JPH10150718A - 過電圧保護回路 - Google Patents
過電圧保護回路Info
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- JPH10150718A JPH10150718A JP9237250A JP23725097A JPH10150718A JP H10150718 A JPH10150718 A JP H10150718A JP 9237250 A JP9237250 A JP 9237250A JP 23725097 A JP23725097 A JP 23725097A JP H10150718 A JPH10150718 A JP H10150718A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/20—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage
-
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- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/20—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage
- H02H3/202—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess voltage for DC systems
-
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
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- H02H3/04—Details with warning or supervision in addition to disconnection, e.g. for indicating that protective apparatus has functioned
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 電源の不安定によって瞬間的な電源電圧の上
昇によって電源供給の必要な後端のシステム或いは負荷
側に衝撃を与えるのを防止する電源遮断回路を提供す
る。 【解決手段】 電源を発生させる電源発生手段と、電源
発生手段から提供される電源を駆動源として動作する電
力消耗形負荷を備えているシステムにおける過電圧遮断
装置において、入力される制御信号に応じて電源発生手
段から電力消耗形装置に提供される電源の供給路を開閉
する電源伝送路開閉手段と、電源発生手段から発生する
電源の大きさが設定された正常電圧範囲の以上に変動し
て異常電圧が発生する場合、これを感知する電圧感知手
段と、前記電圧感知手段から異常電圧が発生する場合、
出力する感知信号に応じて電圧感知手段から電源伝送路
開閉手段へ提供する駆動制御信号を伝送遮断制御信号に
変化させる制御信号変換手段とを含む。
昇によって電源供給の必要な後端のシステム或いは負荷
側に衝撃を与えるのを防止する電源遮断回路を提供す
る。 【解決手段】 電源を発生させる電源発生手段と、電源
発生手段から提供される電源を駆動源として動作する電
力消耗形負荷を備えているシステムにおける過電圧遮断
装置において、入力される制御信号に応じて電源発生手
段から電力消耗形装置に提供される電源の供給路を開閉
する電源伝送路開閉手段と、電源発生手段から発生する
電源の大きさが設定された正常電圧範囲の以上に変動し
て異常電圧が発生する場合、これを感知する電圧感知手
段と、前記電圧感知手段から異常電圧が発生する場合、
出力する感知信号に応じて電圧感知手段から電源伝送路
開閉手段へ提供する駆動制御信号を伝送遮断制御信号に
変化させる制御信号変換手段とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、過電圧保護回路に
係り、特に電源の不安定によって瞬間的な電源電圧が上
昇してシステムに衝撃を与えるのを防止する技術に関す
る。
係り、特に電源の不安定によって瞬間的な電源電圧が上
昇してシステムに衝撃を与えるのを防止する技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、不安全な電源状態または瞬間過
電圧（例えば、サージ電源）などから特定負荷１０を保
護するために一番よく使用する方式は、図６に示すよう
に電源供給路にヒューズＦを使用するものである。図７
は、このような方式を半導体素子へ適用する時に用いら
れるヒューズの形状を示す。
電圧（例えば、サージ電源）などから特定負荷１０を保
護するために一番よく使用する方式は、図６に示すよう
に電源供給路にヒューズＦを使用するものである。図７
は、このような方式を半導体素子へ適用する時に用いら
れるヒューズの形状を示す。
【０００３】かかる従来の方式では、不安定な電源によ
って過度な電流或いは電圧がかかる場合にヒューズＦが
断線して、後端に位置する負荷１０へ過電源が供給され
ないようになる。半導体回路に適用した場合、図７に示
すように、メタルヒューズは一般ヒューズのように狭く
なったメタル領域Ｆａを有し、このメタル領域Ｆａが断
線するようになっている。
って過度な電流或いは電圧がかかる場合にヒューズＦが
断線して、後端に位置する負荷１０へ過電源が供給され
ないようになる。半導体回路に適用した場合、図７に示
すように、メタルヒューズは一般ヒューズのように狭く
なったメタル領域Ｆａを有し、このメタル領域Ｆａが断
線するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、実際に半導
体内に形成されるメタルヒューズの場合は、一度切断さ
れると、復旧できず、該当の半導体を廃棄しなければな
らないため、実用性が低下するという問題点が生じる。
尚、図６に示す形態のヒューズも、断線すると使用者が
それを交換しなければならないという問題点がある。
体内に形成されるメタルヒューズの場合は、一度切断さ
れると、復旧できず、該当の半導体を廃棄しなければな
らないため、実用性が低下するという問題点が生じる。
尚、図６に示す形態のヒューズも、断線すると使用者が
それを交換しなければならないという問題点がある。
【０００５】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたもので、不安定な電源によって負荷側に衝撃を
与えるのを防止することができる過電圧保護回路を提供
することを目的とする。
なされたもので、不安定な電源によって負荷側に衝撃を
与えるのを防止することができる過電圧保護回路を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１の発
明にかかる過電圧保護回路は、電源と、該電源から提供
される電力を駆動源として動作する負荷と、を備えたシ
ステムにおける過電圧保護回路において、入力される駆
動制御信号に応じて電源から負荷に提供される電源の供
給路を開閉する電源伝送路開閉手段と、電源電圧が設定
された正常電圧範囲以上に変動して異常電圧が発生した
とき、これを感知する電圧感知手段と、該電圧感知手段
により異常電圧が感知されたとき、出力された感知信号
に応じて電圧感知手段から電源伝送路開閉手段へ提供す
る駆動制御信号を伝送遮断制御信号に変換する制御信号
変換手段と、を備えた。
明にかかる過電圧保護回路は、電源と、該電源から提供
される電力を駆動源として動作する負荷と、を備えたシ
