JPH10148855A - レーザビーム制御装置 - Google Patents
レーザビーム制御装置Info
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- JPH10148855A JPH10148855A JP8306414A JP30641496A JPH10148855A JP H10148855 A JPH10148855 A JP H10148855A JP 8306414 A JP8306414 A JP 8306414A JP 30641496 A JP30641496 A JP 30641496A JP H10148855 A JPH10148855 A JP H10148855A
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- JP
- Japan
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- laser beam
- laser
- control device
- acousto
- waveguide
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 音響光学素子の偏向位置とこの偏向位置近傍
のビームウエスト位置とを所定の距離だけ離しても、像
面上での各々のレーザビーム相互間のライン間隔を一定
に保つことができ、かつ、非点隔差が少ないレーザビー
ム制御装置を得る。 【解決手段】 レーザビーム制御装置1は、半導体レー
ザ素子2と、導波路型音響光学素子3と、集光レンズ4
と、ポリゴン面集光レンズ5と、ポリゴンミラー6と、
走査レンズ群7とで構成されている。導波路型音響光学
素子3は、二点鎖線11にて表示したビームウエスト位
置が素子3内の光路長の略中央部に位置するように配置
されている。二点鎖線12にて表示された偏向位置は、
所定の距離Δrだけ離れてビームウエスト位置11の光
路下流側に配置されている。
のビームウエスト位置とを所定の距離だけ離しても、像
面上での各々のレーザビーム相互間のライン間隔を一定
に保つことができ、かつ、非点隔差が少ないレーザビー
ム制御装置を得る。 【解決手段】 レーザビーム制御装置1は、半導体レー
ザ素子2と、導波路型音響光学素子3と、集光レンズ4
と、ポリゴン面集光レンズ5と、ポリゴンミラー6と、
走査レンズ群7とで構成されている。導波路型音響光学
素子3は、二点鎖線11にて表示したビームウエスト位
置が素子3内の光路長の略中央部に位置するように配置
されている。二点鎖線12にて表示された偏向位置は、
所定の距離Δrだけ離れてビームウエスト位置11の光
路下流側に配置されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビーム制御
装置、特に、導波路型音響光学素子を用いたレーザビー
ム制御装置に関する。
装置、特に、導波路型音響光学素子を用いたレーザビー
ム制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のレーザビーム制御装置としては、
例えば信学技報[TECHNICALREPORT O
F IEICE]US92−51(1992−09)学
術論文に記載のものが知られている。このレーザビーム
制御装置は、導波路型音響光学素子をマルチ周波数駆動
させてレーザビームを分割させるものであり、ビームウ
エスト位置と導波路型音響光学素子の偏向位置が一致し
ていた。
例えば信学技報[TECHNICALREPORT O
F IEICE]US92−51(1992−09)学
術論文に記載のものが知られている。このレーザビーム
制御装置は、導波路型音響光学素子をマルチ周波数駆動
させてレーザビームを分割させるものであり、ビームウ
エスト位置と導波路型音響光学素子の偏向位置が一致し
ていた。
【0003】また、特公昭59−42855号公報に記
載のように、結晶型音響光学素子をマルチ周波数駆動さ
せてレーザビームを複数に分割させた後、この複数のレ
ーザビームを同時走査する装置が提案されている。この
複数ビーム同時走査装置は、複数走査ラインの間隔を調
整する目的で、偏向位置と偏向位置近傍のビームウエス
ト位置とを所定の間隔だけ離していた。ここに、結晶体
は高価であるため、結晶型音響光学素子の寸法は数ミリ
程度と小さく、偏向位置を結晶型音響光学素子内に設定
すると、偏向位置近傍のビームウエスト位置は結晶型音
響光学素子の外であった。
載のように、結晶型音響光学素子をマルチ周波数駆動さ
せてレーザビームを複数に分割させた後、この複数のレ
ーザビームを同時走査する装置が提案されている。この
複数ビーム同時走査装置は、複数走査ラインの間隔を調
整する目的で、偏向位置と偏向位置近傍のビームウエス
ト位置とを所定の間隔だけ離していた。ここに、結晶体
は高価であるため、結晶型音響光学素子の寸法は数ミリ
程度と小さく、偏向位置を結晶型音響光学素子内に設定
すると、偏向位置近傍のビームウエスト位置は結晶型音
響光学素子の外であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記信
学技報学術論文に記載された従来のレーザビーム制御装
置を、レーザビーム走査光学装置の疑似複数光源として
用いた場合、ビームウエスト位置と音響光学素子の偏向
位置とが一致しているため、レーザビーム走査光学装置
のポリゴンミラーの面倒れ誤差(ポリゴン面毎に、ポリ
ゴンミラーの偏向方向に垂直な方向にレーザビームが角
度変化する誤差)を補正する目的で、レーザビーム走査
光学装置の走査レンズ群に面倒れ補正機能を付加する
と、導波路型音響光学素子によって分割されたレーザビ
ームが像面上で一点に再集光し、複数走査ラインの間隔
を調整することができないという問題があった。
学技報学術論文に記載された従来のレーザビーム制御装
置を、レーザビーム走査光学装置の疑似複数光源として
用いた場合、ビームウエスト位置と音響光学素子の偏向
位置とが一致しているため、レーザビーム走査光学装置
のポリゴンミラーの面倒れ誤差(ポリゴン面毎に、ポリ
ゴンミラーの偏向方向に垂直な方向にレーザビームが角
度変化する誤差)を補正する目的で、レーザビーム走査
光学装置の走査レンズ群に面倒れ補正機能を付加する
と、導波路型音響光学素子によって分割されたレーザビ
ームが像面上で一点に再集光し、複数走査ラインの間隔
を調整することができないという問題があった。
【0005】一方、前記特公昭59−42855号公報
記載の複数ビーム同時走査装置は、偏向位置とビームウ
エスト位置を分離して配置しているため、走査レンズ群
に面倒れ補正機能を付加しても結晶型音響光学素子によ
って分割されたレーザビームが像面上で一点に再集光す
るという問題は解決できる。しかし、ビームウエストが
結晶型音響光学素子の外に配置されているため、以下の
不具合があった。
記載の複数ビーム同時走査装置は、偏向位置とビームウ
