JPH10154610A - 異方性磁石粉末の製造方法、異方性磁石粉末および異方性ボンド磁石 - Google Patents
異方性磁石粉末の製造方法、異方性磁石粉末および異方性ボンド磁石Info
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- JPH10154610A JPH10154610A JP8314595A JP31459596A JPH10154610A JP H10154610 A JPH10154610 A JP H10154610A JP 8314595 A JP8314595 A JP 8314595A JP 31459596 A JP31459596 A JP 31459596A JP H10154610 A JPH10154610 A JP H10154610A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い磁気特性を有する異方性磁石粉末および
異方性ボンド磁石を提供する。 【解決手段】 R1,R2,Fe,M,Coからなる急
冷合金粉末1を箱状カプセル2中に充填した後、所定の
条件で熱間加工および熱処理することにより、構成組織
中の主相であるTbCu7型構造の結晶相を異方化して
異方性磁石粉末を得る。また窒化することにより、さら
に高い磁気特性を有する異方性磁石粉末を得る。さらに
その磁石粉末を樹脂と結合して、20MGOeレベルの
高い磁気特性と良好な熱安定性を兼ね備えた異方性ボン
ド磁石を得る。
異方性ボンド磁石を提供する。 【解決手段】 R1,R2,Fe,M,Coからなる急
冷合金粉末1を箱状カプセル2中に充填した後、所定の
条件で熱間加工および熱処理することにより、構成組織
中の主相であるTbCu7型構造の結晶相を異方化して
異方性磁石粉末を得る。また窒化することにより、さら
に高い磁気特性を有する異方性磁石粉末を得る。さらに
その磁石粉末を樹脂と結合して、20MGOeレベルの
高い磁気特性と良好な熱安定性を兼ね備えた異方性ボン
ド磁石を得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高性能を有し、か
つ形状自由度の高い異方性希土類ボンド磁石材料に関
し、詳しくは異方性磁石粉末の製造方法、異方性磁石粉
末および異方性ボンド磁石に関する。
つ形状自由度の高い異方性希土類ボンド磁石材料に関
し、詳しくは異方性磁石粉末の製造方法、異方性磁石粉
末および異方性ボンド磁石に関する。
【0002】
【従来の技術】希土類磁石はNd−Fe−B系焼結磁石
をはじめ、従来に無い高い性能が得られる磁石で、OA
機器をはじめとする電子機器の小型化、低消費電力化に
大きく寄与している。なかでも磁石粉末を、樹脂をバイ
ンダーとして結合した樹脂結合型磁石いわゆるボンド磁
石は、焼結法をはじめとするバルク磁石では製造するこ
とがむずかしいリング磁石を作製できるなどの形状自由
度に非常に優れる利点を活かしてOA用各種スピンドル
モータ、ステッピングモータなどの用途を中心に大きく
市場を伸ばしている。
をはじめ、従来に無い高い性能が得られる磁石で、OA
機器をはじめとする電子機器の小型化、低消費電力化に
大きく寄与している。なかでも磁石粉末を、樹脂をバイ
ンダーとして結合した樹脂結合型磁石いわゆるボンド磁
石は、焼結法をはじめとするバルク磁石では製造するこ
とがむずかしいリング磁石を作製できるなどの形状自由
度に非常に優れる利点を活かしてOA用各種スピンドル
モータ、ステッピングモータなどの用途を中心に大きく
市場を伸ばしている。
【0003】希土類ボンド磁石材料の中には、構成組織
中のハード磁性相結晶粒の磁化容易軸がほぼ一方向にそ
ろった異方性ボンド磁石と、結晶粒の磁化容易軸方向が
ランダムな方向を向いている等方性ボンド磁石とがあ
る。
中のハード磁性相結晶粒の磁化容易軸がほぼ一方向にそ
ろった異方性ボンド磁石と、結晶粒の磁化容易軸方向が
ランダムな方向を向いている等方性ボンド磁石とがあ
る。
【0004】等方性ボンド磁石材料としては、液体急冷
法で作製されるNd−Fe−B系磁石粉末を原料として
エポキシ樹脂やナイロン樹脂等をバインダーとして使用
したボンド磁石が主として使用されている。その磁石粉
末の構成組織はNd2Fe14B相のほぼ単相からなる
組織である。
法で作製されるNd−Fe−B系磁石粉末を原料として
エポキシ樹脂やナイロン樹脂等をバインダーとして使用
したボンド磁石が主として使用されている。その磁石粉
末の構成組織はNd2Fe14B相のほぼ単相からなる
組織である。
【0005】さらに上述した従来のNd−Fe−B系磁
石粉末以外の等方性ボンド磁石材料として最近注目を集
めているのが、スプリング磁石あるいはナノコンポジッ
ト磁石と呼ばれている磁石材料である。これは、構成組
織として永久磁石特性を出現させる硬磁性相のほかに、
高い磁化を有するα−Feなどの軟磁性相を有し、しか
もこれらの結晶粒径が10nmオーダーの大きさからなる組
織となっている。一般的に軟磁性相は非常に小さな保磁
力で磁化反転が起こるため、永久磁石材料組織として存
在すると保磁力を劣化させて磁石特性に悪影響を及ぼす
とされていた。しかし10nmオーダーの結晶粒径で存在
し、かつ硬磁性相との界面を有する場合には、硬磁性相
と軟磁性相との結晶粒間において交換相互作用が働くた
め、軟磁性相の磁化反転が硬磁性相との界面での交換相
互作用によって抑制され、保磁力を確保する事ができ
る。このような材料には、硬磁性相としてNd2Fe1
4B相、軟磁性相としてα−Fe相やFe3B相を有す
るNd−Fe−B系の材料、硬磁性相としてSm2Fe1
7Nx相、軟磁性相としてα−Fe相を有するSm−F
e−N系の材料、そして硬磁性相としてSmZr(F
e,Co)7Nx相、軟磁性相としてα−Fe相を有する
Sm−Zr−(Fe,Co)−N系の材料が挙げられ
る。
石粉末以外の等方性ボンド磁石材料として最近注目を集
めているのが、スプリング磁石あるいはナノコンポジッ
ト磁石と呼ばれている磁石材料である。これは、構成組
織として永久磁石特性を出現させる硬磁性相のほかに、
高い磁化を有するα−Feなどの軟磁性相を有し、しか
もこれらの結晶粒径が10nmオーダーの大きさからなる組
織となっている。一般的に軟磁性相は非常に小さな保磁
力で磁化反転が起こるため、永久磁石材料組織として存
在すると保磁力を劣化させて磁石特性に悪影響を及ぼす
とされていた。しかし10nmオーダーの結晶粒径で存在
し、かつ硬磁性相との界面を有する場合には、硬磁性相
と軟磁性相との結晶粒間において交換相互作用が働くた
め、軟磁性相の磁化反転が硬磁性相との界面での交換相
互作用によって抑制され、保磁力を確保する事ができ
る。このような材料には、硬磁性相としてNd2Fe1
4B相、軟磁性相としてα−Fe相やFe3B相を有す
るNd−Fe−B系の材料、硬磁性相としてSm2Fe1
7Nx相、軟磁性相としてα−Fe相を有するSm−F
e−N系の材料、そして硬磁性相としてSmZr(F
e,Co)7Nx相、軟磁性相としてα−Fe相を有する
Sm−Zr−(Fe,Co)−N系の材料が挙げられ
る。
【0006】異方性のボンド磁石としてはSm2Co17
系が、現在のところ市場に受け入れられている。これは
特定組成の合金インゴットに熱処理を施した後、粉砕し
て粉末とするものである。こうした製法により、最高で
20MGOe程度の高性能を有するボンド磁石である。
系が、現在のところ市場に受け入れられている。これは
特定組成の合金インゴットに熱処理を施した後、粉砕し
て粉末とするものである。こうした製法により、最高で
20MGOe程度の高性能を有するボンド磁石である。
【0007】その他に異方性のボンド磁石材料として
は、HDDR法で異方化されるNd−Fe−B系粉末
や、Sm−Fe系合金を窒化する事により作製されるS
m−Fe−N系粉末などが開発されている。
は、HDDR法で異方化されるNd−Fe−B系粉末
や、Sm−Fe系合金を窒化する事により作製されるS
m−Fe−N系粉末などが開発されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術は、
以下のような課題を有している。
以下のような課題を有している。
【0009】まず、等方性のボンド磁石材料は異方性に
比べて性能が低い。実際に上市されているNd−Fe−
B系の等方性ボンド磁石の磁気特性(最大エネルギー
積)は最高でも10〜12MGOe程度である。
比べて性能が低い。実際に上市されているNd−Fe−
B系の等方性ボンド磁石の磁気特性(最大エネルギー
積)は最高でも10〜12MGOe程度である。
【0010】また上述した硬磁性相と軟磁性相の複合組
織からなるスプリング磁石についても、比較的高い磁化
が得られる反面保磁力が低く、その結果得られるボンド
磁石としての最大エネルギー積は10MGOeに満たな
い低い値に留まっている。また保磁力が低いことから高
温での使用に適さない。
織からなるスプリング磁石についても、比較的高い磁化
が得られる反面保磁力が低く、その結果得られるボンド
磁石としての最大エネルギー積は10MGOeに満たな
い低い値に留まっている。また保磁力が低いことから高
温での使用に適さない。
【0011】これに対して異方性ボンド磁石は高いエネ
ルギー積が得られる。しかし上述した各種の異方性ボン
ド磁石は、それぞれ以下のような課題を有している。
ルギー積が得られる。しかし上述した各種の異方性ボン
ド磁石は、それぞれ以下のような課題を有している。
【0012】まずSm2Co17系のボンド磁石はNdに
比べて高価な希土類元素のSmの含有量が多く、さらに
これも高価なCoを主元素として含むため非常に高価な
磁石となる。ボンド磁石で20MGOe程度の性能は得
られるポテンシャルは有するものの、価格/性能比が高
くコストパフォーマンスに劣る。
比べて高価な希土類元素のSmの含有量が多く、さらに
これも高価なCoを主元素として含むため非常に高価な
磁石となる。ボンド磁石で20MGOe程度の性能は得
られるポテンシャルは有するものの、価格/性能比が高
くコストパフォーマンスに劣る。
【0013】HDDR法により作製されるNd−Fe−
B系磁石粉末は、活性なNdを希土類として使用してい
るため耐酸化性に劣り、実際の使用にあたっては表面の
コーティングが必要となる。またHDDRという方法に
よって異方化を実現しており、安定した製造が難しいた
め特性バラツキが大きく、特に十分な配向度を安定して
得ることが困難であり、ボンド磁石として実際に得られ
る性能は15〜17MGOe程度である。さらに保磁力
の温度係数がSm−Co系に比べて大きいことや、高保
磁力でかつ配向度が悪いことから着磁性に劣るという欠
点があり、このため未だ市場に受け入れられていないの
が現状である。
B系磁石粉末は、活性なNdを希土類として使用してい
るため耐酸化性に劣り、実際の使用にあたっては表面の
コーティングが必要となる。またHDDRという方法に
よって異方化を実現しており、安定した製造が難しいた
め特性バラツキが大きく、特に十分な配向度を安定して
得ることが困難であり、ボンド磁石として実際に得られ
る性能は15〜17MGOe程度である。さらに保磁力
の温度係数がSm−Co系に比べて大きいことや、高保
磁力でかつ配向度が悪いことから着磁性に劣るという欠
点があり、このため未だ市場に受け入れられていないの
が現状である。
【0014】Sm−Fe−N系粉末は、Sm2Co17
系、HDDRとは異なり、その保磁力機構がいわゆるニ
ュークリエーション型である。このため保磁力を得るた
めには磁石粉末を微粉化する必要があり、具体的には3
μm程度の微粉末にすることが要求される。しかしこの
ような一様な微粉末をボンド磁石化すると、ボンド磁石
として高密度化することが困難であり、結果として得ら
れる磁石特性は、そのポテンシャルからすると低い値に
留まり、量産レベルの特性は15〜17MGOe程度で
ある。また微粉末とすることから、製造プロセスにおい
て酸化による特性劣化が激しく、満足な磁気特性を得る
ことがむずかしい。
系、HDDRとは異なり、その保磁力機構がいわゆるニ
ュークリエーション型である。このため保磁力を得るた
めには磁石粉末を微粉化する必要があり、具体的には3
