JPH10154689A

JPH10154689A - 洗浄装置及び洗浄方法

Info

Publication number: JPH10154689A
Application number: JP25902697A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Nakajima; 敏中嶋; Yuji Kamikawa; 裕二上川; Kinya Ueno; 欽也上野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-09-27
Filing date: 1997-09-24
Publication date: 1998-06-09
Anticipated expiration: 2017-09-24
Also published as: JP3171822B2

Abstract

(57)【要約】【課題】乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受け
ることがなく、また乾燥室の肉厚を薄くすることがで
き、減圧するために使用する真空ポンプ等の低出力化を
図ることができる洗浄装置及び洗浄方法の提供。【解決手段】乾燥室４２と洗浄槽４１とをそれぞれ上
下に分離すると共に、乾燥室４２の空間と洗浄槽４１の
空間とを回転扉５９ａ及びスライド扉７２により遮蔽可
能とし、洗浄槽４１での洗浄処理を回転扉５９ａで遮蔽
して、乾燥室４２での乾燥処理をスライド扉７２で密閉
・遮蔽して行うように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を薬液や濯ぎ液
等に浸漬して乾燥する洗浄装置及び洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
工程における洗浄処理を例にとって説明すると、従来か
ら半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という。）表面のパ
ーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネー
ションを除去するためには洗浄装置が使用されており、
その中でとりわけウエット洗浄装置は、上記のコンタミ
ネーションを効果的に除去できしかもバッチ処理が可能
でスループットが良好なため、幅広く普及している。

【０００３】かかるウエット洗浄装置においては、被洗
浄処理体であるウエハに対してアンモニア処理、フッ酸
処理、硫酸処理等の薬液洗浄処理、純水等による水洗洗
浄処理、イソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」い
う。）等による乾燥処理が行われるように構成されてお
り、例えば処理順に配列された処理槽、乾燥室にそれぞ
れ薬液、純水、ＩＰＡを供給するように構成し、例えば
５０枚単位でウエハを処理槽に順次浸漬し、乾燥してい
くバッチ処理方式が広く採用されている。

【０００４】しかしながら、各処理毎に処理槽や乾燥室
を設けることは、装置の大型化を招き、しかもウエハを
搬送する機会、すなわち大気に晒される機会が多いため
パーティクルが付着する可能性も高い。

【０００５】そのため、特開昭６４−８１２３０号公報
や特開平６−３２６０７３号公報等においては、処理槽
と乾燥室とを一体化して薬液処理等と乾燥処理とを同一
チャンバー内で行う洗浄装置が提唱されている。これら
の洗浄装置は、要するに図３０に示すようにチャンバー
２００の下部２０１において薬液２０２等を貯留してウ
エハＷを浸漬し、その後ウエハＷを引上げ、チャンバー
２００の上部２０３においてＩＰＡ等を使った乾燥処理
が行われるように構成されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の洗浄装置においては、乾燥処理の際にチャンバーの
上部において薬液の雰囲気が残留し、ウエハＷに悪影響
を及ぼす恐れがあり、また液処理等と乾燥処理の要求仕
様を同時に満たす必要があるため、設計の自由度が制限
され、洗浄処理の高速化やチャンバーの小形化等を図る
ための様々な工夫を取り入れることが困難である、とい
う問題もある。さらに、上述したＩＰＡ等を使った乾燥
処理においては、通常真空ポンプ等を使った減圧が並行
して行われるが、上記構成の洗浄装置では、薬液処理等
と乾燥処理とを兼ねたチャンバー内をある程度大きな容
積とする必要があることから、チャンバーの肉厚を厚く
して耐圧性を高める必要があり、しかも大きなパワーの
真空ポンプが必要とされる、という問題がある。

【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受けること
がない洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とし
ている。本発明の目的は、設計の自由度が高く、洗浄
処理の高速化や装置のさらなる小形化等を図ることがで
きる洗浄装置及び洗浄方法を提供することにある。

【０００８】本発明のさらなる目的は、チャンバー等の
容積を小さくして、チャンバー等の薄肉化及び真空ポン
プ等の低出力化を図ることができる洗浄装置及び洗浄方
法を提供することにある。

【０００９】本発明のさらに別の目的は、乾燥処理をよ
り効率良く行うことができる洗浄装置及び洗浄方法を提
供することにある。

【００１０】本発明のまた別の目的は、被処理基板表面
が酸化されるのを防止することができる洗浄装置を提供
することにある。

【００１１】また、本発明の別の目的は、処理槽部と乾
燥室と分けることにより、処理液のミスト等が乾燥室に
入ることを防止し、安定的な乾燥性能が得られる洗浄装
置及び洗浄方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１によれば、処理液を貯留し、貯留した処理
液に被処理基板が浸漬される処理槽と、前記処理槽の上
方に配置され、処理槽との間で被処理基板を移送するた
めの開閉自在な開口部が設けられた乾燥室と、前記開口
部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で被処理基板
を移送する移送手段と、前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲
気にする手段とを具備することを特徴とする、洗浄装置
が提供される。

【００１３】この場合、請求項２の如く、前記開口部が
閉時には前記乾燥室を密閉する手段をさらに具備するも
のであってもよい。

【００１４】請求項３によれば、処理液を貯留し、貯留
した処理液に被処理基板が浸漬される処理槽と、前記処
理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基板を移
送するための開口部が設けられた乾燥室と、前記乾燥室
側より支持しつつ、前記被処理基板を保持する保持部材
と、前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間
で前記保持部材を移送する移送手段と、前記開口部を開
閉し、閉時に前記乾燥室を密閉する第１の開閉手段と、
前記開口部を開閉し、閉時に前記処理槽において前記乾
燥室側より前記保持部材を支持するための隙間を有する
ように前記開口部を閉じる第２の開閉手段と、前記乾燥
室内を有機溶剤の雰囲気にする手段とを具備することを
特徴とする、洗浄装置が提供される。

【００１５】請求項４によれば、処理液を貯留し、貯留
した処理液に被処理基板が浸漬される処理槽と、前記処
理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基板を移
送するための開口部が設けられた乾燥室と、前記乾燥室
側より支持しつつ、前記被処理基板を保持する保持部材
と、前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間
で前記保持部材を移送する移送手段と、前記開口部を開
閉し、閉時に前記乾燥室を密閉する第１のモードと、閉
時に前記処理槽において前記乾燥室側より前記保持部材
を支持するための隙間を有するように前記開口部を閉じ
る第２のモードとを有する開閉手段と、前記乾燥室内を
有機溶剤の雰囲気にする手段とを具備することを特徴と
する、洗浄装置が提供される。

【００１６】上記洗浄装置において、請求項５の如く前
記処理槽の処理液が脱気処理された濯ぎ液であってもよ
く、請求項６の如く前記処理槽と前記乾燥室との間に配
置され、処理槽から乾燥室へ移送される被処理基板に対
して不活性ガスを吹き付ける手段をさらに設けてもよ
い。この場合、請求項７の如く前記不活性ガスを冷却す
る冷却手段をさらに設けてもよい。