ステムにおける過電圧保護回路において、入力される駆
動制御信号に応じて電源から負荷に提供される電源の供
給路を開閉する電源伝送路開閉手段と、電源電圧が設定
された正常電圧範囲以上に変動して異常電圧が発生した
とき、これを感知する電圧感知手段と、該電圧感知手段
により異常電圧が感知されたとき、出力された感知信号
に応じて電圧感知手段から電源伝送路開閉手段へ提供す
る駆動制御信号を伝送遮断制御信号に変換する制御信号
変換手段と、を備えた。
【０００７】かかる構成によれば、電源電圧が設定され
た正常電圧範囲以上に変動して異常電圧が発生したと
き、異常電圧は、電圧感知手段によって感知される。電
圧感知手段により異常電圧が感知されて感知信号が出力
されたとき、電源伝送路開閉手段へ提供される駆動制御
信号が制御信号変換手段により伝送遮断制御信号に変換
され、電源伝送路開閉手段により電源から負荷に提供さ
れる電源の供給路が開かれ、電源の供給が遮断される。
た正常電圧範囲以上に変動して異常電圧が発生したと
き、異常電圧は、電圧感知手段によって感知される。電
圧感知手段により異常電圧が感知されて感知信号が出力
されたとき、電源伝送路開閉手段へ提供される駆動制御
信号が制御信号変換手段により伝送遮断制御信号に変換
され、電源伝送路開閉手段により電源から負荷に提供さ
れる電源の供給路が開かれ、電源の供給が遮断される。
【０００８】請求項２の発明にかかる過電圧保護回路で
は、前記駆動制御信号が伝送遮断制御信号に変化した時
にこれを感知して使用者に警告する過電圧発生警告手段
をさらに含んでいる。かかる構成によれば、駆動制御信
号を伝送遮断制御信号に変化したとき、過電圧発生警告
手段により感知されて使用者に警告される。
は、前記駆動制御信号が伝送遮断制御信号に変化した時
にこれを感知して使用者に警告する過電圧発生警告手段
をさらに含んでいる。かかる構成によれば、駆動制御信
号を伝送遮断制御信号に変化したとき、過電圧発生警告
手段により感知されて使用者に警告される。
【０００９】請求項３の発明にかかる過電圧保護回路で
は、前記過電圧発生警告手段は、前記駆動制御信号が伝
送遮断制御信号に変化したときにオンするスイッチング
手段と、該スイッチング手段のオン動作時、前記電源か
らの電流により光を発生する発光手段と、を備えて構成
されている。かかる構成によれば、駆動制御信号が伝送
遮断制御信号に変化したときにスイッチング手段がオン
して電源からの電流により発光手段が光を発生させる。
は、前記過電圧発生警告手段は、前記駆動制御信号が伝
送遮断制御信号に変化したときにオンするスイッチング
手段と、該スイッチング手段のオン動作時、前記電源か
らの電流により光を発生する発光手段と、を備えて構成
されている。かかる構成によれば、駆動制御信号が伝送
遮断制御信号に変化したときにスイッチング手段がオン
して電源からの電流により発光手段が光を発生させる。
【００１０】請求項４の発明にかかる過電圧保護回路で
は、前記電圧感知手段は、電源電圧を検出する電圧発生
認識手段と、前記電源電圧が過電圧か否かを検出する過
電圧認識手段と、を備えて構成されている。かかる構成
によれば、電源電圧は電圧発生認識手段によって検出さ
れ、電源電圧が過電圧か否かは過電圧認識手段によって
検出される。
は、前記電圧感知手段は、電源電圧を検出する電圧発生
認識手段と、前記電源電圧が過電圧か否かを検出する過
電圧認識手段と、を備えて構成されている。かかる構成
によれば、電源電圧は電圧発生認識手段によって検出さ
れ、電源電圧が過電圧か否かは過電圧認識手段によって
検出される。
【００１１】請求項５の発明にかかる過電圧保護回路で
は、前記過電圧認識手段は、第３電圧降下手段と、該第
３電圧降下手段よりも相対的に電圧降下幅の非常に小さ
い第４電圧降下手段と、が直列に接続され、前記第４電
圧降下手段に印加された電圧を多段の電圧降下形スイッ
チング手段を通じて出力する。かかる構成によれば、電
圧認識手段により検出された電源電圧は、十分に低くな
って多段の電圧降下形スイッチング手段を通じて出力さ
れる。
は、前記過電圧認識手段は、第３電圧降下手段と、該第
３電圧降下手段よりも相対的に電圧降下幅の非常に小さ
い第４電圧降下手段と、が直列に接続され、前記第４電
圧降下手段に印加された電圧を多段の電圧降下形スイッ
チング手段を通じて出力する。かかる構成によれば、電
圧認識手段により検出された電源電圧は、十分に低くな
って多段の電圧降下形スイッチング手段を通じて出力さ
れる。
【００１２】請求項６の発明にかかる過電圧保護回路で
は、前記電源伝送路開閉手段は、ドレイン端子が電源に
接続され、ソース端子が負荷の電源入力端に接続され、
オン／オフを制御するゲート端子には電圧発生認識手段
の出力信号が入力されるＮＭＯＳトランジスタを備えて
構成されている。かかる構成によれば、電圧発生認識手
段の出力信号がＮＭＯＳトランジスタのゲート端子に入
力され、電源の供給路が開閉する。
は、前記電源伝送路開閉手段は、ドレイン端子が電源に
接続され、ソース端子が負荷の電源入力端に接続され、
オン／オフを制御するゲート端子には電圧発生認識手段
の出力信号が入力されるＮＭＯＳトランジスタを備えて
構成されている。かかる構成によれば、電圧発生認識手
段の出力信号がＮＭＯＳトランジスタのゲート端子に入
力され、電源の供給路が開閉する。
【００１３】請求項７の発明にかかる過電圧保護回路で
は、前記制御信号変換手段は、過電圧認識手段の出力信
号をゲート端子に入力してオン／オフし、オン時にドレ
ーン端子に印加された電圧発生認識手段の出力信号に基
づいて電源伝送路開閉手段をオフするＮＭＯＳトランジ
スタを備えて構成されている。かかる構成によれば、過
電圧認識手段の出力信号がＮＭＯＳトランジスタのゲー
ト端子に入力されてオン／オフし、オン時にドレーン端
子に印加された電圧発生認識手段の出力信号に基づいて
ＮＭＯＳトランジスタが電源伝送路開閉手段をオフし、
電源の供給路が閉じる。
は、前記制御信号変換手段は、過電圧認識手段の出力信
号をゲート端子に入力してオン／オフし、オン時にドレ
ーン端子に印加された電圧発生認識手段の出力信号に基
づいて電源伝送路開閉手段をオフするＮＭＯＳトランジ
スタを備えて構成されている。かかる構成によれば、過
電圧認識手段の出力信号がＮＭＯＳトランジスタのゲー
ト端子に入力されてオン／オフし、オン時にドレーン端
子に印加された電圧発生認識手段の出力信号に基づいて
ＮＭＯＳトランジスタが電源伝送路開閉手段をオフし、
電源の供給路が閉じる。
【００１４】請求項８の発明にかかる過電圧保護回路で
は、電源を駆動源として動作する負荷を半導体チップに
備えた過電圧保護回路において、入力される駆動制御信
号に応じて電源から負荷へ提供される供給路を開閉する
電源伝送路開閉手段と、電源電圧が設定された正常電圧
範囲以上に変動して異常電圧が発生したとき、これを感
知する電圧感知手段と、該電圧感知手段により異常電圧
が感知されたとき、出力された感知信号に応じて電源伝
送路開閉手段へ提供する駆動制御信号を伝送遮断制御信
号に変換する制御信号変換手段と、該制御信号変換手段
の動作時にこれを感知して使用者に警告する過電圧発生
警告手段と、を備えている。
は、電源を駆動源として動作する負荷を半導体チップに
備えた過電圧保護回路において、入力される駆動制御信
号に応じて電源から負荷へ提供される供給路を開閉する
電源伝送路開閉手段と、電源電圧が設定された正常電圧
範囲以上に変動して異常電圧が発生したとき、これを感
知する電圧感知手段と、該電圧感知手段により異常電圧
が感知されたとき、出力された感知信号に応じて電源伝
送路開閉手段へ提供する駆動制御信号を伝送遮断制御信
号に変換する制御信号変換手段と、該制御信号変換手段