μm程度の微粉末にすることが要求される。しかしこの
ような一様な微粉末をボンド磁石化すると、ボンド磁石
として高密度化することが困難であり、結果として得ら
れる磁石特性は、そのポテンシャルからすると低い値に
留まり、量産レベルの特性は15〜17MGOe程度で
ある。また微粉末とすることから、製造プロセスにおい
て酸化による特性劣化が激しく、満足な磁気特性を得る
ことがむずかしい。
【0015】また特開平8−191006号公報に記載
された実施例1中にはSm−Zr−Fe−N系の異方性
ボンド磁石の記述があるが、これも合金インゴットを粉
砕して得られる磁石で、上述したSm−Fe−N系の材
料と同様に磁石粉末を3μm程度の微粉末にすることが
必要であり、高密度化がむずかしく、かつ酸化の影響が
大きいため磁気特性および熱安定性に劣るという課題を
有している。
された実施例1中にはSm−Zr−Fe−N系の異方性
ボンド磁石の記述があるが、これも合金インゴットを粉
砕して得られる磁石で、上述したSm−Fe−N系の材
料と同様に磁石粉末を3μm程度の微粉末にすることが
必要であり、高密度化がむずかしく、かつ酸化の影響が
大きいため磁気特性および熱安定性に劣るという課題を
有している。
【0016】本発明は、以上のような従来技術の課題を
解決するものであり、そのうち請求項1記載の発明は微
細な結晶粒径を有する主相である硬磁性相を熱間加工に
より配向させて磁気特性、および信頼性にすぐれた異方
性磁石粉末の製造方法を提供することを目的としてい
る。
解決するものであり、そのうち請求項1記載の発明は微
細な結晶粒径を有する主相である硬磁性相を熱間加工に
より配向させて磁気特性、および信頼性にすぐれた異方
性磁石粉末の製造方法を提供することを目的としてい
る。
【0017】請求項6記載の発明は、熱処理を行うこと
によって、磁気特性特に角型性をさらに改善し、また特
性ばらつきの少ない磁石粉末の製造方法を提供すること
を目的としている。
によって、磁気特性特に角型性をさらに改善し、また特
性ばらつきの少ない磁石粉末の製造方法を提供すること
を目的としている。
【0018】請求項11記載の発明は窒化を行うことに
より、異方化した主相結晶中に窒素原子をインターステ
ィシャルに固溶させて飽和磁化および異方性磁界を本質
的に向上し、さらに高特性な異方性磁石粉末を得ること
を目的としている。
より、異方化した主相結晶中に窒素原子をインターステ
ィシャルに固溶させて飽和磁化および異方性磁界を本質
的に向上し、さらに高特性な異方性磁石粉末を得ること
を目的としている。
【0019】請求項2,3,7,8,12および13に
記載のの発明は、加工を行う前の合金粉末を液体急冷法
で作製した急冷薄帯を基本とするもので、微細均一な結
晶粒径からなる組織を有する異方性磁石粉末を容易に、
かつ生産性よく製造する製造方法を提供することを目的
としている。
記載のの発明は、加工を行う前の合金粉末を液体急冷法
で作製した急冷薄帯を基本とするもので、微細均一な結
晶粒径からなる組織を有する異方性磁石粉末を容易に、
かつ生産性よく製造する製造方法を提供することを目的
としている。
【0020】また請求項4,5,9,10,14および
15の発明は、熱間加工工程における加工条件を規定す
ることにより、高い配向度を有して磁気特性に優れる異
方性磁石粉末の製造方法を提供することを目的としてい
る。
15の発明は、熱間加工工程における加工条件を規定す
ることにより、高い配向度を有して磁気特性に優れる異
方性磁石粉末の製造方法を提供することを目的としてい
る。
【0021】請求項16記載の発明は、磁石粉末中のN
量を規定することにより、主相結晶構造を安定化し、高
い磁気特性を安定して得ることのできる異方性磁石粉末
を提供することを目的としている。
量を規定することにより、主相結晶構造を安定化し、高
い磁気特性を安定して得ることのできる異方性磁石粉末
を提供することを目的としている。
【0022】そして請求項17乃至20の発明は、本発
明の異方性磁石粉末を樹脂と結合して高い磁気特性と信
頼性を有する異方性ボンド磁石を提供することにある。
明の異方性磁石粉末を樹脂と結合して高い磁気特性と信
頼性を有する異方性ボンド磁石を提供することにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、R1xR2y(Fe100-uM
u)100-x-y-zCozなる組成式で表わされ(但し、R1
はYを含む希土類元素のうち1種またはそれ以上の元
素、R2はZr,Hf,Scの群から選ばれる1種また
はそれ以上の元素、MはTi,Si,V,Cr,Mo,
Mn,W,Ni,Ga,Cu,Al,Nb,Sn,A
g,Taの群から選ばれる1種またはそれ以上の元素
で、x、y、z、uは原子%でそれぞれ2≦x、0.0
1≦y、4≦x+y≦20、0≦z≦40、0≦u≦2
0)、さらに製造上不可避な不純物を含む急冷合金粉末
を金属製カプセル中に充填した後、熱間加工を施すこと
により構成組織中のTbCu7型構造からなる主相結晶
粒の磁化容易軸方向を配向させて異方性を付与し、熱間
加工後に前記金属製カプセル中より内部の加工物を取り
出し、該加工物を粉砕することを特徴とする。
に、請求項1記載の発明は、R1xR2y(Fe100-uM
u)100-x-y-zCozなる組成式で表わされ(但し、R1
はYを含む希土類元素のうち1種またはそれ以上の元
素、R2はZr,Hf,Scの群から選ばれる1種また
はそれ以上の元素、MはTi,Si,V,Cr,Mo,
Mn,W,Ni,Ga,Cu,Al,Nb,Sn,A
g,Taの群から選ばれる1種またはそれ以上の元素
で、x、y、z、uは原子%でそれぞれ2≦x、0.0
1≦y、4≦x+y≦20、0≦z≦40、0≦u≦2
0)、さらに製造上不可避な不純物を含む急冷合金粉末
を金属製カプセル中に充填した後、熱間加工を施すこと
により構成組織中のTbCu7型構造からなる主相結晶
粒の磁化容易軸方向を配向させて異方性を付与し、熱間
加工後に前記金属製カプセル中より内部の加工物を取り
出し、該加工物を粉砕することを特徴とする。
【0024】請求項2記載の発明は、請求項1におい
て、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法で
凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉砕
したものである事を特徴とする。
て、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法で
凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉砕
したものである事を特徴とする。
【0025】請求項3記載の発明は、請求項1におい
て、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法で
凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉砕
したものを400〜700℃で熱処理したものであるこ
とを特徴とする。
て、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法で
凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉砕
したものを400〜700℃で熱処理したものであるこ
とを特徴とする。
【0026】請求項4記載の発明は、請求項1におい
て、前記熱間加工工程における、加工時の歪み速度が
0.1〜10s-1であることを特徴とする。
て、前記熱間加工工程における、加工時の歪み速度が
0.1〜10s-1であることを特徴とする。
【0027】請求項5記載の発明は、請求項1におい
て、前記熱間加工工程における、加工時の温度が400
〜800℃であることを特徴とする。
て、前記熱間加工工程における、加工時の温度が400
〜800℃であることを特徴とする。
【0028】請求項6記載の発明は、R1xR2y(Fe
100-uMu)100-x-y-zCozなる組成式で表わされ(但
し、R1はYを含む希土類元素のうち1種またはそれ以
上の元素、R2はZr,Hf,Scの群から選ばれる1
種またはそれ以上の元素、MはTi,Si,V,Cr,
Mo,Mn,W,Ni,Ga,Cu,Al,Nb,S
n,Ag,Taの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素で、x、y、z、uは原子%でそれぞれ2≦x、
0.01≦y、4≦x+y≦20、0≦z≦40、0≦
u≦20)、さらに製造上不可避な不純物を含む急冷合
金粉末を金属製カプセル中に充填した後、熱間加工を施
すことにより構成組織中のTbCu7型構造からなる主
相結晶粒の磁化容易軸方向を配向させて異方性を付与
し、熱間加工後に前記金属製カプセル中より内部の加工
物を前記金属製カプセル中より取り出した後、400〜
800℃の温度範囲において熱処理し、さらに熱処理後
の該加工物を粉砕することを特徴とする。
100-uMu)100-x-y-zCozなる組成式で表わされ(但
し、R1はYを含む希土類元素のうち1種またはそれ以
上の元素、R2はZr,Hf,Scの群から選ばれる1
種またはそれ以上の元素、MはTi,Si,V,Cr,
Mo,Mn,W,Ni,Ga,Cu,Al,Nb,S
n,Ag,Taの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素で、x、y、z、uは原子%でそれぞれ2≦x、
0.01≦y、4≦x+y≦20、0≦z≦40、0≦
u≦20)、さらに製造上不可避な不純物を含む急冷合
金粉末を金属製カプセル中に充填した後、熱間加工を施
すことにより構成組織中のTbCu7型構造からなる主
相結晶粒の磁化容易軸方向を配向させて異方性を付与
し、熱間加工後に前記金属製カプセル中より内部の加工
物を前記金属製カプセル中より取り出した後、400〜
800℃の温度範囲において熱処理し、さらに熱処理後
の該加工物を粉砕することを特徴とする。
【0029】請求項7記載の発明は、請求項6におい
て、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法で
凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉砕
したものである事を特徴とする。
て、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法で
凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉砕
したものである事を特徴とする。
【0030】請求項8記載の発明は、請求項6におい
て、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法で
凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉砕
したものを400〜700℃で熱処理したものであるこ
とを特徴とする。
て、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法で
凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉砕
したものを400〜700℃で熱処理したものであるこ
とを特徴とする。
【0031】請求項9記載の発明は、請求項6におい
て、前記熱間加工工程における、加工時の歪み速度が
0.1〜10s-1であることを特徴とする。
て、前記熱間加工工程における、加工時の歪み速度が
0.1〜10s-1であることを特徴とする。
【0032】請求項10記載の発明は、請求項6におい
て、前記熱間加工工程における、加工時の温度が400
〜800℃であることを特徴とする。
て、前記熱間加工工程における、加工時の温度が400
〜800℃であることを特徴とする。
【0033】請求項11記載の発明は、R1xR2y(F
e100-uMu)100-x-y-zCozなる組成式で表わされ(但
し、R1はYを含む希土類元素のうち1種またはそれ以
上の元素、R2はZr,Hf,Scの群から選ばれる1