エスト位置を分離して配置しているため、走査レンズ群
に面倒れ補正機能を付加しても結晶型音響光学素子によ
って分割されたレーザビームが像面上で一点に再集光す
るという問題は解決できる。しかし、ビームウエストが
結晶型音響光学素子の外に配置されているため、以下の
不具合があった。
【0006】(1)環境(温度)変化や経時変化等で音
響光学素子と他の光学素子との間に位置ずれが生じる
と、偏向位置とビームウエスト位置が相対的にずれ、複
数走査ラインの間隔を一定に保つことができなかった。 (2)環境変化や電源変動等で音響光学素子の駆動誤差
が生じると、高屈折率を有する音響光学素子から空気中
に出射するレーザビームの出射角変動量が、像面上で各
レーザビームが並べられている方向に拡大され、その方
向にビームウエスト位置が変動しやすいので、複数走査
ラインの間隔を一定に保つことができなかった。
響光学素子と他の光学素子との間に位置ずれが生じる
と、偏向位置とビームウエスト位置が相対的にずれ、複
数走査ラインの間隔を一定に保つことができなかった。 (2)環境変化や電源変動等で音響光学素子の駆動誤差
が生じると、高屈折率を有する音響光学素子から空気中
に出射するレーザビームの出射角変動量が、像面上で各
レーザビームが並べられている方向に拡大され、その方
向にビームウエスト位置が変動しやすいので、複数走査
ラインの間隔を一定に保つことができなかった。
【0007】(3)偏向位置より後方にビームウエスト
がある場合、各レーザビームがそれぞれ異なる角度で音
響光学素子から出射するために、レーザビーム毎に異な
る量の非点隔差が発生する。この非点隔差量の差がある
ために、音響光学素子より後方の光学系から見るとレー
ザビーム毎にビームウエスト位置(すなわち、後方の光
学系から見た各ビームの光源位置)が所望の位置からず
れることになり、像面上の各走査ラインが不均質であっ
た。ただし、偏向位置より前側にビームウエストがある
場合は、各々のレーザビームに一定の非点隔差が発生
し、補正は行える。しかしながら、補正のために新たな
光学面が必要になり、例えば音響光学素子である誘電体
結晶自体を補正機能付加のために加工したり、補正用の
円筒レンズやプリズムを追加しなければならなかった。
がある場合、各レーザビームがそれぞれ異なる角度で音
響光学素子から出射するために、レーザビーム毎に異な
る量の非点隔差が発生する。この非点隔差量の差がある
ために、音響光学素子より後方の光学系から見るとレー
ザビーム毎にビームウエスト位置(すなわち、後方の光
学系から見た各ビームの光源位置)が所望の位置からず
れることになり、像面上の各走査ラインが不均質であっ
た。ただし、偏向位置より前側にビームウエストがある
場合は、各々のレーザビームに一定の非点隔差が発生
し、補正は行える。しかしながら、補正のために新たな
光学面が必要になり、例えば音響光学素子である誘電体
結晶自体を補正機能付加のために加工したり、補正用の
円筒レンズやプリズムを追加しなければならなかった。
【0008】そこで、本発明の目的は、音響光学素子の
偏向位置とこの偏向位置近傍のビームウエスト位置とを
所定の距離だけ離しても、像面上での各々のレーザビー
ム相互間のライン間隔を一定に保つことができ、かつ、
非点隔差が少ないレーザビーム制御装置を提供すること
にある。
偏向位置とこの偏向位置近傍のビームウエスト位置とを
所定の距離だけ離しても、像面上での各々のレーザビー
ム相互間のライン間隔を一定に保つことができ、かつ、
非点隔差が少ないレーザビーム制御装置を提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係るレーザビーム制御装置は、
(a)半導体レーザ素子と、(b)マルチ周波数駆動さ
せて、前記半導体レーザ素子から放射したレーザビーム
を偏向して複数のレーザビームに分割させる導波路型音
響光学素子と、(c)前記導波路型音響光学素子から出
射した前記複数のレーザビームを主走査方向に偏向させ
るための偏向器とを備え、(d)前記導波路型音響光学
素子内にて、前記半導体レーザ素子から出射したレーザ
ビームを複数のレーザビームに分割する偏向位置と、こ
の偏向位置近傍のビームウエスト位置とが所定の間隔を
有していること、を特徴とする。
するため、本発明に係るレーザビーム制御装置は、
(a)半導体レーザ素子と、(b)マルチ周波数駆動さ
せて、前記半導体レーザ素子から放射したレーザビーム
を偏向して複数のレーザビームに分割させる導波路型音
響光学素子と、(c)前記導波路型音響光学素子から出
射した前記複数のレーザビームを主走査方向に偏向させ
るための偏向器とを備え、(d)前記導波路型音響光学
素子内にて、前記半導体レーザ素子から出射したレーザ
ビームを複数のレーザビームに分割する偏向位置と、こ
の偏向位置近傍のビームウエスト位置とが所定の間隔を
有していること、を特徴とする。
【0010】以上の構成により、導波路型音響光学素子
の導波路内のビームウエスト位置と偏向位置での屈折率
の差は、従来のレーザビーム制御装置の音響光学素子の
結晶体内の偏向位置と結晶体外(空気中)のビームウエ
スト位置での屈折率の差と比較して極めて小さいため、
偏向位置で分割された各レーザビーム相互の特性差が著
しく小さくなる。
の導波路内のビームウエスト位置と偏向位置での屈折率
の差は、従来のレーザビーム制御装置の音響光学素子の
結晶体内の偏向位置と結晶体外(空気中)のビームウエ
スト位置での屈折率の差と比較して極めて小さいため、
偏向位置で分割された各レーザビーム相互の特性差が著
しく小さくなる。
【0011】また、導波路型音響光学素子が表面弾性波
を発生させるための複数の超音波振動子を有した構成を
採ることにより、高周波信号を印加された超音波振動子
を任意に切り換えれば、半導体レーザ素子から出射した
レーザビームを複数のレーザビームに分割する偏向位置
が切り換えられ、画像密度の切換えが容易に行われる。
を発生させるための複数の超音波振動子を有した構成を
採ることにより、高周波信号を印加された超音波振動子
を任意に切り換えれば、半導体レーザ素子から出射した
レーザビームを複数のレーザビームに分割する偏向位置
が切り換えられ、画像密度の切換えが容易に行われる。
【0012】さらに、本発明に係るレーザビーム制御装
置は、複数のレーザビームの隣接する二つのレーザビー
ムが、 Dm>4λ・C・Pi/{π・(θ2−θ1)・Dv} を満足し、かつ、偏向位置からビームウエスト位置まで
の空気換算距離Δが、 Δ=π・Do・(Dm 2−Do 2)1/2/4λ ただし、Dm:偏向位置でのビーム径 Dv:被走査面上での複数のレーザビームが並ぶ方向の
ビーム径 Do:ビームウエスト位置でのビーム径 Pi:被走査面上での隣接するレーザビームの間隔 θ1,θ2:隣接する二つのレーザビームの偏向角(θ2
>θ1) C:光学系の比例定数(倍率) λ:レーザビームの波長 を満足していることを特徴とする。
置は、複数のレーザビームの隣接する二つのレーザビー
