JPH10154313A - シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH10154313A JPH10154313A JP32612096A JP32612096A JPH10154313A JP H10154313 A JPH10154313 A JP H10154313A JP 32612096 A JP32612096 A JP 32612096A JP 32612096 A JP32612096 A JP 32612096A JP H10154313 A JPH10154313 A JP H10154313A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールド型ＭＲヘッドにおいてトラック密度
を高めるとともに、ノイズの発生を防止する。 【解決手段】 上シールド兼下コア４２の上面４２ａを
平坦面に形成する。上シールド兼下コア４２の上面に、
高飽和磁束密度層４６を島状に形成する。高飽和磁束密
度層４６の先端部をトラック幅に形成して書込下ポール
４６ａとし、書込上ポール５６ａと対向させる。
を高めるとともに、ノイズの発生を防止する。 【解決手段】 上シールド兼下コア４２の上面４２ａを
平坦面に形成する。上シールド兼下コア４２の上面に、
高飽和磁束密度層４６を島状に形成する。高飽和磁束密
度層４６の先端部をトラック幅に形成して書込下ポール
４６ａとし、書込上ポール５６ａと対向させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ハードディスク
装置等に用いられるシールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
ッド（以下シールド型ＭＲヘッドという。）に関し、記
録密度の向上を図ったものである。
装置等に用いられるシールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
ッド（以下シールド型ＭＲヘッドという。）に関し、記
録密度の向上を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク装置に用いられているシ
ールド型ＭＲヘッドは、下シールドと上シールドの間の
再生ギャップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子
を配置した再生用ヘッドと、上シールドを下コアとして
兼用して下コアと上コアとの間にコイルを配置しかつ上
コアと下コアとの間の記録媒体対向面を臨む位置に書込
ギャップを形成した記録用ヘッドとを積層配置したＭＲ
型・誘導型複合磁気ヘッドとして構成される。下コアは
上シールドを兼ねるため、上コアよりも幅が広く形成さ
れている。このため、記録時に上コアと下コア間の書込
ギャップに誘起される書込磁界は下コア側で広がり、ト
ラック幅が上コアの幅だけでは決まらなくなり、トラッ
ク密度が低くなる問題があった。
ールド型ＭＲヘッドは、下シールドと上シールドの間の
再生ギャップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子
を配置した再生用ヘッドと、上シールドを下コアとして
兼用して下コアと上コアとの間にコイルを配置しかつ上
コアと下コアとの間の記録媒体対向面を臨む位置に書込
ギャップを形成した記録用ヘッドとを積層配置したＭＲ
型・誘導型複合磁気ヘッドとして構成される。下コアは
上シールドを兼ねるため、上コアよりも幅が広く形成さ
れている。このため、記録時に上コアと下コア間の書込
ギャップに誘起される書込磁界は下コア側で広がり、ト
ラック幅が上コアの幅だけでは決まらなくなり、トラッ
ク密度が低くなる問題があった。
【０００３】この問題を解決する方法として、特開平７
−２９６３３１号公報には、図２に示すように、上シー
ルド兼下コア１０の記録媒体対向面における形状を、再
生ギャップ１２に面した側では広幅に形成し、書込ギャ
ップ１４に面した側では上コア１６と同じ狭幅に形成し
て、二段階形状に形成したシールド型ＭＲヘッドが開示
されている。このような構成によれば、上シールド兼下
コア１０は再生ギャップ１２に面した側では広幅に形成
されているので、磁気抵抗効果ヘッドのシールドとして
の機能を果すことができ、書込ギャップに面した側では
上コアと同じ狭幅に形成されているので、書込磁界の広
がりを防止して、トラック密度を高めることができる。
−２９６３３１号公報には、図２に示すように、上シー
ルド兼下コア１０の記録媒体対向面における形状を、再
生ギャップ１２に面した側では広幅に形成し、書込ギャ