種またはそれ以上の元素、MはTi,Si,V,Cr,
Mo,Mn,W,Ni,Ga,Cu,Al,Nb,S
n,Ag,Taの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素で、x、y、z、uは原子%でそれぞれ2≦x、
0.01≦y、4≦x+y≦20、0≦z≦40、0≦
u≦20)、さらに製造上不可避な不純物を含む急冷合
金粉末を、金属製カプセル中に充填した後、熱間加工す
ることにより構成組織中のTbCu7型構造を有する主
相結晶粒の磁化容易軸方向を配向させて異方性を付与
し、熱間加工後に前記金属製カプセル中より内部の加工
物を取り出し、該加工物を金属製カプセルから取り出し
て窒素ガスまたはアンモニアガスあるいはそれらの混合
ガス雰囲気中で300〜700℃の温度範囲において熱
処理し、その後粉砕することを特徴とする。
e100-uMu)100-x-y-zCozなる組成式で表わされ(但
し、R1はYを含む希土類元素のうち1種またはそれ以
上の元素、R2はZr,Hf,Scの群から選ばれる1
種またはそれ以上の元素、MはTi,Si,V,Cr,
Mo,Mn,W,Ni,Ga,Cu,Al,Nb,S
n,Ag,Taの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素で、x、y、z、uは原子%でそれぞれ2≦x、
0.01≦y、4≦x+y≦20、0≦z≦40、0≦
u≦20)、さらに製造上不可避な不純物を含む急冷合
金粉末を、金属製カプセル中に充填した後、熱間加工す
ることにより構成組織中のTbCu7型構造を有する主
相結晶粒の磁化容易軸方向を配向させて異方性を付与
し、熱間加工後に前記金属製カプセル中より内部の加工
物を取り出し、該加工物を金属製カプセルから取り出し
て窒素ガスまたはアンモニアガスあるいはそれらの混合
ガス雰囲気中で300〜700℃の温度範囲において熱
処理し、その後粉砕することを特徴とする。
【0034】請求項12記載の発明は、請求項11にお
いて、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法
で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉
砕したものである事を特徴とする。
いて、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法
で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉
砕したものである事を特徴とする。
【0035】請求項13記載の発明は、請求項11にお
いて、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法
で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉
砕したものを400〜700℃で熱処理したものである
ことを特徴とする。
いて、前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液体急冷法
で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷薄帯を粉
砕したものを400〜700℃で熱処理したものである
ことを特徴とする。
【0036】請求項14記載の発明は、請求項11にお
いて、前記熱間加工工程における、加工時の歪み速度が
0.1〜10s-1であることを特徴とする。
いて、前記熱間加工工程における、加工時の歪み速度が
0.1〜10s-1であることを特徴とする。
【0037】請求項15記載の発明は、請求項11にお
いて、前記熱間加工工程における、加工時の温度が40
0〜800℃であることを特徴とする。
いて、前記熱間加工工程における、加工時の温度が40
0〜800℃であることを特徴とする。
【0038】請求項16記載の発明は、(R1xR2yF
e100-x-y-zCoz)1-vNvなる組成式で表され(但
し、R1はYを含む希土類元素のうち1種またはそれ以
上の元素、R2はZr,Hf,Scの群から選ばれる1
種またはそれ以上の元素、MはTi,Si,V,Cr,
Mo,Mn,W,Ni,Ga,Cu,Al,Nb,S
n,Ag,Taの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素で、x、y、zは原子%でそれぞれ2≦x、0.0
1≦y、4≦x+y≦20、0≦z≦40、0≦z≦2
0、またvは原子比率で0≦v≦0.2)、さらに製造
上不可避な不純物を含む急冷合金粉末からなり、構成組
織中のTbCu7型構造を有する主相結晶粒の磁化容易
軸方向を配向させて異方性を付与してなることを特徴と
する。
e100-x-y-zCoz)1-vNvなる組成式で表され(但
し、R1はYを含む希土類元素のうち1種またはそれ以
上の元素、R2はZr,Hf,Scの群から選ばれる1
種またはそれ以上の元素、MはTi,Si,V,Cr,
Mo,Mn,W,Ni,Ga,Cu,Al,Nb,S
n,Ag,Taの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素で、x、y、zは原子%でそれぞれ2≦x、0.0
1≦y、4≦x+y≦20、0≦z≦40、0≦z≦2
0、またvは原子比率で0≦v≦0.2)、さらに製造
上不可避な不純物を含む急冷合金粉末からなり、構成組
織中のTbCu7型構造を有する主相結晶粒の磁化容易
軸方向を配向させて異方性を付与してなることを特徴と
する。
【0039】請求項17記載の発明は、上記請求項1に
記載された製造方法により製造された異方性磁石粉末が
樹脂で結合されてなることを特徴とする。
記載された製造方法により製造された異方性磁石粉末が
樹脂で結合されてなることを特徴とする。
【0040】請求項18記載の発明は、上記請求項6に
記載された製造方法により製造された異方性磁石粉末が
樹脂で結合されてなることを特徴とする。
記載された製造方法により製造された異方性磁石粉末が
樹脂で結合されてなることを特徴とする。
【0041】請求項19記載の発明は、上記請求項11
に記載された製造方法により製造された異方性磁石粉末
が樹脂で結合されてなることを特徴とする異方性ボンド
磁石。
に記載された製造方法により製造された異方性磁石粉末
が樹脂で結合されてなることを特徴とする異方性ボンド
磁石。
【0042】請求項20記載の発明は、上記請求項16
に記載された異方性磁石粉末が樹脂で結合されてなるこ
とを特徴とする。
に記載された異方性磁石粉末が樹脂で結合されてなるこ
とを特徴とする。
【0043】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【0044】まず本発明の異方性磁石粉末を構成する合
金元素とその構成要件について述べる。
金元素とその構成要件について述べる。
【0045】R1はYを含む希土類元素の少なくとも1
種からなる元素であり、構成組織中の主相である硬磁性
特性を発現するTbCu7型構造を持つ六方晶相を構成
する主元素である。ここで前記主相とは、磁石の構成組
織中の体積率が最も大きい相を示すものである。また好
ましくはSm、Nd、Prのいずれか1種を必ず含むこ
とが望ましい。組成域としては原子比率で2%以上であ
ることが望ましい。なぜなら2%未満の組成では構成組
織中にα−Fe相などの軟磁性相が多量に析出し、磁石
特性、特に保磁力を劣化させてしまうためである。
種からなる元素であり、構成組織中の主相である硬磁性
特性を発現するTbCu7型構造を持つ六方晶相を構成
する主元素である。ここで前記主相とは、磁石の構成組
織中の体積率が最も大きい相を示すものである。また好
ましくはSm、Nd、Prのいずれか1種を必ず含むこ
とが望ましい。組成域としては原子比率で2%以上であ
ることが望ましい。なぜなら2%未満の組成では構成組
織中にα−Fe相などの軟磁性相が多量に析出し、磁石
特性、特に保磁力を劣化させてしまうためである。
【0046】R2は主相であるTbCu7型構造の金属
間化合物相中の希土類の占めるサイトを置換しうる元素
であり、その原子半径が比較的希土類元素に近いものが
望ましく、具体的にはZr、Hf、Scのいずれかの少
なくとも1種からなる元素である。このような元素の添
加により主相の結晶構造が安定化され、かつ主相の飽和
磁化の増大が実現される。このような効果を得るために
はR2は原子比率で0.1%以上であることが望まし
い。
間化合物相中の希土類の占めるサイトを置換しうる元素
であり、その原子半径が比較的希土類元素に近いものが
望ましく、具体的にはZr、Hf、Scのいずれかの少
なくとも1種からなる元素である。このような元素の添
加により主相の結晶構造が安定化され、かつ主相の飽和
磁化の増大が実現される。このような効果を得るために
はR2は原子比率で0.1%以上であることが望まし
い。
【0047】またR1元素とR2元素の添加量の和が原
子%で4〜20%であることが望ましい。これは4原子
%未満である場合には永久磁石として十分な保磁力を得
ることができず、一方20%を超える値であると、磁化
の低下が著しいためである。
子%で4〜20%であることが望ましい。これは4原子
%未満である場合には永久磁石として十分な保磁力を得
ることができず、一方20%を超える値であると、磁化
の低下が著しいためである。
【0048】Feは主相であるTbCu7型構造の金属
間化合物相の主たる構成元素で、この化合物相の磁化の
ほとんどはFe原子の有する磁気モーメントによるもの
である。またFeの一部はMで表される元素(MはT
i,Si,V,Cr,Mo,Mn,W,Ni,Ga,C
u,Al,Nb,Sn,Ag,Taから選ばれる1種ま
たはそれ以上の元素)で一部置換することができる。M
での置換により結晶粒径の微細・均質化による保磁力お
よび角型性の向上や、主相体積率の増大などが可能とな
る。ただしMの置換量が20%を越えるとFeの減少に
よる磁化の低下が顕著となり好ましくない。
間化合物相の主たる構成元素で、この化合物相の磁化の
ほとんどはFe原子の有する磁気モーメントによるもの
である。またFeの一部はMで表される元素(MはT
i,Si,V,Cr,Mo,Mn,W,Ni,Ga,C
u,Al,Nb,Sn,Ag,Taから選ばれる1種ま
たはそれ以上の元素)で一部置換することができる。M
での置換により結晶粒径の微細・均質化による保磁力お
よび角型性の向上や、主相体積率の増大などが可能とな
る。ただしMの置換量が20%を越えるとFeの減少に
よる磁化の低下が顕著となり好ましくない。
【0049】Coは主相中のFeのサイトの一部を置換
することにより、主相のキュリー点が向上するため熱安
定性を改善するという効果を有する。Coの組成域とし
ては40%以下とすることが望ましい。これは40%を
越えると保磁力の低下が顕著となるからである。さらに
比較的高価なCo使用量の増大はコスト上昇を招き、コ
ストパフォーマンスを低下させる。より好ましい範囲は
4〜30%である。このような範囲の組成とすることに
より主相の結晶構造の安定性が向上する。
することにより、主相のキュリー点が向上するため熱安
定性を改善するという効果を有する。Coの組成域とし
ては40%以下とすることが望ましい。これは40%を
越えると保磁力の低下が顕著となるからである。さらに
比較的高価なCo使用量の増大はコスト上昇を招き、コ
ストパフォーマンスを低下させる。より好ましい範囲は
4〜30%である。このような範囲の組成とすることに
より主相の結晶構造の安定性が向上する。
【0050】Nは主相であるTbCu7型相中に侵入型
に固溶する。この結果遷移金属元素間の原子間距離を増
大させ、その結果主相の飽和磁化の増大キュリー点の向
上に効果を有する。Nの組成域は原子%で20%以下が
望ましい。これは20%を越えると主相であるTbCu
7型相が相分解を起こして結晶構造を維持することがで
きなくなり、その結果磁気特性が劣化するためである。
またN以外にもCあるいはPはNと同様に侵入型に固溶
し、磁気特性を向上させる効果がある。
に固溶する。この結果遷移金属元素間の原子間距離を増
大させ、その結果主相の飽和磁化の増大キュリー点の向
上に効果を有する。Nの組成域は原子%で20%以下が
