JPH10150220A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH10150220A JPH10150220A JP32102696A JP32102696A JPH10150220A JP H10150220 A JPH10150220 A JP H10150220A JP 32102696 A JP32102696 A JP 32102696A JP 32102696 A JP32102696 A JP 32102696A JP H10150220 A JPH10150220 A JP H10150220A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 23
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ｎ電極を取り付けるためのエッチング工程を
必要としない安価な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 導電性であり、かつ発光素子の発光する
光を透過させる基板１の一の面の一部を被覆してｎ電極
６が取り付けられる。基板の他の面の上には、基板側か
らｎ型の第１の半導体層２、発光層３及びｐ型の第２の
半導体層４を順次積層してなる発光素子構造が形成され
る。ｐ型の第２の半導体層４にはその実質的な全面を被
覆してｐ電極５が取り付けられる。
必要としない安価な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 導電性であり、かつ発光素子の発光する
光を透過させる基板１の一の面の一部を被覆してｎ電極
６が取り付けられる。基板の他の面の上には、基板側か
らｎ型の第１の半導体層２、発光層３及びｐ型の第２の
半導体層４を順次積層してなる発光素子構造が形成され
る。ｐ型の第２の半導体層４にはその実質的な全面を被
覆してｐ電極５が取り付けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体発光素子の
改良に関する。この発明はＧａＮ系化合物半導体で形成
される発光ダイオードやレーザダイオードに適用するこ
とができる。
改良に関する。この発明はＧａＮ系化合物半導体で形成
される発光ダイオードやレーザダイオードに適用するこ
とができる。
【０００２】
【従来の技術】可視光短波長領域の発光素子として化合
物半導体を用いたものが知られている。なかでもIII族
窒化物半導体は直接遷移型であることから発光効率が高
くかつ光の３原色の１つである青色を発光することか
ら、特に注目を集めている。
物半導体を用いたものが知られている。なかでもIII族
窒化物半導体は直接遷移型であることから発光効率が高
くかつ光の３原色の１つである青色を発光することか
ら、特に注目を集めている。
【０００３】このような発光素子は、例えば、サファイ
ア基板の上にバッファ層、ｎ型の半導体層、発光層及び
ｐ型の半導体層を順に積層した構成である。
ア基板の上にバッファ層、ｎ型の半導体層、発光層及び
ｐ型の半導体層を順に積層した構成である。
【０００４】このような発光素子においてはサファイア
基板が絶縁体であることから、ｐ型の半導体層とｎ型の
半導体層を挟むように電極を取り付けることができな
い。従って、素子の上面、即ちサファイア基板のない同
一面においてｐ型及びｎ型の半導体層へそれぞれ電極を
形成する必要があり、ｐ型の半導体層及び発光層の一部
を除去し、ｎ型の半導体層を露出させるためのエッチン
グ等の工程が別途必要となる。
基板が絶縁体であることから、ｐ型の半導体層とｎ型の
半導体層を挟むように電極を取り付けることができな
い。従って、素子の上面、即ちサファイア基板のない同
一面においてｐ型及びｎ型の半導体層へそれぞれ電極を
形成する必要があり、ｐ型の半導体層及び発光層の一部
を除去し、ｎ型の半導体層を露出させるためのエッチン
グ等の工程が別途必要となる。
【０００５】ｐ型の半導体層は電気抵抗が高いので、電
極を単にこれへ接合しただけではこれから注入されるキ
ャリアがｐ型半導体層全体に拡散しない。そこで、発光
層より放出される光を透過させかつキャリアをｐ型の半
導体層の全体に均一に拡散させるため、透光性電極をｐ
型の半導体層の上面の実質的な全面に設けなければなら
なかった。そして、この透光性電極の上にボンディング
用の電極パッドが取り付けられる。
極を単にこれへ接合しただけではこれから注入されるキ
ャリアがｐ型半導体層全体に拡散しない。そこで、発光
層より放出される光を透過させかつキャリアをｐ型の半
導体層の全体に均一に拡散させるため、透光性電極をｐ
型の半導体層の上面の実質的な全面に設けなければなら