ップ１４に面した側では上コア１６と同じ狭幅に形成し
て、二段階形状に形成したシールド型ＭＲヘッドが開示
されている。このような構成によれば、上シールド兼下
コア１０は再生ギャップ１２に面した側では広幅に形成
されているので、磁気抵抗効果ヘッドのシールドとして
の機能を果すことができ、書込ギャップに面した側では
上コアと同じ狭幅に形成されているので、書込磁界の広
がりを防止して、トラック密度を高めることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記図２のシールド型
ＭＲヘッド１８によれば、上シールド兼下コア１０に凸
部１０ａが形成されているため、形状異方効果が起こり
やすくなり、その部分で磁化（図２に矢印で示す。）が
分極し、磁壁（図２に点線で示す。）が発生しやすくな
る。磁壁が発生すると、磁化が磁壁ごとに分極している
ためにその極（磁極位置）において発生した磁界がＭＲ
素子２０に影響する。すなわち、上シールド兼下コア１
０内に発生した磁壁は、書込時に上シールド兼下コア１
０内を通過する磁界で移動しやすい。この磁壁の移動
は、書込磁界を停止した後も、無磁界で、安定な磁区に
戻ろうとして、しばらく磁壁移動が起こる。この現象は
緩和現象と呼ばれている。したがって、書込停止後すぐ
にＭＲ素子により記録媒体上の信号を読もうとすると、
記録媒体上の信号以外に、緩和現象での磁壁移動による
ＭＲ素子への磁界変化の影響がノイズとして現われる。
これが信号読取りエラーの原因となる。
ＭＲヘッド１８によれば、上シールド兼下コア１０に凸
部１０ａが形成されているため、形状異方効果が起こり
やすくなり、その部分で磁化（図２に矢印で示す。）が
分極し、磁壁（図２に点線で示す。）が発生しやすくな
る。磁壁が発生すると、磁化が磁壁ごとに分極している
ためにその極（磁極位置）において発生した磁界がＭＲ
素子２０に影響する。すなわち、上シールド兼下コア１
０内に発生した磁壁は、書込時に上シールド兼下コア１
０内を通過する磁界で移動しやすい。この磁壁の移動
は、書込磁界を停止した後も、無磁界で、安定な磁区に
戻ろうとして、しばらく磁壁移動が起こる。この現象は
緩和現象と呼ばれている。したがって、書込停止後すぐ
にＭＲ素子により記録媒体上の信号を読もうとすると、
記録媒体上の信号以外に、緩和現象での磁壁移動による
ＭＲ素子への磁界変化の影響がノイズとして現われる。
これが信号読取りエラーの原因となる。
【０００５】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決して、上シールド兼下コアの上面に凸部を形成
してトラック密度を向上させる場合に磁壁の発生を防止
したシールド型ＭＲヘッドを提供しようとするものであ
る。
点を解決して、上シールド兼下コアの上面に凸部を形成
してトラック密度を向上させる場合に磁壁の発生を防止
したシールド型ＭＲヘッドを提供しようとするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上シールド
兼下コアの上面を概ね平坦面に形成し、かつ上シールド
兼下コアの上面の上コア先端の書込上ポールと対向する
位置に書込上ポールとほぼ同じ幅で上シールド兼下コア
よりも飽和磁束密度の高い材料層を台状に形成して書込
下ポールを形成したものである。
兼下コアの上面を概ね平坦面に形成し、かつ上シールド
兼下コアの上面の上コア先端の書込上ポールと対向する
位置に書込上ポールとほぼ同じ幅で上シールド兼下コア
よりも飽和磁束密度の高い材料層を台状に形成して書込
下ポールを形成したものである。
【０００７】この発明によれば、上シールド兼下コアの
上面に台状の凸部による書込下ポールを形成して上コア
先端の書込上ポールと対向させたので、書込磁界の広が
りを防止してトラック密度を高めることができる。しか
も、上シールド兼下コアの上面自体は概ね平坦面に形成
し、その上に上シールド兼下コアよりも飽和磁束密度の
低い材料で台状の凸部を形成したので、形状異方効果が
起こりにくくなり、これにより磁壁の発生が防止され、
磁壁の移動によるノイズの発生を防止することができ
る。
上面に台状の凸部による書込下ポールを形成して上コア
先端の書込上ポールと対向させたので、書込磁界の広が
りを防止してトラック密度を高めることができる。しか
も、上シールド兼下コアの上面自体は概ね平坦面に形成
し、その上に上シールド兼下コアよりも飽和磁束密度の
低い材料で台状の凸部を形成したので、形状異方効果が
起こりにくくなり、これにより磁壁の発生が防止され、
磁壁の移動によるノイズの発生を防止することができ
る。