【００１７】上記洗浄装置において、請求項８の如く前
記乾燥室内を減圧する手段と、前記乾燥室内の被処理基
板に対して不活性ガスを吹き付ける手段とを設けてもよ
い。上記洗浄装置において、請求項９の如く前記乾燥室
内に配置された加熱手段をさらに設けてもよい。

【００１８】上記洗浄装置において、請求項１０の如く
前記処理槽に貯留される処理液が、冷却された濯ぎ液で
あってもよい。

【００１９】請求項１１によれば、（ａ）乾燥室側より
支持された保持部材により被処理基板を保持しつつ、乾
燥室の開口部を介してその下方に設けられた処理槽に移
送する工程と、（ｂ）前記開口部を閉じる工程と、
（ｃ）移送前又は移送後に前記処理槽に処理液を貯留
し、前記被処理基板を浸漬する工程と、（ｄ）前記開口
部を開け、前記被処理基板を前記処理槽から前記乾燥室
に移送する工程と、（ｅ）前記開口部を閉じる工程と、
（ｆ）前記被処理基板を有機溶剤の雰囲気により乾燥す
る工程とを具備することを特徴とする、洗浄方法が提供
される。

【００２０】上記洗浄方法において、請求項１２の如
く、工程（ｂ）の前に、不活性ガスを吹き付ける工程を
さらに具備するようにしてもよい。

【００２１】上記洗浄方法において、請求項１３の如く
前記工程（ａ）ないし工程（ｆ）において、前記処理槽
に不活性ガスを供給するようにしてもよい。

【００２２】上記洗浄方法において、請求項１４の如く
前記工程（ｄ）の前に、前記処理槽に有機溶剤を含む気
体を供給するようにしてもよい。

【００２３】上記洗浄方法において、請求項１５の如く
前記工程（ｄ）の間に、前記処理槽に有機溶剤を含む気
体を供給するようにしてもよい。

【００２４】上記洗浄方法において、請求項１６の如く
処理槽から乾燥室へ移送される被処理基板に対して不活
性ガスを吹き付ける工程を更に具備してもよい。

【００２５】上記洗浄方法において、請求項１７の如く
前記（ｆ）工程の後に、前記乾燥室内を減圧しながら、
前記乾燥室内の被処理基板に対して不活性ガスを吹き付
ける工程を更に具備してもよい。

【００２６】上記洗浄方法において、請求項１８の如く
前記（ｂ）工程と前記（ｄ）工程の間に、前記乾燥室を
予め有機溶剤の雰囲気にしておく工程を更に有していて
もよい。

【００２７】上記洗浄方法において、請求項１９の如く
前記処理槽に貯留される処理液が、冷却された濯ぎ液で
あってもよい。

【００２８】上記洗浄方法において、請求項２０の如
く、前記被処理基板を前記乾燥室から前記処理槽へ移送
後に前記開口部を閉じる工程は、前記乾燥室側より前記
保持部材を支持するための隙間を持たせつつ閉じる工程
であってもよい。

【００２９】上記洗浄方法において、請求項２１の如
く、前記被処理基板を前記処理槽から前記乾燥室へ移送
後に、前記開口部を閉じる工程は、前記開口部を密閉す
る工程であってもよい。

【００３０】請求項１によれば、乾燥室と処理槽とをそ
れぞれ上下に分離すると共に、乾燥室の空間と処理槽の
空間とを開閉自在な開口部により遮蔽可能としているの
で、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受けること
はない。また、乾燥室と処理槽とをそれぞれ別個の条件
下で設計することができるので、設計の自由度が高く、
洗浄処理の高速化や装置のさらなる小形化等を図ること
ができる。さらに、乾燥室内の容積を小さくすることが
できるので、乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする一方で
減圧するような場合には、乾燥室及び処理槽の肉厚を薄
くすることができ、また減圧するために使用される真空
ポンプ等の低出力化を図ることができる。

【００３１】請求項２〜４によれば、乾燥室内のさらな
る密閉化を図ることができるので、乾燥室の肉厚をさら
に薄くすることができ、また減圧するために使用される
真空ポンプ等のさらなる低出力化を図ることができる。

【００３２】請求項５によれば、処理槽の処理液が脱気
処理された濯ぎ液であるので、被処理基板の酸化膜がで
きるのを防止することができる。

【００３３】請求項６によれば、処理槽から乾燥室へ移
送される被処理基板に対して不活性ガスを吹き付ける手
段が補助的に被処理基板を乾燥させる役割を果たすの
で、より効率良く乾燥処理を行うことができる。さら
に、請求項７の如く不活性ガスを冷却するように構成す
れば、乾燥室内での有機溶剤による凝縮化を促進するこ
とができる。

【００３４】請求項８によれば、乾燥室内を減圧する一
方で乾燥室内の被処理基板に対して不活性ガスを吹き付
けているので、より効率良く乾燥処理を行うことができ
る。請求項９によれば、パネルヒータにより乾燥室内を
より高温にできるので、より効率良く乾燥処理を行うこ
とができる。

【００３５】請求項１０によれば、冷却した濯ぎ液を用
いているので、乾燥室内での有機溶剤による凝縮化を促
進することができる。

【００３６】請求項１１によれば、被処理基板を処理槽
から乾燥室に搬送して開口部を閉じて空間を遮蔽し、そ
の後乾燥処理を行っているので、乾燥処理の際に薬液処
理による悪影響を受けることはない。また、乾燥処理時
に次の処理槽での処理のための準備ができ、スループッ
トの向上を図ることができる。また、乾燥室と処理槽と
をそれぞれ別個の条件下で設計することができるので、
設計の自由度が高く、洗浄処理の高速化や装置のさらな
る小形化等を図ることができる。さらに、乾燥室内の容
積を小さくすることができるので、乾燥室内を有機溶剤
の雰囲気にする一方で減圧するような場合には、乾燥室
及び処理槽の肉厚を薄くすることができ、また減圧する
ために使用される真空ポンプ等の低出力化を図ることが
できる。

【００３７】請求項１２によれば、工程（ｂ）の前であ
って、前記被処理基板を洗浄装置外部から前記乾燥室内
へ移送後、前記乾燥室が不活性ガスで充填されているの
で、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受けること
がない。

【００３８】請求項１３によれば、前記工程（ａ）ない
し工程（ｆ）において、前記処理槽に不活性ガスを供給
するので、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受け
ることがない。

【００３９】請求項１４又は１５によれば、被処理基板
が乾燥室に移送される以前にすでに処理槽上部が有機溶
剤の雰囲気にされているので、パーティクルの付着が防
止される結果、乾燥処理をより効率良く行うことができ
る。

【００４０】請求項１６によれば、処理槽から乾燥室へ
移送される被処理基板に対して不活性ガスを吹き付ける
工程を更に具備しているので、乾燥処理をより効率良く
行うことができる。