望ましい。これは20%を越えると主相であるTbCu
7型相が相分解を起こして結晶構造を維持することがで
きなくなり、その結果磁気特性が劣化するためである。
またN以外にもCあるいはPはNと同様に侵入型に固溶
し、磁気特性を向上させる効果がある。
【0051】次に本発明の異方性磁石粉末の製造方法
を、各項目の限定理由も含めて工程に沿って詳細に述べ
る。
を、各項目の限定理由も含めて工程に沿って詳細に述べ
る。
【0052】1)急冷合金粉末製造工程 まず所定の合金組成となるように原料を秤量し、以下に
示すいずれかの方法で急冷合金粉末を作製する。本発明
における前記急冷合金粉末は、その構成組織が10nm
オーダーの平均結晶粒径からなっているか、あるいはそ
のような結晶組織とアモルファス組織の複合組織となっ
ていることが望ましい。このような急冷合金粉末を作製
するためには以下のような製造方法が挙げられる。
示すいずれかの方法で急冷合金粉末を作製する。本発明
における前記急冷合金粉末は、その構成組織が10nm
オーダーの平均結晶粒径からなっているか、あるいはそ
のような結晶組織とアモルファス組織の複合組織となっ
ていることが望ましい。このような急冷合金粉末を作製
するためには以下のような製造方法が挙げられる。
【0053】a)不活性雰囲気中にて高周波加熱などで
溶融した合金溶湯を単ロールまたは双ロールを有する急
冷薄帯製造装置で前記ロールの上に溶湯を噴射すること
による、いわゆる液体急冷法で急冷薄帯を製造する。
溶融した合金溶湯を単ロールまたは双ロールを有する急
冷薄帯製造装置で前記ロールの上に溶湯を噴射すること
による、いわゆる液体急冷法で急冷薄帯を製造する。
【0054】b)不活性雰囲気中にて高周波加熱などで
溶融した合金溶湯を不活性ガスを噴射させて凝固させ
る、いわゆるガスアトマイズ法により急冷凝固させて合
金粉末を作製する。
溶融した合金溶湯を不活性ガスを噴射させて凝固させ
る、いわゆるガスアトマイズ法により急冷凝固させて合
金粉末を作製する。
【0055】c)不活性雰囲気中にて高周波加熱などで
溶融した合金溶湯を回転するディスク上に噴射させて急
冷凝固させた粉末を得る。
溶融した合金溶湯を回転するディスク上に噴射させて急
冷凝固させた粉末を得る。
【0056】特にa)の液体急冷法によれば、非常に大
きな冷却速度を簡単に実現できるため、上述した10n
mオーダーの結晶組織や、そのような結晶組織とアモル
ファス組織との複合組織を有する急冷薄帯を生産性良く
製造することができ、本発明に最も適した製法であると
いえる。具体的には、単ロール法により急冷薄帯を製造
した場合、ロールスピードを10〜60m/sの回転ス
ピードとすればこのような組織が得られる。10m/s
未満の回転スピードでは100nmオーダーの粗大な結
晶粒の存在が顕著となり、最終的な磁石特性を低下させ
る。また60m/sを越える回転スピードでは、溶湯の
飛散が激しくなり、歩留まりを著しく低下させるため好
ましくない。ここで結晶粒径は上述のように10nmオー
ダーとすることが好ましい。
きな冷却速度を簡単に実現できるため、上述した10n
mオーダーの結晶組織や、そのような結晶組織とアモル
ファス組織との複合組織を有する急冷薄帯を生産性良く
製造することができ、本発明に最も適した製法であると
いえる。具体的には、単ロール法により急冷薄帯を製造
した場合、ロールスピードを10〜60m/sの回転ス
ピードとすればこのような組織が得られる。10m/s
未満の回転スピードでは100nmオーダーの粗大な結
晶粒の存在が顕著となり、最終的な磁石特性を低下させ
る。また60m/sを越える回転スピードでは、溶湯の
飛散が激しくなり、歩留まりを著しく低下させるため好
ましくない。ここで結晶粒径は上述のように10nmオー
ダーとすることが好ましい。
【0057】急冷合金粉末は上述したような方法で作製
するが、場合によっては得られた粉末に対して熱処理を
行うことが効果的である。特に構成組織を完全なアモル
ファス組織としてから、熱処理によって結晶化を起こさ
せることにより、均一な10nmオーダーの結晶粒径から
なる結晶組織が得られるという効果を有する。この場合
の熱処理温度としては400〜700℃が望ましい。こ
れは400℃未満では上述した結晶化の効果が十分に得
られず、得られたとしても非常に長時間の熱処理が必要
となり、量産性が欠如するためである。また700℃を
越える温度で熱処理した場合には、熱間加工後の結晶粒
粗大化が顕著となり最終的な磁石特性を劣化させる。
するが、場合によっては得られた粉末に対して熱処理を
行うことが効果的である。特に構成組織を完全なアモル
ファス組織としてから、熱処理によって結晶化を起こさ
せることにより、均一な10nmオーダーの結晶粒径から
なる結晶組織が得られるという効果を有する。この場合
の熱処理温度としては400〜700℃が望ましい。こ
れは400℃未満では上述した結晶化の効果が十分に得
られず、得られたとしても非常に長時間の熱処理が必要
となり、量産性が欠如するためである。また700℃を
越える温度で熱処理した場合には、熱間加工後の結晶粒
粗大化が顕著となり最終的な磁石特性を劣化させる。
【0058】2)熱間加工工程 上述したような工程で作製した急冷合金粉末を、まず金
属製のカプセルに封入する。合金粉末を金属カプセル中
に一旦封入して熱間加工を施すことは以下のような効果
を有する。
属製のカプセルに封入する。合金粉末を金属カプセル中
に一旦封入して熱間加工を施すことは以下のような効果
を有する。
【0059】a)通常の大気中で加工しても合金粉末が
酸化することなく加工できる。
酸化することなく加工できる。
【0060】b)雰囲気制御が不要なため、比較的大量
の材料を一度で加工することができ、量産性に優れる。
の材料を一度で加工することができ、量産性に優れる。
【0061】c)圧延、鍛造などの高歪み速度加工を行
うことができる。
うことができる。
【0062】一方、従来の技術として、本発明のような
合金組成を有する磁石材料の加工の記述については、特
開平6−172936号公報第4頁5欄第21行〜29
行に記述がある。しかし、そこに記述してある製法は、
まず合金粉末をホットプレスまたはHIPにより圧縮成
形したバルク状の成形体を作製し、その後さらに熱間で
塑性変形させるという複雑な工程を経て作製されるもの
である。しかしこの方法は次のような課題を有してい
る。まず一旦高密度の圧粉体を作ってから、さらに塑性
変形させるという煩雑な工程を経なければならないとい
うことである。また高密度の圧粉体を作製するために
は、割れやクラックを生じてはいけないため、歪み速度
の小さいホットプレスやHIPを適用しなくてはなら
ず、結果として大幅なサイクルタイムの長時間化を招
き、量産性はほとんど望めない。さらに前記ホットプレ
スやHIPを行う場合には雰囲気制御が必要となり、こ
れも量産性を大きく低下させる。
合金組成を有する磁石材料の加工の記述については、特
開平6−172936号公報第4頁5欄第21行〜29
行に記述がある。しかし、そこに記述してある製法は、
まず合金粉末をホットプレスまたはHIPにより圧縮成
形したバルク状の成形体を作製し、その後さらに熱間で
塑性変形させるという複雑な工程を経て作製されるもの
である。しかしこの方法は次のような課題を有してい
る。まず一旦高密度の圧粉体を作ってから、さらに塑性
変形させるという煩雑な工程を経なければならないとい
うことである。また高密度の圧粉体を作製するために
は、割れやクラックを生じてはいけないため、歪み速度
の小さいホットプレスやHIPを適用しなくてはなら
ず、結果として大幅なサイクルタイムの長時間化を招
き、量産性はほとんど望めない。さらに前記ホットプレ
スやHIPを行う場合には雰囲気制御が必要となり、こ
れも量産性を大きく低下させる。
【0063】これに対して本発明の製造方法における熱
間加工工程では、従来技術に見られるような圧粉体を形
成する工程は無く、急冷合金粉末をそのまま熱間で加工
するものである。また最終的には粉末とするため、加工
中にはむしろ積極的に割れやクラックを生じさせる方が
好ましく、このため上述した効果b)、c)に見られる
ように、圧延などの歪み速度が早く、かつ量産性に優れ
る方法を採ることができる。加工時の歪み速度として表
した場合には、熱間加工中の歪み速度は0.1〜10s
-1とすることが望ましい。ここで歪み速度とは、加工前
の厚みT1と最終厚みT2とし、加工に要した時間をt
(s)とすると(1−T2/T1)/tで表すことがで
きる。歪み速度が0.1s-1未満の場合、加工に要する
時間が長くなりすぎて量産性に劣るだけでなく、金属カ
プセルと内部の急冷合金粉末との界面で拡散による固相
反応が起こって磁気特性を劣化させるという問題点を有
する。さらに磁石材料に割れ・クラックが入りづらく、
バルク状となり、後工程で粉末とするための粉砕工程へ
移る前に、バルク状の材料の切断・破砕などの工程を余
分に経なくてはならず、工程コストのアップを招く。こ
れに対し、0.1〜10s-1の歪み速度であれば熱間加
工も短時間で済み、カプセル界面との反応も起こらな
い。また割れ・クラックが入りやすくなり、熱間加工後
には適度な大きさの塊状、あるいは粉末状の材料が得ら
れ、その後の工程で粉砕粉を製造しやすく、また場合に
よってはそのままボンド磁石用の粉末として適用するこ
とができる。しかし10s-1を越える歪み速度の場合
は、加工機の大型化が必要となって大幅な工程コストの
アップを招く。
間加工工程では、従来技術に見られるような圧粉体を形
成する工程は無く、急冷合金粉末をそのまま熱間で加工
するものである。また最終的には粉末とするため、加工
中にはむしろ積極的に割れやクラックを生じさせる方が
好ましく、このため上述した効果b)、c)に見られる
ように、圧延などの歪み速度が早く、かつ量産性に優れ
る方法を採ることができる。加工時の歪み速度として表
した場合には、熱間加工中の歪み速度は0.1〜10s
-1とすることが望ましい。ここで歪み速度とは、加工前
の厚みT1と最終厚みT2とし、加工に要した時間をt
(s)とすると(1−T2/T1)/tで表すことがで
きる。歪み速度が0.1s-1未満の場合、加工に要する
時間が長くなりすぎて量産性に劣るだけでなく、金属カ
プセルと内部の急冷合金粉末との界面で拡散による固相
反応が起こって磁気特性を劣化させるという問題点を有
する。さらに磁石材料に割れ・クラックが入りづらく、
バルク状となり、後工程で粉末とするための粉砕工程へ
移る前に、バルク状の材料の切断・破砕などの工程を余
分に経なくてはならず、工程コストのアップを招く。こ
れに対し、0.1〜10s-1の歪み速度であれば熱間加
工も短時間で済み、カプセル界面との反応も起こらな
い。また割れ・クラックが入りやすくなり、熱間加工後
には適度な大きさの塊状、あるいは粉末状の材料が得ら
れ、その後の工程で粉砕粉を製造しやすく、また場合に
よってはそのままボンド磁石用の粉末として適用するこ
とができる。しかし10s-1を越える歪み速度の場合
は、加工機の大型化が必要となって大幅な工程コストの
アップを招く。
【0064】本発明で使用される金属製カプセル材質と
しては融点が900℃以上の材質が望ましい。特に好ま
しくは、廉価なSS材(JIS規格)などの汎用の低炭
素鋼やステンレス鋼などの鉄系の材質が望ましい。金属
製カプセルへの充填方法としては、たとえば所定の寸法
の板材を溶接して一面を解放した箱状の金属カプセルを
作製してその中に急冷合金粉末を充填する。急冷合金粉
末を充填する際には粉末をそのまま充填しても良いし、
比較的長い薄帯状となっている場合には充填率を上げる
目的で必要に応じて若干粉砕してから充填しても良い。
こうして箱状のカプセルに急冷合金粉末を充填してか
ら、解放された一面を板材にて周囲を溶接して密封す
る。この時カプセル中に残存する酸素によって熱間加工
中に内部の合金粉末の酸化が若干起こる。そのため、金
属カプセルの一部に真空引きできるような脱気口を設け
ておき、カプセル中に合金粉末を充填後カプセル内を前
記脱気口より真空脱気してから脱気口を封じて密封する
ことがより好ましい。
しては融点が900℃以上の材質が望ましい。特に好ま
しくは、廉価なSS材(JIS規格)などの汎用の低炭