ムが、 Dm>4λ・C・Pi/{π・(θ2−θ1)・Dv} を満足し、かつ、偏向位置からビームウエスト位置まで
の空気換算距離Δが、 Δ=π・Do・(Dm 2−Do 2)1/2/4λ ただし、Dm:偏向位置でのビーム径 Dv:被走査面上での複数のレーザビームが並ぶ方向の
ビーム径 Do:ビームウエスト位置でのビーム径 Pi:被走査面上での隣接するレーザビームの間隔 θ1,θ2:隣接する二つのレーザビームの偏向角(θ2
>θ1) C:光学系の比例定数(倍率) λ:レーザビームの波長 を満足していることを特徴とする。
【0013】以上の構成により、光導波路に対して入射
/出射するレーザビームの断面積が最小となり、入射/
出射のそれぞれの透過面に要求される平坦度(平滑度)
の精度が緩和される。
/出射するレーザビームの断面積が最小となり、入射/
出射のそれぞれの透過面に要求される平坦度(平滑度)
の精度が緩和される。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るレーザビーム
制御装置の実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態において、同一部品及び同一部分には同
じ符号を付した。 [第1実施形態、図1〜図4]図1及び図2に示すよう
に、レーザビーム制御装置に用いられる導波路型音響光
学素子3は、基板31と光導波路32の積層体構造をし
ている。基板31としては、サファイア等の結晶板、シ
リコンやガラス等の薄板が用いられる。この基板31は
薄板でよいため、結晶型音響光学素子に用いられている
矩形状結晶体より安価である。
制御装置の実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態において、同一部品及び同一部分には同
じ符号を付した。 [第1実施形態、図1〜図4]図1及び図2に示すよう
に、レーザビーム制御装置に用いられる導波路型音響光
学素子3は、基板31と光導波路32の積層体構造をし
ている。基板31としては、サファイア等の結晶板、シ
リコンやガラス等の薄板が用いられる。この基板31は
薄板でよいため、結晶型音響光学素子に用いられている
矩形状結晶体より安価である。
【0015】基板31上には、例えばレーザアブレーシ
ョン法、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、ゾ
ル−ゲル法、あるいはイオン交換やプロトン交換による
方法等により光導波路32が形成される。光導波路32
の材料としては、音響光学相互作用を効率良く行なうた
めに、圧電性に優れ、かつ、光源である半導体レーザ素
子2から放射されるレーザビームの波長に対して減衰の
少ない材料が好ましい。具体的にはZnOやLiNbO
3,PbMoO4,TeO2,As2O3,GaAs等が用
いられる。
ョン法、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、ゾ
ル−ゲル法、あるいはイオン交換やプロトン交換による
方法等により光導波路32が形成される。光導波路32
の材料としては、音響光学相互作用を効率良く行なうた
めに、圧電性に優れ、かつ、光源である半導体レーザ素
子2から放射されるレーザビームの波長に対して減衰の
少ない材料が好ましい。具体的にはZnOやLiNbO
3,PbMoO4,TeO2,As2O3,GaAs等が用
いられる。
【0016】光導波路32上には、その中央部右寄り手
前側の位置に超音波振動子であるインターデジタルトラ
ンスジューサ33がフォトリソグラフィ法やリフトオフ
法やエッチング法や電子線描画法等の方法により形成さ
れる。このインターデジタルトランスジューサ33の電
極指の間隔や幅を適宜設定することによって、後述のブ
ラッグ回折角を大きくしたり、ブラッグ回折角の変化を
広範囲に得ることができる。さらに、光導波路32上の
左右両側部に入射用プリズム35及び出射用プリズム3
6が配設されている。入射用プリズム35は、半導体レ
ーザ素子2から放射されたレーザビームLを光導波路3
2に入射させるためのものである。出射用プリズム36
は、光導波路32を進行するレーザビームLを外部に出
射するためのものである。
前側の位置に超音波振動子であるインターデジタルトラ
ンスジューサ33がフォトリソグラフィ法やリフトオフ
法やエッチング法や電子線描画法等の方法により形成さ
れる。このインターデジタルトランスジューサ33の電
極指の間隔や幅を適宜設定することによって、後述のブ
ラッグ回折角を大きくしたり、ブラッグ回折角の変化を
広範囲に得ることができる。さらに、光導波路32上の
左右両側部に入射用プリズム35及び出射用プリズム3
6が配設されている。入射用プリズム35は、半導体レ
ーザ素子2から放射されたレーザビームLを光導波路3
2に入射させるためのものである。出射用プリズム36
は、光導波路32を進行するレーザビームLを外部に出
射するためのものである。
【0017】以上の構成からなる導波路型音響光学素子
3において、トランスジューサ33は、高周波電源37
で発生した高周波信号が印加されると、光導波路32に
表面弾性波38を励起する。高周波電源37は、例えば
VCO(電圧制御発振器)が用いられる。表面弾性波3
8は図1中矢印a方向に光導波路32を伝搬する。一
方、半導体レーザ素子2から放射されたレーザビームL
は、入射用プリズム35を介して光導波路32に入射
し、光導波路32を進行する。光導波路32中には、表
面弾性波38によって、屈折率の同期的変動が生じてお
り、これがレーザビームLの回折格子となる。従って、
レーザビームLが表面弾性波38を横切ると、レーザビ
ームLと表面弾性波38が音響光学相互作用(ブラッグ
回折)することによって、図1に示すようにレーザビー
ムLは偏向させられる。
3において、トランスジューサ33は、高周波電源37
で発生した高周波信号が印加されると、光導波路32に
表面弾性波38を励起する。高周波電源37は、例えば
VCO(電圧制御発振器)が用いられる。表面弾性波3
8は図1中矢印a方向に光導波路32を伝搬する。一
方、半導体レーザ素子2から放射されたレーザビームL
は、入射用プリズム35を介して光導波路32に入射
し、光導波路32を進行する。光導波路32中には、表
面弾性波38によって、屈折率の同期的変動が生じてお
り、これがレーザビームLの回折格子となる。従って、
レーザビームLが表面弾性波38を横切ると、レーザビ
ームLと表面弾性波38が音響光学相互作用(ブラッグ
回折)することによって、図1に示すようにレーザビー
ムLは偏向させられる。
【0018】ところで、レーザビームLのブラッグ回折
角は表面弾性波38の周期に依存しており、表面弾性波
38の周期はトランスジューサ33に印加される高周波
信号の周波数に依存する。そこで、トランスジューサ3
3に複数の異なる周波数の高周波信号を印加して、複数
の異なる周期の表面弾性波38を発生させることによ