【００４１】請求項１７によれば、前記（ｆ）工程の後
に、前記乾燥室内を減圧しながら、前記乾燥室内の被処
理基板に対して不活性ガスを吹き付ける工程を更に具備
しているので、乾燥処理をより効率良く行なうことがで
きる。

【００４２】請求項１８によれば、前記（ｂ）工程と前
記（ｄ）工程の間に、前記乾燥室を予め有機溶剤の雰囲
気にしておく工程を更に有しているので、パーティクル
の付着が防止される結果、乾燥処理をより効率良く行う
ことができる。

【００４３】請求項１９によれば、前記処理槽に貯留さ
れる処理液が、冷却された濯ぎ液であるので、乾燥室内
での有機溶剤による凝縮化を促進することができる。

【００４４】請求項２０によれば、前記被処理基板を前
記乾燥室から前記処理槽へ移送後に、前記開口部を閉じ
る工程は、前記乾燥室側より前記保持部材を支持するた
めの隙間を持たせつつ閉じる工程であるので、前記保持
部材を処理槽に入れたまま洗浄処理が行なえる結果、洗
浄処理の高速化が図られる。

【００４５】請求項２１によれば、前記被処理基板を前
記処理槽から前記乾燥室へ移送後に前記開口部を閉じる
工程は、前記開口部を密閉する工程であるので、処理槽
部と乾燥室とが分けられることにより、処理液のミスト
等が乾燥室に入ることが防止される結果、乾燥処理の際
に薬液処理による悪影響を受けることがない。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明すると、本実施形態は半導体ウエハ（以
下、「ウエハ」という。）の洗浄処理装置において適用
された例であり、まずその洗浄処理装置について説明す
ると、この洗浄処理装置１全体は、図１及び図２に示し
たように、洗浄処理前のウエハをキャリア単位で収容す
る搬入部２と、ウエハの洗浄処理が行われる洗浄処理部
３と、洗浄処理後のウエハをカセット単位で取り出すた
めの搬出部４の、３つのゾーンによって構成される。

【００４７】前記搬入部２には、洗浄処理前のウエハが
所定枚数、例えば２５枚収容されたキャリア５を待機さ
せる待機部６と、キャリア５からのウエハの取り出し、
オリフラ合わせ及び枚葉検出等を行うローダ部７が設け
られており、さらに外部から搬送ロボット等によって搬
入されるキャリア５の前記待機部６への搬送、及びこの
待機部６と前記ローダ部７との間で、キャリア５の搬送
を行うための搬送アーム８が設けられている。

【００４８】前記洗浄処理部３には、その前面側（図１
における手前側）に３つのウエハ搬送装置１１、１２、
１３が配置されており、またその背面側に隔壁を介して
薬液等の処理液を収容するタンクや各種の配管群等を収
容する配管領域１４が形成されている。

【００４９】一方、搬出部４には、洗浄処理部３で洗浄
処理されたウエハをキャリア５に収容するアンローダ部
１５と、洗浄処理後のウエハが収容されたキャリア５を
待機させる待機部１６と、アンローダ部１５と待機部１
６との間で、キャリア５の搬送を行うための搬送アーム
１７が設けられている。

【００５０】なお、洗浄処理装置１には、搬入部２で空
になったキャリア５を搬出部４に搬送するキャリア搬送
部１８が設けられている。キャリア搬送部１８は、洗浄
処理部３の上部に設けられたキャリアコンベア１９と、
搬入部２においてローダ部７から搬送アーム８によって
空のキャリア５を受け取りウエハの入ったキャリア及び
ウエハの入っていないキャリアをストックするキャリア
ストック部２０と、搬出部４においてキャリアコンベア
１９から搬送アーム１７によって空のキャリア５を受け
取りアンローダ部１５に受け渡すキャリア受け渡し部
（図示せず。）とを備える。

【００５１】洗浄処理部３には、ローダ部７側から順
に、ウエハ搬送装置１１のウエハチャック２１を洗浄、
乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽２２、ウエハ表面の
有機汚染物、金属不純物、パーティクル等の不純物を薬
液、例えばＮＨ₄ＯＨ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂Ｏ混合液によっ
て洗浄処理する薬液洗浄処理槽２３、薬液洗浄処理槽２
３で洗浄されたウエハを例えば純水によって洗浄する水
洗洗浄処理槽２４、ウエハ表面の金属汚染除去を薬液、
例えばＨＣｌ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂Ｏ混合液によって洗浄処
理する薬液洗浄処理槽２５、薬液洗浄処理槽２５で洗浄
されたウエハを例えば純水によって洗浄する水洗洗浄処
理槽２６、ウエハ表面の酸化膜除去を薬液、例えばＨＦ
／Ｈ₂Ｏ混合液によって洗浄処理すると共に、洗浄され
たウエハを濯ぎ液、例えば純水によって洗浄し、さらに
濯ぎ洗浄されたウエハの乾燥処理を行う本発明に係る洗
浄装置２７、ウエハ搬送装置１３のウエハチャック（図
示せず。）を洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽
２８がそれぞれ配置されている。なお、ローダ部７と
チャック洗浄・乾燥処理槽２２との間、水洗洗浄処理槽
２４と薬液洗浄処理槽２５との間、水洗洗浄処理槽２６
と洗浄装置２７との間、チャック洗浄・乾燥処理槽２８
とアンローダ部１５との間には、それぞれこれらの間を
仕切る仕切り板２９、３０、３１、３２が設けられてい
る。仕切る仕切り板２９、３０、３１、３２は、例えば
ウエハ受け渡しの際にそれぞれ図示を省略した駆動機構
によって上下に開閉するようになっている。これにより
隣接する空間への薬液の雰囲気の拡散を防止することが
できる。

【００５２】本発明に係る洗浄装置２７の構成を図３〜
図１３に基づいて説明すると、この洗浄装置２７は、処
理液、例えばＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液等の薬液や純水等の濯
ぎ液を貯留し、貯留した処理液に被処理基板としてのウ
エハＷが浸漬される処理槽としての洗浄槽４１と、前記
洗浄槽４１の上方に配置され、洗浄槽４１から移送され
たウエハＷの乾燥処理を行う円筒形状の乾燥室４２とを
備える。

【００５３】上記洗浄槽４１は、後述するウエハガイド
４３と共にウエハガイド４３に保持された例えば５０枚
のウエハＷを収容する。洗浄槽４１の底部の両側には、
収容した各ウエハＷに向けて処理液を噴射するノズル４
４、４５が設けられている。なお、ノズル４４、４５
は、それぞれウエハＷの配列方向に沿って例えば隣接す
るウエハＷ間の間隔と同一のピッチで設けられた噴出穴
を有するパイプにより構成することができる。ノズル４
４、４５には、切換弁４６の切換えにより図１及び図２
に示した配管領域１４よりＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液等の薬液
や純水（ＤＩＷ：deionized water ）等の濯ぎ液のうち
一方が供給されるようになっている。切換弁４６の切換
制御は、例えば図示を省略した制御部によって所定のタ
イミングで行われる。なお、濯ぎ液としては、ウエハＷ
の酸化防止のために、脱気したＤＩＷを用いた方がよ
い。