の動作時にこれを感知して使用者に警告する過電圧発生
警告手段と、を備えている。
【００１５】かかる構成によれば、電源伝送路開閉手
段、電圧感知手段、制御信号変換手段及び過電圧発生警
告手段が半導体チップに備えられている。請求項９の発
明にかかる過電圧保護回路では、前記過電圧発生警告手
段は、駆動制御信号が伝送遮断制御信号に変化したとき
にオンするスイッチング手段と、該スイッチング手段の
オン時に電源電流により光を発生する発光手段と、を備
えて構成され、前記発光手段は半導体チップの外部に備
えられている。
段、電圧感知手段、制御信号変換手段及び過電圧発生警
告手段が半導体チップに備えられている。請求項９の発
明にかかる過電圧保護回路では、前記過電圧発生警告手
段は、駆動制御信号が伝送遮断制御信号に変化したとき
にオンするスイッチング手段と、該スイッチング手段の
オン時に電源電流により光を発生する発光手段と、を備
えて構成され、前記発光手段は半導体チップの外部に備
えられている。
【００１６】かかる構成によれば、過電圧発生警告手段
の発光手段だけが半導体チップの外部に備えられてい
る。請求項１０の発明にかかる過電圧保護回路では、外
部電源を駆動源として動作する負荷を半導体チップに備
えた過電圧保護回路において、入力される駆動制御信号
の状態に応じて電源電圧を減衰させる過電圧減衰手段
と、印加された電圧の大きさが設定された正常電圧範囲
以上に変動して過電圧が発生したとき、これを感知する
電圧感知手段と、該電圧感知手段が異常電圧を感知した
とき、出力された感知信号に応じて駆動制御信号を電圧
減衰用制御信号に変換し、過電圧減衰手段へ提供する制
御信号変換手段と、を備えている。
の発光手段だけが半導体チップの外部に備えられてい
る。請求項１０の発明にかかる過電圧保護回路では、外
部電源を駆動源として動作する負荷を半導体チップに備
えた過電圧保護回路において、入力される駆動制御信号
の状態に応じて電源電圧を減衰させる過電圧減衰手段
と、印加された電圧の大きさが設定された正常電圧範囲
以上に変動して過電圧が発生したとき、これを感知する
電圧感知手段と、該電圧感知手段が異常電圧を感知した
とき、出力された感知信号に応じて駆動制御信号を電圧
減衰用制御信号に変換し、過電圧減衰手段へ提供する制
御信号変換手段と、を備えている。
【００１７】かかる構成によれば、過電圧は電圧感知手
段により感知され、過電圧減衰手段は、駆動制御信号
を、感知信号に応じて過電圧減衰用制御信号に変換す
る。この過電圧減衰用制御信号が、過電圧減衰手段に出
力されて電源電圧が減衰する。請求項１１の発明にかか
る過電圧保護回路では、前記駆動制御信号が電圧減衰用
制御信号に変化した時にこれを感知して使用者に警告す
る過電圧発生警告手段をさらに含んでいる。
段により感知され、過電圧減衰手段は、駆動制御信号
を、感知信号に応じて過電圧減衰用制御信号に変換す
る。この過電圧減衰用制御信号が、過電圧減衰手段に出
力されて電源電圧が減衰する。請求項１１の発明にかか
る過電圧保護回路では、前記駆動制御信号が電圧減衰用
制御信号に変化した時にこれを感知して使用者に警告す
る過電圧発生警告手段をさらに含んでいる。
【００１８】かかる構成によれば、駆動制御信号が電圧
減衰用制御信号に変化した時に過電圧発生警告手段によ
り、これが感知されて使用者に警告される。請求項１２
の発明にかかる過電圧保護回路では、前記電圧感知手段
は、第１電圧降下手段と、電圧降下幅が第１電圧降下手
段の電圧降下幅に比べて非常に大きい第２電圧降下手段
と、該第２電圧降下手段を通じて分圧された電圧によっ
て外部電源の電圧を検出する電圧発生認識手段と、外部
電源の電圧が過電圧か否かを検出する過電圧認識手段
と、を備えて構成され、前記過電圧認識手段は、第３電
圧降下手段と、該３電圧降下手段の電圧降下幅より相対
的に電圧降下幅が非常に小さい第４電圧降下手段と、が
直列に接続され、第４電圧降下手段にかかる電圧を、第
５降下手段と、該第５降下手段の電圧降下幅より相対的
に電圧降下幅が非常に小さい第６電圧降下手段と、によ
って再分圧して第６電圧降下手段にかかる電圧を出力す
るように構成されている。
減衰用制御信号に変化した時に過電圧発生警告手段によ
り、これが感知されて使用者に警告される。請求項１２
の発明にかかる過電圧保護回路では、前記電圧感知手段
は、第１電圧降下手段と、電圧降下幅が第１電圧降下手
段の電圧降下幅に比べて非常に大きい第２電圧降下手段
と、該第２電圧降下手段を通じて分圧された電圧によっ
て外部電源の電圧を検出する電圧発生認識手段と、外部
電源の電圧が過電圧か否かを検出する過電圧認識手段
と、を備えて構成され、前記過電圧認識手段は、第３電
圧降下手段と、該３電圧降下手段の電圧降下幅より相対
的に電圧降下幅が非常に小さい第４電圧降下手段と、が
直列に接続され、第４電圧降下手段にかかる電圧を、第
５降下手段と、該第５降下手段の電圧降下幅より相対的
に電圧降下幅が非常に小さい第６電圧降下手段と、によ
って再分圧して第６電圧降下手段にかかる電圧を出力す
るように構成されている。
【００１９】かかる構成によれば、電源電圧は、第１、
第２電圧降下手段により十分に低くされ、電圧発生認識
手段により検出される。この電圧は、第３〜第６電圧降
下手段により低くされ、第６電圧降下手段に印加される
電圧が出力される。請求項１３の発明にかかる過電圧保
護回路では、前記過電圧減衰手段は、ドレーン端子が外
部電源に接続され、ソース端子が負荷に接続され、オン
／オフを制御するゲート端子には電圧発生認識手段の出
力信号が入力される第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタと、該
第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタのドレーン端子とソース端
子が接続され、電圧発生認識手段の出力信号がゲート端
子に入力されて第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタのオン時に
オフする第１Ｐ形ＭＯＳトランジスタと、該第１Ｐ形Ｍ
ＯＳトランジスタのオン時に第１Ｐ形ＭＯＳトランジス
タのドレーン端子を通じて印加された電圧を電圧降下さ
せて、負荷に印加する電圧降下手段と、を備えている。
第２電圧降下手段により十分に低くされ、電圧発生認識
手段により検出される。この電圧は、第３〜第６電圧降
下手段により低くされ、第６電圧降下手段に印加される
電圧が出力される。請求項１３の発明にかかる過電圧保
護回路では、前記過電圧減衰手段は、ドレーン端子が外
部電源に接続され、ソース端子が負荷に接続され、オン
／オフを制御するゲート端子には電圧発生認識手段の出
力信号が入力される第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタと、該
第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタのドレーン端子とソース端
子が接続され、電圧発生認識手段の出力信号がゲート端
子に入力されて第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタのオン時に
オフする第１Ｐ形ＭＯＳトランジスタと、該第１Ｐ形Ｍ
ＯＳトランジスタのオン時に第１Ｐ形ＭＯＳトランジス
タのドレーン端子を通じて印加された電圧を電圧降下さ
せて、負荷に印加する電圧降下手段と、を備えている。
【００２０】かかる構成によれば、過電圧が感知された
とき、電圧発生認識手段の出力信号が第１Ｎ形ＭＯＳト
ランジスタのゲート端子に入力されて第１Ｎ形ＭＯＳト
ランジスタはオンする。また、第１Ｎ形ＭＯＳトランジ