り、レーザビームLは複数の異なるブラッグ回折角にて
偏向され、図2に示すように、複数の強度変調されたレ
ーザビームに分割される。複数のレーザビームは、それ
ぞれ出射用プリズム36を介して出射される。
角は表面弾性波38の周期に依存しており、表面弾性波
38の周期はトランスジューサ33に印加される高周波
信号の周波数に依存する。そこで、トランスジューサ3
3に複数の異なる周波数の高周波信号を印加して、複数
の異なる周期の表面弾性波38を発生させることによ
り、レーザビームLは複数の異なるブラッグ回折角にて
偏向され、図2に示すように、複数の強度変調されたレ
ーザビームに分割される。複数のレーザビームは、それ
ぞれ出射用プリズム36を介して出射される。
【0019】図3は、この導波路型音響光学素子3を用
いたレーザビーム制御装置1の概略構成図である。レー
ザビーム制御装置1は、導波路型音響光学素子3に複数
の異なる周波数の高周波信号を印加(マルチ周波数駆
動)して、半導体レーザ素子2から放射されたレーザビ
ームを複数に分割させた後、この複数のレーザビームを
被走査面上に同時走査する装置である。このレーザビー
ム制御装置1は、半導体レーザ素子2と、導波路型音響
光学素子3と、集光レンズ4と、ポリゴン面集光レンズ
5と、ポリゴンミラー6と、走査レンズ群7とで構成さ
れている。
いたレーザビーム制御装置1の概略構成図である。レー
ザビーム制御装置1は、導波路型音響光学素子3に複数
の異なる周波数の高周波信号を印加(マルチ周波数駆
動)して、半導体レーザ素子2から放射されたレーザビ
ームを複数に分割させた後、この複数のレーザビームを
被走査面上に同時走査する装置である。このレーザビー
ム制御装置1は、半導体レーザ素子2と、導波路型音響
光学素子3と、集光レンズ4と、ポリゴン面集光レンズ
5と、ポリゴンミラー6と、走査レンズ群7とで構成さ
れている。
【0020】半導体レーザ素子2は図示しない駆動回路
に入力された印字データに基づいて変調(オン、オフ)
制御され、オン時にレーザビームを放射する。このレー
ザビームLは集光レンズ4で収束された後、導波路型音
響光学素子3で複数の強度変調されたレーザビームに分
割され、それぞれのレーザビームはポリゴン面集光レン
ズ5を介してポリゴンミラー6に到達する。
に入力された印字データに基づいて変調(オン、オフ)
制御され、オン時にレーザビームを放射する。このレー
ザビームLは集光レンズ4で収束された後、導波路型音
響光学素子3で複数の強度変調されたレーザビームに分
割され、それぞれのレーザビームはポリゴン面集光レン
ズ5を介してポリゴンミラー6に到達する。
【0021】各レーザビームは、ポリゴンミラー6の回
転に基づいて各ポリゴン面で等角速度に偏向され、走査
レンズ群7に入射する。走査レンズ群7を透過した各レ
ーザビームは感光体ドラム8上に集光され、感光体ドラ
ム8上を紙面と垂直方向に複数同時走査する。走査レン
ズ群7は主に前記ポリゴンミラー6で等角速度で偏向さ
れた各レーザビームを被走査面(感光体ドラム8)上で
の主走査速度を等速に補正、即ち、歪曲収差を補正する
機能を有している。感光体ドラム8は矢印c方向に一定
速度で回転駆動され、ポリゴンミラー6による紙面垂直
方向への主走査とドラム8の矢印c方向への副走査によ
ってドラム8上に画像(静電潜像)が形成される。
転に基づいて各ポリゴン面で等角速度に偏向され、走査
レンズ群7に入射する。走査レンズ群7を透過した各レ
ーザビームは感光体ドラム8上に集光され、感光体ドラ
ム8上を紙面と垂直方向に複数同時走査する。走査レン
ズ群7は主に前記ポリゴンミラー6で等角速度で偏向さ
れた各レーザビームを被走査面(感光体ドラム8)上で
の主走査速度を等速に補正、即ち、歪曲収差を補正する
機能を有している。感光体ドラム8は矢印c方向に一定
速度で回転駆動され、ポリゴンミラー6による紙面垂直
方向への主走査とドラム8の矢印c方向への副走査によ
ってドラム8上に画像(静電潜像)が形成される。
【0022】以上の構成において、ポリゴンミラー6の
各ポリゴン面の面倒れ誤差を補正するために、ポリゴン
ミラー6のポリゴン面と感光体ドラム8の表面とが共役
関係になるように、走査レンズ群7に面倒れ補正機能が
付加されている。そして、図4に示すように、導波路型
音響光学素子3は、二点鎖線11にて表示したビームウ
エスト位置が素子3内の光路長の略中央に位置するよう
に配置され、インターデジタルトランスジューサ33に
よる偏向位置は、二点鎖線12にて表示されている。偏
向位置12は、所定の距離Δrだけ離れてビームウエス
ト位置11の光路下流側に配置されている。
各ポリゴン面の面倒れ誤差を補正するために、ポリゴン
ミラー6のポリゴン面と感光体ドラム8の表面とが共役
関係になるように、走査レンズ群7に面倒れ補正機能が
付加されている。そして、図4に示すように、導波路型
音響光学素子3は、二点鎖線11にて表示したビームウ
エスト位置が素子3内の光路長の略中央に位置するよう
に配置され、インターデジタルトランスジューサ33に
よる偏向位置は、二点鎖線12にて表示されている。偏
向位置12は、所定の距離Δrだけ離れてビームウエス
ト位置11の光路下流側に配置されている。
【0023】ここに、レーザビームLの変調速度(立上
がり特性)をアップさせるために、偏向位置12でのレ
ーザビームLのビーム径Dmを所定値以下、例えば85
μm以下に設定することが望ましい。また、半導体レー
ザ素子を用いた光学系のレンズを設計する際に、倍率と
レーザビーム径の設定を容易にするために、ビームウエ
スト位置11でのレーザビームLのビーム径Doと、図
4中に表示したビームウエスト位置11での隣接するレ
ーザビームLの間隔Poとの関係は、被走査面上(感光
体ドラム8)上での複数のレーザビームが並ぶ方向、即
ち副走査方向のビーム径Dvと、被走査面上での隣接す
るレーザビームの間隔Piとの関係に比例し、以下の関
係式(1)を満足することが望ましい。
がり特性)をアップさせるために、偏向位置12でのレ
ーザビームLのビーム径Dmを所定値以下、例えば85
μm以下に設定することが望ましい。また、半導体レー
ザ素子を用いた光学系のレンズを設計する際に、倍率と
レーザビーム径の設定を容易にするために、ビームウエ
スト位置11でのレーザビームLのビーム径Doと、図
4中に表示したビームウエスト位置11での隣接するレ
ーザビームLの間隔Poとの関係は、被走査面上(感光
体ドラム8)上での複数のレーザビームが並ぶ方向、即
ち副走査方向のビーム径Dvと、被走査面上での隣接す
るレーザビームの間隔Piとの関係に比例し、以下の関
係式(1)を満足することが望ましい。
【0024】Po/Do=C(Pi/Dv) ……(1) ただし、C:光学系の比例定数(倍率) 一方、レーザビームLの強度がガウス正規分布を有して
いると仮定すると、以下の関係式(2)が成立する。た
だし、Δはビームウエスト位置11と偏向位置12の間
