JPH10153794A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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- JPH10153794A JPH10153794A JP8312258A JP31225896A JPH10153794A JP H10153794 A JPH10153794 A JP H10153794A JP 8312258 A JP8312258 A JP 8312258A JP 31225896 A JP31225896 A JP 31225896A JP H10153794 A JPH10153794 A JP H10153794A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示パネル、特に画素電極とその形成の
ための構成に関し、画素電極形成領域を拡張可能とし、
高開口化して輝度を改善する。 【解決手段】 ゲートバスライン１、データバスライン
２、アクティブ素子（ＴＦＴ３）が形成されたアクティ
ブマトリクス基板３２の上に、段付き絶縁層３４または
画素電極形成領域内の一部に絶縁層を形成し、絶縁層３
４の上にその段差部で絶縁層３４の厚さ方向に隔離され
た画素電極３６と３７を形成することで、画素電極３６
と３７の形成領域が拡張され、高開口化して輝度が改善
された。
ための構成に関し、画素電極形成領域を拡張可能とし、
高開口化して輝度を改善する。 【解決手段】 ゲートバスライン１、データバスライン
２、アクティブ素子（ＴＦＴ３）が形成されたアクティ
ブマトリクス基板３２の上に、段付き絶縁層３４または
画素電極形成領域内の一部に絶縁層を形成し、絶縁層３
４の上にその段差部で絶縁層３４の厚さ方向に隔離され
た画素電極３６と３７を形成することで、画素電極３６
と３７の形成領域が拡張され、高開口化して輝度が改善
された。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は着色パターンが形成
されたフィルタ基板と、アクティブ素子およびそのアク
ティブ素子のそれぞれに接続する画素電極が形成された
アクティブマトリクス基板との間に、液晶が充填された
アクティブマトリクス型液晶表示パネルに関し、画素電
極の形成領域を拡張せしめ高開口化させることで輝度を
改善させる。
されたフィルタ基板と、アクティブ素子およびそのアク
ティブ素子のそれぞれに接続する画素電極が形成された
アクティブマトリクス基板との間に、液晶が充填された
アクティブマトリクス型液晶表示パネルに関し、画素電
極の形成領域を拡張せしめ高開口化させることで輝度を
改善させる。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルには、各種ＯＡ装置等に
使用される透過型のものと、投写装置等に使用される反
射型に大別されるが、カラー表示の液晶表示パネルとし
ては、マルチカラー方式とフルカラー方式があり、両者
ともに、通常はカラーフィルタを用いている。
使用される透過型のものと、投写装置等に使用される反
射型に大別されるが、カラー表示の液晶表示パネルとし
ては、マルチカラー方式とフルカラー方式があり、両者
ともに、通常はカラーフィルタを用いている。
【０００３】２分割のフィルタ基板としては、例えばマ
ゼンタとグリーンの２色の着色パターンが形成されたも
のがあり、３分割のフィルタ基板としては、例えば赤，
緑，青の３色の着色パターンを形成したものが知られて
いる。
ゼンタとグリーンの２色の着色パターンが形成されたも
のがあり、３分割のフィルタ基板としては、例えば赤，
緑，青の３色の着色パターンを形成したものが知られて
いる。
【０００４】また、アクティブマトリクス基板に形成し
たアクティブ素子には、能動素子（ＴＦＴ：薄膜トラン
ジスタ）をマトリクス状に形成したものと、非線形素子
（ＭＩＭ：メタルインシュレータメタル）をマトリクス
状に形成したものが、一般に知られており、ＴＦＴマト
リクスが形成された基板は、一般にＴＦＴ基板と呼ばれ
ている。
たアクティブ素子には、能動素子（ＴＦＴ：薄膜トラン
ジスタ）をマトリクス状に形成したものと、非線形素子
（ＭＩＭ：メタルインシュレータメタル）をマトリクス
状に形成したものが、一般に知られており、ＴＦＴマト
リクスが形成された基板は、一般にＴＦＴ基板と呼ばれ
ている。
【０００５】図１０は液晶表示パネルの回路の一部を示
す概略図、図１１は従来の高開口化液晶表示パネルの概
略構成図である。図１０において、液晶表示パネルは複
数のゲートバスライン１と複数のデータバスライン２が
交差し、その交差部近傍に配設されたＴＦＴ３は、ゲー
ト電極４がゲートバスライン１に、ドレイン電極５がデ
ータバスライン２に、ソース電極６に接続する画素電極
９は液晶７を介してコモン電極８に接続されている。
す概略図、図１１は従来の高開口化液晶表示パネルの概
略構成図である。図１０において、液晶表示パネルは複
数のゲートバスライン１と複数のデータバスライン２が
交差し、その交差部近傍に配設されたＴＦＴ３は、ゲー
ト電極４がゲートバスライン１に、ドレイン電極５がデ
ータバスライン２に、ソース電極６に接続する画素電極
９は液晶７を介してコモン電極８に接続されている。
【０００６】図１１において、マルチカラー方式の反射
型液晶表示パネル１１は、ＴＦＴ基板１２とフィルタ基
板１３の間に液晶７が充填されている。一般にガラスに
てなるＴＦＴ基板１２の上面には、ゲートバスライン
（１），ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ３，データバスライ
ン２，ＴＦＴ３等を覆う絶縁層１５，絶縁層１５上の画
素電極９が形成され、画素電極９は絶縁層１５に穿設し
たコンタクトホール１６を介してＴＦＴ３のソース電極
６に接続する。
型液晶表示パネル１１は、ＴＦＴ基板１２とフィルタ基
板１３の間に液晶７が充填されている。一般にガラスに
てなるＴＦＴ基板１２の上面には、ゲートバスライン
（１），ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ３，データバスライ
ン２，ＴＦＴ３等を覆う絶縁層１５，絶縁層１５上の画
素電極９が形成され、画素電極９は絶縁層１５に穿設し
たコンタクトホール１６を介してＴＦＴ３のソース電極
６に接続する。
【０００７】一般にガラスにてなるフィルタ基板１３の
下面には、画素電極９に対向するマゼンタパターン１７
とグリーンパターン１８およびブラックマスク１９を形
成したのち、ＩＴＯにてなるコモン電極８が形成されて
いる。
下面には、画素電極９に対向するマゼンタパターン１７
とグリーンパターン１８およびブラックマスク１９を形
成したのち、ＩＴＯにてなるコモン電極８が形成されて
いる。
【０００８】かかる反射型液晶表示パネル１１は、絶縁
層１５を形成することで、ゲートバスライン１とデータ
バスライン２およびＴＦＴ３の上に画素電極９が形成可
能となり、そのことで高開口化を実現している。
層１５を形成することで、ゲートバスライン１とデータ
バスライン２およびＴＦＴ３の上に画素電極９が形成可
能となり、そのことで高開口化を実現している。
【０００９】図１２は液晶表示パネルにおける着色パタ
ーンの配列例を示す平面図であり、フルカラー表示の液
晶表示パネルにおける着色パターンの配列として、
（ａ）に示すストライプ配列、（ｂ）に示すトライアン
グル配列、（ｃ）に示すモザイク配列が知られている。
ストライプ配列は、赤色パターンＲと緑色パターンＧと
青色パターンＢが、それぞれ色別に同一列に整列する構
成であり、行別に１／２ピッチだけずれるトライアング
ル配列は、赤色パターンＲと緑色パターンＧと青色パタ
ーンＢが正三角形の頂点に配設された構成であり、モザ
イク配列は、赤色パターンＲと緑色パターンＧと青色パ
ターンＢが前後・左右方向に揃って所定順序で整列す
る。
ーンの配列例を示す平面図であり、フルカラー表示の液