スタがオフしたとき、第１Ｐ形ＭＯＳトランジスタがオ
ンし、電圧降下手段により電源電圧が降下して負荷に印
加される。
とき、電圧発生認識手段の出力信号が第１Ｎ形ＭＯＳト
ランジスタのゲート端子に入力されて第１Ｎ形ＭＯＳト
ランジスタはオンする。また、第１Ｎ形ＭＯＳトランジ
スタがオフしたとき、第１Ｐ形ＭＯＳトランジスタがオ
ンし、電圧降下手段により電源電圧が降下して負荷に印
加される。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜図５に基づいて説明する。図１は本発明による過電圧
保護回路の構成図であって、電源を発生させる電源部Ｐ
の両端に並列接続され、前記電源部Ｐから発生する電圧
が設定された正常電圧範囲以上に変動したとき、これを
感知する電圧感知手段としての電圧感知部ＳＶと、ドレ
ーン端子に電源部Ｐの一端が接続されており、駆動電源
の必要な負荷１０の電源入力端にソース端子が接続さ
れ、ゲート端子に入力される駆動信号に応じてオン／オ
フする電源伝送路開閉手段としての第２ＮＭＯＳトラン
ジスタ（Ｎ２）と、前記第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ
２）のゲート端子に入力される信号の入力をドレーン端
子に受け、電圧感知部ＳＶから異常電圧感知信号が出力
されたとき、その信号をゲート端子に受けて、オン／オ
フ動作し、オン動作時に第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ
２）の駆動信号をプルダウンして第２ＮＭＯＳトランジ
スタ（Ｎ２）をオフさせる制御信号変換手段としての第
１ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）と、第２ＮＭＯＳトラ
ンジスタ（Ｎ２）のゲート端子に入力された信号をゲー
ト端子に受けて第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）がオ
フしたときにオンするスイッチング手段としての第１Ｐ
ＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）と、第１ＰＭＯＳトランジ
スタ（Ｐ１）のオン時に第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ
２）のドレーン端子に入力された信号を受けて第１ＰＭ
ＯＳトランジスタ（Ｐ１）のソース端子に入力すること
により、発光する発光手段としての発光ダイオードＬＥ
Ｄと、第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）のドレーン端
子と発光ダイオードＬＥＤの入力端を接続する第５抵抗
Ｒ５と、を備えて構成される。
〜図５に基づいて説明する。図１は本発明による過電圧
保護回路の構成図であって、電源を発生させる電源部Ｐ
の両端に並列接続され、前記電源部Ｐから発生する電圧
が設定された正常電圧範囲以上に変動したとき、これを
感知する電圧感知手段としての電圧感知部ＳＶと、ドレ
ーン端子に電源部Ｐの一端が接続されており、駆動電源
の必要な負荷１０の電源入力端にソース端子が接続さ
れ、ゲート端子に入力される駆動信号に応じてオン／オ
フする電源伝送路開閉手段としての第２ＮＭＯＳトラン
ジスタ（Ｎ２）と、前記第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ
２）のゲート端子に入力される信号の入力をドレーン端
子に受け、電圧感知部ＳＶから異常電圧感知信号が出力
されたとき、その信号をゲート端子に受けて、オン／オ
フ動作し、オン動作時に第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ
２）の駆動信号をプルダウンして第２ＮＭＯＳトランジ
スタ（Ｎ２）をオフさせる制御信号変換手段としての第
１ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）と、第２ＮＭＯＳトラ
ンジスタ（Ｎ２）のゲート端子に入力された信号をゲー
ト端子に受けて第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）がオ
フしたときにオンするスイッチング手段としての第１Ｐ
ＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）と、第１ＰＭＯＳトランジ
スタ（Ｐ１）のオン時に第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ
２）のドレーン端子に入力された信号を受けて第１ＰＭ
ＯＳトランジスタ（Ｐ１）のソース端子に入力すること
により、発光する発光手段としての発光ダイオードＬＥ
Ｄと、第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）のドレーン端
子と発光ダイオードＬＥＤの入力端を接続する第５抵抗
Ｒ５と、を備えて構成される。
【００２２】電圧感知部ＳＶは、４つの抵抗Ｒ１〜Ｒ４
が２つずつそれぞれ直列接続され、直列接続された２つ
の抵抗は電源部Ｐにそれぞれ並列接続されて構成されて
いる。電圧感知部ＳＶを構成している抵抗のうち、直列
接続された抵抗Ｒ１，Ｒ２で抵抗Ｒ１の抵抗値は抵抗Ｒ
２の抵抗値に比べて相対的に非常に小さく、それにより
抵抗Ｒ１は、電源部Ｐの電圧を検出する役割を果たす。
なぜなら、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の抵抗比に応じて電源部
Ｐの電圧が大部分抵抗Ｒ２に印加されるようになる。例
えば５Ｖの電圧が電源部Ｐから出力されたとき、抵抗Ｒ
２に印加された電圧も略５Ｖの電圧状態を保持する。
が２つずつそれぞれ直列接続され、直列接続された２つ
の抵抗は電源部Ｐにそれぞれ並列接続されて構成されて
いる。電圧感知部ＳＶを構成している抵抗のうち、直列
接続された抵抗Ｒ１，Ｒ２で抵抗Ｒ１の抵抗値は抵抗Ｒ
２の抵抗値に比べて相対的に非常に小さく、それにより
抵抗Ｒ１は、電源部Ｐの電圧を検出する役割を果たす。
なぜなら、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の抵抗比に応じて電源部
Ｐの電圧が大部分抵抗Ｒ２に印加されるようになる。例
えば５Ｖの電圧が電源部Ｐから出力されたとき、抵抗Ｒ
２に印加された電圧も略５Ｖの電圧状態を保持する。
【００２３】また、電圧感知部ＳＶを構成している抵抗
のうち、直列接続された抵抗Ｒ３，Ｒ４で抵抗Ｒ３の抵
抗値は抵抗Ｒ４の抵抗値に比べて相対的に非常に大き
く、それにより抵抗Ｒ３は電源部Ｐの過電圧を検出する
役割を果たす。なぜなら、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４の抵抗比
に比べて電源部Ｐの電圧が大部分抵抗Ｒ３に印加される
ようになる。例えば電源部Ｐの電圧が５Ｖのとき、抵抗
Ｒ４に印加された電圧は略０. ７Ｖ未満の電圧状態を保
持する。
のうち、直列接続された抵抗Ｒ３，Ｒ４で抵抗Ｒ３の抵
抗値は抵抗Ｒ４の抵抗値に比べて相対的に非常に大き
く、それにより抵抗Ｒ３は電源部Ｐの過電圧を検出する
役割を果たす。なぜなら、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４の抵抗比
に比べて電源部Ｐの電圧が大部分抵抗Ｒ３に印加される
ようになる。例えば電源部Ｐの電圧が５Ｖのとき、抵抗
Ｒ４に印加された電圧は略０. ７Ｖ未満の電圧状態を保
持する。
【００２４】尚、第１ＰＭＯＳトランジスタ及び発光ダ