【０００８】尚、飽和磁束密度の高い材料で構成された
部分が厚くなり過ぎると、上シールド兼下コアと当該部
分を合わせた磁性層全体の凹凸が大きくなりすぎ、当該
磁性層内に有害な磁壁が新たに形成されて、ノイズ発生
の原因となりやすくなる。これを防止するには、飽和磁
束密度の高い材料で構成された部分の厚さを上シールド
兼下コアの厚さの１／４以下に設定するのが望ましい。
部分が厚くなり過ぎると、上シールド兼下コアと当該部
分を合わせた磁性層全体の凹凸が大きくなりすぎ、当該
磁性層内に有害な磁壁が新たに形成されて、ノイズ発生
の原因となりやすくなる。これを防止するには、飽和磁
束密度の高い材料で構成された部分の厚さを上シールド
兼下コアの厚さの１／４以下に設定するのが望ましい。
【０００９】また、飽和磁束密度の高い材料で構成され
た部分の面積が大きすぎると、磁区の分割が新たに発生
して多軸化され、ノイズ発生の原因となる。これを防止
するには、当該部分の面積を上シールド兼下コアの面積
の１／５０未満に設定するのが望ましい。
た部分の面積が大きすぎると、磁区の分割が新たに発生
して多軸化され、ノイズ発生の原因となる。これを防止
するには、当該部分の面積を上シールド兼下コアの面積
の１／５０未満に設定するのが望ましい。
【００１０】また、上コアの先端部を構成する書込上ポ
ールの下面全幅にも併せて当該上ポール本体の材料より
も飽和磁束密度の高い材料を層状に形成することによ
り、書込能力を向上させることができる。
ールの下面全幅にも併せて当該上ポール本体の材料より
も飽和磁束密度の高い材料を層状に形成することによ
り、書込能力を向上させることができる。
【００１１】尚、上シールド兼下コアの上面や書込上ポ
ールの下面に形成する飽和磁束密度の高い材料としてＮ
ｉ組成が４０〜５５％のＮｉ−Ｆｅ磁性合金を用いれ
ば、電気めっきにて成膜できるので、生産性が良好にな
る。
ールの下面に形成する飽和磁束密度の高い材料としてＮ
ｉ組成が４０〜５５％のＮｉ−Ｆｅ磁性合金を用いれ
ば、電気めっきにて成膜できるので、生産性が良好にな
る。
【００１２】
（実施の形態１）この発明の実施の形態を図１に示す。
図１において（ａ）はシールド型ＭＲヘッドの縦断面側
面図（（ｂ）のＩ−Ｉ断面図）、（ｂ）は記録媒体対向
面側から見た正面図（（ａ）のＡ矢視図）である。シー
ルド型ＭＲヘッド２４はスライダ基板２６の上に非磁性
絶縁膜２８を被せて、その上に下シールド３０が構成さ
れている。下シールド３０の上には再生下ギャップ３２
ａが積層されている。再生下ギャップ３２ａの上には、
左右のリード３４，３６が台形状の溝３８を挟んで対向
して配設されている。リード３４，３６は長手方向バイ
アス用の磁石膜の上に電気導電膜を積層した積層体とし
て構成されている。
図１において（ａ）はシールド型ＭＲヘッドの縦断面側
面図（（ｂ）のＩ−Ｉ断面図）、（ｂ）は記録媒体対向
面側から見た正面図（（ａ）のＡ矢視図）である。シー
ルド型ＭＲヘッド２４はスライダ基板２６の上に非磁性
絶縁膜２８を被せて、その上に下シールド３０が構成さ
れている。下シールド３０の上には再生下ギャップ３２
ａが積層されている。再生下ギャップ３２ａの上には、
左右のリード３４，３６が台形状の溝３８を挟んで対向
して配設されている。リード３４，３６は長手方向バイ
アス用の磁石膜の上に電気導電膜を積層した積層体とし
て構成されている。
【００１３】台形状の溝３８内には、リード３４，３６
の傾斜面３４ａ，３６ａおよびそれらの間の溝底面部分
に露出している再生下ギャップ３２ａの上面にかけて、
記録媒体対向面４１に露出するようにＭＲ素子４０が成
膜されている。ＭＲ素子４０は例えばＭＲ膜、スペーサ
膜、ＳＡＬバイアス膜の積層体として構成されている。
の傾斜面３４ａ，３６ａおよびそれらの間の溝底面部分
に露出している再生下ギャップ３２ａの上面にかけて、
記録媒体対向面４１に露出するようにＭＲ素子４０が成
膜されている。ＭＲ素子４０は例えばＭＲ膜、スペーサ
膜、ＳＡＬバイアス膜の積層体として構成されている。
【００１４】ＭＲ素子４０、リード３４，３６およびそ
の周囲に露出している再生下ギャップ３２ａの上には再
生上ギャップ３２ｂが成膜されている。再生下ギャップ
３２ａと再生上ギャップ３２ｂとで再生ギャップ３２を
構成する。再生ギャップ３２の上には、上シールド兼下
コア４２が積層されている。下シールド３０から上シー
ルド兼下コア４２までが、再生ヘッド５０を構成してい
る。
の周囲に露出している再生下ギャップ３２ａの上には再
生上ギャップ３２ｂが成膜されている。再生下ギャップ
３２ａと再生上ギャップ３２ｂとで再生ギャップ３２を
構成する。再生ギャップ３２の上には、上シールド兼下