晶表示パネルにおける着色パターンの配列として、
（ａ）に示すストライプ配列、（ｂ）に示すトライアン
グル配列、（ｃ）に示すモザイク配列が知られている。
ストライプ配列は、赤色パターンＲと緑色パターンＧと
青色パターンＢが、それぞれ色別に同一列に整列する構
成であり、行別に１／２ピッチだけずれるトライアング
ル配列は、赤色パターンＲと緑色パターンＧと青色パタ
ーンＢが正三角形の頂点に配設された構成であり、モザ
イク配列は、赤色パターンＲと緑色パターンＧと青色パ
ターンＢが前後・左右方向に揃って所定順序で整列す
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
ＴＦＴ基板１２に絶縁層１５を形成し、その絶縁層１５
上に画素電極９を形成することで、ゲートバスライン１
およびデータバスライン２の上に画素電極９が形成可能
となり、高開口化された反射型液晶表示パネル１１が知
られている。
ＴＦＴ基板１２に絶縁層１５を形成し、その絶縁層１５
上に画素電極９を形成することで、ゲートバスライン１
およびデータバスライン２の上に画素電極９が形成可能
となり、高開口化された反射型液晶表示パネル１１が知
られている。
【００１１】しかしながら、液晶表示パネル１１は多数
の画素電極９が同一面、即ち平坦な絶縁層１５の表面に
形成された構成であり、各画素電極９の周囲に電気的絶
縁領域を必要とし、更なる高開口化が前記電気的絶縁領
域によって妨げられていた。
の画素電極９が同一面、即ち平坦な絶縁層１５の表面に
形成された構成であり、各画素電極９の周囲に電気的絶
縁領域を必要とし、更なる高開口化が前記電気的絶縁領
域によって妨げられていた。
【００１２】特に、携帯型装置等に使用する反射型液晶
表示パネルにおいて、その開口率は表示品質を高める上
で極めて重要であり、一層の高開口化が液晶表示パネル
に要望されていた。
表示パネルにおいて、その開口率は表示品質を高める上
で極めて重要であり、一層の高開口化が液晶表示パネル
に要望されていた。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は画素電極
の形成領域を拡張可能とし、高開口化させることで輝度
を改善させることである。
の形成領域を拡張可能とし、高開口化させることで輝度
を改善させることである。
【００１４】本発明の第１の液晶表示パネルは、複数本
のゲートバスライン、該複数本のゲートバスラインに交
差する複数本のデータバスライン、該ゲートバスライン
とデータバスラインに接続するアクティブ素子、該アク
ティブ素子のそれぞれの素子に接続する画素電極が形成
されたアクティブマトリクス基板と、着色パターンフィ
ルタと該画素電極に対向するコモン電極が形成されたフ
ィルタ基板との間に、液晶が充填されたアクティブマト
リクス型液晶表示パネルであって、該アクティブマトリ
クス基板に形成された複数の画素電極の少なくとも一辺
が、隣接画素電極に対し画素電極厚さ方向に電気的に隔
離されてなることである。
のゲートバスライン、該複数本のゲートバスラインに交
差する複数本のデータバスライン、該ゲートバスライン
とデータバスラインに接続するアクティブ素子、該アク
ティブ素子のそれぞれの素子に接続する画素電極が形成
されたアクティブマトリクス基板と、着色パターンフィ
ルタと該画素電極に対向するコモン電極が形成されたフ
ィルタ基板との間に、液晶が充填されたアクティブマト
リクス型液晶表示パネルであって、該アクティブマトリ
クス基板に形成された複数の画素電極の少なくとも一辺
が、隣接画素電極に対し画素電極厚さ方向に電気的に隔
離されてなることである。
【００１５】本発明の第２の液晶表示パネルは、前記ア
クティブマトリクス基板に、少なくとも一方の隣接画素
電極形成領域との境界に沿って段差を有する絶縁層が形
成され、該段差によって前記画素電極厚さ方向の電気的
隔離がなされていることである。
クティブマトリクス基板に、少なくとも一方の隣接画素
電極形成領域との境界に沿って段差を有する絶縁層が形
成され、該段差によって前記画素電極厚さ方向の電気的
隔離がなされていることである。
【００１６】本発明の第３の液晶表示パネルは、前記ア
クティブマトリクス基板に、二方の隣接画素電極形成領
域の境界に沿って段差を有する絶縁層が形成され、該段
差によって前記画素電極厚さ方向の電気的隔離されてな
ることである。
クティブマトリクス基板に、二方の隣接画素電極形成領
域の境界に沿って段差を有する絶縁層が形成され、該段
差によって前記画素電極厚さ方向の電気的隔離されてな
ることである。
【００１７】本発明の第４の液晶表示パネルは、前記ア
クティブマトリクス基板に、四方の隣接画素電極形成領
域の境界に沿って段差を有する絶縁層が形成され、該段
差によって前記画素電極厚さ方向の電気的隔離がなされ
ていることである。
クティブマトリクス基板に、四方の隣接画素電極形成領
域の境界に沿って段差を有する絶縁層が形成され、該段
差によって前記画素電極厚さ方向の電気的隔離がなされ
ていることである。
【００１８】本発明の第５の液晶表示パネルは、前記ア
クティブマトリクス基板上には、一部の前記画素電極
と、該一部の画素電極の左右方向または前後方向に隣接
する画素電極形成領域上の絶縁層とが形成され、他の前
記画素電極が該絶縁層上に形成され、該絶縁層の段差に
よって該一部の画素電極と該他の画素電極との隣接部の
前記電気的隔離がなされていることである。
クティブマトリクス基板上には、一部の前記画素電極
と、該一部の画素電極の左右方向または前後方向に隣接
する画素電極形成領域上の絶縁層とが形成され、他の前
記画素電極が該絶縁層上に形成され、該絶縁層の段差に
よって該一部の画素電極と該他の画素電極との隣接部の
前記電気的隔離がなされていることである。
【００１９】本発明の第６の液晶表示パネルは、前記ア
クティブマトリクス基板上には、一部の前記画素電極
と、該一部の画素電極の左右方向および前後方向に隣接
する画素電極形成領域上の絶縁層とが形成され、他の前
記画素電極が該絶縁層上に形成され、該絶縁層の段差に
よって該一部の画素電極と該他の画素電極との隣接部の
前記電気的隔離がなされていることである。
クティブマトリクス基板上には、一部の前記画素電極
と、該一部の画素電極の左右方向および前後方向に隣接
する画素電極形成領域上の絶縁層とが形成され、他の前
記画素電極が該絶縁層上に形成され、該絶縁層の段差に
よって該一部の画素電極と該他の画素電極との隣接部の
前記電気的隔離がなされていることである。
【００２０】本発明の第７の液晶表示パネルは、前記ア
クティブマトリクス基板には各画素電極形成領域の一
部、かつ、該画素電極形成領域の輪郭の少なくとも１／
２に接する絶縁層が形成され、前記画素電極が該絶縁層
と該アクティブマトリクス基板上に連通し形成され、該
絶縁層の段差によって前記画素電極厚さ方向の電気的隔
離がなされていること、である。
クティブマトリクス基板には各画素電極形成領域の一
部、かつ、該画素電極形成領域の輪郭の少なくとも１／
２に接する絶縁層が形成され、前記画素電極が該絶縁層
と該アクティブマトリクス基板上に連通し形成され、該
絶縁層の段差によって前記画素電極厚さ方向の電気的隔
離がなされていること、である。
【００２１】本発明の第８の液晶表示パネルは、前記絶
縁層の段差によって隔離された前記画素電極の境界に対
応し、前記フィルタ基板の着色パターンが密接し形成さ
れてなることである。
縁層の段差によって隔離された前記画素電極の境界に対
応し、前記フィルタ基板の着色パターンが密接し形成さ
れてなることである。
【００２２】本発明の第９の液晶表示パネルは、前記画
素電極が光学的反射性の導電部材で形成された反射型表
示であることである。本発明の第１０の液晶表示パネル
は、前記ゲートバスラインとデータバスラインおよび画
素電極が、透光性導体で形成された透過型表示であるこ
とである。
素電極が光学的反射性の導電部材で形成された反射型表
示であることである。本発明の第１０の液晶表示パネル