イオードＬＥＤが過電圧発生警告手段に相当する。次
に、動作を図２を参照して説明する。電源部Ｐの電源電
圧が正常なとき、即ち、異常電圧Ｖｄｇ未満のときは、
抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２によって分圧された電位が第１，第
２抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値による電圧降下現象によって
ハイ状態になる（Ｒ１≪Ｒ２）。それにより、ＮＭＯＳ
トランジスタ（Ｎ２）はオンし、電源部Ｐの電源電圧は
負荷１０に印加される。
イオードＬＥＤが過電圧発生警告手段に相当する。次
に、動作を図２を参照して説明する。電源部Ｐの電源電
圧が正常なとき、即ち、異常電圧Ｖｄｇ未満のときは、
抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２によって分圧された電位が第１，第
２抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値による電圧降下現象によって
ハイ状態になる（Ｒ１≪Ｒ２）。それにより、ＮＭＯＳ
トランジスタ（Ｎ２）はオンし、電源部Ｐの電源電圧は
負荷１０に印加される。
【００２５】一方、電源部Ｐの電源電圧が異常電圧Ｖｄ
ｇになったとき、即ち、図２に示すｄからｅまでの区間
に対応する過電圧になったとき、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４に
よって分圧された電位は抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値による
電圧降下によってハイ状態になる（Ｒ３≫Ｒ４）。それ
により、第１ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）はオンし、
第ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）のゲート端子に印加さ
れた抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧電位が接地電位に変化する。
ｇになったとき、即ち、図２に示すｄからｅまでの区間
に対応する過電圧になったとき、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４に
よって分圧された電位は抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値による
電圧降下によってハイ状態になる（Ｒ３≫Ｒ４）。それ
により、第１ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）はオンし、
第ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）のゲート端子に印加さ
れた抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧電位が接地電位に変化する。
【００２６】それにより、第２ＮＭＯＳトランジスタ
（Ｎ２）のゲート端子に入力される信号の電位がロー状
態になって、第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）はオフ
する。従って、電源部Ｐの過電圧は、遮断される。この
時、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）は、ゲート電圧がロ
ーとなってオンし、発光ダイオードＬＥＤが発光し、使
用者に過電圧の発生を警告する。
（Ｎ２）のゲート端子に入力される信号の電位がロー状
態になって、第２ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）はオフ
する。従って、電源部Ｐの過電圧は、遮断される。この
時、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）は、ゲート電圧がロ
ーとなってオンし、発光ダイオードＬＥＤが発光し、使
用者に過電圧の発生を警告する。
【００２７】以後、電源部Ｐの電圧が異常電圧Ｖｄｇ未
満に低下したとき、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４によって分圧さ
れた電位がハイ状態からロー状態に転換されて第１ＮＭ
ＯＳトランジスタ（Ｎ１）がオフして正常状態になり、
負荷１０は再び、正常な電源の供給を受ける。尚、本回
路は、半導体チップ内に備えられることもでき、図６に
示すような一般なヒューズの代わりにすることもできる
が、半導体チップ内に内蔵されたときは、発光ダイオー
ドＬＥＤはチップ外部に備えられる。
満に低下したとき、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４によって分圧さ
れた電位がハイ状態からロー状態に転換されて第１ＮＭ
ＯＳトランジスタ（Ｎ１）がオフして正常状態になり、
負荷１０は再び、正常な電源の供給を受ける。尚、本回
路は、半導体チップ内に備えられることもでき、図６に
示すような一般なヒューズの代わりにすることもできる
が、半導体チップ内に内蔵されたときは、発光ダイオー
ドＬＥＤはチップ外部に備えられる。
【００２８】また、抵抗Ｒ１〜Ｒ４の比を電源部Ｐの電
圧に応じて適切に調節することもでき、各ＭＯＳトラン
ジスタＮ１，Ｎ２，Ｐ１を保護するための手段を付加し
てもよく、多様な変形及び応用例が可能である。次に、
第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態
では、過電圧発生時に電源の伝送路を遮断することによ
り、後端の負荷１０の異常及び損傷を防止するようにし
たが、このものは、過電圧発生時に過電圧を正常電圧に
ダウンさせて印加するものである。
圧に応じて適切に調節することもでき、各ＭＯＳトラン
ジスタＮ１，Ｎ２，Ｐ１を保護するための手段を付加し
てもよく、多様な変形及び応用例が可能である。次に、
第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態
では、過電圧発生時に電源の伝送路を遮断することによ
り、後端の負荷１０の異常及び損傷を防止するようにし
たが、このものは、過電圧発生時に過電圧を正常電圧に
ダウンさせて印加するものである。
【００２９】図３は第２の実施の形態を示す過電圧降圧
回路の回路図である。特に半導体チップ内で複数個のモ
ジュール化されている部分へ共通に電圧を供給すると
き、前段の構成によって供給電圧が不安定に変わる場合
があるが、この場合、後段の構成に安定的な電圧を供給
することにより、半導体チップの内部を構成する複数個
のモジュール化された構成間の動作信頼性を高めること
ができる。
回路の回路図である。特に半導体チップ内で複数個のモ
ジュール化されている部分へ共通に電圧を供給すると
き、前段の構成によって供給電圧が不安定に変わる場合
があるが、この場合、後段の構成に安定的な電圧を供給
することにより、半導体チップの内部を構成する複数個
のモジュール化された構成間の動作信頼性を高めること
ができる。
【００３０】この回路は、外部から印加された所定の電
圧Ｖｃｃと接地との間に接続されており、電圧Ｖｃｃ
が、設定された正常電圧範囲を超過して過電圧になった
とき、これを感知する電圧感知部ＳＶと、電圧感知部Ｓ
Ｖに入力された信号の電圧状態に応じて電源部Ｐの電圧
をそのまま負荷１０の電源入力端に印加するか、或いは
一定電圧に電圧降下させて印加する電圧降下部ＶＤと、