【００５４】また、上記洗浄槽４１の周囲には、洗浄槽
４１から溢れた処理液を回収するための回収槽４７が設
けられている。回収槽４７で回収された処理液は、切換
弁４８、ポンプ４９、フィルタ５０、切換弁５１を介し
てノズル４４、４５に循環されるようになっている。切
換弁４８は、回収槽４７で回収された処理液を上記の如
く循環させるか排出するかを切換える。切換弁５１は、
回収槽４７で回収された処理液を上記の如く循環させる
か冷却器５５で０℃〜常温、より好ましくは５℃程度の
温度に冷却されたＤＩＷをノズル４４、４５に供給する
かを切換える。なお、ポンプ４９とフィルタ５０との間
にはダンパー５２が設けられている。また洗浄槽４１の
最下部には、処理液を排出するための排出口５３が設け
られており、切換弁５４によって処理液を排出口５３よ
り排出するかどうかの切換が行われる。

【００５５】一方、乾燥室４２の上部及び下部には、そ
れぞれウエハＷの受け渡しを行うための例えば矩形の開
口部６１、６２が設けられており、上部の開口部６１に
は密閉型の蓋６３が配置され、下部の開口部６２には回
転扉機構６０及びスライド扉機構６４が設けられてい
る。

【００５６】蓋６３はＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）やＰＰ
（ポリプロピレン）等の樹脂からなり、図５に示すよう
に内外共に円筒を縦方向に切断した形状をなしている。
これにより、蓋６３により塞がれた乾燥室４２の内側を
円筒形状とし、後述するウエハＷに吹き付けられる窒素
ガス等の気流が乱流になることを防止し、各ウエハＷに
対して均一に窒素ガス等が吹き付けられるようにしてい
る。また、図６に示すように、開口部６１の周囲に沿っ
てＯリング６５が配置され、さらに開口部６１の両側に
は開口部６１を塞いだ蓋６３を固定して押しつける蓋固
定機構５９が設けられ、開口部６１を蓋６３で塞いだ際
の密閉性が高められている。回転可能に配置されたロッ
ド５６の２か所の位置に開口部６１を塞いだ蓋６３に接
合する接合板５７が設けられ、前記ロッド５６を回転駆
動部５８によって回転することで接合板５７を蓋６３に
接合させ、これにより蓋６３が押しつけられるようにな
っている。

【００５７】また、乾燥室４２の近傍には、蓋６３を開
閉駆動する蓋駆動部６６が設けられている。蓋駆動部６
６は、図７に示すように、蓋６３を先端に固定する回転
アーム６７を回転駆動するシリンダ６８と、これらの蓋
６３及びこれらの回転機構を上下動するシリンダ６９と
を備える。蓋駆動部６６は、開口部６１を塞ぐ蓋６３を
まず上方向に移動し（図７）、この後蓋６３を開口部
６１より外れた位置に回転移動し（図７）、その蓋６
３を下方向に移動する（図７）。開口部６１を蓋６３
で塞ぐときにはこの逆の動作を行う（図７→→
）。

【００５８】回転扉機構６０は、図８に示すように回転
可能に配置された一対の回転扉５９ａと各回転扉５９ａ
を回転駆動する回転駆動部５９ｂとから構成される。各
回転扉５９ａには、閉じた状態で洗浄槽４１においてウ
エハＷを保持したウエハガイド４３の支持部材７４（後
述する。）を通すための隙間ができるように、切り欠き
部５９ｃが設けられている。回転扉５９ａは、蓋６３と
同様にＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）やＰＰ（ポリプロピレ
ン）等の樹脂からなる。

【００５９】スライド扉機構６４は、図９に示すように
洗浄槽４１と乾燥室４２との間に配置された矩形のフラ
ンジ７０と、フランジ７０に設けられた開口部７１より
挿抜されてフランジ７０内を開閉するスライド扉７２
と、スライド扉７２を挿抜駆動するシリンダ７３とを備
える。スライド扉７２は、蓋６３と同様にＰＶＣ（ポリ
塩化ビニル）やＰＰ（ポリプロピレン）等の樹脂からな
り、開口部６２とほぼ同じ形状の矩形をなしている。ま
た、図１０に示すようにスライド扉７２の表裏の外周に
沿ってそれぞれエアーグリップシール７２ａ、７２ｂが
配置され、一方乾燥室４２の下面であってエアーグリッ
プシール７２ａの内周側に沿ってＯリング７２ｃが配置
されている。Ｏリング７２ｃをエアーグリップシール７
２ａの外周側に沿って配置することも可能である。そし
て、スライド扉７２がフランジ７０内に収容された状態
からエアーグリップシール７２ａ，７２ｂを膨らますこ
とでエアーグリップシール７２ａが乾燥室４２の下面、
エアーグリップシール７２ｂがフランジ７０の底面とそ
れぞれ密着し、さらにＯリング７２ｃがスライド扉７２
の表面に密着し、これにより開口部６２が密閉される。

【００６０】ウエハガイド４３は、図１１に示すように
支持部材７４の下端に、例えば５０枚のウエハＷを保持
するウエハ保持部７５を設けてなる。ウエハ保持部７５
は、中央下端部に架設される中央保持棒７６と左右両側
端部に互いに平行に架設される２本の側部保持棒７７、
７８とをこれらの両端で固定してなるもので、一端は支
持部材７４の下端に固定され、他端は固定部部材７９で
固定される。中央保持棒７６及び側部保持棒７７、７８
には、それぞれ長手方向に所定の間隔をおいて複数個例
えば５０個のウエハ保持溝８０、８０…が設けられてい
る。ウエハガイド４３は、耐食性、耐熱性及び耐強度性
に優れた材質、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテル
ケトン）やＱｚ等からなる。