なかった。そして、この透光性電極の上にボンディング
用の電極パッドが取り付けられる。
【０００６】また、エッチングにより露出することとな
ったｎ型の半導体層の上面へ電極を接続した場合には電
流がこのｎ型の半導体層内で平行に流れることになり、
抵抗が大きくなって不必要な電圧降下や発熱が生じる。
ったｎ型の半導体層の上面へ電極を接続した場合には電
流がこのｎ型の半導体層内で平行に流れることになり、
抵抗が大きくなって不必要な電圧降下や発熱が生じる。
【０００７】サファイア基板がリードフレームに接続さ
れるので、発光層で生じた熱は基板を通してリードフレ
ームへ逃がされる。サファイア基板は素子全体の厚みの
大部分を占めており、このような厚いサファイア基板を
通して熱を逃がすのは効率的でない。
れるので、発光層で生じた熱は基板を通してリードフレ
ームへ逃がされる。サファイア基板は素子全体の厚みの
大部分を占めており、このような厚いサファイア基板を
通して熱を逃がすのは効率的でない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題の
少なくとも１つを解決すべくなされたものである。その
構成は、ＧａＮ系の化合物半導体で形成される発光素子
であって、導電性であり、かつ前記発光素子の発光する
光を透過させる基板と、該基板の一の面の一部を被覆し
て取り付けられるｎ電極と、前記基板の他の面の上に形
成される発光素子構造であって、前記基板側からｎ型の
第１の半導体層、発光層及びｐ型の第２の半導体層が順
次積層され、前記第２の半導体層の上にｐ電極と、を備
えてなる。
少なくとも１つを解決すべくなされたものである。その
構成は、ＧａＮ系の化合物半導体で形成される発光素子
であって、導電性であり、かつ前記発光素子の発光する
光を透過させる基板と、該基板の一の面の一部を被覆し
て取り付けられるｎ電極と、前記基板の他の面の上に形
成される発光素子構造であって、前記基板側からｎ型の
第１の半導体層、発光層及びｐ型の第２の半導体層が順
次積層され、前記第２の半導体層の上にｐ電極と、を備
えてなる。
【０００９】
【発明の作用・効果】上記構成の半導体発光素子によれ
ば、基板にｎ電極が取り付けられｐ型の第２の半導体層
にｐ電極が取り付けられるので、電極を取り付けるため
のエッチング工程が不要となる。よって、安価な発光素
子を提供できる。
ば、基板にｎ電極が取り付けられｐ型の第２の半導体層
にｐ電極が取り付けられるので、電極を取り付けるため
のエッチング工程が不要となる。よって、安価な発光素
子を提供できる。
【００１０】このように発光素子構造を挟んでｎ電極と
ｐ電極とを取り付けると、素子に対し電流が実質的に垂
直に流れる。従って、抵抗を可及的に小さくでき、不必
要な電圧降下や発熱の発生を防止できる。
ｐ電極とを取り付けると、素子に対し電流が実質的に垂
直に流れる。従って、抵抗を可及的に小さくでき、不必
要な電圧降下や発熱の発生を防止できる。
【００１１】基板が発光する光を透過させかつｎ電極が
その一部しか被覆していないので、さらにはｐ型の第２
の半導体層の実質的な全面にｐ電極が設けられているの
で、基板を上側にしてｐ電極を直接リードフレームに装
着することができる。これにより発光層の発熱を何ら基
板を介することなく、効率よくリードフレームへ逃がす
ことができる。よって、電流−光出力（Ｉ−Ｌ）特性の
直線性が向上する。また、ｐ電極がリードフレームへ直
接装着されることにより、リードフレームとｐ電極との
間のワイヤボンディングが不要となる。
その一部しか被覆していないので、さらにはｐ型の第２
の半導体層の実質的な全面にｐ電極が設けられているの
で、基板を上側にしてｐ電極を直接リードフレームに装
着することができる。これにより発光層の発熱を何ら基
板を介することなく、効率よくリードフレームへ逃がす
ことができる。よって、電流−光出力（Ｉ−Ｌ）特性の
直線性が向上する。また、ｐ電極がリードフレームへ直
接装着されることにより、リードフレームとｐ電極との
間のワイヤボンディングが不要となる。
【００１２】ｐ電極から第２の半導体層の実質的な全面
にキャリアが実質的に均一に注入される。即ち、ｐ型の
第２の半導体層における電流密度が均一になる。このよ
うにするため、例えば第２の半導体層に対してその実質
的な全面を被覆するようにｐ電極を取り付ける。これに
より、ｐ電極とｐ型の第２の半導体層との間に設けられ
ていた透光性電極は不要となる。よって、構成要素の少
ない安価な発光素子を提供できることとなる。
にキャリアが実質的に均一に注入される。即ち、ｐ型の
第２の半導体層における電流密度が均一になる。このよ
うにするため、例えば第２の半導体層に対してその実質
的な全面を被覆するようにｐ電極を取り付ける。これに