コア４２が積層されている。下シールド３０から上シー
ルド兼下コア４２までが、再生ヘッド５０を構成してい
る。
【００１５】上シールド兼下コア４２の上面４２ａの記
録媒体対向面４１寄りの部分（書込ギャップ４８を形成
する部分）には高飽和磁束密度層４６が部分的（島状）
に成膜されている。高飽和磁束密度層４６は例えばＮｉ
組成を４０〜５５％に設定した４５パーマロイ、ＣｏＺ
ｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ（センダスト）等の飽和磁束密度
Ｂｓが上シールド兼下コア４２よりも高い材料（上下シ
ールド４２，３０は８１パーマロイ等で構成されてい
る。）で構成されている。
録媒体対向面４１寄りの部分（書込ギャップ４８を形成
する部分）には高飽和磁束密度層４６が部分的（島状）
に成膜されている。高飽和磁束密度層４６は例えばＮｉ
組成を４０〜５５％に設定した４５パーマロイ、ＣｏＺ
ｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ（センダスト）等の飽和磁束密度
Ｂｓが上シールド兼下コア４２よりも高い材料（上下シ
ールド４２，３０は８１パーマロイ等で構成されてい
る。）で構成されている。
【００１６】高飽和磁束密度層４６の上には、書込ギャ
ップ４８を構成する絶縁層が成膜され、その上にコイル
５２が絶縁層５４内に形成され、その上に上コア５６が
形成され、その上に全体に保護膜５８が被覆されてい
る。下シールド兼下コア４２から上コア５６までが記録
用ヘッド６０を構成している。
ップ４８を構成する絶縁層が成膜され、その上にコイル
５２が絶縁層５４内に形成され、その上に上コア５６が
形成され、その上に全体に保護膜５８が被覆されてい
る。下シールド兼下コア４２から上コア５６までが記録
用ヘッド６０を構成している。
【００１７】下シールド３０および上シールド兼下コア
４２の幅（記録媒体対向面４１に面している先端面の
幅）は書込上ポール５６ａの幅よりも広く形成されてい
る。高飽和磁束密度層４６は記録媒体対向面４１におい
て、書込上ポール５６ａに対向して書込上ポール５６ａ
とほぼ同じ幅の台状に形成されて、書込下ポール４６ａ
を形成している。
４２の幅（記録媒体対向面４１に面している先端面の
幅）は書込上ポール５６ａの幅よりも広く形成されてい
る。高飽和磁束密度層４６は記録媒体対向面４１におい
て、書込上ポール５６ａに対向して書込上ポール５６ａ
とほぼ同じ幅の台状に形成されて、書込下ポール４６ａ
を形成している。
【００１８】記録媒体対向面４１の位置で上シールド兼
下コア４２自体の厚さ（高飽和磁束密度層４６を除いた
厚さ）があまり厚いと（例えば４．０μｍを超える
と）、書込ギャップ４８とＭＲ素子４０との間隔が離れ
すぎるため、記録媒体に書き込んだ情報をすぐにＭＲ素
子４０で読み取った時に時間的ずれが大きくなり、サー
ボの追従性が悪くなる。また、書込ギャップ４８とＭＲ
素子４０との間隔が離れていると、記録媒体上の径方向
位置により、書込トラックと再生トラックの相対位置ず
れが大きくなる（トラックに対するヘッドの角度が変わ
る。）。したがって、記録媒体上に書き込んだトラック
と、ＭＲ素子４０との横方向のずれ（オフセット）が大
きくなり、そのままの位置では、正常に再生できなくな
ったり、読もうとするトラックの隣りの信号を拾ったり
する。
下コア４２自体の厚さ（高飽和磁束密度層４６を除いた
厚さ）があまり厚いと（例えば４．０μｍを超える
と）、書込ギャップ４８とＭＲ素子４０との間隔が離れ
すぎるため、記録媒体に書き込んだ情報をすぐにＭＲ素
子４０で読み取った時に時間的ずれが大きくなり、サー
ボの追従性が悪くなる。また、書込ギャップ４８とＭＲ
素子４０との間隔が離れていると、記録媒体上の径方向
位置により、書込トラックと再生トラックの相対位置ず
れが大きくなる（トラックに対するヘッドの角度が変わ
る。）。したがって、記録媒体上に書き込んだトラック
と、ＭＲ素子４０との横方向のずれ（オフセット）が大
きくなり、そのままの位置では、正常に再生できなくな
ったり、読もうとするトラックの隣りの信号を拾ったり
する。
【００１９】以上のことを考慮すると、上シールド兼下
コア４２の厚さは１．５〜４．０μｍの範囲内に設定す
るのが望ましい（トラック幅よりも小さい方がよ
い。）。また、磁性層内に有害な磁壁を新たに発生させ
ないためには、高飽和磁性層４６の厚さを上シールド兼
下コア４２の厚さの１／４以下にすることが望ましい。
したがって、高飽和磁束密度層４６の厚さは０．２〜
１．０μｍに設定するのが望ましい。なお、再生用ヘッ
ド５０の再生トラック幅（リード３４，３６の先端部ど