【００６１】また、ウエハガイド４３の上端部には、ガ
イド上下棒８１が固定されている。このガイド上下棒８
１は、図４及び図５に示すように乾燥室４２の上部に設
けられたグリップ機構８２に介して外側に上下動可能に
突き出ている。グリップ機構８２は、ガイド上下棒８１
を包囲するエアーグリップシール８２ａを有する。そし
て、ガイド上下棒８１を上下に駆動するときには、エア
ーグリップシール８２ａからエアーを抜き、乾燥室４２
を密閉するときにはエアーグリップシール８２ａを膨ら
ましている。また、ガイド上下棒８１の上端は、乾燥室
４２の背後に設けられたウエハガイドＺ軸機構８３に接
続されている。ウエハガイドＺ軸機構８３は、ガイド上
下棒８１を上下動することで下部の開口部６２を介し洗
浄槽４１と乾燥室４２との間でウエハガイド４３に保持
されたウエハＷを移送する。また、図４に示すようにこ
の洗浄装置２７の正面には、図２に示したウエハ搬送装
置１３が配置されている。ウエハ搬送装置１３に設けら
れたウエハチャック８４は、隣接する水洗洗浄処理槽２
６から例えば５０枚のウエハＷを受け取り、乾燥室４２
内のウエハガイド４３に受け渡し、また乾燥室４２内の
ウエハガイド４３から例えば５０枚のウエハＷを受け取
り、搬出部４のアンローダ部１５に受け渡す。図３及
び図１２に示すように、乾燥室４２内の上部の両側に
は、乾燥室４２内でウエハガイド４３に保持されたウエ
ハＷに対して窒素ガス等をダウンフローに吹き付けるノ
ズル８５、８６が設けられている。ノズル８５、８６
は、それぞれウエハＷの配列方向に沿って例えば隣接す
るウエハＷ間の間隔と同一のピッチで設けられた噴出穴
８７を有するパイプ８８により構成することができる。
ノズル８５、８６には、ＩＰＡ蒸発器８９より制御弁９
０及びフィルタ９１を介してＩＰＡと加熱した窒素との
混合ガスが供給されるようになっている。ＩＰＡ蒸発器
８９には、窒素加熱器９２及び制御弁９３を介して加熱
した窒素が供給され、ＩＰＡタンク９４より制御弁９５
を介してＩＰＡが供給されるようになっている。ＩＰＡ
タンク９４には、制御弁９６を介して窒素が補充され、
制御弁９７を介してＩＰＡが補充されるようになってい
る。

【００６２】一方、図３及び図１２に示すように、乾燥
室４２内の下部の両側には、ノズル８５、８６より吹き
出された窒素ガス等を排出するための排出口９８、９９
が設けられている。排出口９８、９９が図示を省略した
排気ポンプに接続されている。また、排出口９８、９９
には、ノズル８５、８６より吹き出された窒素ガス等を
乾燥室４２内の下部の各部より均一に取り込むための複
数の取り込み口１００、１００…を有する整流手段とし
ての整流板１０１、１０２がそれぞれ連通している。こ
れにより、図１３に示すように、各ノズル８５、８６の
各噴出穴８７より吹き出された窒素ガス等は、同図点線
の如く各ウエハＷの表面を通り、各整流板１０１、１０
２の取り込み口１００より取り込まれる。すなわち、窒
素ガス等の流れに乱流が生じることがなくなる。なお、
乾燥室４２内の下部には、液体を排出するための排出口
（図示せず。）が設けられている。

【００６３】また、図３に示すように、乾燥室４２内の
中部両側には、一対のパネルヒータ１０３、１０４が設
けられている。これらのパネルヒータ１０３、１０４に
は、パネルヒータコントローラ１０５が接続され、温度
コントロールが行われるようになっている。これによ
り、乾燥室４２内は例えばＩＰＡが沸騰する程度の温度
にコントロールされる。

【００６４】また、図３に示すように、洗浄槽４１と乾
燥室４２との間、例えば洗浄槽４１の液面より上部の両
側には、洗浄槽４１から乾燥室４２へ移送されるウエハ
Ｗに対して窒素ガスを吹き付けるノズル１０６、１０７
が設けられている。これらのノズル１０６、１０７も上
述したノズル８５、８６とほぼ同様の構成とされてい
る。ノズル１０６、１０７には、窒素ガスを０℃〜常
温、より好ましくは５℃程度の温度に冷却する冷却器１
０８及び制御弁１０９を介して冷却された窒素ガスが供
給されるようになっている。

【００６５】この冷却された窒素ガスの供給路の途中に
はＩＰＡ供給機構からのＩＰＡ供給路が合流しており、
窒素ガスの供給路内にＩＰＡを供給できるようになって
いる。そのため、窒素ガスとＩＰＡの混合ガスとしてノ
ズル１０６、１０７から噴霧して供給し、洗浄槽４１の
液面より上部の空間に窒素及びＩＰＡの混合気体の雰囲
気を形成することができる。

【００６６】また、同様に窒素ガスとＩＰＡの混合ガス
としてノズル１０６、１０７から噴霧して滴下させ洗浄
槽４１の液面表面にＩＰＡ膜を形成することも可能であ
る。次に、以上のように構成された洗浄装置２７の動作
を図１４に示す処理フローに基づき説明する。なお、以
下の動作制御は、例えば図示を省略した制御部によって
行われる。

【００６７】まず、乾燥室４２下部のスライド扉７２を
閉じ、回転扉５９ａが開いた状態で、乾燥室４２上部の
蓋６３を開ける（ステップ１４０１、図１５）。

【００６８】この状態で窒素ガスを供給し、乾燥室４２
内を窒素ガスでパージする。なお、この窒素ガスによる
パージは上気蓋６３を開ける前に行なっても良い。

【００６９】次に、ウエハチャック８４が乾燥室４２内
に降下し、乾燥室４２内のウエハガイド４３にウエハＷ
を受け渡す（ステップ１４０２、図１６）。次に、乾燥
室４２上部の蓋６３を閉じて、乾燥室４２下部のスライ
ド扉７２を開ける（ステップ１４０３、図１７）。そし
て、ウエハＷが保持されたウエハガイド４３を下降し、
ウエハＷを洗浄槽４１内に移送し（ステップ１４０４、
図１８）、乾燥室４２下部の回転扉５９ａを閉じる（ス
テップ１４０５、図１９）。

【００７０】この後、洗浄槽４１内では、ＨＦ／Ｈ₂Ｏ
混合液をノズル４４、４５より噴出してＨＦ／Ｈ₂Ｏ混
合液を貯留し、貯留したＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液にウエハＷ
に浸漬して薬液による洗浄を行う（ステップ１４０６、
図２０）。

【００７１】なお、この実施形態ではウエハＷを洗浄槽
４１内に移送してからＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液を洗浄層４１
内に供給する構成としたが、これ以外の方法として、予
め洗浄槽４１内をＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液で満しておいて、
この中にウエハＷを洗浄槽４１内に移送する方法も採用
可能である。このとき、上気いずれの方法においても、
ノズル４４、４５より噴出されたＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液
は、洗浄層４１内においてウエハＷに向かう対流を形成
し、薬液洗浄を促進する。

【００７２】次いで、ＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液を排出し、そ
の後ＤＩＷをノズル４４、４５より噴出し、濯ぎ処理を
行う（ステップ１４０７、図２０）。同様にノズル４
４、４５より噴出されたＤＩＷは、洗浄層４１内におい
てウエハＷに向かう対流を形成し、濯ぎ処理を促進す
る。なお、ＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液を排出することなく、Ｈ
Ｆ／Ｈ₂Ｏ混合液を貯留した状態からそのままＤＩＷを
噴出し、徐々にＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液を薄くするようにし
てもよい。一方、このような洗浄処理が行われている間
に、乾燥室４２内ではノズル８５、８６より窒素ガスを
吹き出して窒素ガスで置換し（ステップ１４０８、図２
０）、その後ノズル８５、８６よりＩＰＡまたはＩＰＡ
と窒素との混合ガスを吹き出し、乾燥室４２内を予めＩ
ＰＡの雰囲気にしている（ステップ１４０９、図２
０）。

