカルボニルフェニル）−２−オ
キサゾリドンに対する収率＝７５％〕 融点；１５２〜１５３℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝３．４５〜３．７０（ｍ，４）、６．７２（ｄ，
２）、６．９０〜７．０３（ｍ，１）、７．２０（ｄ，
２）、７．２８（ｄ，２）、７．４５（ｄｄ，２）、
７．８８（ｄ，２）
サゾリドン８．５０ｇ（３０ミリモル）を臭化水素の酢
酸溶液（臭化水素２５ｗｔ％）５０ｇ（１５４．５ミリ
モル）に溶解し、得られた酢酸溶液を８０℃で３時間攪
拌して反応させた。得られた反応溶液を、氷水２０ミリ
リットルと塩化メチレン３０ミリリットルとの混合溶液
に加えた後、分液操作をした。得られた有機層を、飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液１２０ミリリットルで洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して無色
粉末状のＮ−（ｐ−ブロモエチル）−ｐ−アミノ安息香
酸フェニル７．２１ｇ（２２．５ミリモル）を得た。
〔３−（ｐ−フェノキシカルボニルフェニル）−２−オ
キサゾリドンに対する収率＝７５％〕 融点；１５２〜１５３℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ） δ＝３．４５〜３．７０（ｍ，４）、６．７２（ｄ，
２）、６．９０〜７．０３（ｍ，１）、７．２０（ｄ，
２）、７．２８（ｄ，２）、７．４５（ｄｄ，２）、
７．８８（ｄ，２）
【００４８】本発明の好ましい態様は以下のとおりであ
る。 １． 一般式（１）
る。 １． 一般式（１）
【００４９】
【化６】
【００５０】（式中、Ｒが水素、アルキル基、フェニル
基を示す）で表されるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリド
ン誘導体と、臭化水素とを、溶媒中で反応させる、一般
式（２）
基を示す）で表されるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリド
ン誘導体と、臭化水素とを、溶媒中で反応させる、一般
式（２）
【００５１】
【化７】
【００５２】（式中、Ｒは前記と同じ意味を示す）で表
されるＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の
製法。
されるＮ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の
製法。
【００５３】２．Ｒが水素、メチル基、エチル基、フェ
ニル基を示す上記１に記載の製法。
ニル基を示す上記１に記載の製法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田 水穂 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒは、水素原子、置換されていてもよいアルキ
ル基、置換されていてもよいアリ−ル基を示す）で表さ
れるＮ−アリ−ル−２−オキサゾリドン誘導体と、臭化
水素とを、溶媒中で反応させる一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒは前記と同じ意味を示す）で表されるＮ−２
−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30777796A JPH10147560A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | Ｎ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30777796A JPH10147560A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | Ｎ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10147560A true JPH10147560A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17973150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30777796A Pending JPH10147560A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | Ｎ−２−ブロモエチル−アミノ安息香酸誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10147560A (ja) |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP30777796A patent/JPH10147560A/ja active Pending
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