うしで挟まれた部分の幅）は上下ポール５６ａ，４６ａ
の幅（すなわち記録トラック幅）とほぼ等しく形成され
ている。
コア４２の厚さは１．５〜４．０μｍの範囲内に設定す
るのが望ましい（トラック幅よりも小さい方がよ
い。）。また、磁性層内に有害な磁壁を新たに発生させ
ないためには、高飽和磁性層４６の厚さを上シールド兼
下コア４２の厚さの１／４以下にすることが望ましい。
したがって、高飽和磁束密度層４６の厚さは０．２〜
１．０μｍに設定するのが望ましい。なお、再生用ヘッ
ド５０の再生トラック幅（リード３４，３６の先端部ど
うしで挟まれた部分の幅）は上下ポール５６ａ，４６ａ
の幅（すなわち記録トラック幅）とほぼ等しく形成され
ている。
【００２０】以上の構成によれば、記録用ヘッド６０で
の書込時には、書込磁束の多くは図３（ａ）に示すよう
に、記録媒体対向面４１に近い書込ギャップ４８（先端
ギャップ部）に凸状に形成された高飽和磁束密度層４６
による書込下ポール４６ａに集中する。したがって、書
込磁界の広がりを防止することができ（図３（ｂ）に先
端ギャップ部での漏洩磁束分布を示す。）、トラック密
度を高めることができる。しかも、上シールド兼下コア
４２の上面４２ａは平坦なので、磁壁発生による磁化の
分極が生じにくく（上シールド兼下コア４２の磁化を図
１（ｂ）中に矢印で示す。）、磁化の移動によるノイズ
の発生を防止することができる。
の書込時には、書込磁束の多くは図３（ａ）に示すよう
に、記録媒体対向面４１に近い書込ギャップ４８（先端
ギャップ部）に凸状に形成された高飽和磁束密度層４６
による書込下ポール４６ａに集中する。したがって、書
込磁界の広がりを防止することができ（図３（ｂ）に先
端ギャップ部での漏洩磁束分布を示す。）、トラック密
度を高めることができる。しかも、上シールド兼下コア
４２の上面４２ａは平坦なので、磁壁発生による磁化の
分極が生じにくく（上シールド兼下コア４２の磁化を図
１（ｂ）中に矢印で示す。）、磁化の移動によるノイズ
の発生を防止することができる。
【００２１】なお、高飽和磁束密度層４６は薄く磁気抵
抗が高いので、先端ギャップ部以外では、書込磁束はシ
ールド兼下コア４２内を多く通過する。したがって、上
シールド兼下コア４２は磁束が通過しやすいように先端
ギャップ部以外では厚さあるいは断面積が十分大きいこ
とが望ましい。また、上シールド兼下コア４２の材料
は、書込時には書込磁束が通過しやすく再生時には外部
磁界をシールドに通過させやすいように透磁率の高い軟
磁気特性を有するもの（前述のように、８１パーマロイ
等）が好ましい。
抗が高いので、先端ギャップ部以外では、書込磁束はシ
ールド兼下コア４２内を多く通過する。したがって、上
シールド兼下コア４２は磁束が通過しやすいように先端
ギャップ部以外では厚さあるいは断面積が十分大きいこ
とが望ましい。また、上シールド兼下コア４２の材料
は、書込時には書込磁束が通過しやすく再生時には外部
磁界をシールドに通過させやすいように透磁率の高い軟
磁気特性を有するもの（前述のように、８１パーマロイ
等）が好ましい。
【００２２】図１のシールド型ＭＲヘッド２４の製造工
程の一例を図４〜図７を参照して説明する。 （１） 基板（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材等
で構成されたウェファーで、後にカットされてスライダ
を構成する。）６２の上に形成された絶縁膜（アルミナ
Ａｌ2 Ｏ3 等）６４上に下シールド３０を所定の形状に
形成する。下シールド３０は、透磁率が高い８１パーマ
ロイ等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるいは電気めっき
など（電気めっきが最も生産性が高い。）により堆積し
て構成される。
程の一例を図４〜図７を参照して説明する。 （１） 基板（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材等
で構成されたウェファーで、後にカットされてスライダ
を構成する。）６２の上に形成された絶縁膜（アルミナ
Ａｌ2 Ｏ3 等）６４上に下シールド３０を所定の形状に
形成する。下シールド３０は、透磁率が高い８１パーマ
ロイ等の軟磁性膜をスパッタ、蒸着あるいは電気めっき
など（電気めっきが最も生産性が高い。）により堆積し
て構成される。
【００２３】（２） アルミナ等の絶縁膜６６を全面に
スパッタ等で堆積させる。 （３） 全面を研磨して、下シールド３０を所定の厚さ
に形成する。 （４） 全面にアルミナ等の絶縁膜をスパッタ等で堆積
させて、再生下ギャップ３２ａを形成する。 （５） 再生下ギャップ３２ａの上に、ＣｏＣｒＰｔ等