より、ｐ電極とｐ型の第２の半導体層との間に設けられ
ていた透光性電極は不要となる。よって、構成要素の少
ない安価な発光素子を提供できることとなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を実
施例に基づいて説明する。図１は実施例の発光ダイオー
ド１０の断面図である。この発光ダイオード１０は基板
１にｎクラッド層（ｎ型の第１の半導体層）２、発光層
３及びｐクラッド層（ｐ型の第２の半導体層）４を順次
積層して発光素子構造を構成しており、基板１の一面
（図１において下面）と、ｐクラッド層４の表面にそれ
ぞれｎ電極６とｐ電極５が取り付けられる。
施例に基づいて説明する。図１は実施例の発光ダイオー
ド１０の断面図である。この発光ダイオード１０は基板
１にｎクラッド層（ｎ型の第１の半導体層）２、発光層
３及びｐクラッド層（ｐ型の第２の半導体層）４を順次
積層して発光素子構造を構成しており、基板１の一面
（図１において下面）と、ｐクラッド層４の表面にそれ
ぞれｎ電極６とｐ電極５が取り付けられる。
【００１４】各半導体層のスペックは次の通りである。 半導体層 ： 組成：ドーパント （膜厚） ｐクラッド層４ ： ｐ−ＧａＮ:Ｍｇ （50nm） 発光層 ３ ： 量子井戸構造 量子井戸層 ： Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ（3.5nm) バリア層 ： ＧａＮ （3.5nm） 量子井戸層とバリア層の繰り返し数：５ ｎクラッド層２ ： ｎ−ＧａＮ：Ｓｉ （3μm） 基板１ ： ｎ−ＧａＮ （200μm）
【００１５】ｐ電極５はｐクラッド層４の表面の略全域
を被覆して積層されている。このｐ電極５は金、白金、
パラジウム、ニッケル及びこれらを含む合金、又はこれ
らの複数種類の金属を積層してなる複合金属層で形成さ
れる。ｐ電極５の膜厚は０．５μm 以上とすることが好
ましい。このｐ電極５の厚さが０．５μm 未満である
と、ｐ電極５をリードフレームに装着するとき、両者を
固定するためのソルダ若しくは金属ペーストがｐクラッ
ド層４へ短絡するおそれがある。
を被覆して積層されている。このｐ電極５は金、白金、
パラジウム、ニッケル及びこれらを含む合金、又はこれ
らの複数種類の金属を積層してなる複合金属層で形成さ
れる。ｐ電極５の膜厚は０．５μm 以上とすることが好
ましい。このｐ電極５の厚さが０．５μm 未満である
と、ｐ電極５をリードフレームに装着するとき、両者を
固定するためのソルダ若しくは金属ペーストがｐクラッ
ド層４へ短絡するおそれがある。
【００１６】ｎ電極６は基板１の一の面の一部を被覆し
て形成される。このｎ電極に対してワイヤボンディング
が施される。このｎ電極６はアルミニウムで形成され
る。その他、バナジウム、ニオブ、ジルコニア、クロム
及びこれらを含む合金でｎ電極を形成することもでき
る。ｎ−ＧａＮ層１、２はその抵抗を比較的小さくでき
るので、このｎ−電極６が基板１の一部にコンタクトし
ておれば、キャリアをその全面に十分に拡散させること
ができる。したがって、光の遮蔽をできるだけ小さくす
るため、ｎ−電極６の面積はワイヤボンディングの作業
に要求される最小の大きさとする。
て形成される。このｎ電極に対してワイヤボンディング
が施される。このｎ電極６はアルミニウムで形成され
る。その他、バナジウム、ニオブ、ジルコニア、クロム
及びこれらを含む合金でｎ電極を形成することもでき
る。ｎ−ＧａＮ層１、２はその抵抗を比較的小さくでき
るので、このｎ−電極６が基板１の一部にコンタクトし
ておれば、キャリアをその全面に十分に拡散させること
ができる。したがって、光の遮蔽をできるだけ小さくす
るため、ｎ−電極６の面積はワイヤボンディングの作業
に要求される最小の大きさとする。
【００１７】かかる構成の発光素子１０は、図２に示す
とおり、ｐ電極５が下側となり、リードフレーム２０に
直接接続される。図中の符号２１はソルダである。
とおり、ｐ電極５が下側となり、リードフレーム２０に
直接接続される。図中の符号２１はソルダである。
【００１８】図２に示すように、実施例の発光素子２０
ではその基板１が上側になる。したがって、基板１は発
光層３で生じた光が透過できる材料で形成される。ま
た、発光素子構造（ｎクラッド層２、発光層３及びｐク
ラッド層４）とｎ電極６との通電のため、導電性を有す
る必要がある。この実施例では、発光層３において青色
の光が生じるので、この光が透過できるバンドギャップ
を持ち、かつ導電性を備えるように十分なキャリア濃度
のｎ型ＧａＮ（キャリア濃度：２ X １０18 ／ｃｍ3）
で基板１が形成されている。
ではその基板１が上側になる。したがって、基板１は発