電圧感知部ＳＶから異常電圧感知信号が出力されたと
き、その信号をゲート端子に受けてオン／オフし、オン
時に電圧降下部ＶＤで電圧降下させるように、電圧感知
部ＳＶから電圧降下部ＶＤへ出力された信号の電位をプ
ルダウンする第１ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ１）と、
電圧感知部ＳＶから電圧降下部ＶＤへ出力される信号を
ゲート端子に受けてオン／オフする第１ＰＭＯＳトラン
ジスタ（ＭＰ１）と、第１ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ
１）のオン時に負荷１０へ印加された電圧に基づいて第
１ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ１）のソース端子に入力
することにより、発光動作する発光ダイオードＬＥＤと
から構成される。
圧Ｖｃｃと接地との間に接続されており、電圧Ｖｃｃ
が、設定された正常電圧範囲を超過して過電圧になった
とき、これを感知する電圧感知部ＳＶと、電圧感知部Ｓ
Ｖに入力された信号の電圧状態に応じて電源部Ｐの電圧
をそのまま負荷１０の電源入力端に印加するか、或いは
一定電圧に電圧降下させて印加する電圧降下部ＶＤと、
電圧感知部ＳＶから異常電圧感知信号が出力されたと
き、その信号をゲート端子に受けてオン／オフし、オン
時に電圧降下部ＶＤで電圧降下させるように、電圧感知
部ＳＶから電圧降下部ＶＤへ出力された信号の電位をプ
ルダウンする第１ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ１）と、
電圧感知部ＳＶから電圧降下部ＶＤへ出力される信号を
ゲート端子に受けてオン／オフする第１ＰＭＯＳトラン
ジスタ（ＭＰ１）と、第１ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ
１）のオン時に負荷１０へ印加された電圧に基づいて第
１ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ１）のソース端子に入力
することにより、発光動作する発光ダイオードＬＥＤと
から構成される。
【００３１】電圧感知部ＳＶにおいては、４つの抵抗Ｒ
１〜Ｒ４が２つずつそれぞれ直列接続され、抵抗Ｒ１の
抵抗値は抵抗Ｒ２の抵抗値に比べて相対的に非常に小さ
く、それにより電圧Ｖｃｃを検出する役割を果たす。な
ぜなら、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の抵抗比に応じて電圧Ｖｃ
ｃが略抵抗Ｒ２に印加されるようになる。例えば、電圧
Ｖｃｃが５Ｖのとき、抵抗Ｒ２に印加される電圧も略５
Ｖの電圧状態を保持する。
１〜Ｒ４が２つずつそれぞれ直列接続され、抵抗Ｒ１の
抵抗値は抵抗Ｒ２の抵抗値に比べて相対的に非常に小さ
く、それにより電圧Ｖｃｃを検出する役割を果たす。な
ぜなら、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の抵抗比に応じて電圧Ｖｃ
ｃが略抵抗Ｒ２に印加されるようになる。例えば、電圧
Ｖｃｃが５Ｖのとき、抵抗Ｒ２に印加される電圧も略５
Ｖの電圧状態を保持する。
【００３２】また、電圧感知部ＳＶを構成している抵抗
のうち、抵抗Ｒ３の抵抗値は抵抗Ｒ４の抵抗値に比べて
相対的に非常に大きく、それにより電圧Ｖｃｃが過電圧
状態であるかを検出する役割を果たす。なぜなら、抵抗
Ｒ３と抵抗Ｒ４の抵抗比に応じて電圧Ｖｃｃが大部分抵
抗Ｒ３に印加されるようになる。例えば５ｖのとき、抵
抗Ｒ４に印加される電圧は略０. ７Ｖ未満の電圧状態を
保持する。
のうち、抵抗Ｒ３の抵抗値は抵抗Ｒ４の抵抗値に比べて
相対的に非常に大きく、それにより電圧Ｖｃｃが過電圧
状態であるかを検出する役割を果たす。なぜなら、抵抗
Ｒ３と抵抗Ｒ４の抵抗比に応じて電圧Ｖｃｃが大部分抵
抗Ｒ３に印加されるようになる。例えば５ｖのとき、抵
抗Ｒ４に印加される電圧は略０. ７Ｖ未満の電圧状態を
保持する。
【００３３】そして、電圧降下部ＶＤは、ドレーン端子
には外部から印加される電圧Ｖｃｃが接続されており、
ソース端子が負荷１０の電源入力端に接続され、オン／
オフを制御するゲート端子には、抵抗Ｒ１，Ｒ２によっ
て分圧された電圧信号を入力する第２ＮＭＯＳトランジ
スタ（ＭＮ２）と、第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ
２）のドレーン端子とソース端子が接続され、ゲート端
子に入力される抵抗Ｒ１，Ｒ２によって分圧された電圧
信号に応じてオン／オフするが、第２ＮＭＯＳトランジ
スタ（ＭＮ２）のオン時にオフする第２ＰＭＯＳトラン
ジスタＭＰ２と、第２ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ２）
のオン時にＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ２）のドレーン
端子を通じて入力される電圧を電圧降下して負荷１０に
印加する抵抗Ｒ５と、を備えて構成される。
には外部から印加される電圧Ｖｃｃが接続されており、
ソース端子が負荷１０の電源入力端に接続され、オン／
オフを制御するゲート端子には、抵抗Ｒ１，Ｒ２によっ
て分圧された電圧信号を入力する第２ＮＭＯＳトランジ
スタ（ＭＮ２）と、第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ
２）のドレーン端子とソース端子が接続され、ゲート端
子に入力される抵抗Ｒ１，Ｒ２によって分圧された電圧
信号に応じてオン／オフするが、第２ＮＭＯＳトランジ
スタ（ＭＮ２）のオン時にオフする第２ＰＭＯＳトラン
ジスタＭＰ２と、第２ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ２）
のオン時にＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ２）のドレーン
端子を通じて入力される電圧を電圧降下して負荷１０に
印加する抵抗Ｒ５と、を備えて構成される。
【００３４】次に、動作を図２を参照して説明する。外
部から印加される電圧Ｖｃｃが正常なとき、抵抗Ｒ１と
抵抗Ｒ２によって分圧された電位が第１，第２電圧（Ｒ
１，Ｒ２）の抵抗値による電圧降下現象によってハイ状
態になる（Ｒ１≪Ｒ２）。それにより、第２ＮＭＯＳト
ランジスタ（ＭＮ２）はオンし、電源部Ｐの電圧が負荷
１０に印加される。
部から印加される電圧Ｖｃｃが正常なとき、抵抗Ｒ１と
抵抗Ｒ２によって分圧された電位が第１，第２電圧（Ｒ
１，Ｒ２）の抵抗値による電圧降下現象によってハイ状
態になる（Ｒ１≪Ｒ２）。それにより、第２ＮＭＯＳト
ランジスタ（ＭＮ２）はオンし、電源部Ｐの電圧が負荷
１０に印加される。
【００３５】一方、電圧Ｖｃｃが異常電圧Ｖｄｇ以上に
なったとき、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４によって分圧された電
位が抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値による電圧降下によってロ
ー状態からハイ状態になる（Ｒ３≫Ｒ４）。それによ
り、第１ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ１）はオンし、第
２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ２）のゲート端子に出力
された抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧電位を接地電位に変化させ