は、前記ゲートバスラインとデータバスラインおよび画
素電極が、透光性導体で形成された透過型表示であるこ
とである。
【００２３】本発明の第１１の液晶表示パネルは、前記
フィルタ基板にマルチカラー表示用着色パターンが形成
されてなることである。本発明の第１２の液晶表示パネ
ルは、前記フィルタ基板にフルカラー表示用着色パター
ンが形成されてなることである。
フィルタ基板にマルチカラー表示用着色パターンが形成
されてなることである。本発明の第１２の液晶表示パネ
ルは、前記フィルタ基板にフルカラー表示用着色パター
ンが形成されてなることである。
【００２４】本発明の第１３の液晶表示パネルは、前記
本発明の第１２の液晶表示パネルにおいて、前記フィル
タ基板に形成された着色パターンが赤・緑・青の３色で
あり、前記絶縁層の段差による前記液晶の厚さが、該フ
ィルタ基板の赤色パターン対応部より緑色パターン対応
部が薄く、該緑色パターン対応部より青色パターン対応
部が薄くなるように、該絶縁層が形成されてなることで
ある。
本発明の第１２の液晶表示パネルにおいて、前記フィル
タ基板に形成された着色パターンが赤・緑・青の３色で
あり、前記絶縁層の段差による前記液晶の厚さが、該フ
ィルタ基板の赤色パターン対応部より緑色パターン対応
部が薄く、該緑色パターン対応部より青色パターン対応
部が薄くなるように、該絶縁層が形成されてなることで
ある。
【００２５】前記本発明の第１の液晶表示パネルは、複
数の画素電極の少なくとも一辺が、隣接画素電極に対し
画素電極厚さ方向に電気的に隔離されることで、その電
気的隔離部に従来技術で必要とした平面的隔離スペース
が不要となり、画素電極形成領域が拡張可能となり、そ
のことで高開口化し、輝度が改善される。
数の画素電極の少なくとも一辺が、隣接画素電極に対し
画素電極厚さ方向に電気的に隔離されることで、その電
気的隔離部に従来技術で必要とした平面的隔離スペース
が不要となり、画素電極形成領域が拡張可能となり、そ
のことで高開口化し、輝度が改善される。
【００２６】前記本発明の第２〜第７の液晶表示パネル
は、本発明の第１の液晶表示パネルにおける画素電極厚
さ方向の電気的隔離に、絶縁層を利用した構成であり、
その作用効果は本発明の第１の液晶表示パネルと同じで
ある。
は、本発明の第１の液晶表示パネルにおける画素電極厚
さ方向の電気的隔離に、絶縁層を利用した構成であり、
その作用効果は本発明の第１の液晶表示パネルと同じで
ある。
【００２７】前記本発明の第８〜第１３の液晶表示パネ
ルは、本発明の第１〜第７の液晶表示パネルを透過型ま
たはマルチカラー表示用またはフルカラー表示用に適応
せしめた構成である。
ルは、本発明の第１〜第７の液晶表示パネルを透過型ま
たはマルチカラー表示用またはフルカラー表示用に適応
せしめた構成である。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例によ
る液晶表示パネルの説明図であり、（ａ）はデータバス
ライン２とゲート電極４を横断する模式断面図、（ｂ）
はゲートバスラインを横断する（ａ）のＡ−Ａ矢視断面
図である。
る液晶表示パネルの説明図であり、（ａ）はデータバス
ライン２とゲート電極４を横断する模式断面図、（ｂ）
はゲートバスラインを横断する（ａ）のＡ−Ａ矢視断面
図である。
【００２９】図１において、マルチカラー方式の反射型
液晶表示パネル３１は、ＴＦＴ基板３２とフィルタ基板
３３の間に液晶７が充填されている。ガラス等にてなる
ＴＦＴ基板３２の上面には、ゲートバスライン１，デー
タバスライン２，ＴＦＴ３，ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ
３等を覆う絶縁層３４，絶縁層３４上の画素電極３６と
３７が形成され、画素電極３６と３７は絶縁層３４に穿
設したコンタクトホール３５を介し、対向するＴＦＴ３
のソース電極６に接続されている。
液晶表示パネル３１は、ＴＦＴ基板３２とフィルタ基板
３３の間に液晶７が充填されている。ガラス等にてなる
ＴＦＴ基板３２の上面には、ゲートバスライン１，デー
タバスライン２，ＴＦＴ３，ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ
３等を覆う絶縁層３４，絶縁層３４上の画素電極３６と
３７が形成され、画素電極３６と３７は絶縁層３４に穿
設したコンタクトホール３５を介し、対向するＴＦＴ３
のソース電極６に接続されている。
【００３０】アルミニウム等にて形成して光学的に反射
性を具え、厚さが１５００Å程度の画素電極３６と３７
は、図１（ａ）の図紙厚さ方向，図１（ｂ）の左右方向
に複数個が整列し形成されており、その整列方向に個々
の画素電極３６または３７は、適当幅の間隙４０例えば
数μｍ幅の間隙４０によって分割されている。
性を具え、厚さが１５００Å程度の画素電極３６と３７
は、図１（ａ）の図紙厚さ方向，図１（ｂ）の左右方向
に複数個が整列し形成されており、その整列方向に個々
の画素電極３６または３７は、適当幅の間隙４０例えば
数μｍ幅の間隙４０によって分割されている。
【００３１】ガラスまたは透光性フィルム等にてなるフ
ィルタ基板３３の下面には、ストライブ配列の透光性マ
ゼンタパターン３８と透光性グリーンパターン３９、即
ち画素電極３６に対向するマゼンタパターン３８と、画
素電極３７に対向するグリーンパターン３９および、Ｔ
ＦＴ基板３２の間隙４０に対向するブラックマスク４１
を形成したのち、ＩＴＯにてなるコモン電極８が被着さ
れている。
ィルタ基板３３の下面には、ストライブ配列の透光性マ
ゼンタパターン３８と透光性グリーンパターン３９、即
ち画素電極３６に対向するマゼンタパターン３８と、画
素電極３７に対向するグリーンパターン３９および、Ｔ
ＦＴ基板３２の間隙４０に対向するブラックマスク４１
を形成したのち、ＩＴＯにてなるコモン電極８が被着さ
れている。
【００３２】アクリル系樹脂，ポリイミド系樹脂，エポ
キシ系樹脂またはＳｉＯ2 等の無機組成物にてなる絶縁
層３４は、均一厚さに形成したのち一部をエッチングす
るまたは、所定の２層構成とすることで薄層部３４ａと
厚層部３４ｂの段付きとし、その段差ｄは隣合う画素電
極３６と３７が電気的に接続されない値、例えば１μｍ
程度の段差ｄとし、薄層部３４ａがフィルタ基板３３の
マゼンタパターン３８に対向するとき、厚層部３４ｂは
フィルタ基板３３のグリーンパターン３９に対向する。
キシ系樹脂またはＳｉＯ2 等の無機組成物にてなる絶縁
層３４は、均一厚さに形成したのち一部をエッチングす
るまたは、所定の２層構成とすることで薄層部３４ａと
厚層部３４ｂの段付きとし、その段差ｄは隣合う画素電
極３６と３７が電気的に接続されない値、例えば１μｍ
程度の段差ｄとし、薄層部３４ａがフィルタ基板３３の
マゼンタパターン３８に対向するとき、厚層部３４ｂは
フィルタ基板３３のグリーンパターン３９に対向する。
【００３３】かかる液晶表示パネル３１において、隣合
う画素電極３６と３７は上から見たとき隙間なしであ
り、そのことによって画素電極３６と３７は、四方に隙
間を必要とした従来の画素電極９より拡張形成が可能と
なり、高開口化されるようになる。
う画素電極３６と３７は上から見たとき隙間なしであ
り、そのことによって画素電極３６と３７は、四方に隙
間を必要とした従来の画素電極９より拡張形成が可能と
なり、高開口化されるようになる。
【００３４】なお、マルチカラー方式の反射型液晶表示
パネル３１では、ゲートバスライン１およびデータバス
ライン２に、アルミニウム等の非透光性金属を使用す
る。そこで、液晶表示パネル３１の構成を透過型液晶表
示パネルに応用するには、ゲートバスライン１およびデ
ータバスライン２に透光性導体材料、例えばＩＴＯを使
用し、ＴＦＴ基板にＴＦＴ基板３２と同様な絶縁層３４
および画素電極３６，３７を形成する。
パネル３１では、ゲートバスライン１およびデータバス
ライン２に、アルミニウム等の非透光性金属を使用す
る。そこで、液晶表示パネル３１の構成を透過型液晶表