光層３で生じた光が透過できる材料で形成される。ま
た、発光素子構造（ｎクラッド層２、発光層３及びｐク
ラッド層４）とｎ電極６との通電のため、導電性を有す
る必要がある。この実施例では、発光層３において青色
の光が生じるので、この光が透過できるバンドギャップ
を持ち、かつ導電性を備えるように十分なキャリア濃度
のｎ型ＧａＮ（キャリア濃度：２ X １０18 ／ｃｍ3）
で基板１が形成されている。
【００１９】この基板１は、発光素子構造の各層２ない
し４との格子整合をとるため、ＧａＮ系の化合物半導
体、即ちＡｌX1ＩｎY1Ｇａ1-X1ーY1Ｎ（Ｘ１＝０、Ｙ１
＝０、Ｘ１＝Ｙ１＝０を含む）で形成することが好まし
い。このように基板を発光素子構造と同じＧａＮ系の化
合物半導体で形成すると、基板と発光素子構造との熱膨
張率が等しくなる。これにより、熱歪がなくなり、発光
素子構造の結晶性が向上し、発光効率が増大する。この
基板１には意図的な不純物を添加してもしなくてもよ
い。なお、半導体層を成長させるときのバックグラウン
ドの雰囲気に存在することにより半導体層に含まれるこ
ととなった不純物は、この明細書でいうところの意図的
な不純物に該当しない。
し４との格子整合をとるため、ＧａＮ系の化合物半導
体、即ちＡｌX1ＩｎY1Ｇａ1-X1ーY1Ｎ（Ｘ１＝０、Ｙ１
＝０、Ｘ１＝Ｙ１＝０を含む）で形成することが好まし
い。このように基板を発光素子構造と同じＧａＮ系の化
合物半導体で形成すると、基板と発光素子構造との熱膨
張率が等しくなる。これにより、熱歪がなくなり、発光
素子構造の結晶性が向上し、発光効率が増大する。この
基板１には意図的な不純物を添加してもしなくてもよ
い。なお、半導体層を成長させるときのバックグラウン
ドの雰囲気に存在することにより半導体層に含まれるこ
ととなった不純物は、この明細書でいうところの意図的
な不純物に該当しない。
【００２０】ｎクラッド層２はＡｌX2ＩｎY2Ｇａ
1-X2ーY2Ｎ（Ｘ２＝０、Ｙ２＝０、Ｘ２＝Ｙ２＝０を含
む）で形成することができる。その膜厚は、１〜３μm
とすることが好ましい。ここにおいて、Ｘ２＝Ｘ１、Ｙ
２＝Ｙ１とすると、ｎクラッド層２と基板１とが一体と
なり、両者の間で境がなくなる。このようにすると、基
板１とｎクラッド層２とを同一の半導体成長条件で成長
できることとなり、製造が容易となる。このｎクラッド
層２には意図的な不純物を添加してもしなくてもよい。
1-X2ーY2Ｎ（Ｘ２＝０、Ｙ２＝０、Ｘ２＝Ｙ２＝０を含
む）で形成することができる。その膜厚は、１〜３μm
とすることが好ましい。ここにおいて、Ｘ２＝Ｘ１、Ｙ
２＝Ｙ１とすると、ｎクラッド層２と基板１とが一体と
なり、両者の間で境がなくなる。このようにすると、基
板１とｎクラッド層２とを同一の半導体成長条件で成長
できることとなり、製造が容易となる。このｎクラッド
層２には意図的な不純物を添加してもしなくてもよい。
【００２１】ｎクラッド層２と発光層３との間に、ホー
ルの閉じ込めのための、ｎクラッド層２よりバンドギャ
ップの大きいストッパ層を介在させることができる。ま
た、同じく、光の閉じ込めを目的とするガイド層を設け
ることができる。
ルの閉じ込めのための、ｎクラッド層２よりバンドギャ
ップの大きいストッパ層を介在させることができる。ま
た、同じく、光の閉じ込めを目的とするガイド層を設け
ることができる。
【００２２】発光層３は実施例のＭＱＷ（多重量子井
戸）型の他、ＳＱＷ（単一量子井戸）型、バルク型（ダ
ブルヘテロ構造、シングルヘテロ構造）を用いることが
できる。これらの層はＡｌX3ＩｎY3Ｇａ1-X3ーY3Ｎ（Ｘ
３＝０、Ｙ３＝０、Ｘ３＝Ｙ３＝０を含む）で形成さ
れ、意図的な不純物は添加されていても、いなくてもよ
い。
戸）型の他、ＳＱＷ（単一量子井戸）型、バルク型（ダ
ブルヘテロ構造、シングルヘテロ構造）を用いることが
できる。これらの層はＡｌX3ＩｎY3Ｇａ1-X3ーY3Ｎ（Ｘ
３＝０、Ｙ３＝０、Ｘ３＝Ｙ３＝０を含む）で形成さ
れ、意図的な不純物は添加されていても、いなくてもよ
い。
【００２３】ｐクラッド層４はＡｌX4ＩｎY4Ｇａ
1-X4ーY4Ｎ（Ｘ４＝０、Ｙ４＝０、Ｘ４＝Ｙ４＝０を含
む）で形成することができる。その膜厚は、３０〜８０
ｎｍとすることが好ましい。
1-X4ーY4Ｎ（Ｘ４＝０、Ｙ４＝０、Ｘ４＝Ｙ４＝０を含
む）で形成することができる。その膜厚は、３０〜８０
ｎｍとすることが好ましい。
【００２４】ｐクラッド層４と電極層５との間に、これ
らのコンタクト抵抗を下げるためのコンタクト層を介在
させることができる。このコンタクト層には、ｐクラッ
ド層４よりも高濃度に不純物が添加される。
らのコンタクト抵抗を下げるためのコンタクト層を介在
させることができる。このコンタクト層には、ｐクラッ