る。従って、第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ２）はオ
フし、電圧Ｖｃｃの負荷１０への印加が遮断される。
なったとき、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４によって分圧された電
位が抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値による電圧降下によってロ
ー状態からハイ状態になる（Ｒ３≫Ｒ４）。それによ
り、第１ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ１）はオンし、第
２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ２）のゲート端子に出力
された抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧電位を接地電位に変化させ
る。従って、第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ２）はオ
フし、電圧Ｖｃｃの負荷１０への印加が遮断される。
【００３６】この時、第１ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ
１）のオン時に第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ２）の
ゲート端子に入力された信号の電位がロー状態になる
が、第２ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ２）はオンし、そ
れにより第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ２）のドレー
ン端子に印加された電圧は第２ＰＭＯＳトランジスタ
（ＭＰ２）のソース端子を通じてドレーン端子へ出力さ
れる。
１）のオン時に第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ２）の
ゲート端子に入力された信号の電位がロー状態になる
が、第２ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ２）はオンし、そ
れにより第２ＮＭＯＳトランジスタ（ＭＮ２）のドレー
ン端子に印加された電圧は第２ＰＭＯＳトランジスタ
（ＭＰ２）のソース端子を通じてドレーン端子へ出力さ
れる。
【００３７】第２ＰＭＯＳトランジスタ（ＭＰ２）のド
レーン端子へ出力された電圧は、抵抗Ｒ５を通じて負荷
１０に印加されるが、この時、抵抗Ｒ５によって電圧が
降下して正常な電圧が印加される。以下、警告部Ｒ６，
ＬＥＤ，Ｐ１の動作は前述した第１の実施の形態と同様
に動作する。
レーン端子へ出力された電圧は、抵抗Ｒ５を通じて負荷
１０に印加されるが、この時、抵抗Ｒ５によって電圧が
降下して正常な電圧が印加される。以下、警告部Ｒ６，
ＬＥＤ，Ｐ１の動作は前述した第１の実施の形態と同様
に動作する。
【００３８】次に、より正確な電圧を検出する電圧検出
回路の例を図４と図５とに示す。図４に示す電圧検出回
路は、第１ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）のゲート端子
に印加される信号を多段のＭＯＳトランジスタを通過さ
せて各ＭＯＳトランジスタのドレーンとソース間の電圧
降下を通じてより精巧なゲート電圧を保持させるように
したものであり、１つの抵抗を使用した場合よりは第１
ＮＭＯＳ（Ｎ１）のゲート電位を任意に設定し易いとい
う長所がある。
回路の例を図４と図５とに示す。図４に示す電圧検出回
路は、第１ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）のゲート端子
に印加される信号を多段のＭＯＳトランジスタを通過さ
せて各ＭＯＳトランジスタのドレーンとソース間の電圧
降下を通じてより精巧なゲート電圧を保持させるように
したものであり、１つの抵抗を使用した場合よりは第１
ＮＭＯＳ（Ｎ１）のゲート電位を任意に設定し易いとい
う長所がある。
【００３９】また、図５に示す電圧検出回路では、多段
の抵抗を使用した分圧方式によって第１ＮＭＯＳトラン
ジスタ（Ｎ１）のゲート電位の揺れを防止するという効
果がある。
の抵抗を使用した分圧方式によって第１ＮＭＯＳトラン
ジスタ（Ｎ１）のゲート電位の揺れを防止するという効
果がある。
【００４０】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
にかかる過電圧保護回路によれば、過電圧が発生したと
き、電源とシステム間の電源供給路を自動に遮断してシ
ステムに衝撃を与えるのを防止することができる。請求
項２の発明にかかる過電圧保護回路によれば、過電圧が
発生したとき、使用者に警告することができる。
にかかる過電圧保護回路によれば、過電圧が発生したと
き、電源とシステム間の電源供給路を自動に遮断してシ
ステムに衝撃を与えるのを防止することができる。請求
項２の発明にかかる過電圧保護回路によれば、過電圧が
発生したとき、使用者に警告することができる。
【００４１】請求項３の発明にかかる過電圧保護回路に
よれば、過電圧が発生したとき、発光手段を発光させて
使用者に警告することができる。請求項４の発明にかか
る過電圧保護回路によれば、過電圧を認識することがで
きる。請求項５の発明にかかる過電圧保護回路によれ
ば、電圧を降下させて過電圧を認識することができる。
よれば、過電圧が発生したとき、発光手段を発光させて
使用者に警告することができる。請求項４の発明にかか
る過電圧保護回路によれば、過電圧を認識することがで
きる。請求項５の発明にかかる過電圧保護回路によれ
ば、電圧を降下させて過電圧を認識することができる。
【００４２】請求項６の発明にかかる過電圧保護回路に
よれば、過電圧が発生したとき、ＮＭＯＳトランジスタ
により電源から負荷への供給路を遮断することができ
る。請求項７の発明にかかる過電圧保護回路によれば、
過電圧が発生したとき、電圧発生認識手段の出力信号に
基づいてＮＭＯＳトランジスタにより電源から負荷への
供給路を遮断することができる。
よれば、過電圧が発生したとき、ＮＭＯＳトランジスタ
により電源から負荷への供給路を遮断することができ
る。請求項７の発明にかかる過電圧保護回路によれば、
過電圧が発生したとき、電圧発生認識手段の出力信号に
基づいてＮＭＯＳトランジスタにより電源から負荷への
供給路を遮断することができる。
【００４３】請求項８の発明にかかる過電圧保護回路に
よれば、半導体チップ内で過電圧を検出し、半導体チッ
プを保護することができる。請求項９の発明にかかる過
電圧保護回路によれば、発光手段が発光して使用者に警
告することができる。請求項１０の発明にかかる過電圧
保護回路によれば、過電圧が発生したとき、電源から負
荷への供給路を遮断せずに、半導体チップを保護するこ
とができる。
よれば、半導体チップ内で過電圧を検出し、半導体チッ
プを保護することができる。請求項９の発明にかかる過
電圧保護回路によれば、発光手段が発光して使用者に警
告することができる。請求項１０の発明にかかる過電圧
保護回路によれば、過電圧が発生したとき、電源から負
荷への供給路を遮断せずに、半導体チップを保護するこ
とができる。
【００４４】請求項１１の発明にかかる過電圧保護回路
によれば、過電圧が発生したとき、使用者に警告するこ
とができる。請求項１２の発明にかかる過電圧保護回路