の長手方向バイアス用磁石膜７０と、Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ等
の電気導電膜７２をスパッタ、蒸着あるいは電気めっき
などにより積層し、それらを一括してエッチングして逆
台形状にカットしてリード３４，３６を形成する。そし
て、基板全面にＭＲ素子材料として、ＭＲ膜（ＮｉＦｅ
等）、スペーサ（Ｔｉ等）、ＳＡＬバイアス膜（ＣｏＺ
ｒＭ（Ｎｂ，Ｍｏ等）等の軟磁性膜）を積層する。その
上に、形成すべきＭＲ素子パターンの形状にレジストを
形成し、ミリングによりＭＲ素子材料膜の不要部分を除
去して、ＭＲ素子４０を矩形の平面形状にカットする。
これにより、ＭＲ素子４０はその左右両端部４０ａ，４
０ｂが傾斜面３４ａ，３６ａの途中でカットされた状態
に形成されて、リード３４，３６に接続される。
スパッタ等で堆積させる。 （３） 全面を研磨して、下シールド３０を所定の厚さ
に形成する。 （４） 全面にアルミナ等の絶縁膜をスパッタ等で堆積
させて、再生下ギャップ３２ａを形成する。 （５） 再生下ギャップ３２ａの上に、ＣｏＣｒＰｔ等
の長手方向バイアス用磁石膜７０と、Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ等
の電気導電膜７２をスパッタ、蒸着あるいは電気めっき
などにより積層し、それらを一括してエッチングして逆
台形状にカットしてリード３４，３６を形成する。そし
て、基板全面にＭＲ素子材料として、ＭＲ膜（ＮｉＦｅ
等）、スペーサ（Ｔｉ等）、ＳＡＬバイアス膜（ＣｏＺ
ｒＭ（Ｎｂ，Ｍｏ等）等の軟磁性膜）を積層する。その
上に、形成すべきＭＲ素子パターンの形状にレジストを
形成し、ミリングによりＭＲ素子材料膜の不要部分を除
去して、ＭＲ素子４０を矩形の平面形状にカットする。
これにより、ＭＲ素子４０はその左右両端部４０ａ，４
０ｂが傾斜面３４ａ，３６ａの途中でカットされた状態
に形成されて、リード３４，３６に接続される。
【００２４】（６） 全面に上シールド兼下コア４２と
ＭＲ素子４０との絶縁のためおよび上シールド兼下コア
４２とリード３４，３６とのシールドギャップのために
アルミナ等の無機絶縁膜を成膜して、再生上ギャップ３
２ｂを形成する。 （７） 下シールド３０と同じく８１パーマロイ等の軟
磁性膜を電気めっき、あるいは蒸着、スパッタ（電気め
っきが最も生産性が高い。）等で所定の厚さ堆積し所定
の形状にカットして、上シールド兼下コア４２を形成す
る。
ＭＲ素子４０との絶縁のためおよび上シールド兼下コア
４２とリード３４，３６とのシールドギャップのために
アルミナ等の無機絶縁膜を成膜して、再生上ギャップ３
２ｂを形成する。 （７） 下シールド３０と同じく８１パーマロイ等の軟
磁性膜を電気めっき、あるいは蒸着、スパッタ（電気め
っきが最も生産性が高い。）等で所定の厚さ堆積し所定
の形状にカットして、上シールド兼下コア４２を形成す
る。
【００２５】（８） 上シールド兼下コア４２の上面の
書込ギャップ４８を形成する部分に４５パーマロイ、Ｃ
ｏＺｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ等を島状に成膜して高飽和磁
束密度層４６を形成する。ＣｏＺｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ
は真空装置でしか成膜できないが、４５パーマロイは電
気めっきで成膜できる。したがって４５パーマロイを電
気めっきで成膜することにより高い生産性が得られる。
書込ギャップ４８を形成する部分に４５パーマロイ、Ｃ
ｏＺｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ等を島状に成膜して高飽和磁
束密度層４６を形成する。ＣｏＺｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ
は真空装置でしか成膜できないが、４５パーマロイは電
気めっきで成膜できる。したがって４５パーマロイを電
気めっきで成膜することにより高い生産性が得られる。
【００２６】（９） 基板全面にアルミナ等の絶縁膜を
成膜し、研磨して、高飽和磁束密度層４６を所定の厚さ
に形成する。高飽和磁束密度層４６の周囲は、残された
絶縁材７４で包囲される。
成膜し、研磨して、高飽和磁束密度層４６を所定の厚さ
に形成する。高飽和磁束密度層４６の周囲は、残された
絶縁材７４で包囲される。
【００２７】（10） アルミナ等の絶縁膜８０を成膜し
て書込ギャップ４８を形成する。 （11） コイル５２および絶縁層５４を形成する。そし