【００７３】その後、乾燥室４２下部の回転扉５９ａを
開け（ステップ１４１０、図２１）、ウエハＷが保持さ
れたウエハガイド４３を上昇してウエハＷを乾燥室４２
内に移送する（ステップ１４１１、図２２、）。その
際、ノズル１０６、１０７から洗浄槽４１から乾燥室４
２へ移送されるウエハＷに対して窒素ガスが吹き付けら
れる。次に、乾燥室４２下部のスライド扉７２を閉じ
（ステップ１４１２、図２３）、乾燥室４２内のウエハ
Ｗに対してノズル８５、８６からＩＰＡまたはＩＰＡと
窒素ガスの混合ガスがダウンフローに吹き付けられる
（ステップ１４１３、図２４）。この後、乾燥室４２内
を排気して減圧すると共に、乾燥室４２内のウエハＷに
対してノズル８５、８６から窒素ガスをダウンフローに
吹き付ける（ステップ１４１４、図２４）。なお、この
場合、乾燥室４２内を減圧することなく、窒素ガスを吹
き付けてもよいし、窒素ガスを吹き付けることなく、乾
燥室４２内を減圧してもよい。

【００７４】しかる後に、窒素ガスを吹き付けながら乾
燥室４２内の排気を停止して乾燥室４２内を常圧に戻す
（ステップ１４１５、図２３）。そして、乾燥室４２上
部の蓋６３を開け（ステップ１４１６、図２５）、ウエ
ハチャック８４が乾燥室４２内に降下して乾燥室４２内
のウエハガイド４３よりウエハＷを受け取り（ステップ
１４１７、図２６）、ウエハチャック８４が上昇してウ
エハＷを乾燥室４２の外側に搬出する（ステップ１４１
８、図２７）。

【００７５】このように本実施形態に係る洗浄装置２７
では、乾燥室４２と洗浄槽４１とをそれぞれ上下に分離
すると共に、乾燥室４２の空間と洗浄槽４１の空間とを
回転扉５９ａ及びスライド扉７２により遮蔽可能とし、
洗浄槽４１での洗浄処理を回転扉５９ａで遮蔽して、乾
燥室４２での乾燥処理をスライド扉７２で密閉・遮蔽し
て行うように構成したので、乾燥室４２と洗浄槽４１と
の相互間で薬液等による悪影響を及ぼし合うことはな
い。また、乾燥室４２と洗浄槽４１とをそれぞれ別個の
条件下で設計することができるので、設計の自由度が高
く、洗浄処理の高速化や装置のさらなる小形化等を図る
ことができる。例えば、乾燥室４２内にパネルヒータ１
０３、１０４を取り付けて乾燥室４２内を加熱して乾燥
処理を短時間で行うようにすることも可能であるし、洗
浄槽４２でウエハＷの洗浄を行っている際に乾燥室４２
内をＩＰＡで置換しておいて乾燥処理を短時間で行うよ
うにすることも可能である。また、処理槽と乾燥室とが
同一の室内で行われていた従来の洗浄装置に比べ乾燥室
４２を小形にできるので、より効率良く乾燥処理を行う
ことができる。さらに、乾燥室４２内の容積を極力小さ
くすることができるので、乾燥室４２の耐圧性がそれ程
要求されない。よって、乾燥室４２の肉厚を薄くするこ
とができ、また減圧するために使用する真空ポンプ１１
０の低出力化を図ることができる。

【００７６】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れることなく、その技術思想の範囲内で様々な変形が可
能である。

【００７７】例えば、上述した実施形態では、乾燥室４
２の開口部６２の開閉手段を回転扉とスライド扉の２つ
の扉で構成したが、図２８及び図２９に示すように２つ
のモードを有する１つのスライド扉とすることができ
る。これらの図に示すように、スライド扉１１１は乾燥
室４２の開口部６２の幅よりも少し長く、かつウエハガ
イド４３の支持部材７４を通すための切り欠き部１１２
を有する点が図９及び図１０に示したスライド扉と異な
る。そして、図１４に示したステップ１４０４までは開
口部６２を開いており、ステップ１４０５〜１４０９の
間は、図２８に示すように切り欠き部１１２が開口部６
２と重複するようにスライド扉１１１を移動させて開口
部６２を閉じる。この重複部分で支持部材７４を通すこ
とが可能となる。次に、ステップ１４１０〜１４１１で
再び開口部６２を開き、この後ステップ１４１２以降は
図２９に示すように開口部６２を完全に閉じるようにス
ライド扉１１１を移動させて開口部６２を閉じる。この
場合も、エアーグリップシール７２ａ，７２ｂを膨らま
せて密閉性を高めている。

【００７８】また、上述した実施形態では、不活性ガス
として窒素を用いていたが、アルゴンやヘリウム等の他
の不活性ガスを用いることも可能である。これらは、加
熱することで乾燥処理をより効果的に行うことが可能で
あるが、加熱しなくても勿論よい。

【００７９】また、上述した実施形態では、水溶性でか
つ被処理基板に対する純水の表面張力を低下させる作用
を有する有機溶剤としてＩＰＡを用いていたが、ＩＰＡ
等のエーテル等のエーテル類、エチレングリコール等の
多価アルコール等の有機溶剤を用いることが可能であ
る。

【００８０】また、上述した実施形態では、洗浄装置２
７においてＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液による薬液処理と純水に
よる濯ぎ処理と乾燥処理とを行うものであったが、少な
くとも乾燥処理とその他の１つ以上の処理を行うものが
本発明の技術的範囲に含まれるものである。その他の処
理とは、ＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液による薬液処理、純水によ
る濯ぎ処理、ＮＨ₄ＯＨ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂Ｏ混合液によ
る薬液処理、ＨＣｌ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂Ｏ混合液による薬
液処理等がある。従って、本発明に係る洗浄装置では、
例えばＮＨ₄ＯＨ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂Ｏ混合液による薬液
処理とＨＣｌ／Ｈ₂Ｏ₂／Ｈ₂Ｏ混合液による薬液処理
とＨＦ／Ｈ₂Ｏ混合液による薬液処理と純水による濯ぎ
処理と乾燥処理とを行うように構成しても勿論よい。

【００８１】また、上述した実施形態では、処理順に処
理槽を連接した洗浄処理装置に本発明に係る洗浄装置を
組み合わせた例を説明したが、本発明に係る洗浄装置を
スタンドアローンタイプの装置として用いることも可能
である。この場合、例えばローダ部とアンローダ部とを
兼ねた搬送部と本発明に係る洗浄装置とを連接して構成
することができる。

【００８２】また、被処理基板も半導体ウエハに限るも
のでなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、フォト
マスク、プリント基板、セラミック基板等でも可能であ
る。