ド層４よりも高濃度に不純物が添加される。
【００２５】ｐクラッド層４と発光層３との間に、電子
の閉じ込めのための、ｐクラッド層４よりバンドギャッ
プの大きいストッパ層を介在させることができる。ま
た、同じく、光の閉じ込めを目的とするガイド層を設け
ることができる。
の閉じ込めのための、ｐクラッド層４よりバンドギャッ
プの大きいストッパ層を介在させることができる。ま
た、同じく、光の閉じ込めを目的とするガイド層を設け
ることができる。
【００２６】各半導体層は有機金属化合物気相成長法
（以下、「ＭＯＶＰＥ法」という。）により形成される
（例えば、特開平６ー２６８２５７号公報、特開平８ー
９７４７１号公報参照）。この成長法においては、原料
ガスとしてアンモニアガスと三族元素の有機金属ガス、
例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ)、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）やトリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）、さらには不純物を添加するためにシラン、シクロ
ペンタジエニルマグネシウム等を適当な温度に加熱され
た基板上に供給して熱分解反応させ、もって所望の半導
体結晶を基板の上に成長させる。このＭＯＶＰＥ法を実
行するための気相反応装置については、例えば、特開昭
６３ー１８８９３４号公報を参照されたい。
（以下、「ＭＯＶＰＥ法」という。）により形成される
（例えば、特開平６ー２６８２５７号公報、特開平８ー
９７４７１号公報参照）。この成長法においては、原料
ガスとしてアンモニアガスと三族元素の有機金属ガス、
例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ)、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡ）やトリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）、さらには不純物を添加するためにシラン、シクロ
ペンタジエニルマグネシウム等を適当な温度に加熱され
た基板上に供給して熱分解反応させ、もって所望の半導
体結晶を基板の上に成長させる。このＭＯＶＰＥ法を実
行するための気相反応装置については、例えば、特開昭
６３ー１８８９３４号公報を参照されたい。
【００２７】各半導体層を形成後、電子線照射装置を用
いて、半絶縁物状態のｐクラッド層５へ一様に電子線を
照射する。電子線の照射条件は、加速電圧約１０ｋＶ、
試料電流１μＡ、ビーム移動速度０．２mm/sec、ビーム
径６０μmΦ、真空度５．０X １０ー5Torrである。この
ような電子線照射によってｐクラッド層５は低抵抗化さ
れる。
いて、半絶縁物状態のｐクラッド層５へ一様に電子線を
照射する。電子線の照射条件は、加速電圧約１０ｋＶ、
試料電流１μＡ、ビーム移動速度０．２mm/sec、ビーム
径６０μmΦ、真空度５．０X １０ー5Torrである。この
ような電子線照射によってｐクラッド層５は低抵抗化さ
れる。
【００２８】このようにして形成された半導体ウエハに
対し、基板１となる部分の所定の箇所にアルミニウムか
らなるｎ電極６を蒸着により形成する。そして、図３に
示すとおり、ｐクラッド層４となる部分に金／ニッケル
等のｐ電極５を蒸着し、パターニングする。このとき、
ｐ電極５の上にソルダ２１の材料を積層することもでき
る。これにより、発光素子１０をリードフレーム２０へ
固定するときの作業が容易になる。
対し、基板１となる部分の所定の箇所にアルミニウムか
らなるｎ電極６を蒸着により形成する。そして、図３に
示すとおり、ｐクラッド層４となる部分に金／ニッケル
等のｐ電極５を蒸着し、パターニングする。このとき、
ｐ電極５の上にソルダ２１の材料を積層することもでき
る。これにより、発光素子１０をリードフレーム２０へ
固定するときの作業が容易になる。
【００２９】このようにして形成された半導体ウエハを
素子毎に図に点線で示す部分３０においてスクライビン
グ若しくはダイシングにより切り分けて、所望の発光ダ
イオード１０とする。
素子毎に図に点線で示す部分３０においてスクライビン
グ若しくはダイシングにより切り分けて、所望の発光ダ
イオード１０とする。
【００３０】このようにして形成された発光ダイオード
１０はそのｐ電極５を下側にしてリードフレーム２０へ
ソルダ２１により固定される。ソルダ２１は導電性を有
するので、ｐ電極５に対するワイヤボンディングは不要
になる。ソルダ２１の代わりに、銀等の導電性金属のペ
ーストを用いて発光ダイオード１０のｐ電極５をリード
フレーム２０へ固定してもよい。そして、素子上面のｎ