素鋼やステンレス鋼などの鉄系の材質が望ましい。金属
製カプセルへの充填方法としては、たとえば所定の寸法
の板材を溶接して一面を解放した箱状の金属カプセルを
作製してその中に急冷合金粉末を充填する。急冷合金粉
末を充填する際には粉末をそのまま充填しても良いし、
比較的長い薄帯状となっている場合には充填率を上げる
目的で必要に応じて若干粉砕してから充填しても良い。
こうして箱状のカプセルに急冷合金粉末を充填してか
ら、解放された一面を板材にて周囲を溶接して密封す
る。この時カプセル中に残存する酸素によって熱間加工
中に内部の合金粉末の酸化が若干起こる。そのため、金
属カプセルの一部に真空引きできるような脱気口を設け
ておき、カプセル中に合金粉末を充填後カプセル内を前
記脱気口より真空脱気してから脱気口を封じて密封する
ことがより好ましい。
【0065】熱間加工時の加工温度は、400〜800
℃とすることが望ましい。このような温度域で加工した
場合、カプセル中に封入した合金粉末中の構成組織であ
るTbCu7型構造の主相結晶粒の磁化容易軸方向であ
るc軸方向が最大圧縮応力方向に揃うように優先的に結
晶成長し、結晶粒径が数十〜300nm程度の結晶粒と
なる。400℃未満で熱間加工を行った場合は上記のよ
うな結晶成長が十分起こらず、また800℃よりも高い
温度では結晶粒径の粗大化が起こり、磁気特性を劣化さ
せる。
℃とすることが望ましい。このような温度域で加工した
場合、カプセル中に封入した合金粉末中の構成組織であ
るTbCu7型構造の主相結晶粒の磁化容易軸方向であ
るc軸方向が最大圧縮応力方向に揃うように優先的に結
晶成長し、結晶粒径が数十〜300nm程度の結晶粒と
なる。400℃未満で熱間加工を行った場合は上記のよ
うな結晶成長が十分起こらず、また800℃よりも高い
温度では結晶粒径の粗大化が起こり、磁気特性を劣化さ
せる。
【0066】3)熱処理工程 熱間加工を施した後、金属カプセル中より内部の加工物
を取り出す。この加工物とは急冷合金粉末が加工された
ものである。熱間加工後この加工物を直接粉砕して磁石
粉末を得ることができる。しかし、さらにこの加工物に
対して熱処理を行うことがより好ましい。熱処理は酸化
を防ぐためArガスなどの不活性ガス雰囲気中で行うこ
とが望ましい。最適な熱処理温度範囲は400〜800
℃とする。これは400℃未満であると熱処理の効果が
無く、逆に800℃を越える温度で熱処理した場合に
は、結晶粒径の粗大化を招き、磁気特性が劣化するため
である。このような熱処理により、主相結晶粒の優先成
長による異方性化が促進されると共に、残留歪みの除去
効果もあり、これによって磁気特性、とくに角形性が向
上する。
を取り出す。この加工物とは急冷合金粉末が加工された
ものである。熱間加工後この加工物を直接粉砕して磁石
粉末を得ることができる。しかし、さらにこの加工物に
対して熱処理を行うことがより好ましい。熱処理は酸化
を防ぐためArガスなどの不活性ガス雰囲気中で行うこ
とが望ましい。最適な熱処理温度範囲は400〜800
℃とする。これは400℃未満であると熱処理の効果が
無く、逆に800℃を越える温度で熱処理した場合に
は、結晶粒径の粗大化を招き、磁気特性が劣化するため
である。このような熱処理により、主相結晶粒の優先成
長による異方性化が促進されると共に、残留歪みの除去
効果もあり、これによって磁気特性、とくに角形性が向
上する。
【0067】4)窒化処理 窒化は、窒素ガスあるいはアンモニアガスまたはそれら
の混合雰囲気中にて熱処理することにより行われる。熱
処理温度は300〜700℃の温度域で行うことが望ま
しい。これは300℃以下では窒化が進まず、また70
0℃を超える温度では相分解が起こって主相の結晶構造
が維持できず、磁石特性が得られないためである。
の混合雰囲気中にて熱処理することにより行われる。熱
処理温度は300〜700℃の温度域で行うことが望ま
しい。これは300℃以下では窒化が進まず、また70
0℃を超える温度では相分解が起こって主相の結晶構造
が維持できず、磁石特性が得られないためである。
【0068】5)粉砕工程 熱間加工工程の後、または上述のような熱処理あるいは
窒化処理を行った後に、粉砕工程を経て所望の粒度の磁
石粉末を得る。上述の従来例である特開平8−1910
06号公報に記載された実施例1では、保磁力を得るた
めに粉末粒度を3μm程度の微粉末とする必要があった
が、本発明では基本的に粉末粒度に関する制限は無く、
ボンド磁石としての成形性を考えれば平均粒度を100
μm以下とすればよい。
窒化処理を行った後に、粉砕工程を経て所望の粒度の磁
石粉末を得る。上述の従来例である特開平8−1910
06号公報に記載された実施例1では、保磁力を得るた
めに粉末粒度を3μm程度の微粉末とする必要があった
が、本発明では基本的に粉末粒度に関する制限は無く、
ボンド磁石としての成形性を考えれば平均粒度を100
μm以下とすればよい。
【0069】次に本発明の異方性ボンド磁石について述
べる。
べる。
【0070】上述のような製造方法により得られた異方
性磁石粉末をエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、または
ナイロン樹脂などの熱可塑性樹脂のいずれかと混合し、
磁場配向させてから結合してボンド磁石を得る。エポキ
シ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いる場合は、樹脂と混合
して混練後、磁場配向させながら成形し、その後キュア
処理を施して異方性ボンド磁石とする。ナイロン樹脂な
どの熱可塑性樹脂を用いる場合には、樹脂と混合・混練
後、加熱し、樹脂がほぼ溶融している状態で磁場配向さ
せながら成形し、その後冷却して異方性ボンド磁石とす
る。
性磁石粉末をエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、または
ナイロン樹脂などの熱可塑性樹脂のいずれかと混合し、
磁場配向させてから結合してボンド磁石を得る。エポキ
シ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いる場合は、樹脂と混合
して混練後、磁場配向させながら成形し、その後キュア
処理を施して異方性ボンド磁石とする。ナイロン樹脂な
どの熱可塑性樹脂を用いる場合には、樹脂と混合・混練
後、加熱し、樹脂がほぼ溶融している状態で磁場配向さ
せながら成形し、その後冷却して異方性ボンド磁石とす
る。
【0071】以上のように作製された異方性ボンド磁石
は、上述した従来技術に比べて以下のような特徴を有し
ている。
は、上述した従来技術に比べて以下のような特徴を有し
ている。
【0072】1)HDDR法によるNd−Fe−B系粉
末、あるいはSm−Fe−N系粉末を使用した異方性ボ
ンド磁石よりも高い磁気特性、具体的には最大エネルギ
ー積で18MGOe以上の磁気特性を量産性良く得るこ
とができる。
末、あるいはSm−Fe−N系粉末を使用した異方性ボ
ンド磁石よりも高い磁気特性、具体的には最大エネルギ
ー積で18MGOe以上の磁気特性を量産性良く得るこ
とができる。
【0073】2)粉末を数μm程度の微粉末とすること
が不要なため、Sm−Fe−N系、あるいは特開平8−
191006号公報に記載された実施例1中にはSm−
Zr−Fe−N系の粉末を使用した異方性ボンド磁石よ
りも磁粉体積率の増大による高密度化が可能で高い磁気
特性を得ることができる。さらに粉末の(表面積/体
積)比が小さくなるため、酸化の影響を受けにくく、工
程中のハンドリングが容易になると共に、高い熱安定性
を確保できる。
が不要なため、Sm−Fe−N系、あるいは特開平8−
191006号公報に記載された実施例1中にはSm−
Zr−Fe−N系の粉末を使用した異方性ボンド磁石よ
りも磁粉体積率の増大による高密度化が可能で高い磁気
特性を得ることができる。さらに粉末の(表面積/体
積)比が小さくなるため、酸化の影響を受けにくく、工
程中のハンドリングが容易になると共に、高い熱安定性
を確保できる。
【0074】3)Smを主な希土類元素として使用する
ため、Ndが主元素のNd−Fe−B系に比べて耐食
性、熱安定性に優れる。
ため、Ndが主元素のNd−Fe−B系に比べて耐食
性、熱安定性に優れる。
【0075】2)窒化を行うことによりSm2Co17系
ボンド磁石と同等以上の20MGOe以上の磁気特性を
量産性良く得ることができる。またSm2Co17系に比
べて高価なCoの含有量が低いため、低コスト化の効果
も有する。
ボンド磁石と同等以上の20MGOe以上の磁気特性を
量産性良く得ることができる。またSm2Co17系に比
べて高価なCoの含有量が低いため、低コスト化の効果
も有する。
【0076】以下実施例に基づいて、本発明をさらに具
体的に述べる。
体的に述べる。
【0077】(実施例1)純度が99.9%のSm,Z
r,Fe,Coの原料メタルをSm9Zr3Fe81Co7
で表される組成となるように秤量し、これをArガス雰
囲気中で高周波誘導炉にて溶解し、銅製金型中に鋳造し
て重量約1kgの合金インゴットを作製した。該インゴ
ットからサンプル片を切り出し、これを底部に0.6mm
φのオリフィスを設けた透明石英管に入れ、次いでこの
石英管を直径300mmの銅製の単ロールを有する急冷
薄帯製造装置に装着した。その後Ar雰囲気中で、高周
波加熱にて該サンプル片を石英管内で溶解し、回転中の
該銅製ロール上に合金溶湯を噴射して、リボン状の急冷
薄帯を得た。このときのロール回転スピードは40m/
sとした。さらに同様の方法で、全部で約250gの同
組成の急冷薄帯を得た。これを後述するカプセル中に充
填しやすいようにフレーク状に粉砕して合金粉末を得
た。
r,Fe,Coの原料メタルをSm9Zr3Fe81Co7
で表される組成となるように秤量し、これをArガス雰
囲気中で高周波誘導炉にて溶解し、銅製金型中に鋳造し
て重量約1kgの合金インゴットを作製した。該インゴ
ットからサンプル片を切り出し、これを底部に0.6mm
φのオリフィスを設けた透明石英管に入れ、次いでこの
石英管を直径300mmの銅製の単ロールを有する急冷
薄帯製造装置に装着した。その後Ar雰囲気中で、高周
波加熱にて該サンプル片を石英管内で溶解し、回転中の
該銅製ロール上に合金溶湯を噴射して、リボン状の急冷
薄帯を得た。このときのロール回転スピードは40m/
sとした。さらに同様の方法で、全部で約250gの同
組成の急冷薄帯を得た。これを後述するカプセル中に充
填しやすいようにフレーク状に粉砕して合金粉末を得
た。
【0078】このようにして作製した急冷合金粉末をS
S41(JIS規格)製の箱状のカプセル中に充填し、
脱気口を設けたSS41の蓋材を外周溶接する。図1に
そのカプセルの断面概略図を示す。その後このSS41
製カプセルを電子ビーム溶接チャンバー内に置きチャン
バー内を真空吸引した。チャンバー内の真空度が10-2
torr以下となるまで真空引きし、その後脱気口を電
子ビーム溶接により封止した。
S41(JIS規格)製の箱状のカプセル中に充填し、
脱気口を設けたSS41の蓋材を外周溶接する。図1に
そのカプセルの断面概略図を示す。その後このSS41
製カプセルを電子ビーム溶接チャンバー内に置きチャン
バー内を真空吸引した。チャンバー内の真空度が10-2
torr以下となるまで真空引きし、その後脱気口を電
子ビーム溶接により封止した。
【0079】このようにして合金粉末を封入したSS4
1製カプセルを大気炉中にて750℃に加熱した後、炉
から取り出し、ただちに圧延機にて総加工度75%とな
るように圧延を行った。圧延終了後、圧延材の外部を水
冷して冷却を行い、十分冷却した後SS41製カプセル
内から内部の加工物を取り出した。取り出した加工物は
一体のバルクとはなっておらず、粉末状や塊状となって
いた。この加工物を直接ライカイ機にて粉砕し平均粒度
が約50μmの粉末を得た。得られた粉末にエポキシ樹
脂を1.6wt%添加し、混合した後、15kOeの磁場中に
て配向させながら7ton/cm2の成形圧で圧縮成形し、そ
の後窒素ガス雰囲気中で1.5時間のキュア処理を行い、
異方性ボンド磁石を作製した。得られた異方性ボンド磁
石について直流自記磁束計により、最大印加磁場25kO
eで磁気特性を測定した。得られた磁気特性はBr=9.