【００８３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
処理液を貯留し、貯留した処理液に被処理基板が浸漬さ
れる処理槽と、前記処理槽の上方に配置され、処理槽と
の間で被処理基板を移送するための開閉自在な開口部が
設けられた乾燥室と、前記開口部を介して前記処理槽と
前記乾燥室との間で被処理基板を移送する移送手段と、
前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする手段とを具備し
たので、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受ける
ことはなく、設計の自由度が高く、洗浄処理の高速化や
装置のさらなる小形化等を図ることができ、さらに乾燥
室内を有機溶剤の雰囲気にする一方で減圧するような場
合には、乾燥室及び処理槽の肉厚を薄くすることがで
き、また減圧するために使用される真空ポンプ等の低出
力化を図ることができる。

【００８４】上記洗浄装置において、前記開口部が閉時
には前記乾燥室を密閉する手段をさらに具備したので、
乾燥室の肉厚をさらに薄くすることができ、また減圧す
るために使用される真空ポンプ等のさらなる低出力化を
図ることができる。

【００８５】処理液を貯留し、貯留した処理液に被処理
基板が浸漬される処理槽と、前記処理槽の上方に配置さ
れ、処理槽との間で被処理基板を移送するための開口部
が設けられた乾燥室と、前記乾燥室側より支持しつつ、
前記被処理基板を保持する保持部材と、前記開口部を介
して前記処理槽と前記乾燥室との間で前記保持部材を移
送する移送手段と、前記開口部を開閉し、閉時に前記乾
燥室を密閉する第１の開閉手段と、前記開口部を開閉
し、閉時に前記処理槽において前記乾燥室側より前記保
持部材を支持するための隙間を有するように前記開口部
を閉じる第２の開閉手段と、前記乾燥室内を有機溶剤の
雰囲気にする手段とを具備したので、乾燥室の肉厚をさ
らに薄くすることができ、また減圧するために使用され
る真空ポンプ等のさらなる低出力化を図ることができ
る。

【００８６】処理液を貯留し、貯留した処理液に被処理
基板が浸漬される処理槽と、前記処理槽の上方に配置さ
れ、処理槽との間で被処理基板を移送するための開口部
が設けられた乾燥室と、前記乾燥室側より支持しつつ、
前記被処理基板を保持する保持部材と、前記開口部を介
して前記処理槽と前記乾燥室との間で前記保持部材を移
送する移送手段と、前記開口部を開閉し、閉時に前記乾
燥室を密閉する第１のモードと、閉時に前記処理槽にお
いて前記乾燥室側より前記保持部材を支持するための隙
間を有するように前記開口部を閉じる第２のモードとを
有する開閉手段と、前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気に
する手段とを具備したので、乾燥室の肉厚をさらに薄く
することができ、また減圧するために使用される真空ポ
ンプ等のさらなる低出力化を図ることができる。

【００８７】上記洗浄装置において、前記処理槽と前記
乾燥室との間に配置され、処理槽から乾燥室へ移送され
る被処理基板に対して不活性ガスを吹き付ける手段をさ
らに具備したので、より効率良く乾燥処理を行うことが
できる。この場合、不活性ガスを冷却する冷却手段をさ
らに具備すれば、乾燥室内での有機溶剤による凝縮化を
促進することができる。

【００８８】上記洗浄装置において、前記乾燥室内を減
圧する手段と、前記乾燥室内の被処理基板に対して不活
性ガスを吹き付ける手段とを具備したので、より効率良
く乾燥処理を行うことができる。

【００８９】上記洗浄装置において、前記乾燥室内に配
置された加熱手段をさらに具備したので、より効率良く
乾燥処理を行うことができる。

【００９０】上記洗浄装置において、前記処理槽に貯留
される処理液が、冷却された濯ぎ液であるので、乾燥室
内での有機溶剤による凝縮化を促進することができる。

【００９１】本発明方法では、（ａ）乾燥室側より支持
された保持部材により被処理基板を保持しつつ、乾燥室
の開口部を介してその下方に設けられた処理槽に移送す
る工程と、（ｂ）前記開口部を閉じる工程と、（ｃ）移
送前又は移送後に前記処理槽に処理液を貯留し、前記被
処理基板を浸漬する工程と、（ｄ）前記開口部を開け、
前記被処理基板を前記処理槽から前記乾燥室に移送する
工程と、（ｅ）前記開口部を閉じる工程と、（ｆ）前記
被処理基板を有機溶剤の雰囲気により乾燥する工程と、
を具備したので、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響
を受けることはなく、設計の自由度が高く、洗浄処理の
高速化や装置のさらなる小形化等を図ることができ、さ
らに乾燥室及び処理槽の肉厚を薄くすることができ、ま
た減圧するために使用される真空ポンプ等の低出力化を
図ることができる。

【００９２】上気方法において、工程（ｂ）の前であっ
て、前記被処理基板を洗浄装置外部から前記乾燥室内へ
移送後、前記乾燥室が不活性ガスで充填されているの
で、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受けること
がない。

【００９３】上気方法において、前記工程（ａ）ないし
工程（ｆ）において、前記処理槽に不活性ガスを供給す
るので、乾燥処理の際に薬液処理による悪影響を受ける
ことがない。

【００９４】上気方法において、被処理基板が乾燥室に
移送される以前にすでに乾燥室内が有機溶剤の雰囲気に
されているので、乾燥処理をより効率良く行うことがで
きる。上気方法において、前記被処理基板を前記乾燥
室から前記処理槽へ移送後に、前記開口部を閉じる工程
は、前記乾燥室側より前記保持部材を支持するための隙
間を持たせつつ閉じる工程であるので、前記保持部材を
処理槽に入れたまま洗浄処理が行なえる結果、洗浄処理
の高速化が図られる。

【００９５】上気方法において、前記被処理基板を前記
処理槽から前記乾燥室へ移送後に前記開口部を閉じる工
程は、前記開口部を密閉する工程であるので、処理槽部
と乾燥室とが分けられることにより、処理液のミスト等
が乾燥室に入ることが防止される結果、乾燥処理の際に
薬液処理による悪影響を受けることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る本実施形態は半導体
ウエハの洗浄処理装置の斜視図である。