電極に対して定法にしたがいワイヤボンディングが施さ
れる。
１０はそのｐ電極５を下側にしてリードフレーム２０へ
ソルダ２１により固定される。ソルダ２１は導電性を有
するので、ｐ電極５に対するワイヤボンディングは不要
になる。ソルダ２１の代わりに、銀等の導電性金属のペ
ーストを用いて発光ダイオード１０のｐ電極５をリード
フレーム２０へ固定してもよい。そして、素子上面のｎ
電極に対して定法にしたがいワイヤボンディングが施さ
れる。
【００３１】この発明は、上記発明の実施の形態及び実
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。この発明がレ
ーザダイオードにも適用できることはいうまでもない。
施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の
範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲
で種々の変形態様もこの発明に含まれる。この発明がレ
ーザダイオードにも適用できることはいうまでもない。
【図１】図１はこの発明の実施例の発光素子の断面図で
ある。
ある。
【図２】図２は同発光素子をリードフレームへ取り付け
た状態を示す図である。
た状態を示す図である。
【図３】図３は同発光素子の製造過程におけるウエハを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１ 基板 ２ ｎクラッド層（第１の半導体層） ３ 発光層 ４ ｐクラッド層（第２の半導体層） ５ ｐ電極 ６ ｎ電極 １０ 発光ダイオード ２０ リードフレーム ２１ ソルダ
Claims (3)
- 【請求項１】 ＧａＮ系の化合物半導体で形成される発
光素子であって、 導電性であり、かつ前記発光素子の発光する光を透過さ
せる基板と、 該基板の一の面の一部を被覆して取り付けられるｎ電極
と、 前記基板の他の面の上に形成される発光素子構造であっ
て、前記基板側からｎ型の第１の半導体層、発光層及び
ｐ型の第２の半導体層が順次積層され、 前記第２の半導体層の上にｐ電極と、を備えてなる半導
体発光素子。 - 【請求項２】 前記ｐ電極は前記第２の半導体層のほぼ
全面を被覆して前記第２の半導体層に取り付けられる、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記基板がｎ型のＧａＮ系化合物半導体
で形成されており、該基板の材料が前記ｎ型の第１の半
導体層を兼ねている、ことを特徴とする請求項１又は２
に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32102696A JPH10150220A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32102696A JPH10150220A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150220A true JPH10150220A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=18127975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32102696A Pending JPH10150220A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10150220A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001084640A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LUMINESZENZDIODENCHIP AUF DER BASIS VON GaN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENBAUELEMENTS |
| WO2001091195A1 (de) * | 2000-05-26 | 2001-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit einer auf gan basierenden strahlungsemittierenden epitaxieschichtenfolge und verfahren zu dessen herstellung |