て、コイル５２および絶縁層５４を跨ぐように上コア５
６を形成し、最後に保護膜５８（図１）を被せて完成す
る。
て書込ギャップ４８を形成する。 （11） コイル５２および絶縁層５４を形成する。そし
て、コイル５２および絶縁層５４を跨ぐように上コア５
６を形成し、最後に保護膜５８（図１）を被せて完成す
る。
【００２８】（実施の形態２）この発明の他の実施の形
態を図８に示す。このシールド型ＭＲヘッド７６は、上
コア５６の先端部を構成する書込上ポール５６ａの下面
（書込ギャップ４８を形成する部分）の全幅にも併せて
高飽和磁束密度層４６と同程度の厚さの高飽和磁束密度
層７８を形成したものである。他の構成は図１と同じで
ある。下シールド３０よび上シールド兼下コア４２は８
１パーマロイ等で構成される。高密度磁束密度層７８は
高飽和磁束密度層４６と同様に４５パーマロイ、ＣｏＺ
ｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ等で構成することができる。この
うち、４５パーマロイを電気めっきで成膜すれば高い生
産性が得られる。このシールド型ＭＲヘッド７６によれ
ば、書込ギャップ４８に書込磁束がより集中するので書
込能力（オーバライト特性）がさらに高められる。
態を図８に示す。このシールド型ＭＲヘッド７６は、上
コア５６の先端部を構成する書込上ポール５６ａの下面
（書込ギャップ４８を形成する部分）の全幅にも併せて
高飽和磁束密度層４６と同程度の厚さの高飽和磁束密度
層７８を形成したものである。他の構成は図１と同じで
ある。下シールド３０よび上シールド兼下コア４２は８
１パーマロイ等で構成される。高密度磁束密度層７８は
高飽和磁束密度層４６と同様に４５パーマロイ、ＣｏＺ
ｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ等で構成することができる。この
うち、４５パーマロイを電気めっきで成膜すれば高い生
産性が得られる。このシールド型ＭＲヘッド７６によれ
ば、書込ギャップ４８に書込磁束がより集中するので書
込能力（オーバライト特性）がさらに高められる。
【図１】 この発明の実施の形態を示す縦断面側面図お
よび記録媒体対向面から見た正面図である。
よび記録媒体対向面から見た正面図である。
【図２】 従来のシールド型ＭＲヘッドを示す記録媒体
対向面から見た正面図である。
対向面から見た正面図である。
【図３】 図１のシールド型ＭＲヘッドによる書込ギャ
ップの先端ギャップ部における書込磁束を示す図および
漏洩磁束分布特性を示す図である。
ップの先端ギャップ部における書込磁束を示す図および
漏洩磁束分布特性を示す図である。
【図４】 図１のシールド型ＭＲヘッドの製造工程の一
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図５】 図４の続きの工程を示す斜視図である。
【図６】 図５の続きの工程を示す斜視図である。
【図７】 図６の続きの工程を示す斜視図である。
【図８】 この発明の他の実施の形態を示す縦断面側面
図および記録媒体対向面から見た正面図である。
図および記録媒体対向面から見た正面図である。
２４，７６ シールド型ＭＲヘッド（シールド型磁気抵
抗効果薄膜磁気ヘッド） ３０ 下シールド ３２ 再生ギャップ ４０ ＭＲ素子 ４１ 記録媒体対向面 ４２ 上シールド兼下コア ４６，７８ 高飽和磁束密度層（飽和磁束密度の高い材
料層） ４６ａ 書込下ポール ４８ 書込ギャップ ５０ 再生用ヘッド ５２ コイル ５６ 上コア ５６ａ 書込上ポール ６０ 記録用ヘッド
抗効果薄膜磁気ヘッド） ３０ 下シールド ３２ 再生ギャップ ４０ ＭＲ素子 ４１ 記録媒体対向面 ４２ 上シールド兼下コア ４６，７８ 高飽和磁束密度層（飽和磁束密度の高い材
料層） ４６ａ 書込下ポール ４８ 書込ギャップ ５０ 再生用ヘッド ５２ コイル ５６ 上コア ５６ａ 書込上ポール ６０ 記録用ヘッド
Claims (5)
- 【請求項１】下シールドと上シールドの間の再生ギャッ
プ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置した
再生用ヘッドと、前記上シールドを下コアとして兼用し
て当該下コアと上コアとの間にコイルを配置しかつ当該
上コアと当該下コアとの間の前記記録媒体対向面を臨む
位置に書込ギャップを形成した記録用ヘッドとを積層配
置したシールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおい
て、 記録媒体対向面の位置で、前記下シールドおよび前記上
シールド兼下コアの幅を前記上コア先端の書込上ポール