示パネルに応用するには、ゲートバスライン１およびデ
ータバスライン２に透光性導体材料、例えばＩＴＯを使
用し、ＴＦＴ基板にＴＦＴ基板３２と同様な絶縁層３４
および画素電極３６，３７を形成する。
【００３５】その結果、反射型液晶表示パネル３１と同
様に高開口化された、マルチカラーの透過型液晶表示パ
ネルが得られる。図２は本発明の第２の実施例による液
晶表示パネルの説明図であり、マルチカラー方式の反射
型液晶表示パネル４５は、ＴＦＴ基板３２とフィルタ基
板４６の間に液晶７が充填されている。
様に高開口化された、マルチカラーの透過型液晶表示パ
ネルが得られる。図２は本発明の第２の実施例による液
晶表示パネルの説明図であり、マルチカラー方式の反射
型液晶表示パネル４５は、ＴＦＴ基板３２とフィルタ基
板４６の間に液晶７が充填されている。
【００３６】液晶表示パネル３１と同一ＴＦＴ基板３２
を使用した液晶表示パネル４５において、フィルタ基板
４６は、ＴＦＴ基板３２の絶縁層３４の段差ｄに対応し
液晶７の厚さを均一化させるまたは、マゼンタパターン
３８とグリーンパターン３９に対応し液晶７の厚さを適
性化させる構成である。
を使用した液晶表示パネル４５において、フィルタ基板
４６は、ＴＦＴ基板３２の絶縁層３４の段差ｄに対応し
液晶７の厚さを均一化させるまたは、マゼンタパターン
３８とグリーンパターン３９に対応し液晶７の厚さを適
性化させる構成である。
【００３７】即ち、ガラスまたは透光性フィルム等にて
なるフィルタ基板４６の下面には、フィルタ基板３３と
同じくストライブ配列のマゼンタパターン３８とグリー
ンパターン３９、およびブラックマスク（図示せず）を
形成したのち、絶縁層３４の段差（１μｍ程度）ｄに相
当し均一厚さの透光性パッド４７を形成し、次いでＩＴ
Ｏにてなるコモン電極８が被着されている。
なるフィルタ基板４６の下面には、フィルタ基板３３と
同じくストライブ配列のマゼンタパターン３８とグリー
ンパターン３９、およびブラックマスク（図示せず）を
形成したのち、絶縁層３４の段差（１μｍ程度）ｄに相
当し均一厚さの透光性パッド４７を形成し、次いでＩＴ
Ｏにてなるコモン電極８が被着されている。
【００３８】ただし、パッド４７の形成に代えてマゼン
タパターン３８を厚くしたり、コモン電極８を選択的に
厚くしてもよい。かかる液晶表示パネル４５は、液晶表
示パネル３１と同じく画素電極３６および３７の形成領
域が拡張され輝度が改善されると共に、全表示領域に渡
って液晶７の厚さを均一化または適性化し、そのことに
よって色調に優れたものとなる。
タパターン３８を厚くしたり、コモン電極８を選択的に
厚くしてもよい。かかる液晶表示パネル４５は、液晶表
示パネル３１と同じく画素電極３６および３７の形成領
域が拡張され輝度が改善されると共に、全表示領域に渡
って液晶７の厚さを均一化または適性化し、そのことに
よって色調に優れたものとなる。
【００３９】そして、パッド４７またはそれに代わる前
記構成は、ゲートバスライン１およびデータバスライン
２にＩＴＯを使用した前記マルチカラーの透過型液晶表
示パネル、即ち絶縁層３４と画素電極３６，３７を具え
た透過型液晶表示パネルにも適用可能である。
記構成は、ゲートバスライン１およびデータバスライン
２にＩＴＯを使用した前記マルチカラーの透過型液晶表
示パネル、即ち絶縁層３４と画素電極３６，３７を具え
た透過型液晶表示パネルにも適用可能である。
【００４０】図３は本発明の第３の実施例による液晶表
示パネルの説明図であり、データバスライン２とゲート
電極４を横断する断面である図３において、マルチカラ
ー方式の反射型液晶表示パネル５１は、ＴＦＴ基板５２
とフィルタ基板３３の間に液晶７が充填されている。
示パネルの説明図であり、データバスライン２とゲート
電極４を横断する断面である図３において、マルチカラ
ー方式の反射型液晶表示パネル５１は、ＴＦＴ基板５２
とフィルタ基板３３の間に液晶７が充填されている。
【００４１】ガラス等にてなるＴＦＴ基板５２の上面に
は、ゲートバスライン１，データバスライン２，ＴＦＴ
３，ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ３等を選択的に覆う絶縁
層５３，ゲート絶縁膜１４上の画素電極５４，絶縁層５
３上の画素電極５５が形成されている。
は、ゲートバスライン１，データバスライン２，ＴＦＴ
３，ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ３等を選択的に覆う絶縁
層５３，ゲート絶縁膜１４上の画素電極５４，絶縁層５
３上の画素電極５５が形成されている。
【００４２】アクリル系樹脂，ポリイミド系樹脂，エポ
キシ系樹脂またはＳｉＯ2 等の無機組成物にてなる絶縁
層５３は、例えばストライプ配列のグリーンパターン３
９と対向するように形成され、その厚さはＴＦＴ３によ
る凹凸を平坦化し画素電極５４と５５が電気的に隔離さ
れる値、例えば数μｍ程度である。
キシ系樹脂またはＳｉＯ2 等の無機組成物にてなる絶縁
層５３は、例えばストライプ配列のグリーンパターン３
９と対向するように形成され、その厚さはＴＦＴ３によ
る凹凸を平坦化し画素電極５４と５５が電気的に隔離さ
れる値、例えば数μｍ程度である。
【００４３】液晶表示パネル３１の画素電極３６に相当
する画素電極５４は、ＴＦＴ３のソース電極６と直接的
に接続し、液晶表示パネル３１の画素電極３７に相当す
る画素電極５５は、絶縁層５３に穿設したコンタクトホ
ール３５を介し、対向するＴＦＴ３のソース電極６に接
続されている。
する画素電極５４は、ＴＦＴ３のソース電極６と直接的
に接続し、液晶表示パネル３１の画素電極３７に相当す
る画素電極５５は、絶縁層５３に穿設したコンタクトホ
ール３５を介し、対向するＴＦＴ３のソース電極６に接
続されている。
【００４４】アルミニウム等にて形成して光学的に反射
性を具え、厚さが１５００Å程度の画素電極５４と５５
は、画素電極３６および３７と同じく、図紙の厚さ方向
に複数個が整列されており、その整列方向に各画素電極
５４と５５は、画素電極３６および３７と同じく適当幅
の間隙により分割されている。
性を具え、厚さが１５００Å程度の画素電極５４と５５
は、画素電極３６および３７と同じく、図紙の厚さ方向
に複数個が整列されており、その整列方向に各画素電極
５４と５５は、画素電極３６および３７と同じく適当幅
の間隙により分割されている。
【００４５】かかる液晶表示パネル５１は、前記液晶表
示パネル３１と同じく画素電極５４および５５が従来の
画素電極９より拡張可能となり、そのことによって高開
口化され輝度が改善される。
示パネル３１と同じく画素電極５４および５５が従来の
画素電極９より拡張可能となり、そのことによって高開
口化され輝度が改善される。
【００４６】なお、液晶表示パネル５１において、フィ
ルタ基板３３に代え図２に示すフィルタ基板４６を使用
すれば、液晶７の厚さを均一化させることが可能であ
り、さらにゲートバスライン１およびデータバスライン
２にＩＴＯを使用することで、透過型液晶表示パネルに
応用し液晶表示パネル５１と同等の効果が得られる。
ルタ基板３３に代え図２に示すフィルタ基板４６を使用
すれば、液晶７の厚さを均一化させることが可能であ
り、さらにゲートバスライン１およびデータバスライン
２にＩＴＯを使用することで、透過型液晶表示パネルに
応用し液晶表示パネル５１と同等の効果が得られる。
【００４７】図４は本発明の第４の実施例による液晶表
示パネルの説明図であり、フルカラー方式の反射型液晶
表示パネル５６は、ＴＦＴ基板３２とフィルタ基板５７
の間に液晶７が充填されている。
示パネルの説明図であり、フルカラー方式の反射型液晶
表示パネル５６は、ＴＦＴ基板３２とフィルタ基板５７
の間に液晶７が充填されている。
【００４８】データバスライン２とゲート電極４を横断
する断面であり、液晶表示パネル３１と同一ＴＦＴ基板
３２を使用した液晶表示パネル５６を示す図４におい
て、ガラスまたは透光性フィルム等にてなるフィルタ基