1kG、iHc=10.2kOe、(BH)max=18.6MGOeと、
高い磁気特性が得られた。またボンド磁石化を行う前の
磁石粉末についてX線回折を行った。X線はCu−Kα
を用い、回折角2θが20°〜60°の範囲で測定を行
った。その結果、主相であるTbCu7型構造の六方晶
相のピークが観測され、それらのピークのうち、主相の
(002)の回折ピークと思われるピークの反射強度は
主相の他のピークに比べて非常に強くなっており、異方
化が達成されていることが確認された。またTEM観察
を行った結果、主相結晶粒径は20〜100nmであっ
た。
1製カプセルを大気炉中にて750℃に加熱した後、炉
から取り出し、ただちに圧延機にて総加工度75%とな
るように圧延を行った。圧延終了後、圧延材の外部を水
冷して冷却を行い、十分冷却した後SS41製カプセル
内から内部の加工物を取り出した。取り出した加工物は
一体のバルクとはなっておらず、粉末状や塊状となって
いた。この加工物を直接ライカイ機にて粉砕し平均粒度
が約50μmの粉末を得た。得られた粉末にエポキシ樹
脂を1.6wt%添加し、混合した後、15kOeの磁場中に
て配向させながら7ton/cm2の成形圧で圧縮成形し、そ
の後窒素ガス雰囲気中で1.5時間のキュア処理を行い、
異方性ボンド磁石を作製した。得られた異方性ボンド磁
石について直流自記磁束計により、最大印加磁場25kO
eで磁気特性を測定した。得られた磁気特性はBr=9.
1kG、iHc=10.2kOe、(BH)max=18.6MGOeと、
高い磁気特性が得られた。またボンド磁石化を行う前の
磁石粉末についてX線回折を行った。X線はCu−Kα
を用い、回折角2θが20°〜60°の範囲で測定を行
った。その結果、主相であるTbCu7型構造の六方晶
相のピークが観測され、それらのピークのうち、主相の
(002)の回折ピークと思われるピークの反射強度は
主相の他のピークに比べて非常に強くなっており、異方
化が達成されていることが確認された。またTEM観察
を行った結果、主相結晶粒径は20〜100nmであっ
た。
【0080】(実施例2)表1に示す各組成の合金につ
いて、実施例1と同様の条件でインゴットの作製から圧
延、粉砕までを行い、平均粒度が約50μmの粉末を得
た。得られた粉末にエポキシ樹脂を1.6wt%添加
し、混合した後、15kOeの磁場中にて配向させながら
7ton/cm2の成形圧で圧縮成形し、その後窒素ガス雰囲
気中で1.5時間のキュア処理を行い、異方性ボンド磁石
を作製した。得られた異方性ボンド磁石について直流自
記磁束計により、最大印加磁場25kOeで磁気特性を測定
した。測定結果を表1に併せて示す。
いて、実施例1と同様の条件でインゴットの作製から圧
延、粉砕までを行い、平均粒度が約50μmの粉末を得
た。得られた粉末にエポキシ樹脂を1.6wt%添加
し、混合した後、15kOeの磁場中にて配向させながら
7ton/cm2の成形圧で圧縮成形し、その後窒素ガス雰囲
気中で1.5時間のキュア処理を行い、異方性ボンド磁石
を作製した。得られた異方性ボンド磁石について直流自
記磁束計により、最大印加磁場25kOeで磁気特性を測定
した。測定結果を表1に併せて示す。
【0081】
【表1】
【0082】表1から明らかなように、本発明の組成域
にある粉末を使用した異方性ボンド磁石では高い磁気特
性が得られる一方、比較例では低い磁気特性しか得られ
ない。
にある粉末を使用した異方性ボンド磁石では高い磁気特
性が得られる一方、比較例では低い磁気特性しか得られ
ない。
【0083】(実施例3)純度が99.9%のSm,P
r,Zr,Fe,Co,Tiの原料メタルをSm7Pr4
Zr3Fe76Co8Ti2で表される組成となるように秤
量し、これをArガス雰囲気中で高周波誘導炉にて溶解
し、銅製金型中に鋳造して重量約1kgの合金インゴッ
トを作製した。次いで実施例1と同じ急冷薄帯製造装置
にてロール回転スピードを35m/sとしてリボン状の
急冷薄帯を製造した。次いでさらに実施例1と同様の条
件で熱間での圧延を行った。圧延後カプセル中より加工
物を取り出し、該加工物をAr雰囲気中にて300〜9
00℃の各温度で熱処理を行った。熱処理後、粉砕して
平均粒度が約50μmの粉末を得て、これを実施例1と
同様な方法で樹脂と結合して異方性ボンド磁石を得た。
表2に圧延後の熱処理温度と得られた磁気特性の測定結
果を示す。
r,Zr,Fe,Co,Tiの原料メタルをSm7Pr4
Zr3Fe76Co8Ti2で表される組成となるように秤
量し、これをArガス雰囲気中で高周波誘導炉にて溶解
し、銅製金型中に鋳造して重量約1kgの合金インゴッ
トを作製した。次いで実施例1と同じ急冷薄帯製造装置
にてロール回転スピードを35m/sとしてリボン状の
急冷薄帯を製造した。次いでさらに実施例1と同様の条
件で熱間での圧延を行った。圧延後カプセル中より加工
物を取り出し、該加工物をAr雰囲気中にて300〜9
00℃の各温度で熱処理を行った。熱処理後、粉砕して
平均粒度が約50μmの粉末を得て、これを実施例1と
同様な方法で樹脂と結合して異方性ボンド磁石を得た。
表2に圧延後の熱処理温度と得られた磁気特性の測定結
果を示す。
【0084】
【表2】
【0085】表から明らかなように、熱間加工後に40
0〜800℃の温度域で熱処理した場合に、より高い磁
気特性が得られる。
0〜800℃の温度域で熱処理した場合に、より高い磁
気特性が得られる。
【0086】(実施例4)純度が99.9%のSm,N
d,Zr,Fe,Coの原料メタルをSm5Nd3Zr4
Fe83Co5で表される組成となるように秤量し、これ
をArガス雰囲気中で高周波誘導炉にて溶解し、銅製金
型中に鋳造して重量約1kgの合金インゴットを作製し
た。次いで実施例1と同様の条件で急冷薄帯の製造から
熱間圧延までを行った。圧延後カプセル中より加工物を
取り出し、該加工物を1気圧の窒素雰囲気中において表
3に示す各温度で2時間の熱処理を行うことにより窒化
処理を施した。窒化後の粉末を上記実施例と同様にして
作製した異方性ボンド磁石の磁気特性を表3中に合わせ
て示す。
d,Zr,Fe,Coの原料メタルをSm5Nd3Zr4
Fe83Co5で表される組成となるように秤量し、これ
をArガス雰囲気中で高周波誘導炉にて溶解し、銅製金
型中に鋳造して重量約1kgの合金インゴットを作製し
た。次いで実施例1と同様の条件で急冷薄帯の製造から
熱間圧延までを行った。圧延後カプセル中より加工物を
取り出し、該加工物を1気圧の窒素雰囲気中において表
3に示す各温度で2時間の熱処理を行うことにより窒化
処理を施した。窒化後の粉末を上記実施例と同様にして
作製した異方性ボンド磁石の磁気特性を表3中に合わせ
て示す。
【0087】
【表3】
【0088】表から明らかなように、熱間加工後に窒化
処理を300〜700℃の温度域で行うことにより、高
い磁気特性、特に20MGOeを越える最大エネルギー
積を得ることができる。
処理を300〜700℃の温度域で行うことにより、高
い磁気特性、特に20MGOeを越える最大エネルギー
積を得ることができる。
【0089】(実施例5)原料メタルを秤量し、実施例
4と同様な製造方法で、表4に示す各組成の窒化された
磁石粉末を得た。ただし窒化処理の温度は500℃とし
た。これらの粉末から実施例1と同様な条件で異方性ボ
ンド磁石を作製し、その磁気特性を測定した。測定結果
を表4に併せて示す。
4と同様な製造方法で、表4に示す各組成の窒化された
磁石粉末を得た。ただし窒化処理の温度は500℃とし
た。これらの粉末から実施例1と同様な条件で異方性ボ
ンド磁石を作製し、その磁気特性を測定した。測定結果
を表4に併せて示す。
【0090】
【表4】
【0091】表から明らかなように本発明で規定される
組成域において高い磁気特性を得ることができる。
組成域において高い磁気特性を得ることができる。
【0092】(実施例6)純度が99.9%のSm,N
d,Zr,Fe,Coの原料メタルをSm6Pr2Zr2
Fe83Si2Co5で表される組成となるように秤量し、
これをArガス雰囲気中で高周波誘導炉にて溶解し、銅
製金型中に鋳造して重量約1kgの合金インゴットを作
製した。次いで急冷薄帯製造装置にてロール回転スピー
ドを55m/sとしてリボン状の急冷薄帯を製造した。
この時得られた急冷薄帯はTEM観察およびX線回折の
結果からほぼアモルファス相となっていることが確認さ
れた。これら急冷薄帯について300〜800℃の各温
度で20分の熱処理した後、実施例1と同様にカプセル
中に封入し、大気炉中にて700℃に加熱し、総加工度
75%となるように熱間圧延を行った。圧延終了後、圧
延材外部を水冷して冷却を行い、カプセル内より加工物
を取り出した。取り出した加工物を実施例1と同様にし
て平均粒度約50μmの粉末を得た。得られた粉末を用
いて実施例1と同様にしてボンド磁石を得て、磁気特性
を測定した。急冷薄帯に施した熱処理温度と最終的に得
られたボンド磁石の磁気特性を表5に示す。
d,Zr,Fe,Coの原料メタルをSm6Pr2Zr2
Fe83Si2Co5で表される組成となるように秤量し、
これをArガス雰囲気中で高周波誘導炉にて溶解し、銅
製金型中に鋳造して重量約1kgの合金インゴットを作
製した。次いで急冷薄帯製造装置にてロール回転スピー
ドを55m/sとしてリボン状の急冷薄帯を製造した。
この時得られた急冷薄帯はTEM観察およびX線回折の
結果からほぼアモルファス相となっていることが確認さ
れた。これら急冷薄帯について300〜800℃の各温
度で20分の熱処理した後、実施例1と同様にカプセル
中に封入し、大気炉中にて700℃に加熱し、総加工度