| JP2001345477A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US6552376B1 (en) | 1999-09-01 | 2003-04-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device |
| JP2004128507A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法 |
| US6878563B2 (en) | 2000-04-26 | 2005-04-12 | Osram Gmbh | Radiation-emitting semiconductor element and method for producing the same |
| KR100545441B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2006-01-24 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 발광기판ｌｅｄ소자 |
| WO2007099855A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
| JP2007234707A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2008193006A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | ＧａＮ系ＬＥＤチップ |
| EP2273574A2 (de) | 2000-04-26 | 2011-01-12 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN |
| US8288787B2 (en) | 2002-06-26 | 2012-10-16 | Lg Electronics, Inc. | Thin film light emitting diode |
| US8384120B2 (en) | 2002-04-09 | 2013-02-26 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating vertical structure LEDs |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP32102696A patent/JPH10150220A/ja active Pending
Cited By (31)
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| EP2270875B1 (de) * | 2000-04-26 | 2018-01-10 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsmittierendes Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren |
| US7319247B2 (en) | 2000-04-26 | 2008-01-15 | Osram Gmbh | Light emitting-diode chip and a method for producing same |
| JP2003534668A (ja) * | 2000-05-26 | 2003-11-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を放出するＧａＮを基礎とするエピタキシー連続層を有するルミネセンスダイオードチップおよびその製造方法 |
| WO2001091195A1 (de) * | 2000-05-26 | 2001-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit einer auf gan basierenden strahlungsemittierenden epitaxieschichtenfolge und verfahren zu dessen herstellung |
| US7265392B2 (en) | 2000-05-26 | 2007-09-04 | Osram Gmbh | Light-emitting-diode chip comprising a sequence of GaN-based epitaxial layers which emit radiation and a method for producing the same |
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