隔Δrの空気換算距離であり、波長λにおける光導波路
32の屈折率をnとするとΔr=nΔの関係式が成立す
る。
いると仮定すると、以下の関係式(2)が成立する。た
だし、Δはビームウエスト位置11と偏向位置12の間
隔Δrの空気換算距離であり、波長λにおける光導波路
32の屈折率をnとするとΔr=nΔの関係式が成立す
る。
【0025】 Dm/Do=[1+{4λΔ/(πDo 2)}2]1/2 ……(2) この関係式(2)より、以下の関係式(3)が得られ
る。 Δ=πDo(Dm 2−Do 2)1/2/4λ ……(3) ところで、空気換算距離Δと偏向角θ1,θ2(θ2>
θ1)で回折された2本のレーザビームのビームウエス
ト位置11での間隔Poとの間には、角度θ1,θ2が充
分に小さいときsinθ1,sinθ2は略θ1,θ2とさ
れるので、以下の関係式(4)が成立する。
る。 Δ=πDo(Dm 2−Do 2)1/2/4λ ……(3) ところで、空気換算距離Δと偏向角θ1,θ2(θ2>
θ1)で回折された2本のレーザビームのビームウエス
ト位置11での間隔Poとの間には、角度θ1,θ2が充
分に小さいときsinθ1,sinθ2は略θ1,θ2とさ
れるので、以下の関係式(4)が成立する。
【0026】 Po=Δ(sinθ2−sinθ1) =Δ(θ2−θ1) ……(4) 前記関係式(3)と(4)より、以下の関係式が得られ
る。 Po/Do=π(θ2−θ1)(Dm 2−Do 2)1/2/4λ Dm 2−Do 2=[4λ/{π(θ2−θ1)}]2(Po/D
o)2 さらに、前記関係式(1)を利用して、 Dm 2−Do 2={4λCPi/π(θ2−θ1)}2(Pi/
Dv)2 となる。ここで、Pi,Dvは走査仕様によって設計上与
えられる数値であり、C,λは光学系仕様によって設計
上与えられる数値であり、Dm,θ1,θ2は導波路型音
響光学素子仕様によって設計上与えられる数値である。
る。 Po/Do=π(θ2−θ1)(Dm 2−Do 2)1/2/4λ Dm 2−Do 2=[4λ/{π(θ2−θ1)}]2(Po/D
o)2 さらに、前記関係式(1)を利用して、 Dm 2−Do 2={4λCPi/π(θ2−θ1)}2(Pi/
Dv)2 となる。ここで、Pi,Dvは走査仕様によって設計上与
えられる数値であり、C,λは光学系仕様によって設計
上与えられる数値であり、Dm,θ1,θ2は導波路型音
響光学素子仕様によって設計上与えられる数値である。
【0027】従って、レーザビーム制御装置1にあって
は、以下の関係式(5)が成立している。 Do 2=Dm 2−[4λCPi/{π(θ2−θ1)}]2(Pi/Dv)2>0 Dm>4λCPi/{π(θ2−θ1)Dv}(>0) ……(5) 次に、具体的数値を用いて空気換算距離Δの算出例を示
す。
は、以下の関係式(5)が成立している。 Do 2=Dm 2−[4λCPi/{π(θ2−θ1)}]2(Pi/Dv)2>0 Dm>4λCPi/{π(θ2−θ1)Dv}(>0) ……(5) 次に、具体的数値を用いて空気換算距離Δの算出例を示
す。
【0028】Dm=85μm、θ2−θ1=0.8゜、Pi
/Dv=1、λ=0.78μm、C=1とすると、 Do=[0.0852−[(4×0.78×10-3×1)
/{(π2/180)×0.8}]2×12]1/2=46.
5(μm) 従って、Do=46.5(μm)となるように集光レン
ズ4を選定すれば、このときの空気換算距離Δは、前記
関係式(3)より3.33mmと算出される。実際の光
導波路32での距離Δrは、波長λ=0.78μmでの
光導波路32の屈折率をnとすると、Δr=n×3.3
3を計算することによって求められる。
/Dv=1、λ=0.78μm、C=1とすると、 Do=[0.0852−[(4×0.78×10-3×1)
/{(π2/180)×0.8}]2×12]1/2=46.
5(μm) 従って、Do=46.5(μm)となるように集光レン
ズ4を選定すれば、このときの空気換算距離Δは、前記
関係式(3)より3.33mmと算出される。実際の光
導波路32での距離Δrは、波長λ=0.78μmでの
光導波路32の屈折率をnとすると、Δr=n×3.3
3を計算することによって求められる。
【0029】こうして得られたレーザビーム制御装置1
は、ビームウエスト位置11が音響光学素子3内に配置
されているので、分割後の複数のレーザビームのそれぞ
れの物点は音響光学素子3内に存在することになる。従
って、環境変化や経時変化等で音響光学素子3の位置が
他の光学素子2,4,5,6,7に対してずれても、各
レーザビームの物点は等しくずれるため、ビームウエス
ト位置11と偏向位置12の相対的位置関係はずれにく
く、感光体ドラム8上での複数走査ラインの間隔を一定
に保つことができる。
は、ビームウエスト位置11が音響光学素子3内に配置
されているので、分割後の複数のレーザビームのそれぞ
れの物点は音響光学素子3内に存在することになる。従
って、環境変化や経時変化等で音響光学素子3の位置が
他の光学素子2,4,5,6,7に対してずれても、各
レーザビームの物点は等しくずれるため、ビームウエス
ト位置11と偏向位置12の相対的位置関係はずれにく
く、感光体ドラム8上での複数走査ラインの間隔を一定
に保つことができる。
【0030】また、環境変化や電源変動等で音響光学素
子3の駆動誤差が生じても、各レーザビームの物点は音
響光学素子3内にあるため、物点のシフトは偏向角
θ1,θ2のシフト差分のみですみ、音響光学素子3から
空気中に出射するレーザビームの出射角変動量の影響は
受けない。その結果、感光体ドラム8上での複数走査ラ
インの間隔を一定に保つことができる。
子3の駆動誤差が生じても、各レーザビームの物点は音
響光学素子3内にあるため、物点のシフトは偏向角
θ1,θ2のシフト差分のみですみ、音響光学素子3から
空気中に出射するレーザビームの出射角変動量の影響は
受けない。その結果、感光体ドラム8上での複数走査ラ
インの間隔を一定に保つことができる。
【0031】また、導波路型音響光学素子3にあって
も、分割されたレーザビームの非点隔差は発生するが、
屈折率分布や回折格子や導波路レンズ等の非点隔差補正
機能を導波路32内に形成する加工技術は比較的容易で
あり、量産性もある。以上の結果から、感光体ドラム8
上での複数走査ラインの間隔を一定に保つことができ、
かつ、非点隔差が少ないレーザビーム制御装置1が得ら
れる。
も、分割されたレーザビームの非点隔差は発生するが、
屈折率分布や回折格子や導波路レンズ等の非点隔差補正
機能を導波路32内に形成する加工技術は比較的容易で
あり、量産性もある。以上の結果から、感光体ドラム8
上での複数走査ラインの間隔を一定に保つことができ、
かつ、非点隔差が少ないレーザビーム制御装置1が得ら
れる。
【0032】また、レーザビーム制御装置1は、ビーム
ウエスト位置11を音響光学素子3内の光路長の略中央
部に位置させ、隣接するレーザビームが、Dm>4λC
Pi/{π(θ2−θ1)Dv}を満足し、かつ、空気換算