板５７の下面には、それぞれ透光性の赤色パターンＲと
緑色パターンＧと青色パターンＢを形成したのち、ＩＴ
Ｏにてなるコモン電極８が被着されている。
する断面であり、液晶表示パネル３１と同一ＴＦＴ基板
３２を使用した液晶表示パネル５６を示す図４におい
て、ガラスまたは透光性フィルム等にてなるフィルタ基
板５７の下面には、それぞれ透光性の赤色パターンＲと
緑色パターンＧと青色パターンＢを形成したのち、ＩＴ
Ｏにてなるコモン電極８が被着されている。
【００４９】着色パターンＲ，Ｇ，Ｂがストライプ配列
のフィルタ基板５７では、図紙の厚さ方向にそれぞれ複
数の着色パターンＲ，Ｇ，Ｂが整列し、その間にはＴＦ
Ｔ基板３２と同様なブラックマスク４１（図１（ｂ）参
照）が形成されている。
のフィルタ基板５７では、図紙の厚さ方向にそれぞれ複
数の着色パターンＲ，Ｇ，Ｂが整列し、その間にはＴＦ
Ｔ基板３２と同様なブラックマスク４１（図１（ｂ）参
照）が形成されている。
【００５０】かかる液晶表示パネル５６は、液晶表示パ
ネル３１と同じく画素電極３６および３７が従来の画素
電極９より拡張可能となり、そのことによって高開口化
され輝度が改善される。
ネル３１と同じく画素電極３６および３７が従来の画素
電極９より拡張可能となり、そのことによって高開口化
され輝度が改善される。
【００５１】なお、液晶表示パネル５６において、フィ
ルタ基板５７に形成した３色の着色パターンＲ，Ｇ，Ｂ
は、その位置によって画素電極３６または３７と対向
し、液晶７の厚さが異なるようになる。そこで、フィル
タ基板５７に図２を用いて説明したパッド４７を選択的
に形成し、全体に渡りまたは同一着色パターンＲ，Ｇ，
Ｂについて、液晶７の厚さを均一化させることが可能で
ある。
ルタ基板５７に形成した３色の着色パターンＲ，Ｇ，Ｂ
は、その位置によって画素電極３６または３７と対向
し、液晶７の厚さが異なるようになる。そこで、フィル
タ基板５７に図２を用いて説明したパッド４７を選択的
に形成し、全体に渡りまたは同一着色パターンＲ，Ｇ，
Ｂについて、液晶７の厚さを均一化させることが可能で
ある。
【００５２】さらに、ゲートバスライン１およびデータ
バスライン２にＩＴＯを使用することで、フルカラーの
透過型液晶表示パネルに応用し、液晶表示パネル５６と
同等の高開口化効果が得られる。
バスライン２にＩＴＯを使用することで、フルカラーの
透過型液晶表示パネルに応用し、液晶表示パネル５６と
同等の高開口化効果が得られる。
【００５３】図５は本発明の第５の実施例による液晶表
示パネルの説明図であり、フルカラー方式の反射型液晶
表示パネル６１は、ＴＦＴ基板６２とフィルタ基板５７
の間に液晶７が充填されている。
示パネルの説明図であり、フルカラー方式の反射型液晶
表示パネル６１は、ＴＦＴ基板６２とフィルタ基板５７
の間に液晶７が充填されている。
【００５４】データバスライン２とゲート電極４を横断
する断面を示す図５において、ガラス等にてなるＴＦＴ
基板６２の上面には、ゲートバスライン（１），データ
バスライン２，ＴＦＴ３，ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ３
等を覆う絶縁層６３，絶縁層６３上の画素電極６４と６
５と６６が形成され、画素電極６４〜６６は絶縁層６３
に穿設したコンタクトホール３５を介し、対向するＴＦ
Ｔ３のソース電極６に接続されている。
する断面を示す図５において、ガラス等にてなるＴＦＴ
基板６２の上面には、ゲートバスライン（１），データ
バスライン２，ＴＦＴ３，ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ３
等を覆う絶縁層６３，絶縁層６３上の画素電極６４と６
５と６６が形成され、画素電極６４〜６６は絶縁層６３
に穿設したコンタクトホール３５を介し、対向するＴＦ
Ｔ３のソース電極６に接続されている。
【００５５】アルミニウム等にて形成して光学的に反射
性を具え、厚さが１５００Å程度の画素電極６４〜６６
は、図紙の厚さ方向に複数個が整列されており、その整
列方向に個々の画素電極６４〜６６は、適当幅の間隙４
０（図１（ｂ）参照）によって分割されている。
性を具え、厚さが１５００Å程度の画素電極６４〜６６
は、図紙の厚さ方向に複数個が整列されており、その整
列方向に個々の画素電極６４〜６６は、適当幅の間隙４
０（図１（ｂ）参照）によって分割されている。
【００５６】アクリル系樹脂，ポリイミド系樹脂，エポ
キシ系樹脂またはＳｉＯ2 等の無機組成物にてなる絶縁
層６３は、均一厚さに形成したのち一部をエッチングす
るまたは積層形成とすることで、薄層部６３ａと中層部
６３ｂと厚層部６３ｃが一体化されている。
キシ系樹脂またはＳｉＯ2 等の無機組成物にてなる絶縁
層６３は、均一厚さに形成したのち一部をエッチングす
るまたは積層形成とすることで、薄層部６３ａと中層部
６３ｂと厚層部６３ｃが一体化されている。
【００５７】薄層部６３ａと中層部６３ｂと厚層部６３
ｃの段差は、隣合う画素電極６４〜６６が電気的に接続
されない段差、例えば１μｍ程度の段付き構成とし、薄
層部６３ａがフィルタ基板５７の着色パターンＲに対向
するとき、中層部６３ｂはフィルタ基板５７の着色パタ
ーンＧに対向し、厚層部６３ｃがフィルタ基板５７の着
色パターンＢに対向する。
ｃの段差は、隣合う画素電極６４〜６６が電気的に接続
されない段差、例えば１μｍ程度の段付き構成とし、薄
層部６３ａがフィルタ基板５７の着色パターンＲに対向
するとき、中層部６３ｂはフィルタ基板５７の着色パタ
ーンＧに対向し、厚層部６３ｃがフィルタ基板５７の着
色パターンＢに対向する。
【００５８】かかる液晶表示パネル６１において、隣合
う画素電極６４〜６６は上から見たとき隙間なしであ
り、そのことによって画素電極６４〜６６は、四方に隙
間を必要とした従来の画素電極９より拡張形成が可能と
なり、高開口化されることで輝度が改善される。
う画素電極６４〜６６は上から見たとき隙間なしであ
り、そのことによって画素電極６４〜６６は、四方に隙
間を必要とした従来の画素電極９より拡張形成が可能と
なり、高開口化されることで輝度が改善される。
【００５９】なお、液晶表示パネル６１は、ゲートバス
ライン１およびデータバスライン２にＩＴＯを使用する
ことで、フルカラーの透過型液晶表示パネルに応用可能
であり、液晶表示パネル６１と同等の高開口化効果が得
られる。
ライン１およびデータバスライン２にＩＴＯを使用する
ことで、フルカラーの透過型液晶表示パネルに応用可能
であり、液晶表示パネル６１と同等の高開口化効果が得
られる。
【００６０】なお、フルカラーの液晶表示パネルにおい
て液晶７の厚さは、着色パターンＲ，Ｇ，Ｂに対応し最
適化させることの望ましいことが知られている。そこ
で、本発明では着色パターンＲに対応する液晶７の厚さ
を約６μｍとしたとき、着色パターンＧに対応する液晶
７の厚さが約５μｍ、着色パターンＢに対応する液晶７
の厚さが約４μｍになるように、薄層部６３ａと中層部
６３ｂと厚層部６３ｃを設定することを推奨する。
て液晶７の厚さは、着色パターンＲ，Ｇ，Ｂに対応し最
適化させることの望ましいことが知られている。そこ
で、本発明では着色パターンＲに対応する液晶７の厚さ
を約６μｍとしたとき、着色パターンＧに対応する液晶
７の厚さが約５μｍ、着色パターンＢに対応する液晶７
の厚さが約４μｍになるように、薄層部６３ａと中層部
６３ｂと厚層部６３ｃを設定することを推奨する。
【００６１】かかる液晶表示パネル６１において、開口
率１００％を可能にする画素電極６４〜６６の製造例
は、厚さが異なる薄層部６３ａと中層部６３ｂと厚層部
６３ｃを個別に、フォトリソグラフィーとエッチングに
よりパターン形成し、コンタクトホール３５を形成した
のち、アルミニウムの全面蒸着で画素電極６４〜６６を
形成した。
率１００％を可能にする画素電極６４〜６６の製造例
は、厚さが異なる薄層部６３ａと中層部６３ｂと厚層部
６３ｃを個別に、フォトリソグラフィーとエッチングに
よりパターン形成し、コンタクトホール３５を形成した