によれば、電圧を降下させて過電圧を検出することがで
きる。請求項１３の発明にかかる過電圧保護回路によれ
ば、第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタ及び第１Ｐ形ＭＯＳト
ランジスタにより電圧を減衰させることができる。
によれば、過電圧が発生したとき、使用者に警告するこ
とができる。請求項１２の発明にかかる過電圧保護回路
によれば、電圧を降下させて過電圧を検出することがで
きる。請求項１３の発明にかかる過電圧保護回路によれ
ば、第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタ及び第１Ｐ形ＭＯＳト
ランジスタにより電圧を減衰させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す回路図。
【図２】図１の動作を示す説明図。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す回路図。
【図４】図１又は図２の電圧検出回路の別の例を示す回
路図。
路図。
【図５】同上電圧検出回路の別の例を示す回路図。
【図６】従来の技術の回路図。
【図７】図６のヒューズを示す平面図。
Ｒ１〜Ｒ８ 抵抗 Ｎ１，Ｎ２，ＭＮ１，ＭＮ２ ＮＭＯＳトランジスタ Ｐ１，ＭＰ１，ＭＰ２ ＰＭＯＳトランジスタ １０ 負荷 ＬＥＤ 発光ダイオード
Claims (13)
- 【請求項１】電源と、該電源から提供される電力を駆動
源として動作する負荷と、を備えたシステムにおける過
電圧保護回路において、 入力される駆動制御信号に応じて電源から負荷に提供さ
れる電源の供給路を開閉する電源伝送路開閉手段と、 電源電圧が設定された正常電圧範囲以上に変動して異常
電圧が発生したとき、これを感知する電圧感知手段と、 該電圧感知手段により異常電圧が感知されたとき、出力
された感知信号に応じて電圧感知手段から電源伝送路開
閉手段へ提供する駆動制御信号を伝送遮断制御信号に変
換する制御信号変換手段と、を備えたことを特徴とする
過電圧保護回路。 - 【請求項２】前記駆動制御信号が伝送遮断制御信号に変
化した時にこれを感知して使用者に警告する過電圧発生
警告手段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の
過電圧保護回路。 - 【請求項３】前記過電圧発生警告手段は、前記駆動制御
信号が伝送遮断制御信号に変化したときにオンするスイ
ッチング手段と、 該スイッチング手段のオン動作時、前記電源からの電流
により光を発生する発光手段と、を備えて構成されたこ
とを特徴とする請求項２記載の過電圧保護回路。 - 【請求項４】前記電圧感知手段は、電源電圧を検出する
電圧発生認識手段と、 前記電源電圧が過電圧か否かを検出する過電圧認識手段
と、を備えて構成されたことを特徴とする請求項１〜請
求項３のいずれか１つに記載の過電圧保護回路。 - 【請求項５】前記過電圧認識手段は、第３電圧降下手段
と、該第３電圧降下手段よりも相対的に電圧降下幅の非
常に小さい第４電圧降下手段と、が直列に接続され、前
記第４電圧降下手段に印加された電圧を多段の電圧降下
形スイッチング手段を通じて出力することを特徴とする
請求項４記載の過電圧保護回路。 - 【請求項６】前記電源伝送路開閉手段は、ドレイン端子
が電源に接続され、ソース端子が負荷の電源入力端に接
続され、オン／オフを制御するゲート端子には電圧発生
認識手段の出力信号が入力されるＮＭＯＳトランジスタ
を備えて構成されたことを特徴とする請求項４又は請求
項５記載の過電圧保護回路。 - 【請求項７】前記制御信号変換手段は、過電圧認識手段
の出力信号をゲート端子に入力してオン／オフし、オン
時にドレーン端子に印加された電圧発生認識手段の出力
信号に基づいて電源伝送路開閉手段をオフするＮＭＯＳ
トランジスタを備えて構成されたことを特徴とする請求
項４〜請求項６のいずれか１つに記載の過電圧保護回
路。 - 【請求項８】電源を駆動源として動作する負荷を半導体
チップに備えた過電圧保護回路において、 入力される駆動制御信号に応じて電源から負荷へ提供さ
れる供給路を開閉する電源伝送路開閉手段と、 電源電圧が設定された正常電圧範囲以上に変動して異常
電圧が発生したとき、これを感知する電圧感知手段と、 該電圧感知手段により異常電圧が感知されたとき、出力
された感知信号に応じて電源伝送路開閉手段へ提供する
駆動制御信号を伝送遮断制御信号に変換する制御信号変
換手段と、 該制御信号変換手段の動作時にこれを感知して使用者に
警告する過電圧発生警告手段と、を備えたことを特徴と
する過電圧保護回路。 - 【請求項９】前記過電圧発生警告手段は、駆動制御信号
が伝送遮断制御信号に変化したときにオンするスイッチ
ング手段と、 該スイッチング手段のオン時に電源電流により光を発生
する発光手段と、を備えて構成され、 前記発光手段は半導体チップの外部に備えられたことを
特徴とする請求項８記載の過電圧保護回路。 - 【請求項１０】外部電源を駆動源として動作する負荷を
半導体チップに備えた過電圧保護回路において、 入力される駆動制御信号の状態に応じて電源電圧を減衰
させる過電圧減衰手段と、 印加された電圧の大きさが設定された正常電圧範囲以上
に変動して過電圧が発生したとき、これを感知する電圧
感知手段と、 該電圧感知手段が異常電圧を感知したとき、出力された
感知信号に応じて駆動制御信号を電圧減衰用制御信号に
変換し、過電圧減衰手段へ提供する制御信号変換手段
と、を備えたことを特徴とする過電圧保護回路。 - 【請求項１１】前記駆動制御信号が電圧減衰用制御信号
に変化した時にこれを感知して使用者に警告する過電圧
発生警告手段をさらに含むことを特徴とする請求項１０
記載の半導体チップにおける過電圧保護回路。 - 【請求項１２】前記電圧感知手段は、第１電圧降下手段
と、 電圧降下幅が第１電圧降下手段の電圧降下幅に比べて非
常に大きい第２電圧降下手段と、 該第２電圧降下手段を通じて分圧された電圧によって外
部電源の電圧を検出する電圧発生認識手段と、 外部電源の電圧が過電圧か否かを検出する過電圧認識手
段と、を備えて構成され、 前記過電圧認識手段は、第３電圧降下手段と、該３電圧
降下手段の電圧降下幅より相対的に電圧降下幅が非常に
小さい第４電圧降下手段と、が直列に接続され、第４電
圧降下手段にかかる電圧を、第５降下手段と、該第５降
下手段の電圧降下幅より相対的に電圧降下幅が非常に小
さい第６電圧降下手段と、によって再分圧して第６電圧
降下手段にかかる電圧を出力するように構成されたこと
を特徴とする請求項１０〜請求項１１のいずれか１つに
記載の過電圧保護回路。 - 【請求項１３】前記過電圧減衰手段は、ドレーン端子が
外部電源に接続され、ソース端子が負荷に接続され、オ
ン／オフを制御するゲート端子には電圧発生認識手段の
出力信号が入力される第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタと、 該第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタのドレーン端子とソース
端子が接続され、電圧発生認識手段の出力信号がゲート
端子に入力されて第１Ｎ形ＭＯＳトランジスタのオン時
にオフする第１Ｐ形ＭＯＳトランジスタと、 該第１Ｐ形ＭＯＳトランジスタのオン時に第１Ｐ形ＭＯ
Ｓトランジスタのドレーン端子を通じて印加された電圧
を電圧降下させて、負荷に印加する電圧降下手段と、を
備えたことを特徴とする請求項１０〜請求項１２のいず
れか１つに記載の過電圧保護回路。
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