距離Δが、Δ=πDo(Dm 2−Do 2)1/2/4λを満足し
ているので、光導波路32に対して入射/出射するレー
ザビームLの横断面積を最小にすることができ、入射/
出射のそれぞれの透過面に要求される平坦度(平滑度)
の精度を緩和することができる。
ウエスト位置11を音響光学素子3内の光路長の略中央
部に位置させ、隣接するレーザビームが、Dm>4λC
Pi/{π(θ2−θ1)Dv}を満足し、かつ、空気換算
距離Δが、Δ=πDo(Dm 2−Do 2)1/2/4λを満足し
ているので、光導波路32に対して入射/出射するレー
ザビームLの横断面積を最小にすることができ、入射/
出射のそれぞれの透過面に要求される平坦度(平滑度)
の精度を緩和することができる。
【0033】[第2実施形態、図5]図5に示すよう
に、第2実施形態のレーザビーム制御装置41に用いら
れる導波路型音響光学素子42は、インターデジタルト
ランスジューサ43を残して前記第1実施形態の導波路
型音響光学素子3と同様のものである。光導波路32上
に、その中央部左寄りの位置にインターデジタルトラン
スジューサ43が形成されている。さらに、図示しない
が、光導波路32上の左右両端部に入射用プリズム及び
出射用プリズムが配設されている。音響光学素子42
は、ビームウエスト位置11が素子42内の光路長の略
中央部に位置するように配置されている。インターデジ
タルトランスジューサ43による偏向位置12は所定の
距離Δrだけ離れてビームウエスト位置11の光路上流
側に配置されている。
に、第2実施形態のレーザビーム制御装置41に用いら
れる導波路型音響光学素子42は、インターデジタルト
ランスジューサ43を残して前記第1実施形態の導波路
型音響光学素子3と同様のものである。光導波路32上
に、その中央部左寄りの位置にインターデジタルトラン
スジューサ43が形成されている。さらに、図示しない
が、光導波路32上の左右両端部に入射用プリズム及び
出射用プリズムが配設されている。音響光学素子42
は、ビームウエスト位置11が素子42内の光路長の略
中央部に位置するように配置されている。インターデジ
タルトランスジューサ43による偏向位置12は所定の
距離Δrだけ離れてビームウエスト位置11の光路上流
側に配置されている。
【0034】以上の構成からなる導波路型音響光学素子
42を用いたレーザビーム制御装置41は、前記第1実
施形態のレーザビーム制御装置1と同様の作用効果を奏
する。
42を用いたレーザビーム制御装置41は、前記第1実
施形態のレーザビーム制御装置1と同様の作用効果を奏
する。
【0035】[第3実施形態、図6及び図7]従来のレ
ーザビーム制御装置は、超音波振動子を光軸方向に移動
させることにより偏向位置を変え、画像密度の切換えを
行っていた。このため、画像密度の切換えが超音波振動
子の移動誤差の影響を受け易いという問題点があった。
そこで、第3実施形態は、画像密度の切換えを確実かつ
安定して行なうことができるレーザビーム制御装置につ
いて説明する。
ーザビーム制御装置は、超音波振動子を光軸方向に移動
させることにより偏向位置を変え、画像密度の切換えを
行っていた。このため、画像密度の切換えが超音波振動
子の移動誤差の影響を受け易いという問題点があった。
そこで、第3実施形態は、画像密度の切換えを確実かつ
安定して行なうことができるレーザビーム制御装置につ
いて説明する。
【0036】図6に示すように、レーザビーム制御装置
51は、導波路型音響光学素子52とスイッチS1,S
2を残して前記第1実施形態のレーザビーム制御装置1
と同様のものである。導波路型音響光学素子52は、基
板上に光導波路32を設け、この光導波路32上の中央
部左寄りの位置に低密度用インターデジタルトランスジ
ューサ53を設けると共に、中央部右寄りの位置に高密
度用インターデジタルトランスジューサ54を設けてい
る。さらに、図示しないが、光導波路32上の左右両端
部に入射用プリズム及び出射用プリズムが配設されてい
る。
51は、導波路型音響光学素子52とスイッチS1,S
2を残して前記第1実施形態のレーザビーム制御装置1
と同様のものである。導波路型音響光学素子52は、基
板上に光導波路32を設け、この光導波路32上の中央
部左寄りの位置に低密度用インターデジタルトランスジ
ューサ53を設けると共に、中央部右寄りの位置に高密
度用インターデジタルトランスジューサ54を設けてい
る。さらに、図示しないが、光導波路32上の左右両端
部に入射用プリズム及び出射用プリズムが配設されてい
る。
【0037】音響光学素子52は、ビームウエスト位置
11が素子52内の光路長の略中央部に位置するように
配置されている。低密度用インターデジタルトランスジ
ューサ53による偏向位置13は、所定の距離Δr1だ
け離れてビームウエスト位置11の光路上流側に配置さ
れている。高密度用インターデジタルトランスジューサ
54による偏向位置14は所定の距離Δr2(図7参
照)だけ離れてビームウエスト位置11の光路下流側に
配置されている。
11が素子52内の光路長の略中央部に位置するように
配置されている。低密度用インターデジタルトランスジ
ューサ53による偏向位置13は、所定の距離Δr1だ
け離れてビームウエスト位置11の光路上流側に配置さ
れている。高密度用インターデジタルトランスジューサ
54による偏向位置14は所定の距離Δr2(図7参
照)だけ離れてビームウエスト位置11の光路下流側に
配置されている。
【0038】さらに、偏向位置13でのビーム径Dm1及
び偏向位置13からビームウエスト位置11までの空気
換算距離Δ1が、それぞれ前記第1実施形態に記載され
た関係式(3)及び(5)を満足している。同様に、偏
向位置14でのビーム径Dm2及び偏向位置14からビー
ムウエスト位置11までの空気換算距離Δ2が、それぞ
れ前記関係式(3)及び(5)を満足している。各イン
ターデジタルトランスジューサ53,54は、それぞれ
スイッチS1,S2を介して高周波電源37に接続され
ている。
び偏向位置13からビームウエスト位置11までの空気
換算距離Δ1が、それぞれ前記第1実施形態に記載され
た関係式(3)及び(5)を満足している。同様に、偏
向位置14でのビーム径Dm2及び偏向位置14からビー
ムウエスト位置11までの空気換算距離Δ2が、それぞ
れ前記関係式(3)及び(5)を満足している。各イン
ターデジタルトランスジューサ53,54は、それぞれ
スイッチS1,S2を介して高周波電源37に接続され
ている。
【0039】以上の構成からなるレーザビーム制御装置
51において、被走査面上に低密度画像を形成する場合
には、図6に示すように、スイッチS1をオン、スイッ
チS2をオフして、半導体レーザ素子2から放射された
レーザビームLを偏向位置13にて分割し、複数のレー
ザビームとする。この場合、被走査面上での複数走査ラ
インの間隔は大きくなる。逆に、被走査面上に高密度画
像を形成する場合には、図7に示すように、スイッチS