のち、アルミニウムの全面蒸着で画素電極６４〜６６を
形成した。
【００６２】かかる画素電極６４〜６６の形成に際し、
隣接間の短絡防止が必要になる。そこで、前記製造例で
は絶縁層６３の表面に耐エッチング性に優れた絶縁性薄
膜を被着し、例えば三洋化成株式会社製のＬＣ２０１
（商品名）で形成した絶縁層６３の表面に、酸素プラズ
マ処理を施して無機系の耐エッチング性薄膜を形成せし
め、さらに具体的にはアルミニウムを１００Å程度蒸着
し、しかるのち酸素プラズマ処理にてエッチングするこ
とで耐エッチング性薄膜を形成せしめ、該薄膜によるサ
イドエッチング現象を利用した。
隣接間の短絡防止が必要になる。そこで、前記製造例で
は絶縁層６３の表面に耐エッチング性に優れた絶縁性薄
膜を被着し、例えば三洋化成株式会社製のＬＣ２０１
（商品名）で形成した絶縁層６３の表面に、酸素プラズ
マ処理を施して無機系の耐エッチング性薄膜を形成せし
め、さらに具体的にはアルミニウムを１００Å程度蒸着
し、しかるのち酸素プラズマ処理にてエッチングするこ
とで耐エッチング性薄膜を形成せしめ、該薄膜によるサ
イドエッチング現象を利用した。
【００６３】図６は本発明の第６の実施例による液晶表
示パネルの説明図、図７は図６に示す画素電極の説明図
（その１）、図８は図６に示す画素電極の説明図（その
２）である。ただし、図７および８において、（ａ），
（ｃ），（ｅ），（ｇ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｌ
点鎖線の断面図、（ｄ）は（ｃ）のｌ点鎖線の断面図、
（ｆ）は（ｅ）のｌ点鎖線の断面図、（ｈ）は（ｇ）の
ｌ点鎖線の断面図である。
示パネルの説明図、図７は図６に示す画素電極の説明図
（その１）、図８は図６に示す画素電極の説明図（その
２）である。ただし、図７および８において、（ａ），
（ｃ），（ｅ），（ｇ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｌ
点鎖線の断面図、（ｄ）は（ｃ）のｌ点鎖線の断面図、
（ｆ）は（ｅ）のｌ点鎖線の断面図、（ｈ）は（ｇ）の
ｌ点鎖線の断面図である。
【００６４】データバスライン２とゲート電極４を横断
する断面を示す図６において、フルカラー方式の反射型
液晶表示パネル７１は、ＴＦＴ基板７２とフィルタ基板
５７の間に液晶７が充填されている。
する断面を示す図６において、フルカラー方式の反射型
液晶表示パネル７１は、ＴＦＴ基板７２とフィルタ基板
５７の間に液晶７が充填されている。
【００６５】ガラス等にてなるＴＦＴ基板７２の上面に
は、ゲートバスライン（１），データバスライン２，Ｔ
ＦＴ３，ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ３等を覆って選択的
に形成された絶縁層７３，一部が絶縁層７３上に位置す
る画素電極７４が形成され、画素電極７４は絶縁層７３
に穿設したコンタクトホール３５を介し、対向するＴＦ
Ｔ３のソース電極６に接続されている。
は、ゲートバスライン（１），データバスライン２，Ｔ
ＦＴ３，ゲート絶縁膜１４，ＴＦＴ３等を覆って選択的
に形成された絶縁層７３，一部が絶縁層７３上に位置す
る画素電極７４が形成され、画素電極７４は絶縁層７３
に穿設したコンタクトホール３５を介し、対向するＴＦ
Ｔ３のソース電極６に接続されている。
【００６６】アルミニウム等にて形成して光学的に反射
性を具え、厚さが１５００Å程度の画素電極７４は、図
７および８にも示す如く、それぞれの形成領域において
少なくとも連続する輪郭の１／２が絶縁層７３の上に位
置し、他部がゲート絶縁膜１４の上に形成される。
性を具え、厚さが１５００Å程度の画素電極７４は、図
７および８にも示す如く、それぞれの形成領域において
少なくとも連続する輪郭の１／２が絶縁層７３の上に位
置し、他部がゲート絶縁膜１４の上に形成される。
【００６７】即ち、図７（ａ）および（ｂ）おいて画素
電極７４-1は、形成領域の左半分のが絶縁層７３-1の上
に一部が形成され、他部の右半分がゲート絶縁膜１４の
上に形成される。
電極７４-1は、形成領域の左半分のが絶縁層７３-1の上
に一部が形成され、他部の右半分がゲート絶縁膜１４の
上に形成される。
【００６８】かかる画素電極７４-1は、フィルタ基板の
着色パターンのストライプ配列およびモザイク配列に対
し、左右方向の密接形成が可能となり、該着色パターン
のトライアングル配列に対し、左右方向および前後方向
への密接形成が可能となる。
着色パターンのストライプ配列およびモザイク配列に対
し、左右方向の密接形成が可能となり、該着色パターン
のトライアングル配列に対し、左右方向および前後方向
への密接形成が可能となる。
【００６９】ただし、上記トライアングル配列に対する
画素電極７４-1は、前後方向に半ピッチずれた次行の画
素電極７４-1と、絶縁層７３-1の上に形成したコーナ部
で接触する恐れがある。そのため、接触の可能性がある
該コーナ部に切欠を設ける必要がある。
画素電極７４-1は、前後方向に半ピッチずれた次行の画
素電極７４-1と、絶縁層７３-1の上に形成したコーナ部
で接触する恐れがある。そのため、接触の可能性がある
該コーナ部に切欠を設ける必要がある。
【００７０】図７（ｃ）および（ｄ）おいて画素電極７
４-2は、形成領域の右上コーナと左下コーナを結ぶ対角
線の左側に形成した直角三角形の絶縁層７３-2の上に一
部が形成され、他部がゲート絶縁膜１４の上に形成され
る。
４-2は、形成領域の右上コーナと左下コーナを結ぶ対角
線の左側に形成した直角三角形の絶縁層７３-2の上に一
部が形成され、他部がゲート絶縁膜１４の上に形成され
る。
【００７１】かかる画素電極７４-2は、フィルタ基板の
着色パターンのストライプ配列とモザイク配列に対し、
左右方向および前後方向への密接形成が可能となり、該
着色パターンのトライアングル配列に対し、左右方向の
密接形成が可能となる。
着色パターンのストライプ配列とモザイク配列に対し、
左右方向および前後方向への密接形成が可能となり、該
着色パターンのトライアングル配列に対し、左右方向の
密接形成が可能となる。
【００７２】ただし、上記ストライプ配列とモザイク配
列に対する画素電極７４-2の密接形成は、左辺下および
右辺上のコーナ部が斜め右上，斜め左下の画素電極７４
-2と接触する恐れがある。そのため、接触の可能性があ
る該コーナ部に切欠を設ける必要がある。
列に対する画素電極７４-2の密接形成は、左辺下および
右辺上のコーナ部が斜め右上，斜め左下の画素電極７４
-2と接触する恐れがある。そのため、接触の可能性があ
る該コーナ部に切欠を設ける必要がある。
【００７３】図７（ｅ）および（ｆ）おいて画素電極７
４-3は、形成領域の周辺部に形成したロ字形状の絶縁層
７３-3の上に一部が形成され、他部が絶縁層７３-3に囲
まれた中央部のゲート絶縁膜１４の上に形成される。
４-3は、形成領域の周辺部に形成したロ字形状の絶縁層
７３-3の上に一部が形成され、他部が絶縁層７３-3に囲
まれた中央部のゲート絶縁膜１４の上に形成される。
【００７４】かかる画素電極７４-2は、左右方向および
前後方向への密接形成が不可能になる。そこで、画素電
極７４-2は他の画素電極、例えば凹凸が画素電極７４-2
と逆の画素電極等を隣合わせ形成することで、着色パタ
ーンのストライプ配列およびモザイク配列に対し、左右
方向と前後方向の一方または双方に密接形成が可能とな
る。
前後方向への密接形成が不可能になる。そこで、画素電
極７４-2は他の画素電極、例えば凹凸が画素電極７４-2
と逆の画素電極等を隣合わせ形成することで、着色パタ
ーンのストライプ配列およびモザイク配列に対し、左右
方向と前後方向の一方または双方に密接形成が可能とな
る。
【００７５】そして、斜め方向に位置する画素電極と接
触する恐れのあるコーナ部または輪郭の一部には、接触
防止用の切欠を設ける必要が生じる。図７（ｇ）および
（ｈ）おいて画素電極７４-4は、形成領域の左側のコ字
形周辺部に形成したコ字形絶縁層７３-4の上に一部が形