75%となるように熱間圧延を行った。圧延終了後、圧
延材外部を水冷して冷却を行い、カプセル内より加工物
を取り出した。取り出した加工物を実施例1と同様にし
て平均粒度約50μmの粉末を得た。得られた粉末を用
いて実施例1と同様にしてボンド磁石を得て、磁気特性
を測定した。急冷薄帯に施した熱処理温度と最終的に得
られたボンド磁石の磁気特性を表5に示す。
【0093】
【表5】
【0094】表から明らかなように、急冷薄帯に400
〜700℃の温度で熱処理を施してから熱間圧延を行っ
てボンド磁石としたものにおいて良好な磁気特性を得る
ことができる。
〜700℃の温度で熱処理を施してから熱間圧延を行っ
てボンド磁石としたものにおいて良好な磁気特性を得る
ことができる。
【0095】(実施例7)Sm,Nd,Zr,Fe,C
u,Coからなる合金インゴットから、実施例1と同様
の条件で急冷薄帯を作製し、得られた急冷薄帯を以下に
示すそれぞれの加工方法にて熱間加工した。
u,Coからなる合金インゴットから、実施例1と同様
の条件で急冷薄帯を作製し、得られた急冷薄帯を以下に
示すそれぞれの加工方法にて熱間加工した。
【0096】A)得られた急冷薄帯をアルゴン雰囲気中
でHIP装置にて、まず650℃で熱間静水圧成形して
高密度のバルクを得た。これを冷却後HIP装置より取
り出し、さらにアルゴン雰囲気としたホットプレス装置
にて総加工度75%、歪み速度0.03s-1のホットプ
レスを行った。
でHIP装置にて、まず650℃で熱間静水圧成形して
高密度のバルクを得た。これを冷却後HIP装置より取
り出し、さらにアルゴン雰囲気としたホットプレス装置
にて総加工度75%、歪み速度0.03s-1のホットプ
レスを行った。
【0097】B)得られた急冷薄帯をSS41製の円柱
状のカプセルに充填後、脱気・密封し、大気炉中にて5
00℃に加熱してから、直ちに鍛造機にて総加工度75
%、歪み速度0.1s-1の熱間鍛造を行った。
状のカプセルに充填後、脱気・密封し、大気炉中にて5
00℃に加熱してから、直ちに鍛造機にて総加工度75
%、歪み速度0.1s-1の熱間鍛造を行った。
【0098】C)得られた急冷薄帯をSUS304(J
IS規格)製の矩形状のカプセル内に充填後、脱気・密
封し、その後大気炉中にて600℃に加熱してから、直
ちに圧延機にて総加工度80%、歪み速度0.8s-1の
熱間圧延を行った。
IS規格)製の矩形状のカプセル内に充填後、脱気・密
封し、その後大気炉中にて600℃に加熱してから、直
ちに圧延機にて総加工度80%、歪み速度0.8s-1の
熱間圧延を行った。
【0099】D)得られた急冷薄帯をSS41製のカプ
セルに充填後、脱気・密封し、大気炉中700℃で加熱
してから、直ちに圧延機にて総加工度80%、歪み速度
3s-1の圧延を行った。
セルに充填後、脱気・密封し、大気炉中700℃で加熱
してから、直ちに圧延機にて総加工度80%、歪み速度
3s-1の圧延を行った。
【0100】E)得られた急冷薄帯をSS41製の矩形
状のカプセル内に封入し、その後大気炉中にて750℃
に加熱してから、直ちに圧延機にて総加工度80%、歪
み速度10s-1の熱間圧延を行った。
状のカプセル内に封入し、その後大気炉中にて750℃
に加熱してから、直ちに圧延機にて総加工度80%、歪
み速度10s-1の熱間圧延を行った。
【0101】F)得られた急冷薄帯をSS41製のカプ
セルに充填後、脱気・密封し、大気炉中780℃に加熱
してから、直ちに圧延機にて総加工度75%、歪み速度
15s-1の熱間圧延を行った。
セルに充填後、脱気・密封し、大気炉中780℃に加熱
してから、直ちに圧延機にて総加工度75%、歪み速度
15s-1の熱間圧延を行った。
【0102】以上のようなそれぞれの熱間加工を施した
後、加工物をカプセル中より取り出してから、1気圧の
窒素雰囲気中、450℃で2時間の熱処理を行った。そ
の後粉砕して平均粒度約50μmの粉末を得た。得られ
た粉末の組成はいずれも(Sm6.5Nd1.5Zr3Fe83
Cu2Co4)88N12であった。各粉末にエポキシ樹脂を
1.6wt%添加し、混合した後、15kOeの磁場中に
て配向させながら7ton/cm2の成形圧で圧縮成形し、そ
の後窒素ガス雰囲気中で1.5時間のキュア処理を行い、
異方性ボンド磁石を作製した。
後、加工物をカプセル中より取り出してから、1気圧の
窒素雰囲気中、450℃で2時間の熱処理を行った。そ
の後粉砕して平均粒度約50μmの粉末を得た。得られ
た粉末の組成はいずれも(Sm6.5Nd1.5Zr3Fe83
Cu2Co4)88N12であった。各粉末にエポキシ樹脂を
1.6wt%添加し、混合した後、15kOeの磁場中に
て配向させながら7ton/cm2の成形圧で圧縮成形し、そ
の後窒素ガス雰囲気中で1.5時間のキュア処理を行い、
異方性ボンド磁石を作製した。
【0103】表6に、上記A)〜F)の各熱間加工時の
歪み速度と、最終的に得られた異方性ボンド磁石の磁気
特性を併せて示す。
歪み速度と、最終的に得られた異方性ボンド磁石の磁気
特性を併せて示す。
【0104】
【表6】
【0105】表から明らかなように本発明の歪み速度で
加工した場合に高い磁気特性が得られる。
加工した場合に高い磁気特性が得られる。
【0106】(実施例8)純度が99.9%のSm,P
r,Zr,Fe,Ag,Coの原料メタルをSm4Pr5
Zr3Fe79Ag2Co7で表される組成となるように秤
量し、合金インゴットを実施例1と同様に作製した後、
急冷薄帯製造装置にてロールスピード35m/sで急冷
薄帯を作製した。得られた急冷薄帯を実施例1と同様な
方法で金属カプセル内に封入した後、表7に示す各温度
で熱間圧延を施した。圧延時の歪み速度は圧延温度によ
ってばらつくが0.5〜5s-1の範囲であった。このよ
うな圧延を行った後、内部から加工物を取り出し、1気
圧の窒素雰囲気中450℃で該加工物を2時間熱処理し
た。熱処理後加工物を粉砕して平均粒度が約40μmの
粉末を得て、実施例1と同様の条件で異方性ボンド磁石
を作製した。熱間圧延温度と最終的に得られた異方性ボ
ンド磁石の特性を表7に併せて示す。
r,Zr,Fe,Ag,Coの原料メタルをSm4Pr5
Zr3Fe79Ag2Co7で表される組成となるように秤
量し、合金インゴットを実施例1と同様に作製した後、
急冷薄帯製造装置にてロールスピード35m/sで急冷
薄帯を作製した。得られた急冷薄帯を実施例1と同様な
方法で金属カプセル内に封入した後、表7に示す各温度
で熱間圧延を施した。圧延時の歪み速度は圧延温度によ
ってばらつくが0.5〜5s-1の範囲であった。このよ
うな圧延を行った後、内部から加工物を取り出し、1気
圧の窒素雰囲気中450℃で該加工物を2時間熱処理し
た。熱処理後加工物を粉砕して平均粒度が約40μmの
粉末を得て、実施例1と同様の条件で異方性ボンド磁石
を作製した。熱間圧延温度と最終的に得られた異方性ボ
ンド磁石の特性を表7に併せて示す。
【0107】
【表7】
【0108】表から明らかなように400〜800℃の
温度で圧延を行うことによって高い磁気特性が得られる
ことがわかる。
温度で圧延を行うことによって高い磁気特性が得られる
ことがわかる。
【0109】(実施例9)純度が99.9%のSm,Z
r,Fe,Ni,Coの原料メタルをSm5Nd3Zr4
Fe83Co5で表される組成となるように秤量し、これ
をArガス雰囲気中で高周波誘導炉にて溶解し、銅製金
型中に鋳造して重量約1kgの合金インゴットを作製し
た。次いで実施例1と同様の条件で急冷薄帯の製造から
熱間圧延までを行った。圧延後カプセル中より加工物を
取り出し、該加工物を1気圧の窒素雰囲気中において表
3に示す各温度で2時間の熱処理を行うことにより窒化
処理を施し、その後粉砕して磁石粉末を得た。粉末の組
成は(Sm9Zr4Fe80Ni2Co5)0.88N0.12であっ
た。この粉末から実施例1と同様の方法で、異方性ボン
ド磁石を作製した。このサンプルについて高温測定用の
温度可変ユニットを時局部分に装着した直流自記磁束計
により、室温と100℃における減磁曲線を測定した。
その結果から、室温から100℃の範囲でのBrの温度
係数(α)とiHcの温度係数(β)を算出した結果、
(α、β)=(-0.04、-0.30)であった(但しα、βい
ずれも単位は%/℃)。
r,Fe,Ni,Coの原料メタルをSm5Nd3Zr4
Fe83Co5で表される組成となるように秤量し、これ
をArガス雰囲気中で高周波誘導炉にて溶解し、銅製金
型中に鋳造して重量約1kgの合金インゴットを作製し
た。次いで実施例1と同様の条件で急冷薄帯の製造から
熱間圧延までを行った。圧延後カプセル中より加工物を
取り出し、該加工物を1気圧の窒素雰囲気中において表
3に示す各温度で2時間の熱処理を行うことにより窒化
処理を施し、その後粉砕して磁石粉末を得た。粉末の組
成は(Sm9Zr4Fe80Ni2Co5)0.88N0.12であっ
た。この粉末から実施例1と同様の方法で、異方性ボン
ド磁石を作製した。このサンプルについて高温測定用の
温度可変ユニットを時局部分に装着した直流自記磁束計
により、室温と100℃における減磁曲線を測定した。
その結果から、室温から100℃の範囲でのBrの温度
係数(α)とiHcの温度係数(β)を算出した結果、
(α、β)=(-0.04、-0.30)であった(但しα、βい
ずれも単位は%/℃)。
【0110】またHDDR法で作製したNd12.6Fe8
1.3B6.0Ga0.1で表される組成の磁石粉末と、Sm−
Fe−N系のSm9.0Fe77.4N13.6で表される組成の
磁石粉末を使用したボンド磁石についても同様の測定を
行った。この結果、前者では(α、β)=(-0.10、-0.