【図２】図１に示した洗浄処理装置の平面図である。

【図３】図１の示した洗浄処理装置おける洗浄装置の縦
断正面図である。

【図４】図３に示した洗浄装置の縦断側面図である。

【図５】図３に示した洗浄装置の斜視図である。

【図６】図３に示した洗浄装置の上部の蓋の近傍を示す
斜視図である。

【図７】図３に示した洗浄装置の蓋駆動部の概略構成を
示す図である。

【図８】図３に示した洗浄装置の回転扉機構の構成を示
す斜視図である。

【図９】図３に示した洗浄装置のスライド扉機構を示す
斜視図である。

【図１０】図９に示したスライド扉機構を示す縦断正面
図である。

【図１１】図３に示した洗浄装置のウエハガイドを示す
斜視図である。

【図１２】図３に示した洗浄装置のノズルと排出口を示
す斜視図である。

【図１３】図３に示した洗浄装置の整流板の作用を説明
するための図である。

【図１４】図３に示した洗浄装置の動作を処理フローで
ある。

【図１５】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４０１に対応）。

【図１６】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４０２に対応）。

【図１７】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４０３に対応）。

【図１８】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４０４に対応）。

【図１９】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４０５に対応）。

【図２０】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４０６〜１４０９に対応）。

【図２１】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４１０に対応）。

【図２２】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４１１に対応）。

【図２３】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４１２、１４１５に対応）。

【図２４】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４１３、１４１４に対応）。

【図２５】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４１６に対応）。

【図２６】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４１７に対応）。

【図２７】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１４のステップ１４１８に対応）。

【図２８】本発明の他の実施形態に係るスライド扉機構
を示す平面図である。

【図２９】本発明の他の実施形態に係るスライド扉機構
を示す平面図である。

【図３０】従来の洗浄装置を示す概略図である。

【符号の説明】

２７洗浄装置４１洗浄槽４２乾燥室４３ウエハガイド４４、４５ノズル５９回転扉機構６１乾燥室上部の開口部６２乾燥室下部の開口部６３密閉型の蓋６４スライド扉機構６６蓋駆動部７２スライド扉８５、８６ノズル９８、９９排出口１０１、１０２整流板１０３、１０４パネルヒータ１０６、１０７ノズル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液を貯留し、貯留した処理液に被処
理基板が浸漬される処理槽と、前記処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基
板を移送するための開閉自在な開口部が設けられた乾燥
室と、前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で被
処理基板を移送する移送手段と、前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする手段とを具備す
ることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】請求項１記載の洗浄装置において、前記開口部が閉時には前記乾燥室を密閉する手段をさら
に具備することを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】処理液を貯留し、貯留した処理液に被処
理基板が浸漬される処理槽と、前記処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基
板を移送するための開口部が設けられた乾燥室と、前記乾燥室側より支持しつつ、前記被処理基板を保持す
る保持部材と、前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で前
記保持部材を移送する移送手段と、前記開口部を開閉し、閉時に前記乾燥室を密閉する第１
の開閉手段と、前記開口部を開閉し、閉時に前記処理槽において前記乾
燥室側より前記保持部材を支持するための隙間を有する
ように前記開口部を閉じる第２の開閉手段と、前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする手段とを具備す
ることを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】処理液を貯留し、貯留した処理液に被処
理基板が浸漬される処理槽と、前記処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基
板を移送するための開口部が設けられた乾燥室と、前記乾燥室側より支持しつつ、前記被処理基板を保持す
る保持部材と、前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で前
記保持部材を移送する移送手段と、前記開口部を開閉し、閉時に前記乾燥室を密閉する第１
のモードと、閉時に前記処理槽において前記乾燥室側よ
り前記保持部材を支持するための隙間を有するように前
記開口部を閉じる第２のモードとを有する開閉手段と、前記乾燥室内を有機溶剤の雰囲気にする手段とを具備す
ることを特徴とする洗浄装置。
【請求項５】請求項１乃至４記載の洗浄装置におい
て、前記処理槽の処理液が、脱気処理された濯ぎ液であるこ
とを特徴とする洗浄装置。
【請求項６】請求項１乃至５記載の洗浄装置におい
て、前記処理槽と前記乾燥室との間に配置され、処理槽から
乾燥室へ移送される被処理基板に対して不活性ガスを吹
き付ける手段をさらに具備することを特徴とする洗浄装
置。
【請求項７】請求項６記載の洗浄装置において、前記不活性ガスを冷却する冷却手段をさらに具備するこ
とを特徴とする洗浄装置。
【請求項８】請求項１乃至７記載の洗浄装置におい
て、前記乾燥室内を減圧する手段と、前記乾燥室内の被処理基板に対して不活性ガスを吹き付
ける手段とをさらに具備することを特徴とする洗浄装
置。
【請求項９】請求項１乃至４記載の洗浄装置におい
て、前記乾燥室内に配置された加熱手段をさらに具備するこ
とを特徴とする洗浄装置。
【請求項１０】請求項１乃至４記載の洗浄装置におい
て、前記処理槽に貯留される処理液が、冷却された濯ぎ液で
あることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１１】（ａ）乾燥室側より支持された保持部
材により被処理基板を保持しつつ、乾燥室の開口部を介
してその下方に設けられた処理槽に移送する工程と、
（ｂ）前記開口部を閉じる工程と、（ｃ）移送前又は移
送後に前記処理槽に処理液を貯留し、前記被処理基板を
浸漬する工程と、（ｄ）前記開口部を開け、前記被処理
基板を前記処理槽から前記乾燥室に移送する工程と、
（ｅ）前記開口部を閉じる工程と、（ｆ）前記被処理基
板を有機溶剤の雰囲気により乾燥する工程と、を具備することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１２】請求項１１記載の洗浄方法であって、前記工程（ｂ）の前であって、前記被処理基板を洗浄装
置外部から前記乾燥室内へ移送後、前記乾燥室に不活性
ガスを充填する工程をさらに具備することを特徴とする
洗浄方法。
【請求項１３】請求項１１記載の洗浄方法であって、前記工程（ａ）ないし工程（ｆ）において、前記処理槽
に不活性ガスを供給することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１４】請求項１１記載の洗浄方法であって、前記工程（ｄ）の前に、前記処理槽に有機溶剤を含む気
体を供給することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１５】請求項１１記載の洗浄方法であって、前記工程（ｄ）の間に、前記処理槽に有機溶剤を含む気
体を供給することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１６】請求項１１記載の洗浄方法において、処理槽から乾燥室へ移送される被処理基板に対して不活
性ガスを吹き付ける工程を更に具備することを特徴とす
る洗浄方法。
【請求項１７】請求項１１又は１２記載の洗浄方法に
おいて、前記（ｆ）工程の後に、前記乾燥室内を減圧しながら、
前記乾燥室内の被処理基板に対して不活性ガスを吹き付
ける工程を更に具備することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１８】請求項１１乃至１３記載の洗浄方法に
おいて、前記（ｂ）工程と前記（ｄ）工程の間に、前記乾燥室を
予め有機溶剤の雰囲気にしておく工程を更に有すること
を特徴とする洗浄方法。
【請求項１９】請求項１１乃至１４記載の洗浄方法に
おいて、前記処理槽に貯留される処理液が、冷却された濯ぎ液で
あることを特徴とする洗浄方法。
【請求項２０】特許請求の範囲第１１項記載の洗浄方
法であって、前記被処理基板を前記乾燥室から前記処理槽へ移送後
に、前記開口部を閉じる工程は、前記乾燥室側より前記
保持部材を支持するための隙間を持たせつつ閉じる工程
であることを特徴とする洗浄方法。
【請求項２１】特許請求の範囲第１１項記載の洗浄方
法であって、前記被処理基板を前記処理槽から前記乾燥室へ移送後
に、前記開口部を閉じる工程は、前記開口部を密閉する
工程であることを特徴とする洗浄方法。