1をオフ、スイッチS2をオンして、レーザビームLを
偏向位置14にて分割し、複数のレーザビームとする。
この場合、被走査面上での複数走査ラインの間隔は小さ
くなる。
51において、被走査面上に低密度画像を形成する場合
には、図6に示すように、スイッチS1をオン、スイッ
チS2をオフして、半導体レーザ素子2から放射された
レーザビームLを偏向位置13にて分割し、複数のレー
ザビームとする。この場合、被走査面上での複数走査ラ
インの間隔は大きくなる。逆に、被走査面上に高密度画
像を形成する場合には、図7に示すように、スイッチS
1をオフ、スイッチS2をオンして、レーザビームLを
偏向位置14にて分割し、複数のレーザビームとする。
この場合、被走査面上での複数走査ラインの間隔は小さ
くなる。
【0040】このように、レーザビーム制御装置51
は、スイッチS1,S2で偏向位置13と14を切り換
えることによって、前記第1実施形態のレーザビーム制
御装置1の作用効果に加え、簡単な構成で画像密度の切
換えを確実かつ安定して行なうことができる。
は、スイッチS1,S2で偏向位置13と14を切り換
えることによって、前記第1実施形態のレーザビーム制
御装置1の作用効果に加え、簡単な構成で画像密度の切
換えを確実かつ安定して行なうことができる。
【0041】[第4実施形態、図8及び図9]第4実施
形態は、画像密度の切換えを確実かつ安定して行なうこ
とができる別のレーザビーム制御装置について説明す
る。
形態は、画像密度の切換えを確実かつ安定して行なうこ
とができる別のレーザビーム制御装置について説明す
る。
【0042】図8に示すように、レーザビーム制御装置
61は、高周波電源62,63を残して前記第3実施形
態のレーザビーム制御装置51と同様のものである。高
周波電源62,63はそれぞれ異なる周波数f1,f2の
高周波信号を発生させ、スイッチS1,S2を介して低
密度用インターデジタルトランスジューサ53、高密度
用インターデジタルトランスジューサ54に接続されて
いる。以上の構成からなるレーザビーム制御装置61に
おいて、被走査面上に低密度画像を形成する場合には、
図8に示すように、スイッチS1をオン、スイッチS2
をオフして、レーザビームLを偏向位置13にて分割
し、複数のレーザビームとする。この場合、被走査面上
での複数走査ラインの間隔は大きくなる。逆に、被走査
面上に高密度画像を形成する場合には、図9に示すよう
に、スイッチS1をオフ、スイッチS2をオンして、レ
ーザビームLを偏向位置14にて分割し、複数のレーザ
ビームとする。この場合、被走査面上での複数走査ライ
ンの間隔は小さくなる。
61は、高周波電源62,63を残して前記第3実施形
態のレーザビーム制御装置51と同様のものである。高
周波電源62,63はそれぞれ異なる周波数f1,f2の
高周波信号を発生させ、スイッチS1,S2を介して低
密度用インターデジタルトランスジューサ53、高密度
用インターデジタルトランスジューサ54に接続されて
いる。以上の構成からなるレーザビーム制御装置61に
おいて、被走査面上に低密度画像を形成する場合には、
図8に示すように、スイッチS1をオン、スイッチS2
をオフして、レーザビームLを偏向位置13にて分割
し、複数のレーザビームとする。この場合、被走査面上
での複数走査ラインの間隔は大きくなる。逆に、被走査
面上に高密度画像を形成する場合には、図9に示すよう
に、スイッチS1をオフ、スイッチS2をオンして、レ
ーザビームLを偏向位置14にて分割し、複数のレーザ
ビームとする。この場合、被走査面上での複数走査ライ
ンの間隔は小さくなる。
【0043】このレーザビーム制御装置61は前記第3
実施形態のレーザビーム制御装置51の作用効果に加
え、偏向位置13,14の切換えと周波数f1,f2の切
換えを組み合わせることによって、画像密度の切換えの
自由度を大きくすることができる。
実施形態のレーザビーム制御装置51の作用効果に加
え、偏向位置13,14の切換えと周波数f1,f2の切
換えを組み合わせることによって、画像密度の切換えの
自由度を大きくすることができる。
【0044】[他の実施形態]なお、本発明に係るレー
ザビーム制御装置は前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
ザビーム制御装置は前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【0045】例えば、光導波路に対するレーザビームの
入射及び出射は、プリズムの他に、光導波路に形成され
た回折格子(グレーティング)や、端面結合を利用する
光導波路端面等によっても行なうことができる。さら
に、ビームウエスト位置は、光導波路の外界との界面近
傍に位置させることが望ましい。レーザビームが更に小
さい面積範囲で光導波路と外界との界面を透過するの
で、光導波路の透過面の平坦度の精度を更に緩和するこ
とができるからである。
入射及び出射は、プリズムの他に、光導波路に形成され
た回折格子(グレーティング)や、端面結合を利用する
光導波路端面等によっても行なうことができる。さら
に、ビームウエスト位置は、光導波路の外界との界面近
傍に位置させることが望ましい。レーザビームが更に小
さい面積範囲で光導波路と外界との界面を透過するの
で、光導波路の透過面の平坦度の精度を更に緩和するこ
とができるからである。
【0046】また、前記第2実施形態において、ビーム
ウエスト位置11を音響光学素子3の右側端部(図5参
照)に位置させると、レーザビームが更に小さい面積範
囲で光導波路32と外界との界面を透過するので、光導
波路32の透過面の平坦度の精度を更に緩和することが
でき、かつ、非点隔差の影響を更に小さくすることがで
きる。
ウエスト位置11を音響光学素子3の右側端部(図5参
照)に位置させると、レーザビームが更に小さい面積範
囲で光導波路32と外界との界面を透過するので、光導
波路32の透過面の平坦度の精度を更に緩和することが
でき、かつ、非点隔差の影響を更に小さくすることがで
きる。
【0047】
【実施例】図10に、発明者らが製作した第1及び第2
実施形態のレーザビーム制御装置に用いられる導波路型
音響光学素子を示す。矩形状のセラミック基板100上
には、左辺から右辺に渡ってLiNbO3からなる光導
波路101が形成されている。光導波路101の中央部
には、表面弾性波を発生させるためのインターデジタル
トランスジューサ102と、不要な表面弾性波を吸収す
るためのインターデジタルトランスジューサ103とが
対向して形成されている。セラミック基板100上に
は、光導波路101を間にして、その両側に電極105
が設けられている。この電極105は、インターデジタ
ルトランスジューサ102,103と外部周辺装置(例
えば、高周波電源等)を電気的に接続する際に中継電極
として利用される。
実施形態のレーザビーム制御装置に用いられる導波路型
音響光学素子を示す。矩形状のセラミック基板100上