53)、後者では(α、β)=(-0.06、-0.49)であっ
た。
1.3B6.0Ga0.1で表される組成の磁石粉末と、Sm−
Fe−N系のSm9.0Fe77.4N13.6で表される組成の
磁石粉末を使用したボンド磁石についても同様の測定を
行った。この結果、前者では(α、β)=(-0.10、-0.
53)、後者では(α、β)=(-0.06、-0.49)であっ
た。
【0111】このような結果から明らかなように、本発
明による異方性ボンド磁石では良好な熱安定性が得られ
る。
明による異方性ボンド磁石では良好な熱安定性が得られ
る。
【0112】
【発明の効果】本発明のうち請求項1記載の発明は、微
細な結晶粒径を有する主相である硬磁性相を熱間加工に
より配向させて磁気特性、および信頼性にすぐれた異方
性磁石粉末の得ることができる。
細な結晶粒径を有する主相である硬磁性相を熱間加工に
より配向させて磁気特性、および信頼性にすぐれた異方
性磁石粉末の得ることができる。
【0113】請求項6記載の発明は、熱間加工後に熱処
理を行うことによって、磁気特性をさらに改善し、また
特性ばらつきの少ない磁石粉末を得ることができる。
理を行うことによって、磁気特性をさらに改善し、また
特性ばらつきの少ない磁石粉末を得ることができる。
【0114】また請求項11記載の発明は窒化を行うこ
とにより、異方化した主相結晶中に窒素原子を侵入型で
固溶させて飽和磁化および異方性磁界を本質的に向上
し、さらに高特性な異方性磁石粉末を得ることができ
る。
とにより、異方化した主相結晶中に窒素原子を侵入型で
固溶させて飽和磁化および異方性磁界を本質的に向上
し、さらに高特性な異方性磁石粉末を得ることができ
る。
【0115】請求項2,3,7,8,12および13記
載の発明は、加工を行う前の合金粉末を液体急冷法で作
製した急冷薄帯を基本とするもので、微細均一な結晶粒
径からなる組織を有する高特性な異方性磁石粉末を生産
性良く得ることができる。
載の発明は、加工を行う前の合金粉末を液体急冷法で作
製した急冷薄帯を基本とするもので、微細均一な結晶粒
径からなる組織を有する高特性な異方性磁石粉末を生産
性良く得ることができる。
【0116】さらに請求項4,5,9,10,14およ
び15記載の発明は、熱間加工工程における加工条件を
規定することにより、高い配向度を有して磁気特性に優
れる異方性磁石粉末の製造方法を提供することができ
る。
び15記載の発明は、熱間加工工程における加工条件を
規定することにより、高い配向度を有して磁気特性に優
れる異方性磁石粉末の製造方法を提供することができ
る。
【0117】請求項16記載の発明では、磁石粉末中の
N量を規定することにより、主相結晶構造を安定化し、
高い磁気特性を安定して得ることのできる異方性磁石粉
末が得られる。
N量を規定することにより、主相結晶構造を安定化し、
高い磁気特性を安定して得ることのできる異方性磁石粉
末が得られる。
【0118】そして請求項17乃至20記載の発明は、
本発明の異方性磁石粉末を樹脂と結合して高い磁気特性
および信頼性を有する異方性ボンド磁石を得ることがで
きる。
本発明の異方性磁石粉末を樹脂と結合して高い磁気特性
および信頼性を有する異方性ボンド磁石を得ることがで
きる。
【図1】 内部に急冷合金粉末を充填した金属製カプセ
ルの断面概略図。
ルの断面概略図。
1・・・急冷合金粉末 2・・・SS41製箱状カプセル 3・・・SS41製蓋材 4・・・脱気口 5・・・溶接部
Claims (20)
- 【請求項1】 R1xR2y(Fe100-uMu)100-x-y-z
Cozなる組成式で表わされ(但し、R1はYを含む希
土類元素のうち1種またはそれ以上の元素、R2はZ
r,Hf,Scの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素、MはTi,Si,V,Cr,Mo,Mn,W,N
i,Ga,Cu,Al,Nb,Sn,Ag,Taの群か
ら選ばれる1種またはそれ以上の元素で、x、y、z、
uは原子%でそれぞれ2≦x、0.01≦y、4≦x+
y≦20、0≦z≦40、0≦u≦20)、さらに製造
上不可避な不純物を含む急冷合金粉末を金属製カプセル
中に充填した後、熱間加工を施すことにより構成組織中
のTbCu7型構造からなる主相結晶粒の磁化容易軸方
向を配向させて異方性を付与し、熱間加工後に前記金属
製カプセル中より内部の加工物を取り出し、該加工物を
粉砕することを特徴とする異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項2】 前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液
体急冷法で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷
薄帯を粉砕したものである事を特徴とする請求項1記載
の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項3】 前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液
体急冷法で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷
薄帯を粉砕したものを400〜700℃で熱処理したも
のであることを特徴とする請求項1記載の異方性磁石粉
末の製造方法。 - 【請求項4】 前記熱間加工工程における、加工時の歪
み速度が0.1〜10s-1であることを特徴とする請求
項1記載の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項5】 前記熱間加工工程における、加工時の温
度が400〜800℃であることを特徴とする請求項1
記載の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項6】 R1xR2y(Fe100-uMu)100-x-y-z
Cozなる組成式で表わされ(但し、R1はYを含む希
土類元素のうち1種またはそれ以上の元素、R2はZ
r,Hf,Scの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素、MはTi,Si,V,Cr,Mo,Mn,W,N
i,Ga,Cu,Al,Nb,Sn,Ag,Taの群か
ら選ばれる1種またはそれ以上の元素で、x、y、z、
uは原子%でそれぞれ2≦x、0.01≦y、4≦x+
y≦20、0≦z≦40、0≦u≦20)、さらに製造
上不可避な不純物を含む急冷合金粉末を金属製カプセル
中に充填した後、熱間加工を施すことにより構成組織中
のTbCu7型構造からなる主相結晶粒の磁化容易軸方
向を配向させて異方性を付与し、熱間加工後に前記金属
製カプセル中より内部の加工物を前記金属製カプセル中
より取り出した後、400〜800℃の温度範囲におい
て熱処理し、さらに熱処理後の該加工物を粉砕すること
を特徴とする異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項7】 前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液
体急冷法で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷
薄帯を粉砕したものである事を特徴とする請求項6記載
の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項8】 前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を液
体急冷法で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急冷
薄帯を粉砕したものを400〜700℃で熱処理したも
のであることを特徴とする請求項6記載の異方性磁石粉
末の製造方法。 - 【請求項9】 前記熱間加工工程における、加工時の歪
み速度が0.1〜10s-1であることを特徴とする請求
項6記載の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項10】 前記熱間加工工程における、加工時の
温度が400〜800℃であることを特徴とする請求項
6記載の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項11】 R1xR2y(Fe100-uMu)100-x-y-
zCozなる組成式で表わされ(但し、R1はYを含む希
土類元素のうち1種またはそれ以上の元素、R2はZ
r,Hf,Scの群から選ばれる1種またはそれ以上の
元素、MはTi,Si,V,Cr,Mo,Mn,W,N
i,Ga,Cu,Al,Nb,Sn,Ag,Taの群か
ら選ばれる1種またはそれ以上の元素で、x、y、z、
uは原子%でそれぞれ2≦x、0.01≦y、4≦x+
y≦20、0≦z≦40、0≦u≦20)、さらに製造
上不可避な不純物を含む急冷合金粉末を、金属製カプセ
ル中に充填した後、熱間加工することにより構成組織中
のTbCu7型構造を有する主相結晶粒の磁化容易軸方
向を配向させて異方性を付与し、熱間加工後に前記金属
製カプセル中より内部の加工物を取り出し、該加工物を
金属製カプセルから取り出して窒素ガスまたはアンモニ
アガスあるいはそれらの混合ガス雰囲気中で300〜7
00℃の温度範囲において熱処理し、その後粉砕するこ
とを特徴とする異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項12】 前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を
液体急冷法で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急
冷薄帯を粉砕したものである事を特徴とする請求項11
記載の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項13】 前記急冷合金粉末が、合金の溶融物を
液体急冷法で凝固させて得られた急冷薄帯またはその急
冷薄帯を粉砕したものを400〜700℃で熱処理した
ものであることを特徴とする請求項11記載の異方性磁
石粉末の製造方法。 - 【請求項14】 前記熱間加工工程における、加工時の
歪み速度が0.1〜10s-1であることを特徴とする請
求項11記載の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項15】 前記熱間加工工程における、加工時の
温度が400〜800℃であることを特徴とする請求項
11記載の異方性磁石粉末の製造方法。 - 【請求項16】 (R1xR2yFe100-x-y-zCoz)1-
vNvなる組成式で表され(但し、R1はYを含む希土
類元素のうち1種またはそれ以上の元素、R2はZr,
Hf,Scの群から選ばれる1種またはそれ以上の元
素、MはTi,Si,V,Cr,Mo,Mn,W,N
i,Ga,Cu,Al,Nb,Sn,Ag,Taの群か
ら選ばれる1種またはそれ以上の元素で、x、y、zは
原子%でそれぞれ2≦x、0.01≦y、4≦x+y≦
20、0≦z≦40、0≦z≦20、またvは原子比率
で0≦v≦0.2)、さらに製造上不可避な不純物を含
む急冷合金粉末からなり、構成組織中のTbCu7型構
造を有する主相結晶粒の磁化容易軸方向を配向させて異
方性を付与してなることを特徴とする異方性磁石粉末。 - 【請求項17】 請求項1に記載された製造方法により
製造された異方性磁石粉末が樹脂で結合されてなること
を特徴とする異方性ボンド磁石。 - 【請求項18】 請求項6に記載された製造方法により
製造された異方性磁石粉末が樹脂で結合されてなること
を特徴とする異方性ボンド磁石。 - 【請求項19】 請求項11に記載された製造方法によ
り製造された異方性磁石粉末が樹脂で結合されてなるこ
とを特徴とする異方性ボンド磁石。 - 【請求項20】 請求項16に記載された異方性磁石粉
末が樹脂で結合されてなることを特徴とする異方性ボン
ド磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8314595A JPH10154610A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 異方性磁石粉末の製造方法、異方性磁石粉末および異方性ボンド磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8314595A JPH10154610A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 異方性磁石粉末の製造方法、異方性磁石粉末および異方性ボンド磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154610A true JPH10154610A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18055196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8314595A Withdrawn JPH10154610A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 異方性磁石粉末の製造方法、異方性磁石粉末および異方性ボンド磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154610A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004074170A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2006-06-01 | 富士通株式会社 | 複合材、構造体およびその製造方法、多結晶構造膜並びに微小粒子の製造方法 |
| CN100449657C (zh) * | 2007-03-06 | 2009-01-07 | 俞葵 | 一种钕铁硼磁粉的制备方法 |
| JP2015156436A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 日立金属株式会社 | 強磁性合金およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP8314595A patent/JPH10154610A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004074170A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2006-06-01 | 富士通株式会社 | 複合材、構造体およびその製造方法、多結晶構造膜並びに微小粒子の製造方法 |
| CN100449657C (zh) * | 2007-03-06 | 2009-01-07 | 俞葵 | 一种钕铁硼磁粉的制备方法 |
| JP2015156436A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 日立金属株式会社 | 強磁性合金およびその製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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