成され、他部がゲート絶縁膜１４の上に形成される。
触する恐れのあるコーナ部または輪郭の一部には、接触
防止用の切欠を設ける必要が生じる。図７（ｇ）および
（ｈ）おいて画素電極７４-4は、形成領域の左側のコ字
形周辺部に形成したコ字形絶縁層７３-4の上に一部が形
成され、他部がゲート絶縁膜１４の上に形成される。
【００７６】かかる画素電極７４-4は、フィルタ基板の
着色パターンのストライプ配列およびモザイク配列に対
し、左右方向の密接形成が可能となり、該着色パターン
のトライアングル配列に対し、左右方向および前後方向
への密接形成が可能となる。
着色パターンのストライプ配列およびモザイク配列に対
し、左右方向の密接形成が可能となり、該着色パターン
のトライアングル配列に対し、左右方向および前後方向
への密接形成が可能となる。
【００７７】ただし、上記トライアングル配列に対する
画素電極７４-4は、前後方向に半ピッチずれた次行の画
素電極７４-4と、絶縁層７３-4の上に形成したコーナ部
で接触する恐れがある。そのため、接触の可能性がある
該コーナ部に切欠を設ける必要がある。
画素電極７４-4は、前後方向に半ピッチずれた次行の画
素電極７４-4と、絶縁層７３-4の上に形成したコーナ部
で接触する恐れがある。そのため、接触の可能性がある
該コーナ部に切欠を設ける必要がある。
【００７８】図８（ａ）および（ｂ）おいて画素電極７
４-5は、形成領域の上辺部と左辺部に沿うＬ字形状に形
成された絶縁層７３-5の上に一部が形成され、他部がゲ
ート絶縁膜１４の上に形成される。
４-5は、形成領域の上辺部と左辺部に沿うＬ字形状に形
成された絶縁層７３-5の上に一部が形成され、他部がゲ
ート絶縁膜１４の上に形成される。
【００７９】かかる画素電極７４-5は、フィルタ基板の
着色パターンのストライプ配列とモザイク配列に対し、
左右方向および前後方向への密接形成が可能となり、該
着色パターンのトライアングル配列に対し、左右方向の
密接形成が可能となる。
着色パターンのストライプ配列とモザイク配列に対し、
左右方向および前後方向への密接形成が可能となり、該
着色パターンのトライアングル配列に対し、左右方向の
密接形成が可能となる。
【００８０】ただし、上記ストライプ配列とモザイク配
列に対する画素電極７４-5の密接形成は、左辺下および
右辺上のコーナ部が斜め右上，斜め左下の画素電極７４
-5と接触する恐れがある。そのため、接触の可能性があ
る該コーナ部に切欠を設ける必要がある。
列に対する画素電極７４-5の密接形成は、左辺下および
右辺上のコーナ部が斜め右上，斜め左下の画素電極７４
-5と接触する恐れがある。そのため、接触の可能性があ
る該コーナ部に切欠を設ける必要がある。
【００８１】図８（ｃ）および（ｄ）おいて画素電極７
４-6は、形成領域の上辺部と左辺部および下辺部に沿う
コ字形状に形成された絶縁層７３-6の上に一部が形成さ
れ、他部がゲート絶縁膜１４の上に形成される。
４-6は、形成領域の上辺部と左辺部および下辺部に沿う
コ字形状に形成された絶縁層７３-6の上に一部が形成さ
れ、他部がゲート絶縁膜１４の上に形成される。
【００８２】かかる画素電極７４-6は、コ字形絶縁層７
３-6の両先端部上の一部を切欠くことで、左右方向への
密接形成が可能になる。さらに、画素電極７４-6は他の
画素電極、例えば凹凸が画素電極７４-6と逆の画素電極
等を隣合わせ形成と前記切欠を設けることで、着色パタ
ーンのストライプ配列およびモザイク配列に対し、左右
方向と前後方向の一方または双方に密接形成が可能とな
る。
３-6の両先端部上の一部を切欠くことで、左右方向への
密接形成が可能になる。さらに、画素電極７４-6は他の
画素電極、例えば凹凸が画素電極７４-6と逆の画素電極
等を隣合わせ形成と前記切欠を設けることで、着色パタ
ーンのストライプ配列およびモザイク配列に対し、左右
方向と前後方向の一方または双方に密接形成が可能とな
る。
【００８３】図９は図８（ｃ）に示す画素電極の密接形
成方法の説明図であり、前後（図の上下）方向に間隙４
０を有し、左右方向に密接する画素電極７４-6は、コ字
形絶縁層７３-6（図８参照）両先端部上の切欠７５と、
その切欠７５が接するコーナの切欠７６を設け、左右方
向の隣接画素電極７４-6と短絡しないように構成されて
いる。
成方法の説明図であり、前後（図の上下）方向に間隙４
０を有し、左右方向に密接する画素電極７４-6は、コ字
形絶縁層７３-6（図８参照）両先端部上の切欠７５と、
その切欠７５が接するコーナの切欠７６を設け、左右方
向の隣接画素電極７４-6と短絡しないように構成されて
いる。
【００８４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明ではアクテ
ィブ素子基板の上に、段付き絶縁層または画素電極形成
領域内の一部の絶縁層または選択された画素電極形成領
域の絶縁層を形成し、その絶縁層による段差を利用して
絶縁層の厚さ方向に隔離された画素電極を形成すること
で、９０％〜１００％の高開口化を可能とし、その高開
口化によって輝度が改善された。
ィブ素子基板の上に、段付き絶縁層または画素電極形成
領域内の一部の絶縁層または選択された画素電極形成領
域の絶縁層を形成し、その絶縁層による段差を利用して
絶縁層の厚さ方向に隔離された画素電極を形成すること
で、９０％〜１００％の高開口化を可能とし、その高開
口化によって輝度が改善された。
【図１】 本発明の第１の実施例による液晶表示パネル
の説明図
の説明図
【図２】 本発明の第２の実施例による液晶表示パネル
の説明図
の説明図
【図３】 本発明の第３の実施例による液晶表示パネル
の説明図
の説明図
【図４】 本発明の第４の実施例による液晶表示パネル
の説明図
の説明図
【図５】 本発明の第５の実施例による液晶表示パネル
の説明図
の説明図
【図６】 本発明の第６の実施例による液晶表示パネル
の説明図
の説明図
【図７】 図６に示す画素電極の説明図（その１）
【図８】 図６に示す画素電極の説明図（その２）
【図９】 図８（ｃ）に示す画素電極の密接形成方法の
説明図
説明図
【図１０】 液晶表示パネルの回路の一部を示す概略図
【図１１】 従来の高開口化液晶表示パネルの概略構成
図
図
【図１２】 液晶表示パネルにおける着色パターンの配
列例を示す平面図
列例を示す平面図
１ ゲートバスライン ２ データバスライン ３ ＴＦＴ ４ ゲート電極 ５ ドレイン電極 ６ ソース電極 ７ 液晶 ８ コモン電極 １４ ゲート絶縁膜 ３１、４５、５１、５６、６１ 液晶表示パネル ３２、５２、６２ ＴＦＴ基板 ３３、４６、５７ フィルタ基板 ３４、５３、６３、７３-1、７３-2、７３-3、７３-4、
７３-5、７３-6 絶縁層 ３５ コンタクトホール ３６、３７、５４、５５、６４、６５、６６、７４-1、
７４-2、７４-3、７４ -4、７４-5、７４-6 画素電極 ３８ マゼンタパターン ３９ グリーンパターン ４０ 画素電極間の間隙 ４１ ブラックマスク
７３-5、７３-6 絶縁層 ３５ コンタクトホール ３６、３７、５４、５５、６４、６５、６６、７４-1、
７４-2、７４-3、７４ -4、７４-5、７４-6 画素電極 ３８ マゼンタパターン ３９ グリーンパターン ４０ 画素電極間の間隙 ４１ ブラックマスク
Claims (13)
- 【請求項１】 複数本のゲートバスライン、該複数本の
ゲートバスラインに交差する複数本のデータバスライ
ン、該ゲートバスラインとデータバスラインに接続する
アクティブ素子、該アクティブ素子のそれぞれの素子に
接続する画素電極が形成されたアクティブマトリクス基
板と、着色パターンフィルタと該画素電極に対向するコ
モン電極が形成されたフィルタ基板との間に、液晶が充
填されたアクティブマトリクス型液晶表示パネルであっ
て、 該アクティブマトリクス基板に形成された複数の画素電
極の少なくとも一辺が、隣接画素電極に対し画素電極厚
さ方向に電気的に隔離されてなること、 を特徴とする液晶表示パネル。 - 【請求項２】 前記アクティブマトリクス基板には、少