の幅よりもそれぞれ広く形成し、前記上シールド兼下コ
アの上面を概ね平坦面に形成し、かつ当該上シールド兼
下コアの上面の前記上コア先端の書込上ポールと対向す
る位置に当該書込上ポールとほぼ同じ幅で前記上シール
ド兼下コアよりも飽和磁束密度の高い材料層を台状に形
成して書込下ポールを形成してなるシールド型磁気抵抗
効果薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記飽和磁束密度の高い材料で台状に形成
された部分の厚さを前記上シールド兼下コアの厚さの１
／４以下に設定してなる請求項１記載のシールド型磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記飽和磁束密度の高い材料で台状に形成
された部分の面積を前記上シールド兼下コアの面積の１
／５０未満に設定してなる請求項１または２記載のシー
ルド型磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記飽和磁束密度の高い材料としてＮｉ組
成が４０％から５５％のＮｉ−Ｆｅ磁性合金を用い、こ
の磁性合金を電気めっきして前記台状に形成してなる請
求項１乃至３のいずれかに記載のシールド型磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】下シールドと上シールドの間の再生ギャッ
プ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置した
再生用ヘッドと、前記上シールドを下コアとして兼用し
て当該下コアと上コアとの間にコイルを配置しかつ当該
上コアと当該下コアとの間の前記記録媒体対向面を臨む
位置に書込ギャップを形成した記録用ヘッドとを積層配
置したシールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおい
て、 記録媒体対向面の位置で、前記下シールドおよび前記上
シールド兼下コアの幅を前記上コア先端の書込上ポール
の幅よりもそれぞれ広く形成し、前記上シールド兼下コ
アの上面を概ね平坦面に形成し、かつ当該上シールド兼
下コアの上面の前記上コア先端の書込上ポールと対向す
る位置に当該書込上ポールとほぼ同じ幅で前記上シール
ド兼下コアよりも飽和磁束密度の高い材料層を台状に形
成して書込下ポールを形成し、かつ前記上コアの先端部
を構成する書込上ポールの下面全幅に当該上コア本体よ
りも飽和磁束密度の高い材料層を形成してなるシールド
型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32612096A JPH10154313A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32612096A JPH10154313A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154313A true JPH10154313A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18184306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32612096A Pending JPH10154313A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7821736B2 (en) | 2006-04-06 | 2010-10-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Shaped trailing shield of a perpendicular recording write element |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP32612096A patent/JPH10154313A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7821736B2 (en) | 2006-04-06 | 2010-10-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Shaped trailing shield of a perpendicular recording write element |
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