には、左辺から右辺に渡ってLiNbO3からなる光導
波路101が形成されている。光導波路101の中央部
には、表面弾性波を発生させるためのインターデジタル
トランスジューサ102と、不要な表面弾性波を吸収す
るためのインターデジタルトランスジューサ103とが
対向して形成されている。セラミック基板100上に
は、光導波路101を間にして、その両側に電極105
が設けられている。この電極105は、インターデジタ
ルトランスジューサ102,103と外部周辺装置(例
えば、高周波電源等)を電気的に接続する際に中継電極
として利用される。
【0048】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、導波路型音響光学素子内にて、半導体レーザ素
子から放射されるレーザビームを複数のレーザビームに
分割する偏向位置と、この偏向位置近傍のビームウエス
ト位置とが所定の間隔を有しているので、像面上での各
々のレーザビーム相互間のライン間隔を一定に保つこと
ができ、かつ、非点隔差が少ないレーザビーム制御装置
を得ることができる。
よれば、導波路型音響光学素子内にて、半導体レーザ素
子から放射されるレーザビームを複数のレーザビームに
分割する偏向位置と、この偏向位置近傍のビームウエス
ト位置とが所定の間隔を有しているので、像面上での各
々のレーザビーム相互間のライン間隔を一定に保つこと
ができ、かつ、非点隔差が少ないレーザビーム制御装置
を得ることができる。
【0049】さらに、導波路型音響光学素子に超音波振
動子を複数設けることによって、偏向位置を切り換える
ことができ、安定かつ確実に画像密度変更を行なうこと
ができるレーザビーム制御装置が得られる。
動子を複数設けることによって、偏向位置を切り換える
ことができ、安定かつ確実に画像密度変更を行なうこと
ができるレーザビーム制御装置が得られる。
【図1】本発明に係るレーザビーム制御装置の第1実施
形態に用いられる導波路型音響光学素子を示す斜視図。
形態に用いられる導波路型音響光学素子を示す斜視図。
【図2】図1に示した導波路型音響光学素子のさらに詳
細な斜視図。
細な斜視図。
【図3】第1実施形態のレーザビーム制御装置を示す構
成図。
成図。
【図4】図3に示したレーザビーム制御装置の作用を説
明するための光路図。
明するための光路図。
【図5】本発明に係るレーザビーム制御装置の第2実施
形態を示す光路図。
形態を示す光路図。
【図6】本発明に係るレーザビーム制御装置の第3実施
形態を示す光路図。
形態を示す光路図。
【図7】図6に示したレーザビーム制御装置の作用を説
明するための光路図。
明するための光路図。
【図8】本発明に係るレーザビーム制御装置の第4実施
形態を示す光路図。
形態を示す光路図。
【図9】図8に示したレーザビーム制御装置の作用を説
明するための光路図。
明するための光路図。
【図10】本発明に係るレーザビーム制御装置に用いら
れる導波路型音響光学素子の具体的実施例を示す平面
図。
れる導波路型音響光学素子の具体的実施例を示す平面
図。
1,41,51,61…レーザビーム制御装置 2…半導体レーザ素子 3,42,52…導波路型音響光学素子 6…ポリゴンミラー(偏向器) 11…ビームウエスト位置 12,13,14…偏向位置 33,43,53,54…トランスジューサ(超音波振
動子) Δr,Δr1,Δr2…距離
動子) Δr,Δr1,Δr2…距離
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体レーザ素子と、 マルチ周波数駆動させて、前記半導体レーザ素子から放
射したレーザビームを偏向して複数のレーザビームに分
割させる導波路型音響光学素子と、 前記導波路型音響光学素子から出射した前記複数のレー
ザビームを主走査方向に偏向させるための偏向器とを備
え、 前記導波路型音響光学素子内にて、前記半導体レーザ素
子から出射したレーザビームを複数のレーザビームに分
割する偏向位置と、この偏向位置近傍のビームウエスト
位置とが所定の間隔を有していること、 を特徴とするレーザビーム制御装置。 - 【請求項2】 前記導波路型音響光学素子が表面弾性波
を発生させるための複数の超音波振動子を有しているこ
とを特徴とする請求項1記載のレーザビーム制御装置。 - 【請求項3】 前記複数のレーザビームの隣接する二つ
のレーザビームが、 Dm>4λ・C・Pi/{π・(θ2−θ1)・Dv} を満足し、かつ、前記偏向位置から前記ビームウエスト
位置までの空気換算距離Δが、 Δ=π・Do・(Dm 2−Do 2)1/2/4λ ただし、Dm:偏向位置でのビーム径 Dv:被走査面上での複数のレーザビームが並ぶ方向の
ビーム径 Do:ビームウエスト位置でのビーム径 Pi:被走査面上での隣接するレーザビームの間隔 θ1,θ2:隣接する二つのレーザビームの偏向角(θ2
>θ1) C:光学系の比例定数(倍率) λ:レーザビームの波長 を満足していることを特徴とする請求項1又は請求項2
記載のレーザビーム制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8306414A JPH10148855A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | レーザビーム制御装置 |
| US08/972,803 US5890789A (en) | 1996-11-18 | 1997-11-18 | Multi-beam emitting device having an acoustooptic element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8306414A JPH10148855A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | レーザビーム制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10148855A true JPH10148855A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17956741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8306414A Pending JPH10148855A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | レーザビーム制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10148855A (ja) |
-
1996
- 1996-11-18 JP JP8306414A patent/JPH10148855A/ja active Pending
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