なくとも一方の隣接画素電極形成領域との境界に沿って
段差を有する絶縁層が形成され、該段差によって前記画
素電極厚さ方向の電気的隔離がなされていること、 を特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項３】 前記アクティブマトリクス基板には、二
方の隣接画素電極形成領域の境界に沿って段差を有する
絶縁層が形成され、該段差によって前記画素電極厚さ方
向の電気的隔離がなされていること、 を特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項４】 前記アクティブマトリクス基板には、四
方の隣接画素電極形成領域の境界に沿って段差を有する
絶縁層が形成され、該段差によって前記画素電極厚さ方
向の電気的隔離がなされていること、 を特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項５】 前記アクティブマトリクス基板上には、
一部の前記画素電極と、該一部の画素電極の左右方向ま
たは前後方向に隣接する画素電極形成領域上の絶縁層と
が形成され、他の前記画素電極が該絶縁層上に形成さ
れ、該絶縁層の段差によって該一部の画素電極と該他の
画素電極との隣接部の前記電気的隔離がなされているこ
と、 を特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項６】 前記アクティブマトリクス基板上には、
一部の前記画素電極と、該一部の画素電極の左右方向お
よび前後方向に隣接する画素電極形成領域上の絶縁層と
が形成され、他の前記画素電極が該絶縁層上に形成さ
れ、該絶縁層の段差によって該一部の画素電極と該他の
画素電極との隣接部の前記電気的隔離がなされているこ
と、 を特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項７】 前記アクティブマトリクス基板には各画
素電極形成領域の一部、かつ、該画素電極形成領域の輪
郭の少なくとも１／２に接する絶縁層が形成され、前記
画素電極が該絶縁層と該アクティブマトリクス基板上に
連通し形成され、該絶縁層の段差によって前記画素電極
厚さ方向の電気的隔離がなされていること、 を特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項８】 前記絶縁層の段差によって電気的に隔離
された前記画素電極の境界に対応し、前記フィルタ基板
の着色パターンが密接し形成されてなること、 を特徴とする請求項１〜７記載の液晶表示パネル。 - 【請求項９】 前記画素電極が光学的反射性の導電部材
で形成された反射型表示であること、 を特徴とする請求項１〜７記載の液晶表示パネル。 - 【請求項１０】 前記ゲートバスラインとデータバスラ
インおよび画素電極が、透光性導体で形成された透過型
表示であること、 を特徴とする請求項１〜７記載の液晶表示パネル。 - 【請求項１１】 前記フィルタ基板にマルチカラー表示
用着色パターンが形成されてなること、 を特徴とする請求項１〜７記載の液晶表示パネル。 - 【請求項１２】 前記フィルタ基板にフルカラー表示用
着色パターンが形成されてなること、 を特徴とする請求項１〜７記載の液晶表示パネル。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の液晶表示パネルにお
いて、前記フィルタ基板に形成された着色パターンが赤
・緑・青の３色であり、前記絶縁層の段差による前記液
晶の厚さが、該フィルタ基板の赤色パターン対応部より
緑色パターン対応部が薄く、該緑色パターン対応部より
青色パターン対応部が薄くなるように、該絶縁層が形成
されてなること、 を特徴とする液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31225896A JP3776184B2 (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31225896A JP3776184B2 (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10153794A true JPH10153794A (ja) | 1998-06-09 |
| JP3776184B2 JP3776184B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=18027081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31225896A Expired - Lifetime JP3776184B2 (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3776184B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001311936A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2004240457A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-08-26 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板及び電気光学装置、カラーフィルタ基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器 |
| US20110164214A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-07 | Samsung Mobile Display Co., Ltd., | Display device |
| JP2016218211A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、及び該表示装置または該表示モジュールを有する電子機器 |
-
1996
- 1996-11-22 JP JP31225896A patent/JP3776184B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001311936A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2004240457A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-08-26 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板及び電気光学装置、カラーフィルタ基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器 |
| US20110164214A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-07 | Samsung Mobile Display Co., Ltd., | Display device |
| US8860915B2 (en) * | 2010-01-07 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| JP2016218211A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、及び該表示装置または該表示モジュールを有する電子機器 |
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|---|---|
| JP3776184B2 (ja) | 2006-05-17 |
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